DE102007024355A1 - Verfahren zum Herstellen einer Schutzstruktur - Google Patents

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Abstract

In einem Verfahren zur Herstellung einer Schutzstruktur wird ein Halbleitersubstrat mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp bereitgestellt. An einer Oberfläche des Halbleitersubstrats wird eine Halbleiterschicht mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufgebracht. In einem ersten Bereich der Halbleiterschicht wird eine vergrabene Schicht mit Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet, wobei die vergrabene Schicht am Übergang von der Halbleiterschicht zum Halbleitersubstrat erzeugt wird. In dem ersten Bereich der Halbleiterschicht über der vergrabenen Schicht wird ein erstes Dotierstoffgebiet mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. In einem zweiten Bereich der Halbleiterschicht wird ein zweites Dotierstoffgebiet mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich der Halbleiterschicht wird eine elektrische Isolierung ausgebildet. Für das erste Dotierstoffgebiet und das zweite Dotierstoffgebiet wird eine gemeinsame Anschlussvorrichtung ausgebildet.

Description

  • Ausführungsbeispiele der Erfindung beziehen sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Schutzstruktur.
  • Elektrostatische Entladungen (electrostatic discharge, ESD) können Halbleiterbauelemente schwer beschädigen. Daher sind heute in den meisten Halbleiterbauelementen ESD-Schutzkonzepte realisiert. Die in dem Chip integrierten ESD-Schutzkomponenten definieren einen Strompfad, über den der ESD-Strom fließen kann, ohne eine Schädigung zu verursachen.
  • Insbesondere bei Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsleitungen besteht die Anforderung einen ESD-Schutz bis 15 kV zu gewährleisten, ohne dass die Signalform zu stark verzerrt wird. Dafür muss das Schutzelement eine besonders niedrige Kapazität aufweisen.
  • Eine ESD-Schutzstruktur ist z. B. aus der EP0635886B1 bekannt. Nachteilig an dieser Struktur ist die aufwendige und ungenaue Herstellbarkeit auf Grund der hohen Substratdicke für die Diodenanordnung. Die Dotierstoffdiffusion durch die komplette Substratdicke hindurch führt zu Ungenauigkeiten und hohem Platzbedarf wegen der ebenfalls stattfindenden lateralen Ausdiffusion. Die hohe Substratdicke bewirkt einen hohen Widerstand, was sich negativ auf die Leistungsfähigkeit der Schutzstruktur auswirkt.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein kostengünstiges Verfahren zum Herstellen einer Schutzstruktur mit hoher Leistungsfähigkeit anzugeben.
  • Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich im Allgemeinen auf ein Verfahren zum Herstellen einer Schutzstruktur, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp bereitgestellt wird, eine Halbleiterschicht mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird, eine vergrabene Schicht mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem ersten Bereich der Halbleiterschicht ausgebildet wird, wobei die vergrabene Schicht am Übergang von der Halbleiterschicht zum Halbleitersubstrat erzeugt wird, ein erstes Dotierstoffgebiet mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Bereich der Halbleiterschicht über der vergrabenen Schicht ausgebildet wird, ein zweites Dotierstoffgebiet mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem zweiten Bereich der Halbleiterschicht ausgebildet wird, eine elektrische Isolierung zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich der Halbleiterschicht ausgebildet wird und eine gemeinsame Anschlussvorrichtung für das erste Dotierstoffgebiet und das zweite Dotierstoffgebiet ausgebildet wird.
  • Durch das Ausbilden einer angepassten Halbleiterschicht kann die Dicke dieser Halbleiterschicht auf das Notwendigste beschränkt werden. Eine geringe Halbleiterschichtdicke erlaubt aber eine Verringerung der Strukturbreiten und -längen, insbesondere durch kürzere Prozesszeiten wie z. B. Ausdiffusionen, was zu Kostenersparnissen führt.
  • Außerdem wird durch eine geringe Halbleiterschichtdicke der Widerstand eines durch die Schutzstruktur fließenden Stroms gesenkt, was eine geringe Klemmspannung bedeutet und somit die Leistungsfähigkeit der Schutzstruktur verbessert.
  • Im Speziellen beziehen sich Ausführungsformen der Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer Schutzstruktur, bei dem ein Halbleitergrundsubstrat mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp bereitgestellt wird, eine erste Epitaxieschicht auf dem Halbleitergrundsubstrat erzeugt wird, ein Dotierstoff vom zweiten Leitfähigkeitstyp in einem begrenzten Implantationsbereich der ersten Epitaxieschicht implantiert wird, eine zweite Epitaxieschicht mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf der ersten Epitaxieschicht aufgebracht wird, Isolationsgebiete in der zweiten Epitaxieschicht ausgebildet werden, so dass die zweite Epitaxieschicht in einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich unterteilt wird, ein erstes Dotierstoffgebiet mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Bereich über dem Implantationsbereich erzeugt wird, ein zweites Dotierstoffgebiet mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem zweiten Bereich erzeugt wird, der Dotierstoff aus dem Implantationsbereich zur Ausbildung einer vergrabenen Schicht am Übergang zwischen erster Epitaxieschicht und dem ersten Bereich der zweiten Epitaxieschicht ausdiffundiert wird.
  • Durch die erste Epitaxieschicht, insbesondere durch deren Dicke, kann der Übergang zwischen erstem und zweitem Leitfähigkeitstyp in der ersten Epitaxieschicht, speziell im Hinblick auf die Durchbruchspannung des PN-Übergangs, den Bedürfnissen angepasst werden.
  • Die Dicke der zweiten Epitaxieschicht bestimmt wiederum die Kosten und die Leistungsfähigkeit der Schutzstruktur, was durch entsprechende Anpassung der zweiten Epitaxieschicht zu Verbesserungen führen kann.
  • Kurze Beschreibung der Figuren:
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend, Bezug nehmend auf die beiliegenden Figuren, näher erläutert. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die konkret beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in geeigneter Weise modifiziert und abgewandelt werden. Es liegt im Rahmen der Erfindung, einzelne Merkmale und Merkmalskombinationen einer Ausführungsform mit Merkmalen und Merkmalskombinationen einer anderen Ausführungsform geeignet zu kombinieren, um zu weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsformen zu gelangen.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Querschnittsansicht einer Schutzstruktur
  • 2 eine schematische Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform der Schutzstruktur
  • Bevor im Folgenden die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung an Hand der Figuren näher erläutert werden, wird darauf hingewiesen, dass gleiche Element in den Figuren mit gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen sind und dass eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente weggelassen wird.
  • In 1 ist eine erste Ausführungsform einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Schutzstruktur 100 dargestellt. Auf einer Oberfläche eines bereitgestellten Halbleitersubstrats 110, das eine Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, ist eine Halbleiterschicht 120 aufgebracht. Die Halbleiterschicht 120 weist eine Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Die Dotierstoffkonzentration der Halbleiterschicht 120 wird möglichst gering gehalten, um eine möglichst geringe kapazitive Störwirkung der Schutzstruktur zu erreichen. Die Dotierstoffkonzentration der Halbleiterschicht sollte daher nicht über 1·1015 cm–3 liegen. Die Halbleiterschicht 120 wird beispielsweise epitaktisch erzeugt. Insbesondere wird die Halbleiterschicht 120 mit einer Dicke d1 von 2 μm ≤ d1 ≤ 20 μm erzeugt.
  • Das Halbleitersubstrat 110 weist eine Dotierstoffkonzentration von mindestens 1 × 1018 cm–3 auf, während die Halbleiterschicht 120 mit einer niedrigeren Dotierstoffkonzentration wie das Halbleitersubstrat 110 erzeugt wird.
  • In einem ersten Bereich 150 der Halbleiterschicht 120 wird eine vergrabene Schicht 140 mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Die vergrabene Schicht 140 wird am Übergang 170 zwischen der Halbleiterschicht 120 und dem Halbleitersubstrat 110 erzeugt. Dies geschieht beispielsweise durch Implantation eines Dotierstoffs an der Oberfläche des Halbleitersubstrats 110 und einer nachfolgenden Ausdiffusion des Dotierstoffs in die Halbleiterschicht 120 hinein.
  • Alternativ kann der Dotierstoff auch in Form einer abgeschiedenen Schicht auf dem Halbleitersubstrat 120 bereitgestellt werden.
  • Die Dotierstoffbereitstellung für die vergrabene Schicht 140 erfolgt in der Regel bevor die Halbleiterschicht 120 auf dem Halbleitersubstrat 110 erzeugt wird. Dabei wird die vergrabene Schicht 140 mit einer höheren Dotierstoffkonzentration wie die Halbleiterschicht 120 ausgebildet.
  • Das Ausheilen der Dotierstoffe zur Ausbildung der vergrabenen Schicht erfolgt über einen Zeitraum 1 ≤ t ≤ 30 Minuten bei einer Temperatur T von 1000°C ≤ T ≤ 1200°C, insbesondere 5 Minuten bei 1150°C.
  • Als Dotierstoff für die vergrabene Schicht 140 kommen Bor als P-Dotierstoff und As, P als N-Dotierstoff in Frage.
  • Die vergrabene Schicht 140 mit einem Dotierstoff von einem zweiten Leitfähigkeitstyp bildet zusammen mit dem Halbleitersubstrat 110 ein PN-Übergang, d. h. eine Diode, insbesondere eine TVS-(Transient Voltage-Suppressor)Diode aus.
  • Oberhalb der vergrabenen Schicht 140 wird ein erstes Dotierstoffgebiet 180 mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Bereich 150 der Halbleiterschicht 120 ausgebildet. Dazu wird beispielsweise der Dotierstoff in die Halbleiterschicht 120 implantiert und nachfolgend aktiviert und ausdiffundiert. Die Ausdiffusion erfolgt über einen Zeitraum t2 von ungefähr 10 Sekunden bei 950°C, um ein möglichst schmales erstes Diffusionsgebiet 180 zu erhalten.
  • Zwischen dem ersten Dotierstoffgebiet 180 und der vergrabenen Schicht 140 verbleibt ein Teil der Halbleiterschicht 120. Die Schichtfolge aus erstem Dotierstoffgebiet 180 mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp, Halbleiterschicht 120 mit einer sehr niedrigen Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp und vergrabener Schicht 140 mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp bildet eine PIN- oder NIP-Diode aus. Die vergrabene Schicht 140 wird also zu einem als Teil der PIN/NIP-Diode verwendet zum anderen als Teil der TSV-Diode. PIN/NIP-Diode und TSV sind dabei in Reihe geschaltet.
  • In einem zweiten Bereich 160 der Halbleiterschicht 120 wird ein zweites Dotierstoffgebiet 190 mit einer Dotierung vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Die Ausbildung kann ebenfalls durch Implantation eines Dotierstoffs und nachfolgender Aktivierung und Ausdiffusion des Dotierstoffs erfolgen. Die Ausdiffusionszeit wird wiederum so eingestellt, dass ein möglichst schmales zweites Dotierstoffgebiet 190 entsteht. Somit wird Zeit, Platz und dadurch auch Kosten gespart.
  • Das zweite Dotierstoffgebiet 190 wird genauso wie das erste Dotierstoffgebiet 180 an der oberflächennahen Seite der Halbleiterschicht 120 erzeugt. Zwischen zweitem Dotierstoffgebiet 190 und Halbleitersubstrat 110 verbleibt somit auch ein Teil der Halbleiterschicht 120. Dadurch wird durch die Schichtfolge zweites Dotierstoffgebiet 190 mit einer Dotierung vom zweiten Leitfähigkeitstyp, Halbleiterschicht 120 mit einer sehr niedrigen Dotierung eines zweiten Leitfähigkeitstyp und Halbleitersubstrat 110 mit einer Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp eine PIN- oder NIP-Diode ausgebildet.
  • Der erste Bereich 150 und der zweite Bereich 160 sind in der Halbleiterschicht 120 nebeneinander angeordnet. Somit liegt die in Reihe geschaltete Diodenanordnung in dem ersten Bereich 150 parallel zu der PIN/NIP-Diode in dem zweiten Bereich. Die PIN/NIP-Diode in dem ersten Bereich 150 ist in entgegengesetzter Richtung als die NIP/PIN-Diode im zweiten Bereich 160 gepolt.
  • In der Halbleiterschicht 120 werden elektrische Isolationsstrukturen 125 ausgebildet, die den ersten Bereich 150 und den zweiten Bereich 160 lateral begrenzen und voneinander trennen. Die elektrische Isolierung 125 wird dabei so tief ausgebildet, dass sie sich von der Oberfläche der Halbleiterschicht 120 bis mindestens zum Halbleitersubstrat 110 durch die Halbleiterschicht 120 hindurch erstreckt. Je geringer die Schichtdicke d1 der Halbleitschicht 120 gewählt wird, umso schneller und Platz sparender kann die elektrische Isolierung 125 erzeugt werden.
  • Beispielsweise wird die elektrische Isolierung 125 durch Implantation und Ausdiffusion eines Dotierstoffs von einem ersten Leitfähigkeitstyp erzeugt. Da die Ausdiffusion durch die gesamte Halbleiterschicht 120 hindurch erfolgen soll, sind bei einer großen Halbleiterschichtdicke d1 lange Diffusionszeiten notwendig. Dabei wird der Dotierstoff auch lateral ausdiffundieren, was zu einer wesentlichen Verbreiterung der Strukturen führt und somit der Platzbedarf steigt. Lange Herstellzeiten und großer Platzbedarf sind aber entscheidende Faktoren für höhere Kosten. Die Schichtdicke d1 der Halbleiterschicht sollte deshalb so gering wie möglich gehalten werden. Anderseits wird durch eine geringe Schichtdicke die parasitäre Kapazität der PIN/NIP-Dioden erhöht, was zu höheren Störeinflüssen wie z. B. Verzerrungen von Signalen in der Anwendung der Schutzstruktur führt. Somit muss die Dicke d1 der Halbleiterschicht so gewählt werden, dass ein Kompromiss zwischen Kapazität und Herstellkosten erreicht wird. Derzeit liegt dieser Kompromiss bei einer Schichtdicke d1 ≊ 8 μm. Für die Ausdiffusion des Dotierstoffs durch die Halbleiterschicht 120 hindurch sind dafür Diffusionszeiten von 60 Minuten bei einer Diffusionstemperatur von 1150°C erforderlich.
  • Alternativ kann die elektrische Isolation 125 auch durch Erzeugen eines Grabens durch die Halbleiterschicht 120 hindurch erzeugt werden. Dieser Graben kann insbesondere auch noch mit elektrisch isolierendem Material zumindest teilweise verfüllt werden. Auch hier wird die Dimension des Grabens von der Schichtdicke d1 der Halbleiterschicht 120 beeinflusst. Um einen tiefen Graben zu erzeugen, muss die Breite des Grabens erhöht werden. Somit wirkt sich eine dicke Halbleiterschicht auch auf die Breite des Grabens aus, was zu einem höheren Platzbedarf für die Isolierung führt und somit ebenfalls die Kosten erhöht.
  • Für das erste Dotierstoffgebiet 180 und das zweite Dotierstoffgebiet 190 wird eine gemeinsame Anschlussvorrichtung 135 ausgebildet. Dies erfolgt beispielsweise durch Erzeugung einer Isolationsschicht 145, wie zum Beispiel einer Oxidschicht, auf der Halbleiterschicht 120. In dieser Isolationsschicht 145 werden Öffnungen über dem ersten Dotierstoffgebiet 180 und über dem zweiten Dotierstoffgebiet 190 ausgebildet. Auf der Isolationsschicht 145 und in den Öffnungen wird dann die elektrisch leitfähige Anschlussstruktur 135, wie zum Beispiel eine Metallschicht oder eine Polysiliziumschicht, erzeugt. Die Anschlussvorrichtung 145 kontaktiert somit das erste Dotierstoffgebiet 180 und das zweite Dotierstoffgebiet 190.
  • In 1 ist ein Schaltkreis skizziert, um die Funktionsweise der Schutzstruktur zu verdeutlichen. Liegt an dem Eingangsknoten I/O zum Beispiel eine negative Spannung an, so wird der Strom über die PIN-Diode des zweiten Bereichs 160 zur Masse GND abfließen. Liegt an dem I/O dagegen eine positive Spannung an, so ist die PIN-Diode des zweiten Bereichs 160 in Sperrrichtung gepolt und der Strom wird durch die in Vorwärtsrichtung gepolte PIN-Diode im ersten Bereich 150 geleitet. Ein Strom wird aber nur dann fließen, wenn die Spannung der zunächst gesperrten TVS-Diode über die Schwellenspannung kommt. Sobald diese Spannung überschritten wird, beginnt die TVS-Diode zu leiten und der Strom kann über den ersten Bereich 180 zum Masseanschluss GND an der Rückseite des Halbleitersubstrats 110 abfließen. Somit ist die Schaltung in der die Schutzstruktur 100 integriert ist, vor Überspannungen, die größer als die Schwellenspannung der TVS-Diode sind geschützt.
  • 2 zeigt eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Schutzstruktur.
  • Die Schutzstruktur 200 weist Weiterbildungen der Schutzstruktur 100 aus 1 auf. So ist zum Beispiel das Halbleitersubstrat 110 aus einem Halbleitergrundsubstrat 210 und einer darauf erzeugten intrinsischen Schicht 220 zusammengesetzt.
  • Die intrinsische Schicht 220 wird beispielsweise epitaktisch erzeugt und weist keine oder nur eine sehr geringe Dotierung eines beliebigen Leitungstyps auf.
  • Das Halbleitergrundsubstrat 210 weist dagegen eine sehr hohe Dotierung mit einem Dotierstoff von einem ersten Leitfähigkeitstyp auf. Nachfolgende Temperaturschritte lassen die Dotierung aus dem Halbleitergrundsubstrat 210 in die intrinsische Schicht 220 ausdiffundieren.
  • Die intrinsische Schicht 220 wirkt dabei als Pufferschicht für die Ausdiffusion aus dem Halbleitergrundsubstrat 210. Je dicker die intrinsische Schicht 220, desto weiter diffundiert der Datierstoff aus dem Halbleitergrundsubstrat 210 zum pn-Übergang aus. Dadurch findet der Übergang bei niedrigeren, flacheren Datierprofilen statt, was zu einer Erhöhung der Durchbruchsspannung führt. Durch die Dicke der intrinsischen Schicht 220 kann somit die Durchbruchspannung der TVS-Diode eingestellt werden.
  • Außerdem wird in der Schutzstruktur 200 als Weiterbildung der Schutzstruktur 100 die elektrische Isolierung in einem zweigeteilten Prozess hergestellt. Dabei wird zunächst ein Dotierstoff in das Halbleitersubstrat 110 implantiert. Nach Erzeugen der Halbleiterschicht 120 wird nochmals Dotierstoff, aber nun in die Halbleiterschicht 120, implantiert. Nachfolgend wird der Dotierstoff ausdiffundiert, was zur Ausbildung von zwei übereinander liegenden Dotierstoffbereichen 125' und 125'' führt, die gemeinsam die elektrische Isolierung 125 erzeugen. Dadurch können beispielsweise tiefere elektrische Isolierung 125 bis in das Halbleitersubstrat 110 erzeugt werden.
  • Eine weitere Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, dass mindestens ein Verbindungsgebiet 230 zwischen der Anschlussvorrichtung 135 und der vergrabenen Schicht 140 ausgebildet wird. Somit kann die vergrabene Schicht zum Beispiel mit einer Vorspannung belegt werden. Das Verbindungsgebiet 230 wird dazu beispielsweise mit einem Dotierstoff von einem zweiten Leitfähigkeitstyp und mit einer Dotierstoffkonzentration kv > 1 × 1017 cm–3 ausgebildet. Das Verbindungsgebiet kann außerdem in zweigeteilter Form mit zwei übereinander liegenden Gebieten 230' und 230'' ausgebildet werden.
  • Außerdem weist die Schutzstruktur 200 gegenüber der Schutzstruktur 100 die Weiterbildung auf, dass an der Rückseite des Halbleitersubstrats 110 eine metallische Schicht 240 erzeugt wird, die als Substratanschluß verwendet werden kann.
  • Der Substratanschluß kann aber auch über die elektrische Isolation 125 (p-Sinker) an die Oberfläche geführt werden, wodurch zum Beispiel auch ein WLP-Package möglich wird.
  • All die Weiterbildungen in der Schutzstruktur 200 können einzeln oder in Kombination gemacht werden, was jeweils zu weiteren Ausführungsformen der Erfindung führt.
  • 2 zeigt, wie bereits zu 1 erläutert, noch einmal die Schaltskizze mit den die Schutzstruktur ausbildenden Dioden.
    • 100
    Schutzstruktur
    110
    Halbleitersubstrat
    120
    Halbleiterschicht
    125
    elektrische Isolierung
    135
    Anschlussvorrichtung
    140
    Vergrabene Schicht
    145
    Isolationsschicht
    150
    erster Bereich
    160
    zweiter Bereich
    170
    Übergang Halbleiterschicht-Halbleitersubstrat
    180
    erstes Dotierstoffgebiet
    190
    zweites Dotierstoffgebiet
    200
    Schutzstruktur
    210
    Halbleitergrundsubstrat
    220
    intrinsischen Schicht
    230
    Verbindungsgebiet
    240
    Metallschicht
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 0635886 B1 [0004]

Claims (18)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Schutzstruktur (100, 200), wobei das Verfahren folgende Merkmale aufweist: – Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (110) mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp, – Aufbringen einer Halbleiterschicht (120) mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (110), – Ausbilden einer vergrabenen Schicht (140) mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem ersten Bereich (150) der Halbleiterschicht (120), wobei die vergrabene Schicht (140) am Übergang (170) von der Halbleiterschicht (120) zum Halbleitersubstrat (110) erzeugt wird, – Ausbilden eines ersten Dotierstoffgebiets (180) mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Bereich (150) der Halbleiterschicht (120) über der vergrabenen Schicht (140), – Ausbilden eines zweiten Dotierstoffgebiets (190) mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in einem zweiten Bereich (160) der Halbleiterschicht (120), – Ausbilden einer elektrischen Isolierung (125) zwischen dem ersten Bereich (150) und dem zweiten Bereich (160) der Halbleiterschicht (180) und – Ausbilden einer gemeinsamen Anschlussvorrichtung (135) für das erste Dotierstoffgebiet (180) und das zweite Dotierstoffgebiet (190).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Halbleiterschicht (120) epitaktisch erzeugt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Halbleiterschicht (120) mit einer Dicke d1 2 μm ≤ d1 ≤ 20 μm erzeugt wird.
  4. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem die Halbleiterschicht (120) mit einer Dotierstoffkonzentration k ≤ 1 × 1015 cm–3 erzeugt wird.
  5. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem die Halbleiterschicht (120) mit einer niedrigeren Dotierstoffkonzentration wie das Halbleitersubstrat (110) erzeugt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem das Halbleitersubstrat (110) mit einer intrinsischen Schicht (220) an der Oberfläche bereitgestellt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die intrinsische Schicht (220) eine Dicke d2 mit 0 ≤ d2 ≤ 8 μm aufweist.
  8. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem die vergrabene Schicht (140) mit einer höheren Dotierstoffkonzentration ausgebildet wird wie die Halbleiterschicht (120).
  9. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem die vergrabene Schicht (140) durch Ausdiffusion eines hochdotierten Dotierstoffgebiets erzeugt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das hochdotierte Dotierstoffgebiet an der Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) implantiert wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das hochdotierte Dotierstoffgebiet auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats (110) abgeschieden wird.
  12. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem die elektrische Isolierung (125) von der Oberfläche der Halbleiterschicht (120) bis mindestens zum Halbleitersubstrat (110) ausgebildet wird.
  13. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem die elektrische Isolierung (125) durch Ausdiffusion eines Dotierstoffs vom ersten Leitfähigkeitstyp erzeugt wird.
  14. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche 1 bis 12, bei dem die elektrische Isolierung (125) durch Ausbilden eines Grabens erzeugt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der Graben zumindest teilweise mit einem elektrisch isolierten Material verfüllt wird.
  16. Verfahren nach einem der vorher genannten Ansprüche, bei dem mindestens ein Verbindungsgebiet (230) zwischen der Anschlussvorrichtung (135) und der vergrabenen Schicht (140) ausgebildet wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, bei dem das Verbindungsgebiet (230) mit einem Dotierstoff von einem zweiten Leitfähigkeitstyp und mit einer Dotierstoffkonzentration kv > 1 × 1017 cm–3 ausgebildet wird.
  18. Verfahren zum Herstellen einer Schutzstruktur (100, 200), wobei das Verfahren folgende Merkmale aufweist: – Bereitstellen eines Halbleitergrundsubstrats (210) mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp, – Erzeugen einer ersten Epitaxieschicht (220) auf dem Halbleitergrundsubstrat (210), – Implantation eines Dotierstoffs vom zweiten Leitfähigkeitstyp in einem begrenzten Implantationsbereich der ersten Epitaxieschicht (220), – Aufbringen einer zweiten Epitaxieschicht (120) mit Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf der ersten Epitaxieschicht (220), – Ausbilden von Isolationsgebieten (125) in der zweiten Epitaxieschicht (120), so dass die zweite Epitaxieschicht (120) in einen ersten Bereich (150) und in einen zweiten Bereich (160) unterteilt wird, – Erzeugen eines ersten Dotierstoffgebiets (180) mit einer Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp in dem ersten Bereich (150) über dem Implantationsbereich, – Erzeugen eines zweiten Dotierstoffgebiets (190) mit einer Dotierung von einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem zweiten Bereich (160), – Ausdiffusion des Dotierstoffs aus dem Implantationsbereich zur Ausbildung einer vergrabenen Schicht (140) am Übergang (170) zwischen erster Epitaxieschicht (220) und dem ersten Bereich (150) der zweiten Epitaxieschicht (120).
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