DE10114001A1 - Versorgungsstrom-Meßeinheit für ein Halbleiterprüfsystem sowie eine derartige Meßeinheit enthaltendes Halbleiterprüfsystem - Google Patents

Versorgungsstrom-Meßeinheit für ein Halbleiterprüfsystem sowie eine derartige Meßeinheit enthaltendes Halbleiterprüfsystem

Info

Publication number
DE10114001A1
DE10114001A1 DE10114001A DE10114001A DE10114001A1 DE 10114001 A1 DE10114001 A1 DE 10114001A1 DE 10114001 A DE10114001 A DE 10114001A DE 10114001 A DE10114001 A DE 10114001A DE 10114001 A1 DE10114001 A1 DE 10114001A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
supply current
test
under test
signal
converter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10114001A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Sugamori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Publication of DE10114001A1 publication Critical patent/DE10114001A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31919Storing and outputting test patterns
    • G01R31/31921Storing and outputting test patterns using compression techniques, e.g. patterns sequencer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
    • G01R31/3004Current or voltage test
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31903Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
    • G01R31/31908Tester set-up, e.g. configuring the tester to the device under test [DUT], down loading test patterns
    • G01R31/3191Calibration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Versorgungsstrom-Meßeinheit, die in einem Halbleiterprüfsystem vorgesehen ist und dazu dient, einen Versorgungsstrom eines Bauteilprüflings mit hoher Geschwindigkeit und großer Genauigkeit zu messen. Die Versorgungsstrom-Meßeinheit enthält dabei die folgenden Bestandteile: einen D/A-Wandler (Digital-Analog-Wandler) zur Erzeugung einer an den Bauteilprüfling anzulegenden Ausgangsspannung auf der Grundlage eines vom Wandler empfangenen digitales Signals, einen Operationsverstärker zur Bildung einer Gegenkopplungsschleife und zum Anlegen der vom D/A-Wandler gelieferten Ausgangsspannung an einen Anschlußpin des Bauteilprüflings, wodurch dem Anschlußpin ein Versorgungsstrom durch einen einen bekannten Widerstandswert aufweisenden Strommeßwiderstand zugeführt wird, einen Spannungsverstärker zur Verstärkung einer Spannung, die für die dem Bauteilprüfling zugeführte Versorgungsstrommenge charakteristisch ist, eine Integrationsschaltung, die für einen bestimmten Integrationszeitraum eine Integration eines Ausgangssignals des Spannungsverstärkers durchführt, und einen A/D-Wandler (Analog-Digital-Wandler) zur Umwandlung eines Ausgangssignals der Integrationsschaltung nach Ablauf des Integrationszeitraums. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung ein Halbleiterprüfsystem, das eine erfindungsgemäße Versorgungsstrom-Meßeinheit enthält.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterprüf­ system zum Prüfen integrierter Halbleiterschaltungen, beispielsweise von hochintegrierten Schaltungen (LSI- Schaltungen), und dabei insbesondere eine Versorgungs­ strom-Meßeinheit, die in einem Halbleiterprüfsystem vorgesehen ist und eine Messung des Versorgungsstroms eines Bauteilprüflings mit hoher Geschwindigkeit und großer Genauigkeit ermöglicht. Die Versorgungsstrom- Meßeinheit gemäß der vorliegenden Erfindung läßt sich vorteilhaft zur Messung eines Versorgungsstroms IDD ei­ ner integrierten CMOS-Schaltung einsetzen.
Die erfindungsgemäße Versorgungsstrom-Meßeinheit (bzw. Zuführstrom-Meßeinheit) wird in einem Halbleiterprüfsy­ tem zum Prüfen (im folgenden auch als "Bauteilprufling" bezeichneter) integrierter Hableiterschaltungen, bei­ spielsweise von hochintegrierten Schaltungen, verwen­ det. Ein derartiges Halbleiterprüfsystem führt im we­ sentlichen einen Funktionstest des Bauteilprüflings durch und weist zudem eine Funktion auf, die eine Durchführung einer Gleichstrom-Parameterprüfung ermög­ licht, wobei Spannung und Strom des Bauteils bewertet werden. Die vorliegende Erfindung betrifft eine Versor­ gungsstrom-Meßeinheit (Gleichstrom-Meßeinheit), die eine zur Gleichstrom-Parametermessung gehörende Messung des Versorgungsstroms eines Bauteilprüflings ermög­ licht.
Von derselben Anmelderin wurde bereits ein Halbleiter­ prüfsystem vorgeschlagen, das auf dem Auftreten von Er­ eignissen basiert (ereignisgestütztes Prüfsystem) und das sich in seinem Aufbau von dem derzeit weitgehend eingesetzten, zyklusbezogenen (bzw. zyklusgestützten) Prüfsystem unterscheidet. Die Versorgungsstrom-Meßein­ heit gemäß der vorliegenden Erfindung läßt sich beim ereignisgestützten Prüfsystem in vorteilhafter Weise einsetzen, wobei sie jedoch auch bei zyklusgestützten Prüfsystemen eine beträchtliche Wirksamkeit aufweist. Im folgenden wird dementsprechend kurz auf das zyklus­ gestützte und das ereignisgestützte Prüfsystem einge­ gangen.
Fig. 1A zeigt ein Blockschaltbild eines Beispiels für den grundlegenden Aufbau eines zyklusgestützten Prüfsy­ stems. Bei diesem Prüfsystem dient ein speziell zu die­ sem Zweck im Halbleiterprüfsystem vorgesehener Prüfpro­ zessor 11 zur Operationssteuerung des Prüfsystems über einen Systembus. Auf der Grundlage von vom Prüfprozes­ sor 11 gelieferten Musterdaten erzeugt ein Mustergene­ rator 12 Zeitsteuerungs- und Wellenformdaten für einen Zeitsteuerungsgenerator 13 bzw. einen Wellenformatierer 14. Der Wellenformatierer 14 generiert erzeugt unter Verwendung der vom Mustergenerator 12 gelieferten Wel­ lenformdaten und der vom Zeitsteuerungsgenerator 13 ge­ lieferten Zeitsteuerungsdaten ein Prüfmuster, welches einen Bauteilprüfling (DUT) 19 über eine Pin-Ansteue­ rung 15 zugeführt wird.
Der Bauteilprüfling DUT 19 erzeugt in Antwort auf das Prüfmuster ein Ausgangssignal, das einem analogen Kom­ parator 16 in der Pin-Elektronik 20 zugeführt wird. Das Ausgangssignal wird durch den analogen Komparator 16 unter Berücksichtigung eines vorbestimmten Schwellen­ spannungsniveaus in ein Logiksignal umgewandelt, wel­ ches sodann von einem Logikkomparator 17 mit vom Mu­ stergenerator 12 gelieferten SOLL-Daten verglichen wird. Das Ergebnis des Logikvergleichs wird im Fehler­ speicher 18 entsprechend der Adresse des Bauteilprüf­ lings 19 abgespeichert.
Bei einem derartigen zyklusgestützten Prüfsystem müssen für jeden Prüfzyklus die Musterdaten zur Erzeugung ei­ nes Prüfmusters jeweils gesondert durch Wellenformda­ ten, Vektordaten und Zeitsteuerungsdaten angegeben wer­ den. Die beim zyklusgestützten Halbleiterprüfsystem verwendete Hard- und Software ist daher entsprechend komplex, wodurch es wiederum schwierig ist, ein Prüfsy­ stem mit jeweils voneinander unabhängigen Prüfpins aus­ zubilden.
Fig. 1B zeigt ein schematisches Blockschaltbild eines Beispiels für den grundlegenden Aufbau eines ereignis­ gestützten Prüfsystems. Weitere Einzelheiten zum ereig­ nisgestützten Prüfsystem lassen sich den US-Patentan­ meldungen Nr. 09/406,300 und 09/259,401 derselben An­ melderin entnehmen.
Heim vorliegenden Beispiel umfaßt das ereignisgestützte Halbleiterprüfsystem einen Hauptrechner 42, eine Bus­ schnittstelle 43, einen internen Bus 45, eine Adreß­ folge-Steuereinheit 48, einen Fehlerspeicher 47, einen aus einem Ereigniszählspeicher 50 und einem Ereignis­ feinabstimmungsspeicher 51 gebildeten Ereignisspeicher, eine Ereignissummier- und Skalierlogik 52, einen Ereig­ nisgenerator 24 sowie eine Pin-Elektronik 26. An die Pin-Elektronik 26 ist ein Halbleiterbauteilprüfling (DUT) 28 angeschlossen.
Als Hauptrechner 42 dient beispielsweise ein mit einem UNIX-Betriebssystem ausgestatteter Arbeitsplatz. Der Hauptrechner 42 fungiert als Benutzerschnittstelle, wo­ durch es einem Benutzer möglich ist, die Start- und Endbefehle für die Prüfung einzugeben, ein Prüfprogramm und andere Prüfbedingungen zu laden oder Prüfergebnis­ analysen im Hauptrechner durchzuführen. Der Hauptrech­ ner 42 ist über den Systembus 44 und die Busschnitt­ stelle 43 mit einem Hardware-Prüfsystem verbunden.
Bei dem internen Bus 45 handelt es sich um einen Bus im Hardware-Prüfsystem. Als Adreßfolge-Steuereinheit 48 wird beispielsweise ein nur dem Hardware-Prüfsystem zur Verfügung stehender Prüfgerätprozessor verwendet, auf den der Benutzer keinen Zugriff hat. Die Adreßfolge- Steuereinheit 48 liefert auf der Grundlage der vom Hauptrechner 42 vorgegebenen Bedingungen bzw. des Prüf­ programms entsprechende Befehle an andere Funktions­ blöcke des Prüfsystems. Der Fehlerspeicher 47 speichert Prüfergebnisse, wobei es sich beispielsweise um Fehlerinformationen über den Bauteilprüfling 28 han­ delt, an den durch die Adreßfolge-Steuereinheit 48 vor­ gegebenen Adressen ab. Die im Fehlerspeicher 47 gespei­ cherten Informationen werden bei der Fehleranalyse des Bauteilprüflings verwendet.
Die Adreßfolge-Steuereinheit 48 liefert dem aus dem Ereigniszählspeicher 50 und dem Feinabstimmungsdaten­ speicher 51 gebildeten Ereignisspeicher Adreßdaten. Im Ereignisspeicher sind Ereigniszeitsteuerungsdaten ge­ speichert, die jedes Ereignis (d. h. einen Punkt, an dem eine Änderung vom Logikzustand "1" zu "0" bzw. von "0" zu "1" erfolgt) sowie die zugehörige Zeitsteuerung wie­ dergeben. Dabei werden Zeitsteuerungsdaten im Ereignis­ speicher beispielsweise in Form zweier unterschiedli­ cher Datentypen gespeichert, wobei es sich einerseits um den ganzzahligen, ein ganzzahliges Vielfaches des Referenztakts angebenden Datenteil und andererseits um einen Bruch-Datenteil handelt, der einem Bruchteil des Referenztakts entspricht.
Die Ereignissummier- und Skalierlogik 52 dient zur Er­ zeugung von Daten, die eine Gesamtzeitsteuerung (d. h. die Verzögerungszeit) der einzelnen Ereignisse in bezug zu einem festgelegten Bezugspunkt angeben, wobei diese Logik die Ereignis-Zeitsteuerungsdaten summiert oder die Zeitsteuerungsdaten der einzelnen Ereignisse mit Hilfe eines Skalierfaktors modifiziert. Der Ereignisge­ nerator 24 dient dazu, auf der Grundlage der Gesamt­ zeitsteuerungsdaten das Prüfmuster (bzw. die Steuerer­ eignisse) tatsächlich zu erzeugen, das sodann dem Bau­ teilprüfling DUT 28 durch die Pin-Elektronik 26 zuge­ führt wird. Durch einen Vergleich des Antwortausgangs­ signals des Bauteilprüflings DUT 28 mit dem SOLL-Daten­ muster (Abtastereignis) führt das Prüfsystem eine Be­ wertung des jeweiligen Ausgangspins des Bauteilprüf­ lings 28 durch.
In einem ereignisgestützten Prüfsystem werden die Er­ eignisdaten zur Erzeugung des Prüfmusters allein durch die Zeitsteuerungsdaten der Ereignisse wiedergegeben, so daß die Ereignisdaten eine erheblich einfachere Struktur aufweisen. Ein ereignisgestütztes Prüfsystem kann daher eine Vielzahl von jeweils voneinander unab­ hängiger Prüfpins umfassen.
Der Aufbau der Pin-Elektronik zur Zuführung des Prüfmu­ sters zum Bauteilprüfling und zum Empfang des Ausgangs­ signals des Bauteilprüflings bei dem gerade beschriebe­ nen ereignisgestützten Prüfsystem entspricht im wesent­ lichen demjenigen eines zyklusgestützten Prüfsystems. Üblicherweise umfaßt die Pin-Elektronik dabei noch zu­ sätzlich eine Meßeinheit zur Durchführung einer Gleich­ strom-Parameterprüfung. Die Pin-Elektronik 26, welche das Steuerereignis (Prüfmuster), das Abtastereignis (Strobe-Signal) und die Parameter für die Prüfeinheit verarbeitet, sowie ihre Beziehung zum Ereignisgenerator 24, einem Musterkomparator 38 und dem Bauteilprüfling DUT 28 werden im folgenden unter Bezugnahme auf Fig. 2 näher erläutert.
Der Ereignisgenerator 24 erzeugt Steuerereignisse (Prüfmuster), die durch die Pin-Ansteuerung 35 in der Pin-Elektronik 26 einem Eingangspin des Bauteilprüf­ lings DUT 28 mit einer vorbestimmten Amplitude und An­ stiegsrate zugeführt werden. Zudem erzeugt der Ereig­ nisgenerator 24 ein Abtast-Ereignis, das als Strobe-Si­ gnal zur Abtastung eines Ausgangssignals des Bauteil­ prüflings DUT 28 an den analogen Komparator 36 geleitet wird. Das Ausgangssignal des Bauteilprüflings DUT 28 wird durch den analogen Komparator 36 bei einem durch das Strobe-Signal zeitlich gesteuerten Vergleich mit festgelegten Referenzspannungen in ein Logiksignal um­ gewandelt. Das Logiksignal am Ausgang des analogen Kom­ parators 36 wird schließlich durch den Musterkomparator 38 mit einem SOLL-Logikmuster verglichen.
Eine von einer Steuereinheit, beispielsweise dem Haupt­ rechner, gesteuerte Gleichstrom-Prüfeinheit 37 führt eine Gleichstrom-Parameterprüfung des Bauteilprüflings durch. Die bei der Gleichstrom-Parameterprüfung von der Pin-Ansteuerung 35 an den Bauteilprüfling geleiteten Steuerereignisse umfassen üblicherweise ein Taktsignal. Die Gleichstrom-Prüfeinheit 37 wirkt als Spannungs­ quelle für einen bestimmten Anschlußpin des Bauteil­ prüflings und mißt dabei beispielsweise einen durch den Anschlußpin des Bauteilprüflings fließenden Versor­ gungsstrom IDD, wobei der gemessene Wert sodann an den Hauptrechner geleitet wird.
Fig. 3 zeigt ein Beispiel für den Aufbau einer herkömm­ lichen Gleichstrom-Meßeinheit. Bei diesem Beispiel ist nur eine Versorgungsstrom-Meßeinheit dargestellt, die zur Messung eines einem beispielsweise durch ein CMOS- Bauteil gebildeten Bauteilprüfling zugeführten Stroms (Versorgungsstroms) IDD dient. Die Versorgungsstrom- Meßeinheit umfaßt einen D/A-Wandler (Digital-Analog- Wandler) 71, einen Operationsverstärker 72, einen Strompuffer 73, einen Strommeßwiderstand (RM) 74, einen Differenzverstärker 75, eine Integrationsschaltung 76, einen A/D-Wandler (Analog-Digital-Wandler) 77 und einen Pufferspeicher 78.
Wenn die für die Stromzuführung an den Bauteilprüfling anzulegende Spannung durch eine Steuereinheit, bei­ spielsweise einen Hauptrechner, festgelegt ist, erzeugt der D/A-Wandler 71 diese vorgegebene Spannung, die dann vom Operationsverstärker 72 an den Bauteilprüfling 28 angelegt wird, wobei der Operationsverstärker 72 über den Strompuffer 73 und den Strommeßwiderstand 74 als Stromquelle für den Bauteilprüfling 28 wirkt.
Wie sich Fig. 3 entnehmen läßt, handelt es sich bei dem Anschlußpin des Bauteilprüflings 28 um einen Rückkopp­ lungspunkt einer innerhalb der Meßeinheit ausgebildeten Gegenkopplungsschleife, so daß die Eingangsspannung des Operationsverstärkers 72 der Versorgungsstromspannung des Bauteilprüflings 28 entspricht. Der Versorgungs­ strom wird durch den Operationsverstärker 72 über den Strommeßwiderstand 74 an den Bauteilprüfling 28 gelei­ tet. Bei dieser Anordnung wird der im Bauteilprüfling 28 fließende Versorgungsstrom mit Hilfe der durch den Differenzverstärker 75 ermittelten Spannung am Strom­ meßwiderstand 74 gemessen.
Die Integrationsschaltung 76 erzeugt einen Durch­ schnittswert des vom Differenzverstärker 75 kommenden Ausgangssignals, der dann dem A/D-Wandler 77 zugeführt wird. Der A/D-Wandler 77 tastet ein ihm zugeführtes Si­ gnal mit Hilfe eines Abtastsignals ab, das eine be­ stimmte Wiederholungsfrequenz aufweist, und wandelt die abgetastete Spannung in ein digitales Signal um, das im Pufferspeicher 78 gespeichert wird.
Die Fig. 4A bis 4D zeigen Zeitsteuerungsgraphiken für eine Operation der herkömmlichen Versorgungsstrom-Meß­ einheit gemäß Fig. 3. Das Prüfsystem führt dem Bauteil­ prüfling 28 durch die (in Fig. 2 gezeigte) Pin-Ansteue­ rung 35 ein Taktsignal gemäß Fig. 4A zu und startet so die Operation des Bauteilprüflings 28. Obwohl dies in der Zeichnung nicht dargestellt ist, führt das Prüfsy­ stem zudem den Signalpins des Bauteilprüflings auch Prüfmuster zu. Wie sich Fig. 4B entnehmen läßt, verän­ dert sich der dem beispielsweise durch ein CMOS-Bauteil gebildeten Bauteilprüfling zugeführte Versorgungsstrom impulsartig mit derselben Wiederholungsfrequenz wie das Taktsignal.
Der Versorgungsstrom wird durch die Schaltanordnung ge­ mäß Fig. 3 als eine Wellenform gemäß Fig. 4C erfaßt, die dem A/D-Wandler 77 zugeführt wird. Der A/D-Wandler 77 tastet die in Fig. 4C gezeigte gemessene Stromwellenform mit einem bestimmten Abstast-Intervall t ab und wandelt die abgetasteten analogen Spannungen in digitale Si­ gnale um. Das Abtast-Intervall t beträgt dabei bei­ spielsweise einige 10 Mikrosekunden.
Da der Versorgungsstrom eines CMOS-Bauteils sich je nach den internen Schaltbedingungen erheblich verän­ dert, weisen die dem A/D-Wandler 77 zugeführten gemes­ senen Stromwellenformen ein komplexes Muster auf, wes­ halb beim Stand der Technik zu einer genauen Messung des Stromwerts die Abtastoperation gemäß Fig. 4D zur Er­ höhung der Anzahl der Abtastoperationen wiederholt wird, wobei es dann möglich ist, durch eine Mittelwert­ bildung der Abtastwerte die Meßgenauigkeit zu vergrö­ ßern.
Wie sich der obigen Beschreibung entnehmen läßt, muß bei der Messung eines Versorgungsstroms IDD durch die herkömmliche Schaltung zur Erhöhung der Meßgenauigkeit dasselbe Prüfmuster mehrmals wiederholt werden, um die Anzahl der Abtastoperationen zu erhöhen, was zu einer Verlängerung der Meßzeit führt. Verkürzt man die Meß­ zeit, so verschlechtert sich die Meßgenauigkeit insbe­ sondere bei einer sich schnell verändernden Stromwel­ lenform ganz erheblich. Herkömmliche Meßschaltungen weisen zudem das Problem auf, daß es hier nicht möglich ist anzugeben, welches Taktsignal einen Fehler im ge­ messenen Versorgungsstrom IDD ausgelöst hat.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu­ grunde, eine Versorgungsstrom-Meßeinheit für ein Halb­ leiterprüfsystem zu beschreiben, die in der Lage ist, einen Versorgungsstrom eines Bauteilprüflings mit hoher Geschwindigkeit und großer Genauigkeit zu messen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Versorgungsstrom-Meßeinheit anzugeben, die zur Messung eines Versorgungsstroms IDD eines durch ein CMOS-Bauteil gebildeten Bauteilprüflings dient.
Außerdem ist es auch eine Aufgabe der vorliegenden Er­ findung, eine Versorgungsstrom-Meßeinheit zu beschrei­ ben, die in der Lage ist, eine Messung an einem Versor­ gungsstrom eines Bauteilprüflings innerhalb kurzer Zeit mit großer Genauigkeit durchzuführen, indem gemessene Versorgungsstromwerte durch eine Integrationsschaltung integriert und der integrierte Wert durch die gemessene Zeit gemittelt wird.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Versorgungsstrom-Meßeinheit anzugeben, die in der Lage ist, einen Durchschnittswert eines Versor­ gungsstroms für einen Bauteilprüfling direkt zu messen, indem sie eine Einstellung der Wiederholungsfrequenz eines vom Halbleiterprüfsystem dem Bauteilprüfling zu­ geführten Taktsignals mit Hilfe eines beliebigen Ska­ lierfaktors vornimmt und den Versorgungsstrom synchron zum eingestellten Taktsignal ermittelt.
Schließlich liegt der vorliegenden Erfindung auch die Aufgabe zugrunde, eine Versorgungsstrom-Meßeinheit zu beschreiben, die in der Lage ist, durch Einstellung ei­ ner Wiederholungsfrequenz eines vom Halbleiterprüfsy­ stem dem Bauteilprüfling zugeführten Taktsignals mit Hilfe eines beliebigen Skalierfaktors und durch Ermitt­ lung des Versorgungsstroms synchron zum eingestellten Taktsignal die Beziehung zwischen einem fehlerhaften Versorgungsstromwert und einem bestimmten, dem Bauteil­ prüfling zugeführten Taktsignal zu ermitteln.
Die Versorgungsstrom-Meßeinheit gemäß der vorliegenden Erfindung wird in einem Halbleiterprüfsystem vorgesehen und enthält die folgenden Bestandteile: einen D/A-Wand­ ler (Digital-Analog-Wandler) zur Erzeugung einer an den Bauteilprüfling anzulegenden Ausgangsspannung auf der Grundlage eines vom D/A-Wandler empfangenen digitalen Signals; einen Operationsverstärker zur Bildung einer Gegenkopplungsschleife und zum Anlegen der vom D/A- Wandler gelieferten Ausgangsspannung an einen Anschluß­ pin des Bauteilprüflings, wodurch dem Anschlußpin ein Versorgungsstrom durch einen einen bekannten Wider­ standswert aufweisenden Strommeßwiderstand zugeführt wird, einen Spannungsverstärker zur Verstärkung einer Spannung, die für die dem Bauteilprüfling zugeführte Versorgungsstrommenge charakteristisch ist, eine Inte­ grationsschaltung, die für einen bestimmten Integrati­ onszeitraum eine Integration eines Ausgangssignals des Spannungsverstärkers durchführt, und einen A/D-Wandler (Analog-Digital-Wandler) zur Umwandlung eines Ausgangs­ signals der Integrationsschaltung nach Ablauf des Inte­ grationszeitraums.
Das Halbleiterprüfsystem liefert ein Taktsignal für den Bauteilprüfling, das zur Aktivierung einer Operation des Bauteilprüflings dient, wobei ein Durchschnittswert des auf das Taktsignal zurückgehenden Versorgungsstroms durch die Versorgungsstrom-Meßeinheit gemessen wird. Die Integrationsschaltung der erfindungsgemäßen Versor­ gungsstrom-Meßeinheit umfaßt einen Umschalter, wobei die Integration erfolgt, indem der Umschalter für einen bestimmten Zeitraum geöffnet wird.
Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein Halbleiterprüfsystem zur Bewertung eines Halblei­ terbauteilprüflings. Das erfindungsgemäße Halbleiter­ prüfsystem enthält die folgenden Bestandteile: ein Prüfsignalerzeugungsmittel zur Erzeugung eines Prüfsi­ gnals für den Bauteilprüfling auf der Grundlage von vorab bereitgestellten Ereignisdaten, eine Pin-Elektro­ nik, die zwischen dem Prüfsignalerzeugungsmittel und dem Bauteilprüfling vorgesehen ist und die eine Pin-An­ steuerung, welche das Prüfsignal dem Bauteilprüfling mit einer festgelegten Amplitude zuführt, sowie einen Komparator umfaßt, der ein Antwortausgangssignal des Bauteilprüflings mit einer festgelegten Referenzspan­ nung vergleicht, und eine Versorgungsstrom-Meßeinheit, die zur Messung eines Versorgungsstroms des Bauteil­ prüflings entweder innerhalb oder außerhalb der Pin- Elektronik vorgesehen ist.
Die Versorgungsstrom-Meßeinheit umfaßt dabei die fol­ genden Bestandteile: einen D/A-Wandler zur Erzeugung einer an einen Bauteilprüfling anzulegenden Ausgangs­ spannung auf der Grundlage eines vom D/A-Wandler emp­ fangenen digitalen Signals, einen Operationsverstärker zur Bildung einer Gegenkopplungsschleife und zum Anle­ gen der vom D/A-Wandler gelieferten Ausgangsspannung an einen Anschlußpin des Bauteilprüflings, wodurch dem An­ schlußpin durch einen einen bekannten Widerstandswert aufweisenden Strommeßwiderstand ein Versorgungsstrom zugeführt wird, einen Spannungsverstärker zur Verstär­ kung einer Spannung, die für die dem Bauteilprüfling zugeführte Versorgungsstrommenge charakteristisch ist, eine Integrationsschaltung, die für einen bestimmten Integrationszeitraum eine Integration eines Ausgangssi­ gnals des Spannungsverstärkers durchführt, und einen A/D-Wandler zur Umwandlung eines Ausgangssignals der Integrationsschaltung nach Ablauf des Integrationszeit­ raums.
Das Halbleiterprüfsystem liefert zur Aktivierung einer Operation des Bauteilprüflings ein Taktsignal an den Bauteilprüfling. Das erfindungsgemäße Halbleiterprüfsy­ stem weist zudem noch eine Skalierfunktion auf, durch die sich zu den Ereignisdaten gehörende Zeitsteuerungs­ daten um einen beliebigen Faktor modifizieren lassen. Durch Einstellung der Wiederholungsfrequenz des vom Halbleiterprüfsystem an den Bauteilprüfling gesandten Taktsignals mit Hilfe der Skalierfunktion läßt sich eine Wiederholungsfrequenz des Taktsignals erzielen, die der Operationsgeschwindigkeit der Versorgungsstrom- Meßeinheit entspricht. Dementsprechend ist es möglich, den Taktsignalzyklus mit der Öffnungs-/Schließoperation des Umschalters in der Integrationsschaltung der Ver­ sorgungsstrom-Meßeinheit zu synchronisieren, was es er­ laubt, den Versorgungsstrom für einen bestimmten Takt­ signalzyklus zu messen.
Dies wiederum führt dazu, daß die erfindungsgemäße Ver­ sorgungsstrom-Meßeinheit in der Lage ist, den Versor­ gungsstrom des Bauteilprüflings mit hoher Geschwindig­ keit und großer Genauigkeit zu messen, so daß sich die Versorgungsstrom-Meßeinheit in vorteilhafter Weise bei der Messung eines Versorgungsstroms IDD eines CMOS-Bau­ teils einsetzen läßt. Die erfindungsgemäße Versorgungs­ strom-Meßeinheit ermöglicht es dabei, den Versorgungs­ strom eines Bauteilprüflings innerhalb eines kurzen Zeitraums mit großer Genauigkeit zu messen, indem ge­ messene Wellenformen des Versorgungsstroms mit Hilfe einer Integrationsschaltung integriert und für die Meß­ zeit ein Durchschnittswert des integrierten Werts er­ mittelt wird.
Die erfindungsgemäße Versorgungsstrom-Meßeinheit läßt sich in vorteilhafter Weise bei ereignisgestützten Prüfsystemen einsetzen. Sie ermöglicht eine direkte Mes­ sung eines Durchschnittswerts eines Versorgungsstroms des Bauteilprüflings durch Einstellung der Wiederho­ lungsfrequenz des vom ereignisgestützten Prüfsystem dem Bauteilprüfling zugeführten Taktsignals mit Hilfe eines beliebigen Faktors und durch Ermittlung des Versor­ gungsstroms synchron zum eingestellten Taktsignal. Da eine Messung des Versorgungsstroms des Bauteilprüflings synchron zum Taktsignal möglich ist, läßt sich hier auch die Beziehung zwischen einem fehlerhaften Versor­ gungsstromwert und einem bestimmten Taktsignal angeben, das den Fehler hervorgerufen hat.
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden unter Be­ zugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen
Fig. 1A ein Blockschaltbild des grundlegenden Aufbaus eines zyklusgestützten Halb­ leiterprüfsystems gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 1B ein Blockschaltbild des grundlegenden Aufbaus eines ereignisgestützten Halb­ leiterprüfsystems, bei dem es sich um einen neuartigen Halbleiterprüfsystem- Typ handelt;
Fig. 2 ein Blockschaltbild eines Beispiels für den Aufbau einer Pin-Elektronik, die sich sowohl im zyklusgestützten als auch im ereignisgestützten Halb­ leiterprüfsystem einsetzen läßt;
Fig. 3 einen Schaltplan eines Beispiels für den Aufbau einer herkömmlichen Versor­ gungsstrom-Meßeinheit zum Messen des Versorgungsstroms eines Bauteilprüf­ lings;
Fig. 4A bis 4D Zeitsteuerungsgraphiken zur Darstel­ lung einer Operation der in Fig. 3 ge­ zeigten herkömmlichen Versorgungs­ strom-Meßeinheit;
Fig. 5 einen Schaltplan eines Beispiels für den Aufbau einer erfindungsgemäßen Versorgungsstrom-Meßeinheit zum Messen des Versorgungsstroms eines Bauteil­ prüflings;
Fig. 6A bis 6C Zeitsteuerungsgraphiken zur Darstel­ lung einer Operation der in Fig. 5 ge­ zeigten erfindungsgemäßen Versorgungs­ strom-Meßeinheit; und
Fig. 7 ein Blockschaltbild eines Beispiels für den Aufbau einer Skalierschaltung für die Einstellung der Wiederholungs­ frequenz des vom ereignisgestützten Prüfsystem dem Bauteilprüfling zuge­ führten Taktsignals mit Hilfe eines beliebigen Faktors zur Messung des Versorgungsstroms mit Hilfe der erfin­ dungsgemäßen Versorgungsstrom-Meßein­ heit.
Das bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Fig. 5 und 6 näher erläutert. Das Blockschaltbild gemäß Fig. 5 zeigt den grundlegenden Aufbau der Versorgungs­ strom-Meßeinheit (Zuführstrom-Meßeinheit) gemäß der vorliegenden Erfindung. Den Zeitsteuerungsgraphiken ge­ mäß den Fig. 6A bis 6C lassen sich Wellenformen entneh­ men, die bei der Operation der in Fig. 5 gezeigten Ver­ sorgungsstrom-Meßeinheit auftreten. Bei der erfindungs­ gemäßen Versorgungsstrom-Meßeinheit wird der Versor­ gungsstrom des Bauteilprüflings durch eine Integrati­ onsschaltung integriert und ein Durchschnittswert der integrierten Stromwerte ermittelt, wodurch sich der Versorgungsstrom mit hoher Geschwindigkeit und großer Genauigkeit messen läßt.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, umfaßt die Versorungsstrom- Meßeinheit einen D/A-Wandler (Digital-Analog-Wandler) 71, einen Operationsverstärker 72, einen Strompuffer 73, einen Strommeßwiderstand 74, einen Differenzver­ stärker 75, eine Integrationsschaltung 83, Umschalter SW1 und SW2 und einen A/D-Wandler (Analog-Digital-Wand­ ler) 85. Die Integrationsschaltung 83 weist eine durch einen Integrationswiderstand 82 und einen Integrations­ kondensator C festgelegte Integrationskonstante auf.
Wenn die für die Stromzuführung an den Bauteilprüfling anzulegende Spannungsmenge durch eine Steuereinheit, etwa den Hauptrechner, festgelegt ist, erzeugt der D/A-Wandler 71 die festgelegte Spannung, die dann über den Operationsverstärker 72 an den Bauteilprüfling 28 ange­ legt wird. Der Operationsverstärker 72 wirkt dabei über den Strompuffer 73 und den Strommeßwiderstand 74 als Stromquelle für den Bauteilprüfling.
Wie sich Fig. 5 entnehmen läßt, handelt es sich bei dem Anschlußpin des Bauteilprüflings 28 um einen Rückkopp­ lungspunkt einer in der Meßeinheit ausgeformten Gegen­ kopplungsschleife, so daß die Eingangsspannung des Ope­ rationsverstärkers 72 der Spannung der Stromquelle des Bauteilprüflings 28 entspricht. Der Versorgungsstrom wird vom Operationsverstärker 72 über den Strommeßwi­ derstand 74 dem Bauteilprüfling 28 zugeführt. Somit wird der durch den Bauteilprüfling 28 fließende Versor­ gungsstrom durch die Spannung am Strommeßwiderstand 74 charakterisiert, die durch den Differenzverstärker 75 ermittelt wird.
Das Ausgangssignal des Differenzverstärkers 75 wird der Integrationsschaltung 83 durch den Umschalter SW1 zuge­ führt. Die Integrationsschaltung 83 integriert das an­ kommende Signal, solange der Schalter SW2 auf "aus" (offen) steht. Somit wird die Ausgangsspannung des Dif­ ferenzverstärker 75, die für den Versorgungsstrom des Bauteilprüflings charakteristisch ist, durch die Inte­ grationsschaltung 83 integriert. Wenn die Integrations­ operation durch Öffnen des Umschalters SW1 am Ende der Meßzeit (d. h. der Integrationszeit) angehalten wird, wandelt der A/D-Wandler 85 die Ausgangsspannung der In­ tegrationsschaltung 83 in einen digitalen Wert um. Der Durchschnittswert des Versorgungsstroms des Bauteil­ prüflings wird nun durch Division des digitalen Werts durch die Meßzeit ermittelt.
Die Zeitsteuerungsgraphiken gemäß den Fig. 6A bis 6C zeigen eine Operation der in Fig. 5 dargestellten erfin­ dungsgemäßen Versorgungsstrom-Meßeinheit. Das Prüfsy­ stem führt dem Bauteilprüfling 28 durch die (in Fig. 2 gezeigte) Pin-Ansteuerung 35 ein in Fig. 6A dargestell­ tes Taktsignal zu und startet hierdurch die Operation des Bauteilprüflings 28. Das Prüfsystem führt im übri­ gen zudem den Signalpins des Bauteilprüflings 28 Prüf­ muster zu, was sich der Zeichnung allerdings nicht ent­ nehmen läßt.
Bei der in Fig. 5 gezeigten Schaltanordnung läßt sich der Versorgungsstrom durch den Spannungsabfall am Strommeßwiderstand 74 ermitteln, wobei der Strom der in Fig. 6B gezeigten Wellenform entspricht. Die in Fig. 6B gezeigte Wellenform des gemessenen Stroms wird durch den Umschalter SW1 an die Integrationsschaltung 83 ge­ leitet. Der Umschalter SW2 der Integrationsschaltung 83 wird am durch die Taktsignal-Zeitsteuerung angegeben Startzeitpunkt geöffnet, was die Integrationsoperation in Gang setzt. Wie sich Fig. 6C entnehmen läßt, wird nun durch die Integrationsschaltung die impulsförmig ver­ laufende, gemessene Wellenform (gemäß Fig. 6B) inte­ griert.
Nach einer bestimmten Anzahl von Taktimpulsen wird schließlich der Umschalter SW1 geöffnet (d. h. auf "aus" gestellt) und die Ausgangsspannung der Integrations­ schaltung wird durch den A/D-Wandler 85 in ein digita­ les Signal umgewandelt. Der Durchschnittswert des dem Bauteilprüfling zugeführten Versorgungsstroms wird hierbei ermittelt, indem man den gemessenen und in ein digitales Signal verwandelten Wert durch die Länge des Zeitraums, in dem das Taktsignal dem Bauteilprüfling zugeführt wurde, d. h. durch die Länge der Integrations­ zeit, dividiert. Durch dieses Verfahren wird die gemes­ sene Stromwellenform während eines festgelegten Zeit­ raums fortlaufend integriert und der integrierte Span­ nungswert bei Ende des festgelegten Zeitraums durch den A/D-Wandler in das digitale Signal umgewandelt. Die Zeitsteuerung der Abtastung im A/D-Wandler wirkt sich dementsprechend nicht auf die Messung der Stromwellen­ formen aus, so daß es gemäß der vorliegenden Erfindung nicht - wie beim Stand der Technik - notwendig ist, im A/D-Wandler eine große Anzahl von Abtastoperationen durchzuführen, was wiederum dazu führt, daß sich hier die Strommessung mit hoher Geschwindigkeit und großer Genauigkeit durchführen läßt.
Die Gesamtoperationsgeschwindigkeit der in Fig. 5 ge­ zeigten Versorgungsstrom-Meßeinheit ist üblicherweise relativ gering, so daß beispielsweise ein Taktzyklus von einigen 10 Mikrosekunden oder mehr benötigt wird. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Schaltanordnung in der Strommeßeinheit den Operationsverstärker und die Integrationsschaltung umfaßt, die die Gegenkopplungs­ schleife bilden und relativ langsam operieren. Die Taktgeschwindigkeit eines Bauteilprüflings, etwa eines CMOS-Bauteils, ist im Betrieb erheblich höher als die Operationsgeschwindigkeit der Versorgungsstrom-Meßein­ heit, weshalb der Versorgungsstrom, wie erwähnt, wäh­ rend eines Zeitraums gemessen wird, der eine große An­ zahl von Taktsignalen umfaßt, wobei sodann für diesen Zeitraum ein Durchschnittswert für den Strom bestimmt wird.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird die Wiederholungsfrequenz des dem Bauteilprüfling zugeführten Taktsignals soweit verringert, daß sie der Operationsgeschwindigkeit der Versorgungsstrom-Meßein­ heit entspricht. Bei einem herkömmlichen Halbleiter­ prüfsystem ist es nicht möglich, die Wiederholungsfre­ quenz des dem Bauteilprüfling zugeführten Taktsignals frei mit Hilfe eines beliebigen (sowohl durch eine ganze Zahl als auch durch einen Bruch zu bildenden) Faktors einzustellen. Eine Idee für die Modifizierung der jeweiligen Zeitsteuerung von Ausgangsereignissen eines ereignisgestützten Halbleiterprüfsystems durch einen beliebigen Skalierfaktor sowie entsprechende Aus­ führungsbeispiele wurden von derselben Anmelderin be­ reits in der US-Patentanmeldung Nr. 09/286,226 angege­ ben.
Fig. 7 zeigt einen wesentlichen Bestandteil der in der genannten US-Patentanmeldung beschriebenen Skalierein­ heit. Die in Fig. 1B dargestellte Ereignissummier- und Skalierlogik 52 des ereignisgestützten Prüfsystems wird hierbei durch eine Ereignissummierlogik 62 und eine Er­ eignisverzögerungs-Skaliereinheit 66 gemäß Fig. 7 gebil­ det. Die Zeitsteuerungsdaten vom Ereigniszählspeicher 50 und dem Ereignisfeinabstimmungsspeicher 51 werden der Ereignissummierlogik 62 zugeführt, wo eine Addie­ rung der Verzögerungszeit aller Ereignisse erfolgt.
Die durch die Summierung der Zeitsteuerungsdaten in der Ereignissummierlogik 62 gewonnenen Daten werden nun durch die Ereignisverzögerungs-Skaliereinheit 66 mit einem Skalierfaktor multipliziert, was eine Modifizie­ rung der Ereigniszeitsteuerung bewirkt. Bei dieser Ope­ ration erfolgt auch ein Übertrag zwischen dem ganzzah­ ligen Datenteil und dem Bruch-Datenteil, was sich wie­ derum, der genannten US-Patentanmeldung im einzelnen entnehmen läßt. Wenn nun das durch den (in Fig. 2 darge­ stellten) Ereignisgenerator 24 erzeugte Ereignis als Taktsignal für den Bauteilprüfling dient, so ist es durch die Anordnung gemäß Fig. 7 möglich, die Wiederho­ lungsfrequenz des Taktsignals beliebig zu modifizieren.
Durch Einsatz der Skalierfunktion läßt sich die Zy­ kluszeit des Taktsignals gemäß Fig. 6A in ausreichendem Maße, d. h. etwa auf mehrere 10 Mikrosekunden, derart erhöhen, daß sie der Operationsgeschwindigkeit der Ver­ sorgungsstrom-Meßeinheit entspricht. Wird der Umschal­ ter SW2 nun synchron zum Taktsignal betrieben, so wei­ sen der Taktsignalzyklus und die Operation der Strom­ meßeinheit eine Zeitsteuerungsbeziehung von 1 : 1 auf. In diesem Fall erhält man jeweils für einen Taktsi­ gnalzyklus eine Wellenform des Versorgungsstroms, an der die Integrationsschaltung 83 und der A/D-Wandler 85 eine Messung durchführen. Entdeckt man nun einen Fehler im Versorgungsstrom, so ist es möglich, die Beziehung zwischen diesem Fehler und dem dem Bauteilprüfling zu­ geführten Taktsignal (Prüfmuster) festzustellen.
Wie sich der obigen Beschreibung entnehmen läßt, ist die Versorgungsstrom-Meßeinheit gemäß der vorliegenden Erfindung in der Lage, den Versorgungsstrom des Bau­ teilprüflings mit hoher Geschwindigkeit und großer Ge­ nauigkeit zu messen. Somit läßt sich die Versorgungs­ strom-Meßeinheit in vorteilhafter Weise für die Messung des Versorgungsstroms IDD eines CMOS-Bauteils einset­ zen. Die erfindungsgemäße Versorgungsstrom-Meßeinheit erlaubt es, den Versorgungsstrom des Bauteilprüflings durch Integration der gemessenen Stromwellenformen un­ ter Verwendung einer Integrationsschaltung und durch Bildung eines durch die Meßzeit dividierten Durch­ schnittswerts des integrierten Werts in einem kurzen Zeitraum mit hoher Genauigkeit zu messen.
Die Versorgungsstrom-Meßeinheit gemäß der vorliegenden Erfindung läßt sich in vorteilhafter Weise in einem er­ eignisgestützten Prüfsystem einsetzen. Die Versorgungs­ strom-Meßeinheit ist dabei in der Lage, eine direkte Messung des Durchschnittswerts des Versorgungsstroms des Bauteilprüflings durch Einstellung der Wiederho­ lungsfrequenz des vom ereignisgestützten Prüfsystem dem Bauteilprüfling zugeführten Taktsignals mit Hilfe eines beliebigen Faktors durchzuführen und den Versorgungs­ strom synchron zum eingestellten Taktsignal zu ermit­ teln. Da der Versorgungsstrom des Bauteilprüflings syn­ chron zum Taktsignal gemessen werden kann, ist es dabei möglich, die Beziehung zwischen einem fehlerhaften Ver­ sorgungsstrom und einem bestimmten Taktsignal festzu­ stellen, das den Fehler ausgelöst hat.

Claims (8)

1. Versorgungsstrom-Meßeinheit, die in einem Halblei­ terprüfsystem vorgesehen ist und zum Messen eines durch einen Bauteilprüfling fließenden Versorgungs­ stroms dient, wobei die Versorgungsstrom-Meßeinheit die folgenden Bestandteile enthält:
einen D/A-Wandler (Digital-Analog-Wandler) zur Erzeugung einer an den Bauteilprüfling anzule­ genden Ausgangsspannung auf der Grundlage eines vom D/A-Wandler empfangenen digitalen Signals;
einen Operationsverstärker zur Bildung einer Ge­ genkopplungsschleife und zum Anlegen der vom D/A-Wandler gelieferten Ausgangsspannung an einen Anschlußpin des Bauteilprüflings, wodurch dem Anschlußpin ein Versorgungsstrom durch einen einen bekannten Widerstandswert aufweisenden Strommeßwiderstand zugeführt wird;
einen Spannungsverstärker zur Verstärkung einer Spannung, die für die dem Bauteilprüfling zuge­ führte Versorgungsstrommenge charakteristisch ist;
eine Integrationsschaltung, die für einen be­ stimmten Integrationszeitraum eine Integration eines Ausgangssignals des Spannungsverstärkers durchführt; und
einen A/D-Wandler (Analog-Digital-Wandler) zur Umwandlung eines Ausgangssignals der Integrati­ onsschaltung nach Ablauf des Integrationszeit­ raums.
2. Versorgungsstrom-Meßeinheit nach Anspruch 1, wobei vom Halbleiterprüfsystem ein Taktsignal für den Bau­ teilprüfling bereitgestellt wird, um eine Operation des Bauteilprüflings zu aktivieren, und wobei in der Versorgungsstrommessung ein Durchschnittswert des auf das Taktsignal zurückgehenden Versorgungsstroms ermittelt wird.
3. Versorgungsstrom-Meßeinheit nach Anspruch 1, wobei die Integrationsschaltung einen Umschalter umfaßt und die Integration erfolgt, indem der Umschalter über einen bestimmten Zeitraum hinweg geöffnet wird.
4. Halbleiterprüfsystem zum Prüfen eines Halbleiterbau­ teils durch Zuführung eines Prüfsignals an einen Halbleiterbauteilprüfling und Bewertung eines Ant­ wortausgangssignals des Bauteilprüflings, wobei das Halbleiterprüfsystem die folgenden Bestandteile ent­ hält:
ein Prüfsignalerzeugungsmittel zur Erzeugung ei­ nes Prüfsignals für den Bauteilprüfling auf der Grundlage von vorab bereitgestellten Ereignisda­ ten;
eine Pin-Elektronik, die zwischen dem Prüfsi­ gnalerzeugungsmittel und dem Bauteilprüfling vorgesehen ist und die eine Pin-Ansteuerung, welche das Prüfsignal dem Bauteilprüfling mit einer festgelegten Amplitude zuführt, sowie einen Komparator umfaßt, der ein Antwortaus­ gangssignal des Bauteilprüflings mit einer fest­ gelegten Referenzspannung vergleicht; und
eine Versorgungsstrom-Meßeinheit, die zur Mes­ sung eines Versorgungsstroms des Bauteilprüf­ lings entweder innerhalb oder außerhalb der Pin- Elektronik vorgesehen ist;
wobei die Versorgungsstrom-Meßeinheit die folgenden Bestandteile umfaßt: einen D/A-Wandler zur Erzeugung einer an einen Bauteilprüfling anzulegenden Aus­ gangsspannung auf der Grundlage eines vom Wandler empfangenen digitalen Signals; einen Operationsver­ stärker zur Bildung einer Gegenkopplungsschleife und zum Anlegen der vom D/A-Wandler gelieferten Aus­ gangsspannung an einen Anschlußpin des Bauteilprüf­ lings, wodurch dem Anschlußpin durch einen einen be­ kannten Widerstandswert aufweisenden Strommeßwider­ stand ein Versorgungsstrom zugeführt wird; einen Spannungsverstärker zur Verstärkung einer Spannung, die für die dem Bauteilprüfling zugeführte Versor­ gungsstrommenge charakteristisch ist; eine Integra­ tionsschaltung, die für einen bestimmten Integrati­ onszeitraum eine Integration eines Ausgangssignals des Spannungsverstärkers durchführt; und einen A/D- Wandler zur Umwandlung eines Ausgangssignals der In­ tegrationsschaltung nach Ablauf des Integrations­ zeitraums.
5. Halbleiterprüfsystem nach Anspruch 4, wobei vom Halbleiterprüfsystem ein Taktsignal für den Bauteil­ prüfling bereitgestellt wird, um eine Operation des Bauteilprüflings zu aktivieren, und wobei in der Versorgungsstrommessung ein Durchschnittswert des auf das Taktsignal zurückgehenden Versorgungsstroms ermittelt wird.
6. Halbleiterprüfsystem nach Anspruch 4, weiterhin ent­ haltend eine Skalierfunktion, die eine Modifizierung der in den Ereignisdaten enthaltenen Zeitsteuerungs­ daten durch einen beliebigen Faktor ermöglicht, wo­ bei das Taktsignal so geregelt wird, daß seine Wie­ derholungsfrequenz der Operationsgeschwindigkeit der Versorgungsstrom-Meßeinheit entspricht, indem mit Hilfe der Skalierfunktion eine Einstellung der Wie­ derholungsfrequenz des vom Halbleiterprüfsystem dem Bauteilprüfling zugeführten Taktsignals erfolgt.
7. Halbleiterprüfsystem nach Anspruch 4, weiterhin ent­ haltend eine Skalierfunktion, die eine Modifizierung der in den Ereignisdaten enthaltenen Zeitsteuerungs­ daten durch einen beliebigen Faktor ermöglicht, wo­ bei das Taktsignal so geregelt wird, daß seine Wie­ derholungsfrequenz der Operationsgeschwindigkeit der Versorgungsstrom-Meßeinheit entspricht, indem mit Hilfe der Skalierfunktion eine Einstellung der Wie­ derholungsfrequenz des vom Halbleiterprüfsystem dem Bauteilprüfling zugeführten Taktsignals erfolgt, die es ermöglicht, den Taktsignalzyklus mit Öffnungs- und Schließoperationen des Umschalters in der Inte­ grationsschaltung der Versorgungsstrom-Meßeinheit zu synchronisieren und so eine Messung des einem be­ stimmten Taktsignalzyklus entsprechenden Versor­ gungsstroms durchzuführen.
8. Halbleiterprüfsystem nach Anspruch 4, weiterhin ent­ haltend einen Ereignisspeicher zur Speicherung der Ereignisdaten, die die Zeitsteuerung für jedes Er­ eignis angeben, sowie eine Adreßfolge-Steuereinheit zur Zuführung von Adreßdaten an den Ereignisspeicher und Mittel zur Erzeugung eines Prüfsignals auf der Grundlage der vom Ereignisspeicher gelieferten Er­ eignisdaten.
DE10114001A 2000-04-06 2001-03-22 Versorgungsstrom-Meßeinheit für ein Halbleiterprüfsystem sowie eine derartige Meßeinheit enthaltendes Halbleiterprüfsystem Withdrawn DE10114001A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/544,058 US6445208B1 (en) 2000-04-06 2000-04-06 Power source current measurement unit for semiconductor test system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10114001A1 true DE10114001A1 (de) 2001-12-13

Family

ID=24170587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10114001A Withdrawn DE10114001A1 (de) 2000-04-06 2001-03-22 Versorgungsstrom-Meßeinheit für ein Halbleiterprüfsystem sowie eine derartige Meßeinheit enthaltendes Halbleiterprüfsystem

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6445208B1 (de)
JP (1) JP4249402B2 (de)
KR (1) KR100499849B1 (de)
CN (1) CN1234015C (de)
DE (1) DE10114001A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7696771B2 (en) 2005-09-06 2010-04-13 Advantest Corporation Test apparatus and test method

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060103961A (ko) * 2001-07-17 2006-10-04 주식회사 아도반테스토 입출력 회로, 및 시험 장치
EP1504531B1 (de) * 2002-05-13 2006-11-08 Austriamicrosystems AG Digital-analog-umsetzer mit integrierter prüfschaltung
JP2004170314A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Advantest Corp 試験装置、試験方法、及び電流測定器
JP2005098981A (ja) * 2003-08-27 2005-04-14 Nec Corp 半導体集積回路装置、測定結果管理システム、及び管理サーバ
JP4473821B2 (ja) * 2004-01-29 2010-06-02 株式会社アドバンテスト 試験装置及び試験方法
EP1752779B1 (de) * 2004-06-24 2008-08-06 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Taktsynthese pro Stift
ATE441120T1 (de) 2004-07-07 2009-09-15 Verigy Pte Ltd Singapore Auswertung eines ausgangssignals eines gerade geprüften bausteins
JP4815141B2 (ja) * 2005-03-29 2011-11-16 富士通株式会社 回路異常動作検出システム
JP4949707B2 (ja) * 2006-03-22 2012-06-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びそのテスト方法
KR100811856B1 (ko) 2006-09-08 2008-03-10 (주)나노알앤씨 측정신호 표시방법 및 그 방법을 채용한 테스터기
US7501846B2 (en) * 2006-11-09 2009-03-10 Advantest Corporation Measurement apparatus and measurement method
WO2010044143A1 (ja) * 2008-10-14 2010-04-22 株式会社アドバンテスト 試験装置および製造方法
US8838406B2 (en) 2008-11-11 2014-09-16 Advantest (Singapore) Pte Ltd Re-configurable test circuit, method for operating an automated test equipment, apparatus, method and computer program for setting up an automated test equipment
CN101800860B (zh) * 2009-02-06 2012-05-30 中国科学院空间科学与应用研究中心 一种应用于科学级ccd的增益滤波电路
CN101853796B (zh) * 2009-04-01 2012-05-16 旺矽科技股份有限公司 探针卡
US8405407B2 (en) * 2009-06-05 2013-03-26 Chimei Innolux Corporation Current measurement circuit and measuring method thereof including a binary weighted capacitor array
KR101447612B1 (ko) * 2012-12-03 2014-10-13 마산대학교산학협력단 멀티 디바이스 테스터
TWI519143B (zh) 2013-12-30 2016-01-21 財團法人工業技術研究院 通訊系統、其方法與其接收端
CN103714863B (zh) * 2014-01-07 2017-02-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 测试闪存单元电流分布的***及方法
TWI518494B (zh) 2014-07-01 2016-01-21 華碩電腦股份有限公司 電子裝置及其電源供應的方法
KR20220033696A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에스케이하이닉스 주식회사 테스트 회로와 이를 포함하는 반도체 메모리 시스템
EP4050353A1 (de) * 2021-02-25 2022-08-31 Infineon Technologies AG Vorrichtung und verfahren zur messung eines vorrichtungsstroms einer zu prüfenden vorrichtung
KR102599709B1 (ko) * 2023-09-05 2023-11-08 (주) 에이블리 반도체검사장비 핀 드라이버 장치 및 그 운용방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3182444B2 (ja) * 1992-03-04 2001-07-03 株式会社日立製作所 Ad変換器
JP3233559B2 (ja) * 1995-08-14 2001-11-26 シャープ株式会社 半導体集積回路のテスト方法および装置
US5917331A (en) 1995-10-23 1999-06-29 Megatest Corporation Integrated circuit test method and structure
US5999008A (en) 1997-04-30 1999-12-07 Credence Systems Corporation Integrated circuit tester with compensation for leakage current
US5930735A (en) * 1997-04-30 1999-07-27 Credence Systems Corporation Integrated circuit tester including at least one quasi-autonomous test instrument
JPH1127148A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Tadahiro Omi 半導体集積回路
US6087843A (en) * 1997-07-14 2000-07-11 Credence Systems Corporation Integrated circuit tester with test head including regulating capacitor
JPH1183952A (ja) * 1997-09-12 1999-03-26 Fujitsu Ltd 電子回路の試験方法及び試験装置
US5951705A (en) * 1997-10-31 1999-09-14 Credence Systems Corporation Integrated circuit tester having pattern generator controlled data bus
JP2000055978A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Sharp Corp Cmos集積回路の電源電流測定装置
US6202186B1 (en) * 1999-01-29 2001-03-13 Credence Systems Corporation Integrated circuit tester having pattern generator controlled data bus
US6226765B1 (en) * 1999-02-26 2001-05-01 Advantest Corp. Event based test system data memory compression

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7696771B2 (en) 2005-09-06 2010-04-13 Advantest Corporation Test apparatus and test method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010095301A (ko) 2001-11-03
CN1320824A (zh) 2001-11-07
JP2001324552A (ja) 2001-11-22
JP4249402B2 (ja) 2009-04-02
KR100499849B1 (ko) 2005-07-08
US6445208B1 (en) 2002-09-03
CN1234015C (zh) 2005-12-28
US20020070726A1 (en) 2002-06-13
US6545460B2 (en) 2003-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10114001A1 (de) Versorgungsstrom-Meßeinheit für ein Halbleiterprüfsystem sowie eine derartige Meßeinheit enthaltendes Halbleiterprüfsystem
DE69919337T2 (de) Simultane anzeige von primären messwerten und davon abgeleiteten parametern
DE69004830T2 (de) Anordnung zum Ermitteln eines Ruhestroms einer integrierten monolithischen digitalen Schaltung, integrierte monolithische digitale Schaltung mit einer derartigen Anordnung und Prüfgerät mit einer derartigen Anordnung.
DE10103879B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Jittermessung
DE69830932T2 (de) Teilentladungsmesssystem unter verwendung von spitzendetektion
DE69733789T2 (de) Hochauflösendes Stromversorgungsprüfsystem
DE60111263T2 (de) Kalibrierung von einseitig abgeschlossenen kanälen zur erzielung differentielles signal-niveau
DE112005001645T5 (de) Präzise Zeitmessvorrichtung und Verfahren dafür
DE10101899A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterbauelementen
DE10116380A1 (de) Halbleiterprüfsystem
DE3438674A1 (de) Fuer die dynamische pruefung von schnellen datenwandlerkomponenten geeignete vorrichtung zum abtasten und digitalisieren von kurvenformen
DE10118139A1 (de) Ereignungsgestütztes Prüfsystem mit Pinkalibrierdatenspeicherung in einem leistungsunabhängigen Speicher
DE69828313T2 (de) System zur simultanen digitalen Messung von Spitzenspannung und Effektivspannung in Hochspannungssystemen
DE69733829T2 (de) Amplitudenkalibrierung eines messinstruments
DE19700513A1 (de) Mit CAD-Daten verknüpftes Halbleiterprüfsystem
DE19744651C2 (de) Halbleitertestvorrichtung zum Messen des Versorgungsstromes einer Halbleitereinrichtung
DE3623136C2 (de)
DE112007003552T5 (de) Störungsmessgerät und Prüfgerät
DE10132241B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterbauelementen
DE69333571T2 (de) Gerät zur automatischen prüfung von komplexen vorrichtungen
DE10006919A1 (de) Ereignisgestützes Prüfsystem
DE102005013327A1 (de) Analogsignalverlaufsinformationen von binär abgetasteten Messungen
DE60307297T2 (de) Verfahren und einrichtung zur ruhestrombestimmung
DE102011115308A1 (de) Signalerzeugung für spektrale Messungen
DE69828877T2 (de) Testsystem für integrierte schaltkreise mit wenigstens einem quasi-autonomen testinstrument

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8139 Disposal/non-payment of the annual fee