DE1008415B - Process for the production of dry rectifier disks, especially for selenium rectifiers - Google Patents

Description

Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere für Selengleichrichter Bei dem Zusammenbau von Gleichrichterscheiben in Form von Säulen bzw. bei dem Anbringen von Anschlußfahnen an einzelnen Trockengleichrichterscheiben ist es an sich im Interesse einer guten Kontaktgebung erwünscht, die aneinandergereihten Teile an den Stromübergangsstellen mit einem möglichst hohen Druck zusammenzufügen. Soweit der Kontaktdruck jedoch auf solche Teile der Deckelektrode ausgeübt wird, die oberhalb der aktiven Sperrschicht liegen, besteht bereits bei mäßigen Drücken die Gefahr, daß die Sperrschicht beschädigt oder in ihrer Wirksamkeit herabgesetzt wird. Zur Vermeidung dieser Schwierigkeit ist es bereits bekannt, bei Trockengleichrichterscheiben an der oder den betriebsmäßig auf Druck beanspruchten Stellen einen Isolierring zu benutzen. Dieser Isolierring kann entweder zwischen der Deckelektrode -und der Halbleiterschicht, zwischen Halbleiterschicht und Trägerplatte oder Trägerplatte und Deckelektrode des Gleichrichterelementes vorgesehen werden. Wird ein solcher Isolierring z. B. aus Lack hergestellt, so haben sich bei den relativ hohen Temperaturen, wie sie für die thermische Behandlung des Gleichrichterelementes notwendig sind, nachteilige Erscheinungen gezeigt, welche in der Verdampfung des Lösungsmittels bzw. flüssigen Bestandteile des Lacks begründet sind, indem eine Blasenbildung stattfand und dadurch eine nachteilige Beeinträchtigung der darüberliegenden Deckelektrode. Ähnliche Störungen treten auf, wenn Isolierfolien angeklebt werden. Die flüchtigen Bestandteile des Klebmittels treten bei höheren Temperaturen an den Folienrändern heraus und verursachen dort Blasenbildung in der Deckelektrode. Außerdem müssen Folien aus besonders hitzebeständigem Material benutzt werden. die überdies bei den hohen Umwandlungstemperaturen (bis 218° C) zumeist schrumpfen.Process for the production of dry rectifier disks, in particular for selenium rectifiers When assembling rectifier discs in the form of Columns or when attaching terminal lugs to individual dry rectifier disks it is desirable in the interest of a good contact, the lined up Assemble parts at the flow transition points with the highest possible pressure. However, if the contact pressure is exerted on such parts of the cover electrode, which are above the active barrier layer already exists at moderate pressures the risk of the barrier layer being damaged or reduced in its effectiveness will. To avoid this difficulty, it is already known in the case of dry rectifier disks an insulating ring at the point or points which are operationally stressed by pressure to use. This insulating ring can either be between the top electrode and the Semiconductor layer, between the semiconductor layer and carrier plate or carrier plate and cover electrode of the rectifier element are provided. Will be such Isolation ring z. B. made of paint, so have at the relatively high temperatures, as they are necessary for the thermal treatment of the rectifier element, adverse phenomena shown, which in the evaporation of the solvent or liquid components of the paint are justified by the formation of bubbles and thereby a disadvantageous impairment of the overlying cover electrode. Similar malfunctions occur when insulating foils are glued on. The fleeting ones Components of the adhesive occur at higher temperatures on the edges of the film out and cause bubbles to form in the top electrode. Also have to Foils made of particularly heat-resistant material are used. which moreover at the high transition temperatures (up to 218 ° C) mostly shrink.

Es ist an sich auch bekannt, bei der Fertigung von Gleichrichterscheiben einen zentralen Bereich sowohl beim Aufbringen der Halbleiterschicht wie leim Aufbringen der Deckelektrode frei zu. lassen und mit einer derart bereits fertiggestellten Gleichrichterscheibe eine Isolierscheibe und eine Al)nal-i.meelektrodc als besondere Bauteile .mit Hilfe mechanischer Mittel, beispielsweise eines Schraubenbolzens, zu vereinigen. Bei diesen bekannten Anordnungen nimmt die Isolierschicht zwar den Montagedruck auf, nicht jedoch den Kontaktdruck zwischen Deckelektrode und Abnahrneelektrode, so daß der Kontaktdruck an dieser Stromübergangsstelle aus den obengenannten Gründen auf einen niedrigen Wert begrenzt ist.It is also known per se in the manufacture of rectifier disks a central area both when applying the semiconductor layer and applying glue the top electrode freely closed. let and with such an already completed Rectifier disk an insulating disk and an Al) nal-i.meelectrodc as special Components. With the help of mechanical means, for example a screw bolt, to unite. In these known arrangements, the insulating layer takes the Assembly pressure, but not the contact pressure between the cover electrode and the removal electrode, so that the contact pressure at this current transition point for the reasons mentioned above is limited to a low value.

Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Herstellung von solchen Trockengleichrichterscheiben, insbesondere Selengleichrichter, mit einer Isolierschicht an der oder den betriebsmäßig auf Druck heanspruchten Stellen der Halbleiterschicht und einer ;lbnahmeelektrode, die außer mit der Deckelektrode noch mit der Isolierschicht der Gleichrichterscheibe mechanisch vereinigt ist. Erfindungsgemäß lassen sich die Mängel der bekannten Anordnungen dadurch vermeiden, daß nach Abschluß der thermischen Behandlung des mit Deckelektrode versehenen Gleichrichterelementes die'Isolierschicht an einer für sie frei gelassenen Stelle der Trägerplatte oder der Halbleiterschicht aufgebracht und danach die sie und einen Teil der Deckelektrode überdeckende Abnahmeelektrode so aufgebracht wird, daß sie sich mit den von ihr bedeckten Flächen durch gegenseitige Eigenhaftung verbindet. Hierbei kann bei Anwendung von Lack vorteilhaft in der Weise verfahren werden, daß gleichzeitig mit dem Isolierring für die betriebsmäßig auf Druck beanspruchte Stelle die übliche Schutzlackierung auf die Gleichrichterplatte aufgebracht bzw. aufgespritzt wird, wobei eine oder mehrere Stellen, an welchen die aufzubringende Abnahmeelektrode dann mit der Deckelektrode in Berührung gebracht «erden bzw. der gegenseitige Kontakt hergestellt werden kann, beim Spritzen durch entsprechende Abdeckungen. z. B. Schablonen, frei gelassen werden.The invention relates to methods of making such Dry rectifier disks, in particular selenium rectifiers, with an insulating layer at the point or points of the semiconductor layer which are operationally stressed by pressure and a pick-up electrode which, in addition to the cover electrode, also has the insulating layer the rectifier disk is mechanically united. According to the invention, the Avoid shortcomings of the known arrangements that after completion of the thermal Treatment of the rectifier element provided with the cover electrode die'Isolerschicht at a location on the carrier plate or the semiconductor layer that is left free for them applied and then the pickup electrode covering it and part of the cover electrode is applied so that it is with the surfaces covered by it by mutual Self-liability connects. In this case, when using varnish, it can be advantageous in this way be proceeded that simultaneously with the insulating ring for operationally on Pressure stressed the usual protective coating on the rectifier plate is applied or sprayed on, with one or more points at which the pickup electrode to be applied is then brought into contact with the cover electrode «Can be grounded or mutual contact can be established when spraying through corresponding covers. z. B. stencils, are left free.

Ein Ausführungsbeispiel für die Anwendung der Erfindung zeigt die Zeichnung. 1 bezeichnet die Trägerplatte des Gleichrichterelementes, 2 die Halbleiterschicht, 3 die auf diese aufgespritzte Deckelektrode, 4 den nach der Fertigstellung,des aus ,den Teilen 1 bis 3 bestehenden Gleichrichterelementes aufgebrachten Isolierring, der zugleich mit dem Lackschutz 5 aufgebracht werden kann, wenn der Isolierring auch aus Lack besteht. Bei diesem Aufspritzen des Ringes 4 und -der Schutzlackierung 5 ist eine Ringfläche 6 auf der Deckelektrode 3 frei gelassen worden für den Kontakt mit der nachträglich aufzubringenden Abnahmeelektrode 7.An exemplary embodiment for the application of the invention is shown in FIG Drawing. 1 denotes the carrier plate of the rectifier element, 2 the semiconductor layer, 3 the cover electrode sprayed onto this, 4 the after completion of the insulating ring applied to parts 1 to 3 of the existing rectifier element, which can be applied at the same time with the paint protection 5 if the insulating ring even consists of varnish. During this spraying of the ring 4 and the protective coating 5, an annular surface 6 on the cover electrode 3 has been left free for the contact with the subsequently applied pick-up electrode 7.

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterscheiben, insbesondere für Selengleichrichter, mit einer Isolierschicht an der oder den betriebsmäßig auf Druck beanspruchten Stellen der Halbleiterschicht und einer Abnahmeelektrode, die außer mit der Deckelektrode noch mit der Isolierschicht dar Gleichrichterscheibe mechanisch vereinigt igt, dadurch gekennzeichnet, daß nach Abschluß der thermischen Behandlung des mit Deckelektrode versehenen Gleichrichterelementes die Isolierschicht an einer für sie frei gelassenen Stelle der Trägerplatte oder der Halbleiterschicht aufgebracht und danach die sie und einen Teil der Deckelektrode überdeckende Abnahmeelektrode so aufgebracht wird, daß sie sich mit den von ihr bedeckten Flächen durch gegenseitige Eigenhaftung verbindet. PATENT CLAIMS: 1. Process for the production of dry rectifier disks, especially for selenium rectifiers, with an insulating layer on the one or more operationally areas of the semiconductor layer exposed to pressure and a pick-up electrode, which apart from the cover electrode also with the insulating layer of the rectifier disk mechanically united, characterized in that after completion of the thermal Treatment of the rectifier element provided with the cover electrode, the insulating layer at a location on the carrier plate or the semiconductor layer that is left free for them applied and then the pickup electrode covering it and part of the cover electrode is applied so that it is with the surfaces covered by it by mutual Self-liability connects. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn-, zeichnet, daß gleichzeitig die Isolierschicht aus Lack an der betriebsmäßig auf Druck beanspruch. ten Stelle und ein Lackschutzüberzug auf den übrigen Teil der Oberfläche des Gleichrichterelementes aufgebracht wird unter Freilassung einer oder mehrerer Aussparungen für den Durchtritt und Kontakt der aufzubringenden Abnahmeelektrode mit der Oberfläche .der Deckelektrode. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 2 314 104; französische Patentschriften Nr. 92-1988, 939 072; schweizerische Patentschriften Nr. 268 970, 213 494, 219 501; AEG Mitteilungen, 1937, Heft 5, S. 185.2. The method according to claim 1, characterized in, characterized that at the same time the insulating layer of paint on the operationally stressed pressure. th point and a protective paint coating on the remaining part of the surface of the rectifier element is applied leaving one or more recesses for the passage and contact of the pickup electrode to be applied with the surface of the cover electrode. References considered: U.S. Patent No. 2,314,104; french Patent Nos. 92-1988, 939 072; Swiss patents No. 268 970, 213 494, 219 501; AEG Mitteilungen, 1937, issue 5, p. 185.