DE10039646A1

DE10039646A1 - Leitende Abdeckung, Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht der leitenden Abdeckung

Info

Publication number: DE10039646A1
Application number: DE10039646A
Authority: DE
Inventors: Toshiyuki Baba; Toshio Nishimura; Tsuyoshi Kitagawa; Jiro Inoue; Shoichi Kawabata
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-08-18
Filing date: 2000-08-14
Publication date: 2001-03-08
Also published as: US6489558B1; US20020060085A1; KR100451021B1; US20020189832A1; KR20010021335A; US6800189B2; CN1158759C; CN1285656A; US20020174997A1; US6866893B2

Abstract

Eine leitende Abdeckung zur Verwendung in einem elektronischen Bauelement weist eine an einer Unterseite derselben ausgebildeten Öffnung auf und ist zur Befestigung an der oberen Fläche eines Substrats des elektronischen Bauelements an dem Öffnungsbereich der Abdeckung konstruiert, um mindestens ein an der oberen Fläche des Substrats, das hierauf vorgesehene Endelektroden aufweist, angebrachtes Elektronik-Bauelementteil abzudecken. Die Endfläche der Öffnung und deren innere und äußere Seitenflächen derselben in Verbindung mit und in der Umgebung der Endfläche sind mit einer darauf ausgebildeten isolierenden Schicht versehen.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine leitende Abdeckung zur Abdeckung eines elektronischen Elements, beispielsweise eines an der oberen Fläche eines Substrats angebrachten piezoelektrischen Teils, ein elektronisches Bauelement einschließlich dieser leitenden Abdeckung und ein Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht der leitenden Abdeckung.

2. Beschreibung des Stands der Technik

Für herkömmliche elektronische Bauelementbestandteile, beispielsweise piezoelektrische Resonatoren oder andere geeignete Bauelemente, wird ein Baugruppenaufbau einschließlich einer leitenden Abdeckung verwendet. Ein derartiger Baugruppenaufbau wird unter Bezug auf Fig. 6 beschrieben.

Der Baugruppenaufbau enthält ein aus einem isolierenden Material, beispielsweise Aluminiumoxid, hergestelltes Substrat 51 mit einer rechteckigen Plattenform sowie eine Metallabdeckung 52. An der oberen Fläche 51a des Substrats 51 sind die Endelektroden 53 und 54 zur Verwirklichung einer äußeren elektrischen Verbindung vorgesehen. Die Endelektroden 53 und 54 erstrecken sich jeweils zu den Seitenflächen, den Endflächen und der unteren Fläche zusätzlich zur oberen Fläche 51a hin erstrecken, so dass die Oberfläche einer Leiterplatte mit dem Baugruppenaufbau bestückt werden kann.

Weiterhin wird ein piezoelektrisches Teil an der oberen Fläche 51a des Substrats 51 mittels Lötmittel, einem leitenden Bindemittel, beispielsweise einem leitenden Klebstoff oder Ähnlichem, angebracht, auch wenn dies in Fig. 6 nicht dargestellt wird. Die Elektroden des piezoelektrischen Teils werden jeweils mit den Endelektroden 53 und 54 verbunden.

Zum Zweck des Abdichtens des piezoelektrischen Teils wird eine Metallabdeckung 52 mit einer Öffnung an deren unteren Abschnitt mit dem Substrat 51 verbunden. Eine isolierende Schicht 55 mit rechteckiger Rahmenform wird an dem Bereich der oberen Fläche 51a des Substrats 51, die so angeordnet ist, dass sie mit der Endfläche der Öffnung der Metallabdeckung 52 in Kontakt kommt, vorgesehen. Die isolierende Schicht 55 wird durch Drucken eines Kunstharzes oder Drucken und Wärmebehandeln von Glas gebildet. Die Dicke der isolierenden Schicht 55 beträgt etwa 0,1 mm. Demgemäß kann die Höhe des zu erzeugenden elektronischen Chip-Bauelements verringert werden, auch wenn die Metallabdeckung 52 verwendet wird.

In den letzten Jahren war es erforderlich, die Bestückungsflächen von elektronischen Bauelementen zu verkleinern. Bei noch stärkerer Miniaturisierung der Bauelemente ist es sehr schwierig geworden, die isolierende Schicht 55 an der oberen Fläche 51a des Substrats 51 sehr präzise zu drucken und auszubilden.

Weiterhin offenbart die ungeprüfte japanische Patentanmeldungsschrift Nr. 6-132762 ein elektronisches Bauelement 71 mit einer in Fig. 7 gezeigten Abdeckung. Bei diesem elektronische Bauelement 71 erstrecken sich die Endelektroden 73 und 74 jeweils an der oberen Fläche, den Seitenflächen und der unteren Fläche eines aus einem isolierenden Material hergestellten Substrats 72. Ein piezoelektrisches Teil 75 ist mittels der Lötmittel 76 und 77 mit den Endelektroden 73 und 74 verbunden.

Eine Metallabdeckung 78 ist mit der oberen Fläche des Substrats 72 mittels eines isolierenden Klebstoffs verbunden. Um ein Kurzschließen der Endelektroden 73 und 74 und der Metallabdeckung 78 zu verhindert, ist eine isolierende Schicht 79 an der gesamten Innenfläche der Metallabdeckung 78 angeordnet.

In der Literatur zum Stand der Technik wird kein Verfahren zur Bildung der isolierenden Schicht 79 eigens beschrieben. Es wird angenommen, dass die isolierende Lage auf ein Plattenmaterial vorab aufgetragen wird, bevor das Material zu der Metallabdeckung 78 geformt wird, und das vorab beschichtete Plattenmaterial so geformt wird, dass es die gleiche Form wie die Abdeckung aufweist.

Bei Erzeugen der in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsschrift Nr. 6- 132762 beschriebenen Metallabdeckung muss der Umfangsbereich der Öffnung der Metallabdeckung 78 nach außen gebogen sein, wie in Fig. 7 gezeigt, so dass die isolierende Lage stets an den Bereichen der Endelektroden 73 und 74 positioniert wird, die mit der Metallabdeckung 78 in Kontakt kommen sollen. Demgemäß wird der Vorgang zur Erzeugung der Metallabdeckung 78 kompliziert. In manchen Fällen der Durchführung einer derartigen Biegearbeit wird die isolierende Lage 79 zudem abgeschält, was es unmöglich macht, die elektrische Isolierung zwischen der Metallabdeckung 78 und den Endelektroden 73 und 74 zuverlässig vorzusehen.

Bei einem elektronische Chip-Bauelement, bei dem ein Teil, wie zum Beispiel ein piezoelektrisches Teil oder ein anderes elektronisches Teil, an einem Substrat angebracht wird, schwingt dessen piezoelektrischer Schwingungsteil. Somit ist der Aufbau derart, dass das Teil in einer Baugruppe untergebracht ist, das nicht die Schwingung des Teils beeinträchtigt. Nach dem Anbringen des Teils an der Oberfläche des Substrats wird eine Abdeckung an der Oberfläche des Substrats befestigt, um das Bauelement abzudecken und abzudichten.

Fig. 20 ist eine Querschnittansicht, die ein Beispiel eines anderen herkömmlichen elektronischen Bauelements zeigt, das mit einer derartigen Abdeckung abgedichtet ist. Bei dem in Fig. 20 gezeigten herkömmlichen elektronischen Bauelement wird eine isolierende Abdeckung 30 verwendet. Der Grund hierfür liegt darin, dass die Abdeckung 30 an den auf einem Substrat 10 vorgesehenen Endelektroden 11 und 12 befestigt ist und isolierend sein muss, um einen Kurzschluss der Endelektroden 11 und 12 zu verhindern. Ein Teil, beispielsweise ein piezoelektrischer Resonator, ist an der oberen Fläche des Substrats 10 angebracht. Das Teil 20 ist mittels eines Lötmittels 21 mit der Endelektrode 11 und mittels eines Lötmittels 22 mit der Endelektrode 12 verbunden. Eine Endelektrode 13 ist zwischen den Endelektroden 11 und 12 zwischen den Endelektroden 11 und 12 an der unteren Fläche des Substrats 10 vorgesehen, um einen Kondensator zwischen den Elektroden 11, 12 und 13 zu erzeugen.

Als isolierende Abdeckung 30 wird eine Keramikabdeckung, eine Harzabdeckung oder eine andere Abdeckung verwendet. Wegen der Ausbildungsmöglichkeiten und -beschränkungen müssen diese Abdeckungen jedoch eine Dicke von 0,25 mm oder mehr aufweisen. Demgemäß ist es nicht möglich, die Höhe des elektronischen Bauelements zu verringern, und die Fläche des Substrats wird größer.

Zum Zweck der Verringerung der Höhe des elektronischen Bauelements und der Verbesserung der Integrationsdichte der Leiterplatte ist es bevorzugt, eine Metallabdeckung zu verwenden. Wird die Metallabdeckung jedoch allein an dem Substrat befestigt, kommt es wie oben beschrieben zu einem Kurzschluss der Endelektroden.

Um einen oben beschriebenen Kurzschluss der Endelektroden zu verhindern, wird ein Verfahren eingesetzt, bei dem eine isolierende Lage 31 auf dem Substrat 10 und den Endelektroden 11 und 12, auf denen die Metallabdeckung 32 angebracht werden soll, angeordnet ist, und die Abdeckung 32 auf der isolierende Lage 31, wie in Fig. 21 gezeigt, angebracht wird. In Fig. 21 werden an dem Substrat 10 angebrachte Teile, wie ein piezoelektrisches Resonatorteil, nicht gezeigt.

Nach einem oben beschriebenen Verfahren kann die Metallabdeckung verwendet werden. Somit kann die Höhe eines elektronischen Bauelements verringert werden. Andererseits tritt das Problem auf, dass es bei einer weiteren Miniaturisierung des elektronischen Bauelements schwieriger wird, die isolierende Lage auf dem Substrat mit großer Präzision auszubilden.

Die ungeprüfte japanische Gebrauchsmusteranmeldungsschrift Nr. 62-158828 und die ungeprüfte japanische Patentanmeldungsschrift Nr. 8-204491 offenbaren ein elektronisches Bauelement, das mit einer Metallabdeckung versehen ist, welche aus einer Aluminiumplatte mit einer auf deren Oberfläche anodisierten Schicht hergestellt ist. Für die Metallabdeckung wird jedoch ein Plattenmaterial anodisiert. In dem Fall, da das Plattenmaterial zu einer Abdeckungsform ausgebildet wird, weisen daher die Endseiten der mit den Endelektroden auf einem Substrat in Kontakt zu kommenden Abdeckung darauf keine anodisierten Schichten auf. Demgemäß kann ein Kurzschluss der Endelektroden nicht verhindert werden.

Ferner offenbart die ungeprüfte japanische Patentanmeldungsschrift Nr. 6-132762 eine Metallabdeckung, die mit einer an deren Innenfläche ausgebildeten isolierenden Lage versehen ist. Eine derartige Metallabdeckung ist so geformt, dass die Endbereiche der Abdeckung, die mit einem Substrat in Kontakt kommen sollen, nach außen gebogen sind und die Innenfläche der Abdeckung mit den Endelektroden in Kontakt kommen kann. Demgemäß kommt die an der Innenfläche angebrachte isolierende Lage mit den Endelektroden in Kontakt. Somit liegt die isolierende Lage zwischen der Metallabdeckung und den Endelektroden, wodurch ein Kurzschluss der Endelektroden verhindert werden kann.

In der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsschrift Nr. 6-132762 wird ein Verfahren zur Bildung der isolierenden Lage nicht eigens beschrieben. Es wird angenommen, dass die isolierende Lage auf ein Plattenmaterial vorab aufgetragen wird, bevor das Material zu der Metallabdeckungsform ausgebildet wird, und das vorab beschichtete Plattenmaterial zu der Abdeckungsform ausgebildet wird. Bei einer derartigen Metallabdeckung werden die Endbereiche der Abdeckung nach außen gebogen, so dass die isolierende Lage an den Endbereichen der Abdeckung an den Bereichen der Abdeckung positioniert ist, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen. Beim Biegen kann die isolierende Lage weiterhin abgeschält werden, so dass die isolierenden Eigenschaften unzureichend werden.

In manchen Fällen ist es erforderlich, für die äußere Oberfläche der Metallabdeckung eine isolierende Lage vorzusehen, so dass die Isolierung zwischen dem elektronischen Bauelement und den anderen Teilen beibehalten wird, wenn das elektronische Bauelement auf eine Leiterplatte gesetzt wird. In der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsschrift Nr. 6-132762 wird nur ein Verfahren der Ausbildung der isolierenden Lage auf der Innenfläche der Abdeckung offenbart.

ZUSAMMENFASSENDE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Zur Lösung der oben beschriebenen Probleme sehen bevorzugte Ausführungen der vorliegenden Erfindung eine leitende Abdeckung vor, die so ausgelegt ist, dass sie von Endelektroden auf einem Substrat elektrisch und sicher isoliert ist, in einem einfachen Vorgang hergestellt wird und dass sie die Größe und Höhe eines elektronischen Bauelements bedingt durch die in dem Bauelement verwendete leitende Abdeckung verringert. Bevorzugte Ausführungen der vorliegenden Erfindung geben auch ein die leitende Abdeckung umfassendes elektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht der leitenden Abdeckung zur Hand.

Nach einer erfindungsgemäßen Ausführung wird eine leitende Abdeckung zur Verwendung in einem elektronischen Bauelement zur Hand gegeben, die eine Öffnung an deren unteren Abschnitt aufweist und zur Anbringung an der oberen Fläche des Substrats des elektronischen Bauelements an der Öffnungsseite der Abdeckung ausgelegt ist, so dass sie mindestens ein an der oberen Fläche des mit darauf vorgesehenen Endelektroden ausgebildeten Substrats angebrachtes Teil des elektronischen Bauelements abdeckt, dadurch gekennzeichnet, dass die Endfläche der Öffnung und die inneren und äußeren Seitenflächen derselben in Verbindung mit und in der Umgebung der Endfläche mit einer darauf ausgebildeten Schicht versehen sind.

Der Isolationswiderstand zwischen Öffnungsendfläche der leitenden Abdeckung und der äußeren Seite der isolierenden Schicht kann mindestens etwa 10⁹ Ω betragen.

Die Dicke der isolierenden Schicht kann in dem Bereich von 4 µm bis etwa 25 µm liegen.

Bei Betrachtung der Öffnungsendfläche der leitenden Abdeckung und ihres benachbarten Bereichs im Schnitt senkrecht zur Umfangsrichtung der leitenden Abdeckung bilden die Öffnungsendfläche der Abdeckung und deren innere Seitenfläche in Verbindung mit der Öffnungsendfläche eine gebogene Linie und der Radius R der Krümmung der gebogenen Linie liegt in dem Bereich von etwa 80 µm bis etwa 150 µm.

Nach einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführung umfasst ein elektronisches Bauelement ein Substrat mit einer Vielzahl von mindestens auf dessen oberer Fläche vorgesehenen Endelektroden, ein an dem Substrat befestigtes und mit der Vielzahl der Endelektroden elektrisch verbundenes elektronisches Bauelementteil und eine leitende Abdeckung mit einer Öffnung an deren unterem Abschnitt, die mit einer an deren Öffnungsendfläche und deren Umgebung versehenen und mit dem Substrat an dessen Öffnungsseite verbundenen isolierenden Schicht versehen ist, umfasst.

Bei dem elektronischen Bauelement kann das elektronische Bauelementteil ein piezoelektrisches Teil oder ein anderes geeignetes elektronisches Bauelement sein.

Weiterhin kann bei dem elektronischen Bauelement die leitende Abdeckung eine Metallabdeckung sein.

Nach einer erfindungsgemäßen Ausführung umfasst ein Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung die Schritte des Haltens der Vielzahl leitender Abdeckungen, die jeweils eine Öffnung an ihrem unteren Abschnitt aufweisen, während die leitenden Abdeckungen mittels einer Haltevorrichtung angeordnet sind, des Drückens der Öffnungsendflächenseite der Vielzahl der durch die Haltevorrichtung gehaltenen leitenden Abdeckungen gegen eine Harzlage zur Bildung einer isolierenden Schicht mit einer vorbestimmten Dicke, des Trennens der leitenden Abdeckungen von der Harzlage zur Bildung einer isolierenden Schicht, wodurch die isolierende Schicht an der Öffnungsendfläche jeder leitenden Abdeckung und der Umgebung der Öffnungsendfläche derselben durch das Transferverfahren gebildet wird, und des Trocknens der isolierenden Schicht nach dem Transferschritt umfasst.

Bei dem Verfahren kann als Harz zur Bildung einer isolierenden Schicht ein Harz mit einer Viskosität von etwa 5000 bis etwa 20 000 cps bei 25 ± 5°C verwendet werden.

Nach einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführung umfasst ein Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung zur Abdichtung eines elektronischen Bauelements die Schritte des Vorsehens einer leitenden Abdeckung, die zur Anbringung an der Oberfläche eines Substrats mit darauf ausgebildeten Endelektroden ausgelegt ist, so dass sie ein an der Oberfläche des Substrats angebrachtes Teil abdeckt und abdichtet, wobei die isolierende Schicht zur elektrischen Isolierung der Endelektroden gegenüber der Metallabdeckung ausgelegt ist, dadurch gekennzeichnet dass die leitende Abdeckung aus Aluminium oder eine Legierung desselben hergestellt ist und des Bildens einer isolierenden Schicht an der Oberfläche der leitenden Abdeckung durch Durchführen von Anodisieren im Zustand der Abdeckungsform.

Wie vorstehend beschrieben, wird das Anodisieren in dem Zustand der Abdeckungsform durchgeführt. Demgemäß kann die isolierende Schicht durch das Anodisieren an den Oberflächenbereichen der leitenden Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, wenn die leitende Abdeckung an der Oberfläche des Substrats angebracht wird, gebildet werden. Somit kann eine derartige Metallabdeckung allein mittels eines Klebers oder eines anderen Verbindungsmaterials oder Teils zur Verwirklichung der Abdichtung an der Oberfläche des Substrats befestigt werden.

Das Anodisieren kann unter den allgemeinen Anodisierbedingungen durchgeführt werden. Eine oxidierte Schicht kann an der Metallabdeckung elektrolytisch ausgebildet werden, so dass sie eine Anode bildet. Als Elektrolyt können allgemein verwendete Säureelektrolyte, beispielsweise Schwefelsäure, Oxalsäure, Chromsäure usw., bevorzugt verwendet werden.

Vorzugsweise wird das Anodisieren durchgeführt, während die leitende Kappe durch ein Gestell gehalten wird und elektrisch verbunden ist. Als Gestell wird vorzugsweise ein leitendes Gestell verwendet und dieses ist mit der Metallabdeckung elektrisch verbunden. Die leitende Abdeckung wird als Anode elektrolytisch behandelt. Dieses Verfahren ist geeignet, wenn die leitenden Abdeckungen jeweils einzeln getrennt werden und getrennt voneinander vorliegen.

Vorzugsweise wird das Anodisieren durchgeführt, während die leitenden Abdeckungen miteinander in einer Bandform miteinander verbunden sind. In dem Bandformzustand sind ein Plattenmaterial und die Abdeckungen teilweise miteinander verbunden, nachdem das Plattenmaterial zu Abdeckungen ausgestanzt und geformt wurde.

In einem derartigen Bandformzustand kann das Anodisieren kontinuierlich durchgeführt werden. Das heißt, für das kontinuierliche Anodisieren wird das um eine Walze oder ähnliches gewickelte Band abgewickelt und in ein Anodisierbad geführt, und nach dem Anodisieren wird es um die andere Walze herum aufgenommen. In diesem Fall kann der elektrisch leitende Zustand des Bands durch Bewegen eines Kontakts zur elektrischen Verbindung des Bands entsprechend der Bewegung des Bands gehalten werden.

Weiterhin kann das auf eine vorbestimmte Einheitslänge geschnittene Band zur Anodisierbehandlung in ein Anodisierbad getaucht werden. Durch Verwendung eines Stücks zum Halten jedes geschnittenen Bands als Kontakt kann in diesem Fall das geschnittene Band elektrisch verbunden werden.

Weiterhin ist nach einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung eine leitende Abdeckung zur Abdichtung eines elektronischen Bauelements vorgesehen, wobei die Abdeckung dafür ausgelegt ist, an der Oberfläche des Substrats des elektronischen Bauelements angebracht zu werden, um ein an der Oberfläche des Substrats, das darauf ausgebildete Elektroden aufweist, angebrachtes Teil abzudecken und abzudichten, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Abdeckung aus Aluminium oder einer Legierung desselben besteht und durch Anodisieren mindestens an den Oberflächenbereichen der leitenden Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, eine isolierende Schicht ausgebildet ist.

Die leitende Abdeckung der verschiedenen bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen kann nach dem Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer anderen bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung erzeugt werden. Die leitende Abdeckung der verschiedenen bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen kann allein mittels eines Klebers oder eines anderen Verbindungsmaterials oder Teils an der Oberfläche des Substrats angebracht werden, da die isolierende Schicht mindestens an den Oberflächenbereichen der leitenden Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, ausgebildet ist, wodurch die Isolierung zwischen den Endelektroden auf dem Substrat und der leitenden Abdeckung sichergestellt wird. Somit wird ein elektronisches Bauelement mit stark verringerter Höhe effizient hergestellt.

Nach einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung ist ein Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung zur Abdichtung eines elektronischen Bauelements vorgesehen, welches an der Oberfläche des Substrats des elektronischen Bauelements mit darauf ausgebildeten Endelektroden angebracht ist, um ein an der Oberfläche des Substrats angebrachtes Teil abzudecken und abzudichten, wobei die isolierende Schicht für das elektrische Isolieren der Endelektroden von der leitenden Abdeckung ausgelegt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht auf der Oberfläche der leitenden Abdeckung durch galvanische Beschichtung gebildet wird.

Nach dieser bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung kann die isolierende Schicht in dem abdeckungsförmigen Zustand ausgebildet werden. Demgemäß kann die isolierende Schicht für jede Abdeckungsform an der Oberfläche der Bereiche der leitenden Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, wenn die leitende Abdeckung an der Oberfläche des Substrats befestigt wird, gebildet werden. Die leitende Abdeckung kann allein mittels eines Klebstoffs oder eines anderen Verbindungsmaterials oder Teils zur Verwirklichung der Abdichtung an der Oberfläche des Substrats befestigt werden.

Als galvanischer Überzug gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführung der vorliegenden Erfindung kann ein herkömmliches, allgemein verwendetes galvanisches Beschichtungsverfahren eingesetzt werden. Das galvanische Beschichtungsverfahren kann durch Verwenden eines kationischen oder anionischen galvanischen Beschichtungsmaterials und durch Einstellen der leitenden Abdeckung als Kathode oder Anode durchgeführt werden.

Vorzugsweise wird ein leitendes doppelseitiges Klebeband an eine leitende Trägerplatte geklebt und die Metallabdeckung wird mit dem leitenden doppelseitigen Klebeband verklebt, elektrisch verbunden, gelagert und galvanisch beschichtet. Gemäß diesem Verfahren können viele leitende Abdeckungen gleichzeitig mit dem doppelseitigen Klebeband zur Lagerung und Befestigung verbunden werden. Somit können viele Metallabdeckungen gleichzeitig und effektiv galvanisch beschichtet werden.

Vorzugsweise wird auch das galvanische Beschichten durchgeführt, während die leitende Abdeckung durch ein Gestell gelagert ist und elektrisch verbunden ist. Gemäß diesem Verfahren kann die Abdeckung mittels des einfachen Gestells gehalten und befestigt werden.

Nach einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung wird eine leitende Abdeckung zur Abdichtung eines elektronischen Bauelements zur Hand gegeben, welche an der Oberfläche des Substrats des elektronischen Bauelements mit darauf ausgebildeten Endelektroden befestigt ist, um ein an der Oberfläche des Substrats angebrachtes Teil abzudecken und abzudichten, dadurch gekennzeichnet, dass eine isolierende Schicht mindestens an den Bereichen der leitenden Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, durch galvanisches Beschichten ausgebildet wird.

Anhand der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungen unter Bezug auf die Zeichnungen werden andere Merkmale, Eigenschaften, Teile und Vorteile der vorliegenden Erfindung offensichtlich.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1A ist eine Querschnittansicht, die ein elektronisches Bauelement mit einer Abdeckung gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 1B ist eine vergrößerte Schnittteilansicht, die den wesentlichen Teil des elektronischen Bauelements von Fig. 1A zeigt;

Fig. 2A ist eine perspektivische Ansicht, die eine leitende Abdeckung zeigt, die in dem elektronischen Bauelement mit einer Abdeckung der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung enthalten ist;

Fig. 2B ist eine Querschnittendansicht entlang der Linie A-A von Fig. 2A;

Fig. 2C ist eine Bodenansicht der leitenden Abdeckung von Fig. 2A;

Fig. 3 ist eine Bodenansicht, die eine durch eine Haltevorrichtung gezeigte leitende Abdeckung in einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 4 ist eine Querschnittansicht, die einen Vorgang der Bildung einer isolierenden Schicht auf einer leitenden Abdeckung mittels eines Transferverfahrens veranschaulicht;

Fig. 5A ist eine perspektivische Ansicht einer leitenden Abdeckung gemäß einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung;

Fig. 5B ist eine Schnittendflächenansicht entlang der Linie A-A der Fig. 5A;

Fig. 5C ist eine Bodenansicht der leitenden Abdeckung von Fig. 5A;

Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen elektronischen Bauelements mit einer Abdeckung zeigt;

Fig. 7 ist eine Längsquerschnittansicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen piezoelektrischen Resonatorchipteils zeigt;

Fig. 8 ist eine Querschnittansicht, die ein Beispiel eines elektronischen Bauelements zeigt, das eine Metallabdeckung mit einer nach bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen ausgebildeten isolierenden Schicht zeigt;

Fig. 9A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Metallabdeckung gemäß einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 9B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 9A;

Fig. 9C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 9A;

Fig. 10A ist eine perspektivische Ansicht einer Metallabdeckung gemäß einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung;

Fig. 10B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 10A;

Fig. 10C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 10A;

Fig. 11A ist eine perspektivische Ansicht einer Metallabdeckung gemäß einer noch weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung;

Fig. 11B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 11A;

Fig. 11 C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 11A;

Fig. 12A ist eine perspektivische Ansicht einer Metallabdeckung gemäß einer noch weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung;

Fig. 12B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 12A;

Fig. 12C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 12A;

Fig. 13A ist eine perspektivische Ansicht einer Metallabdeckung gemäß einer noch weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung;

Fig. 13B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 13A;

Fig. 13C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 13A;

Fig. 14 ist eine Querschnittansicht, die die Metallabdeckung bei ihrer Anodisierbehandlung gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 15 ist eine perspektivische Ansicht, die eine weitere bevorzugte erfindungsgemäße Ausführung zeigt;

Fig. 16 ist eine perspektivische Ansicht, die eine noch weitere bevorzugte erfindungsgemäße Ausführung zeigt;

Fig. 17 ist eine Vorderansicht, die eine weitere bevorzugte erfindungsgemäße Ausführung zeigt;

Fig. 18 ist eine Querschnittansicht, die den Zustand zeigt, in dem die Verbindungsbereiche zwischen einer Metallabdeckung in einem Band jeweils mit einem Einschnitt versehen sind;

Fig. 19 ist eine Querschnittansicht, die den Zustand zeigt, in dem das in Fig. 18 gezeigte Band anodisiert worden ist;

Fig. 20 ist eine Querschnittansicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen elektronischen Bauelements zeigt;

Fig. 21 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen elektronischen Bauelements zeigt;

Fig. 22 ist eine Querschnittansicht, die ein Beispiel eines elektronischen Bauelements unter Verwendung einer Metallabdeckung mit einer nach bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen ausgebildeten isolierenden Schicht zeigt;

Fig. 23A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Metallabdeckung gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 23B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 23A;

Fig. 23C ist eine Bodenansicht derselben gemäß Fig. 23A;

Fig. 24A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Metallabdeckung gemäß einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 24B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 24A;

Fig. 24C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 24A;

Fig. 25A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Metallabdeckung gemäß einer noch weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 25B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 25A;

Fig. 25C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 25A;

Fig. 26A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Metallabdeckung gemäß einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 26B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 26A;

Fig. 26C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 26A;

Fig. 27A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Metallabdeckung gemäß einer noch weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt;

Fig. 27B ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A von Fig. 27A;

Fig. 27C ist eine Bodenansicht der Metallabdeckung von Fig. 27A;

Fig. 28 ist eine Vorderansicht, die den Zustand zeigt, in dem die Metallabdeckungen gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung gelagert sind;

Fig. 29 ist eine Querschnittansicht, die weiterhin den Zustand von Fig. 28 zeigt, in dem die Metallabdeckungen gelagert sind;

Fig. 30 ist eine Vorderansicht, die den Zustand zeigt, in dem die Metallabdeckungen gemäß einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung gelagert sind;

Fig. 31 ist eine Querschnittansicht, die weiterhin den Zustand von Fig. 30 zeigt, in dem die Metallabdeckungen gelagert sind, und

Fig. 32 ist eine Querschnittansicht, bei der die Metallabdeckungen gemäß einer noch weiteren erfindungsgemäßen Ausführung gelagert sind.

EINGEHENDE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGEN

Fig. 1A ist eine Querschnittansicht eines elektronischen Bauelements gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung. Fig. 1B ist eine Schnittteilansicht, die den wesentlichen Teil des in Fig. 1A gezeigten elektronischen Bauelements zeigt.

Die Baugruppe eines elektronischen Bauelements mit einer Abdeckung 101 umfasst vorzugsweise ein Substrat 102 und eine Metallabdeckung 103, die eine leitende Abdeckung ausbildet. In der Baugruppe ist ein piezoelektrisches Bauelement 4 untergebracht.

Das Substrat 102 besteht vorzugsweise aus isolierender Keramik, beispielsweise Aluminiumoxid oder ein anderes geeignetes Material, und weist vorzugsweise eine im Wesentlichen rechteckige Form auf. Das Substrat 102 kann aus einem anderen isolierenden Material, beispielsweise Kunstharz oder einem anderen geeigneten Material, gefertigt sein.

Endelektroden 105 und 106 sind so angeordnet, dass sie sich von der oberen Fläche 102a des Substrats 102 auf die untere Fläche 102d über die Endflächen 102b bzw. 102c jeweils erstrecken. Das oben erwähnte piezoelektrische Teil 104 ist an der oberen Fläche 102a des Substrats 102 mittels leitender Verbindungsmittel 107 und 108, wie zum Beispiel Lötmittel oder ein anderes geeignetes Material, befestigt. Die leitenden Verbindungsmittel 107 und 108 verbinden auch die (nicht abgebildeten) Elektroden des piezoelektrischen Teils 104 jeweils elektrisch mit den Endelektroden 105 und 106.

Als piezoelektrisches Teil 104 kann ein Bauelement unter Einsatz einer entsprechenden piezoelektrischen Wirkung, beispielsweise ein piezoelektrischer Resonator, ein piezoelektrischer Filter oder ein anderes geeignetes Teil, aufgenommen werden.

Zur Abdichtung des piezoelektrischen Teils 104 wird eine Metallabdeckung 103 mit der oberen Fläche 102a des Substrats 102 mittels eines (nicht abgebildeten) isolierenden Klebstoffs verbunden. Die Metallabdeckung 103 weist eine Öffnung 103a an ihrem unteren Abschnitt auf. Eine isolierende Schicht 109 ist an der Endfläche 103b der Öffnung und den Bereichen der Innenfläche 103c und der Außenfläche 103d in Verbindung mit und in der Umgebung der Öffnungsendfläche 103b vorgesehen.

Ein Metallmaterial zur Bildung der Metallabdeckung 103 ist keiner Einschränkung unterworfen. Es können zum Beispiel Aluminium, Edelstahl usw. verwendet werden.

Die Metallabdeckung 103 weist vorzugsweise eine im Wesentlichen rechteckige Form auf, wie in Fig. 2A, 2B und 2C gezeigt. Die Metallabdeckung 103 kann durch Formen eines Blechmetallmaterials einfach erhalten werden. Weiterhin wird die isolierende Schicht 109 an der Metallabdeckung 103 gemäß einem später beschriebenen Verfahren ausgebildet.

Eine der Eigenschaften des elektronischen Bauelements 101 dieser Ausführung liegt darin, wie die isolierende Schicht 109 auf der Metallabdeckung 103 ausgebildet wird. Der Aufbau des Bereichs der Metallabdeckung 103, wo die isolierende Schicht 109 gebildet wird, wird unter Bezug auf Fig. 1B eingehend beschrieben.

Wenn der Bereich der Metallabdeckung 103 nahe der Öffnung im Schnitt senkrecht zur Umfangsrichtung der Öffnung 103a der Metallabdeckung 103 betrachtet wird, wie in Fig. 1B gezeigt, bilden die Öffnungsendfläche 103b der Metallabdeckung 103, die mit der Endelektrode 105 und 106 der Metallabdeckung 103 verbunden werden soll, und die Innenseitenfläche 103c in Verbindung mit der Öffnungsendfläche 103b eine gebogene Linie. Der Radius R der Krümmung der gebogenen Linie liegt vorzugsweise in dem Bereich von etwa 80 µm bis etwa 150 µm. Die isolierende Schicht 109 ist an der Öffnungsendfläche 103b und Abschnitten der Innenseitenfläche 103c und der Außenseitenfläche 103d in der Umgebung der Öffnungsendfläche 103b ausgebildet.

Die isolierenden Schicht 109 kann aus geeigneten isolierenden Materialien gefertigt werden. Vorzugsweise wird ein isolierendes Harz, das geschmolzen und aufgetragen werden kann, wegen der sich ergebenden Vorteile bei dem später beschriebenen Produktionsvorgang zur Bildung der isolierenden Schicht 109 verwendet. Noch bevorzugter wird als isolierendes Harz ein Harz mit einer derartigen Wärmefestigkeit verwendet, dass es bei der bei dem Anbringen des elektronischen Bauelements samt Abdeckung auf einer Leiterplatte mittels eines Aufschmelzlötverfahrens erzeugten Wärme beständig ist. Weiterhin liegt der Isolationswiderstand der isolierenden Schicht 109 vorzugsweise bei etwa 10⁹ Ω oder mehr.

Wird ein geeignetes isolierendes Kunstharz, beispielsweise Epoxidharz, Polyimidharz oder ein anderes derartiges Material, als Material zur Bildung der isolierenden Schicht 109 verwendet, dann wird die Dicke der isolierenden Schicht 109 so eingestellt, dass sie vorzugsweise bei etwa 4 µm oder mehr liegt, so dass der Isolationswiderstand etwa 10⁹ Ω oder mehr erreicht. Liegt die Dicke der isolierenden Schicht 109 bei unter etwa 4 µm, wird der Isolationswiderstand geringer und die Zuverlässigkeit nimmt wahrscheinlich ab. Die isolierende Schicht 109 ist im Hinblick auf das Sicherstellen des Isolationswiderstands nicht besonders auf den oberen Grenzwert beschränkt. Wenn die Dicke jedoch etwa 25 µm übersteigt, wird die Dicke der isolierenden Schicht, die an der Öffnungsendfläche 103b der Metallabdeckung 103 und den Seitenflächen 103c und 103d in Verbindung mit der Öffnungsendfläche 103b anhaftet, groß, die Innenabmessung der Metallabdeckung 103 wird klein und ihre Außenabmessung wird größer. Demgemäß ist es erforderlich, ein großes Substrat 102 herzustellen und darüberhinaus gibt es eine Einschränkung der Größe des aufzunehmenden piezoelektrischen Teils 104.

Wünschenswerterweise werden die Öffnungsendfläche 103b der Metallabdeckung 103 und die Innenseitenfläche 103c in Verbindung mit der Öffnungsendfläche 103b so angeordnet, dass der Radius R der in Fig. 1B gezeigten Krümmung in dem Bereich von etwa 80 µm bis etwa 150 µm liegt, wie vorstehend beschrieben wurde. Liegt der Radius R der Krümmung unter etwa 80 µm, werden die Kontaktflächen zwischen der Metallabdeckung 103 und den Endelektroden 105 und 106 auf dem Substrat 102 kleiner. Dies kann die Zuverlässigkeit verschlechtern, mit der die Metallabdeckung 103 mit dem Substrat 102 verbunden wird. Weiterhin ist ein Haften der isolierenden Schicht 109 an der Metallabdeckung 103 schwierig, so dass es schwierig wird, die isolierende Lage 109 mit einer ausreichenden Dicke zu bilden. Wenn andererseits der Radius R der Krümmung etwa 150 µm übersteigt, bilden sich schnell Metallgrate oder Kanten an der Öffnungsendfläche 103b der Metallabdeckung 103, was ein Haften der isolierenden Schicht 109 an der Öffnungsendfläche 103b schwierig macht.

Wünschenswerterweise weist das isolierende Harz zur Bildung der oben beschriebenen isolierenden Schicht 109 eine Schmelzviskosität auf, die zum Auftrag auf die Metallabdeckung 103 geeignet ist. Vorzugsweise wird ein Harz mit einer Viskosität von etwa 5000 bis etwa 20 000 cps bei einer Temperatur von etwa 25 ± 5°C verwendet. Bei einem Harz mit einer Viskosität von unter etwa 5000 cps lässt sich aus dem Harz nur mit großer Schwierigkeit eine isolierende Schicht mit einer ausreichenden Schichtdicke erzeugen, wenn es mittels eines Transferverfahrens aufgebracht wird, es sei denn, die Anzahl der Transferzyklen wird erhöht. Zum Erhalt einer isolierenden Schicht 109 mit einer geeigneten Dicke ist es wünschenswert, dass die Dicke nicht unter etwa 5000 cps liegt. Wenn andererseits die Viskosität etwa 20 000 cps übersteigt, wird die Dicke der durch Transferbearbeitung erzeugten isolierenden Schicht 109 auf einmal übermäßig dick, was Probleme ähnlich denen bei einer Dicke der isolierenden Schicht 109 von über etwa 25 µm erzeugt.

Als Nächstes wird ein Verfahren zur Ausbildung der isolierenden Schicht 109 auf der Metallabdeckung 103 unter Bezug auf Fig. 3 und 4 beschrieben.

Gemäß diesem Verfahren wird eine in Fig. 3 in Bodenansicht gezeigte Tragvorrichtung 111 erzeugt. Eine Kautschuklage 111a mit Kontaktklebereigenschaften wird an der unteren Fläche der Tragvorrichtung 111 ausgebildet. Die Kautschuklage 111a mit Kontaktklebereigenschaften wird vorzugsweise aus einem geeigneten Silikon oder einem acrylartigen Kontaktklebstoff gebildet.

Mit der Kontaktklebstoff-Kautschuklage 111a werden eine Vielzahl von Metallabdeckungen 103 verklebt. Die oberen Flächen der jeweiligen Metallabdeckungen 103 werden mit der Kautschuklage 111a jeweils verklebt.

Die Vielzahl der Metallabdeckungen 103 werden vorzugsweise in einer Matrix, wie in Fig. 3 gezeigt, angeordnet.

Zum Verbinden der Vielzahl der Metallabdeckungen 103 mit der Tragvorrichtung 111 werden die Vielzahl der Metallabdeckungen 103 vorzugsweise in einer Matrix angeordnet und zuvor auf einen (nicht abgebildeten) Boden gesetzt. Die Kautschuklage 111a der Tragvorrichtung 111 wird von oberhalb der Metallabdeckungen 103 abgesenkt und wird mit den oberen Flächen der Metallabdeckungen 3 in Kontakt gebracht.

Dann werden die auf der Tragvorrichtung 111 gelagerten Metallabdeckungen 103 in Richtung auf einen Isolationsschichtbildungsboden 112, wie in Fig. 4 gezeigt, abgesenkt. An der oberen Fläche 112a des Isolationsschichtbildungsbodens 112 wird eine isolierende Harzlage 109A ausgebildet. Die isolierende Harzlage 109A wird durch Schmelzen und Auftragen eins Harzes zur Bildung der oben erwähnten isolierenden Schicht 109 gebildet. Die isolierende Harzlage 109A wurde noch nicht getrocknet und ist auf eine Viskosität in dem Bereich von etwa 5000 bis etwa 20 000 cps bei etwa 25 ± 5°C konditioniert.

Demgemäß berühren die Öffnungsflächen 103a der Metallabdeckungen 103, die an der Tragvorrichtung 111 gelagert sind, die isolierende Harzlage 109A, und anschließend werden die Metallabdeckungen 103 gehoben, wodurch das isolierende Harz auf den umlaufenden Rand der Öffnung 103a jeder Metallabdeckung 103 aufgetragen wird. Dann wird das aufgetragene isolierende Harz getrocknet, um die oben erwähnte isolierende Schicht 109 auszubilden.

Nach dem Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht dieser bevorzugten Ausführung kann die isolierende Schicht 109 mittels des Transferverfahrens sicher und einfach an der Vielzahl von Metallabdeckungen 103 ausgebildet werden. Vorzugsweise wird der Transfervorgang mehrmals durchgeführt. Das heißt, selbst wenn Nadelstiche in der durch einmaliges Transferieren gebildeten isolierenden Schicht 109 ausgebildet werden, kann ein durch die Nadelstiche verursachter Kurzschluss zwischen den Metallabdeckungen 103 und den Endelektroden 105 und 106 durch vielfaches Wiederholen des Transfervorgangs sicher verhindert werden.

Nach Ausbilden der isolierenden Schicht 109 auf den Metallabdeckungen 103, wie oben beschrieben, werden die Metallabdeckungen 103 mit dem Substrat 102 mit einem darauf mittels eines isolierenden Klebers angebrachten piezoelektrischen Teil verbunden. In diesem Fall wird der isolierende Kleber auf die Umlaufkante der Öffnung jeder Metallabdeckung 103 aufgebracht. Die Metallabdeckungen 103 werden nacheinander mit dem Substrat 102 verbunden. Der Grund hierfür liegt darin, dass bei dem Vorgang des Verbindens der Metallabdeckungen 103 mit dem Substrat 102 mittels des isolierenden Klebers jedes piezoelektrische Teil 4 sicher in der Baugruppe abgedichtet werden muss, und daher muss der Verbindungsvorgang mit hoher Präzision durchgeführt werden.

Bei dem Transfervorgang zur Bildung der isolierenden Schicht 109, der keine derart hohe Präzision erfordert, können die Vielzahl von Metallabdeckungen 103 insbesondere auf einmal und gleichzeitig bearbeitet werden, wie oben beschrieben. Bei dem Vorgang des Verbindens der Metallabdeckungen 103 mit dem Substrat 102 können die Vielzahl der Metallabdeckungen dagegen nicht gleichzeitig mit dem Substrat 102 verbunden werden. Mit anderen Worten: bei dem Vorgang der Ausbildung der isolierenden Schicht 109 mittels des oben beschriebenen Transferverfahrens kann die isolierende Schicht 109 leicht und effizient ausgebildet werden, da die Vielzahl von Metallabdeckungen 103 gleichzeitig bearbeitet werden kann.

Der Vorgang des Verbindens der Metallabdeckungen 103 mit der oberen Seite des Substrats mittels des isolierenden Klebers kann nach einem herkömmlichen Verfahren, wie es in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsschrift Nr. 11-121916 und der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsschrift Nr. 11-126061 offenbart wird, durchgeführt werden.

Bei der oben beschriebenen bevorzugten Ausführung wird die isolierende Schicht 109 an der Öffnungsendfläche 103b jeder Metallabdeckung 103 und deren Umgebung vorgesehen. Nach dem Verfahren zur Erzeugung einer leitenden Abdeckung der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen kann die isolierende Schicht an der oberen Oberfläche 103e der Metallabdeckung 103 ausgebildet werden. Das heißt, die isolierende Schicht 109b kann an der oberen Oberfläche 103e der Metallabdeckung 103, wie in Fig. 5A, 5B und 5C gezeigt, ausgebildet werden. Durch Bilden der isolierenden Schicht 109b an der oberen Oberfläche 103e der Metallabdeckung 103 kann ein durch Kontakt zwischen dem leitenden Bauelement 101 samt Abdeckung und anderen Teilen und Drähten bewirkter Kurzschluss sicher verhindert werden.

In der oben beschriebenen bevorzugten Ausführung wird als elektronisches Bauelement mit einer Abdeckung ein piezoelektrisches Chip-Resonatorbauelement mit dem piezoelektrischen Teil 104, wie in Fig. 4 dargestellt, darin untergebracht beispielhaft gezeigt. Verschiedene bevorzugte erfindungsgemäße Ausführungen können auf ein geeignetes elektronisches Bauelement mit einer Abdeckung angewendet werden, bei dem ein elektronisches Bauelementteil in der das Substrat und die leitende Abdeckung umfassenden Baugruppe untergebracht ist. Das heißt, als elektronisches Bauelementteil kann ein anderes elektronisches Bauelementteil als das piezoelektrische Teil verwendet werden.

Als leitende Abdeckung wird weiterhin die Metallabdeckung 3 beschrieben, doch die vorliegende Erfindung ist nicht hierauf beschränkt. Eine durch Bilden einer leitenden Schicht auf der Oberfläche einer aus isolierendem Material, beispielsweise isolierender Keramik wie zum Beispiel Aluminiumoxid, und Kunstharz und einem anderen geeigneten Material hergestellten Abdeckung kann eingesetzt werden.

Fig. 8 ist eine Querschnittansicht, die ein elektronisches Bauelement zeigt, das mit einer Metallabdeckung mit einer darauf gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung ausgebildeten isolierenden Schicht versehen ist.

Endelektroden 11 und 12 sind an den Endflächen, der oberen Fläche und der unteren Fläche in den gegenüberliegenden Endbereichen eines Substrats 10, beispielsweise eines dielektrischen Substrats oder eines anderen geeigneten Substrats, vorgesehen. Weiterhin ist eine Endelektrode 13 etwa in der Mitte der unteren Fläche des Substrats 10 vorgesehen. Kondensatoren sind zwischen den Endelektroden 11 und 13 und zwischen den Endelektroden 12 und 13 ausgebildet. Ein weiterer Kondensator ist zwischen den Endelektroden 11 und 12 ausgebildet. Ferner können Innenelektroden in dem Substrat 10 vorgesehen werden, so dass sie in Kontakt mit den Endelektroden 11 und 12 stehen. Zwischen diesen Innenelektroden kann ein Kondensator erzeugt sein.

Ein Teil 20, zum Beispiel ein piezoelektrisches Resonatorteil oder ein anderes geeignetes Teil, ist an der oberen Fläche des Substrats 10 angebracht. Ein Ende des Teils 20 ist mittels eines Lötmittels 21 mit der Endelektrode 11 verbunden, und das andere Ende ist mittels eines Lötmittels 22 mit der Endelektrode 12 verbunden. Weiterhin ist eine Metallabdeckung 1 an der oberen Fläche des Substrats 10 angebracht, um das Teil 20 abzudecken und abzudichten. Die Metallabdeckung 1 ist vorzugsweise aus Aluminium oder einer Legierung desselben gefertigt. Eine isolierende Schicht 2 ist an der Oberfläche der Metallabdeckung 1 vorgesehen. Die isolierende Schicht 2 wird durch Anodisieren der Oberfläche der Metallabdeckung 1 gebildet. Die Dicke der isolierenden Schicht 2 liegt vorzugsweise in dem Bereich von etwa 3 µm bis etwa 30 µm.

Die isolierende Schicht 2 liegt zwischen den Endelektroden 11, 12 und der Metallabdeckung 1, wie in Fig. 8 gezeigt. Somit wird ein direkter Kontakt der Metallabdeckung 1 mit den Endelektroden 11 und 12 verhindert, das heißt es kann eine ausreichende Isolierung zwischen den Endelektroden 11, 12 aufrechterhalten werden. Die Metallabdeckung 1 kann mittels eines geeigneten Klebers oder eines anderen geeigneten Verbindungsmaterials oder Mittels mit dem Substrat 10 verbunden werden.

Fig. 9A, 9B und 9C bis Fig. 13A, 13B und 13C zeigen Beispiele der Fläche in der Oberfläche jeder Metallabdeckung, wo die isolierende Schicht ausgebildet wird. Fig. 9A bis 13A sind jeweils perspektivische Ansichten der Metallabdeckungen. Fig. 9B bis 13B sind jeweils Querschnittansichten entlang der Linien A-A in Fig. 9A bis 13A. Fig. 9C bis 13C zeigen die Unterseiten der Metallabdeckungen, nämlich deren jeweils mit den Substraten in Kontakt zu kommenden Flächen. Die Fläche, in der die isolierende Schicht ausgebildet wird, ist in den jeweiligen Figuren schraffiert.

Wie in Fig. 9A-9C gezeigt, kann die isolierende Schicht 2 so angeordnet sein, dass sie sich entlang der ganzen Oberfläche der Metallabdeckung 1 erstreckt. Bei der Ausführung von Fig. 9A-9C ist die isolierende Schicht 2 an der ganzen äußeren Oberfläche der Metallabdeckung 1, der Innenfläche und an dem bei Anbringen der Metallabdeckung 1 an dem Substrat mit dem Substrat in Kontakt zu kommenden Boden ausgebildet. Durch Bilden der isolierenden Schicht 2 an der ganzen Oberfläche der Metallabdeckung 1 wird die elektrische Isolierung gewahrt und eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften des elektronischen Bauelements wird verhindert, wenn das elektronische Bauelement auf einer Leiterplatte angebracht wird, auch wenn das elektronische Bauelement andere Teile kontaktiert. Zudem ist die isolierende Schicht 2 an der Innenfläche der Metallabdeckung 1 ausgebildet. Somit wird die Isolierung zwischen den Teilen und den Lötmitteln oder anderen Teilen, die sich im Inneren der Metallabdeckung 1 befinden, gewahrt.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 10 ist die isolierende Schicht 2 an der Oberfläche der Metallabdeckung 1 ausschließlich deren äußerer Oberseite ausgebildet. Wenn an der oberen Fläche der Metallabdeckung 1 keine isolierende Schicht ausgebildet ist, wie oben beschrieben, kann die Isolierung zwischen der Metallabdeckung und den Endelektroden durch Verwenden der oberen Fläche der Metallabdeckung 1 geprüft werden.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 11 ist die Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, etwa in der Mitte jeder Seitenfläche der Metallabdeckung 1 vorgesehen. Die Fläche, in der keine isolierende Schicht ausgebildet ist, erstreckt sich auch zu der Bodenfläche der Metallabdeckung 1. Man sollte aufpassen, dass die Fläche, in der keine isolierende Schicht ausgebildet ist, nicht in Kontakt mit den Endelektroden kommt. Ein derartiges isolierendes Schichtmuster der Metallabdeckung kann z. B. beim Anodisieren eines später beschriebenen Bandmaterials gebildet werden. Durch Verbinden einer Erde mit der Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, kann die Metallabdeckung 1 eine Abschirmfunktion bieten.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 12 ist die Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, etwa in der Mitte jeder Seitenfläche der Metallabdeckung vorgesehen. Auch diese Metallabdeckung 1 kann durch Verbinden einer Erde mit der Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, eine Abschirmfunktion bieten.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 13 ist die isolierende Schicht 2 nur an dem unteren Endbereich der Metallabdeckung 1 vorgesehen. Das heißt, die isolierende Schicht 2 ist an den unteren Endbereichen an der äußeren Seite und an der inneren Seite der Metallabdeckung 1 und an deren Boden ausgebildet. Durch Verbinden einer Erde mit der Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, kann die Metallabdeckung 1 ebenfalls eine Abschirmfunktion bieten.

Wie vorstehend beschrieben unterliegt die Fläche, in der keine isolierende Schicht ausgebildet ist, nach einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung keiner Beschränkung. Die isolierende Schicht muss nur auf den Oberflächen der Metallabdeckung vorgesehen werden, so dass sie mit den Endelektroden in Kontakt kommt.

Fig. 14 ist eine Querschnittansicht, die ein Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt. Bei dieser bevorzugten Ausführung ist eine Metallabdeckung 1 elektrisch verbunden, während die Abdeckung 1 durch ein Gestellt 3 gehalten, als Anode eingestellt und anodisiert wird. Als Gestell 3 kann ein Metallfederstück, das die Metallabdeckung 1 an ihrer Innenseite festhalten kann, verwendet werden. Das oben beschriebene Anodisieren ist geeignet, wenn die Metallabdeckungen 1 einzeln und von einander getrennt vorliegen.

Fig. 15 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Anodisieren gemäß einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt. Bei dieser bevorzugten Ausführung sind die Abdeckungen 1 in einem Band 4 miteinander verbunden. Das Band 4 wird erhalten, nachdem ein Blechmaterial gestanzt und zu Abdeckungsformen geformt und bevor die Abdeckungen 1 von den ausgestanzten Bereichen des Bands 4 entfernt wurden. Um die Metallabdeckungen 1 in dem Band 4 elektrisch zu verbinden wird zum Beispiel eine in Fig. 15 gezeigte Leitungswalze 5 mit dem Band 4 in Kontakt gebracht.

Fig. 16 zeigt ein Beispiel eines kontinuierlichen Anodisierens des Bands 4 von Fig. 15. Das Band 4 ist um eine Zuführwalze 6 gewickelt und wird von der Walze 6 zu einem Anodisierbad 8 geführt. Das Band 4 wird mit der Leitungswalze 5 in Kontakt gebracht und befindet sich in elektrischer Leitung. In dem Anodisierbad 8 werden die Metallabdeckungen 1 anodisiert, wodurch auf den Abdeckungen 1 eine oxidierte Schicht gebildet wird. Das Band 4 wird nach dem Anodisieren um eine Aufnahmewalze 7 gewickelt. Somit können die Metallabdeckungen 1 in dem Band 4 kontinuierlich anodisiert werden.

Fig. 17 ist eine Vorderansicht, die das Anodisieren nach einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt. Bei dieser bevorzugten Ausführung wird das auf eine vorbestimmte Einheitslänge zugeschnittene Band 4 verwendet. Das zugeschnittene Band 4 wird in ein Anodisierbad getaucht und anodisiert. Das heißt, das Band 4 wird durch ein Chargensystem anodisiert. Das Band 4 wird durch eine Haltevorrichtung 9 unter elektrischer Leitung gehalten und in diesem Zustand in das Anodisierbad getaucht, so dass eine aus einer oxidierten Schicht gebildete isolierende Schicht an der Oberfläche der Abdeckungen ausgebildet wird.

Nach Durchführen des Anodisierens im Bandzustand, wie oben beschrieben, werden die Metallabdeckungen 1 von dem Band 4 abgenommen. In diesem Fall werden die Metallabdeckungen 1 von dem Band 4 an den Verbindungsbereichen in dem Band 4 abgeschnitten. In den Abschneidebereichen ist keine isolierende Schicht ausgebildet. Demgemäß kann eine Metallabdeckung mit einem in Fig. 11 gezeigten isolierenden Schichtmuster erzeugt werden.

Fig. 18 ist eine Querschnittansicht, die die Schnitte 4a und 4b zeigt, die in dem Verbindungsbereich zwischen der Metallabdeckung 1 und dem Band 4 vorgesehen sind. Durch Vorsehen der Schnitte 4a und 4b zur Vernngerung der Dicke des Verbindungsbereichs kann die Metallabdeckung nach dem Anodisieren mühelos von dem Band 4 abgenommen werden.

Fig. 19 zeigt den Zustand, in dem das Anodisieren durchgeführt wurde. Wie in Fig. 19 gezeigt, werden isolierende Schichten 2, die oxidierte Schichten sind, an den vorderen und hinteren Flächen des Bands 4 ausgebildet. Die isolierende Schicht 2 ist über das Band 4 mit gleichmäßiger Dicke ausgebildet. In den Bereichen, da die Schnitte 4a und 4b gebildet werden, wird die Dicke des Metallblechs sehr gering. Demgemäß können die Abdeckungen 1 durch Ausüben einer schwachen Außenkraft abgenommen werden.

Die in Fig. 18 gezeigten Schnitte 4a und 4b können so geformt sein, dass sie eine Tiefe aufweisen, die im Wesentlichen etwa der halben Dicke des Metallblechs entspricht.

Bei den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungen wird als Substrat zur Anbringung eines Teils ein Substrat wie zum Beispiel ein dielektrisches Substrat oder ein anderes geeignetes Substrat beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf das dielektrische Substrat beschränkt. Es kann zum Beispiel ein isolierendes Substrat oder ein anderes Substrat verwendet werden.

Fig. 22 ist eine Querschnittansicht, die ein elektronisches Bauelement zeigt, das mit einer Metallabdeckung mit einer darauf gemäß einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung ausgebildeten isolierenden Schicht versehen ist.

An den Endflächen, der oberen Fläche und der unteren Fläche sind Endelektroden 11 und 12 in den gegenüberliegenden Endbereichen eines Substrats 10, beispielsweise eines dielektrischen Substrats oder eines anderen geeigneten Substrats, ausgebildet. Weiterhin ist eine Endelektrode 13 etwa in der Mitte der unteren Fläche des Substrats 10 vorgesehen. Kondensatoren sind zwischen den Endelektroden 11 und 13 und zwischen den Endelektroden 12 und 13 ausgebildet. Ein weiterer Kondensator ist zwischen den Endelektroden 11 und 12 ausgebildet. Ferner können Innenelektroden in dem Substrat 10 vorgesehen sein, so dass sie in Kontakt mit den Endelektroden 11 und 12 stehen. Zwischen diesen Innenelektroden kann ein Kondensator ausgebildet sein.

Ein Teil 20, zum Beispiel ein piezoelektrisches Resonatorteil oder ein anderes elektronisches Teil, ist an der oberen Fläche des Substrats 10 angebracht. Ein Ende des Teils 20 ist mittels eines Lötmittels 21 mit der Endelektrode 11 verbunden, und das andere Ende ist mittels eines Lötmittels 22 mit der Endelektrode 12 verbunden. Weiterhin ist eine Metallabdeckung 1 an der oberen Fläche des Substrats 10 angebracht, um das Teil 20 abzudecken und abzudichten. Die Metallabdeckung 1 ist vorzugsweise aus Aluminium oder einer Legierung desselben gefertigt. Eine isolierende Schicht 2 ist an der Oberfläche der Metallabdeckung 1 ausgebildet. Die isolierende Schicht 2 wird durch Anodisieren der Oberfläche der Metallabdeckung 1 gebildet. Die Dicke der isolierenden Schicht 2 liegt vorzugsweise in dem Bereich von etwa 3 µm bis etwa 30 µm.

Die isolierende Schicht 2 liegt zwischen den Endelektroden 11, 12 und der Metallabdeckung 1, wie in Fig. 22 gezeigt. Somit wird ein direkter Kontakt der Metallabdeckung 1 mit den Endelektroden 11 und 12 verhindert, das heißt es kann eine ausreichende Isolierung zwischen den Endelektroden 11 und 12 gewahrt werden.

Die Metallabdeckung 1 kann mittels eines geeigneten Klebers oder eines anderen geeigneten Verbindungsmaterials oder Mittels mit dem Substrat 10 verbunden werden.

Fig. 23A, 23B und 23C bis Fig. 27A, 27B und 27C zeigen Beispiele der Fläche in der Oberfläche jeder Metallabdeckung, wo die isolierende Schicht ausgebildet wird. Fig. 23A bis 27A sind jeweils perspektivische Ansichten der Metallabdeckungen. Fig. 23B bis 27B sind jeweils Querschnittansichten entlang der Linien A-A in Fig. 23A bis 27A. Fig. 23C bis 27C zeigen die Unterseiten der Metallabdeckungen, welches deren Flächen sind, die jeweils mit den Substraten in Kontakt kommen sollen. Die Fläche, in der die isolierende Schicht vorgesehen ist, ist in den jeweiligen Figuren schraffiert.

Wie in Fig. 23 gezeigt, kann die isolierende Schicht 2 entlang der ganzen Oberfläche der Metallabdeckung 1 ausgebildet werden. Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 9 ist die isolierende Schicht 2 an der ganzen äußeren Oberfläche der Metallabdeckung 1, der Innenfläche und an dem bei Anbringen der Metallabdeckung 1 an dem Substrat mit dem Substrat in Kontakt zu kommenden Boden ausgebildet. Durch Bilden der isolierenden Schicht 2 an der ganzen Oberfläche der Metallabdeckung 1 kann die elektrische Isolierung gewahrt werden und eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften des elektronischen Bauelements verhindert werden, wenn das elektronische Bauelement auf einer Leiterplatte angebracht wird, auch wenn das elektronische Bauelement andere Teile kontaktiert. Zudem ist die isolierende Schicht 2 an der Innenfläche der Metallabdeckung 1 ausgebildet. Somit kann die Isolierung zwischen den Teilen und den Lötmitteln oder anderen Teilen, die sich im Inneren der Metallabdeckung 1 befinden, gewahrt werden.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 24 ist die isolierende Schicht 2 an der Oberfläche der Metallabdeckung 1 ausschließlich deren äußerer Oberseite vorgesehen. In dem Fall, da an der oberen Fläche der Metallabdeckung 1 keine isolierende Schicht ausgebildet ist, wie oben beschrieben, kann die Isolierung zwischen der Metallabdeckung und den Endelektroden durch Verwenden der oberen Fläche der Metallabdeckung 1 geprüft werden.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 25 ist die Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, etwa in der Mitte jeder Seitenfläche der Metallabdeckung 1 vorgesehen. Die Fläche, in der keine isolierende Schicht ausgebildet ist, erstreckt sich auch zu der unteren Fläche der Metallabdeckung 1. Man sollte aufpassen, dass die Fläche, in der keine isolierende Schicht ausgebildet ist, nicht in Kontakt mit den Endelektroden kommt. Ein derartiges isolierendes Schichtmuster der Metallabdeckung kann z. B. beim Anodisieren eines später beschriebenen Bandmaterials gebildet werden. Durch Verbinden einer Erde mit der Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, kann die Metallabdeckung 1 eine Abschirmfunktion bieten.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 26 ist die Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, etwa in der Mitte jeder Seitenfläche der Metallabdeckung vorgesehen. Auch diese Metallabdeckung 1 kann durch Verbinden einer Erde mit der Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, eine Abschirmfunktion bieten.

Bei der bevorzugten Ausführung von Fig. 27 ist die isolierende Schicht 2 nur an dem unteren Endbereich der Metallabdeckung 1 ausgebildet. Das heißt, die isolierende Schicht 2 ist an den unteren Endbereichen an der äußeren Seite und an der inneren Seite der Metallabdeckung 1 und an deren Boden ausgebildet. Durch Verbinden einer Erde mit der Fläche, in der keine isolierende Schicht 2 ausgebildet ist, kann die Metallabdeckung 1 ebenfalls eine Abschirmfunktion bieten.

Wie vorstehend beschrieben unterliegt die Fläche, in der keine isolierende Schicht ausgebildet ist, gemäß den bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen keiner Einschränkung. Die isolierende Schicht muss nur auf den Oberflächen der mit den Endelektroden in Kontakt zu kommenden Metallabdeckung vorgesehen werden.

Fig. 28 ist eine Querschnittansicht, die ein Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht gemäß einer ersten bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt. Ein leitendes doppelseitiges Klebeband 31 ist mit einer leitenden Tragplatte 30 aus einem Metallblech oder einem anderen geeigneten Material verbunden. Das leitende doppelseitige Klebeband 31 weist durch Integration zum Beispiel eines Metallpulvers, Carbon-Black oder ein anderes geeignetes Material darin leitende Eigenschaften auf. Eine Vielzahl von Metallabdeckungen 1 sind mit dem leitenden doppelseitigen Klebeband verbunden. Die leitende Tragplatte 30 ist durch eine aus Metall oder ein anderes geeignetes Material hergestellte leitende Lagerung 32 gelagert.

Fig. 29 ist eine Querschnittansicht, die die Metallabdeckungen 1 der Fig. 28 in ihrem gelagerten Zustand zeigt. Wie in Fig. 29 ersichtlich ist, sind die oberen Seiten der Metallabdeckungen 1 mit dem leitenden doppelseitigen Klebeband 31 verbunden. Die Metallabdeckungen 1 sind über das leitenden doppelseitige Klebeband 31 mit der leitenden Tragplatte 30 elektrisch verbunden. Somit können durch Einstellen der leitenden Tragplatte 30 als Kathode oder Anode über die Lagerung 32 die Metallabdeckungen 1 zu einer Kathode oder Anode umfunktioniert werden.

Durch Eintauchen der wie oben beschriebene gelagerten Metallabdeckungen 1 in ein galvanisches Beschichtungsmaterial und Einstellen der Metallabdeckungen 1 als Kathode oder Anode kann das Material auf die freiliegende Oberfläche der Metallabdeckungen 1 galvanisch beschichtest werden. Das heißt, eine isolierende Schicht kann durch die galvanische Beschichtung erzeugt werden. Gemäß dem Lagerungsverfahren dieser bevorzugten Ausführung werden die oberen Flächen der Metallabdeckungen mit dem leitenden doppelseitigen Klebeband 31 verbunden. Demgemäß wird auf den oberen Flächen der Metallabdeckungen 1 keine isolierende Schicht ausgebildet. Demgemäß kann das gleiche isolierende Schichtmuster wie in dem in Fig. 3 gezeigten Beispiel gebildet werden.

Fig. 30 ist eine Vorderansicht, die ein Verfahren zur Ausbildung einer isolierenden Schicht nach einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt. Fig. 31 ist eine Querschnittansicht, die den gelagerten Zustand der Metallabdeckungen von Fig. 30 zeigt.

Unter Bezug auf Fig. 30 und 31 sind sich in Seitenrichtung ausdehnende Vorsprünge 33a auf einer aus einem Metallblech oder einem anderen geeigneten Material gebildeten leitenden Tragplatte 33, die in Fig. 31 gezeigt ist, angeordnet. Leitende doppelseitige Klebebändern sind jeweils mit den Vorsprüngen 33a verbunden. Die leitenden doppelseitigen Klebebänder weisen durch die Integration zum Beispiel eines Metallpulvers, Carbon-Black oder eines anderen geeigneten Materials darin leitende Eigenschaften auf, ähnlich zu dem in Fig. 28 und 29 gezeigten leitenden Kontaktklebeband 31. Die Metallabdeckungen 1 sind mit dem leitenden doppelseitigen Klebeband 34 jeweils verbunden. Wie in Fig. 31 gezeigt, ist der Boden jeder Metallabdeckung 1 mit dem leitenden doppelseitigen Klebeband 34 verbunden. Die leitende Tragplatte 33 ist durch eine aus Metall oder einem anderen geeigneten Material hergestellte leitende Haltevorrichtung 35 gehalten.

Jede Metallabdeckung 1 ist mit der leitendem Tragplatte 33 über das leitende doppelseitige Klebeband 34 elektrisch verbunden. Demgemäß kann durch Einstellen der leitenden Tragplatte 33 als Kathode oder Anode die Metallabdeckung 1 zu einer Kathode oder Anode umfunktioniert werden. Durch Eintauchen der wie oben beschrieben gelagerten Metallabdeckungen 1 in ein galvanisches Beschichtungsmaterial und Einstellen der Metallabdeckungen 1 als Kathode oder Anode kann somit das Material auf die Oberflächen der Metallabdeckungen 1 galvanisch beschichtet werden.

Das galvanische Beschichten weist eine gute Beschichtungsleistung auf. Es können nicht nur die äußere Oberfläche jeder Metallabdeckung 1, sondern auch deren innere Oberfläche beschichtet werden. Der Bereich der Metallabdeckung 1, der in Kontakt mit dem leitenden doppelseitigen Klebeband 34 steht, wird jedoch nicht beschichtet. Somit wird ungefähr auf dem Mittelbereich des Bodens der Metallabdeckung 1 keine Beschichtung gebildet. Demgemäß ist das isolierende Schichtmuster an dem Boden der Metallabdeckung 1 ähnlich dem in Fig. 25C gezeigten. Man sollte aufpassen, dass die Flächen, in denen keine isolierende Schicht ausgebildet wird, nicht die Flächen der Endelektroden überlappen.

Fig. 32 ist eine Querschnittansicht, die ein Verfahren zur Ausbildung einer isolierenden Schicht nach einer weiteren bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung zeigt. Bei dieser bevorzugten Ausführung werden Federelemente 37, die aus einem leitenden Material wie zum Beispiel Metall oder einem anderen geeigneten Material gefertigt sind, vorgesehen. Die Metallabdeckung 1 wird zur Lagerung zwischen die Federelemente 37 geschoben. Die Metallabdeckung 1 ist mittels der Federelemente 37 mit der leitenden Tragplatte 36 elektrisch verbunden. Demgemäß kann durch Einstellen der leitenden Tragplatte 36 als Kathode oder Anode die Metallabdeckung 1 zu einer Kathode oder Anode umfunktioniert werden.

Durch Eintauchen der wie oben beschrieben gelagerten Metallabdeckungen 1 in ein galvanisches Beschichtungsmaterial und Einstellen der Metallabdeckungen 1 als Kathode oder Anode kann eine isolierende Schicht aus einer galvanischen Beschichtungsschicht auf den freiliegenden Oberflächen der Metallabdeckungen 1 ausgebildet werden. Bei dieser bevorzugten Ausführung kann die isolierende Schicht auf der Oberfläche jeder Metallabdeckung 1 mit Ausnahme des Oberflächenbereichs der Metallabdeckung 1 in Kontakt mit dem Federelement 37 ausgebildet werden.

Wie vorstehend beschrieben kann nach verschiedenen bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen die isolierende Schicht in dem Zustand der geformten Abdeckung ausgebildeten werden. Somit ist es unnötig, die isolierende Schicht auszubilden und dann Biegearbeit oder andere herkömmliche Verfahren auszuführen. Eine sehr gute isolierende Schicht kann an den Oberflächenbereichen der Abdeckung ausgebildet werden, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen.

Bei den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungen kann als Substrat für das Anbringen eines Teils ein Substrat wie zum Beispiel ein dielektrisches Substrat oder ein anderes geeignetes Substrat als Beispiel bevorzugt verwendet werden. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen bevorzugten Ausführungen beschränkt. Es kann beispielsweise ein isolierendes Substrat oder ein anderes Substrat verwendet werden.

Bei der leitenden Abdeckung der bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen ist die Endfläche der Öffnung an der unteren Fläche der Abdeckung und deren inneren und äußeren Seitenflächen in Verbindung mit und in Umgebung der Endfläche mit einer darauf ausgebildeten isolierenden Schicht versehen. Wenn die leitende Abdeckung mit der oberen Fläche des Substrats mit darauf ausgebildeten Endelektroden mittels eines isolierenden Klebers verbunden ist, kann somit ein Kurzschluss der leitenden Abdeckung und der Endelektroden zuverlässig verhindert werden.

Bezüglich eines herkömmlichen elektronischen Bauelements mit einer Abdeckung, bei der auf dem Substrat eine isolierende Schicht ausgebildet ist, wird es schwierig, die isolierende Schicht mit hoher Präzision auszubilden, wenn das elektronische Bauelement stärker miniaturisiert wird. Dies verhindert ein Verringern der Größe des elektronischen Bauelements. Wenn die leitende Abdeckung bevorzugter erfindungsgemäßer Ausführungen verwendet wird, ist es andererseits nicht erforderlich, auf dem Substrat eine isolierende Schicht auszubilden. Somit kann die leitende Abdeckung der Miniaturisierung hinreichend gerecht werden.

Der Isolationswiderstand zwischen der Öffnungsendfläche der leitenden Abdeckung und der äußeren Seite der isolierenden Schicht kann mindestens etwa 10⁹ Ω betragen.

In diesem Fall wird ein Kurzschluss zwischen der leitenden Abdeckung und den Endelektroden auf dem Substrat sicherer verhindert.

Weiterhin liegt die Dicke der isolierenden Schicht vorzugsweise in dem Bereich von etwa 4 µm bis etwa 25 µm. In diesem Fall kann die elektrische Isolierung zwischen der leitenden Abdeckung und den Endelektroden zuverlässig durchgeführt werden, eine Größenzunahme des Substrats verhindert werden und zudem Beschränkungen der Größe eines aufzunehmenden Elektronik-Bauelementteils verringert werden können.

Wenn die Öffnungsendfläche der leitenden Abdeckung und ihr angrenzender Bereich im Schnitt senkrecht zur Umfangsrichtung der leitenden Abdeckung betrachtet werden, bilden die Öffnungsendfläche der Abdeckung und deren mit der Öffnungsendfläche verbundene Innenseitenfläche vorzugsweise eine gebogene Linie und der Radius R der Krümmung der gebogenen Linie liegt vorzugsweise in dem Bereich von etwa 80 µm bis etwa 150 µm. In diesem Fall kann die isolierende Schicht mit hinreichender Dicke zuverlässig auf der Öffnungsendfläche und deren Umgebung vorgesehen werden, und somit kann ein Kurzschluss zwischen den Endelektroden und der leitenden Abdeckung zuverlässig verhindert werden.

Bei dem elektronischen Bauelement verschiedener bevorzugter Ausführungen der vorliegenden Erfindung wird ein Elektronik-Bauelementteil an dem Substrat angebracht und mit der Vielzahl Endelektroden auf dem Substrat elektrisch verbunden, und die Öffnungsseite der leitenden Abdeckung gemäß verschiedenen bevorzugten Ausführungen der vorliegenden Erfindung wird mit dem Substrat verbunden, so dass sie das Elektronik-Bauelementteil abdeckt. Somit wird aufgrund der auf der leitenden Abdeckung ausgebildeten isolierenden Schicht ein Kurzschluss zwischen der leitenden Abdeckung und den Endelektroden zuverlässig verhindert.

Bei dem elektronischen Bauelement bevorzugter Ausführungen der vorliegenden Erfindung kann das Elektronik-Bauelementteil ein piezoelektrisches Teil sein. In diesem Fall kann ein Kurzschluss zwischen der leitenden Abdeckung und den Endelektroden auf dem Substrat zuverlässig verhindert werden. Dadurch wird ein piezoelektrisches Bauelement mit einer sehr hohen Zuverlässigkeit zur Hand gegeben.

In dem Fall, da die leitende Abdeckung aus einer Metallabdeckung besteht, kann die leitende Abdeckung mühelos aus einem Metallblechmaterial durch Ziehen oder einen anderen geeigneten Vorgang gebildet werden.

Nach dem Verfahren zur Ausbildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung einer bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführung werden eine Vielzahl von leitenden Abdeckungen von einer Haltevorrichtung gehalten, während sie angeordnet werden, die Öffnungsendflächenseite der Vielzahl von durch die Haltevorrichtung gehaltenen leitenden Abdeckungen werden zur Bildung einer isolierenden Schicht mit einer vorbestimmten Dicke gegen eine Harzlage gedrückt und dann werden die leitenden Abdeckungen zur Bildung einer isolierenden Schicht von der Harzlage getrennt, wodurch die isolierende Schicht auf der Öffnungsendfläche jeder leitenden Abdeckung und deren Endflächenumgebung mittels des Transferverfahrens gebildet wird, und nach dem Transferschritt wird die isolierende Schicht getrocknet. Dadurch kann die isolierende Schicht auf der Vielzahl von leitenden Abdeckungen effizient und zuverlässig ausgebildet werden.

Das Harz zur Bildung einer isolierenden Schicht hat vorzugsweise eine Viskosität von etwa 5000 cps bis etwa 20 000 cps bei etwa 25 ± 5°C, so dass eine isolierende Schicht mit ausgezeichneten elektrischen Isolierungseigenschaften zuverlässig und mühelos durch Wiederholen des Transfervorgangs um eine vorbestimmte Anzahl an Zyklen, bis die isolierende Schicht eine Schichtdicke aufweist, die eine hinreichende elektrische Isolierung sicherstellt, wenn die isolierende Schicht mittels des Transfervorgangs auf der leitenden Abdeckung gebildet werden, ausgebildet werden kann.

Nach dem Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht der verschiedenen bevorzugten erfindungsgemäßen Ausführungen wird ein in einer Abdeckungsform ausgebildetes Material anodisiert, wodurch auf der Oberfläche der Bereiche des abdeckungsförmigen Materials, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, eine isolierende Schicht ausgebildet werden kann. Die sich ergebende leitende Abdeckung kann allein mittels eines Klebers oder eines anderen geeigneten Verbindungsmaterials oder Verfahrens mit dem Substrat verbunden werden. Somit kann ein elektronisches Bauelement mit einer stark verringerten Höhe effizient erzeugt werden.

Es versteht sich, dass die vorstehende Beschreibung lediglich der Veranschaulichung der vorliegenden Erfindung dient. Ein Fachmann kann verschiedene Alternativen und Abwandlungen entwickeln, ohne von der Erfindung abzuweichen. Demgemäß soll die vorliegende Erfindung alle derartigen Alternativen, Abwandlungen und Änderungen umfassen, die in den Schutzumfang der beigefügten Patentansprüche fallen.

Claims

1. Leitende Abdeckung zur Verwendung in einem elektronischen Bauelement, wobei die leitende Abdeckung folgendes umfasst:
eine obere Fläche, eine untere Fläche und innere und äußere Seitenflächen;
eine Öffnung an ihrer unteren Fläche, wobei die Abdeckung zur Anbringung an der oberen Fläche des Substrats des elektronischen Bauelements an der Öffnungsseite der Abdeckung ausgelegt ist, so dass sie mindestens ein an der oberen Fläche des Substrats, das darauf angeordnete Endelektroden aufweist, ausgebildetes Elektronik-Bauelementteil abdeckt;
dadurch gekennzeichnet, dass die Endfläche der Öffnung und die inneren und äußeren Seitenflächen derselben in Verbindung mit und in der Umgebung der Endfläche mit einer darauf ausgebildeten isolierenden Schicht versehen sind.

2. Leitende Abdeckung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolationswiderstand zwischen der Öffnungsendfläche der leitenden Abdeckung und der äußeren Seite der isolierenden Schicht mindestens etwa 10⁹ Ω beträgt.

3. Leitende Abdeckung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der isolierenden Schicht in dem Bereich von etwa 4 µm bis etwa 25 µm liegt.

4. Leitende Abdeckung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei Betrachtung der Öffnungsendfläche der leitenden Abdeckung und eines angrenzendes Bereichs derselben im Schnitt im Wesentlichen senkrecht zur Umfangsrichtung der leitenden Abdeckung die Öffnungsendfläche der Abdeckung und deren Innenseitenfläche in Verbindung mit der Öffnungsendfläche eine gebogene Linie bilden und der Radius R der Krümmung der gebogenen Linie in dem Bereich von etwa 80 µm bis etwa 150 µm liegt.

5. Elektronisches Bauelement, welches Folgendes umfasst:
ein Substrat mit einer zumindest an deren oberen Fläche ausgebildeten Vielzahl von Endelektroden;
ein an dem Substrat angebrachtes und mit der Vielzahl der Endelektroden elektrisch verbundenes Elektronik-Bauelementteil und
eine leitende Abdeckung, die eine Öffnung an einer unteren Fläche derselben und eine an der Öffnungsendfläche derselben und an einem angrenzenden Bereich ausgebildete isolierende Schicht aufweist und mit dem Substrat an der Öffnungsseite derselben verbundenen ist.

6. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Elektronik-Bauelementteil ein piezoelektrisches Teil ist.

7. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Abdeckung eine Metallabdeckung ist.

8. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:

- Halten einer Vielzahl von leitenden Abdeckungen, die jeweils eine Öffnung an einer unteren Fläche derselben aufweisen, während die leitenden Abdeckungen mittels einer Haltevorrichtung angeordnet sind,
- Drücken der Öffnungsendflächenseite der Vielzahl von durch die Haltevorrichtung gehaltenen leitenden Abdeckungen gegen eine Harzlage zur Bildung einer isolierenden Schicht mit einer vorbestimmten Dicke und danach Trennen der leitenden Abdeckungen von der Harzlage zur Bildung einer isolierenden Schicht, wodurch die isolierende Schicht an der Öffnungsendfläche jeder leitenden Abdeckung und der Umgebung der Öffnungsendfläche mittels eines Transferverfahrens gebildet wird, und
- Trocknen der isolierenden Schicht nach dem Transferschritt.

9. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das zur Bildung einer isolierenden Schicht verwendete Harz ein Harz mit einer Viskosität von etwa 5000 cps bis etwa 20 000 cps bei etwa 25 ± 5°C verwendet wird.

10. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung zur Abdichtung eines elektronischen Bauelements, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
Vorsehen einer leitenden Abdeckung, die zur Anbringung an der Oberfläche eines Substrats mit darauf ausgebildeten Endelektroden ausgelegt ist, so dass sie ein an der Oberfläche des Substrats angebrachtes Teil abdeckt und abdichtet;
Bilden einer isolierenden Schicht auf der leitenden Abdeckung, so dass die isolierende Schicht die Endelektroden von der leitenden Abdeckung elektrisch isoliert;
dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Abdeckung aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung hergestellt ist und die isolierende Schicht durch Durchführen des Anodisierens in dem abdeckungsförmigen Zustand an der Oberfläche der leitenden Abdeckung gebildet wird.

11. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Anodisieren durchgeführt wird, während die leitende Abdeckung durch Gestell gehalten wird und elektrisch verbunden ist.

12. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Ausstanzen eines Blechmaterials zum Bilden von Abdeckungen das Anodisieren durchgeführt wird, während die Abdeckungen teilweise mit dem Blechmaterial verbunden sind und in einem Bandzustand gehalten werden.

13. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Band in das Anodisierbad geführt wird und das Band nach dem Anodisieren gewickelt wird, wodurch das Anodisieren kontinuierlich durchgeführt wird.

14. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Band auf eine vorbestimmte Einheitslänge zugeschnitten wird und zur Anodisierbehandlung in ein Anodisierbad getaucht wird.

15. Leitende Abdeckung zum Abdichten eines elektronischen Bauelements, wobei die leitende Abdeckung folgendes umfasst:
einen Abdeckungskörper einschließlich einer unteren Fläche, welcher zur Anbringung an einer Oberfläche eines Substrats des elektronischen Bauelements ausgelegt ist, um ein an der Oberfläche des Substrats, das darauf ausgebildete Endelektroden aufweist, angebrachtes Teil abzudecken und abzudichten, die leitende Abdeckung aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung besteht; und
eine isolierende Schicht mindestens an den Oberflächenbereichen der leitenden Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, ausgebildet wird.

16. Verfahren zur Bildung einer isolierendem Schicht einer leitenden Abdeckung zum Abdichten eines elektronischen Bauelements, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
Vorsehen einer leitenden Abdeckung, die zur Anbringung an der Oberfläche des Substrats des elektronischen Bauelements, welches darauf ausgebildeten Endelektroden aufweist, ausgelegt ist, um ein an der Oberfläche des Substrats angebrachtes Teil abzudecken und abzudichten;
Ausbilden einer isolierenden Schicht an der leitenden Abdeckung, so dass die isolierende Schicht die Endelektroden von der leitenden Abdeckung elektrisch isoliert;
dadurch gekennzeichnet, dass die isolierende Schicht an der Oberfläche der leitenden Abdeckung durch galvanisches Beschichten ausgebildet wird.

17. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung nach Anspruch 16, welches weiterhin die Schritte des Verbindens eines leitenden doppelseitigen Klebebands mit einer leitenden Tragplatte und das Verbinden der leitenden Abdeckung mit dem leitendem doppelseitigen Klebeband umfasst, so dass die leitende Abdeckung elektrisch verbunden, gelagert und galvanisch beschichtet wird.

18. Verfahren zur Bildung einer isolierenden Schicht einer leitenden Abdeckung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das galvanische Beschichten durchgeführt wird, während die leitende Abdeckung von einem Gestell gelagert wird und elektrisch verbunden ist.

19. Leitende Abdeckung zur Abdichtung eines elektronischen Bauelements, welche Folgendes umfasst:
einen leitenden Abdeckungskörper, der zur Anbringung an einer Oberfläche des Substrats des elektronischen Bauelements, das darauf ausgebildete Endelektroden aufweist, ausgelegt ist, so dass er ein an der Oberfläche des Substrats angebrachtes Teil abdeckt und abdichtet; und
eine mindestens an den Bereichen der leitenden Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, ausgebildete isolierende Schicht.

20. Leitende Abdeckung zur Abdeckung und Abdichtung eines an der Oberfläche eines Substrats, das darauf ausgebildete Endelektroden aufweist, angebrachten Teils, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Abdeckung eine isolierende Schicht aufweist, die mindestens an der Oberfläche der Bereiche der Abdeckung, die mit den Endelektroden in Kontakt kommen sollen, ausgebildet ist.