FR2963024A1 - Reacteur de depot chimique en phase gazeuse ameliore - Google Patents
Reacteur de depot chimique en phase gazeuse ameliore Download PDFInfo
- Publication number
- FR2963024A1 FR2963024A1 FR1003120A FR1003120A FR2963024A1 FR 2963024 A1 FR2963024 A1 FR 2963024A1 FR 1003120 A FR1003120 A FR 1003120A FR 1003120 A FR1003120 A FR 1003120A FR 2963024 A1 FR2963024 A1 FR 2963024A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- injectors
- support plate
- reactor according
- enclosure
- feed line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 title description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- XWROSHJVVFETLV-UHFFFAOYSA-N [B+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O Chemical compound [B+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XWROSHJVVFETLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012773 waffles Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- REVENDICATIONS1. Réacteur (1) comprenant : - une enceinte (3) présentant une paroi inférieure (15), une paroi supérieure (17) et une paroi latérale (19) reliant la paroi inférieure (15) à la paroi supérieure (17); - une plaque-support (9) pour un ou plusieurs éléments de substrat, montée à l'intérieur de l'enceinte (3); - au moins une première ligne d'alimentation (29-1) destinée à un gaz d'un premier type, et au moins une seconde ligne d'alimentation (29-2), distincte de la première ligne d'alimentation, destinée à un gaz d'un second type; - un dispositif d'injection de gaz (5) et un collecteur de gaz (7); caractérisé en ce que: - le dispositif d'injection de gaz (5) comprend au moins un injecteur relié à la première ligne d'alimentation (29-1) et au moins un injecteur (30) relié à la seconde ligne d'alimentation (29-2), ces injecteurs débouchant dans l'enceinte (3) au travers d'au moins un orifice d'entrée (31), ménagé dans la paroi latérale (19); que - l'ensemble des injecteurs (30) de la première ligne d'alimentation (29-1) et l'ensemble des injecteurs (30) de la seconde ligne d'alimentation (29-2) débouchent les unes au-dessus des autres; et que - le collecteur (7) comprend au moins un orifice de sortie ménagé dans la paroi latérale (19), en un lieu opposé audit orifice d'entrée (31) par rapport à la plaque-support (9), et sensiblement au niveau de cet orifice d'entrée (31). 27
- 2. Réacteur selon la revendication 1 comprenant en outre au moins une troisième ligne d'alimentation (29-3) destinée à un gaz d'un troisième type, dans lequel le dispositif d'injection de gaz (5) comprend au moins un injecteur (30) relié à la troisième ligne d'alimentation (29-3) et débouchant dans l'enceinte (3) au travers d'au moins un orifice d'entrée (31), ménagé dans la paroi latérale (19), le ou les injecteurs (30) de la troisième ligne d'alimentation (29-3) débouchant au-dessus des injecteurs (30) reliés à la première ligne d'alimentation (29-1) et au-dessus des injecteurs reliés à la seconde ligne d'alimentation (29-2), de manière généralement parallèle à ladite plaque-support (9).
- 3. Réacteur selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel les injecteurs débouchent de manière sensiblement parallèle à la plaque-support (9).
- 4. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'orifice d'entrée, ou les orifices d'entrée (31) qui se trouvent le plus bas par rapport à la plaque-support (9), sont situés à une hauteur par rapport à la plaque-support (9) déterminée en fonction de l'épaisseur du ou des éléments de substrat, de manière telle que les orifices débouchent au niveau de la surface supérieure de ces éléments de substrat.
- 5. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif d'injection (5) comprend plusieurs injecteurs (30) reliés à une ligne d'alimentation commune (29) et débouchant généralement dans un même plan, parallèle au plan de la plaque-support (9).
- 6. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque injecteur (30) débouche dans l'enceinte (3) au travers d'un orifice d'entrée respectif (31).
- 7. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque orifice d'entrée (31) présente une allure généralement plane et s'étend selon un plan parallèle au plan de la plaque-support (9).
- 8. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chaque orifice d'entrée (31) de la première ligne d'alimentation (29-1) se trouve au-dessus d'un orifice d'entrée (31) de la seconde ligne d'alimentation (29-2).
- 9. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel les injecteurs (30) et/ou les orifices d'entrée (31) correspondant à une même ligne d'alimentation (29) sont agencés en symétrie mutuelle par rapport à un axe commun (28) passant au-dessus de la plaque-support (9) et par l'orifice de sortie (33) du collecteur.
- 10. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, comprenant au moins une ligne d'alimentation supplémentaire (29) destinée au gaz du premier type, du second type ou du troisième type, dans lequel le dispositif d'injection (5) comprend au moins un injecteur (30) relié à la ligne d'alimentation supplémentaire débouchant dans un même plan que la ou les injecteurs reliés à la première ou la seconde ligne d'alimentation.
- 11. Réacteur selon la revendication 9, dans lequel l'axe commun (28) aux injecteurs (30) et/ou orifices d'entrée (31) de la première ligne d'alimentation (29-1) coïncide avec l'axe commun aux injecteurs et/ou orifices d'entrée de la seconde ligne d'alimentation (29-2) dans des plans respectifs parallèles entre eux.
- 12. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, 10 dans lequel chaque ligne d'alimentation est raccordée à un contrôleur de débit respectif.
- 13. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la plaque-support (9) est supportée par un 15 porte-plaque (25) capable de rotation par rapport à l'enceinte (3) autour d'un axe s'étendant suivant une hauteur de l'enceinte (3).
- 14. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, 20 comprenant en outre une pièce cylindrique (50) dont la section est en correspondance de forme avec la plaque-support (9) et qui se trouve disposée au-dessus de cette plaque-support (9), en tant que limiteur de convection (49). 25
- 15. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, comprenant en outre une chemise (37) conformée de manière à combler l'espace compris entre la paroi latérale (19) de l'enceinte (3) et la plaque-support (9) et, en hauteur, en 30 affleurement de la hauteur du ou des substrats.
- 16. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, comprenant en outre un dispositif d'échauffement (11) de laplaque-support disposé (9) en dessous de celle-ci et en correspondance de forme.
- 17. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, 5 dans lequel la paroi latérale (19) s'étend suivant un contour en correspondance de forme avec le contour de la plaque-support (9), et les orifices d'entrée (29) sont chacun transversalement conformés en une section de cette paroi latérale (19). 10
- 18. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la plaque-support (9) présente une allure circulaire et dans lequel chaque orifice d'entrée (31) s'étend selon un secteur angulaire centré sur cette plaque- 15 support (9).
- 19. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chacune des parois inférieure (15), supérieure (17) et latérale (19) est au moins partiellement 20 doublée d'une paroi extérieure (15B, 17B, 19B) de forme analogue, et des canaux de circulation de fluide est prévus entre chaque paroi de l'enceinte (3) et sa paroi extérieure respective. 25
- 20. Réacteur selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le collecteur (7) présente un ou plusieurs orifices de sortie (33), disposés symétriquement par rapport aux orifices d'entrée du dispositif d'injection par rapport à la plaque-support (9) et au niveau de ces 30 derniers.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1003120A FR2963024B1 (fr) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Reacteur de depot chimique en phase gazeuse ameliore |
US13/812,204 US20130125819A1 (en) | 2010-07-26 | 2011-07-11 | Chemical gas deposition reactor |
PCT/FR2011/000406 WO2012013869A1 (fr) | 2010-07-26 | 2011-07-11 | Réacteur de dépôt chimique en phase gazeuse amélioré |
DE112011102504T DE112011102504T5 (de) | 2010-07-26 | 2011-07-11 | Verbesserter Reaktor zur chemischen Gasphasenabscheidung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1003120A FR2963024B1 (fr) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Reacteur de depot chimique en phase gazeuse ameliore |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2963024A1 true FR2963024A1 (fr) | 2012-01-27 |
FR2963024B1 FR2963024B1 (fr) | 2016-12-23 |
Family
ID=43552276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1003120A Active FR2963024B1 (fr) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Reacteur de depot chimique en phase gazeuse ameliore |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130125819A1 (fr) |
DE (1) | DE112011102504T5 (fr) |
FR (1) | FR2963024B1 (fr) |
WO (1) | WO2012013869A1 (fr) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101364701B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-02-20 | 주식회사 유진테크 | 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
KR101408084B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-07-04 | 주식회사 유진테크 | 보조가스공급포트를 포함하는 기판 처리 장치 |
FR2987937B1 (fr) | 2012-03-12 | 2014-03-28 | Altatech Semiconductor | Procede de realisation de plaquettes semi-conductrices |
US11414759B2 (en) * | 2013-11-29 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Mechanisms for supplying process gas into wafer process apparatus |
KR102350588B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2022-01-14 | 삼성전자 주식회사 | 인젝터를 갖는 박막 형성 장치 |
US10260149B2 (en) | 2016-04-28 | 2019-04-16 | Applied Materials, Inc. | Side inject nozzle design for processing chamber |
CN214848503U (zh) * | 2018-08-29 | 2021-11-23 | 应用材料公司 | 注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构 |
CN111455458B (zh) * | 2019-09-18 | 2021-11-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 外延装置及应用于外延装置的进气结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0254654A1 (fr) * | 1986-07-22 | 1988-01-27 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Procédé de déposition chimique en phase vapeur |
JPH08139034A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
JP2000228362A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス導入管及びこれを用いた薄膜成長装置 |
US20020173164A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-11-21 | International Business Machines Corporation | Multideposition SACVD reactor |
DE102008057909A1 (de) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Samsung Electro - Mechanics Co., Ltd., Suwon-shi | Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03236221A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-22 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
US6927140B2 (en) * | 2002-08-21 | 2005-08-09 | Intel Corporation | Method for fabricating a bipolar transistor base |
US20050287806A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Hiroyuki Matsuura | Vertical CVD apparatus and CVD method using the same |
JP2006176826A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Canon Anelva Corp | 薄膜処理装置 |
US20080220150A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Applied Materials, Inc. | Microbatch deposition chamber with radiant heating |
JP2010141223A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
-
2010
- 2010-07-26 FR FR1003120A patent/FR2963024B1/fr active Active
-
2011
- 2011-07-11 US US13/812,204 patent/US20130125819A1/en not_active Abandoned
- 2011-07-11 DE DE112011102504T patent/DE112011102504T5/de not_active Withdrawn
- 2011-07-11 WO PCT/FR2011/000406 patent/WO2012013869A1/fr active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0254654A1 (fr) * | 1986-07-22 | 1988-01-27 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Procédé de déposition chimique en phase vapeur |
JPH08139034A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜気相成長装置 |
JP2000228362A (ja) * | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス導入管及びこれを用いた薄膜成長装置 |
US20020173164A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-11-21 | International Business Machines Corporation | Multideposition SACVD reactor |
DE102008057909A1 (de) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Samsung Electro - Mechanics Co., Ltd., Suwon-shi | Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130125819A1 (en) | 2013-05-23 |
DE112011102504T5 (de) | 2013-05-16 |
WO2012013869A1 (fr) | 2012-02-02 |
FR2963024B1 (fr) | 2016-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2012013869A1 (fr) | Réacteur de dépôt chimique en phase gazeuse amélioré | |
US10438795B2 (en) | Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition | |
EP2959034B1 (fr) | Dispositif de dépôt chimique en phase vapeur | |
EP2959035B1 (fr) | Dispositif de dépôt chimique en phase vapeur | |
EP0242898B1 (fr) | Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallèlement à un plan de référence autour d'un axe perpendiculaire à ce plan | |
EP0334432B1 (fr) | Réacteur d'épitaxie à paroi protégée contre les dépôts | |
FR3003399A3 (fr) | Support pour wafer avec dispositions pour ameliorer l'uniformite de chauffe dans des systemes de depot chimique en phase | |
EP2271790B1 (fr) | Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur | |
TW200946713A (en) | CVD apparatus | |
FR2950478A1 (fr) | Électrode en pomme de douche monolithique bloquée | |
TW201246297A (en) | Metal-organic vapor phase epitaxy system and process | |
EP0231544B1 (fr) | Chambre de réacteur pour croissance épitaxiale en phase vapeur des matériaux semi-conducteurs | |
FR2968830A1 (fr) | Couches matricielles ameliorees pour le depot hetecouches matricielles ameliorees pour le depot heteroepitaxial de materiaux semiconducteurs de nitrure iii en utilisant des procedes hvpe | |
FR2711274A1 (fr) | Appareil pour le dépôt chimique en phase vapeur. | |
GB2095704A (en) | Molecular beam deposition on a plurality of substrates | |
FR2968831A1 (fr) | Procedes de formation de materiaux massifs de nitrure iii sur des couches matricielles de croissance de nitrure de metal et structures formees par ces procedes | |
TW201108305A (en) | Gas phase growing apparatus for group III nitride semiconductor | |
JP3376809B2 (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
FR2661554A1 (fr) | Dispositif d'introduction des gaz dans la chambre d'un reacteur d'epitaxie, chambre de reacteur comportant un tel dispositif d'introduction de gaz, et utilisation d'une telle chambre pour la realisation de couches semiconductrices. | |
FR2573917A1 (fr) | Appareil et procede de depot a la vapeur pour la realisation de semi-conducteurs | |
EP0223629B1 (fr) | Procédé et dispositif de dépôt chimique de couches minces uniformes sur de nombreux substrats plans à partir d'une phase gazeuse | |
FR2984923A1 (fr) | Systèmes de dépôt comprenant des chambres de réaction configurées pour réaliser des opérations de métrologie in situ et procédés connexes | |
WO1996017973A1 (fr) | Reacteur pour le depot de couches minces en phase vapeur (cvd) | |
JP2012084581A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2005228757A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 8 |
|
CA | Change of address |
Effective date: 20180330 |
|
CD | Change of name or company name |
Owner name: UNITY SEMICONDUCTOR, FR Effective date: 20180330 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 9 |
|
TP | Transmission of property |
Owner name: KOBUS SAS, FR Effective date: 20180719 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 11 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 12 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 13 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 14 |