DE10060665A1 - Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Abstract

Es werden ein nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und ein Verfahren zu dessen Herstellung offenbart, wobei eine Prozesstoleranz erhöht ist, um Prozessschritte einfach ausführen zu können. Auch kann die Anzahl von Masken verringert werden, um Kosten einzusparen und gleichzeitig die Layoutfläche zu minimieren. DOLLAR A Der erfindungsgemäße Speicher ist mit Folgendem versehen: einer ersten und einer zweiten Teilwortleitung, die mit bestimmten Intervallen in einer Richtung auf einem Substrat ausgebildet sind; einer ersten Elektrode eines ersten ferroelektrischen Kondensators, die auf der zweiten Teilwortleitung ausgebildet ist, und einer ersten Elektrode eines zweiten ferroelektrischen Kondensators, die auf der ersten Teilwortleitung ausgebildet ist; einer ersten und einer zweiten ferroelektrischen Schicht (109, 109a), die auf den Oberflächen der ersten Elektroden des ersten bzw. zweiten ferroelektrischen Kondensators ausgebildet sind; zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators, die auf den Oberflächen der ersten bzw. zweiten ferroelektrischen Schicht ausgebildet sind; einer ersten leitenden Schicht zum Verbinden der zweiten Elektrode des ersten ferroelektrischen Kondensators mit dem Substrat auf einer Seite der zweiten Teilwortleitung; einer zweiten leitenden Schicht zum Verbinden der zweiten Elektrode des zweiten ferroelektrischen Kondensators mit dem Substrat auf einer Seite der ersten Teilwortleitung; und einer ersten und einer ...

Description

Die Erfindung betrifft einen nichtflüchtigen ferroelektri­ schen Speicher sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.

Ferroelektrische Speicher, d. h. FRAMs (ferroelectric random access memory = ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher) weisen im Allgemeinen eine ähnliche Datenverarbeitungsge­ schwindigkeit wie DRAMs (dynamic random access memory = dy­ namischer Direktzugriffsspeicher) auf, und sie halten Daten selbst dann aufrecht, wenn die Spannung abgeschaltet wird. Aus diesem Grund ziehen nichtflüchtige ferroelektrische Speicher als Speicherbauteile der nächsten Generation viel Aufmerksamkeit auf sich.

FRAMs und DRAMs sind Speicherbauteile mit beinahe gleicher Struktur, und sie verfügen über einen ferroelektrischen Kon­ densator mit hoher Restpolarisation, der es ermöglicht, dass Daten selbst dann nicht gelöscht werden, wenn ein zu deren Einspeicherung verwendetes elektrisches Feld weggenommen wird.

Fig. 1 zeigt die Hystereseschleife eines üblichen ferroelek­ trischen Materials.

Wie es in Fig. 1 dargestellt ist, werden selbst dann, wenn die durch ein elektrisches Feld im Ferroelektrikum induzier­ te Polarisation abnimmt, Daten in gewissem Ausmaß (Zustände d und a) wegen des Vorliegens von Restpolarisation (oder spontaner Polarisation) ohne Löschung aufrechterhalten. Die­ se Zustände d und a entsprechen Zuständen 1 bzw. 0 bei An­ wendung auf eine Speicherzelle.

Nachfolgend sind unter Speichern nichtflüchtige ferroelek­ trische Speicher zu verstehen, solange nichts anderes spe­ ziell angegeben ist.

Nun wird ein bekannter Speicher unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen 2 bis 5 erläutert. Dabei veranschau­ licht Fig. 2 eine Einheitszelle des bekannten Speichers. Wie es in Fig. 2 dargestellt ist, verfügt der bekannte Speicher über Folgendes: Eine in einer Richtung ausgebildete Bitlei­ tung B/L; eine rechtwinklig zur Bitleitung ausgebildete Wortleitung W/L; eine Plattenleitung P/L, die in einer Rich­ tung mit der der Wortleitung beabstandet von dieser ausge­ bildet ist; einen Transistor T1, dessen Gate mit der Wort­ leitung verbunden ist und dessen Source mit der Bitleitung verbunden ist; und einen ferroelektrischen Kondensator FC1, dessen erster Anschluss mit der Source des Transistors T1 verbunden ist und dessen zweiter Anschluss mit der Platten­ leitung P/L verbunden ist.

Nun wird ein Daten-Eingabe/Ausgabe-Vorgang mit diesem be­ kannten Speicher unter Bezugnahme auf die Fig. 3a und 3b veranschaulicht, die jeweils ein zeitbezogenes Diagramm für den Betrieb des bekannten Speichers im Schreib- bzw. Lesemo­ dus zeigen.

Beim Schreibvorgang wird ein extern zugeführtes Chipfreiga­ besignal CSBpad vom hohem auf den niedrigen Zustand akti­ viert. Wenn ein Schreibfreigabesignal WEBpad vom hohen in den niedrigen Zustand überführt wird, startet gleichzeitig der Schreibmodus. Anschließend wird, wenn ein Adressendeco­ diervorgang im Schreibmodus startet, ein an eine entspre­ chende Wortleitung angelegter Impuls vom niedrigen auf den hohen Zustand überführt, damit eine Zelle ausgewählt wird. An eine entsprechende Plattenleitung werden in einer Perio­ de, in der die Wortleitung im hohen Zustand gehalten wird, ein hohes Signal in einer bestimmten Periode und ein niedri­ ges Signal in einer bestimmten Periode sequenziell angelegt. Um den logischen Wert 1 oder 0 in die ausgewählte Zelle zu schreiben, wird ein mit dem Schreibfreigabesignal WEBpad synchronisiertes hohes oder niedriges Signal an eine ent­ sprechende Bitleitung angelegt. Anders gesagt, wird ein ho­ hes Signal an die Bitleitung angelegt, und wenn das Signal niedrig ist, das an die Plattenleitung in einer Periode an­ gelegt wird, in der das an die Wortleitung angelegte Signal hoch ist, wird in den ferroelektrischen Kondensator der lo­ gische Wert 1 eingeschrieben. Wenn dagegen ein niedriges Signal an die Bitleitung angelegt wird und das an die Plat­ tenleitung angelegte Signal hoch ist, wird in ihn der logi­ sche Wert 0 eingeschrieben.

Nachfolgend wird ein Lesevorgang für einen Datenwert beschrieben, der durch den obigen Vorgang im Schreibmodus in eine Zelle eingespeichert wurde.

Wenn das extern angelegte Chipfreigabesignal CSBpad vom ho­ hen in den niedrigen Zustand aktiviert wird, erhalten alle Bitleitungen durch ein Ausgleichssignal dasselbe niedrige Potenzial, bevor eine entsprechende Wortleitung augewählt wird. Dann wird die jeweilige Bitleitung inaktiv und es wird ein Adressendecodiervorgang ausgeführt. Das niedrige Signal wird auf der entsprechenden Wortleitung durch die decodierte Adresse in ein hohes Signal überführt, damit die entspre­ chende Zelle ausgewählt wird. An die Plattenleitung der aus­ gewählten Zelle wird ein hohes Signal angelegt, um den dem logischen Wert 1, der in den ferroelektrischen Speicher ein­ gespeichert wurde, entsprechenden Datenwert zu zerstören. Wenn dagegen der logische Wert 0 in den ferroelektrischen Speicher eingespeichert ist, wird der entsprechende Daten­ wert nicht zerstört.

Der zerstörte und der nicht zerstörte Datenwert werden durch das o. g. Prinzip der Hystereseschleife als verschiedene Wer­ te ausgegeben, so dass ein Leseverstärker den logischen Wert 1 oder 0 wahrnimmt. Anders gesagt, wird, wenn der Datenwert zerstört wird, der Zustand d in den Zustand f überführt, wie es in der Hystereseschleife der Fig. 1 dargestellt ist. Wenn der Datenwert nicht zerstört wird, wird der Zustand a in den Zustand f überführt. So wird, wenn der Leseverstärker akti­ viert wird, nachdem eine bestimmte Zeit verstrichen ist, der logische Wert 1 dann ausgegeben, wenn der Datenwert zerstört wurde, während der logische Wert 0 ausgegeben wird, wenn der Datenwert nicht zerstört wurde.

Wie oben angegeben, werden, nachdem der Leseverstärker einen Datenwert ausgegeben hat, die Plattenleitung vom hohen in den niedrigen Zustand deaktiviert, während ein hohes Signal an die entsprechende Wortleitung angelegt wird, um den ur­ sprünglichen Datenwert wieder herzustellen.

Nun werden die Konstruktion dieses bekannten Speichers sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben erläutert. Fig. 4a zeigt dazu das Layout des bekannten Speichers.

Wie es in Fig. 4a dargestellt ist, ist der bekannte Speicher mit Folgendem versehen: Einem ersten aktiven Bereich 41 und einem zweiten aktiven Bereich 41a, die beabstandet voneinan­ der asymmetrisch ausgebildet sind; einer zweiten Wortleitung W/L1, die über den ersten aktiven Bereich 41 hinweg ausge­ bildet ist; einer zweiten Wortleitung W/L2, die über den zweiten aktiven Bereich 41a hinweg ausgebildet ist und von der ersten Wortleitung W/L1 beabstandet ist; einer ersten Bitleitung B/L1, die über die erste und zweite Wortleitung auf einer Seite des ersten aktiven Bereichs 41 hinweg ausge­ bildet ist; einer zweiten Bitleitung B/L2, die über die ers­ te und zweite Wortleitung auf einer Seite des zweiten akti­ ven Bereichs 41a hinweg ausgebildet ist; einem ersten ferro­ elektrischen Kondensator FC1, der elektrisch mit dem ersten aktiven Bereich verbunden ist und auf der ersten und zwei­ ten Wortleitung W/L1 und W/L2 ausgebildet ist; einem zweiten ferroelektrischen Kondensator FC2, der elektrisch mit dem zweiten aktiven Bereich 41a verbunden ist und auf der ersten und zweiten Wortleitung W/L1 und W/L2 ausgebildet ist, einer ersten Plattenleitung P/L1, die elektrisch mit dem ersten ferroelektrischen Kondensator FC1 verbunden ist und auf der ersten Wortleitung W/L1 ausgebildet ist; und einer zweiten Plattenleitung P/L2, die elektrisch mit dem zweiten ferro­ elektrischen Kondensator FC2 verbunden ist und auf der zwei­ ten Wortleitung W/L2 ausgebildet ist.

Beim Layout einer Einheitszelle gemäß Fig. 4a sind der erste und der zweite Kondensator FC1 und FC2 entlang einer Bitleitung ausgebildet, die erste Plattenleitung P/L1 ist auf der ersten Wortleitung W/L1 ausgebildet und die zweite Platten­ leitung P/L2 ist auf der zweiten Wortleitung W/L2 ausgebil­ det.

Nun wird dieser bekannte Speicher im Einzelnen auf Fig. 4b beschrieben, die einen Schnitt entlang der Linie I-I' in Fig. 4a zeigt.

Wie es in Fig. 4b dargestellt ist, ist der bekannte Speicher mit Folgendem versehen: Einem Substrat 51, in dem ein akti­ ver Bereich und ein Feldbereich festgelegt sind; einer ers­ ten Wortleitung 54 und einer zweiten Wortleitung 54a, die auf einer ersten Isolierschicht 53 auf dem aktiven Bereich und dem Feldbereich ausgebildet sind; einem ersten Source- und einem ersten Drain-Fremdstoffbereich 55 und 56, die zu beiden Seiten der ersten Wortleitung 54 ausgebildet sind; einem zweiten Source- und einem zweiten Drain-Fremdstoffbe­ reich (nicht dargestellt), die zu beiden Seiten der zweiten Wortleitung 54a ausgebildet sind; einer zweiten Isolier­ schicht 57, die auf der gesamten Fläche einschließlich der ersten und zweiten Wortleitung 54 und 54a ausgebildet ist und ein Kontaktloch zum Freilegen des ersten Drainfremd­ stoffbereichs 56 aufweist; einer ersten Kontaktpfropfen­ schicht 58a, die in das Kontaktloch eingebettet ist; einer ersten Metallschicht 59 zum Verbinden der ersten Kontakt­ pfropfenschicht 58a mit einer ersten Bitleitung (nicht dar­ gestellt), einer dritten Isolierschicht 60, die auf der ge­ samten Fläche einschließlich der ersten Metallschicht 59 ausgebildet ist und ein Kontaktloch zum Freilegen des ersten Sourcefremdstoffbereichs 55 aufweist; einer zweiten Kontakt­ pfropfenschicht 62, die in das Kontaktloch eingebettet ist; einer Barrieremetallschicht 63, die elektrisch mit der zwei­ ten Kontaktpfropfenschicht 62 verbunden ist und auf der ersten Wortleitung 54 und der zweiten Wortleitung 54a ausgebildet ist; einer unteren Elektrode 64 des ersten ferroelek­ trischen Kondensators FC1, die auf der Barrieremetallschicht 63 ausgebildet ist; einem ferroelektrischen Film 65 und einer oberen Elektrode 66 des zweiten ferroelektrischen Kon­ densators, die aufeinanderfolgend auf der unteren Elektrode 64 des ersten ferroelektrischen Kondensators abgeschieden sind; einer vierten Isolierschicht 67, die auf der gesamten Fläche einschließlich der oberen Elektrode 66 des zweiten ferroelektrischen Kondensators ausgebildet ist; einer ersten Plattenleitung 68, die über die vierte Isolierschicht 67 elektrisch mit der oberen Elektrode 66 des ersten ferroelek­ trischen Kondensators FC2 verbunden ist und an einer der Oberseite der ersten Wortleitung 54 entsprechenden Position ausgebildet ist; und einer zweiten Plattenleitung 68a, die an einer der Oberseite der zweiten Wortleitung 54a entspre­ chenden Position beabstandet von der ersten Plattenleitung 68 ausgebildet ist.

Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des bekannten Spei­ chers unter Bezugnahme auf die Fig. 5a bis 5f beschrie­ ben, die Schnittansichten entlang der Linie I-I' in Fig. 4a sind.

Wie es in Fig. 5a dargestellt ist, wird das Halbleitersub­ strat 51 teilweise geätzt, um einen Graben auszubilden, und dann wird in diesen Graben eine Isolierschicht eingebettet, um eine Bauteil-Isolierschicht 52 auszubilden. Auf einem ak­ tiven Bereich einschließlich der Bauteil-Isolierschicht 52 wird auf dem Substrat 51 eine erste Isolierschicht 53 herge­ stellt. Auf dieser wird eine Wortleitungsmaterialschicht hergestellt, die dann strukturiert wird, um eine erste und zweite Wortleitung 54 und 54a beabstandet voneinander auszu­ bilden.

Wie es in Fig. 5b dargestellt ist, werden durch Fremdstoffionen-Implantation unter Verwendung der Wortleitungen 54 und 54a als Masken Source- und Drain-Fremdstoffbereiche 55 und 56 mit einem Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Sub­ strats 51 hergestellt. Diese Bereiche sind der Source- bzw. Drain-Fremdstoffbereich eines ersten Transistors T1, der die erste Wortleitung 54 als Gateelektrode verwendet. Anschlie­ ßend wird auf der gesamten Oberfläche des Substrats 51 ein­ schließlich der ersten und zweiten Wortleitung 54 und 54a eine zweite Isolierschicht 55 hergestellt, auf der dann ein Fotoresist (nicht dargestellt) abgeschieden und strukturiert wird. Die zweite Isolierschicht 55 wird durch einen Ätzpro­ zess unter Verwendung des strukturierten Fotoresists als Maske selektiv entfernt, um den Drain-Fremdstoffbereich 56 freizulegen, damit ein Kontaktloch 58 ausgebildet wird.

Wie es in Fig. 5c dargestellt ist, wird in das Kontaktloch ein leitendes Material eingebettet, um eine erste Kontakt­ pfropfenschicht 58a auszubilden, und es wird eine erste Me­ tallschicht 59 zum Verbinden der ersten Kontaktpfropfen­ schicht 58a mit der ersten Bitleitung B/L1 hergestellt. Da­ bei wird die zweite Bitleitung B/L2 elektrisch mit dem Drain-Fremdstoffbereich eines zweiten Transistors T2 (nicht dargestellt) verbunden.

Anschließend wird, wie es in Fig. 5d dargestellt ist, auf der gesamten Oberfläche einschließlich der ersten Metallschicht 59 eine dritte Isolierschicht 60 hergestellt, auf der dann ein Fotoresist (nicht dargestellt) abgeschieden und struktu­ riert wird. Die dritte Isolierschicht 60 wird durch einen Ätzprozess unter Verwendung des strukturierten Fotoresists als Maske selektiv entfernt, um den Source-Fremdstoffbereich 55 freizulegen, damit ein Kontaktloch 61 ausgebildet wird.

Wie es in Fig. 5e dargestellt ist, wird leitendes Material in das Kontaktloch 61 eingebettet, um eine zweite Kontaktpfropfenschicht 62 herzustellen, die elektrisch mit dem Source- Fremdstoffbereich 55 verbunden ist. Anschließend wird eine Barrieremetallschicht 63 so hergestellt, dass sie elektrisch mit der zweiten Kontaktpfropfenschicht 62 verbunden ist. Auf der Barrieremetallschicht 63 werden eine untere Elektrode 64 eines ersten ferroelektrischen Kondensators FC1, ein ferro­ elektrischer Film 65 sowie eine obere Elektrode 66 des ers­ ten ferroelektrischen Kondensators sequenziell hergestellt.

Wie es in Fig. 5f dargestellt ist, wird auf der oberen Elek­ trode 66 des ersten ferroelektrischen Kondensators eine vierte Isolierschicht 67 hergestellt, die dann durch einen Fotolithografieprozess selektiv geätzt wird, um die obere Elektrode 66 des ersten ferroelektrischen Kondensators teil­ weise freizulegen, damit ein Kontaktloch ausgebildet wird. Abschließend wird die erste Plattenleitung 68 hergestellt, die über das Kontaktloch elektrisch mit der oberen Elektrode 66 des ersten ferroelektrischen Kondensators verbunden ist. Damit ist das Verfahren zum Herstellen des bekannten Spei­ chers abgeschlossen. Die nicht erläuterte Bezugszahl 68a kennzeichnet eine zweite Plattenleitung.

Jedoch bestehen beim bekannten Speicher und beim Verfahren zu seiner Herstellung mehrere Probleme. Da in jeder Ein­ heitszelle eine Wortleitung und eine Plattenleitung herge­ stellt werden, steht zum Herstellen der Plattenleitung nur begrenzter Raum zur Verfügung, in dem die Wortleitung einer benachbarten Zelle und die Plattenleitung voneinander ge­ trennt sind. Dies verkompliziert die Herstellschritte. Fer­ ner ist die Anzahl der Masken zum Herstellen des Kontakt­ lochs zwischen der oberen Elektrode des ferroelektrischen Kondensators und der Plattenleitung erhöht, was die Her­ stellkosten erhöht.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen nichtflüchtigen ferroelektrischen Speicher und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, bei denen die Prozesstoleranz ver­ größert ist, so dass Herstellschritte einfach ausführbar sind.

Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, einen nichtflüch­ tigen ferroelektrischen Speicher und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, die mit einer verringerten Anzahl von Masken auskommen, um Kosten zu sparen, wobei gleichzei­ tig die Layoutfläche minimiert wird.

Diese Aufgaben sind durch die Speicher gemäß den beigefügten unabhängigen Ansprüchen 1 und 4 sowie das Verfahren gemäß Anspruch 12 gelöst.

Zusätzliche Merkmale und Aufgaben der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und gehen teilweise aus dieser hervor, ergeben sich aber andererseits auch beim Aus­ üben der Erfindung. Die Aufgaben und andere Vorteile der Er­ findung werden durch die Maßnahmen erzielt, wie sie speziell in der Beschreibung, den Ansprüchen und den beigefügten Zeichnungen dargelegt sind.

Es ist zu beachten, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und erläuternd für die beanspruchte Erfindung sind.

Die Zeichnungen, die beigefügt sind, um das Verständnis der Erfindung zu fördern, veranschaulichen Ausführungsbeispiele der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, deren Prinzipien zu erläutern.

Fig. 1 zeigt die Hystereseschleife eines üblichen Ferroelek­ trikums;

Fig. 2 zeigt ein Schaltbild eines bekannten Speichers;

Fig. 3a zeigt ein zeitbezogenes Diagramm zum Veranschaulichen des Betriebs im Schreibmodus des bekannten Speichers;

Fig. 3b zeigt ein zeitbezogenes Diagramm zum Veranschaulichen des Betriebs im Lesemodus des bekannten Speichers;

Fig. 4a zeigt das Layout des bekannten Speichers;

Fig. 4b zeigt eine Schnittansicht entlang der Linie I-I' in Fig. 4a;

Fig. 5a bis 5f zeigen Schnittansichten zum Veranschaulichen eines bekannten Verfahrens zum Herstellen eines Speichers;

Fig. 6 zeigt ein Schaltbild eines erfindungsgemäßen Spei­ chers;

Fig. 7 zeigt ein vereinfachtes Schaltbild eines erfindungsge­ mäßen Speichers;

Fig. 8 zeigt ein zeitbezogenes Diagramm zum Veranschaulichen des Betriebs eines erfindungsgemäßen Speichers;

Fig. 9 zeigt eine Schnittansicht zum Veranschaulichen eines Speichers gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung;

Fig. 10a bis 10i zeigen Layouts zum Veranschaulichen eines Speichers gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung;

Fig. 11a bis 11i zeigen Schnittansichten entlang der Linie I-I' in den Fig. 10a bis 10i;

Fig. 12 zeigt eine Schnittansicht zum Veranschaulichen eines Speichers gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung;

Fig. 13a bis 13i zeigen Layouts zum Veranschaulichen eines Speichers gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung; und

Fig. 14a bis 14i zeigen Schnittansichten entlang der Linie I-I' in den Fig. 13a bis 13i zum Veranschaulichen eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines Speichers.

Wie es in Fig. 6 dargestellt ist, verfügt die Einheitszelle eines Ausführungsbeispiels der Erfindung über Folgendes: Eine erste und eine zweite Teilwortleitung SWL1 und SWL2, die mit einem bestimmten Intervall in Zeilenrichtung ausge­ bildet sind; eine erste und eine zweite Bitleitung B/L1 und B/L2, die über die erste und zweite Teilwortleitung SWL1 und SWL2 hinweg ausgebildet sind; einen ersten Transistor T1, dessen Gate mit der ersten Teilwortleitung SWL1 verbunden ist und dessen Drain mit der ersten Bitleitung B/L1 verbun­ den ist; einen ersten ferroelektrischen Kondensator FC1, der zwischen die Source des ersten Transistors T1 und die zweite Teilwortleitung SWL2 geschaltet ist; einen zweiten Transis­ tor T2, dessen Gate mit der zweiten Teilwortleitung SWL2 verbunden ist und dessen Drain mit der zweiten Bitleitung B/L2 verbunden ist; und einen zweiten ferroelektrischen Kon­ densator FC2, der zwischen die Source des zweiten Transis­ tors T2 und die erste Teilwortleitung SWL1 geschaltet ist.

Gemäß dem vereinfachten Schaltbild der Fig. 7 ist eine Anzahl von Teilwortleitungspaaren mit jeweils einer ersten und einer zweiten Teilwortleitung SWL1 und SWL2 in Zeilenrichtung ausgebildet. Eine Anzahl von Bitleitungen B/L1 und B/L2 ist über die Teilwortleitungspaare hinweg ausgebildet, wobei zwei benachbarte Bitleitungen als Paar ausgebildet sind. Zwischen benachbarten Bitleitungen sind Leseverstärker SA ausgebildet, die über die Bitleitungen übertragene Daten er­ fassen und die erfassten Daten an eine Datenleitung DL oder eine inverse Datenleitung /DL übertragen. Dabei sind ferner ein Leseverstärker-Freigabeabschnitt und ein Auswählschalt­ abschnitt CS vorhanden. Der Leseverstärker-Freigabeabschnitt gibt ein Leseverstärker-Freigabesignal SEN zum Freigeben der Leseverstärker SA aus, und der Auswählschaltabschnitt CS schaltet wahlweise Bitleitungen und Datenleitungen.

Nun wird der Betrieb dieses Speichers unter Bezugnahme auf das zeitbezogene Diagramm der Fig. 8 beschrieben.

Eine Periode T0 in Fig. 8 ist eine Periode vor dem Aktivieren der ersten und der zweiten Teilwortleitung SWL1 und SWL2 auf hoch (H). In dieser Periode T0 werden alle Bitleitungen auf einen bestimmten Pegel vorab geladen.

T1 bezeichnet eine Periode, in der die erste und die zweite Teilwortleitung SWL1 und SWL2 alle auf H gebracht werden. In dieser Periode T1 wird der Datenwert eines ferroelektrischen Kondensators in einer Hauptzelle an die Hauptbitleitung übertragen, damit der Bitleitungspegel variiert. Dabei wird im Fall eines ferroelektrischen Kondensators mit dem logi­ schen Wert hoch die Polarität des Ferroelektrikums zerstört, da elektrische Felder mit entgegengesetzten Polaritäten an die Bitleitung und die Teilwortleitung angelegt werden, so dass viel Strom fließt, wodurch in der Bitleitung eine hohe Spannung induziert wird. Wenn dagegen der ferroelektrische Kondensator den logischen Wert niedrig hat, wird die Polari­ tät des Ferroelektrikums nicht zerstört, da elektrische Fel­ der mit derselben Polarität an die Bitleitung und die Teilwortleitung angelegt werden, so dass wenig Strom fließt, wo­ durch eine kleine Spannung in der Bitleitung induziert wird.

Wenn der Zellendatenwert ausreichend auf die Bitleitung ge­ laden ist, wird das Leseverstärker-Freigabesignal SEN auf hoch überführt, um den Leseverstärker zu aktivieren. Im Er­ gebnis wird der Bitleitungspegel verstärkt.

Der logische Datenwert H in einer zerstörten Zelle kann nicht wieder hergestellt werden, während sich die erste und zweite Teilwortleitung SWL1 und SWL2 auf hohem Potenzial be­ finden, jedoch kann er in Perioden T2 und T3 wieder herge­ stellt werden. In der Periode T2 wird die erste Teilwortlei­ tung SWL1 auf niedrig überführt, die zweite Teilwortleitung SWL2 wird auf dem hohen Pegel gehalten und der zweite Tran­ sistor T2 wird eingeschaltet. Dabei wird, wenn die entspre­ chende Datenleitung hoch liegt, ein hoher Datenwert an eine Elektrode des zweiten ferroelektrischen Kondensators FC2 übertragen, so dass der logische Wert 1 wieder hergestellt wird. In der Periode T3 wird die erste Teilwortleitung SWL1 auf hoch überführt, die zweite Teilwortleitung SWL2 wird auf niedrig überführt und der erste Transistor T1 wird einge­ schaltet. Dabei wird, wenn die entsprechende Bitleitung hoch liegt, ein hoher Datenwert an eine Elektrode des ersten fer­ roelektrischen Kondensators FC2 übertragen, so dass der lo­ gische Wert 1 wieder hergestellt wird.

Gemäß der Konstruktions-Schnittansicht der Fig. 9 verfügt der Speicher des Ausführungsbeispiels über ein Halbleitersub­ strat 100, in dem ein aktiver Bereich und ein Feldbereich festgelegt sind. Auf dem Halbleitersubstrat ist im aktiven Bereich eine erste Teilwortleitung 102 ausgebildet, während auf ihm im Feldbereich eine zweite Teilwortleitung 102a aus­ gebildet ist. Im Substrat sind zu beiden Seiten der ersten Teilwortleitung 102 ein erster Sourcebereich 103 und ein erster Drainbereich 104 ausgebildet. Im Substrat sind zu beiden Seiten der Teilwortleitung 102a ein zweiter Sourcebe­ reich 103a und ein zweiter Drainbereich 104a (nicht darge­ stellt) ausgebildet. Mit dem ersten Drainbereich ist ein erster Kontaktpfropfen 106 über eine erste Isolierschicht 105 verbunden (ein zweiter Drainbereich 104a und ein mit ihm verbundener erster Kontaktpfropfen 106 sind nicht darge­ stellt). Mit dem ersten Sourcebereich 103 ist ein zweiter Kontaktpfropfen 107 über die erste Isolierschicht 105 ver­ bunden (ein zweiter Sourcebereich 103a und ein mit diesem verbundener zweiter Kontaktpfropfen 107 sind nicht darge­ stellt). Auf der ersten Isolierschicht 105 auf der ersten Teilwortleitung 102 ist eine erste Elektrode 108a eines zweiten ferroelektrischen Kondensators ausgebildet, während eine erste Elektrode 108 eines ersten ferroelektrischen Kon­ densators auf der ersten Isolierschicht 105 auf der zweiten Teilwortleitung 102a ausgebildet ist. Auf der ersten Elek­ trode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators ist eine erste ferroelektrische Schicht 109 ausgebildet, während auf der ersten Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kon­ densators eine zweite ferroelektrische Schicht 109a ausge­ bildet ist. Auf der ersten und zweiten ferroelektrischen Schicht 109 und 109a sind eine zweite Elektrode 110 des ers­ ten ferroelektrischen Kondensators bzw. eine zweite Elektro­ de 110a (nicht dargestellt) des zweiten elektrischen Konden­ sators asymmetrisch parallel zueinander entlang der ersten und zweiten Teilwortleitung ausgebildet. Eine erste leitende Schicht 111 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators und dem mit dem ersten Sourcebereich 103 verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 verbunden. Eine zweite leitende Schicht 111a (nicht darge­ stellt) ist elektrisch mit der zweiten Elektrode des zweiten ferroelektrischen Kondensators und dem mit dem Sourcebereich verbundenen zweiten Kontaktpfropfen verbunden. Auf der ge­ samten Fläche einschließlich der ersten und zweiten leitenden Schicht ist eine zweite Isolierschicht 112 ausgebildet. Ein dritter Kontaktpfropfen 113 ist über die zweite Isolier­ schicht 112 mit dem ersten Kontaktpfropfen 106 verbunden. Eine erste Bitleitung 114 ist über die erste und zweite Teilwortleitung 102 und 102a hinweg ausgebildet und mit dem dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden. Eine zweite Bitlei­ tung 114a (nicht dargestellt) ist über die erste und zweite Teilwortleitung 102 und 102a hinweg ausgebildet und mit dem dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden. Ferner ist zwischen den ersten Kontaktpfropfen und den zweiten Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren eine Barriereschicht ausge­ bildet.

Die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kon­ densators ist mit dem Sourcebereich (erster Sourcebereich) eines ersten Transistors T1 verbunden, während die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators mit dem Sourcebereich (zweiter Sourcebereich) eines zweiten Transistors verbunden.

Anhand der Fig. 10a bis 101 wird nun ein Layoutprozess für den beschriebenen Speicher im Einzelnen erläutert.

Wie es in Fig. 10a dargestellt ist, werden ein erster aktiver Bereich 100a und ein zweiter aktiver Bereich 100b mit einem bestimmten Intervall und asymmetrisch, parallel zueinander auf einem Halbleitersubstrat von erstem Leitungstyp ausge­ bildet. In anderen Bereichen als den aktiven Bereichen 100a und 100b wird durch einen Grabenisolierprozess ein Feldbe­ reich (Bauteile-Isolierschicht) 100c ausgebildet.

Wie es in Fig. 20b dargestellt ist, werden über die aktiven Bereiche hinweg erste und zweite Teilwortleitungen (SWL1) 102 und (SWL2) 102a hergestellt, um jeden der aktiven Berei­ che 100a und 100b zweizuteilen. Dabei wird die erste Teilwortleitung 102 die Gateelektrode des ersten Transistors T1, während die zweite Teilwortleitung 102a die Gateelektrode des zweiten Transistors T2 wird. Anschließend werden in das Substrat zu beiden Seiten der ersten Teilwortleitung 102 Fremdstoffionen für einen Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Substrats implantiert, um einen ersten Source- und einen ersten Drainbereich herzustellen (nicht dargestellt). Dabei werden ein zweiter Source- und ein zweiter Drainbereich zu beiden Seiten der zweiten Teilwortleitung 102a im Substrat ausgebildet.

Wie es in Fig. 10c dargestellt ist, werden die ersten Kon­ taktpfropfen 106 so hergestellt, dass sie mit dem ersten bzw. zweiten Drain-Fremdstoffbereich verbunden sind. Auch werden die zweiten Kontaktpfropfen 107 so hergestellt, dass sie mit dem ersten bzw. zweiten Source-Fremdstoffbereich verbunden sind.

Wie es in Fig. 10b dargestellt ist, wird die erste Elektrode 102a des zweiten ferroelektrischen Kondensators auf der ers­ ten Teilwortleitung 102 hergestellt, während die erste Elek­ trode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators auf der zweiten Teilwortleitung 102a hergestellt wird. Dabei weisen die ersten Elektroden 108 und 108a des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators Breiten auf, die kleiner als oder gleich groß wie die der ersten und zweiten Teilwortlei­ tung sind.

Die erste Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Konden­ sators ist elektrisch mit der zweiten Teilwortleitung ver­ bunden, während die erste Elektrode 108a des zweiten ferro­ elektrischen Kondensators elektrisch mit der ersten Teil­ wortleitung verbunden ist.

Wie es in Fig. 10e dargestellt ist, wird die erste ferroelektrische Schicht 109 auf der ersten Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators hergestellt, während die zweite ferroelektrische Schicht 109a auf der ersten Elektro­ de 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators herge­ stellt wird. D. h., dass die ferroelektrischen Schichten auf der gesamten Fläche einschließlich der ersten Elektroden 108 und 108a des ersten und zweiten ferroelektrischen Kon­ densators hergestellt und dann so strukturiert werden, dass sie auf der ersten Elektrode des ersten ferroelektrischen Kondensators und der ersten Elektrode des zweiten ferroelek­ trischen Kondensators verbleiben.

Wie es in Fig. 10f dargestellt ist, wird auf der gesamten Fläche einschließlich der ersten und zweiten ferroelektri­ schen Schicht 109 und 109a ein zweites Elektrodenmaterial der ferroelektrischen Kondensatoren abgeschieden, das dann so strukturiert wird, dass die zweite Elektrode 110 des ers­ ten ferroelektrischen Kondensators auf der ersten ferroelek­ trischen Schicht 109 auf einer Seite des zweiten aktiven Be­ reichs 100b ausgebildet wird und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators auf der zweiten ferroelektrischen Schicht 109a auf einer Seite des ersten aktiven Bereichs 100a ausgebildet wird.

Dabei werden die erste und zweite Elektrode 110 und 110a des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators so struk­ turiert, dass sie auf dem Feldbereich verbleiben. D. h., dass die zweiten Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren auf dem Feldbereich zu beiden Seiten des aktiven Bereichs dadurch ausgebildet werden, dass das Material der zweiten Elektrode der ferroelektrischen Kondensatoren, wie auf dem aktiven Bereich ausgebildet, geätzt wird.

Danach werden, wie es in Fig. 10g dargestellt ist, die erste leitende Schicht 111 und die zweite leitende Schicht 111a hergestellt. Die erste leitende Schicht 111 verbindet den mit dem ersten Sourcebereich 103 verbundenen zweiten Kon­ taktpfropfen 107 elektrisch mit der zweiten Elektrode 111 des ersten ferroelektrischen Kondensators. Die zweite lei­ tende Schicht 111a verbindet den mit dem zweiten Sourcebe­ reich 103a verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 elek­ trisch mit der zweiten Elektrode 110a des zweiten ferroelek­ trischen Kondensators.

Die zweite Elektrode des ferroelektrischen Kondensators wird durch den aktiven Bereich unterteilt, so dass für eine Pro­ zesstoleranz gesorgt werden kann, wenn die erste leitende Schicht 111 und die zweite leitende Schicht 111a hergestellt werden. Anders gesagt, werden die zweiten Elektroden zu bei­ den Seiten der aktiven Bereiche ausgebildet, da der zweite aktive Bereich asymmetrisch vom ersten aktiven Bereich beab­ standet ist. Demgemäß müssen die erste und die zweite lei­ tende Schicht nicht benachbart zueinander liegen, wodurch eine Prozesstoleranz erzielt wird.

Ferner wird, wenn die erste und die zweite leitende Schicht hergestellt werden, die zweite Elektrode des ferroelektri­ schen Kondensators unmittelbar mit dem zweiten Kontaktpfrop­ fen, also nicht durch ein Kontaktloch hindurch, verbunden. So kann der Prozess vereinfacht werden.

Anschließend wird, wie es in Fig. 10h dargestellt ist, die zweite Isolierschicht (nicht dargestellt) auf der gesamten Fläche einschließlich der ersten und zweiten leitenden Schicht 111 und 111a hergestellt und dann durch chemisch-me­ chanisches Polieren (CMP) eingeebnet. Dann wird der dritte Kontaktpfropfen 113 so hergestellt, dass er mit den ersten Kontaktpfropfen 106 verbunden ist, die mit dem ersten und zweiten Drainbereich 104 und 104a verbunden sind.

Wie es in Fig. 10i dargestellt ist, werden die erste Bitlei­ tung 114 und die zweite Bitleitung 114a über die erste und zweite Teilwortleitung 102 und 102a hinweg hergestellt. Die erste Bitleitung 114 wird elektrisch mit dem mit dem ersten Drainbereich 104 verbundenen dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden. Die zweite Bitleitung 114a wird elektrisch mit dem mit dem zweiten Drainbereich 104a verbundenen dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden.

So wird der Layoutprozess für den Speicher des ersten Aus­ führungsbeispiels der Erfindung abgeschlossen.

Nun wird ein Verfahren zum Herstellen dieses Speichers unter Bezugnahme auf die Fig. 11a bis 11i beschrieben.

Wie es in Fig. 11a dargestellt ist, werden im Halbleitersub­ strat 100 die aktiven Bereiche 100a und 100b sowie der Feld­ bereich 100c ausgebildet. Der Feldbereich wird dabei durch einen Grabenisolierprozess hergestellt.

Wie es in Fig. 11b dargestellt ist, werden die erste Teil­ wortleitung 102 und die zweite Teilwortleitung 102a auf der Gateisolierschicht 101 hergestellt, die auf den aktiven Be­ reichen und dem Feldbereich hergestellt wurde. Die erste Teilwortleitung 102 wird als Gateelektrode des ersten Tran­ sistors T1 verwendet, während die zweite Teilwortleitung 102a als Gateelektrode des zweiten Transistors T2 verwendet wird. Danach werden die Fremdstoffbereiche unter Verwendung der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a als Mas­ ken in das Substrat implantiert. So werden der erste Source- und der erste Drainbereich 103 und 104 sowie der zweite Source- und zweite Drainbereich (nicht dargestellt) ausge­ bildet. Der erste Source- und der erste Drainbereich 103 und 104 werden als Source und Drain des ersten Transistors T1 verwendet, während der zweite Source- und der zweite Drainbereich als Source bzw. Drain des zweiten Transistors T2 verwendet werden.

Wie es in Fig. 11c dargestellt ist, wird die erste Isolier­ schicht 105 auf der gesamten Fläche des Substrats ein­ schließlich der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a hergestellt. Dabei wird als Isolierschicht 105 eine ILD-Schicht verwendet. Anschließend wird diese erste Iso­ lierschicht 105 durch einen CMP-Prozess eingeebnet und dann strukturiert, um den ersten und zweiten Sourcebereich 103 und 103a sowie den ersten und zweiten Drainbereich 104 und 104a freizulegen, damit ein Kontaktloch ausgebildet wird. In dieses Kontaktloch wird Polysilicium oder ein Metall wie Wolfram eingebettet, um die ersten Kontaktpfropfen 106 und die zweiten Kontaktpfropfen 107 auszubilden. Die ersten Kon­ taktpfropfen 106 sind mit dem ersten und zweiten Drainbe­ reich 104 und 104a verbunden, die als Drains des ersten bzw. zweiten Transistors T1 und T2 verwendet werden. Die zweiten Kontaktpfropfen 107 sind mit dem ersten und zweiten Source­ bereich 103 und 103a verbunden, die als Sources des ersten bzw. zweiten Transistors T1 und T2 verwendet werden. Für die Kontaktpfropfen wird Polysilicium oder ein Metall wie Wolf­ ram verwendet.

Wie es in Fig. 11d dargestellt ist, wird das Material der ersten Elektrode des ferroelektrischen Kondensators auf der gesamten Fläche einschließlich der Kontaktpfropfen herge­ stellt und dann so strukturiert, dass es auf der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a verbleibt. So wird die erste Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensa­ tors auf der ersten Teilwortleitung 102 hergestellt, und die erste Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensa­ tors wird auf der zweiten Teilwortleitung 102 hergestellt. Bevor die ersten Elektroden hergestellt werden, kann die Barriereschicht hergestellt werden.

Wie es in Fig. 11e dargestellt ist, wird die erste ferroelek­ trische Schicht 109 auf der Oberfläche der ersten Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators hergestellt, und die zweite ferroelektrische Schicht 109a wird auf der Oberfläche der ersten Elektrode 108a des zweiten ferroelek­ trischen Kondensators hergestellt. D. h., dass die ferroelek­ trischen Schichten so hergestellt werden, dass sie die Ober­ seite und die beiden Seitenflächen der ersten Elektroden um­ geben.

Wie es in Fig. 11f dargestellt ist, wird eine Materialschicht für die zweite Elektrode des ferroelektrischen Kondensators auf der gesamten Fläche einschließlich der ersten und zwei­ ten ferroelektrischen Schicht 109 und 109a hergestellt und dann strukturiert, um die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators und die zweite Elektrode 110a (nicht dargestellt) des zweiten ferroelektrischen Kondensa­ tors auszubilden. Die zweite Elektrode 110 des ersten ferro­ elektrischen Kondensators wird auf der Oberfläche der ersten ferroelektrischen Schicht 109 hergestellt, und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators wird auf der Oberfläche der zweiten ferroelektrischen Schicht 109a hergestellt.

Dabei wird die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektri­ schen Kondensators so strukturiert, dass sie nur auf einer Seite des zweiten aktiven Bereichs 110b auf der ersten fer­ roelektrischen Schicht 109 verbleibt. Die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators wird so strukturiert, dass sie nur auf einer Seite des ersten akti­ ven Bereichs 100a auf der zweiten ferroelektrischen Schicht 109a verbleibt. D. h., dass das auf dem aktiven Bereich her­ gestellte Material für die zweite Elektrode des ferroelek­ trischen Kondensators so entfernt wird, dass die zweiten Elektroden nur auf dem Feldbereich verbleiben.

Da Fig. 11f eine Schnittansicht entlang der Linie I-I' der Fig. 10f ist, ist darin die zweite Elektrode 110a des zwei­ ten ferroelektrischen Kondensators nicht erkennbar.

Wie es in Fig. 11g dargestellt ist, werden die erste leitende Schicht 111 und die zweite leitende Schicht 111a herge­ stellt. Die erste leitende Schicht 111 verbindet den mit dem ersten Sourcebereich 103 verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 elektrisch mit der zweiten Elektrode 110 des ersten fer­ roelektrischen Kondensators. Die zweite leitende Schicht 111a verbindet den mit dem zweiten Sourcebereich 103a ver­ bundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 elektrisch mit der zweiten Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Konden­ sators. In der Zeichnung ist nur die erste leitende Schicht 111 dargestellt.

Wenn die zweiten Elektroden des ersten und zweiten ferro­ elektrischen Kondensators hergestellt werden, ohne dass die erste und zweite leitende Schicht 111 und 111a hergestellt werden, kann die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelek­ trischen Kondensators mit ausreichender Breite zum Verbinden mit dem mit dem ersten Sourcebereich 103 verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 hergestellt werden, und die zweite Elek­ trode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators kann mit ausreichender Breite zum Verbinden mit dem mit dem zwei­ ten Sourcebereich 103a verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 hergestellt werden.

Wie es in Fig. 11h dargestellt ist, wird die zweite Isolier­ schicht 112 auf der gesamten Fläche einschließlich der ers­ ten und zweiten leitenden Schicht 111 und 111a hergestellt. Die Oberfläche der zweiten Isolierschicht 112 wird durch einen CMP-Prozess eingeebnet, und dann wird die zweite Isolierschicht 112 selektiv entfernt, um den mit dem ersten Drainbereich 104 verbundenen ersten Kontaktpfropfen 106 und den mit dem zweiten Drainbereich 104a verbundenen ersten Kontaktpfropfen 106 freizulegen, damit ein Kontaktloch aus­ gebildet wird. In dieses Kontaktloch wird ein leitendes Ma­ terial eingebettet, um die dritten Kontaktpfropfen 113 her­ zustellen, die jeweils mit den ersten Kontaktpfropfen ver­ bunden sind. In der Zeichnung ist der mit dem ersten Kon­ taktpfropfen 106 verbundene dritte Kontaktpfropfen 113 nicht dargestellt.

Wie es in Fig. 11i dargestellt ist, wird auf der gesamten Oberfläche mit dem dritten Kontaktpfropfen 113 eine Bitlei­ tungsmaterialschicht hergestellt, die dann strukturiert wird, um die erste Bitleitung 114 und die zweite Bitleitung 114a (nicht dargestellt) auszubilden. Die erste Bitleitung 114 und die zweite Bitleitung 114a werden jeweils mit den dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden. Dabei wird die erste Bitleitung 114 mit dem mit dem ersten Drainbereich 104 ver­ bundenen ersten Kontaktpfropfen 106 verbunden, und die zwei­ te Bitleitung 114a wird mit dem mit dem zweiten Drainbereich 104a verbundenen ersten Kontaktpfropfen 106 verbunden.

Die erste und die zweite Bitleitung 114 und 114a werden über die erste und zweite Teilwortleitung 102 und 102a hinweg ausgebildet.

Das zweite Ausführungsbeispiel gemäß der geschnittenen Kon­ struktionsansicht der Fig. 12 unterscheidet sich vom ersten Ausführungsbeispiel in der Position der zweiten Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren.

Anders gesagt, werden beim ersten Ausführungsbeispiel die zweiten Elektroden des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators dadurch hergestellt, dass das Material für diese zweite Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren auf den aktiven Bereichen weggeätzt wird, so dass es nur auf dem Feldbereich verbleibt. Dabei werden die zweite Elektrode des ersten ferroelektrischen Kondensators und die zweite Elek­ trode des zweiten ferroelektrischen Kondensators asymme­ trisch hergestellt.

Jedoch werden die zweite Elektrode des ersten ferroelektri­ schen Kondensators und die zweite Elektrode des zweiten fer­ roelektrischen Kondensators beim zweiten Ausführungsbei­ spiel mit quadratischer Form parallel zueinander herge­ stellt. D. h., dass der erste und der zweite aktive Bereich in Spaltenrichtung parallel zueinander hergestellt werden und die zweiten Elektroden des ersten und zweiten ferroelek­ trischen Kondensators in Zeilenrichtung vom ersten zum zwei­ ten aktiven Bereich hergestellt werden.

Nun wird anhand der geschnittenen Konstruktionsansicht der Fig. 12 ein Speicher gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. Dieser Speicher verfügt über ein Halbleitersubstrat 100, in dem ein aktiver Bereich und ein Feldbereich festgelegt sind. Auf dem Halbleitersubstrat im Feldbereich ist eine erste Teilwortleitung 102 ausgebildet, während auf dem Halbleitersubstrat im aktiven Bereich eine zweite Teilwortleitung 102a ausgebildet ist. Im aktiven Be­ reich sind zu beiden Seiten der ersten Teilwortleitung 102 ein erster Source- und ein erster Drainbereich 103 und 104 ausgebildet. Im aktiven Bereich sind zu beiden Seiten der zweiten Teilwortleitung 102a ein zweiter Source- und ein zweiter Drainbereich 103a und 104a (nicht dargestellt) aus­ gebildet. Ein erster Kontaktpfropfen 106 ist über eine erste Isolierschicht 105 mit dem ersten Drainbereich 104 verbunden (ein zweiter Drainbereich und ein erster Kontaktpfropfen, der mit diesem verbunden ist, sind nicht dargestellt). Ein zweiter Kontaktpfropfen 107 ist über die erste Isolierschicht 105 mit dem ersten Sourcebereich 103 verbunden. (Ein zweiter Sourcebereich und ein zweiter Kontaktpfropfen, der mit diesem verbunden ist, sind nicht dargestellt.) Eine ers­ te Elektrode 108a eines zweiten ferroelektrischen Kondensa­ tors ist auf der ersten Isolierschicht 105 auf der ersten Teilwortleitung 102 hergestellt, während eine erste Elektro­ de 108 eines ersten ferroelektrischen Kondensators auf der ersten Isolierschicht auf der zweiten Teilwortleitung 102a hergestellt ist. Eine erste ferroelektrische Schicht 109 ist auf der ersten Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators hergestellt, während eine zweite ferroelektri­ sche Schicht 109a auf der ersten Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators hergestellt ist. Eine zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators ist auf der ersten ferroelektrischen Schicht 109 hergestellt, und eine zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators wird auf der zweiten ferroelektrischen Schicht 109a hergestellt. Eine erste leitende Schicht 111 verbindet den mit dem ersten Sourcebereich 103 verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 mit der zweiten Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators, und eine zweite leitende Schicht 111a (nicht dargestellt) verbindet elektrisch den mit dem zweiten Sourcebereich verbundenen zweiten Kontakt­ pfropfen mit der zweiten Elektrode 111a. Eine zweite Iso­ lierschicht 112 ist auf der gesamten Oberfläche einschließ­ lich der ersten und zweiten leitenden Schicht 111 und 111a ausgebildet. Ein dritter Kontaktpfropfen 113 ist elektrisch mit dem mit dem ersten Drainbereich 104 verbundenen ersten Kontaktpfropfen 106 verbunden. (Ein dritter Kontaktpfropfen, der mit dem mit dem zweiten Drainbereich verbundenen ersten Kontaktpfropfen verbunden ist, ist nicht dargestellt.) Eine erste Bitleitung 114 und eine zweite Bitleitung 114a (nicht dargestellt) sind jeweils mit dem dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden.

Nun werden unter Bezugnahme auf die Layoutdarstellungen der Fig. 13a bis 13i ein Speicher und ein Verfahren zum Her­ stellen desselben gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung im Einzelnen beschrieben.

Wie es in Fig. 13a dargestellt ist, werden aktive Bereiche 100a und 100b auf einem Halbleitersubstrat von erstem Lei­ tungstyp festgelegt. Die aktiven Bereiche 100a und 100b sind voneinander beabstandet und asymmetrisch parallel zueinander angeordnet. Im Halbleitersubstrat wird in einem von den ak­ tiven Bereichen 100a und 100b abweichenden Bereich durch einen Grabenisolierprozess ein Feldbereich (Bauteile-Iso­ lierschicht) hergestellt.

Wie es in Fig. 13b dargestellt ist, werden eine erste und eine zweite Teilwortleitung (SWL1) 102 und (SWL2) 102a über die aktiven Bereiche hinweg hergestellt, um diese aktiven Bereiche 100a und 100b zweizuteilen. Dabei wird die erste Teilwortleitung 102 die Gateelektrode des ersten Transistors T1, während die zweite Teilelektrode 102a die Gateelektrode des zweiten Transistors T2 wird. Anschließend werden Fremd­ stoffionen für einen Leitungstyp entgegengesetzt zu dem des Substrats zu beiden Seiten der ersten Teilwortleitung 102 in den ersten aktiven Bereich implantiert, um einen ersten Source- und einen ersten Drainbereich auszubilden. Gleich­ zeitig werden im zweiten aktiven Bereich zu beiden Seiten der zweiten Teilwortleitung 102a ein zweiter Source- und ein zweiter Drainbereich ausgebildet.

Wie es in Fig. 13c dargestellt ist, werden die ersten Kon­ taktpfropfen 106 so hergestellt, dass sie jeweils mit dem ersten und zweiten Drainbereich verbunden sind. Auch werden die zweiten Kontaktpfropfen 107 so hergestellt, dass sie je­ weils mit dem ersten und zweiten Sourcebereich verbunden sind.

Wie es in Fig. 13d dargestellt ist, wird die erste Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators auf der ers­ ten Teilwortleitung 102 hergestellt, während die erste Elek­ trode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators auf der zweiten Teilwortleitung 102a hergestellt wird. Dabei verfü­ gen die ersten Elektroden 108 und 108a des ersten und zwei­ ten ferroelektrischen Kondensators über Breiten, die kleiner sind als oder gleich groß sind wie diejenigen der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a. Die erste Elektrode 108 des ersten elektrischen Kondensators ist elektrisch mit der zweiten Teilwortleitung 102a verbunden, während die ers­ te Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators elektrisch mit der ersten Teilwortleitung 102 verbunden ist.

Wie es in Fig. 13e dargestellt ist, wird die erste ferroelek­ trische Schicht 109 auf der ersten Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators hergestellt, während die zweite ferroelektrische Schicht 109a auf der ersten Elektro­ de 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators herge­ stellt wird. D. h., dass auf der gesamten Fläche einschließ­ lich den ersten Elektroden 108 und 108a des ersten und zwei­ ten ferroelektrischen Kondensators ein ferroelektrisches Ma­ terial abgeschieden wird, das dann so strukturiert wird, dass es auf der ersten Elektrode des ersten ferroelektri­ schen Kondensators und der ersten Elektrode des zweiten fer­ roelektrischen Kondensators verbleibt.

Wie es in Fig. 13f dargestellt ist, wird ein Material für die zweite Elektrode der ferroelektrischen Kondensatoren auf der gesamten Oberfläche einschließlich der ersten und zweiten ferroelektrischen Schicht 109 und 109a abgeschieden. Dann wird dieses Material für die zweiten Elektroden struktu­ riert, um die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektri­ schen Kondensators und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators auszubilden. Die zweite Elek­ trode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators wird von einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des zweiten aktiven Bereichs bis zum Feldbereich unter dem ers­ ten aktiven Bereich ausgebildet, und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators wird vom Feldbereich am zweiten aktiven Bereich bis zu einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des ersten aktiven Bereichs ausgebildet. Demgemäß werden die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators entlang der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a asymmetrisch und parallel zueinander ausgebildet.

Anschließend werden, wie es in Fig. 13g dargestellt ist, die erste leitende Schicht 111 und die zweite leitende Schicht 111a hergestellt. Die erste leitende Schicht 111 verbindet den mit dem ersten Sourcebereich 103 verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 elektrisch mit der zweiten Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators. Die zweite lei­ tende Schicht 111a verbindet den mit dem zweiten Sourcebe­ reich 103a verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 elek­ trisch mit der zweiten Elektrode 110a des zweiten ferroelek­ trischen Kondensators. Wenn die erste und die zweite leiten­ de Schicht hergestellt werden, werden die zweiten Elektroden direkt, nicht über ein Kontaktloch, mit den zweiten Kontakt­ pfropfen verbunden. So ist der Prozess vereinfacht.

Anschließend wird, wie es in Fig. 13h dargestellt ist, die zweite Isolierschicht (nicht dargestellt) auf der gesamten Fläche einschließlich der ersten und zweiten leitenden Schicht 111 und 111a hergestellt und dann durch einen CMP- Prozess eingeebnet. Dann werden die dritten Kontaktpfropfen 113 so hergestellt, dass sie jeweils mit den ersten Kontakt­ pfropfen 106 verbunden sind, die ihrerseits mit dem ersten und zweiten Drainbereich 104 und 104a verbunden sind.

Wie es in Fig. 13i dargestellt ist, werden die erste Bitlei­ tung 114 und die zweite Bitleitung 114a über die erste und zweite Teilwortleitung 102 und 102 hinweg hergestellt. Die erste Bitleitung 114 wird elektrisch mit dem mit dem ersten Drainbereich 104 dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden. Die zweite Bitleitung 114a wird elektrisch mit dem mit dem zwei­ ten Drainbereich 104a verbundenen dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden.

Damit ist der Layoutprozess für den Speicher gemäß dem zwei­ ten Ausführungsbeispiel der Erfindung abgeschlossen.

Nun wird ein Verfahren zum Herstellen dieses Speichers unter Bezugnahme auf die Fig. 14a bis 14i beschrieben.

Wie es durch Fig. 14a veranschaulicht ist, werden im Halblei­ tersubstrat 100 aktive Bereiche 100a und 100b sowie der Feldbereich 100c festgelegt. Der Feldbereich wird durch einen Grabenisolierprozess hergestellt.

Wie es durch Fig. 14b veranschaulicht ist, werden die erste Teilwortleitung 102 und die zweite Teilwortleitung 102a auf der Gateisolierschicht 101 hergestellt, die auf den aktiven Bereichen und dem Feldbereich ausgebildet ist. Die erste Teilwortleitung 102 wird als Gateelektrode des ersten Tran­ sistors T1 verwendet, während die zweite Teilwortleitung 102a als Gateelektrode des zweiten Transistors T2 verwendet wird. Danach werden Fremdstoffionen unter Verwendung der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a als Masken in das Substrat implantiert. So werden der erste Source- und der erste Drainbereich 103 und 104 sowie der zweite Source- und der zweite Drainbereich 103a und 104a (nicht darge­ stellt) ausgebildet. Der erste Source- und der erste Drainbereich 103 und 104 werden als Source bzw. Drain des ersten Transistors T1 verwendet, während der zweite Source- und der zweite Drainbereich 103a und 104a als Source bzw. Drain des zweiten Transistors T2 verwendet werden.

Wie es in Fig. 14c dargestellt ist, wird die erste Isolier­ schicht 105 auf der gesamten Fläche des Substrats ein­ schließlich der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a hergestellt und dann durch einen CMP-Prozess eingeeb­ net, woraufhin sie strukturiert wird, um den ersten und zweiten Sourcebereich 103 und 103a und den ersten und zwei­ ten Drainbereich 104 und 104a freizulegen, damit ein Kon­ taktloch ausgebildet wird. In das Kontaktloch wird Polysili­ cium oder ein Metall wie Wolfram eingebettet, um die ersten Kontaktpfropfen 106 und die zweiten Kontaktpfropfen 107 aus­ zubilden. Die ersten Kontaktpfropfen 106 werden hergestellt, um eine Verbindung zum ersten und zweiten Drainbereich 104 und 104a herzustellen. Die zweiten Kontaktpfropfen 107 wer­ den hergestellt, um eine Verbindung zum ersten und zweiten Sourcebereich 103 und 103a herzustellen.

Wie es in Fig. 14d dargestellt ist, wird das Material für die ersten Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren auf der gesamten Oberfläche einschließlich der ersten und zwei­ ten Kontaktpfropfen hergestellt und dann so strukturiert, dass es auf der ersten und zweiten Teilwortleitung 102 und 102a verbleibt. So wird die erste Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators auf der ersten Teilwortlei­ tung 102 hergestellt, und die erste Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Kondensators wird auf der zweiten Teil­ wortleitung 102a hergestellt.

Die erste Teilwortleitung 102 und die erste Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators sind elektrisch miteinander verbunden. Die zweite Teilwortleitung 102a und die erste Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Konden­ sators sind elektrisch miteinander verbunden.

Indessen kann vor dem Herstellen der ersten Elektroden eine Barriereschicht hergestellt werden.

Anschließend wird, wie es durch Fig. 14e veranschaulicht ist, die erste ferroelektrische Schicht 109 auf der Oberfläche der ersten Elektrode 108 des ersten ferroelektrischen Kon­ densators hergestellt, und die zweite ferroelektrische Schicht 109a wird auf der Oberfläche der ersten Elektrode 108a des zweiten ferroelektrischen Kondensators hergestellt. D. h., dass die ferroelektrischen Schichten so hergestellt werden, dass sie die Oberseite und die beiden Seitenflächen der ersten Elektroden umgeben.

Wie es in Fig. 14f dargestellt ist, wird die Materialschicht für die zweiten Elektroden der ferroelektrischen Kondensato­ ren auf der gesamten Fläche einschließlich der ersten und zweiten ferroelektrischen Schicht 109 und 109a hergestellt und dann strukturiert, um die zweite Elektrode 110 des ers­ ten ferroelektrischen Kondensators und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators auszubilden. Die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kon­ densators wird auf der Oberfläche der ersten ferroelektri­ schen Schicht 109 hergestellt, und die zweite Elektrode 100a des zweiten ferroelektrischen Kondensators wird auf der Oberfläche der zweiten ferroelektrischen Schicht 109a herge­ stellt.

Dabei wird die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektri­ schen Kondensators von einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des zweiten aktiven Bereichs 100b bis in den Feldbereich unter dem ersten aktiven Bereich 100a ausgebildet, und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators wird von einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des ersten aktiven Bereichs 100a bis in den Feldbereich auf dem zweiten aktiven Bereich 100b ausgebildet. Demgemäß werden die zweite Elektrode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators und die zweite Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators symmetrisch und parallel voneinander beabstandet ausgebil­ det.

Wie es in Fig. 14g dargestellt ist, werden die erste leitende Schicht 111 und die zweite leitende Schicht 111a (nicht dar­ gestellt) hergestellt. Die erste leitende Schicht 111 ver­ bindet den mit dem ersten Sourcebereich 103 verbundenen zweiten Kontaktpfropfen 107 elektrisch mit der zweiten Elek­ trode 110 des ersten ferroelektrischen Kondensators. Die zweite leitende Schicht 111a verbindet den mit dem zweiten Sourcebereich (nicht dargestellt) verbundenen zweiten Kon­ taktpfropfen (nicht dargestellt) elektrisch mit der zweiten Elektrode 110a des zweiten ferroelektrischen Kondensators.

Da Fig. 14g eine Schnittansicht entlang der Linie I-I' in Fig. 13g ist, ist die zweite leitende Schicht nicht darge­ stellt.

Anschließend wird, wie es durch Fig. 14h veranschaulicht ist, die zweite Isolierschicht 112 auf der gesamten Fläche ein­ schließlich der ersten und zweiten leitenden Schicht 111 und 111a hergestellt. Die Oberseite der zweiten Isolierschicht 112 wird durch einen CMP-Prozess eingeebnet, und dann wird diese Schicht selektiv entfernt, um den mit dem ersten Drainbereich 104 verbundenen ersten Kontaktpfropfen 106 und den mit dem zweiten Drainbereich 104a (nicht dargestellt) verbundenen ersten Kontaktpfropfen 106 (nicht dargestellt) freizulegen, damit ein Kontaktloch ausgebildet wird. In die­ ses Kontaktloch wird ein leitendes Material eingebettet, um die dritten Kontaktpfropfen 113 auszubilden, die jeweils mit dem ersten Kontaktpfropfen 106 verbunden sind. In der Zeich­ nung sind der mit dem zweiten Drainbereich verbundene erste Kontaktpfropfen und der mit dem ersten Kontaktpfropfen 106 verbundene dritte Kontaktpfropfen 113 nicht dargestellt.

Wie es durch Fig. 11i veranschaulicht ist, wird auf der ge­ samten Fläche einschließlich der dritten Kontaktpfropfen 113 eine Bitleitungsmaterialschicht hergestellt und dann struk­ turiert, um die erste Bitleitung 114 und die zweite Bitlei­ tung 114a (nicht dargestellt) auszubilden. Die erste Bitlei­ tung 114 und die zweite Bitleitung 114a sind jeweils mit den dritten Kontaktpfropfen 113 verbunden. Dabei ist die erste Bitleitung 114 mit dem mit dem ersten Drainbereich 104 ver­ bundenen dritten Kontaktpfropfen 113 über den ersten Kon­ taktpfropfen 106 verbunden, und die zweite Bitleitung 114a ist mit dem mit dem zweiten Drainbereich verbundenen dritten Kontaktpfropfen 113 über den ersten Kontaktpfropfen 106 ver­ bunden.

Die erste und die zweite Bitleitung 114 und 114a werden über die erste und zweite Teilwortleitung 102 und 102a hinweg ausgebildet.

Beim zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die erste Elektrode des ersten ferroelektrischen Kondensators und die zweite Elektrode des zweiten ferroelektrischen Kon­ densators symmetrisch und parallel entlang der zweiten Teil­ wortleitung bzw. der ersten Teilwortleitung ausgebildet.

Wie oben angegeben, weisen der Speicher und das Verfahren zum Herstellen desselben gemäß der Erfindung die folgenden Vorteile auf:

• - Erstens kann für eine Prozesstoleranz gesorgt werden, die es gewährleistet, die zweiten Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren elektrisch mit dem Substrat zu verbin­ den. Dabei sind die Prozessschritte vereinfacht. D. h., dass die Prozesstoleranz zum Herstellen der ersten und der zwei­ ten leitenden Schicht, die die zweiten Elektroden mit den mit dem Substrat verbundenen zweiten Kontaktpfropfen verbin­ den, gewährleistet werden kann, da die zweiten Elektroden der Kondensatoren parallel zueinander asymmetrisch herge­ stellt werden.
• - Zweitens können die Prozessschritte vereinfacht werden und die Anzahl von Masken kann verringert werden, was Kosten spart, da die erste und zweite leitende Schicht, die die zweiten Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren mit den mit dem Substrat verbundenen zweiten Kontaktpfropfen verbinden, so hergestellt werden, dass eine direkte Verbin­ dung mit den zweiten Elektroden, also nicht eine solche durch ein Kontaktloch hindurch, besteht.
• - Schließlich ist es möglich, die Layoutfläche einer Zelle wirkungsvoll zu verkleinern.

Claims (23)

1. Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher mit:

• - einer ersten und einer zweiten Teilwortleitung (102, 102a), die mit bestimmten Intervallen in einer Richtung auf einem Substrat (100) ausgebildet sind;
• - einer ersten Elektrode (108a) eines ersten ferroelektri­ schen Kondensators, die auf der zweiten Teilwortleitung aus­ gebildet ist, und einer ersten Elektrode (108) eines zweiten ferroelektrischen Kondensators, die auf der ersten Teilwort­ leitung ausgebildet ist;
• - einer ersten und einer zweiten ferroelektrischen Schicht (109, 109a), die auf den Oberflächen der ersten Elektroden des ersten bzw. zweiten ferroelektrischen Kondensators aus­ gebildet sind;
• - zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten fer­ roelektrischen Kondensators, die auf den Oberflächen der ersten bzw. zweiten ferroelektrischen Schicht ausgebildet sind;
• - einer ersten leitenden Schicht (111) zum Verbinden der zweiten Elektrode des ersten ferroelektrischen Kondensators mit dem Substrat auf einer Seite der zweiten Teilwortlei­ tung;
• - einer zweiten leitenden Schicht (111a) zum Verbinden der zweiten Elektrode des zweiten ferroelektrischen Kondensators mit dem Substrat auf einer Seite der ersten Teilwortleitung; und
• - einer ersten und einer zweiten Bitleitung (114, 114a), die mit dem Substrat auf den anderen Seiten der jeweiligen Teil­ wortleitungen verbunden sind.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Kon­ densators und die zweite Elektrode (110a) des zweiten ferro­ elektrischen Kondensators über gefaltete Formen bezüglich der Teilwortleitungen oder der Bitleitungen verfügen.

3. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Kon­ densators und die zweite Elektrode (110a) des zweiten ferro­ elektrischen Kondensators entlang den Teilwortleitungen oder den Bitleitungen symmetrisch und parallel ausgebildet sind.

4. Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher mit:

• - einem ersten aktiven Bereich (100a) und einem zweiten ak­ tiven Bereich (100b), die voneinander beabstandet asymme­ trisch parallel zueinander ausgebildet sind;
• - einer ersten und einer zweiten Teilwortleitung. (102, 102a), die über den jeweiligen aktiven Bereich hinweg ausge­ bildet sind;
• - ersten und zweiten Source- und Drainbereichen (103/104; 103a/104a), die im ersten bzw. zweiten aktiven Bereich zu beiden Seiten der ersten und zweiten Teilwortleitung ausge­ bildet sind;
• - ersten Kontaktpfropfen (106), die mit dem ersten und zwei­ ten Drainbereich durch ein Kontaktloch verbunden sind;
• - zweiten Kontaktpfropfen (107), die mit dem ersten und zweiten Sourcebereich durch ein Kontaktloch verbunden sind;
• - ersten Elektroden (108, 108a) des ersten und zweiten fer­ roelektrischen Kondensators, die auf der zweiten bzw. ersten Teilwortleitung ausgebildet sind;
• - einer ersten und einer zweiten ferroelektrischen Schicht (109, 109a), die auf der jeweiligen ersten Elektrode des ersten bzw. zweiten ferroelektrischen Kondensators ausgebil­ det sind;
• - inselförmigen zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators, die auf den Oberflächen der ersten bzw. zweiten ferroelektrischen Schicht ausgebildet sind und über gefaltete Form bezüglich der ersten und zweiten Teilwortleitung verfügen;
• - einer ersten und einer zweiten leitenden Schicht (111, 111a), die die mit dem ersten bzw. zweiten Sourcebereich verbundenen zweiten Kontaktpfropfen mit den zweiten Elektro­ den des ersten bzw. zweiten ferroelektrischen Kondensators verbinden; und
• - einer ersten und einer zweiten Bitleitung (114, 114a), die über die erste und zweite Teilwortleitung hinweg ausgebildet sind und mit den mit dem ersten und zweiten Drainbereich verbundenen ersten Kontaktpfropfen verbunden sind.

5. Speicher nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch dritte Kontaktpfropfen (113) zwischen der ersten und zweiten Bit­ leitung (114, 114a) und den ersten Kontaktpfropfen (106).

6. Speicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitende Schicht (111) die zweite Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Kondensators direkt mit dem mit dem ersten Sourcebereich verbundenen zweiten Kontaktpfropfen (107) verbindet, während die zweite leitende Schicht (lila) die zweite Elektrode (110a) des zweiten ferroelektrischen Kondensators direkt mit dem mit dem zweiten Sourcebereich (103a) verbundenen zweiten Kontaktpfropfen (107) verbindet.

7. Speicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Teilwortleitung (102) elektrisch mit der ersten Elektrode (110) des zweiten ferroelektrischen Kondensators verbunden ist, während die zweite Teilwortleitung (102a) elektrisch mit der ersten Elektrode (108) des ersten ferro­ elektrischen Kondensators verbunden ist.

8. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Bitleitung (114) mit dem mit dem ersten Drainbe­ reich (104) verbundenen dritten Kontaktpfropfen (113) über den ersten Kontaktpfropfen verbunden ist, während die zweite Bitleitung (114a) mit dem mit dem zweiten Drainbereich (104a) verbundenen dritten Kontaktpfropfen (113) über den ersten Kontaktpfropfen verbunden ist.

9. Speicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators auf Feldbereichen zu beiden Seiten der aktiven Bereiche ausgebildet sind.

10. Speicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators symmetrisch und parallel ent­ lang der ersten und zweiten Teilwortleitung (102, 102a) aus­ gebildet sind.

11. Speicher nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Kon­ densators von einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des zweiten aktiven Bereichs (100b) zum Feldbe­ reich unter dem ersten aktiven Bereich (100a) ausgebildet ist, während die zweite Elektrode (110a) des zweiten ferro­ elektrischen Kondensators von einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des ersten aktiven Bereichs zum Feldbereich auf dem zweiten aktiven Bereich (100b) ausgebil­ det ist.

12. Verfahren zum Herstellen eines nichtflüchtigen ferro­ elektrischen Speichers, das die folgenden Schritte aufweist:

• - Festlegen eines ersten aktiven Bereichs (100a) und eines zweiten aktiven Bereichs (100b) in einem Halbleitersubstrat;
• - Herstellen einer ersten und einer zweiten Teilwortleitung (102, 102a) über den ersten bzw. zweiten aktiven Bereich hinweg;
• - jeweiliges Herstellen erster und zweiter Source- und Drainbereiche (103/104; 103a/104a) im ersten und zweiten ak­ tiven Bereich zu beiden Seiten der ersten und zweiten Teil­ wortleitung;
• - Herstellen erster Kontaktpfropfen (106), die durch ein Kontaktloch mit dem ersten und zweiten Drainbereich (104, 104a) verbunden sind;
• - Herstellen zweiter Kontaktpfropfen (107), die durch ein Kontaktloch mit dem ersten und zweiten Sourcebereich (103, 103a) verbunden sind;
• - jeweiliges Herstellen erster Elektroden (108, 108a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators auf der zweiten und ersten Teilwortleitung;
• - jeweiliges Herstellen einer ersten und einer zweiten fer­ roelektrischen Schicht (109, 109a) auf den ersten Elektro­ den;
• - jeweiliges Herstellen inselförmiger zweiter Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Konden­ sators mit gefalteter Form bezüglich der ersten und zweiten Teilwortleitung auf den Oberflächen der ersten und zweiten ferroelektrischen Schicht;
• - jeweiliges Herstellen einer ersten und einer zweiten lei­ tenden Schicht (111, 111a) zum Verbinden der mit dem ersten und zweiten Sourcebereich verbundenen zweiten Kontakpfropfen mit den zweiten Elektroden des ersten und zweiten ferroelek­ trischen Kondensators; und
• - Herstellen einer ersten und einer zweiten Bitleitung (114, 114a) über die erste und zweite Teilwortleitung hinweg, wo­ bei diese erste und zweite Bitleitung mit den ersten Kon­ taktpfropfen verbunden sind, die ihrerseits mit dem ersten und zweiten Drainbereich verbunden sind.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite aktive Bereich (100a, 100b) beabstandet voneinander asymmetrisch und parallel herge­ stellt werden.

14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode (108) des ersten ferroelektrischen Kondensators auf der zweiten Teilwortleitung (102a) herge­ stellt wird, wobei dazwischen eine Isolierschicht (105) her­ gestellt wird, während die erste Elektrode des zweiten fer­ roelektrischen Kondensators auf der ersten Teilwortleitung (102) hergestellt wird, wobei dazwischen die Isolierschicht hergestellt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Herstellens der zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Konden­ sators über die folgenden Teilschritte verfügt:

• - Herstellen einer Materialschicht für zweite Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren auf der gesamten Flächen einschließlich der ersten und zweiten ferroelektrischen Schicht (109, 109a); und
• - selektives Entfernen der Materialschicht für die zweiten Elektroden.

16. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Herstellens der ersten und zweiten lei­ tenden Schicht (111, 111a) die folgenden Teilschritte auf­ weist:

• - Herstellen einer leitenden Materialschicht auf der gesam­ ten Fläche einschließlich der zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Kondensators; und
• - selektives Entfernen der leitenden Materialschicht zum Herstellen der ersten und zweiten leitenden Schicht (111, 111a), wobei die erste leitende Schicht unmittelbar mit der zweiten Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Konden­ sators und dem mit dem ersten Sourcebereich (103) verbunde­ nen zweiten Kontaktpfropfen (107) verbunden ist, und die zweite leitende Schicht (111a) direkt mit der zweiten Elek­ trode (110a) des zweiten ferroelektrischen Kondensators und dem mit dem zweiten Sourcebereich (103a) verbundenen zweiten Kontaktpfropfen (107) verbunden ist.

17. Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch den Schritt des Herstellens dritter Kontaktpfropfen (113), die mit den ersten Kontaktpfropfen (106) verbunden sind, die ih­ rerseits mit dem ersten und zweiten Drainbereich (104, 104a) verbunden sind, bevor die erste und die zweite Bitleitung (114, 114a) hergestellt werden.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Bitleitung (114) über den ersten Kontakt­ pfropfen (106) mit dem mit dem ersten Drainbereich (104) verbundenen dritten Kontaktpfropfen (113) verbunden wird, während die zweite Bitleitung (114a) über den ersten Kon­ taktpfropfen (106) mit dem mit dem zweiten Sourcebereich (104a) verbundenen dritten Kontaktpfropfen (113) verbunden wird.

19. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Kondensators und die zweite Elektrode (110a) des zweiten ferroelektrischen Kondensators jeweils auf den Feldbereichen zu beiden Seiten des aktiven Bereichs hergestellt werden.

20. Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch die Schritte des elektrischen Verbindens der ersten Teilwortlei­ tung (102) mit der ersten Elektrode (108a) des zweiten fer­ roelektrischen Kondensators und des elektrischen Verbindens der zweiten Teilwortleitung (102a) mit der ersten Elektrode (108) des ersten ferroelektrischen Kondensators.

21. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Herstellens der zweiten Elektroden (110, 110a) des ersten und zweiten ferroelektrischen Konden­ sators die folgenden Teilschritte aufweist:

• - Herstellen einer Materialschicht für zweite Elektroden der ferroelektrischen Kondensatoren auf der gesamten Fläche ein­ schließlich der ersten und zweiten ferroelektrischen Schicht (109, 109a); und
• - selektives Entfernen der Materialschicht für die zweiten Elektroden zum Herstellen der zweiten Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Kondensators und der zweite Elek­ trode (110a) des zweiten ferroelektrischen Kondensators, die entlang der ersten und zweiten Teilwortleitung (102, 102a) symmetrisch parallel zueinander ausgebildet werden.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrode (110) des ersten ferroelektrischen Kondensators von einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des zweiten aktiven Bereichs (100b) bis zum Feldbereich unter dem ersten aktiven Bereich (100a) herge­ stellt wird, während die zweite Elektrode (110a) des zweiten ferroelektrischen Kondensators von einem Bereich zwischen dem Source- und dem Drainbereich des ersten aktiven Bereichs zum Feldbereich auf dem zweiten aktiven Bereich hergestellt wird.

23. Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch den Schritt des Herstellens einer Barrieremetallschicht nach dem Herstellen des ersten und zweiten Kontaktpfropfens (106, 107).