DE102006028991A1 - Optische Halbleitervorrichtung mit einer verbesserten Stromblockadeschicht und Herstellungsverfahren derselben - Google Patents

Optische Halbleitervorrichtung mit einer verbesserten Stromblockadeschicht und Herstellungsverfahren derselben Download PDF

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Abstract

Eine optische Halbleitervorrichtung weist eine Aktivschicht, eine auf beiden Seiten der Aktivschicht vorgesehene Stromblockadeschicht (29) und eine sowohl auf der Aktivschicht als auch der Stromblockadeschicht vorgesehene Mantelschicht (3, 7) auf. Die Stromblockadeschicht beinhaltet eine vergrabene Schicht (20, 26), zumindest eine Zwischenschicht (21, 22, 24) aus Al(Ga)InAs und eine Deck-Blockadeschicht (28, 25). Die Deck-Blockadeschicht ist zwischen der Mantelschicht (3) und den Al(Ga)InAs-Schichten vorgesehen und weist eine höhere Oxidationsbeständigkeit auf als die Al(Ga)InAs-Schicht. Die Stromblockadeschicht (29) wird so aufgewachsen, dass jede Al(Ga)InAs-Schicht nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht (29) freiliegen kann.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine optische Halbleitervorrichtung der vergrabenen Bauart, die eine verbesserte Stromblockadeschicht aufweist und sich als ein Halbleiterlaser für beispielsweise optische Kommunikation eignet, sowie auf ein Herstellungsverfahren derselben.
  • Ein Halbleiterlaser einer vergrabenen Bauform wird üblicherweise als eine Bauform einer optischen Halbleitervorrichtung verwendet. Bei solch einem Halbleiterlaser ist eine aktive Schicht für die Rekombination und Lichtemission mit einem Halbleitermaterial bedeckt, das eine größere Energielücke und einen niedrigeren Brechungsindex als die aktive Schicht aufweist. Die aktive Schicht weist zumindest ein InAlGaAs-Halbleitermaterial auf und auf beiden Seiten der aktiven Schicht ist eine InAlGaAs-Schicht ausgebildet zum Verbessern der Betriebseigenschaften bei hoher Temperatur (siehe z.B. die japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 9-129969, S. 1, und 1).
  • Wie oben beschrieben, ist bei einer bekannten optischen Halbleitervorrichtung eine Barrierenschicht oder Stromblockadeschicht auf beiden Seiten der aktiven Schicht mittels Verwendung einer InAlGaAs-Schicht ausgebildet zum Verbessern der Temperatureigenschaften. Bei diesem Aufbau liegt jedoch ein Spitzenabschnitt der InAlGaAs-Schicht frei und wird während des Herstellungsvorgangs oxidiert. Als ein Ergebnis kann die auf der InAlGaAs-Schicht ausgebildete Mantelschicht eine gewellte Oberfläche oder Defekte aufweisen, was zu verschlechterten Lasereigenschaften und verringerter Ausbeute führt.
    •
  • Die vorliegende Erfindung wurde zum Lösen der vorstehenden Probleme bei dem bekannten Verfahren ersonnen. Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische Halbleitervorrichtung bereitzustellen, bei der die Oxidation der InAlGaAs-Schicht als einer Stromblockadeschicht verhindert wird zum Erzielen guter Temperatureigenschaften und einer erhöhten Ausbeute. Die vorliegende Erfindung stellt ebenfalls ein Verfahren zum Herstellen der optischen Halbleitervorrichtung, die solch einen Aufbau aufweist, bereit.
  • Gemäß eines Aspekts der vorliegenden Erfindung weist eine optische Halbleitervorrichtung ein Substrat, eine auf dem Substrat in einer Rippenstruktur ausgebildete aktive Schicht, eine auf beiden Seiten der aktiven Schicht vorgesehene Stromblockadeschicht und eine auf der Stromblockadeschicht und der aktiven Schicht vorgesehene Mantelschicht auf. Die Stromblockadeschicht beinhaltet eine vergrabene Schicht, zumindest eine Zwischen-Blockadeschicht, die auf der vergrabenen Schicht ausgebildet ist, und eine Deck-Blockadeschicht, die auf der Zwi schen-Blockadeschicht ausgebildet ist und die Zwischen-Blockadeschicht bedeckt. Zumindest eine Zwischen-Blockadeschicht ist eine Al(Ga)InAs-Blockadeschicht. Weiterhin hat die Deck-Blockadeschicht eine größere Oxidationsbeständigkeit als die Al(Ga)InAs-Blockadeschicht.
  • Mit anderen Worten, die Deck-Blockadeschicht ist ausgebildet zum Trennen der Al(la)InAs-Blockadeschicht von der Mantelschicht zum Verhindern des Freiliegens der Al(Ga)InAs-Blockadeschicht.
  • Aufgrund dieses Aufbaus und dieses Herstellungsverfahrens kann die Mantelschicht ohne Defekte ausgebildet werden und ihre Oberfläche kann nicht gewellt sein und resultierend kann der Leckstrom verringert sein. Dadurch ist es möglich, optische Halbleitervorrichtungen mit guten Temperatureigenschaften mit erhöhter Ausbeute herzustellen.
    •
  • Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden anhand der Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlich.
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2(a) bis 2(c), 3(a) und 3(b) und 4(a) und 4(b) sind Querschnittsansichten, die den Herstellungsschritt eines Halbleiterlasers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • 5(a) bis 5(c) sind Querschnittsansichten, die das Kristallwachstum der Stromblockadeschicht auf der Seitenfläche des Rippenabschnitts in dem Halbleiterlaser veranschaulichen.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 11 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß ei ner siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 12 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 13 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen Aufbau eines Halbleiterlasers gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers als einer Bauform einer optischen Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf 1 weist der Halbleiterlaser ein p-Typ-InP-Substrat 1, eine p-Typ-InP-Schicht 2 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3, eine p-Typ-AlInAs-Mantelschicht 10 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm-3, eine p-Typ-AlGaInAs-Lichtbegrenzungsschicht 11 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3, eine pseudomorphe AlGaInAs-Quantentopf-Aktivschicht 12, eine n-Typ- AlGaInAs-Lichtbegrenzungsschicht 13 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 1 × 1018 cm–3, eine n-Typ- AlInAs-Mantelschicht 14 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 1 × 1018 cm–3 und eine n-Typ-InP-Schicht 15 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 1 × 1018 cm–3 auf. Dadurch ist an einem zentralen Abschnitt der Vorrichtung eine Aktivschicht in einem vertikalen Rippenaufbau auf dem Substrat 1 ausgebildet.
  • Der Halbleiterlaser weist weiterhin eine Stromblockadeschicht 29 auf, die symmetrisch auf beiden Seiten der Aktivschicht vorgesehen ist. Die Stromblockadeschicht 29 beinhaltet eine vergrabene p-Typ-InP-Schicht 20 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3, eine p-Typ-Al (Ga) InAs-Blockadeschicht 21 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3, eine n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 1018 cm–3 und eine p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3. In der Beschreibung der vorliegenden Erfindung können die p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 und die n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 als Zwischen-Blockadeschichten bezeichnet werden und die p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 kann als eine Deck-Blockadeschicht bezeichnet werden.
  • Weiterhin ist eine n-Typ-InP-Schicht als eine Mantelschicht ausgebildet, die auf die rippenförmige Aktivschicht und die Stromblockadeschicht 29 auf beiden Seiten der Aktivschicht gesetzt ist und eine Ladungsträgerkonzentration (N) von 1 × 1018 cm–3 aufweist.
  • Auf der n-Typ-InP-Schicht 3 ist eine n-Typ-InP-Kontaktschicht 4 ausgebildet und weist eine Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 1018 cm–3 auf. Eine p-Typ-Elektrode (AuZn/Pt/Au) 31 und eine n-Typ-Elektrode (Ti/Pt/Au) 32 sind ebenfalls ausgebildet.
  • Der Ausdruck " Al(Ga)InAs", wie in der Blockadeschicht 29, bezieht sich auf die chemische Formel AlxGa1-xInAs (wobei 0 < x ≤ 1).
  • Der Ausdruck "AuZn/Pt/Au", wie in der Elektrode 31, bezieht sich auf AuZn-, Pt- und Au-Metallschichten, die in dieser Reihenfolge mit der AuZn-Schicht ganz unten und der Au-Schicht ganz oben geschichtet sind. Diese Notation wird durchgehend durch die ganze Beschreibung verwendet.
  • Eines der Merkmale der vorliegenden Erfindung ist jenes, daß die Stromblockadeschicht 29 eine Al(Ga)InAs-Schicht beinhaltet. In der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet die Stromblockadeschicht 29 die p-Typ-Al(la)InAs-Blockadeschicht 21 und die n-Typ- Al(la)InAs-Blockadeschicht 22, wie in 1 gezeigt. Da eine Al(Ga)InAs-Blockadeschicht eine größere Energieunstetigkeit (ΔEc) auf der Leitungsbandseite aufweist als eine InP-Schicht, ist es für die Elektronen unwahrscheinlich, daß sie springen und zu der p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 hinüberfließen. Deshalb ist der die Aktivschicht umgehende Leckstrom sogar bei hohen Temperaturen verringert. Dies gestattet dem Halbleiterlaser, gute Temperatureigenschaften zu erreichen.
  • Ein anderes Merkmal der vorliegenden Erfindung ist jenes, daß die Al(Ga)InAs-Blockadeschicht oder -schichten, die in der Stromblockadeschicht 29 enthalten sind, während des Herstellungsvorgangs nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei liegen. Um genau zu sein, ist in der Stromblockadeschicht 29 zwischen die Mantelschicht und die Al(Ga)InAs-Blockadeschicht eine andere Blockadeschicht gefügt, die eine höhere Oxidationsbeständigkeit aufweist als die Al(Ga)InAs-Schicht. Speziell sind bei der vorliegenden Ausführungsform die Al(Ga)InAs-Blockadeschichten 21 und 22 in der Stromblockadeschicht 29 enthalten, wie in 1 gezeigt. Die p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 ist zwischen die Mantelschicht 3 und die Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 gefügt.
  • Das Herstellungsverfahren wird nun unter Bezugnahme auf 2(a) bis 2(c), 3(a) und 3(b) und 4(a) und 4(b) beschrieben. Diese Figuren sind Querschnittsansichten, die konzeptionell jeden Herstellungsschritt zeigen. Es sollte beachtet werden, daß in den folgenden Figuren gleiche Bezugszeichen verwendet werden zum Bezeichnen gleicher oder entsprechender Elemente oder Komponenten.
  • Bei dem Herstellungsverfahren sind, wie in 2(a) gezeigt, durch eine MOCVD-Methode aufeinanderfolgend auf das p-Typ-InP-Substrat 1 aufgewachsen: die p-Typ-InP-Schicht 2, die p-Typ-AlInAs-Mantelschicht 10, die p-Typ-AlGaInAs-Lichtbegrenzungsschicht 11, die verspannte AlGaInAs-Quantentopf-Aktivschicht 12, die n-Typ- AlGaInAs-Lichtbegrenzungsschicht 13, die n-Typ- AlInAs-Mantelschicht 14 und die n-Typ-InP-Schicht 15. Wie in 2(b) gezeigt, wird danach eine SiO2-Isolationsschicht 40 auf der n-Typ-InP-Schicht 15 ausgebildet und strukturiert. Hiernach wird durch Methan-basiertes Trockenätzen, etc., eine Rippenstruktur ausgebildet, wie in 2(c) gezeigt.
  • Wie in 3(a) gezeigt, werden in dem nächsten Schritt die vergrabene p-Typ-InP-Schicht 20, die p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21, die n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 und die p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 aufeinanderfolgend durch eine MOCVD-Methode aufgewachsen. Wie in 3(b) gezeigt, wird danach die SiO2-Isolationsschicht 40 weggeätzt. Hiernach werden die n-Typ-InP-Schicht 3 und die n-Typ-InP-Kontaktschicht 4 durch eine MOCVD-Methode aufgewachsen, wie in 4(a) gezeigt. Wie in 4(b) gezeigt, werden danach die p-Typ-Elektrode (AuZn/Pt/Au) 31 und die n-Typ-Elektrode (Ti/Pt/Au) 32 ausgebildet.
  • Wie oben beschrieben, liegen bei der vorliegenden Ausführungsform der Spitzenabschnitt "A" der p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 und der Spitzenabschnitt "B" der n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei, wie in 3(a) gezeigt. Im Gegenteil, die Deckschicht der Stromblockadeschicht 29 ist die p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 mit Oxidationsbeständigkeit. Es sollte beachtet werden, daß, wenn Abschnitte der Al(Ga)InAs-Blockadeschichten 21 und 22 an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 freiliegen, diese freiliegenden Abschnitte der Al(Ga)InAs-Blockadeschichten 21 und 22 während des Vorgangs des Wegätzens der SiO2-Isolationsschicht 40, wie in 3(b) gezeigt, oxidiert werden. Wenn dies geschieht, wird bei dem Vorgang des Ausbildens der n-Typ-InP-Schicht 3, der in 4(a) gezeigt ist, die n-Typ-InP-Schicht 3 nicht sauber als eine Mantelschicht auf den oxidierten Oberflächen der Al(Ga)InAs-Blockadeschichten 21, 22 aufgewachsen. Als ein Ergebnis kann die n-Typ-InP-Schicht 3 eine gewellte Oberfläche oder Defekte aufweisen, was zu verschlechterten Lasereigenschaften und verringerter Ausbeute führt.
  • Nun wird der Mechanismus zum Verhindern des Freiliegens der Oberfläche der Al(Ga)InAs-Blockadeschicht unter Bezugnahme auf 5(a) bis 5(c) erläutert. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird verhindert, daß die p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 und die n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 an der Oberfläche freiliegen. 5(a) bis 5(c) sind Querschnittsansichten, die konzeptionell das Kristallwachstum der Stromblockadeschicht 29 auf der Seitenfläche des Rippenabschnitts bei dem in 1 gezeigten Halbleiterlaser veranschaulichen. Der Vorgang schreitet von dem Schritt von 5(a) zu jenem von 5(c) voran.
  • Wie in 5(a) gezeigt, beginnt am Anfang der Kristall von der Bodenfläche ((001)-Ebene) nach oben zu wachsen bzw. von der Seitenfläche ((110)-Ebene) der Rippe seitwärts zu wachsen. Zu dieser Zeit wächst der Kristall nicht auf den schrägen Oberflächen ((111-B-Ebene).
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform werden das Wachstum der p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 und der n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 gestoppt, bevor die in 5(b) gezeigten vertikalen oder aufrechten Seiten ((110)-Ebene) verschwinden. Der Kristallwachstumsvorgang wird auf diese Weise kontrolliert. Danach wird die Deckfläche mit der InP-Blockadeschicht 28 mit einer höheren Oxidationsbeständigkeit wie die Al(Ga)InAs-Blockadeschicht bedeckt, wodurch das Freiliegen der Al(Ga)InAs-Schicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 verhindert wird. Dieser Vorgang gestattet das Aufwachsen der n-Typ-InP-Schicht oder Mantelschicht 3 in Kristallform auf der Deckfläche dergestalt, daß sie keine Defekte aufweist. Gemäß dieses Vorgangs kann die n-Typ-InP-Schicht 3 in Kristallform als eine Mantelschicht ohne Defekte auf der Deckfläche aufgewachsen werden. Als ein Ergebnis ist es möglich, Halbleiterlaser mit guten Temperatureigenschaften bei hoher Ausbeute herzustellen.
  • Es sollte beachtet werden, daß, wenn nach Erreichen des in 5(a) gezeigten Zustands der Kristall fortfährt zu wachsen, die aufrechten Seiten ((110)-Ebene) vollständig verschwinden werden und die resultierende Deckfläche lediglich aus den schrägen Oberflächen ((111)-Ebene) und der Bodenfläche ((001)-Ebene) zusammengesetzt sein wird, wie in 5(b) gezeigt. Wenn dies geschieht, dann findet das Kristallwachstum nicht lediglich auf der Bodenfläche ((001)-Ebene) statt, son dern ebenfalls auf den schrägen Oberflächen ((111)-B-Ebene) und dieses Wachstum hält an. Wenn die Al(Ga)InAs-Schicht fortfährt zu wachsen, nachdem die aufrechten Seiten ((110)-Ebene) vollständig verschwunden sind, werden die Spitzen der Al(Ga)InAs-Schicht dergestalt ausgebildet, daß sie rechts und links den Rand "C" des Rippenabschnitts erreichen, wie in 5(c) gezeigt, und frei liegen. In solch einem Fall werden die freiliegenden Abschnitte der Al(Ga)InAs-Blockadeschichten oxidiert und daher wird die n-Typ-InP-Schicht 3 nicht sauber darauf aufgewachsen. Als ein Ergebnis kann die n-Typ-InP-Schicht 3 eine gewellte Oberfläche oder Defekte aufweisen, was zu verschlechterten Lasereigenschaften und verringerter Ausbeute führt.
  • Wie oben beschrieben, liefert die vorliegende Erfindung zusammenfassend ein verbessertes Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung, welche einen aufrechten Rippenaufbau aufweist und eine auf beiden Seiten des Rippenaufbaus ausgebildete Stromblockadeschicht. Die Stromblockadeschicht ist dergestalt ausgebildet, daß sie zumindest eine Blockadeschicht aus Al(Ga)InAs beinhaltet. Die Al(Ga)InAs-Blockadeschicht wird in solch einer Weise aufgewachsen, daß das Kristallwachstum der Al(Ga)InAs-Blockadeschicht gestoppt wird, bevor der Kristall anfängt, auf einer (111)B-Ebene zu wachsen.
  • Mit anderen Worten, jede Al(Ga)InAs-Blockadeschicht wird so ausgebildet, daß sie eine vertikale oder aufrechte Seitenfläche parallel zu einer Seitenfläche der Rippenstruktur der Aktivschicht aufweist. In noch anderen Worten: jede Al(Ga)InAs-Blockadeschicht wird vollständig unterhalb der Deck-Blockadeschicht ausgebildet.
  • Zweite Ausführungsform
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf 6 weist der Halbleiterlaser eine p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 23 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 auf, die zwischen der n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 und der p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 ausgebildet ist. Alle weiteren Elemente oder Komponenten sind ähnlich zu jenen, die in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden und deshalb wird eine weitere Beschreibung derselben nicht vorgesehen. Es sollte beachtet werden, daß in der vorangegangenen und der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gleiche Bezugszeichen zur Bezeichnung entsprechender Komponenten verwendet werden. Es wird angenommen, daß die entsprechenden Komponenten aus den gleichen Materialien bestehen und die gleiche Konfiguration und Dicke aufweisen. Weiterhin weisen sie die gleiche Ladungsträgerkonzentration und Dotierungskonzentration, falls vorhanden, auf.
  • Die zweite Ausführungsform ist ähnlich zu der in 1 gezeigten ersten Ausführungsform mit der Ausnahme, daß die p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 23 in die Stromblockadeschicht 29 zusätzlich hineingefügt ist. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird, wie bei der oben beschriebenen ersten Ausführungsform, der Kristallwachstumsvorgang so gesteuert, daß das Wachstum der Al(Ga)InAs-Blockadeschichten einschließlich der P-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 23 gestoppt wird, bevor die in 5(b) gezeigten aufrechten Seiten ((110)-Ebene) verschwinden, so daß die Al(Ga)InAs-Blockadeschichten 21, 22 und 23 nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei liegen. Da die Stromblockadeschicht 29 der vorliegenden Ausführungsform zusätzlich die p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 23 beinhaltet, ist der Leckstrom bei hohen Temperaturen, verglichen zu der ersten Ausführungsform, weiter verringert, was die Erzielung besserer Temperatureigenschaften des Halbleiterlasers ermöglicht.
  • Dritte Ausführungsform
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf 7 weist der Halbleiterlaser eine n-Typ-InP-Blockadeschicht 27 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 1018 cm–3 auf, die zwischen der p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 und der p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 ausgebildet ist. Die dritte Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, daß die Stromblockadeschicht 29 anstelle der in 1 gezeigten n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 die n-Typ-InP-Blockadeschicht 27 beinhaltet. Alle weiteren Komponenten sind ähnlich zu jenen, die in 1 gezeigt sind und im Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird, wie bei der ersten Ausführungsform, der Kristallwachstumsvorgang so gesteuert, daß das Wachstum der p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 gestoppt wird, bevor die in 5(b) gezeigten aufrechten Seiten ((110-Ebene) verschwinden, so daß die p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 an der Oberfläche der Stromblo ckadeschicht 29 nicht frei liegt. Die vorliegende Ausführungsform beinhaltet nicht die in 1 gezeigte n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22, die in Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurde. Verglichen zu den bekannten Aufbauten ist jedoch der Leckstrom dennoch klein bei hohen Temperaturen, was das Erzielen guter Temperatureigenschaften des Halbleiterlasers gestattet.
  • Vierte Ausführungsform
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf die 8 weist der Halbleiterlaser eine Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 mit einer Fe-Konzentration von 4 × 1016 cm–3 auf, die auf der n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 108 cm–3 ausgebildet ist. Eine n-Typ-InP-Blockadeschicht 25 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 2 × 1018 cm–3 ist auf der Fe-dotierten Al (Ga) InAs-Blockadeschicht 24 ausgebildet. Es sollte beachtet werden, daß das Kristallwachstum der Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 gestoppt wird, bevor die in 5(b) gezeigten aufrechten Seiten ((110)-Ebene) verschwinden, so daß die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 während des Vorgangs des Wegätzens der SiO2-Isolationsschicht 40 frei liegt.
  • Die vorliegende Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, daß die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 zusätzlich auf der n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 ausgebildet ist. Weiterhin wird anstelle der p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 die n-Typ-InP-Blockadeschicht 25 mit einer höheren Oxidationsbeständigkeit als die Al(Ga)InRs-Blockadeschichten verwendet. Alle weiteren Komponenten sind ähnlich zu jenen, die in Zusammenhang mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Somit beinhaltet die Stromblockadeschicht 29 der vorliegenden Ausführungsform die halbisolierende Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24, was den Leckstrom bei hohen Temperaturen weiter verringert. Als ein Ergebnis ist es möglich, Halbleiterlaser mit guten Temperatureigenschaften bei hoher Ausbeute herzustellen. Es sollte beachtet werden, daß die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 halbisolierende Eigenschaften aufweist. Statt Fe kann zum Erhalt solcher Eigenschaften ein unterschiedlicher Dotant, wie z.B. Ru, verwendet werden. Weiterhin kann anstelle der Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 eine bei niederer Temperatur aufgewachsene Al(Ga)InAs-Schicht mit der gleichen Wirkung verwendet werden.
  • Fünfte Ausführungsform
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf die 9 sind an der Oberfläche der vergrabenen p-Typ-InP-Schicht 20 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 ausgebildet: die n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 1018 cm–3, die Fe-dotierte Al (Ga) InAs-Blockadeschicht 24 mit einer Fe-Konzentration von 4 × 1016 cm–3 und die n-Typ-InP-Blockadeschicht 25 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 2 × 1018 cm–3. Dies bedeutet, die vorlie gende Ausführungsform unterscheidet sich von der vierten Ausführungsform darin, daß die Stromblockadeschicht 29 nicht die p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 aufweist. Alle weiteren Komponenten sind ähnlich zu jenen, die in Zusammenhang mit der vierten Ausführungsform beschrieben wurden, und deshalb wird keine weitere Beschreibung derselben vorgesehen.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet somit die Stromblockadeschicht 29 die n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22, die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 und die n-Typ-InP-Blockadeschicht 25, welche Oxidationsbeständigkeit aufweist. Die n-Typ-InP-Blockadeschicht 25 ist zwischen der Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 und der n-Typ-InP-Schicht (oder Mantelschicht) 3 ausgebildet zum Verhindern des Freiliegens der Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29. Dieser Aufbau ruft die gleiche Wirkung hervor wie die vierte Ausführungsform. Es sollte beachtet werden, daß anstelle der Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 eine Ru-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht oder eine bei niederer Temperatur aufgewachsene Al(Ga)InAs-Schicht mit der gleichen Wirkung verwendet werden kann.
  • Sechste Ausführungsform
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf die 10 weist der Halbleiterlaser ein n-Typ-InP-Substrat 5, eine n-Typ-InP-Schicht 6 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 1 × 1018 cm–3, eine n-Typ- AlInAs-Mantelschicht 14 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 1 × 1018 cm–3, eine n-Typ- AlGaInAs-Lichtbegrenzungsschicht 13 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 1 × 1018 cm–3, eine verspannte AlGaInAs-Quantentopf-Aktivschicht 12, eine p-Typ-AlGaInAs-Lichtbegrenzungsschicht 11 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3, eine p-Typ-AlInAs-Mantelschicht 10 mit einer Dicke von 100 nm und einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 und eine p-Typ-InP-Schicht 16 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 auf.
  • Die Stromblockadeschicht 29 weist eine vergrabene Fe-dotierte InP-Schicht 26 mit einer halbisolierenden Eigenschaft mit einer Fe-Konzentration von 4 × 1016 cm–3, eine Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 mit einer halbisolierenden Eigenschaft mit einer Fe-Konzentration von 4 × 1016 cm–3 und eine n-Typ-InP-Blockadeschicht 25 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 2 × 1018 cm–3 auf. Eine p-Typ-InP-Schicht 7 ist als eine Mantelschicht ausgebildet und weist eine Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 auf. Weiterhin ist eine p-Typ-InGaAs-Kontaktschicht 8 ausgebildet und weist eine Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1019 cm–3 auf. Eine n-Typ-Elektrode (AuGe/Ni/Au) 33 und eine p-Typ-Elektrode (Ti/Pt/Au) 34 sind ebenfalls ausgebildet.
  • Somit beinhaltet die Stromblockadeschicht 29 der vorliegenden Ausführungsform anstelle einer pnpn-Stromblockadeschicht die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24. Es sollte beachtet werden, daß, wenn die die Stromblockadeschicht 29 bildenden Blockadeschichten 26, 24 und 25 in Kristallform aufgewachsen werden, das Wachstum der Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 abgeschlossen ist, bevor die in 5(b) gezeigten aufrechten Seiten ((110)-Ebene) verschwinden, so daß die Fe dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei liegt, wie bei der ersten Ausführungsform.
  • Bei der wie oben beschrieben konfigurierten sechsten Ausführungsform haben die Fe-dotierte vergrabene InP-Schicht 26 und die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 eine Elektroneneinfangseigenschaften, was die Verringerung des Leckstroms gestattet. Wie oben beschrieben, wird weiterhin das Wachstum der Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 gestoppt, bevor die in 5(b) gezeigten aufrechten Seiten ((110)-Ebene) verschwinden, so daß die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei liegt. Deshalb wird die Fe-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 nicht während des Vorgangs des Wegätzens der SiO2-Isolationsschicht 40 oxidiert. Als ein Ergebnis kann die p-Typ-InP-Schicht (oder Mantelschicht) 7 ohne Defekte auf die Deckfläche der Stromblockadeschicht 29 aufgewachsen werden, was es möglich macht, Halbleiterlaser mit guten Temperatureigenschaften in hoher Ausbeute herzustellen.
  • Es sollte beachtet werden, daß anstelle der halbisolierenden Fe-dotierten Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 24 eine Ru-dotierte Al(Ga)InAs-Blockadeschicht oder eine bei niederer Temperatur aufgewachsene Al(Ga)InAs-Schicht mit der gleichen Wirkung verwendet werden können. Weiterhin kann mit derselben Wirkung die halbisolierende Fe-dotierte vergrabene InP-Schicht 26 durch eine Ru-dotierte vergrabene InP-Schicht ersetzt werden.
  • Siebte Ausführungsform
  • 11 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf die 11 weist der Halbleiterlaser auf: eine vergrabene p-Typ-InP-Schicht 20 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3, eine p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3, eine n-Typ- Al (Ga) InAs-Blockadeschicht 22 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 1018 cm–3 und eine p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3. Die Stromblockadeschicht 29 der vorliegenden Ausführungsform wird in der gleichen Weise ausgebildet wie jene der ersten Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform verwendet jedoch anstelle des p-Typ-InP-Substrats 1 ein n-Typ-InP-Substrat 6.
  • Auch bei der oben beschriebenen vorliegenden Ausführungsform liegen die Al(Ga)InAs-Blockadeschichten 21 und 22 nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei. Deshalb kann die p-Typ-InP-Schicht (oder Mantelschicht) 7 ohne Defekte aufgewachsen werden, was es möglich macht, Halbleiterlaser mit guten Temperatureigenschaften bei hoher Ausbeute herzustellen.
  • Achte Ausführungsform
  • 12 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf die 12 weist der Halbleiterlaser eine p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 23 mit einer Ladungs trägerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 auf, die zwischen der n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 22 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 1018 cm–3 und der p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 ausgebildet ist. Somit ist die Stromblockadeschicht 29 der vorliegenden Ausführungsform in der gleichen Weise ausgebildet wie jene der zweiten Ausführungsform. Die vorliegende Ausführungsform verwendet jedoch anstelle des p-Typ-InP-Substrats ein n-Typ-InP-Substrat.
  • Auch bei der vorliegenden Ausführungsform wird der Kristallwachstumsvorgang so gesteuert, daß die Al(Ga)InAs-Blockadeschichten 21, 22 und 23 nicht an der Deckfläche der Stromblockadeschicht 29 frei liegen. Weiterhin ist die p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 mit einer Oxidationsbeständigkeit an der Deckfläche der Stromblockadeschicht 29 ausgebildet, was das Aufwachsen der p-Typ-InP-Schicht (oder Mantelschicht) 7 ohne Defekte erlaubt. Als ein Ergebnis ist es möglich, Halbleiterlaser mit guten Temperatureigenschaften bei hoher Ausbeute herzustellen.
  • Neunte Ausführungsform
  • 13 ist eine Querschnittsansicht, die in schematischer Weise einen wesentlichen Abschnitt eines Halbleiterlasers gemäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezug nehmend auf die 13 verwendet der Halbleiterlaser ein n-Typ-InP-Substrat 5. Weiterhin sind eine n-Typ-InP-Blockadeschicht 27 mit einer Ladungsträgerkonzentration (N) von 7 × 1018 cm–3 und eine p-Typ-InP-Blockadeschicht 28 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 aufeinanderfolgend auf der p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 mit einer Ladungsträgerkonzentration (P) von 1 × 1018 cm–3 ausgebildet. Alle weiteren Komponenten sind ähnlich zu jenen, die in Zusammenhang mit der achten Ausführungsform beschrieben wurden. Somit verwendet die vorliegende Ausführung anstelle des p-Typ-InP-Substrats 1, das in Zusammenhang mit der dritten Ausführungsform beschrieben wurde, das n-Typ-InP-Substrat 5. Die vorliegende Ausführungsform ist ebenfalls so ausgebildet, daß die Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 nicht an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei liegt.
  • Wenn gemäß der vorliegenden Ausführungsform die p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 ausgebildet wird, ist das Kristallwachstum der p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 abgeschlossen, bevor die in 5(b) gezeigten aufrechten Seiten ((110)-Ebene) verschwinden. Dadurch wird verhindert, daß die p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht 21 an der Oberfläche der Stromblockadeschicht 29 frei liegt. Gemäß diesem Verfahren wächst die p-Typ-InP-Schicht 7 ohne Defekte. Als ein Ergebnis ist es möglich, Halbleiterlaser mit guten Temperatureigenschaften bei hoher Ausbeute herzustellen.
  • Obwohl die vorangehende Beschreibung jeder Ausführungsform eine Ladungsträgerkonzentration oder Dotierungskonzentration für jede Blockadeschicht in der Stromblockadeschicht 29 spezifiziert hat, versteht es sich, daß diese Werte lediglich als Beispiel angegeben wurden und die vorliegende Erfindung nicht auf diese spezifizierten Werte beschränkt ist. Weiterhin sind die Substrate, Aktivschichten, Elektroden, etc. der vorliegenden Erfindung nicht auf die Materialien, Konzentrationen, Dicken und Typen, die in Zusammenhang mit den Ausführungsformen beschrieben wurden, beschränkt. Beispielsweise kann die verspannte Al(Ga)InAs-Quantentopf-Aktivschicht 12 mit der gleichen Wirkung durch eine andere Art von Aktivschicht ersetzt werden, die aus einem unterschiedlichen Material ausgebildet ist, beispielsweise durch eine verspannte InGaAsP-Quantentopf-Aktivschicht oder eine Aktivschicht mit einem unterschiedlichen Aufbau. Während die vorliegende Erfindung in Zusammenhang mit Halbleiterlasern beschrieben wurde, versteht es sich weiterhin, daß die Erfindung auf andere optische Halbleitervorrichtungen angewendet werden kann, beispielsweise Fotorezeptor-Vorrichtungen und Lichtwellenleiter.

Claims (16)

  1. Optische Halbleitervorrichtung mit: einem Substrat (1), einer in einem Rippenaufbau auf dem Substrat ausgebildeten Aktivschicht, einer Stromblockadeschicht (29), die auf beiden Seiten der Aktivschicht vorgesehen ist, wobei die Stromblockadeschicht eine vergrabene Schicht (20, 26), zumindest eine Zwischen-Blockadeschicht (21, 22, 24), welche auf der vergrabenen Schicht ausgebildet ist, und eine Deck-Blockadeschicht (28, 25), die auf der Zwischen-Blockadeschicht ausgebildet ist und die Zwischen-Blockadeschicht bedeckt, aufweist, und einer Mantelschicht (3, 7), die auf der Stromblockadeschicht und der Aktivschicht vorgesehen ist, wobei die zumindest eine Zwischen-Blockadeschicht eine Al(Ga)InAs-Blockadeschicht ist und die Deck-Blockadeschicht eine höhere Oxidationsbeständigkeit aufweist als die Al(Ga)InAs-Schicht.
  2. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Deck-Blockadeschicht (28, 25) eine InP-Blockadeschicht ist.
  3. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der jede Al(Ga)TnAs-Blockadeschicht (21, 22, 23, 24, 27) eine vertikale Seitenfläche parallel zu einer Seitenfläche des Rippenaufbaus der Aktivschicht aufweist.
  4. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, bei der das Substrat ein p-Typ-Substrat ist, die vergrabene Schicht (20) eine vergrabene p-Typ-InP-Schicht ist und die Zwischen-Blockadeschicht (21) eine p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht ist.
  5. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, die weiterhin eine auf der p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (21) ausgebildete n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (22) aufweist.
  6. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, die weiterhin eine auf der n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (22) ausgebildete p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (23) aufweist.
  7. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, die weiterhin eine halbisolierende Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (24) aufweist, die auf der n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (22) ausgebildet ist.
  8. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, die weiterhin eine n-Typ-InP-Blockadeschicht (27) aufweist, die auf der p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (21) ausgebildet ist.
  9. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, bei der das Substrat ein p-Typ-Substrat ist, die vergrabene Schicht (20) eine vergrabene p-Typ-InP-Schicht ist und die Zwischen-Blockadeschicht (22) eine n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht ist.
  10. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, die weiterhin eine halbisolierende Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (24) aufweist, die auf der n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (22) ausgebildet ist.
  11. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, bei der das Substrat (5) ein n-Typ-Substrat ist, die vergrabene Schicht (26) eine halbisolierende vergrabene InP-Schicht ist und die Zwischen-Blockadeschicht (24) eine halbisolierende Al(Ga)InAs-Blockadeschicht ist.
  12. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, bei der das Substrat (5) ein n-Typ-Substrat ist, die vergrabene Schicht (20) eine vergrabene p-Typ-InP-Schicht ist und die Zwischen-Blockadeschicht (21) eine p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht ist.
  13. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, die weiterhin eine n-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (22) aufweist, die auf der p-Typ-Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (21) ausgebildet ist.
  14. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13, die weiterhin eine p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (23) aufweist, die auf der n-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (22) ausgebildet ist.
  15. Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, die weiterhin eine n-Typ-InP-Blockadeschicht (27) aufweist, die auf der p-Typ- Al(Ga)InAs-Blockadeschicht (21) ausgebildet ist.
  16. Verfahren zum Herstellen einer optischen Halbleitervorrichtung, die eine Aktivschicht in einer aufrechten Rippenstruktur und eine Stromblockadeschicht, welche eine Al(Ga)InAs-Zwischen-Blockadeschicht beinhaltet, aufweist, wobei das Verfahren den Schritt aufweist: Ausbilden der Al(Ga)InAs-Zwischen-Blockadeschicht auf beiden Seiten der aufrechten Rippenstruktur dergestalt, daß das Kristallwachstum der Al(Ga)InAs-Blockadeschicht gestoppt wird, bevor der Kristall auf einer (111)-B-Ebene derselben wächst.
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