DE102008032967B4 - Lichtemittierende Diodeneinheit - Google Patents

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Abstract

Eine lichtemittierende Diodeneinheit, umfassend:
einen Leiterrahmen mit einer aufgerauten Oberfläche;
mindestens einen lichtemittierenden Diodenchip, der an dem Leiterrahmen angeordnet und mit dem Leiterrahmen elektrisch verbunden ist, wobei die aufgeraute Oberfläche zum Streuen des aus dem lichtemittierenden Diodenchip emittierten Lichts geeignet ist; und
eine Ummantelung, die den lichtemittierenden Diodenchip und einen Teil des Leiterrahmens ummantelt, wobei ein Teil des Leiterrahmens aus der Ummantelung ausgesetzt ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen eine lichtemittierende Diodeneinheit (LED-Einheit) und insbesondere eine LED-Einheit mit hoher Effizienz der Lichtemission.
  • 2. Beschreibung der zugehörigen Technik
  • Eine LED zählt zu den Halbleitervorrichtungen und ein LED-Chip wird hauptsächlich aus Verbindungen der Gruppen III–V, beispielsweise Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), oder anderen Halbleiterverbindungen hergestellt. Die Lichtemission der LED erfolgt durch Umwandlung von elektrischer Energie in Licht. Genauer gesagt werden beim Anlegen eines Stroms an eine LED die Elektronen und Löcher in der LED zur Freisetzung von Photonen für die Lichtemission rekombiniert. Da eine LED Licht nicht durch Erwärmen oder Bogenentladung emittiert, besitzt eine LED somit eine lange Lebensdauer über hunderttausende Stunden; außerdem ist keine Anlaufzeit für den Betrieb erforderlich. Tatsächlich besitzt eine LED viele Vorteile, wie schnelle Ansprechgeschwindigkeit (etwa 10–9 Sekunden), geringe Größe, Stromersparnis, geringe Schadstoffbelastung, hohe Zuverlässigkeit und Eignung zur Massenherstellung; deshalb wird die LED auf verschiedenen Gebieten, beispielsweise in Lichtquellen für Anzeigetafeln mit Megagröße, Ampeln, Handsets, Scannern, Faxmaschinen und Beleuchtungsvorrichtungen, breit verwendet. Deshalb wurden Luminanz der Lichtemission und Effizienz der Lichtemission einer LED stets verbessert. Weiße LEDs können nun erfolgreich in Masse hergestellt werden, wobei die LEDs in Anzeige- oder Beleuchtungserzeugnissen eingesetzt werden.
  • 1 ist eine schematische Querschnittszeichnung einer herkömmlichen LED-Einheit. Bezug nehmend auf 1 beinhaltet eine herkömmliche LED-Einheit 100 einen Leiterrahmen 110, einen lichtemittierenden Diodenchip (LED-Chip) 120 und eine Ummantelung 130. Der Leiterrahmen 110 besitzt eine Oberfläche 110a und die Oberfläche 110a ist eine spiegelnde Oberfläche zur Reflexion des aus dem LED-Chip 120 emittierten Lichts. Der LED-Chip 120 ist an dem Leiterrahmen 110 angeordnet und ist mit dem Leiterrahmen 110 elektrisch verbunden. Zusätzlich ummantelt die Ummantelung 130 den LED-Chip 120 und einen Teil des Leiterrahmens 110, so dass der restliche Teil des Leiterrahmens 110 aus der Ummantelung 130 ausgesetzt ist und als eine Außenelektrode E dient.
  • Wie in 1 gezeigt ist, umfasst die Ummantelung 130 ein Gehäuse 132 und einen ersten lichtdurchlässigen Abschnitt 134. Das Gehäuse 132 besitzt eine Aussparung 132a, der LED-Chip 120 befindet sich in der Aussparung 132a und die Aussparung 132a besitzt eine Seitenwand S mit einer festen Neigung. Der lichtdurchlässige Abschnitt 134 ist in der Aussparung 132a angeordnet und mit dem Gehäuse 132 verbunden. Der lichtdurchlässige Abschnitt 134 ummantelt den LED-Chip 120 und den Teil des Leiterrahmens 110, der von dem Gehäuse 132 nicht ummantelt ist. Ein solches herkömmliches LED-Bauelement mit verbesserter Wärmeabfuhr ist in DE 199 28 576 C2 offenbart.
  • Wie in 1 gezeigt ist, kann das von dem LED-Chip 120 emittierte Licht und das von dem partiellen Leiterrahmen 110, der von dem lichtdurchlässigen Abschnitt 134 ummantelt ist, reflektierte Licht im Inneren des lichtdurchlässigen Abschnitts 134 der Ummantelung 130 bedingt durch innere Totalreflexionen verbleiben und die Gesamteffizienz der Lichtemission der herkömmlichen LED-Einheit 100 vermindern, obwohl die spiegelnde Oberfläche des Leiterrahmens 110 Licht sehr gut reflektiert.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Dementsprechend richtet sich die vorliegende Erfindung auf eine LED-Einheit mit guter Effizienz der Lichtemission.
  • Die vorliegende Erfindung stellt eine LED-Einheit bereit, die einen Leiterrahmen, mindestens einen LED-Chip und eine Ummantelung beinhaltet, wobei der Leiterrahmen eine aufgeraute Oberfläche besitzt, der LED-Chip an dem Leiterrahmen angeordnet und mit dem Leiterrahmen elektrisch verbunden ist und die aufgeraute Oberfläche zum Streuen des aus dem LED-Chip emittierten Lichts geeignet ist. Die Ummantelung ummantelt den LED-Chip und einen Teil des Leiterrahmens und der restliche Teil des Leiterrahmens ist aus der Ummantelung ausgesetzt.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet der vorstehend erwähnte Leiterrahmen eine Vielzahl von Leitern und jeder Leiter umfasst einen Innenleiter und einen Außenleiter, wobei der Innenleiter von der Ummantelung ummantelt und mit dem LED-Chip elektrisch verbunden ist; der Außenleiter ist aus der Ummantelung ausgesetzt.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt jeder der vorstehend erwähnten Innenleiter die vorstehend erwähnte aufgeraute Oberfläche.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt jeder der vorstehend erwähnten Innenleiter und Außenleiter die vorstehend erwähnte aufgeraute Oberfläche.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist jeder der vorstehend erwähnten Außenleiter von der Seitenwand der Ummantelung zu dem Boden der Ummantelung verlängert.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet die vorstehend erwähnte Ummantelung ein Gehäuse und einen lichtdurchlässigen Abschnitt, wobei das Gehäuse eine Aussparung besitzt und der LED-Chip sich in der Aussparung befindet. Der lichtdurchlässige Abschnitt ist in der Aussparung angeordnet und mit dem Gehäuse verbunden. Der lichtdurchlässige Abschnitt ummantelt den LED-Chip und einen Teilbereich des Innenleiters, der von dem Gehäuse nicht ummantelt ist.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt der vorstehend erwähnte Teilbereich des von dem lichtdurchlässigen Abschnitt ummantelten Innenleiters die vorstehend erwähnte aufgeraute Oberfläche.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt der von dem Gehäuse ummantelte vorstehend erwähnte Teilbereich die vorstehend erwähnte aufgeraute Oberfläche.
  • Die vorliegende Erfindung stellt eine LED-Einheit bereit, die einen Leiterrahmen, mindestens einen LED-Chip und eine Ummantelung beinhaltet, wobei der LED-Chip an dem Leiterrahmen angeordnet und mit dem Leiterrahmen elektrisch verbunden ist, die Ummantelung den LED-Chip und einen Teil des Leiterrahmens ummantelt, so dass der restliche Teil des Leiterrahmens aus der Ummantelung ausgesetzt ist. Außerdem beinhaltet die Ummantelung ein Gehäuse und einen ersten lichtdurchlässigen Abschnitt. Das Gehäuse besitzt eine erste Aussparung, in der sich der LED-Chip befindet. Daneben besitzt die erste Aussparung eine Vielzahl von Seitenwänden mit jeweils verschiedenen Neigungen. Der erste lichtdurchlässige Abschnitt ist in der ersten Aussparung angeordnet und mit dem Gehäuse verbunden, wobei der erste lichtdurchlässige Abschnitt den LED-Chip und einen Teilbereich des Leiterrahmens, der von dem Gehäuse nicht ummantelt ist, ummantelt.
  • Der vorstehend erwähnte Leiterrahmen besitzt eine aufgeraute Oberfläche und die aufgeraute Oberfläche ist zum Streuen des aus dem LED-Chip emittierten Lichts geeignet.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet der Leiterrahmen eine Vielzahl von Leitern. Jeder Leiter beinhaltet einen Innenleiter und einen Außenleiter. Der Innenleiter ist von der Ummantelung ummantelt und mit dem LED-Chip elektrisch verbunden und der Außenleiter ist aus der Ummantelung ausgesetzt.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt jeder Innenleiter die aufgeraute Oberfläche. Das heißt, die aufgeraute Oberfläche befindet sich auf jedem Innenleiter, während die aufgeraute Oberfläche sich gleichzeitig auf jedem Innenleiter und jedem Außenleiter in anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung befinden kann.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist jeder Außenleiter von der Seitenwand der Ummantelung zu dem Boden der Ummantelung verlängert.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzen die Teilbereiche der von dem ersten lichtdurchlässigen Abschnitt ummantelten Innenleiter jeweils die aufgeraute Oberfläche. Das heißt, die aufgeraute Oberfläche ist lediglich auf den von dem ersten lichtdurchlässigen Abschnitt ummantelten Innenleitern verteilt, während die aufgeraute Oberfläche gleichzeitig auf den von dem Gehäuse und dem ersten lichtdurchlässigen Abschnitt ummantelten Innenleitungen verteilt sein kann.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet die LED-Einheit ferner einen zweiten lichtdurchlässigen Abschnitt und das Gehäuse besitzt ferner eine zweite Aussparung zur Unterbringung einer elektronischen Vorrichtung und des zweiten lichtdurchlässigen Abschnitts, der sich in der zweiten Aussparung befindet und mit dem Gehäuse verbunden ist. Der zweite lichtdurchlässige Abschnitt ummantelt die elektronische Vorrichtung und einen Teilbereich des Leiterrahmens, der von dem Gehäuse nicht ummantelt ist, und der erste lichtdurchlässige Abschnitt und der zweite lichtdurchlässige Abschnitt ist jeweils an zwei entgegengesetzten Seiten des Leiterrahmens positioniert.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt die erste Aussparung eine größere Abmessung als die zweite Aussparung.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die elektronische Vorrichtung beispielsweise ein LED-Chip, ein elektrostatischer Schutzchip, ein Steuerchip oder eine andere Art von Chip.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt die vorstehend erwähnte aufgeraute Oberfläche eine Rauheit im Bereich von 0,05 μm bis 500 μm.
  • Da die vorliegende Erfindung einen Leiterrahmen mit einer streuenden Oberfläche als einen Chipträger adaptiert, besitzt die durch die vorliegende Erfindung bereitgestellte LED-Einheit eine gute Effizienz der Lichtemission.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden weiter aus den weiteren technischen Merkmalen verstanden, die von den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbart sind, wobei dort bevorzugte Ausführungsformen dieser Erfindung lediglich durch Erläuterung von Weisen, die sich zur Ausführung der Erfindung am besten eignen, gezeigt und beschrieben sind.
  • 1 ist eine schematische Querschnittszeichnung einer herkömmlichen LED-Einheit.
  • 2 und 3 sind schematische Querschnittszeichnungen einer LED-Einheit gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4 ist eine schematische Querschnittszeichnung einer LED-Einheit gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 5 ist eine schematische Querschnittszeichnung einer LED-Einheit gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6A6D sind 3-D-Diagramme eines Gehäuses und eines Leiterrahmens in der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nun wird im Detail Bezug auf die vorliegenden bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung genommen, deren Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind. Wenn möglich, werden die gleichen Bezugsziffern in den Zeichnungen und der Beschreibung verwendet, um sich auf gleiche oder ähnliche Teile zu beziehen.
  • Die erste Ausführungsform
  • 2 und 3 sind schematische Querschnittszeichnungen einer LED-Einheit gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bezug nehmend auf 2 und 3 beinhaltet eine LED-Einheit 200 der ersten Ausführungsform einen Leiterrahmen 210, mindestens einen LED-Chip 220 und eine Ummantelung 230. Der Leiterrahmen 210 besitzt eine aufgeraute Oberfläche 210a und der LED-Chip 220 ist auf dem Leiterrahmen 210 angeordnet und mit dem Leiterrahmen 210 elektrisch verbunden. In der Ausführungsform ist der LED-Chip 220 mit dem Leiterrahmen 210 über beispielsweise einem Bondingdraht 240 elektrisch verbunden; der LED-Chip 220 kann jedoch mit dem Leiterrahmen 210 über Flip-Chip-Technologie oder andere Die-Bonding-Prozesse elektrisch verbunden werden. Die Ummantelung 230 ummantelt den LED-Chip 220 und einen Teil des Leiterrahmens 210 und der restliche Teil des Leiterrahmens 210 ist aus der Ummantelung 230 ausgesetzt. Zusätzlich eignet sich die aufgeraute Oberfläche 210a zum Streuen des aus dem LED-Chip 220 emittierten Lichts. In der Ausführungsform liegt die Rauheit der aufgerauten Oberfläche beispielsweise im Bereich von 0,05 μm bis 500 μm.
  • Wie in 2 und 3 gezeigt ist, beinhaltet der Leiterrahmen 210 eine Vielzahl von Leitern L und jeder Leiter L besitzt einen Innenleiter IL und einen Außenleiter OL. Der Innenleiter IL ist von der Ummantelung 230 ummantelt und mit dem LED-Chip 220 elektrisch verbunden. Der Außenleiter OL ist aus der Ummantelung 230 ausgesetzt und jeder Außenleiter OL ist beispielsweise von der Seitenwand der Ummantelung 230 zu dem Boden der Ummantelung 230 verlängert. In der Ausführungsform ist der Leiterrahmen 210 beispielsweise ein Kupfer-Leiterrahmen, Aluminium-Leiterrahmen oder ein anderer Metall-Leiterrahmen. In Abhängigkeit von praktischen Erfordernissen kann der Leiterrahmen 210 von einer Metallschicht gemäß der Ausführungsform plattiert sein. Daneben ist der von der vorliegenden Erfindung verwendete Leiterrahmen 210 auf die in 2 und 3 gezeigten Ausgestaltungen nicht eingeschränkt. Mit anderen Worten kann der Leiterrahmen 210 in Abhängigkeit der praktischen Erfordernisse eine Up-Set-Ausgestaltung oder eine Down-Set-Ausgestaltung aufweisen; das heißt, die von der Ummantelung 230 ummantelten Innenleiter und die Außenleiter OL können sich jeweils auf verschiedenen Erhebungen befinden.
  • Man beachte, dass einem Hersteller gestattet ist, die aufgerauten Oberflächen 210a an verschiedenen Abschnitten des Leiterrahmens 210 zu bilden, das verschiedene optische und mechanische Effekte aufweisen würde (hiernach dargestellt). Beispielsweise kann ein Hersteller eine aufgeraute Oberfläche 210a auf jedem Innenleiter IL bilden (wie in 2 gezeigt). Und ein Hersteller kann auch aufgeraute Oberflächen 210a auf sowohl den Innenleitern IL als auch den Außenleitern OL bilden (wie in 3 gezeigt).
  • Wenn die aufgerauten Oberflächen 210a auf den Außenleitern OL des Leiterrahmens 210 gebildet werden, ist die aufgeraute Oberfläche 210a beim Verbinden der LED-Einheit 200 und anderer Träger (beispielsweise Leiterplatte) hilfreich; wenn die aufgerauten Oberflächen 210a auf den Innenleitern IL des Leiterrahmens 210 gebildet werden, ist die aufgeraute Oberfläche 210a beim Verbinden des Leiterrahmens 210 selbst und der Ummantelung 230 hilfreich, so dass eine Ablösung zwischen dem Leiterrahmen 210 und der Ummantelung 230 unwahrscheinlich eintritt.
  • In 2 und 3 ist nur eine einzige Oberfläche des Leiterrahmens 210 eine aufgeraute Oberfläche 210a, aber es ist in der vorliegenden Erfindung gestattet, zwei entgegengesetzte Oberflächen des Leiterrahmens 210 mit aufgerauten Oberflächen 210a herzustellen.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet die Ummantelung 230 ein Gehäuse 232 und einen lichtdurchlässigen Abschnitt 234, wobei das Gehäuse 232 eine Aussparung 232a besitzt und der LED-Chip 220 sich in der Aussparung 232a befindet. Der lichtdurchlässige Abschnitt 234 ist in der Aussparung 232a angeordnet und mit dem Gehäuse 232 verbunden. Der lichtdurchlässige Abschnitt 234 ummantelt den LED-Chip 220 und einen Teilbereich des Innenleiters IL, der von dem Gehäuse 232 nicht ummantelt ist.
  • Die Ausbildung der aufgerauten Oberflächen 210a auf verschiedenen Abschnitten des Innenleiters IL bewirkt ebenfalls verschiedene Effekte. Wenn eine aufgeraute Oberfläche 210a innerhalb des Bereichs A auf dem Innenleiter IL gebildet wird, kann die gebildete aufgeraute Oberfläche 210a die Stärke der Verbindung zwischen dem Leiterrahmen 210 und dem LED-Chip 220 verbessern; wenn eine aufgeraute Oberfläche 210a innerhalb des Bereichs B auf dem Innenleiter IL gebildet wird, kann die gebildete aufgeraute Oberfläche 210a die Stärke der Verbindung zwischen dem Leiterrahmen 210 und dem lichtdurchlässigen Abschnitt 234 verbessern; wenn eine aufgeraute Oberfläche 210a innerhalb des Bereichs C auf dem Innenleiter IL gebildet wird, kann die gebildete aufgeraute Oberfläche 210a die Stärke der Verbindung zwischen dem Leiterrahmen 210 und dem Gehäuse 232 verbessern.
  • Man beachte, dass ein Hersteller den Bereich A, den Bereich B oder dem Bereich C optional zur Bildung einer aufgerauten Oberfläche 210a auswählen kann. Ein Hersteller kann auch mindestens zwei Bereiche aus dem Bereich A, dem Bereich B und dem Bereich C zur Bildung der aufgerauten Oberflächen 210a auswählen.
  • Die zweite Ausführungsform
  • 4 ist eine schematische Querschnittszeichnung einer LED-Einheit gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bezug nehmend auf 4 beinhaltet eine LED-Einheit 200' der zweiten Ausführungsform einen Leiterrahmen 210, mindestens einen LED-Chip 220 und eine Ummantelung 230. Der LED-Chip 220 ist auf dem Leiterrahmen 210 angeordnet und mit dem Leiterrahmen 210 elektrisch verbunden. In der Ausführungsform ist der LED-Chip 220 mit dem Leiterrahmen 210 über beispielsweise einem Bondingdraht 240 elektrisch verbunden; der LED-Chip 220 kann jedoch mit dem Leiterrahmen 210 über Flip-Chip-Technologie oder andere Die-Bonding-Prozesse elektrisch verbunden werden. Die Ummantelung 230 ummantelt den LED-Chip 220 und einen Teil des Leiterrahmens 210 und der restliche Teil des Leiterrahmens 210 ist aus der Ummantelung 230 ausgesetzt. Zusätzlich beinhaltet die Ummantelung 230 ein Gehäuse 232 und einen ersten lichtdurchlässigen Abschnitt 134. Das Gehäuse 232 besitzt eine erste Aussparung 232a, der LED-Chip 220 befindet sich in der ersten Aussparung 232a und die erste Aussparung 232a besitzt eine Vielzahl von Seitenwandabschnitten S1 und S2, die jeweils unterschiedliche Neigungen aufweisen. Der erste lichtdurchlässige Abschnitt 134 ist in der ersten Aussparung 232a angeordnet und mit dem Gehäuse 232 verbunden. Der erste lichtdurchlässige Abschnitt 134 ummantelt den LED-Chip 220 und einen Teilbereich des Leiterrahmens 210, der von dem Gehäuse 232 nicht ummantelt ist.
  • Wie in 4 gezeigt ist, beinhaltet der Leiterrahmen 210 eine Vielzahl von Leitern L und jeder Leiter L besitzt einen Innenleiter IL und einen Außenleiter OL. Der Innenleiter IL ist von der Ummantelung 230 ummantelt und mit dem LED-Chip 220 elektrisch verbunden. Der Außenleiter OL ist aus der Ummantelung 230 ausgesetzt und jeder Außenleiter OL ist beispielsweise von der Seitenwand der Ummantelung 230 zu dem Boden der Ummantelung 230 verlängert. In der Ausführungsform ist der Leiterrahmen 210 beispielsweise ein Kupfer-Leiterrahmen, Aluminium-Leiterrahmen oder ein anderer Metall-Leiterrahmen. In Abhängigkeit von praktischen Erfordernissen kann die Ummantelung 230 von einer Metallschicht gemäß der Ausführungsform plattiert sein. Daneben ist der von der vorliegenden Erfindung verwendete Leiterrahmen 210 auf die in 4 gezeigten Ausgestaltung nicht eingeschränkt. Mit anderen Worten kann der Leiterrahmen 210 in Abhängigkeit der praktischen Erfordernisse eine Up-Set-Ausgestaltung oder eine Down-Set-Ausgestaltung aufweisen; das heißt, die von der Ummantelung 230 ummantelten Innenleiter und die Außenleiter OL können sich jeweils auf verschiedenen Erhebungen befinden.
  • Man beachte, dass einem Hersteller gestattet ist, die aufgerauten Oberflächen 210a an verschiedenen Abschnitten des Leiterrahmens 210 zu bilden und die aufgerauten Oberflächen 210a eignen sich zum Streuen des aus dem LED-Chip 220 emittierten Lichts und die Rauheit der aufgerauten Oberfläche 210a liegt im Bereich von 0,05 μm bis 500 μm. In der Ausführungsform können die aufgerauten Oberflächen 210 an verschiedenen Abschnitten des Leiterrahmens 210 gebildet werden, um verschiedene Effizienz aufzuweisen (hiernach dargestellt). Beispielsweise kann ein Hersteller eine aufgeraute Oberfläche 210a auf jedem Innenleiter IL bilden (wie in 2 gezeigt). Und ein Hersteller kann auch aufgeraute Oberflächen 210a auf sowohl den Innenleitern IL als auch den Außenleitern OL bilden (wie in 4 gezeigt).
  • Wenn die aufgerauten Oberflächen 210a auf den Außenleitern OL des Leiterrahmens 210 gebildet werden, ist die aufgeraute Oberfläche 210a beim Verbinden der LED-Einheit 200' und anderer Träger (beispielsweise Leiterplatte) hilfreich; wenn die aufgerauten Oberflächen 210a auf den Innenleitern IL des Leiterrahmens 210 gebildet werden, ist die aufgeraute Oberfläche 210a beim Verbinden der LED-Einheit 200 selbst und der Ummantelung 230 hilfreich, so dass eine Ablösung zwischen dem Leiterrahmen 210 und der Ummantelung 230 unwahrscheinlich eintritt.
  • In 4 ist nur eine einzige Oberfläche des Leiterrahmens 210 eine aufgeraute Oberfläche 210a, aber es ist in der vorliegenden Erfindung gestattet, zwei entgegengesetzte Oberflächen des Leiterrahmens 210 mit aufgerauten Oberflächen 210a herzustellen.
  • Die Ausbildung der aufgerauten Oberflächen 210a auf verschiedenen Abschnitten des Innenleiters IL bewirkt ebenfalls verschiedene Effizienz. Wenn eine aufgeraute Oberfläche 210a innerhalb eines Bereichs A auf dem Innenleiter IL gebildet wird, kann die gebildete aufgeraute Oberfläche 210a die Stärke der Verbindung zwischen dem Leiterrahmen 210 und dem LED-Chip 220 verbessern; wenn eine aufgeraute Oberfläche 210a innerhalb eines Bereichs B auf dem Innenleiter IL gebildet wird, kann die gebildete aufgeraute Oberfläche 210a die Stärke der Verbindung zwischen dem Leiterrahmen 210 und dem lichtdurchlässigen Abschnitt 234 verbessern; wenn eine aufgeraute Oberfläche 210a innerhalb eines Bereichs C auf dem Innenleiter IL gebildet wird, kann die gebildete aufgeraute Oberfläche 210a die Stärke der Verbindung zwischen dem Leiterrahmen 210 und dem Gehäuse 232 verbessern.
  • Man beachte, dass ein Hersteller den Bereich A, den Bereich B oder dem Bereich C optional zur Bildung einer aufgerauten Oberfläche 210a darin auswählen kann. Ein Hersteller kann auch mindestens zwei Bereiche aus dem Bereich A, dem Bereich B und dem Bereich C zur Bildung der aufgerauten Oberflächen 210a darin auswählen.
  • Die dritte Ausführungsform
  • 5 ist eine schematische Querschnittszeichnung einer LED-Einheit gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und 6A6D sind 3-D- Diagramme eines Gehäuses und eines Leiterrahmens in der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bezug nehmend auf 5 ist eine LED-Einheit 300 der dritten Ausführungsform ähnlich der LED-Einheit 200' der zweiten Ausführungsform mit der Ausnahme, dass die LED-Einheit 300 der dritten Ausführungsform ferner einen zweiten lichtdurchlässigen Abschnitt 236 beinhaltet und das Gehäuse 232 ferner eine zweite Aussparung 232b zur Unterbringung einer elektronischen Vorrichtung 250 und einen zweiten lichtdurchlässigen Abschnitt 236 besitzt (wie in 6A6D gezeigt). Der zweite lichtdurchlässige Abschnitt 236 ist in der zweiten Aussparung 232b angeordnet und mit dem Gehäuse 232 verbunden. Der zweite lichtdurchlässige Abschnitt 236 ummantelt die elektronische Vorrichtung 250 und einen Teilbereich des Leiterrahmens 210, der von dem Gehäuse 232 nicht ummantelt ist. Wie in 5 gezeigt ist, befindet sich der erste lichtdurchlässige Abschnitt 234 bzw. der zweite lichtdurchlässige Abschnitt 236 auf zwei entgegengesetzten Seiten des Leiterrahmens 210. Außerdem ist die Größe der ersten Aussparung 232a beispielsweise größer als die Größe der zweiten Aussparung 232b. Man beachte, dass die elektronische Vorrichtung 250 beispielsweise ein LED-Chip, ein statischer Schutzchip, ein Steuerchip oder ein anderer Chip sein kann.
  • Zusammenfassend weist die vorliegende Erfindung mindestens folgenden Vorteil auf:
    Da die vorliegende Erfindung einen Leiterrahmen mit einer streuenden Oberfläche als den Chipträger adaptiert, kann deshalb eine LED-Einheit mit hoher Effizienz der Lichtemission ohne große Erhöhung der Herstellungskosten hergestellt werden.

Claims (9)

  1. Eine lichtemittierende Diodeneinheit, umfassend: einen Leiterrahmen mit einer aufgerauten Oberfläche; mindestens einen lichtemittierenden Diodenchip, der an dem Leiterrahmen angeordnet und mit dem Leiterrahmen elektrisch verbunden ist, wobei die aufgeraute Oberfläche zum Streuen des aus dem lichtemittierenden Diodenchip emittierten Lichts geeignet ist; und eine Ummantelung, die den lichtemittierenden Diodenchip und einen Teil des Leiterrahmens ummantelt, wobei ein Teil des Leiterrahmens aus der Ummantelung ausgesetzt ist.
  2. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 1, wobei der Leiterrahmen eine Vielzahl von Leitern umfasst, jeder Leiter einen Innenleiter und einen Außenleiter umfasst, der Innenleiter von der Ummantelung ummantelt und mit dem lichtemittierenden Diodenchip elektrisch verbunden und der Außenleiter aus der Ummantelung ausgesetzt ist.
  3. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 2, wobei jeder Innenleiter die aufgeraute Oberfläche aufweist.
  4. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 2, wobei jeder Innenleiter und jeder Außenleiter die aufgeraute Oberfläche aufweist.
  5. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 2, wobei jeder Außenleiter von der Seitenwand der Ummantelung zu dem Boden der Ummantelung verlängert ist.
  6. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 2, wobei die Ummantelung umfasst: ein Gehäuse mit einer Aussparung, wobei der lichtemittierende Diodenchip sich in der Aussparung befindet; und einen lichtdurchlässigen Abschnitt, der in der Aussparung angeordnet und mit dem Gehäuse verbunden ist, wobei der lichtdurchlässige Abschnitt den lichtemittierenden Diodenchip und einen Teilbereich des Innenleiters, der von dem Gehäuse nicht ummantelt ist, ummantelt.
  7. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 6, wobei die Teilbereiche der von dem lichtdurchlässigen Abschnitt ummantelten Innenleiter jeweils die aufgeraute Oberfläche aufweisen.
  8. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 7, wobei die Teilbereiche der von dem Gehäuse ummantelten Innenleiter jeweils die aufgeraute Oberfläche aufweisen.
  9. Die lichtemittierende Diodeneinheit gemäß Anspruch 1, wobei die aufgeraute Oberfläche eine Rauheit im Bereich von 0,05 μm bis 500 μm aufweist.
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100820529B1 (ko) 2006-05-11 2008-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치
KR100901618B1 (ko) * 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
JP2010056372A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
TWI393275B (zh) * 2009-02-04 2013-04-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝體及其製造方法
TWI380433B (en) 2009-02-25 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
TWI411142B (zh) * 2009-06-23 2013-10-01 Delta Electronics Inc 發光裝置及其封裝方法
US8482019B2 (en) * 2010-01-28 2013-07-09 Infineon Technologies Ag Electronic light emitting device and method for fabricating the same
TWI394298B (zh) * 2010-01-29 2013-04-21 Advanced Optoelectronic Tech 半導體發光元件封裝結構
TW201128808A (en) * 2010-02-03 2011-08-16 Advanced Optoelectronic Tech Package of semiconductor light emitting device
TWI561770B (en) * 2010-04-30 2016-12-11 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting device package, light source module, backlight unit, display apparatus, television set, and illumination apparatus
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWM400099U (en) 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
KR101766720B1 (ko) * 2010-11-25 2017-08-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8846421B2 (en) 2011-03-10 2014-09-30 Mds Co. Ltd. Method of manufacturing lead frame for light-emitting device package and light-emitting device package
KR101832306B1 (ko) * 2011-05-30 2018-02-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN102820384B (zh) * 2011-06-08 2015-10-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN102544252B (zh) * 2011-07-05 2015-10-07 中国科学院福建物质结构研究所 一种利用基板高漫反射光学设计进行高效led芯片封装方法
JP5720496B2 (ja) * 2011-08-24 2015-05-20 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US9793456B2 (en) * 2011-09-30 2017-10-17 Kaneka Corporation Molded resin body for surface-mounted light-emitting device, manufacturing method thereof, and surface-mounted light-emitting device
CN103178189A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 顺德工业股份有限公司 发光装置的封装支架及其表面处理方法
US20130161670A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Sheng-Yang Peng Light emitting diode packages and methods of making
CN102543910A (zh) * 2012-02-06 2012-07-04 三星半导体(中国)研究开发有限公司 芯片封装件及其制造方法
KR20130096094A (ko) * 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템
CN103682063B (zh) * 2012-08-30 2017-03-01 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构及其制造方法
CN103887397A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
JP2014203861A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体モジュール
CN203312365U (zh) * 2013-07-04 2013-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种led支架、led以及背光模组
KR20150053586A (ko) * 2013-11-08 2015-05-18 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
US9310045B2 (en) 2014-08-01 2016-04-12 Bridgelux, Inc. Linear LED module
JP6056914B2 (ja) * 2015-07-07 2017-01-11 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、半導体装置および照明装置
JP6533766B2 (ja) * 2016-09-07 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
JP6917570B2 (ja) * 2016-12-27 2021-08-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP2018170333A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US10359183B2 (en) 2017-06-07 2019-07-23 Fluence Bioengineering, Inc. Systems and methods for lighting fixtures
DE102018100946A1 (de) * 2018-01-17 2019-07-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil und verfahren zur herstellung eines bauteils
CN110858584A (zh) * 2018-08-23 2020-03-03 弘凯光电(深圳)有限公司 发光模块及发光串列装置
DE102019106931A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement, optoelektronische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US10944027B2 (en) 2019-06-14 2021-03-09 X Display Company Technology Limited Pixel modules with controllers and light emitters
US11488943B2 (en) 2019-06-14 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Modules with integrated circuits and devices
DE102021123663A1 (de) 2021-09-13 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung
CN114864568A (zh) * 2022-04-24 2022-08-05 弘凯光电(江苏)有限公司 封装结构及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19928576C2 (de) * 1999-06-22 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares LED-Bauelement mit verbesserter Wärmeabfuhr

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW295725B (en) 1995-08-23 1997-01-11 Vanguard Int Semiconduct Corp Manufacturing method of the self-aligned contact of IC
US7049683B1 (en) * 2003-07-19 2006-05-23 Ns Electronics Bangkok (1993) Ltd. Semiconductor package including organo-metallic coating formed on surface of leadframe roughened using chemical etchant to prevent separation between leadframe and molding compound
TWM295725U (en) 2005-12-13 2006-08-11 Arima Optoelectronics Corp Illumination structure of LED
JP4830768B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
TW200820463A (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light-improving SMD diode holder and package thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19928576C2 (de) * 1999-06-22 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares LED-Bauelement mit verbesserter Wärmeabfuhr

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Publication number Publication date
DE102008032967A1 (de) 2010-01-21
US8471285B2 (en) 2013-06-25
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US8030674B2 (en) 2011-10-04
US20110233594A1 (en) 2011-09-29

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