JP2000357600A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価で設置に場所をとる高周波電源装置を使
用せずに、電極の自己バイアス電位の制御なプラズマ処
理装置を提供する。 【解決手段】 反応室２内に臨ませてカソード電極３、
アノード電極４、リング電極５を配置し、反応室２内に
処理ガスを導入した状態で、カソード電極３及びリング
電極５とアノード電極４間に高周波電力を印加すること
で、反応室２内にプラズマを発生させ、このプラズマを
利用することで、アノード電極４上に載置した基板Ｗの
表面に所定の処理を施すプラズマＣＶＤ処理装置におい
て、カソード電極３及びリング電極５に高周波電力を印
加する高周波発振器２１、２３を接続すると共に、アノ
ード電極４に、該電極４のインピーダンスを変化させる
ことで該電極の自己バイアス電位を制御するコイルとコ
ンデンサよりなる整合回路３０を接続した。
用せずに、電極の自己バイアス電位の制御なプラズマ処
理装置を提供する。 【解決手段】 反応室２内に臨ませてカソード電極３、
アノード電極４、リング電極５を配置し、反応室２内に
処理ガスを導入した状態で、カソード電極３及びリング
電極５とアノード電極４間に高周波電力を印加すること
で、反応室２内にプラズマを発生させ、このプラズマを
利用することで、アノード電極４上に載置した基板Ｗの
表面に所定の処理を施すプラズマＣＶＤ処理装置におい
て、カソード電極３及びリング電極５に高周波電力を印
加する高周波発振器２１、２３を接続すると共に、アノ
ード電極４に、該電極４のインピーダンスを変化させる
ことで該電極の自己バイアス電位を制御するコイルとコ
ンデンサよりなる整合回路３０を接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン基板やガ
ラス基板に対して薄膜を形成したり薄膜のエッチングを
行ったりするプラズマ処理装置に関する。
ラス基板に対して薄膜を形成したり薄膜のエッチングを
行ったりするプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用して基板に所定の処理を
施すプラズマ処理装置の一種にプラズマＣＶＤ装置があ
る。図４はプラズマＣＶＤ装置の一例を示している。
施すプラズマ処理装置の一種にプラズマＣＶＤ装置があ
る。図４はプラズマＣＶＤ装置の一例を示している。
【０００３】図４において、１は真空容器で、その内部
が反応室２となっている。真空容器１の上壁部には、絶
縁材８を介して円板状のカソード電極３が設けられてい
る。また、反応室２の内底部には、基板載置台を兼ねた
円板状のアノード電極４が設けられている。このアノー
ド電極４は、それを支持している軸部１０と真空容器１
の間に絶縁材９を介在させることで絶縁状態に保持され
ている。これらカソード電極３とアノード電極４は上下
に対向しており、アノード電極４の上面に処理すべき基
板Ｗが載置されるようになっている。
が反応室２となっている。真空容器１の上壁部には、絶
縁材８を介して円板状のカソード電極３が設けられてい
る。また、反応室２の内底部には、基板載置台を兼ねた
円板状のアノード電極４が設けられている。このアノー
ド電極４は、それを支持している軸部１０と真空容器１
の間に絶縁材９を介在させることで絶縁状態に保持され
ている。これらカソード電極３とアノード電極４は上下
に対向しており、アノード電極４の上面に処理すべき基
板Ｗが載置されるようになっている。
【０００４】アノード電極３とカソード電極４に挟まれ
た空間はプラズマ生成領域となっており、このプラズマ
生成領域を囲むように、真空容器１の周壁部にはリング
電極５が絶縁材６、７を介して配置されている。そし
て、カソード電極３、アノード電極４、及びリング電極
５には、それぞれ位相整合器２２、２６、２４を介して
高周波発振器２１、２５、２３が接続されている。
た空間はプラズマ生成領域となっており、このプラズマ
生成領域を囲むように、真空容器１の周壁部にはリング
電極５が絶縁材６、７を介して配置されている。そし
て、カソード電極３、アノード電極４、及びリング電極
５には、それぞれ位相整合器２２、２６、２４を介して
高周波発振器２１、２５、２３が接続されている。
【０００５】また、反応室２の上部に位置するカソード
電極３の中央には、アノード電極４上の基板Ｗに向けて
処理ガスを供給するガス導入口１８が設けられ、真空容
器１の周壁底部には、反応室２内の雰囲気ガスを排気す
る排気口１９が設けられている。ガス導入口１８は図示
略のガス供給系に接続され、排気口１９は図示略の排気
ポンプに接続されている。
電極３の中央には、アノード電極４上の基板Ｗに向けて
処理ガスを供給するガス導入口１８が設けられ、真空容
器１の周壁底部には、反応室２内の雰囲気ガスを排気す
る排気口１９が設けられている。ガス導入口１８は図示
略のガス供給系に接続され、排気口１９は図示略の排気
ポンプに接続されている。
【０００６】基板処理に用いるガスとしては、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ(ＯＣ2 Ｈ5)4 、ＮＨ3 、ＮＦ3 、Ｃ
2 Ｆ6 、Ｏ2 、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 、Ｎ2 Ｏの各ガスの中
から選択される１種類のガス、または、２種類以上の混
合ガスが利用される。
Ｈ4 、Ｓｉ(ＯＣ2 Ｈ5)4 、ＮＨ3 、ＮＦ3 、Ｃ
2 Ｆ6 、Ｏ2 、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2 、Ｎ2 Ｏの各ガスの中
から選択される１種類のガス、または、２種類以上の混
合ガスが利用される。
【０００７】次に基板処理の流れについて説明する。ま
ず、図示略の基板搬送手段によって、反応室２内のアノ
ード電極４上に基板Ｗを搬送し、図示略の排気ポンプを
用いて反応室２内を真空にする。次にその基板Ｗをその
処理に適した温度に図示略の加熱手段で加熱する。加熱
したら、ガス導入口１８から処理ガスを反応室２内に供
給する。同時に、高周波発振器２１、２５、２３から高
周波電力をそれぞれカソード電極３、アノード電極４、
リング電極５に印加し、反応室２内にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマを利用して基板Ｗの表面に薄膜を形成
する。
ず、図示略の基板搬送手段によって、反応室２内のアノ
ード電極４上に基板Ｗを搬送し、図示略の排気ポンプを
用いて反応室２内を真空にする。次にその基板Ｗをその
処理に適した温度に図示略の加熱手段で加熱する。加熱
したら、ガス導入口１８から処理ガスを反応室２内に供
給する。同時に、高周波発振器２１、２５、２３から高
周波電力をそれぞれカソード電極３、アノード電極４、
リング電極５に印加し、反応室２内にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマを利用して基板Ｗの表面に薄膜を形成
する。
【０００８】このように、従来の装置では、アノード電
極４の自己バイアス電位Ｖdcを制御する方法として、ア
ノード電極４に印加する高周波電力を制御する方法を用
いている。アノード電極４に高周波電力を印加したとき
の電圧振幅Ｖppとアノード電極４の自己バイアス電位Ｖ
dcの関係は図５のようになる。この自己バイアス電位Ｖ
dcは、図６に示すように、アノード電極４に印加する高
周波電力の大きさに比例している。このため、自己バイ
アス電位Ｖdcの制御は、高周波電力の制御で行うことが
できる。
極４の自己バイアス電位Ｖdcを制御する方法として、ア
ノード電極４に印加する高周波電力を制御する方法を用
いている。アノード電極４に高周波電力を印加したとき
の電圧振幅Ｖppとアノード電極４の自己バイアス電位Ｖ
dcの関係は図５のようになる。この自己バイアス電位Ｖ
dcは、図６に示すように、アノード電極４に印加する高
周波電力の大きさに比例している。このため、自己バイ
アス電位Ｖdcの制御は、高周波電力の制御で行うことが
できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに従来の装置では、アノード電極４の自己バイアス電
位の制御を、アノード電極４に印加する高周波電力を制
御することで行っていたので、以下の問題があった。 （１）高価な高周波電源装置が余分に必要である。 （２）高周波電源装置は、主に高周波発振器と位相整合
器とからなるが、それらの外形寸法が大きいため、アノ
ード電極の自己バイアス電位制御用に余分な高周波電源
装置を用意すると、その設置面積の確保が難しい。 （３）高周波電源装置を遠隔操作する場合には、別の高
価な制御回路が必要となり、一層コストアップになる。 （４）高パワーを印加すると、プラズマ電位に悪影響が
出るおそれがある。
うに従来の装置では、アノード電極４の自己バイアス電
位の制御を、アノード電極４に印加する高周波電力を制
御することで行っていたので、以下の問題があった。 （１）高価な高周波電源装置が余分に必要である。 （２）高周波電源装置は、主に高周波発振器と位相整合
器とからなるが、それらの外形寸法が大きいため、アノ
ード電極の自己バイアス電位制御用に余分な高周波電源
装置を用意すると、その設置面積の確保が難しい。 （３）高周波電源装置を遠隔操作する場合には、別の高
価な制御回路が必要となり、一層コストアップになる。 （４）高パワーを印加すると、プラズマ電位に悪影響が
出るおそれがある。
【００１０】本発明は、上記事情を考慮し、高価で設置
に場所をとる高周波電源装置を使用せずに、電極の自己
バイアス電位の制御が可能であり、遠隔装置する場合に
も特別な制御回路が要らず、プラズマ電位にも悪影響を
及ぼすおそれのない、プラズマ処理装置を提供すること
を目的とする。
に場所をとる高周波電源装置を使用せずに、電極の自己
バイアス電位の制御が可能であり、遠隔装置する場合に
も特別な制御回路が要らず、プラズマ電位にも悪影響を
及ぼすおそれのない、プラズマ処理装置を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、反応
室内に臨ませて２つの電極を配置し、前記反応室内に処
理ガスを導入した状態でこれら２つの電極間に高周波電
力を印加することで反応室内にプラズマを発生させ、こ
のプラズマを利用することで、いずれか一方の電極上に
配した基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置におい
て、前記２つの電極のうちの一方の電極に、該電極に対
して高周波電力を印加する高周波電力印加回路を接続す
ると共に、他方の電極に、該電極のインピーダンスを変
化させることで該電極の自己バイアス電位を制御する自
己バイアス電位制御回路を接続したことを特徴とする。
室内に臨ませて２つの電極を配置し、前記反応室内に処
理ガスを導入した状態でこれら２つの電極間に高周波電
力を印加することで反応室内にプラズマを発生させ、こ
のプラズマを利用することで、いずれか一方の電極上に
配した基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置におい
て、前記２つの電極のうちの一方の電極に、該電極に対
して高周波電力を印加する高周波電力印加回路を接続す
ると共に、他方の電極に、該電極のインピーダンスを変
化させることで該電極の自己バイアス電位を制御する自
己バイアス電位制御回路を接続したことを特徴とする。
【００１２】この発明のプラズマ処理装置では、一方の
電極には高周波電力を印加するが、他方の電極には高周
波電力を印加せず、該電極の自己バイアス電位を制御す
るために単に電極のインピーダンスを変化させるだけと
したので、構造が簡単で、場所をとらない。従って、イ
ンピーダンスを変化させて電極の自己バイアス電位を制
御する回路を、請求項２のように、コイルとコンデンサ
の少なくとも一方を１個以上含んだ回路で構成すること
ができる。また、このようなコイルとコンデンサ等の単
純な要素で回路を構成できるので、遠隔操作によるイン
ピーダンス制御も簡単にできる上、プラズマ電位に悪影
響を及ぼすおそれもない。
電極には高周波電力を印加するが、他方の電極には高周
波電力を印加せず、該電極の自己バイアス電位を制御す
るために単に電極のインピーダンスを変化させるだけと
したので、構造が簡単で、場所をとらない。従って、イ
ンピーダンスを変化させて電極の自己バイアス電位を制
御する回路を、請求項２のように、コイルとコンデンサ
の少なくとも一方を１個以上含んだ回路で構成すること
ができる。また、このようなコイルとコンデンサ等の単
純な要素で回路を構成できるので、遠隔操作によるイン
ピーダンス制御も簡単にできる上、プラズマ電位に悪影
響を及ぼすおそれもない。
【００１３】請求項３の発明のプラズマ処理装置は、前
記他方の電極の自己バイアス電位を検出する検出手段を
設けると共に、該検出手段により検出された自己バイア
ス電位と目標とする自己バイアス電位との差を縮めるよ
うに前記自己バイアス電位制御回路をフィードバック制
御する手段を設けたことを特徴とする。
記他方の電極の自己バイアス電位を検出する検出手段を
設けると共に、該検出手段により検出された自己バイア
ス電位と目標とする自己バイアス電位との差を縮めるよ
うに前記自己バイアス電位制御回路をフィードバック制
御する手段を設けたことを特徴とする。
【００１４】このプラズマ処理手段では、電極の自己バ
イアス電位をフィードバック制御するので、精度のよい
自己バイアス電位制御が可能となる。
イアス電位をフィードバック制御するので、精度のよい
自己バイアス電位制御が可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の実施形態としてのプ
ラズマＣＶＤ装置を示している。図４にて示したものと
同じように、このプラズマＣＶＤ装置は、反応室２の上
部にカソード電極３、反応室２の内底部にアノード電極
４、反応室２の周壁部にリング電極５を有している。
基づいて説明する。図１は本発明の実施形態としてのプ
ラズマＣＶＤ装置を示している。図４にて示したものと
同じように、このプラズマＣＶＤ装置は、反応室２の上
部にカソード電極３、反応室２の内底部にアノード電極
４、反応室２の周壁部にリング電極５を有している。
【００１６】カソード電極３とリング電極５には、図４
の装置と同様に、位相整合器２２、２４及び高周波発振
器２１、２３からなる高周波電源装置（高周波電力印加
回路）が接続されており、所望の高周波電力をカソード
電極３及びリング電極５に印加できるようになってい
る。しかし、アノード電極４には、高周波電源装置は接
続されていず、代わりに、アノード電極４のインピーダ
ンスを変化させることで該電極４の自己バイアス電位を
制御する整合回路（自己バイアス電位制御回路）３０が
接続されている。それ以外の構成は、図４の装置と同じ
であるので、同一要素に同一符号を付して説明を省略す
る。
の装置と同様に、位相整合器２２、２４及び高周波発振
器２１、２３からなる高周波電源装置（高周波電力印加
回路）が接続されており、所望の高周波電力をカソード
電極３及びリング電極５に印加できるようになってい
る。しかし、アノード電極４には、高周波電源装置は接
続されていず、代わりに、アノード電極４のインピーダ
ンスを変化させることで該電極４の自己バイアス電位を
制御する整合回路（自己バイアス電位制御回路）３０が
接続されている。それ以外の構成は、図４の装置と同じ
であるので、同一要素に同一符号を付して説明を省略す
る。
【００１７】この場合の整合回路３０は、図２に示すよ
うに、１つのコイルＬと２つの可変コンデンサＣ１、Ｃ
２を用いて構成されている。２つの可変コンデンサＣ
１、Ｃ２は、アノード電極４とアースＥの間に並列に接
続され、コイルＬは片方の可変コンデンサＣ１に直列に
接続されている。
うに、１つのコイルＬと２つの可変コンデンサＣ１、Ｃ
２を用いて構成されている。２つの可変コンデンサＣ
１、Ｃ２は、アノード電極４とアースＥの間に並列に接
続され、コイルＬは片方の可変コンデンサＣ１に直列に
接続されている。
【００１８】このように２つの可変コンデンサＣ１、Ｃ
２と１つのコイルＬとで整合回路３０を構成することに
より、例えば、コイルＬのインダクタンス値（Ｌ）を固
定しておき、２つの可変コンデンサＣ１、Ｃ２のキャパ
シタンス値（Ｃ１、Ｃ２）を変化させることで、アノー
ド電極４に所望の自己バイアス電位を与えることができ
る。
２と１つのコイルＬとで整合回路３０を構成することに
より、例えば、コイルＬのインダクタンス値（Ｌ）を固
定しておき、２つの可変コンデンサＣ１、Ｃ２のキャパ
シタンス値（Ｃ１、Ｃ２）を変化させることで、アノー
ド電極４に所望の自己バイアス電位を与えることができ
る。
【００１９】図２は、反応室２内の概略的な等価回路を
示している。ここでは、説明を簡単にするために、高周
波電力はリング電極５にのみ印加するものとする。リン
グ電極５の前面、反応室２の壁前面、アノード電極４の
前面のインピーダンスをそれぞれＺｒ、Ｚｅ、Ｚａ、ア
ノード電極４のインピーダンスをＺｂ、整合回路３０の
インピーダンスをＺｘとすると、反応室２内の全インピ
ーダンスＺは、次式のようになる。
示している。ここでは、説明を簡単にするために、高周
波電力はリング電極５にのみ印加するものとする。リン
グ電極５の前面、反応室２の壁前面、アノード電極４の
前面のインピーダンスをそれぞれＺｒ、Ｚｅ、Ｚａ、ア
ノード電極４のインピーダンスをＺｂ、整合回路３０の
インピーダンスをＺｘとすると、反応室２内の全インピ
ーダンスＺは、次式のようになる。
【００２０】Ｚ＝Ｚｒ＋｛Ｚｅ（Ｚｂ＋Ｚｘ）｝／｛Ｚ
ｅ＋（Ｚｂ＋Ｚｘ）｝
ｅ＋（Ｚｂ＋Ｚｘ）｝
【００２１】ここで、 Ｚｘ＝（１−ω2 Ｃ１Ｌ）／（ｊωＣ１＋ｊωＣ２−ｊ
ω3 Ｃ１Ｃ２Ｌ） と表すことができるから、上式により、整合回路３０の
コイルＬ、コンデンサＣ１、Ｃ２の各値により、反応室
２内のインピーダンスＺを制御できることがわかる。
ω3 Ｃ１Ｃ２Ｌ） と表すことができるから、上式により、整合回路３０の
コイルＬ、コンデンサＣ１、Ｃ２の各値により、反応室
２内のインピーダンスＺを制御できることがわかる。
【００２２】なお、図２において、Ｖ１はリング電極５
に印加する高周波電圧、Ｖｒはリング電極５の電圧、Ｖ
ｂはアノード電極４の電圧、Ｖｓはプラズマ電圧、ｉ１
〜ｉ４は電流、Ｃ１〜Ｃ６はコンデンサ、Ｌはコイル、
Ｅはアースを示す。
に印加する高周波電圧、Ｖｒはリング電極５の電圧、Ｖ
ｂはアノード電極４の電圧、Ｖｓはプラズマ電圧、ｉ１
〜ｉ４は電流、Ｃ１〜Ｃ６はコンデンサ、Ｌはコイル、
Ｅはアースを示す。
【００２３】図３は、図２に示した等価回路において、
コンデンサＣ１のキャパシタンス値（Ｃ１）を変化させ
たときの、アノード電極４の自己バイアス電圧の依存性
を調べた結果を例示している。
コンデンサＣ１のキャパシタンス値（Ｃ１）を変化させ
たときの、アノード電極４の自己バイアス電圧の依存性
を調べた結果を例示している。
【００２４】この図に示すように、コンデンサＣ１の容
量が変化すると、アノード電極４の自己バイアス電位が
変化していることが分かる。例えば、アノード電極４の
自己バイアス電位を−１６０Ｖとする場合は、コンデン
サＣ１の静電容量を２００ＰＦとすればよい。
量が変化すると、アノード電極４の自己バイアス電位が
変化していることが分かる。例えば、アノード電極４の
自己バイアス電位を−１６０Ｖとする場合は、コンデン
サＣ１の静電容量を２００ＰＦとすればよい。
【００２５】このように、コイルＬとコンデンサＣ１、
Ｃ２で構成した整合回路３０のインピーダンスを変化さ
せることにより、アノード電極４の自己バイアス電位を
制御できるので、従来の高周波電源装置を利用する場合
と比べて、安価に構成することができるのは勿論、構造
の簡略化が図れて、余分な設置場所を確保する必要もな
くなる。また、インピーダンスを遠隔制御する場合も、
例えばコンデンサの容量を変化させるだけで足りるた
め、高価な制御回路を設ける必要もない。また、アノー
ド電極４に高周波電力を印加するわけではないので、高
パワー時にもプラズマ電位に悪影響が出るおそれもなく
なる。
Ｃ２で構成した整合回路３０のインピーダンスを変化さ
せることにより、アノード電極４の自己バイアス電位を
制御できるので、従来の高周波電源装置を利用する場合
と比べて、安価に構成することができるのは勿論、構造
の簡略化が図れて、余分な設置場所を確保する必要もな
くなる。また、インピーダンスを遠隔制御する場合も、
例えばコンデンサの容量を変化させるだけで足りるた
め、高価な制御回路を設ける必要もない。また、アノー
ド電極４に高周波電力を印加するわけではないので、高
パワー時にもプラズマ電位に悪影響が出るおそれもなく
なる。
【００２６】なお、アノード電極４の自己バイアス電位
を検出する検出手段を付加すると共に、該検出手段によ
り検出された自己バイアス電位と目標とする自己バイア
ス電位との差を縮めるように整合回路３０のインピーダ
ンスをフィードバック制御する手段を設ければ、一層精
度の高い自己バイアス電位制御を実現することができ
る。
を検出する検出手段を付加すると共に、該検出手段によ
り検出された自己バイアス電位と目標とする自己バイア
ス電位との差を縮めるように整合回路３０のインピーダ
ンスをフィードバック制御する手段を設ければ、一層精
度の高い自己バイアス電位制御を実現することができ
る。
【００２７】また、上記実施形態では、プラズマＣＶＤ
装置の場合を示したが、他のタイプのプラズマ処理装置
にも本発明は適用することができる。
装置の場合を示したが、他のタイプのプラズマ処理装置
にも本発明は適用することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一方の電極には高周波電力を印加するが、他方の電極に
は高周波電力を印加せず、該電極の自己バイアス電位を
制御するために単に電極のインピーダンスを変化させる
だけとしたので、自己バイアス電位を制御する回路を、
高周波電源装置のような大がかりな装置ではなく、コイ
ルとコンデンサによる簡単な高周波回路で構成すること
ができる。従って、コストダウンを図れる上、余分な高
周波電源装置が省略できる分だけ、設置面積の確保が楽
にできるようになる。また、このようなコイルとコンデ
ンサ等の単純な要素で回路を構成できるので、遠隔操作
によるインピーダンス制御も簡単にできる上、高パワー
時にもプラズマ電位に悪影響を及ぼすおそれがなくな
る。
一方の電極には高周波電力を印加するが、他方の電極に
は高周波電力を印加せず、該電極の自己バイアス電位を
制御するために単に電極のインピーダンスを変化させる
だけとしたので、自己バイアス電位を制御する回路を、
高周波電源装置のような大がかりな装置ではなく、コイ
ルとコンデンサによる簡単な高周波回路で構成すること
ができる。従って、コストダウンを図れる上、余分な高
周波電源装置が省略できる分だけ、設置面積の確保が楽
にできるようになる。また、このようなコイルとコンデ
ンサ等の単純な要素で回路を構成できるので、遠隔操作
によるインピーダンス制御も簡単にできる上、高パワー
時にもプラズマ電位に悪影響を及ぼすおそれがなくな
る。
【００２９】また、電極の自己バイアス電位を検出手段
で検出して、その検出値に基づいて前記インピーダンス
をフィードバック制御するようにした場合は、一層精度
のよい自己バイアス電位制御が可能となる。
で検出して、その検出値に基づいて前記インピーダンス
をフィードバック制御するようにした場合は、一層精度
のよい自己バイアス電位制御が可能となる。
【図１】本発明の実施形態のプラズマＣＶＤ装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】同装置における反応室内の概略的な等価回路を
示す図である。
示す図である。
【図３】同等価回路におけるコンデンサＣ１の容量変化
に対するアノード電極の自己バイアス電位の依存性を示
す特性図である。
に対するアノード電極の自己バイアス電位の依存性を示
す特性図である。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構成図であ
る。
る。
【図５】従来の装置においてアノード電極に高周波電力
を印加したときの電圧振幅Ｖppとアノード電極の自己バ
イアス電位Ｖdcの関係を示す特性図である。
を印加したときの電圧振幅Ｖppとアノード電極の自己バ
イアス電位Ｖdcの関係を示す特性図である。
【図６】従来の装置においてアノード電極に高周波電力
を印加した場合の印加電力と自己バイアス電位の関係を
示す特性図である。
を印加した場合の印加電力と自己バイアス電位の関係を
示す特性図である。
１ 真空容器 ２ 反応室 ３ カソード電極 ４ アノード電極 ５ リング電極 ２１，２３ 高周波発振器（高周波電力印加回路） ２２，２４ 位相整合器（高周波電力印加回路） ３０ 整合回路（自己バイアス電位制御回路） Ｗ 基板 Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ Ｌ コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｃ Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA06 FA03 KA20 KA30 KA39 KA41 KA45 4K057 DA20 DD01 DM40 DN01 5F004 AA16 BC08 BD04 5F045 AA08 AC01 AC12 BB08 DP03
Claims (3)
- 【請求項１】 反応室内に臨ませて２つの電極を配置
し、前記反応室内に処理ガスを導入した状態でこれら２
つの電極間に高周波電力を印加することで反応室内にプ
ラズマを発生させ、このプラズマを利用することで、い
ずれか一方の電極上に配した基板に所定の処理を施すプ
ラズマ処理装置において、 前記２つの電極のうちの一方の電極に、該電極に対して
高周波電力を印加する高周波電力印加回路を接続すると
共に、 他方の電極に、該電極のインピーダンスを変化させるこ
とで該電極の自己バイアス電位を制御する自己バイアス
電位制御回路を接続したことを特徴とするプラズマ処理
装置。 - 【請求項２】 前記自己バイアス電位制御回路が、前記
インピーダンスを変化させるためのコイル及びコンデン
サの少なくとも一方を１個以上含んでいることを特徴と
する請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記他方の電極の自己バイアス電位を検
出する検出手段を設けると共に、該検出手段により検出
された自己バイアス電位と目標とする自己バイアス電位
との差を縮めるように前記自己バイアス電位制御回路を
フィードバック制御する手段を設けたことを特徴とする
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165937A JP2000357600A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165937A JP2000357600A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357600A true JP2000357600A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15821859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11165937A Pending JP2000357600A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000357600A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090165713A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Samsung Electro-Mechanics Co, Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JP2020205444A (ja) * | 2018-10-10 | 2020-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び制御方法 |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP11165937A patent/JP2000357600A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090165713A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Samsung Electro-Mechanics Co, Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US8298338B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JP2020205444A (ja) * | 2018-10-10 | 2020-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び制御方法 |
| JP7000521B2 (ja) | 2018-10-10 | 2022-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び制御方法 |
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