DE10042839A1 - Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Abstract
Elektronisches Bauteil (1) mit Wärmesenke (5) zur Chipkühlung und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Der Chip (12, 13, 14) ist auf einem Systemträger (2) mit metallischen Flachleitern (3) angeordnet, wobei der Systemträger (2) auf einem Metallteil (4) als Wärmesenke (5) positioniert ist. Eine Außenfläche (6) der Wärmesenke (5) ist der Betriebsatmosphäre (7) ausgesetzt. Eine Innenfläche (8) stützt den Systemträger (2), wobei die Innenfläche (8) eine Metalloxydverbindungsschicht (9) zur elektrischen Isolation der Wärmesenke (5) von dem Systemträger (2) aufweist.
Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit Wärme
senke zur Chipkühlung und ein Verfahren zur Herstellung des
elektronischen Bauteils.
Zur Chipkühlung können Wärmesenken eingesetzt werden, die in
das Gehäuse eingearbeitet sind. Diese Wärmesenken sind von
einem metallischen Systemträger, der die zu kühlenden Chips
trägt durch dazwischen liegendes Isolationsmaterial aus Kera
mik oder Kunststoffmasse beabstandet. Dieser Abstand ist er
forderlich um den elektrisch leitenden metallischen System
träger von der metallischen Wärmesenke elektrisch zu isolie
ren. Dieser elektrische Isolator aus Kunststoffmasse oder Ke
ramik hat den Nachteil, daß er für eine vorgegebene Span
nungsfestigkeit eine erhebliche Dicke aufweisen muß, und zum
anderen, daß die Chipkühlung aufgrund des Wärmewiderstands
dieses elektrischen Isolators begrenzt ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauteil und
ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das mit einer
verbesserten Chipkühlung ausgestattet ist.
Gelöst wird diese Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängi
gen Ansprüche. Merkmale vorteilhafter Weiterbildungen der Er
findung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Gemäß der Erfindung wird ein elektronisches Bauteil mit Wär
mesenke zur Chipkühlung geschaffen, wobei der Chip auf einem
Systemträger mit metallischen Flachleitern angeordnet ist und
der Systemträger auf einem Metallteil als Wärmesenke angeord
net ist. Die Aussenfläche des Metallteils ist der Betriebsat
mosphäre ausgesetzt und eine Innenfläche stützt unmittelbar
den Systemträger, wobei die Innenfläche des Metallteils von
den Flachleitern des Systemträgers durch eine Metalloxydver
bindungsschicht des Metalls der Wärmesenke elektrisch iso
liert ist.
Dieser Gegenstand hat den Vorteil, daß an Stelle eines volu
minösen elektrischen Isolators lediglich eine Metalloxydver
bindungsschicht vorgesehen ist, die unmittelbar durch Oxida
tion des Metalls der Wärmesenke herstellbar ist. Eine derar
tige Metalloxydverbindungsschicht stellt keinen wesentlichen
Wärmewiderstand dar, zumal ihre Dicke äußerst begrenzt ist
und ermöglicht, daß das Metallteil, das als Wärmesenke einge
setzt wird, unmittelbar den Systemträger stützen kann und so
mit dem elektronischen Bauteil eine erhöhte Festigkeit ver
leiht. Darüber hinaus kann die durch die Schaltungselemente
auf dem Chip erzeugte Wärme fast unmittelbar an die Wärmesen
ke abgegeben werden, ohne eine Keramik- oder Kunststoffmasse
überwinden zu müssen. Somit ist die Chipkühlung wesentlich
verbessert, so daß höhere Verlustleistungen für die Schal
tungselemente auf den Chips zugelassen werden können. Auf
grund Ihrer mechanischen Festigkeit übernimmt die Wärmesenke
gleichzeitig die stützende Wirkung einer elektrisch isolie
renden Keramikmasse zwischen Systemträger und Umgebung und
schließlich können an die freiliegende Außenfläche der Wärme
senke jederzeit durch den Abnehmer weitere Kühlflächen und
Kühlvorrichtungen angeschlossen werden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Me
talloxydverbindungsschicht eine Dicke mit einer Spannungsfe
stigkeit auf, welche größer ist als die maximale Spannungs
differenz zwischen den Flachleitern. Die Dicke der Metal
loxydverbindungsschicht kann durch die Länge des Oxidations
prozesses des Metallteils eingestellt werden, so daß in einer
weiteren Ausführungsform die Metalloxydverbindungsschicht
hochspannungsfest ist.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das Me
tallmaterial der Wärmesenke ein Aluminium und/oder eine Aluminiumlegierung.
Diese Materialien haben den Vorteil, daß ei
ne wärmeleitende Metalloxydverbindungsschicht entsteht und
zusätzlich die Spannungsfestigkeit von einigen Milimetern
Kunststoffmasse mittels wenigen µm Aluminiumoxydschicht ver
wirklicht werden kann.
Bei einer Wärmesenke aus Aluminium und/oder einer Aluminium
legierung ist die Metalloxydverbindungsschicht eine Oxal
schicht mit ihren besonders gegenüber Erosion resistenten Ei
genschaften.
In einer weiteren Ausführungsform wird der zu stützende Sy
stemträger mit der Wärmesenke über eine Klebstoffschicht ver
bunden. Diese Klebstoffschicht kann, da bereits die Metal
loxydverbindungsschicht den Isolator darstellt, aus einem gut
elektrisch leitenden und damit hoch wärmeleitenden Klebstoff
bestehen. Ein weiterer Vorteil für den Wärmeübergang ergibt
sich, wenn die Klebeschicht extrem dünn ausgeführt wird.
Derartige Klebstoffschichten können Epoxid-, Imid- oder Ther
moplastleitkleber sein. Andererseits kann die Klebstoff
schicht auch einen mit Füllstoff versehenen Isolierkleber
aufweisen, wobei die Füllstoffe aus der Palette hoch wärme
leitender Stoffe ausgewählt sind. Alternativ können auch un
gefüllte extrem dünne Isolierkleber eingesetzt werden. Die
unmittelbare Verbindung des metallischen Systemträgers mit
einem Metallteil als Wärmesenke hat den Vorteil, daß als Sy
stemträger Metallfolien verwendet werden können, wenn vor dem
Bonden die Wärmesenke stützend an dem Systemträger angebracht
ist, so daß Systemträger und Metallteil eine starre Konstruk
tion bilden, die den Belastungen des Bondprozesses gewachsen
ist.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, die
Isolierschicht aus einer Metalloxidverbindungsschicht der
Wärmesenke mit einem elektrisch leitenden Material als Sy
stemträger zu bedrucken.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das elek
tronische Bauteil ein Multichipmodul, das mehrere Chips auf
dem Systemträger aufweist. Insbesondere für mehrere Chips ist
die stabilisierende Wirkung eines als Wärmesenke eingebauten
Metallteils an dem Systemträger von Vorteil. Das Metallteil
hat dabei eine plattenförmige Form, die der Größe des System
trägers für mehrere Chips genau angepasst ist und bildet so
mit ein form- und stabilität bestimmendes Element und für die
Fertigung eine Fixierungs- und Ausrichtungshilfe beim Bonden
der unterschiedlichen Chips des Moduls auf dem Systemträger.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die
Wärmesenke Überbrückungsbereiche aus Systemträgermaterial in
dem Bereich des Systemträgers auf, wobei die Überbrückungsbe
reiche zusätzliche Bondflächen für entfernt voneinander ange
ordnete Chips eines Multichipmoduls bereitstellen. Diese
Überbrückungsbereiche sind auf der Wärmesenke befestigte In
seln, die unabhängig vom Systemträger eine zweite partielle
Entflechtungsebene bilden können. Dieses hat den Vorteil, daß
die Verdrahtung der unterschiedlichen Chips des Multichipmo
duls relativ frei gestaltet werden kann und größere Variatio
nen zuläßt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der Sy
stemträger mit aufgebrachten Chips und Bondverbindungen zwi
schen Kontaktflächen auf dem Chip und Bonddrahtanschlussflä
chen auf dem Systemträger sowie mit Inseln mit Überbrückungs
kontakten, und die Wärmesenke von einer Umhüllung aus Kunst
stoffmasse unter Freilassung der Aussenfläche der Wärmesenke
umgeben. Dazu war es zunächst erforderlich, daß die Chips
mittels Bonddrähten untereinander über die Überbrückungskon
takte auf unterschiedlichen Inseln miteinander verdrahtet
wurden bzw. bei einer Flip-Chip-Technologie ist es erforder
lich, daß die unterschiedlichen Kontakthöcker auf den Chips
mit den entsprechenden korrespondierenden Kontaktanschlußflä
chen auf dem Systemträger verbunden sind, bevor die Umhüllung
durch eine Kunststoffmasse das Gesamtsystem zu einem Multi
chipmodul verpackt.
Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
mit Wärmesenke zur Chipkühlung weist folgende Verfahrens
schritte auf:
- - Herstellen eines Metallteils als Wärmesenke, das in sei nen Abmessungen einem Systemträger eines elektrischen Bauelementes derart angepasst ist, daß es den Systemträ ger unmittelbar stützt,
- - Oxidieren der Innenfläche des Metallteils zu einer Me talloxydverbindungsschicht des Metalls der Wärmesenke,
- - Verbinden des Systemträgers mit der beschichteten Ober fläche der Wärmesenke,
- - Aufbringen von Chips auf dem Systemträger,
- - Verbinden der Kontaktflächen auf dem Chip mittels Kon takthöckern in der Flip-Chip-Technologie oder mittels Bonddrähten in der Bondtechnologie mit den Kontaktan schlußflächen auf den Flachleitern des Systemträgers,
- - Umhüllen von Systemträger, Chips und Wärmesenke mit Kunststoffmasse unter Freilassung der Aussenfläche der Wärmesenke.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß der Systemträger eines
Multichipmoduls aus einer äusserst dünnen Metallfolie von we
nigen µm hergestellt sein kann, da die ihn unmittelbar stüt
zende metallische Wärmesenke den folienartigen Systemträger
stützt. Darüber hinaus kann der Systemträger aus einer mit
elektrisch leitendem Material bedruckten Isolationsfolie auf
gebaut sein oder das elektrisch leitende Material unmittelbar
auf die Metalloxidverbindungsschicht der Wärmesenke gedruckt
sein. Das Verfahren liefert auch Vorteile für konventionelle
Systemträger, da die Wärmeableitung und damit Kühlung der
Chips über die Metalloxydverbindungsschicht wesentlich inten
siver ist als über eine großvolumige Kunststoff- oder Kera
mikmasse.
In einer Durchführung des Verfahren werden Inseln, die in ih
rer Dicke der Dicke des Systemträgers angepasst sind, unmit
telbar auf der Wärmesenke zwischen den Flachleitern des Sy
stemträgers ausgebildet und positioniert. Eine derartige An
bringung von zusätzlichen Inseln ergibt zusätzliche Bond-
oder Verbindungsstützpunkte, mit denen die Verdrahtung we
sentlich freier gestaltet werden kann, gegenüber einem Sy
stemträger, der keine stützende Wärmesenke aufweist, die mit
derartigen Inseln zur Kontaktüberbrückung ausgestattet ist.
In einer weiteren Durchführungsform der Erfindung erfolgt das
Verbinden von beschichteter Oberfläche der Wärmesenke und des
Systemträgers mittels einer Klebstoffschicht. Eine derartige
Klebstoffschicht kann dabei äusserst dünn im µm-Bereich aus
geformt werden, so daß der damit entstehende Wärmewiderstand
gering bleibt und zusätzlich kann ein Klebstoff mit einem
wärmeleitenden Füller gewählt werden, so daß die dünne Kleb
stoffschicht im Bereich von µm keine Wärmeleitungsblockade
darstellt.
Um den Wärmeübergang der Chips auf den Systemträger zu inten
sivieren, können in einem weiteren Verfahren die Chips auf
den Systemträger gelötet werden.
Ausführungsformen der Erfindung werden nun anhand der beige
fügten Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Prinzipskizze
eines Multichipmoduls mit Wärmesenke.
Fig. 2 zeigt einen schematischen teilweisen Querschnitt
durch die Schichtfolge einer Ausführungsform der
Erfindung.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Prinzipskizze ei
nes Multichipmoduls 20 mit Wärmesenke 5. Dieses Multichipmo
dul 20 hat einen Systemträger 2 mit metallischen Flachleitern
3, auf dem beispielsweise drei Chips 12, 13 und 14 angeordnet
sind. Zwischen den Flachleitern 3 ist in der Dicke des Sy
stemträgers 2 ein Überbrückungsbereich 15 in Form einer Insel
17 angeordnet. Diese Insel 17 trägt in dieser Ausführungsform
Bonddrahtanschlussflächen 16. Der metallische Systemträger 2
und die Insel 17 werden durch die Wärmesenke 5 aus Metall ge
stützt und in Position gehalten. Damit erhält das Multichip
modul 20 eine erhöhte Stabilität. Die Chips 12, 13, 14 weisen
Kontaktflächen 18 auf, die mit den Schaltungselementen auf
der Chipoberfläche verbunden sind. Diese Kontaktflächen wer
den in diesem Beispiel über Bonddrähte 21, 22, 23, 24 mit un
terschiedlichen Bonddrahtanschlussflächen 16 verbunden. Diese
Bonddrahtanschlussflächen 16 befinden sich sowohl auf der In
sel 17 als auch auf den Flachleitern 3.
Die Bonddrahtanschlussflächen 16 können zur Erleichterung des
Bondens eine Nickel-Beschichtung, eine Aluminiumlegierungsbe
schichtung oder eine andere bondbare Oberfläche aufweisen,
und die Kontaktflächen 18 auf den Chips können aus ähnlichen
Materialien aufgebaut sein. Auf diese Weise ist es durch ein
Thermokompressionsverfahren oder durch ein Ultraschallverfah
ren leicht möglich, eine zuverlässige Verbindung zwischen
Kontaktflächen auf den Chips und Kontaktanschlussflächen auf
den Flachleitern 3 über Bonddrähte mit Hilfe der Bondtechno
logie herzustellen. Durch die stützende Wärmesenke wird dar
über hinaus erreicht, daß bei dem Bondverfahren die gesamte
Konstruktion aus Chips, Systemträger und Wärmesenke äusserst
stabil ist und somit ein sicheres Bonden ermöglicht.
Darüber hinaus zeigt Fig. 1 eine Umhüllung 25 für das Multi
chipmodul 20 aus einer Kunststoffmasse 26. Eine derartige Um
hüllung kann mit einem entsprechenden Moldverfahren oder ei
nem Spritzgussverfahren hergestellt werden, wobei die Aussen
fläche 6 der Wärmesenke 5 von Kunststoffmasse 26 freigelassen
bleibt, um einen Wärmeaustausch mit der Betriebsatmosphäre 7
zu ermöglichen. Zur zusätzlichen Verankerung der Kunststoff
masse 26 an der Wärmesenke 5 weist die Wärmesenke 5 Absätze
29 auf, die einen Formschluß der Wärmesenke 5 mit der Kunst
stoffmasse 26 ermöglichen.
Da die Wärmesenke 5 aus einem Metallteil 4 besteht und der
Systemträger 2 metallische Flachleiter 3 aufweist, besteht
die Gefahr, dass die stützende Wärmesenke 5 die Flachleiter
kurzschliesst. Um dieses zu vermeiden, wird die Innenfläche 8
des Metallteils 4 der Wärmesenke 5 vor dem Anbau an den Sy
stemträger 2 mit einer Metalloxydschicht des Metalls der Wär
mesenke 5 versehen. Diese Metalloxydschicht ist wenige µm
dick und wirkt elektrisch isolierend, so daß ein elektrischer
Kurzschluss mit dem Systemträger ausgeschlossen ist. Gleich
zeitig ist der Wärmewiderstand aufgrund der geringen Dicke
dieser elektrischen Isolierschicht ebenfalls minimal.
Die Staffelung der Schichten eines elektronischen Bauteils
mit den unterschiedlichen Übergängen von der Wärmesenke 5 zu
dem Systemträger 2 und schliesslich zu den Chips 12, 13, 14
wird im Detail in Fig. 2 gezeigt.
Fig. 2 zeigt einen schematischen teilweisen Querschnitt
durch die Schichtfolge einer Ausführungsform der Erfindung.
Von unten nach oben werden in Fig. 2 die Wärmesenke 5, die
Metalloxydverbindungsschicht 9 der. Wärmesenke 5, eine Klebe
schicht 11, der Systemträger 2, eine weitere Verbindungs
schicht 30, mit der der Chip 12 auf dem Systemträger 2 befe
stigt ist, und der Chip 12 selbst gezeigt. Die Dickenverhält
nisse der gezeigten Schichten sind willkürlich und nicht maß
stabsgerecht. So kann zum Beispiel der Systemträger 2 aus ei
ner relativ dünnen Metallfolie bestehen, da der Systemträger
2 in dieser Ausführungsform durch die metallische Wärmesenke
5 in Form eines Metallteils 4 stabilisiert wird. Die Metal
loxydverbindungsschicht 9 ist in dieser Ausführungsform eine
Eloxalschicht, die durch Eloxieren einer aus Aluminiumlegie
rung hergestellten Wärmesenke gebildet wurde und wenige Mi
krometer dick ist. Die Klebeschicht 11 weist einen die Wärme
leitung verbessernden Füller auf, während die Verbindungsschicht
30 zwischen Systemträger 2 und Chip 12 entweder eine
elektrisch leitende Klebstoffschicht 28 ist oder eine Lötver
bindung des Chips 12 mit dem Systemträger 2 darstellt.
Eine derartige Stapelung entsprechend der Fig. 2 ist äu
sserst stabil und kann deshalb das Verbinden der Kontaktflä
chen 18 des Chips 12 mit entsprechenden Kontaktanschlussflä
chen auf dem Systemträger 2 erleichtern.
1
elektronisches Bauteil
2
Systemträger
3
matallische Flachleiter
4
Metallteil
5
Wärmesenke
6
eine Aussenfläche des Metallteils
7
Betriebsatmosphäre
8
eine Innenfläche des Metallteils
9
Metalloxydverbindungsschicht
10
Eloxalschicht
11
Klebstoffschicht
12
,
13
,
14
Chips
15
Überbrückungsbereich
16
Bonddrahtanschlussflächen
17
Inseln
18
Kontaktflächen
19
Überbrückungskontakt
20
Multichipmodul
21
,
22
,
23
,
24
Bonddrähte
25
Umhüllung
26
Kunststoffmasse
27
beschichtete Oberfläche
28
elektrisch leitender Klebstoff
29
Absätze
30
Verbindungsschicht
Claims (18)
1. Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke (5) zur Chipküh
lung, wobei der Chip (12, 13, 14) auf einem Systemträger
(2) mit metallischen Flachleitern (3) angeordnet ist,
und wobei der Systemträger (2) auf einem Metallteil (4)
als Wärmesenke (5) angeordnet ist, dessen eine Aussen
fläche (6) der umgebenden Betriebsatmosphäre (7) ausge
setzt ist, und dessen eine Innenfläche (8) den System
träger (2) stützt, wobei die Innenfläche (8) des Metall
teils (4) von den Flachleitern (3) des Systemträgers (2)
durch eine Metalloxydverbindungsschicht (9) des Metalls
der Wärmesenke (5) elektrisch isoliert ist.
2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Dicke der Metalloxydverbindungsschicht (9) eine
Spannungsfestigkeit aufweist, die größer als die maxima
le Spannungsdifferenz zwischen den Flachleitern (3) ist.
3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Metalloxydverbindungsschicht (9) hochspannungsfest
ist.
4. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Metall der Wärmesenke (5) Aluminium und/oder eine
Aluminiumlegierung ist.
5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Metalloxydverbindungsschicht (9) eine Eloxalschicht
(10) ist.
6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Wärmesenke (5) mit dem Systemträger (2) über eine
Klebstoffschicht (11) verbunden ist.
7. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Klebstoffschicht (11) einen Epoxid-, Imid- oder
Thermoplast-Leitkleber aufweist.
8. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Klebstoffschicht (11) einen mit Füllstoff versehenen
Isolierkleber aufweist.
9. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
das elektronische Bauteil (1) ein Multichipmodul (20)
ist, das mehrere Chips (12, 13, 14) auf dem Systemträger
(2) aufweist.
10. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Wärmesenke (5) Überbrückungsbereiche (15) aus Sy
stemträgermaterial aufweist, die zusätzliche Bonddraht
anschlussflächen (16) für entfernt voneinander angeord
nete Chips (12, 13, 14) eines Multichipmoduls (20) be
reitstellen.
11. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf der Wärmesenke (5) eine unabhängig vom Systemträger
(2) befestigte Insel (17) zur Anordnung einer zweiten
partiellen Entflechtungsebene angeordnet ist.
12. Elektronische Bauteil nach einem der vorhergehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Systemträger (2) mit aufgebrachten Chips (12, 13,
14) und Bondverbindungen (21, 22, 23, 24) zwischen Kon
taktflächen (18) auf dem Chip (12, 13, 14) und Bond
drahtanschlussflächen (16) auf dem Systemträger (2) so
wie Inseln (17) mit Überbrückungskontakten (19) und die
Wärmesenke (5) von einer Umhüllung (25) aus Kunststoff
masse (26) unter Freilassung der Aussenfläche (6) der
Wärmesenke (5) umgeben ist.
13. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
(1) mit Wärmesenke (5) zur Chipkühlung, das folgende
Verfahrensschritte aufweist:
- - Herstellen eines Metallteils (4) als Wärmesenke (5), das in seinen Abmessungen einem Systemträger (2) eines elektronischen Bauteils (1) derart ange passt ist, daß es den Systemträger (2) unmittelbar stützt,
- - Oxidieren mindestens der Innenfläche (8) des Me tallteils (4) zu einer Metalloxydverbindungsschicht (9) des Metalls der Wärmesenke (5),
- - Verbinden des Systemträgers (2) mit der beschichte ten Oberfläche (27) der Wärmesenke (5),
- - Aufbringen von Chips (12, 13, 14) auf den System träger (2),
- - Verbinden der Kontaktflächen (18) auf dem Chip (12, 13, 14) mittels Kontakthöckern in der BGA (Ball- Grid-Array)- Technologie oder mittels Bonddrähten in der Bondtechnologie mit Kontaktanschlussflächen (16) auf den Flachleitern (3) des Systemträgers (2),
- - Umhüllen von Systemträger (2), Chips (12, 13, 14) und Wärmesenke (5) mit einer Kunststoffmasse (26) unter Freilassen der Aussenflächen (6) der Wärme senke (5).
14. Verfahren nach Anspruch 13, das weiterhin den Verfah
rensschritt aufweist:
- - Ausbilden und Positionieren von Inseln (17), die in ihrer Dicke der Dicke des Systemträgers (2) ange passt sind und unmittelbar auf der Wärmesenke (5) zwischen den Flachleitern (3) des Systemträgers (5) angeordnet werden.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Verbinden der beschichteten Oberfläche (27) der Wär
mesenke (5) und des Systemträgers (2) mittels einer
Klebstoffschicht (11) erfolgt.
16. Verfahren nach Anspruch 13 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Chips (12, 13, 14) auf den Systemträger (2) gelötet
werden.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Chips (12, 13, 14) auf den Systemträger (2) mit ei
nem elektrisch leitenden Klebstoff (28) auf Epoxidharz
basis mit elektrisch leitenden Füllpartikeln geklebt
werden.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Systemträger als eine auf die Metalloxidverbindungs
schicht aufgedruckte elektrisch leitende Beschichtung
ausgebildet wird.
Priority Applications (1)
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