CN103887397A - 发光二极管 - Google Patents
发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103887397A CN103887397A CN201210561781.2A CN201210561781A CN103887397A CN 103887397 A CN103887397 A CN 103887397A CN 201210561781 A CN201210561781 A CN 201210561781A CN 103887397 A CN103887397 A CN 103887397A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- face
- diode chip
- backlight unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种发光二极管,包括基板、与基板结合的电极、与电极电连接的发光二极管芯片、及围设所述发光二极管芯片的反光杯,所述反光杯包括底面、与所述底面相对的顶面、连接底面与顶面外侧边缘的外侧面及连接底面与顶面内侧边缘的内侧面,所述内侧面包括自顶面倾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的过渡面,所述过渡面围设形成收容孔***述发光二极管芯片于其内,所述反射面围设形成反光孔用于反射发光二极管芯片发出的光线,所述过渡面与所述底面之间的夹角大于所述反射面与所述底面之间的夹角。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体元件,特别涉及一种发光二极管。
背景技术
传统的发光二极管包括二间隔设置的电极、固定于所述电极上并与之电性连接的一发光二极管芯片及固定于所述电极上并围绕所述发光二极管的一反射杯。所述反射杯通过射出成型的方式形成在所述电极上,包括贴设于电极的底面、自底面周缘向上延伸的外侧面、与底面相对的顶面及自顶面中部向底面凹陷形成的内侧面。所述内侧面为一光滑的反射面并围设形成一收容孔于其内,用于收容发光二极管芯片并反射发光二极管芯片发出的光线。为保障所述反射面能够将发光二极管芯片发出的光线反射到较大的区域而使发光二极管具有较大的照射区域,通常使内侧面尽量靠近底面,如此,用于形成反光杯的模具的该部分就要做的扁、窄,而在射出成型过程中,模具的扁、窄区域内的空气不易完全被填料挤出而形成气泡,从而导致脱模后反光杯的内侧面与底面边缘形成毛边而影响反光杯的性能。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种性能稳定的发光二极管。
一种发光二极管,包括基板、与基板结合的电极、与电极电连接的发光二极管芯片、及围设所述发光二极管芯片的反光杯,所述反光杯包括底面、与所述底面相对的顶面、连接底面与顶面外侧边缘的外侧面及连接底面与顶面内侧边缘的内侧面,所述内侧面包括自顶面倾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的过渡面,所述过渡面围设形成收容孔***述发光二极管芯片于其内,所述反射面围设形成反光孔用于反射发光二极管芯片发出的光线,所述过渡面与所述底面之间的夹角大于所述反射面与所述底面之间的夹角。
本发明中,因反射面与底面之间增设有过渡面,并且过渡面与底面之间的夹角大于所述反射面与所述底面之间的夹角,因此,在形成所述反光杯时,进入模具内的填料能够更加彻底的挤出模具内的空气,从而避免模具内接近底面的狭窄区域因存在气泡而导致成型的反光杯的底面、过渡面等处形成毛边而影响反光杯的反射性能。并且,又因为反射面与所述底面之间的夹角小于过渡面与底面之间的夹角,在保障反光杯的反射性能的同时,使其能将发光二极管芯片发出的光线反射至较大的区域,从而保障发光二极管较大的照射范围。
附图说明
图1为本发明的发光二极管的示意图。
主要元件符号说明
基板 | 10 |
第一电极 | 20 |
第二电极 | 30 |
发光二极管芯片 | 40 |
金属导线 | 41 |
反光杯 | 50 |
底面 | 51 |
顶面 | 52 |
外侧面 | 53 |
内侧面 | 54 |
封装体 | 60 |
发光二极管 | 100 |
反射面 | 541 |
过渡面 | 543 |
反光孔 | 525 |
收容孔 | 527 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1,本发明的发光二极管100包括一基板10、形成于所述基板10上并间隔设置的一第一电极20及一第二电极30、固定于第一电极20上并与所述第一电极20及所述第二电极30电性连接的一发光二极管芯片40、固定于所述第一电极20及第二电极30上并围设所述发光二极管芯片40的一反光杯50及填充于所述反光杯50内并包裹所述发光二极管芯片40的一封装体60。当然,该发光二极管芯片40与反光杯50不一定固定于第一电极20、第二电极30上,其也可直接固定于基板10上。
所述基板10由导热性能良好的绝缘材料制成,具有平整的上表面及平行于所述上表面的下表面。所述第一电极20性形成于所述基板10的左端,具体的,所述第一电极20的纵截面呈U形,自基板10的上表面左端向左延伸自下表面的左端。所述第二电极30形成于所述基板10的右端,具体的,所述第二电极30的纵截面呈U形,自基板10的上表面右端向右延伸自下表面的右端。
所述发光二极管芯片40固定在第一电极20上,并通过二金属导线41分别与第一电极20及第二电极30电性连接。
所述反光杯50为一环状体,通过射出成型或嵌入成型的方式形成。所述反光杯50包括与一底面51、与底面51平行相对设置的一顶面52、连接顶面52与底面51外侧边缘的一外侧面53及连接顶面52与底面51内侧边缘的一内侧面54。所述外侧面53垂直连接所述顶面52及底面51。所述内侧面54包括自顶面52中部倾斜向下凹陷的一反射面541及自反射面541底端倾斜延伸至底面51的一过渡面543。所述反射面541为一光滑的环面,其内表面围设形成一反光孔525,用于反射所述发光二极管芯片40发出的光线。所述反光孔525的纵截面呈梯形,其孔径自顶面52向下逐渐递减。所述反射面541与平行于底面51的水平面之间形成有夹角α。所述夹角α大于等于15度并小于等于30,用以保障反射面541能够将发光二极管芯片40发出的光线反射向较大的区域,从而增加发光二极管100的照射范围。
所述过渡面543为一光滑的环面,其内表面围成一收容孔527,用于收容发光二极管芯片40于其内。所述收容孔527与所述反光孔525共轴并连通设置。所述收容孔527的纵截面也呈梯形,其直径自与反光孔525连接的顶端向底面51逐渐减小。所述过渡面543与底面51之间形成有一夹角β,所述夹角β大于所述夹角α,以保障在形成所述反光杯50时,填料能够进入模具内而完全挤出该部分的空气,从而使底面51及过渡面543成型后为光滑的平面。在本实施例中,所述夹角β大于等于35并小于等于45度。并且,为了进一步保障模具对应底面51及过渡面543处的空气被挤出,所述过渡面543的顶端到底面51之间的垂直距离H小于0.01毫米。所述收容孔527的深度大于或等于所述发光二极管芯片40自第一电极20向上凸伸的高度。
所述封装体60为透明或半透明的硅胶,填满所述反光孔525及收容孔527,并将发光二极管芯片40包裹在内而用以保护发光二极管芯片40免受水汽或灰尘等的污染。可以理解的,在其他实施例中,所述封装体60可为混合有荧光粉的硅胶。
本发明中,因反射面541与底面51之间增设有过渡面543,并且过渡面543与底面51之间的夹角β大于所述反射面541与所述底面51之间的夹角α,因此,在形成所述反光杯50时,进入模具内的填料能够更加彻底的挤出模具内的空气,从而避免模具内接近底面51的狭窄区域因存在气泡而导致成型的反光杯50的底面51、过渡面543等处形成毛边而影响反光杯50的反射性能。并且,又因为反射面541与所述底面51之间的夹角α小于过渡面543与底面51之间的夹角β,在保障反光杯50的反射性能的同时,使其能将发光二极管芯片40发出的光线反射至较大的区域,从而保障发光二极管100较大的照射范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管,包括基板、与基板结合的电极、与电极电连接的发光二极管芯片、及围设所述发光二极管芯片的反光杯,所述反光杯包括底面、与所述底面相对的顶面、连接底面与顶面外侧边缘的外侧面及连接底面与顶面内侧边缘的内侧面,其特征在于:所述内侧面包括自顶面倾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的过渡面,所述过渡面围设形成收容孔***述发光二极管芯片于其内,所述反射面围设形成反光孔用于反射发光二极管芯片发出的光线,所述过渡面与所述底面之间的夹角大于所述反射面与所述底面之间的夹角。
2.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于:所述反射面与所述底面之间的夹角大于等于15度且小于等于30度。
3.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于:所述过渡面与所述底面之间的夹角大于等于35度且小于等于45度。
4.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于:所述收容孔与所述发光孔共轴并连通设置。
5.如权利要求4所述发光二极管,其特征在于:所述反光孔与收容孔的纵截面均呈梯形,所述反光孔的孔径自顶面向下逐渐递减,所述收容孔的直径自与反光孔连接的顶端向底面逐渐减小。
6.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于:所述过渡面的顶端到底面之间的垂直距离小于0.01毫米。
7.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于:所述收容孔的深度大于或等于所述发光二极管芯片向上凸伸的高度。
8.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于:所述电极形成于所述基板上并间隔设置,所述发光二极管芯片固定于电极上,所述反射杯的底面贴设于电极上。
9.如权利要求1所述发光二极管,其特征在于:进一步包括收容于所述收容孔内并包裹所述发光二极管芯片的封装体。
10.如权利要求9所述发光二极管,其特征在于:所述封装体填满所述反光孔。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210561781.2A CN103887397A (zh) | 2012-12-22 | 2012-12-22 | 发光二极管 |
TW102101730A TW201432947A (zh) | 2012-12-22 | 2013-01-17 | 發光二極體 |
US13/963,324 US20140175482A1 (en) | 2012-12-22 | 2013-08-09 | Light emitting diode package with light reflecting cup internally slanted |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210561781.2A CN103887397A (zh) | 2012-12-22 | 2012-12-22 | 发光二极管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103887397A true CN103887397A (zh) | 2014-06-25 |
Family
ID=50956212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210561781.2A Pending CN103887397A (zh) | 2012-12-22 | 2012-12-22 | 发光二极管 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140175482A1 (zh) |
CN (1) | CN103887397A (zh) |
TW (1) | TW201432947A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106601898A (zh) * | 2015-10-19 | 2017-04-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN108511580A (zh) * | 2016-06-24 | 2018-09-07 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件 |
CN111261053A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6249002B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-12-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2017130588A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 旭化成株式会社 | 紫外線発光装置 |
US11092311B2 (en) | 2019-03-11 | 2021-08-17 | Lumileds Llc | Light extraction bridge in cups |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273786A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2004327503A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI321857B (en) * | 2006-07-21 | 2010-03-11 | Epistar Corp | A light emitting device |
US8030674B2 (en) * | 2008-04-28 | 2011-10-04 | Lextar Electronics Corp. | Light-emitting diode package with roughened surface portions of the lead-frame |
US8525213B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-09-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same |
CN102760816A (zh) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
-
2012
- 2012-12-22 CN CN201210561781.2A patent/CN103887397A/zh active Pending
-
2013
- 2013-01-17 TW TW102101730A patent/TW201432947A/zh unknown
- 2013-08-09 US US13/963,324 patent/US20140175482A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273786A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2004327503A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106601898A (zh) * | 2015-10-19 | 2017-04-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN108511580A (zh) * | 2016-06-24 | 2018-09-07 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件 |
CN111261053A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN111261053B (zh) * | 2020-01-20 | 2023-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201432947A (zh) | 2014-08-16 |
US20140175482A1 (en) | 2014-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103887397A (zh) | 发光二极管 | |
US11043623B2 (en) | Package including lead component having recess | |
KR101007131B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
CN103515520B (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
CN102650387B (zh) | 照明装置 | |
JP2010177501A (ja) | 光学素子パッケージおよび光学素子パッケージの製造方法 | |
US20120205703A1 (en) | Light-Emitting Diode Package Device and Method for Making the Same | |
CN103094268A (zh) | 应用于商业照明的led模组及其制作方法 | |
CN103633229A (zh) | 发光二极管模组及其制造方法 | |
CN101621093A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
US20130288409A1 (en) | Method for manufacturing light emitting diode | |
CN104022215A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
CN102610733B (zh) | Led灯、led支架及led支架料带结构 | |
CN103872218B (zh) | Led支架及led发光体 | |
US20100127291A1 (en) | Light emitting diode | |
CN103254889A (zh) | 荧光粉薄膜制作方法及相应的发光二极管封装方法 | |
CN104425671A (zh) | 发光二极管的制造方法 | |
CN103972371A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
KR20110013401A (ko) | Led 패키지, 리드 프레임 및 그 제조법 | |
CN101369617B (zh) | 高散热性发光二极管装置 | |
CN104022214A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法 | |
CN103000789A (zh) | 贴片式led支架、贴片式led及贴片式led支架的成型方法 | |
CN102044597B (zh) | 一种发光二极管 | |
CN105304806B (zh) | Led支架及其生产方法 | |
US9695989B2 (en) | Plastic lamp base with zigzag electrical conductor and light bulb using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140625 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |