DE971650C - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 29
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 29
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/103—Conversion of the selenium or tellurium to the conductive state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Die bisher bekanntgewordenen Selengleichrichter sind zum Teil äußerst empfindlich gegen die Einwirkung atmosphärischer Feuchtigkeit sowie von Dämpfen und insbesondere Quecksilberdämpfen. Es ist vorgeschlagen worden, durch Lackierung der Gleichrichter eine Schutzwirkung zu erreichen, jedoch nur mit begrenztem Erfolg, da es schwierig ist, Lacküberzüge zu. erhalten, die auf die Dauer völlig dicht sind. Die Lacke haben außerdem selbst vielfach einen mehr oder weniger ungünstigen Einfluß auf die Gleichrichterscheiben.
- Gemäß der Erfindung wird die Einwirkung von Feuchtigkeit oder Dämpfen auf die aktiven Teile einer Selengleichrichterscheibe dadurch mit Sicherheit vermieden, daß als Deckelektrode nicht, wie bisher üblich, eine aufgespritzte Metallschicht, sondern eine massive Metallscheibe dient, welche mit der Selenhalbleiterschicht eine gute Haftung eingeht. Die Spritzschichten bei den bekannten Selengleichrichtern sind verhältnismäßig dünn und nie ganz dicht. Es läßt sich bei ihnen daher nur mit großen Schwierigkeiten erreichen, daß Feuchtigkeit oder Dämpfe nicht durchdringen können. Der Selengleichrichter nach der Erfindung hat eine massive Metallplatte als Deckelektrode, und zwar eine Metallplatte, deren Stärke so groß gewählt ist, daß sie gegen das Eindringen von Feuchtigkeit oder Dämpfen mit Sicherheit dicht ist. Die Stärke der Gegenelektrodenscheibe wird sich nach der Art des verwendeten Werkstoffes richten. Es ist vorteilhaft, die Scheibe etwa in gleicher Stärke zu wählen wie die Trägerelektrode, auf der die Selenschicht aufgeschmolzen oder anderweitig, beispielsweise durch Aufdampfen, aufgebracht ist.
- Die massive Gegenelektrode wird erfindungsgemäß durch Aufdrücken auf die im Schmelzzustand befindliche Oberfläche der Selenschicht mit dieser zur gegenseitigen Haftung gebracht, und zwar beispielsweise nach dem Aufschmelzen des Selens auf die noch geschmolzene Selenoberfläche aufgedrückt.
- Nach dem Aufbringen der massiven Deckelektrode, also nach Fertigstellung des Gesamtaufbaues der Gleichrichterscheibe, kann mit der notwendigen thermischen Behandlung begonnen werden. Die erste thermische Umwandlung kann aber auch mit dem Aufpressen der Deckelektrode in der Weise verbunden werden, daß die aufzupressende Scheibe entsprechend erhitzt wird.
- Die Gegenelektrodenscheibe kann aus dem gleichen Werkstoff bestehen wie die Trägerelektrode. Zweckmäßig wird die Gegenelektrode an der der Selenschicht zugekehrten Seite mit einer Metallschicht der notwendigen Zusammensetzung, z. B. einer Legierung aus Zinn und Cadmium, überzogen. Es sind dabei Metallschichten derart zu verwenden, wie sie bei Selengleichrichtern mit dem bekannten Aufbau als Deckelektrode auf die Selenschicht aufgebracht werden. Die mit dieser Metallschicht zu versehende, massive Deckelektrode wird zweckmäßig vorher aufgerauht, um ein gutes Haften der Metallschicht auf der Deckelektrodenscheibe zu gewährleisten.
- Es sind zwar für Selengleichrichter bereits massive Deckelektroden bekanntgeworden. So hat man eine solche Deckelektrode bereits an die feste Halbleiterschicht angedrückt. Einer Haftung zwischen Deckelektrode und Halbleiterschicht ist dabei keine besondere Beachtung geschenkt worden. Es ist ferner vorgeschlagen worden, eine massive Deckelektrode zu benutzen, welche auf ihrer der Halbleiterschicht zugewandten Seite zunächst mit einer Lage aus einer niedrigschmelzenden Legierung versehen wird. Nach dem Anbringen der Gegenelektrode auf der festen Halbleiterschicht wird diese Metallage zum Schmelzen gebracht. Durch dieses bekannte Verfahren und die bekannte Anordnung soll ein guter Kontakt zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode erzeugt werden und durch Ausnutzung der Oberflächenspannung der Schmelze einem Diffundieren oder Einsickern des Metalls in die Risse der festen Halbleiterschicht vorgebeugt werden. Wegen des Zusammenbringens der Deckelektrode mit der im festen Zustand während des Aufbringprozesses der Deckelektrode verbleibenden Halbleiterschicht liegt bei diesem bekannten Vorschlag nicht die erfindungsgemäße Erkenntnis für eine Verbesserung des Gleichrichters vor, die dadurch erreicht wird, daß das Aufbringen der Geglenelektrode auf die geschmolzene Selenoberfläche stattfindet.
- Die Deckelektrodenscheibe kann den gleichen Durchmesser besitzen wie die Trägerelektrode. Man kann jedoch auch einen etwas kleineren Außendurchmesser wählen, so daß die Selenschicht etwas über den Rand der Deckelektrode hinausragt. In diesem Fall ist es zweckmäßig, die Randschicht noch mit einem geeigneten Überzug zu versehen und sie dadurch gegen Einflüsse von außen zu schützen. Auch bei dieser Ausführungsform ist jedoch die aktive Selenschicht zwischen der Trägerelektrode und der massiven Deckelektrode eingebettet und dadurch gegen äußere Einflüsse praktisch vollkommen geschützt.
- Wenn die Gegenelektrode und die Grundscheibe gleichen Durchmesser haben, so verbleibt nur eine schmale Kante der Halbleiterschicht am Außenrand und an der für den Tragbolzen vorgesehenen Bohrung der Scheibe unbedeckt. Um auch in diesem Fall zu verhindern, daß Feuchtigkeit oder Dämpfe, insbesondere Quecksilberdämpfe, von der Kante her angreifen, wird zweckmäßig ein etwa 2 bis 3 mm breiter Ring aus isolierendem Werkstoff, beispielsweise Papier, am Außenrande der Scheibe und um die innere Bohrung vorgesehen. Dieser Ring kann auf die Gegenelektrode vor deren Aufdrücken auf das geschmolzene Selen aufgebracht werden. Dieser Ring drückt sich beim Aufpressen der Gegenelektrode in das Selen ein und bildet einen guten Abschluß nach außen. Der Ring hat außerdem noch den Vorteil, daß er dafür sorgt, daß zwischen der aufgepreßten Gegenelektrode und der die Selenschicht tragenden Grundscheibe ein Abstand gehalten wird, der der Dicke des isolierenden Ringes entspricht.
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, dadurch gekennzeichnet, daß die massive Deckelektrodenscheibe durch Aufdrücken auf die noch im Schmelzzustand befindliche Selenoberfläche mit der Selenschicht zur gegenseitigen Haftung gebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Umwandlung der Selenschicht erst nach dem Aufbringen der Deckelektrode vorgenommen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckelektrode beim Rufpressen auf die Selenschicht zwecks Durchführung der ersten thermischen Umwandlung erhitzt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch I, dadurch. gekennzeichnet, daß die Deckelektrodenscheibe an der der Selenschicht zugekehrten Seite mit einem Überzug, vorzugsweise einer Zinn-Cadmium-Legierung, versehen ist, der beispielsweise aufgespritzt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch q., dadurch gekennzeichnet, daß die Deckelektrodensc'heibe vor dem Aufbringen der Metallschicht aufgerauht wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckelektrodenscheibe so bemessen ist, daß an ihren Rändern ein Teil der Selenschicht frei gelassen wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die überstehende Selenschicht mit einem Schutzüberzug versehen ist. B. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Rand bzw. den Rändern der Deckelektrode, welche der Halbleiterschicht zugewandt sind, ein Ring aus isolierendem Werkstoff, beispielsweise Papier, angebracht ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Österreichische Patentschrift Nr. 117 386; holländische Patentschrift Nr. 46405; britische Patentschrift Nr. 472 961; USA.-Patentschrift Nr. 2 124 3o6.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES12583D DE971650C (de) | 1944-09-28 | 1944-09-29 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0012583 | 1944-09-28 | ||
DES12583D DE971650C (de) | 1944-09-28 | 1944-09-29 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE971650C true DE971650C (de) | 1959-03-05 |
Family
ID=25994843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES12583D Expired DE971650C (de) | 1944-09-28 | 1944-09-29 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE971650C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1145980B (de) * | 1961-07-14 | 1963-03-21 | Gerrit Jan Van Elten | Vorrichtung zum Zerschneiden eines auf Formplatten fortlaufend bewegten Holzwolle-Bindemittel-Stranges in Abschnitte gleicher Laenge |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL46405C (de) * | 1936-02-04 | 1900-01-01 | ||
AT117386B (de) * | 1927-12-06 | 1930-04-25 | Sueddeutsche Telefon App Kabel | Elektrischer Wechselstromgleichrichter. |
GB472961A (en) * | 1936-03-30 | 1937-09-30 | Henriette Rupp | Improvements in the manufacture of dry rectifiers, photo-electric cells, elements for thermo-electric couples and the like |
US2124306A (en) * | 1934-08-08 | 1938-07-19 | Int Standard Electric Corp | Electrical device |
-
1944
- 1944-09-29 DE DES12583D patent/DE971650C/de not_active Expired
Patent Citations (4)
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