JP2018170333A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図2は、図1中のII−II線に沿った模式断面図である。図3は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
図1〜図3には、第1方向、第2方向、及び、第3方向が示される。本明細書では、第1方向をZ軸方向とする。Z軸方向と交差、例えば、直交する1つの方向を第2方向とする。第2方向はX軸方向である。Z軸方向、及び、X軸方向のそれぞれと交差、例えば、直交する1つの方向を第3方向とする。第3方向はY軸方向である。
第1膜31は、例えば、
(a) アルミニウム(Al) E=70 α=23.0
(b) 金(Au) E=80 α=14.2
(c) 銅(Cu) E=125 α=16.5
(d) ニッケル(Ni) E=205 α=13.5
(e) チタン(Ti) E=116 α=8.4
(f) タンタル(Ta) E=185 α=6.3
(g) タングステン(W) E=370 α=4.5
(h) パラジウム(Pd) E=112 α=12.0
からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含む。
(i) アルミニウム合金(例えば、Al−Si−Cu)
(j) チタン合金(例えば、TiN)
(k) タンタル合金(例えば、TaN)
(l) ニッケル合金(例えば、Ni−Ti、Ni−Cr、Ni−Cu)
(m) アルミナ(Al2O3)
からなる群より選択される少なくとも1つの合金、または、金属化合物を含む。
(n) シリコン(Si)
(o) シリコン窒化物(SiN)
(p) シリコン酸化物(SiO2)
(q) 樹脂
からなる群より選択される少なくとも1つの非金属を含む。
(s) Ti、Cr、及び、Wのいずれか1つを含む層/Niを含む層
(t) Ti、Cr、及び、Wのいずれか1つを含む層/Cuを含む層
からなる群より選択される少なくとも1つの積層構造を含む。
積層構造(s)は、第2層31bがTi、Cr、及び、Wのいずれか1つを含み、第1層31aがNiを含む。
積層構造(t)は、第2層31bがTi、Cr、及び、Wのいずれか1つを含み、第1層31aがCuを含む。
(u) Tiを含む層/Niを含む層/Cuを含む層
(v) Tiを含む層/Wを含む層/Tiを含む層
(w) Tiを含む層/Niを含む層/Cuを含む層/Tiを含む層
からなる群より選択される少なくとも1つの積層構造を含む。
積層構造(u)は、第2層31bがTiを含み、第1層31aがNiを含み、第3層31cがCuを含む。
積層構造(v)は、第2層31bがTiを含み、第1層31aがWを含み、第3層31cがTiを含む。
積層構造(w)は、第2層31bがTiを含み、第1層31aがNiを含み、第4層31dがCuを含み、第3層31cがTiを含む。
・ 第1膜31から基体1への、イオンの拡散を抑制すること(例えば、バリア層)
・ 第1膜31と、基体1と、の密着性を向上させること(例えば、密着層)
・ 第1膜31と、基体1と、を絶縁すること(例えば、絶縁層)
の少なくとも1つを含む。
・ 第1膜31から基体1への、イオンの拡散を抑制できる
・ 第1膜31と、基体1と、の密着性が向上する
・ 第1膜31を、基体1から電気的に絶縁できる
の少なくとも1つの利点を、さらに得ることができる。
・ 第1層31aと、第2膜32と、の密着性を向上させること(例えば、密着層)
・ 第1層31aから第2膜32への、イオンの拡散を抑制すること(例えば、バリア層)
・ 第1層31aと、第2膜32と、を絶縁すること(例えば、絶縁層)
の少なくとも1つを含む。
・ 第1層31aと、第2膜32と、の密着性が向上する
・ 第1層31aから第2膜32への、イオンの拡散を抑制できる
・ 第1層31aを、第2膜32から電気的に絶縁できる
の少なくとも1つの利点を、さらに得ることができる。例えば、第6変形例において、第2層31bは、例えば、Ti、Cr、及び、Wのいずれか1つを含む。この場合、第2層31bは、例えば、Niを含む第1層31aと、第2膜32と、の密着性を向上させる密着層として、機能する。
・ 第1膜31からモールド材23への、イオンの拡散を抑制すること(例えば、バリア層)
・ 第1膜31と、モールド材23と、を絶縁すること(例えば、絶縁層)
・ 第1膜31と、モールド材23と、の密着性を向上させること(例えば、密着層)
の少なくとも1つを含む。
・ 第1膜31からモールド材23への、イオンの拡散を抑制できる
・ 第1膜31を、モールド材23から電気的に絶縁できる
・ 第1膜31と、モールド材23と、の密着性が向上する
の少なくとも1つの利点を、さらに得ることができる。
第5変形例〜第8変形例において、第2膜32、及び、第3膜33は、それぞれ、例えば、上述した上述した非金属(n)〜(q)からなる群より選択される少なくとも1つを含む。非金属(n)〜(q)は、あくまで例である。上記以外の非金属を選択することも可能である。さらに、第2膜32、及び、第3膜33には、絶縁性の金属化合物、例えば、アルミナなどを選択することも可能である。第2膜32の材料、及び、第3膜33の材料は、後述する第1実施形態の変形例、第2実施形態、第2実施形態の変形例においても、適用される。
tz31>tz32
とされる。例えば、第2膜32のZ軸方向の厚さtz32は、第1膜31のZ軸方向の厚さtz31の、約1/50〜1(=(0.1/5.0)〜(0.5/0.5))とされる。
tz31>tz33
とされる。例えば、第3膜33のZ軸方向の厚さtz33は、第1膜31のZ軸方向の厚さtz31の、例えば、約1/50〜1(=(0.1/5.0)〜(0.5/0.5))とされる。
・ 第1層31aと、第2膜32と、の密着性を向上できる
・ 第1層31aから第2膜32への、イオンの拡散を抑制できる
・ 第1層31aを、第2膜32から電気的に絶縁できる
・ 第1層31aと、第3膜33と、の密着性を向上できる
・ 第1層31aから第3膜33への、イオンの拡散を抑制できる
・ 第1層31aを、第3膜33から電気的に絶縁できる
の少なくとも1つの利点を、さらに得ることができる。
図19は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図19に示す断面は、例えば、図1に示す断面に対応する。
・ 基体1の側面1cからの、基体1中への不純物やイオンの侵入を抑制すること
・ 基体1の側面1cの表面ラフネス4に起因した、基体1の強度の低下を抑制すること
・ 膜3の、基体1からの剥離耐性を向上させること
・ 膜3からモールド材23への、イオンの拡散を抑制すること
の少なくとも1つを含む。
・ 基体1の側面1cから、基体1中へ、不純物やイオンの侵入を抑制できる
・ 基体1の強度が、さらに向上する
・ 膜3の、基体1からの剥離耐性が向上する
・ 膜3からモールド材23への、イオンの拡散を抑制できる
の少なくとも1つの利点を、さらに得ることができる。
・ 基体1を変形させようとするデバイス層2の力を、緩和すること
を含む。第5膜35は、例えば、第1膜31と、ともに、基体1の変形を抑制する。第5膜35は、例えば、応力負荷層である。
・ 第5膜35からモールド材23への、イオンの拡散を抑制すること(例えば、バリア層)
・ 第5膜35と、モールド材23と、を絶縁すること(例えば、絶縁層)
・ 第5膜35と、モールド材23と、の密着性を向上させること(例えば、密着層)
の少なくとも1つを含む。
・ 第5膜35からモールド材23への、イオンの拡散を抑制できる
・ 第5膜35を、モールド材23から電気的に絶縁できる
・ 第5膜35と、モールド材23と、の密着性が向上する
の少なくとも1つの利点を、さらに得ることができる。
図24(a)〜図24(g)は、第3実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式図である。図25(a)〜図25(j)は、第3実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
図26(a)に示すように、半導体ウェーハWの裏面Wbを後退させ、半導体ウェーハWを薄化する。
図27(a)〜図27(f)は、第4実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式図である。図28(a)〜図28(j)、及び、図29(a)〜図29(d)は、第4実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
Claims (12)
- 第1半導体素子を含み、第1面と、第2面と、前記第1面と、前記第2面と、の間にある側面と、を有した基体と、
前記第1半導体素子と電気的に接続された第2半導体素子を含み、前記基体の第1面の上に設けられたデバイス層と、
第1膜を含む膜であって、
前記第1膜を含む膜は、第1領域と、第2領域と、第3領域と、を含み、
第1方向において、前記第1領域と、前記デバイス層と、の間に、前記基体が位置し、前記第1方向と交差する第2方向において、前記第2領域と、前記第3領域と、の間に、前記基体が位置する、前記第1膜を含む膜と、
を備え、
前記第1膜は、前記第2面、及び、前記側面の凹凸を埋め込む、半導体装置。 - 第1半導体素子を含み、第1面と、第2面と、前記第1面と、前記第2面と、の間にある側面と、を有した基体と、
前記第1半導体素子と電気的に接続された第2半導体素子を含み、前記基体の第1面の上に設けられたデバイス層と、
第1膜を含む膜であって、
前記第1膜を含む膜は、第1領域、を含み、
第1方向において、前記第1領域と、前記デバイス層と、の間に、前記基体が位置する、前記第1膜を含む膜と、
第4膜を含む膜であって、
前記第4膜を含む膜は、第4領域と、第5領域と、第6領域と、を含み、
前記第1方向において、前記第4領域と、前記デバイス層と、の間に、前記基体と、前記第1膜を含む膜と、が位置し、前記第1方向と交差する第2方向において、前記第5領域と、前記第6領域と、の間に、前記基体が位置する、前記第4膜を含む膜と、
を備え、
前記第1膜は、前記第2面の凹凸を埋め込み、
前記第4膜は、前記側面の凹凸を埋め込む、半導体装置。 - 前記第4膜を含む膜は、
第5膜
を、さらに含み、
前記第4膜は、前記基体と、前記第5膜と、の間に、設けられた、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第4膜を含む膜は、
第6膜
を、さらに含み、
前記第5膜は、前記第4膜と、前記第6膜と、の間に、設けられた、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1膜を含む膜は、
第2膜
を、さらに含み、
前記第2膜は、前記基体と、前記第1膜と、の間に、設けられた、請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第1膜を含む膜は、
第3膜
を、さらに含み、
前記第1膜は、前記基体と、前記第3膜と、の間に、設けられた、請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第1膜は、アルミニウム、金、銅、ニッケル、チタン、タンタル、タングステン、及び、パラジウムからなる群より選択される少なくとも1つの金属を含む、請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1膜は、シリコン、シリコン窒化物、シリコン酸化物、及び、樹脂からなる群より選択される少なくとも1つの非金属を含む、請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1膜は、積層構造を含む、請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記積層構造は、Tiを含む層/Niを含む層、Tiを含む層/Cuを含む層、Tiを含む層/Niを含む層/Cuを含む層、Tiを含む層/Wを含む層/Tiを含む層、及び、Tiを含む層/Niを含む層/Cuを含む層/Tiを含む層からなる群より選択される少なくとも1つの積層構造を含む、請求項8記載の半導体装置。
- デバイス層を備えた第1面と、第1方向において前記第1面と離れた第2面と、を含む半導体ウェーハを、前記第1方向と交差する第2方向と、前記第1方向、及び、前記第2方向と交差する第3方向と、に沿ってダイシングし、
前記第2面を後退させ、前記半導体ウェーハを複数の半導体チップに分離し、
前記複数の半導体チップに分離された前記半導体ウェーハの前記第2面の上と、前記第1面と前記第2面との間にある側面の上と、に、第1膜を含む膜を形成する、半導体装置の製造方法。 - デバイス層を備えた第1面と、第1方向において前記第1面と離れた第2面と、を含む半導体ウェーハの前記第2面を後退させ、
前記半導体ウェーハの上に、第1膜を含む膜を形成し、
前記半導体ウェーハを、前記第1方向と交差する第2方向と、前記第1方向、及び、前記第2方向と交差する第3方向と、に沿ってダイシングし、前記半導体ウェーハを複数の半導体チップに分離し、
前記複数の半導体チップに分離された前記半導体ウェーハの前記第2面の上にある前記第1膜の上と、前記第1面と前記第2面との間にある側面の上と、に、第4膜を含む膜を形成する、半導体装置の製造方法。
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