DE102007033815A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten Download PDFInfo
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Abstract
Es
wird bereitgestellt ein Verfahren zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander
liegenden Schichten, mit den Schritten:
a) Bereitstellen eines Referenzbildes mit einem Referenzmuster, das ein erstes und ein zweites Musterelement aufweist,
b) Bereitstellen eines Meßbildes eines Meßmusters, das ein erstes Musterelement aus einer ersten Schicht der Schichten und ein zweites Musterelement aus einer zweiten Schicht der Schichten aufweist,
c) Wichten des Referenz- oder Meßbildes, derart, daß ein gewichtetes erstes Bild erzeugt wird, in dem das erste Musterelement relativ zum zweiten Musterelement verstärkt ist,
d) Ermitteln der relativen Verschiebung des ersten Musterelements anhand des gewichteten ersten Bildes und des im Schritt c) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes,
e) Wichten des Referenz- oder Meßbildes, derart, daß ein gewichtetes zweites Bild erzeugt wird, in dem das zweite Musterelement relativ zum ersten Musterelement verstärkt ist,
f) Ermitteln der relativen Verschiebung des zweiten Musterelements anhand des gewichteten zweiten Bildes und des im Schritt e) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes,
g) Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung anhand der in den Schritten d) und f) ermittelten relativen Verschiebungen.
a) Bereitstellen eines Referenzbildes mit einem Referenzmuster, das ein erstes und ein zweites Musterelement aufweist,
b) Bereitstellen eines Meßbildes eines Meßmusters, das ein erstes Musterelement aus einer ersten Schicht der Schichten und ein zweites Musterelement aus einer zweiten Schicht der Schichten aufweist,
c) Wichten des Referenz- oder Meßbildes, derart, daß ein gewichtetes erstes Bild erzeugt wird, in dem das erste Musterelement relativ zum zweiten Musterelement verstärkt ist,
d) Ermitteln der relativen Verschiebung des ersten Musterelements anhand des gewichteten ersten Bildes und des im Schritt c) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes,
e) Wichten des Referenz- oder Meßbildes, derart, daß ein gewichtetes zweites Bild erzeugt wird, in dem das zweite Musterelement relativ zum ersten Musterelement verstärkt ist,
f) Ermitteln der relativen Verschiebung des zweiten Musterelements anhand des gewichteten zweiten Bildes und des im Schritt e) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes,
g) Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung anhand der in den Schritten d) und f) ermittelten relativen Verschiebungen.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten.
- Ein solches Verfahren ist beispielsweise in der
US 2005/0037270 A1 - Ausgehend hiervon ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten bereitzustellen, das einfach durchzuführen ist und eine höhere Genauigkeit liefert. Ferner soll eine entsprechende Vorrichtung zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten bereitgestellt werden.
- Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten, mit den Schritten:
- a) Bereitstellen eines Referenzbildes mit einem Referenzmuster, das ein erstes und ein zweites Musterelement aufweist,
- b) Bereitstellen eines Meßbildes eines Meßmusters, das ein erstes Musterelement aus einer ersten der übereinander liegenden Schichten und ein zweites Musterelement aus einer zweiten der übereinander liegenden Schichten aufweist,
- c) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes erstes Bild erzeugt wird, in dem das erste Musterelement relativ zum zweiten Musterelement verstärkt ist,
- d) Ermitteln der relativen Verschiebung des ersten Musterelements anhand des gewichteten ersten Bildes und des im Schritt c) nicht gewichteten Meß- bzw. Referenzbildes,
- e) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes zweites Bild erzeugt wird, in dem das zweite Musterelement relativ zum ersten Musterelement verstärkt ist,
- f) Ermitteln der relativen Verschiebung des zweiten Musterelementes anhand des gewichteten zweiten Bildes und des im Schritt e) nicht gewichteten Meß- bzw. Referenzbildes,
- g) Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung anhand der in den Schritten d) und f) ermittelten relativen Verschiebungen.
- Durch die Wichtung ist es nicht mehr notwendig, im Referenzbild und Meßbild die Musterelemente der beiden Schichten zu separieren. Auch muß aufgrund des erfindungsgemäßen Verfahrens die Absolutposition der Musterelemente nicht mehr bestimmt werden, wodurch sich der durch Rauschen bedingte Meßfehler reduzieren läßt. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich somit sehr schnell die gesuchte relative Overlay-Verschiebung ermitteln.
- Ferner kann die Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte d) und f) mittels Kreuzkorrelation durchgeführt werden. In Verbindung mit der Wichtung in den Schritten c) und e) führte dies zu dem Vorteil einer höheren Genauigkeit, da durch die Wichtung ein Übersprechen zwischen den verschiedenen lokalen Maxima der Kreuzkorrelations-Matrix vermieden wird.
- Insbesondere kann die Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte d) und f) iterativ durchgeführt werden. Dies führt zu einer weiteren Erhöhung der Genauigkeit.
- Besonders vorteilhaft ist es, wenn in den Schritten c) und e) jeweils das Referenzbild gewichtet wird.
- Insbesondere kann das Referenzbild ein Meßbild eines Meßmusters sein. Auch ist es möglich, das Referenzbild aus den Design-Daten der übereinander liegenden Schichten zu ermitteln.
- Bei den übereinander liegenden Schichten handelt es sich insbesondere um Schichten einer Lithographiemaske oder eines Halbleiterwafers.
- Es wird ferner bereitgestellt eine Vorrichtung zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten, wobei die Vorrichtung ein Auswertemodul aufweist, das folgende Schritte ausführt:
- A) Bereitstellen eines Referenzbildes mit einem Referenzmuster, das ein erstes und zweites Musterelement aufweist,
- B) Bereitstellen eines Meßbildes eines Meßmusters, das ein erstes Musterelement aus einer ersten der übereinander liegenden Schichten und ein zweites Musterelement aus einer zweiten der übereinander liegenden Schichten aufweist,
- C) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes erstes Bild erzeugt wird, in dem das erste Musterelement relativ zum zweiten Musterelement verstärkt ist,
- D) Ermitteln der relativen Verschiebung des ersten Musterelements anhand des gewichteten ersten Bildes und des im Schritt C) nicht gewichteten Meß- bzw. Referenzbildes,
- E) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes zweites Bild erzeugt wird, in dem das zweite Musterelement relativ zum ersten Musterelement verstärkt ist,
- F) Ermitteln der relativen Verschiebung des zweiten Musterelementes anhand des gewichteten zweiten Bildes und des im Schritt E) nicht gewichteten Meß- bzw. Referenzbildes,
- G) Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung anhand der in den Schritten D) und F) ermittelten relativen Verschiebungen.
- Mit dieser Vorrichtung ist ein schnelles und genaues Ermitteln der relativen Overlay-Verschiebung möglich.
- Das Auswertemodul kann bei der Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte D) und F) mittels Kreuzkorrelation durchführen. Damit läßt sich eine äußerst exakte Bestimmung der relativen Overlay-Verschiebung durchführen.
- Eine weitere Steigerung der Genauigkeit ist dadurch möglich, daß das Auswertemodul die Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte D) und F) iterativ durchführt.
- Ferner kann das Auswertemodul in den Schritten C) und E) jeweils das Referenzbild Wichten.
- Insbesondere ist es möglich, daß das Auswertemodul im Schritt A) ein Meßbild eines Meßmusters als Referenzbild bereitstellt. Es ist jedoch auch möglich, daß das Referenzbild aus Design-Daten der übereinander liegenden Schichten abgeleitet ist. Bei den übereinander liegenden Schichten handelt es sich insbesondere um Schichten einer Lithographiemaske für die Halbleiterherstellung oder eines Halbleiterwafers.
- Es versteht sich, daß die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in den angegebenen Kombinationen, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung einsetzbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
- Nachfolgend wird die Erfindung beispielsweise anhand der beigefügten Zeichnungen, die auch erfindungswesentliche Merkmale offenbaren, noch näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Ansicht einer Meßvorrichtung1 mit einer Ausführungsform der Auswertevorrichtung9 ; -
2 eine Draufsicht auf die Lithographiemaske2 von1 ; -
3 eine vergrößerte Ansicht eines Meßmusters6 der Lithographiemaske2 ; -
4 eine vergrößerte Aufnahme eines ersten Meßmusters6A ; -
5 eine vergrößerte Aufnahme eines zweiten Meßmusters6B ; -
6 eine Darstellung zur Erläuterung der relativen Overlay-Verschiebung δr →B,A; -
7 eine Darstellung des Referenzbildes RB; -
8 eine Darstellung der ersten Wichtung W1; -
9 eine Darstellung des gewichteten ersten Referenzbildes RB1; -
10 eine Darstellung zur Erläuterung der durchzuführenden Kreuzkorrelation zur Bestimmung der relativen Verschiebung der Rahmen7 ; -
11 eine Ansicht des Referenzbildes RB; -
12 eine Darstellung der zweiten Wichtung W2; -
13 eine Darstellung des gewichteten zweiten Referenzbildes RB2; -
14 eine Darstellung zur Erläuterung der durchzuführenden Kreuzkorrelation zur Ermittlung der Verschiebung der Quadrate8 ; -
15 eine Darstellung zur Ermittlung der relativen Overlay-Verschiebung δr →B,A; -
16 ein Ablaufdiagramm zur Erläuterung der iterativen Ermittlung der Verschiebung δr →1 der Rahmen7 ; -
17 ein Ablaufdiagramm zur Erläuterung der iterativen Ermittlung der Verschiebung δr →2 der inneren Quadrate8 , und -
18 eine weitere Ausführungsform eines Meßmusters6 für drei übereinander liegende Schichten. - In
1 ist schematisch eine Meßvorrichtung1 zur Vermessung einer Lithographiemaske2 gezeigt. Die Meßvorrichtung1 umfaßt eine Aufnahmeeinrichtung3 , mit der Abschnitte der Lithographiemaske2 vergrößert aufgenommen werden können, eine Positioniereinrichtung4 , die die Position bzw. Lage der Lithographiemaske2 relativ zur Aufnahmeeinrichtung3 gesteuert einstellen kann, sowie eine Steuereinrichtung5 zur Steuerung der Meßvorrichtung1 . - In
2 ist schematisch die Lithographiemaske in Draufsicht gezeigt. Die Lithographiemaske2 enthält eine Mehrzahl von Meßmustern6 , die nicht maßstabsgerecht sondern deutlich vergrößert in2 dargestellt sind. Zwischen den Meßmustern6 sind weitere für die Belichtung relevante Maskenstrukturen, die hier zur Vereinfachung der Darstellung nicht eingezeichnet sind. - In
3 ist eines der Meßmuster6 nochmals vergrößert dargestellt. Wie insbesondere3 zu entnehmen ist, umfaßt das Meßmuster6 einen Rahmen7 (erstes Musterelement), der in einer ersten Schicht der mehrschichtigen Lithographiemaske2 ausgebildet ist. Ferner enthält das Meßmuster6 ein inneres Quadrat8 (zweites Musterelement), das in einer über der ersten Schicht liegenden zweiten Schicht ausgebildet ist. Mit diesen Meßmustern ist es, wie nachfolgend noch detailliert beschrieben wird, möglich, die Verschiebung der beiden Schichten zueinander (auch Overlay-Verschiebung genannt) zu bestimmen. - Zur Bestimmung der Overlay-Verschiebung werden die Meßmuster
6 nacheinander mittels der Aufnahmeeinrichtung3 aufgenommen, wobei für jede Aufnahme die Positioniereinrichtung4 die Lithographiemaske2 hochgenau relativ zur Aufnahmeeinrichtung3 , die beispielsweise einen CCD-Detektor (nicht gezeigt) zur Bilderfassung aufweisen kann, verfährt und positioniert. Die Bilddaten der einzelnen Aufnahmen werden der Steuereinrichtung5 zugeführt, die diese Daten an eine erfindungsgemäße Auswertevorrichtung9 weitergibt. - In
4 ist vergrößert die Aufnahme F1 eines ersten Meßmusters6A und in5 ist vergrößert die Aufnahme F2 eines zweiten Meßmusters6IB gezeigt. Um die Meßmuster6A und6B besser unterscheiden zu können, ist das Meßmuster6B gestrichelt dargestellt. Ferner ist bezogen auf die jeweiligen Mittelpunkte10 ,11 des Rahmens7 und des Quadrates8 der Versatz der Mittelpunkte10 und11 als Verschiebevektor Δr →A (4 ) und Δr →B (5 ) gezeigt. - Die Mittelpunkte
10 und11 des Rahmens7 und des Quadrates8 sind in den4 und5 sowie in allen nachfolgenden Figuren lediglich zur Erläuterung der vorliegenden Verschiebung eingezeichnet und nicht Bestandteil der tatsächlichen Meßmuster6 . Ferner wird zur Vereinfachung der Beschreibung angenommen, daß lediglich Verschiebungen in x- und y-Richtung, jedoch keine Drehungen der Meßmuster auftreten. - Wie in den
4 und5 angedeutet ist, ist es äußerst schwierig, die Lithographiemaske2 so zu positionieren, daß die Mitte des Aufnahmefeldes FA, FB (durch den Schnittpunkt der beiden Achsen x, y angedeutet) mit dem Mittelpunkt10 des Rahmens7 zusammenfällt. Dieser unerwünschte Versatz ist hier jedoch grundsätzlich nicht von Interesse. Es soll vielmehr die Änderung der Overlay-Verschiebung ermittelt werden, also wie sich die Position des inneren Quadrates8 relativ zum Rahmen7 ändert. Diese Änderung entspricht somit der Differenz Δr →B – Δr →A und wird nachfolgend als relative Overlay-Verschiebung δr →B,A bezeichnet (was der relativen Verschiebung der beiden Schichten der Lithographiemaske2 entspricht). Die relative Overlay-Verschiebung δr →B,A ist in6 vergrößert dargestellt. Um diese relative Overlay-Verschiebung δr →B,A zu ermitteln, führt die Auswertevorrichtung9 das nachfolgend beschriebene Auswerteverfahren durch. - Zunächst wird eine der beiden Aufnahmen von
4 und5 als Referenzbild RB festgelegt. Da die absoluten Abweichungen in der Aufnahme von4 geringer sind als in5 wird die Aufnahme von4 als Referenzbild RB ausgewählt (7 ). Dieses Auswählen kann beispielsweise mit bekannten Mustererkennungsverfahren durch die Auswertevorrichtung automatisch durchgeführt werden. - Das Referenzbild RB wird mit der schematisch in
8 dargestellten Wichtung W1 gewichtet, wobei die Wichtung W1 rechnerisch auf das Referenzbild RB gelegt wird. Die Wichtung W1 ist dabei so vorgegeben, daß Bereiche des Referenzbildes RB, die mit den schraffierten Bereichen12 und13 zusammenfallen, im Referenzbild RB unterdrückt werden, und Bereiche, die mit dem zwischen den schraffierten Bereichen12 und13 liegenden Rahmenbereich14 zusammenfallen, nicht verändert werden. Damit wird ein gewichtetes erstes Referenzbild RB1 erzeugt (9 ), in dem im wesentlichen nur noch der Rahmen7A vorhanden ist (Elemente des gewichteten ersten Referenzbildes RB1 sind mit dem Index1 bezeichnet). Dadurch wurde der Rahmen7 gegenüber dem inneren Quadrat8 verstärkt. In diesem Fall wurden in dem gewichteten ersten Referenzbild RB1 die mit den schraffierten Bereichen12 und13 der Wichtung W1 zusammenfallende Bereiche auf einen passenden Farbwert oder passende Farbwerte gesetzt, so daß im gewichteten ersten Referenzbild RB1 das innere Quadrat8 nicht mehr vorhanden ist und gleichzeitig möglichst keine zusätzlichen Unstetigkeiten im Farbverlauf eingeführt werden. Bei dem Farbverlauf kann es sich insbesondere um einen Grauwerteverlauf handeln. - Wie in
10 angedeutet ist, wird eine Kreuzkorrelation zwischen dem gewichteten ersten Referenzbild RB1 und dem Meßbild von5 durchgeführt, um die Verschiebung des Mittelpunktes10A des Rahmens7A des ersten gewichteten Referenzbildes RB1 zum Mittelpunkt10 des Rahmens7 des Meßbildes6B zu ermitteln. Diese Verschiebung ist in10 als Pfeil δr →1 eingezeichnet. - In einem nächsten Schritt wird das Referenzbild RB (
11 ) mit der Wichtung W2 (12 ) gewichtet, wobei die Wichtung W2 rechnerisch auf das Referenzbild RB gelegt wird. Die Wichtung W2 unterscheidet sich von der Wichtung W1 derart, daß nun das innere Quadrat8 gegenüber dem Rahmen7 hervorgehoben wird. Dazu ist der schraffierte Bereich15 so gewählt, daß entsprechende Bereiche des Referenzbildes RB auf einen passenden Farbwert oder passende Farbwerte gesetzt werden und wiederum möglichst keine zusätzlichen Unstetigkeiten im Farbverlauf (z. B. Grauwerteverlauf) eingeführt werden. Der vom schraffierten Bereich15 umgebene quadratische Innenbereich16 ist so gewählt, daß Bilddaten des Referenzbildes RB, die mit diesem Bereich16 zusammenfallen, im Referenzbild RB nicht verändert werden. Somit wird ein gewichtetes zweites Referenzbild RB2 (13 ) erzeugt (Elemente des gewichteten zweiten Referenzbildes RB2 sind mit dem Index2 bezeichnet). - Mittels einer Kreuzkorrelation zwischen dem gewichteten zweiten Referenzbild RB2 und dem Meßbild
6B wird die Verschiebung des Mittelpunktes11A des inneren Quadrates8A des gewichteten zweiten Referenzbildes RB2 zum inneren Quadrat8 des Meßbildes6B ermittelt. Diese Verschiebung ist in14 als Pfeil δr →2 eingezeichnet. - Die Differenz dieser ermittelten relativen Verschiebungen δr →2 – δr →1 ist, wie in
15 vergrößert angedeutet ist, gleich der gesuchten relativen Overlay-Verschiebung δr →B,A. - Somit kann aus zwei Bildern ohne eine Absolutmessung die gewünschte relative Overlay-Verschiebung δr →B,A ermittelt werden.
- Die beschriebenen Schritte zur Ermittlung der relativen Verschiebungen δr →1 und δr →2 können in umgekehrter Reihenfolge (zuerst wird δr →2 und danach wird δr →1 bestimmt) oder auch gleichzeitig durchgeführt werden.
- Bei dem Referenzbild RB muß es sich nicht um ein Meßbild handeln. Es ist auch möglich, daß das Referenzbild aus den Design-Daten für die zu untersuchende Lithographiemaske
2 generiert wird. - Ferner ist es möglich, das Referenzbild RB beispielsweise durch Mittelung einer Vielzahl von aufgenommenen Meßbilder zu erzeugen.
- Zur Erhöhung der Genauigkeit kann das beschriebene Verfahren auch iterativ durchgeführt werden, was nachfolgend in Verbindung mit
16 und17 beschrieben wird. - Zunächst wird im Schnitt S11 (
16 ) die durchzuführende Verschiebung δx1 und δy1 in x- und y-Richtung des gewichteten ersten Referenzbildes RB1 auf Null gesetzt werden. - Danach wird im Schnitt S12 (in gleicher Weise, wie in Verbindung mit
7 bis9 beschrieben wurde) das gewichtete erste Referenzbild RB1 erzeugt. - Im folgenden Schritt S13 wird das gewichtete erste Referenzbild RB1 in x-Richtung um δx1 und in y-Richtung um δy1 intrinisch verschoben. Unter einer intrinischen Verbindung wird hier verstanden, daß die Bildinformationen, die bei der Verschiebung über den Bildrand hinaus geschoben werden, auf der gegenüberliegenden Bildrandseite wiederum ins Bild hinein geschoben werden. Wenn z. B. ein Bildabschnitt über den rechten Bildrand hinaus geschoben wird, wird der Bildabschnitt vom linken Bildrand wieder ins Bild hinein geschoben.
- Darauf folgt eine Kreuzkorrelation zwischen dem verschobenen, gewichteten ersten Referenzbild RB1 und dem Meßbild
6B (Schritt S14). Die Werte für δx und δy, bei der die Kreuzkorrelation maximal wird (= beste Übereinstimmung), werden ermittelt und im Schritt S15 zu den vorliegenden δx1 und δy1 addiert. Ferner wird noch die Verschiebelänge δr berechnet. - Im Schritt S16 wird überprüft, ob die Verschiebelänge δr kleiner ist als ein vorbestimmter Grenzwert ε. Wenn dies nicht der Fall ist, wird das Verfahren mit Schritt S13 fortgeführt. Wenn jedoch die Verschiebelänge δr kleiner als der Grenzwert ist, wird das Verfahren mit Schritt S17 fortgesetzt, in dem der Verschiebevektor δr →1 berechnet wird.
- Auch die Bestimmung des Verschiebevektors δr →2 kann in gleicher Weise iterativ ermittelt werden. In
17 sind die entsprechenden Schritte S21–S27 dargestellt. Der Grenzwert ε im Schritt S26 kann gleich oder auch verschieden zum Grenzwert ε im Schritt S16 sein. - Aus den so iterativ ermittelten relativen Verschiebungen δr →1 und δr →2 kann dann die gesuchte relative Overlay-Verschiebung δr →B,A abgeleitet werden. Durch das iterative Verfahren läßt sich die relative Overlay-Verschiebung mit höherer Genauigkeit bestimmten.
- Ferner ist das Verfahren auf Meßmuster anwendbar, die Strukturen aus mehr als zwei Schichten aufweisen. In
18 ist ein Beispiel für drei Schichten angegeben. Dieses Meßmuster6 enthält einen äußeren Rahmen20 aus einer ersten Schicht, einen inneren Rahmen21 aus einer zweiten Schicht, die auf der ersten Schicht liegt, und ein inneres Quadrat22 aus einer dritten Schicht, die auf der zweiten Schicht liegt. Die Wichtung des Referenzbildes wird dann so durchgeführt, daß nur ein Element (äußerer Rahmen20 , innerer Rahmen21 oder inneres Quadrat22 ) hervorgehoben und die restlichen Elemente unterdrückt werden. Mittels einer Kreuzkorrelation kann dann die entsprechende Relativverschiebung der Elemente ermittelt und aus den Relativverschiebungen können dann die relativen Overlay-Verschiebungen der einzelnen Schichten ermittelt werden. - Natürlich müssen die Musterelemente der Meßmuster
6 nicht als Rahmen und Quadrat ausgebildet sein. Es können auch jegliche andere geometrische Formen verwendet werden, anhand derer die Relativverschiebungen zur Bestimmung der relativen Overlay-Verschiebung ermittelt werden können. Insbesondere können die Musterelemente als n-seitiges Polygon (z. B. ein regelmäßiger Polygon) ausgebildet sein. - Ferner kann beim erfindungsgemäßen Verfahren auch eine relative Verdrehung der Musterelemente und somit der Schichten bestimmt werden.
- Das Meßmuster kann zur Bestimmung der relativen Overlay-Verschiebung bei der Lithographiemaske extra vorgesehen sein und bei der Belichtung des Wafers nicht zur Erzeugung einer Struktur auf dem Wafer dienen. Es ist jedoch auch möglich, Maskenstrukturen der Lithographiemaske, die zur Erzeugung von Strukturen auf dem Wafer dienen, auch gleich als Meßmuster zu nutzen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - US 2005/0037270 A1 [0002]
Claims (10)
- Verfahren zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Referenzbildes mit einem Referenzmuster, das ein erstes und ein zweites Musterelement aufweist, b) Bereitstellen eines Meßbildes eines Meßmusters, das ein erstes Musterelement aus einer ersten Schicht der Schichten und ein zweites Musterelement aus einer zweiten Schicht der Schichten aufweist, c) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes erstes Bild erzeugt wird, in dem das erste Musterelement relativ zum zweiten Musterelement verstärkt ist, d) Ermitteln der relativen Verschiebung des ersten Musterelements anhand des gewichteten ersten Bildes und des im Schritt c) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes, e) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes zweites Bild erzeugt wird, in dem das zweite Musterelement relativ zum ersten Musterelement verstärkt ist, f) Ermitteln der relativen Verschiebung des zweiten Musterelementes anhand des gewichteten zweiten Bildes und des im Schritt e) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes, g) Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung anhand der in den Schritten d) und f) ermittelten relativen Verschiebungen.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte d) und f) mittels einer Kreuzkorrelation durchgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte d) und f) iterativ durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1–3, bei dem in den Schritten c) und e) jeweils das Referenzbild gewichtet wird.
- Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem im Schritt a) als Referenzbild ein Meßbild eines Meßmusters bereitgestellt wird.
- Vorrichtung zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten, wobei die Vorrichtung ein Auswertemodul (
9 ) aufweist, das folgende Schritte ausführt: A) Bereitstellen eines Referenzbildes mit einem Referenzmuster, das ein erstes und zweites Musterelement aufweist, B) Bereitstellen eines Meßbildes eines Meßmusters, das ein erstes Musterelement aus einer ersten Schicht der Schichten und ein zweites Musterelement aus einer zweiten Schicht der Schichten aufweist, C) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes erstes Bild erzeugt wird, in dem das erste Musterelement relativ zum zweiten Musterelement verstärkt ist, D) Ermitteln der relativen Verschiebung des ersten Musterelements anhand des gewichteten ersten Bildes und des im Schritt C) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes, E) Wichten des Referenz- oder Meßbildes derart, daß ein gewichtetes zweites Bild erzeugt wird, in dem das zweite Musterelement relativ zum ersten Musterelement verstärkt ist, F) Ermitteln der relativen Verschiebung des zweiten Musterelementes anhand des gewichteten zweiten Bildes und des im Schritt E) nicht gewichteten Meß- oder Referenzbildes, G) Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung anhand der in den Schritten D) und F) ermittelten relativen Verschiebungen. - Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei das Auswertemodul (
9 ) die Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte D) und F) mittels einer Kreuzkorrelation durchführt. - Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, wobei das Auswertemodul (
9 ) die Ermittlung der relativen Verschiebung in zumindest einem der Schritte D) und F) iterativ durchführt. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6–8, wobei das Auswertemodul (
9 ) in den Schritten C) und E) jeweils das Referenzbild wichtet. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6–9, wobei das Auswertemodul (
9 ) im Schritt A) als Referenzbild ein Meßbild eines Meßmusters bereitstellt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US94020207P | 2007-05-25 | 2007-05-25 | |
US60/940,202 | 2007-05-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007033815A1 true DE102007033815A1 (de) | 2008-11-27 |
Family
ID=39434144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007033815A Ceased DE102007033815A1 (de) | 2007-05-25 | 2007-07-19 | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der relativen Overlay-Verschiebung von übereinander liegenden Schichten |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8260033B2 (de) |
EP (1) | EP2150855B1 (de) |
DE (1) | DE102007033815A1 (de) |
TW (1) | TW200907611A (de) |
WO (1) | WO2008145210A1 (de) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011012265A1 (en) | 2009-07-30 | 2011-02-03 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Determination of the relative position of two structures |
DE102010045135A1 (de) | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Meditec Ag | Verfahren zur Charakterisierung einer Struktur auf einer Maske und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE102010047051A1 (de) | 2010-09-29 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Position einer Struktur innerhalb eines Bildes und Positionsmessvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US20120314910A1 (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for determining the position of a first structure relative to a second structure or a part thereof |
DE102011078999A1 (de) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie |
DE102013101445A1 (de) | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
DE102013106320A1 (de) | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
DE102013107976A1 (de) | 2013-07-25 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie |
DE102015218917A1 (de) | 2015-09-30 | 2017-03-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung einer Position eines Strukturelements auf einer Maske und Positionsmessvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8050490B2 (en) * | 2009-04-30 | 2011-11-01 | Hermes Microvision, Inc. | Method for inspecting overlay shift defect during semiconductor manufacturing and apparatus thereof |
US9390492B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-07-12 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for reference-based overlay measurement |
US10533848B2 (en) | 2018-03-05 | 2020-01-14 | Kla-Tencor Corporation | Metrology and control of overlay and edge placement errors |
WO2023110907A1 (en) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Overlay metrology based on template matching with adaptive weighting |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020199164A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-26 | Madhumita Sengupta | Sub-resolution alignment of images |
US20050037270A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-02-17 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Method for measuring overlay shift |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5434956A (en) * | 1992-11-04 | 1995-07-18 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for printing an image in a specified positional relationship with a preprinted registration mark |
US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
JP2002025882A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | パターンの重ね合わせ誤差測定装置および方法 |
US7111256B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-09-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
-
2007
- 2007-07-19 DE DE102007033815A patent/DE102007033815A1/de not_active Ceased
-
2008
- 2008-03-07 WO PCT/EP2008/001844 patent/WO2008145210A1/en active Application Filing
- 2008-03-07 EP EP08716358.0A patent/EP2150855B1/de not_active Not-in-force
- 2008-03-07 US US12/599,127 patent/US8260033B2/en active Active
- 2008-04-01 TW TW097111825A patent/TW200907611A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020199164A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-26 | Madhumita Sengupta | Sub-resolution alignment of images |
US20050037270A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-02-17 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Method for measuring overlay shift |
DE10337767A1 (de) * | 2003-08-14 | 2005-03-31 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren zur Messung der Overlay-Verschiebung |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011012265A1 (en) | 2009-07-30 | 2011-02-03 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Determination of the relative position of two structures |
DE102009035290A1 (de) | 2009-07-30 | 2011-02-03 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der relativen Lage einer ersten Struktur zu einer zweiten Struktur oder eines Teiles davon |
US8693805B2 (en) | 2009-07-30 | 2014-04-08 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Determination of the relative position of two structures |
DE102009035290B4 (de) | 2009-07-30 | 2021-07-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der relativen Lage einer ersten Struktur zu einer zweiten Struktur oder eines Teiles davon |
DE102010045135A1 (de) | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Meditec Ag | Verfahren zur Charakterisierung einer Struktur auf einer Maske und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US9303975B2 (en) | 2010-09-10 | 2016-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for determining the registration of a structure on a photomask and apparatus to perform the method |
US10113864B2 (en) | 2010-09-10 | 2018-10-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for determining the registration of a structure on a photomask and apparatus to perform the method |
DE102010047051A1 (de) | 2010-09-29 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Position einer Struktur innerhalb eines Bildes und Positionsmessvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US8717581B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-05-06 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for determining the position of a structure within an image and position measuring device for carrying out the method |
DE102011077296A1 (de) | 2011-06-09 | 2012-12-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der relativen Lage einer ersten Struktur zu einer zweiten Struktur oder eines Teiles davon |
DE102011077296B4 (de) * | 2011-06-09 | 2020-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der relativen Lage einer ersten Struktur zu einer zweiten Struktur oder eines Teiles davon |
US20120314910A1 (en) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for determining the position of a first structure relative to a second structure or a part thereof |
US9014505B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-04-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for determining the position of a first structure relative to a second structure or a part thereof |
US8694929B2 (en) | 2011-07-12 | 2014-04-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for the position determination of structures on a mask for microlithography |
DE102011078999A1 (de) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie |
WO2014125000A1 (en) | 2013-02-14 | 2014-08-21 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for ascertaining distortion properties of an optical system in a measurement system for microlithography |
DE102013101445B9 (de) | 2013-02-14 | 2022-01-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
DE102013101445B4 (de) | 2013-02-14 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
US9785058B2 (en) | 2013-02-14 | 2017-10-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for ascertaining distortion properties of an optical system in a measurement system for microlithography |
DE102013101445A1 (de) | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
DE102013106320B4 (de) * | 2013-06-18 | 2021-02-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
DE102013106320B9 (de) * | 2013-06-18 | 2021-07-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
US9366637B2 (en) | 2013-06-18 | 2016-06-14 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method for establishing distortion properties of an optical system in a microlithographic measurement system |
DE102013106320A1 (de) | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Ermittlung von Verzeichnungseigenschaften eines optischen Systems in einer Messvorrichtung für die Mikrolithographie |
DE102013107976A1 (de) | 2013-07-25 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie |
DE102015218917B4 (de) | 2015-09-30 | 2020-06-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung einer Position eines Strukturelements auf einer Maske und Mikroskop zur Durchführung des Verfahrens |
US10089733B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for determining a position of a structure element on a mask and microscope for carrying out the method |
DE102015218917A1 (de) | 2015-09-30 | 2017-03-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Ermittlung einer Position eines Strukturelements auf einer Maske und Positionsmessvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2150855A1 (de) | 2010-02-10 |
US20100208935A1 (en) | 2010-08-19 |
WO2008145210A1 (en) | 2008-12-04 |
TW200907611A (en) | 2009-02-16 |
EP2150855B1 (de) | 2013-05-22 |
US8260033B2 (en) | 2012-09-04 |
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Legal Events
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