DE1008415B - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere fuer Selengleichrichter - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere fuer SelengleichrichterInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere für Selengleichrichter Bei dem Zusammenbau von Gleichrichterscheiben in Form von Säulen bzw. bei dem Anbringen von Anschlußfahnen an einzelnen Trockengleichrichterscheiben ist es an sich im Interesse einer guten Kontaktgebung erwünscht, die aneinandergereihten Teile an den Stromübergangsstellen mit einem möglichst hohen Druck zusammenzufügen. Soweit der Kontaktdruck jedoch auf solche Teile der Deckelektrode ausgeübt wird, die oberhalb der aktiven Sperrschicht liegen, besteht bereits bei mäßigen Drücken die Gefahr, daß die Sperrschicht beschädigt oder in ihrer Wirksamkeit herabgesetzt wird. Zur Vermeidung dieser Schwierigkeit ist es bereits bekannt, bei Trockengleichrichterscheiben an der oder den betriebsmäßig auf Druck beanspruchten Stellen einen Isolierring zu benutzen. Dieser Isolierring kann entweder zwischen der Deckelektrode -und der Halbleiterschicht, zwischen Halbleiterschicht und Trägerplatte oder Trägerplatte und Deckelektrode des Gleichrichterelementes vorgesehen werden. Wird ein solcher Isolierring z. B. aus Lack hergestellt, so haben sich bei den relativ hohen Temperaturen, wie sie für die thermische Behandlung des Gleichrichterelementes notwendig sind, nachteilige Erscheinungen gezeigt, welche in der Verdampfung des Lösungsmittels bzw. flüssigen Bestandteile des Lacks begründet sind, indem eine Blasenbildung stattfand und dadurch eine nachteilige Beeinträchtigung der darüberliegenden Deckelektrode. Ähnliche Störungen treten auf, wenn Isolierfolien angeklebt werden. Die flüchtigen Bestandteile des Klebmittels treten bei höheren Temperaturen an den Folienrändern heraus und verursachen dort Blasenbildung in der Deckelektrode. Außerdem müssen Folien aus besonders hitzebeständigem Material benutzt werden. die überdies bei den hohen Umwandlungstemperaturen (bis 218° C) zumeist schrumpfen.
- Es ist an sich auch bekannt, bei der Fertigung von Gleichrichterscheiben einen zentralen Bereich sowohl beim Aufbringen der Halbleiterschicht wie leim Aufbringen der Deckelektrode frei zu. lassen und mit einer derart bereits fertiggestellten Gleichrichterscheibe eine Isolierscheibe und eine Al)nal-i.meelektrodc als besondere Bauteile .mit Hilfe mechanischer Mittel, beispielsweise eines Schraubenbolzens, zu vereinigen. Bei diesen bekannten Anordnungen nimmt die Isolierschicht zwar den Montagedruck auf, nicht jedoch den Kontaktdruck zwischen Deckelektrode und Abnahrneelektrode, so daß der Kontaktdruck an dieser Stromübergangsstelle aus den obengenannten Gründen auf einen niedrigen Wert begrenzt ist.
- Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Herstellung von solchen Trockengleichrichterscheiben, insbesondere Selengleichrichter, mit einer Isolierschicht an der oder den betriebsmäßig auf Druck heanspruchten Stellen der Halbleiterschicht und einer ;lbnahmeelektrode, die außer mit der Deckelektrode noch mit der Isolierschicht der Gleichrichterscheibe mechanisch vereinigt ist. Erfindungsgemäß lassen sich die Mängel der bekannten Anordnungen dadurch vermeiden, daß nach Abschluß der thermischen Behandlung des mit Deckelektrode versehenen Gleichrichterelementes die'Isolierschicht an einer für sie frei gelassenen Stelle der Trägerplatte oder der Halbleiterschicht aufgebracht und danach die sie und einen Teil der Deckelektrode überdeckende Abnahmeelektrode so aufgebracht wird, daß sie sich mit den von ihr bedeckten Flächen durch gegenseitige Eigenhaftung verbindet. Hierbei kann bei Anwendung von Lack vorteilhaft in der Weise verfahren werden, daß gleichzeitig mit dem Isolierring für die betriebsmäßig auf Druck beanspruchte Stelle die übliche Schutzlackierung auf die Gleichrichterplatte aufgebracht bzw. aufgespritzt wird, wobei eine oder mehrere Stellen, an welchen die aufzubringende Abnahmeelektrode dann mit der Deckelektrode in Berührung gebracht «erden bzw. der gegenseitige Kontakt hergestellt werden kann, beim Spritzen durch entsprechende Abdeckungen. z. B. Schablonen, frei gelassen werden.
- Ein Ausführungsbeispiel für die Anwendung der Erfindung zeigt die Zeichnung. 1 bezeichnet die Trägerplatte des Gleichrichterelementes, 2 die Halbleiterschicht, 3 die auf diese aufgespritzte Deckelektrode, 4 den nach der Fertigstellung,des aus ,den Teilen 1 bis 3 bestehenden Gleichrichterelementes aufgebrachten Isolierring, der zugleich mit dem Lackschutz 5 aufgebracht werden kann, wenn der Isolierring auch aus Lack besteht. Bei diesem Aufspritzen des Ringes 4 und -der Schutzlackierung 5 ist eine Ringfläche 6 auf der Deckelektrode 3 frei gelassen worden für den Kontakt mit der nachträglich aufzubringenden Abnahmeelektrode 7.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere für Selengleichrichter, mit einer Isolierschicht an der oder den betriebsmäßig auf Druck beanspruchten Stellen der Halbleiterschicht und einer Abnahmeelektrode, die außer mit der Deckelektrode noch mit der Isolierschicht dar Gleichrichterscheibe mechanisch vereinigt igt, dadurch gekennzeichnet, daß nach Abschluß der thermischen Behandlung des mit Deckelektrode versehenen Gleichrichterelementes die Isolierschicht an einer für sie frei gelassenen Stelle der Trägerplatte oder der Halbleiterschicht aufgebracht und danach die sie und einen Teil der Deckelektrode überdeckende Abnahmeelektrode so aufgebracht wird, daß sie sich mit den von ihr bedeckten Flächen durch gegenseitige Eigenhaftung verbindet.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn-, zeichnet, daß gleichzeitig die Isolierschicht aus Lack an der betriebsmäßig auf Druck beanspruch. ten Stelle und ein Lackschutzüberzug auf den übrigen Teil der Oberfläche des Gleichrichterelementes aufgebracht wird unter Freilassung einer oder mehrerer Aussparungen für den Durchtritt und Kontakt der aufzubringenden Abnahmeelektrode mit der Oberfläche .der Deckelektrode. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 2 314 104; französische Patentschriften Nr. 92-1988, 939 072; schweizerische Patentschriften Nr. 268 970, 213 494, 219 501; AEG Mitteilungen, 1937, Heft 5, S. 185.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3302076A (en) * | 1963-06-06 | 1967-01-31 | Motorola Inc | Semiconductor device with passivated junction |
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- 1952-11-17 DE DES31101A patent/DE1008415B/de active Pending
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