DE10033035A1 - Einschalt-Rücksetzschaltung für ein Dualversorgungssystem - Google Patents
Einschalt-Rücksetzschaltung für ein DualversorgungssystemInfo
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Abstract
Eine Einschalt-Rücksetzschaltung (100) für ein Dualversorgungssystem enthält einen Spannungsteiler (50), der durch die erste Stromversorgung gespeist wird, und eine durch die zweite Stromversorgung gespeiste Teilschaltung (60, 61, 62). Der Ausgang des Spannungsteilers ist mit einem Steuerknoten der ersten Rücksetz-Teilschaltung (61) verbunden, die im übrigen durch die zweite Stromversorgung gespeist wird. Eine zweite Rücksetz-Teilschaltung (62) wird genau geregelt und durch die zweite Stromversorgung gespeist. Die erste Rücksetz-Teilschaltung (61) sorgt für eine Umsetzung eines Signals mit einem durch das Potential der ersten Stromversorgung begrenzten Potential in ein Signal mit einem Potential, das dem der zweiten Stromversorgung entspricht. Nur wenn ein Steuersignal von dem Spannungsteiler (50) ein bestimmtes Potential erreicht und die zweite Stromversorgung ein bestimmtes Potential erreicht, wird die erste Rücksetz-Teilschaltung (61) in einer Weise aktiviert, die zur Folge hat, daß bei Signalgebung des Schaltungsausgangs beide Stromversorgungen bei einem geeigneten Potential liegen. Dies ist für Anwendungen bei Einsatz unter Strom in Dualversorgungssystemen nützlich.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schal
tungsanordnung zum Erzeugen von Einschalt-Rücksetzsignalen
zur Übertragung zu integrierten Schaltungssystemen. Insbeson
dere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Ein
schalt-Rücksetzschaltung, die eine Einschalt-Rücksetzung
sperrt, bis die Stromversorgungsschiene mit hohem Potential
ein definiertes Potential erreicht. Die vorliegende Erfindung
bezieht sich ferner insbesondere auf eine Schaltungsanordnung
zum Zurücksetzen des Einschaltzustandes, die arbeitet, wie es
notwendig ist, wenn sie mit einer von Stromversorgungen mit
verschiedenen Potentialen gespeisten Schaltungsanordnung ge
koppelt ist. Die vorliegende Erfindung ist eine Einschalt-
Rücksetzschaltung, die in Verbindung mit Systemen zur Um
setzung von Logikpegeln verwendet wird.
Einschalt-Rücksetzschaltungen sind dafür ausgelegt, Si
gnale zu auf Halbleitern basierenden Systemen zu übertragen,
um einen Betrieb derartiger Systeme zu ermöglichen, nur wenn
eine gemeinsame Hochpotential-Leistungsschiene ein bestimmtes
minimales Potential erreicht. Diese Einschalt-Rücksetzschal
tungen können verwendet werden, um einen Einsatz "unter Strom
oder im aktiven Zustand" von Systemen oder Teilsystemen wie
z. B. Leiterplatten, die zu Anfang nicht gespeist werden, in
eine erweiterte gekoppelte Schaltungsanordnung zu ermögli
chen, die gespeist wird. Die Einschalt-Rücksetzschaltungs
anordnung soll das nicht gespeiste System oder Teilsystem vor
wesentlichen anfänglichen Potentialschwankungen schützen, die
eine Beschädigung oder unerwartete Betriebsanomalien in der
Schaltungsanordnung hervorrufen können, die in das aktive Sy
stem eingesetzt wird. In der Tat ist die Einschalt-Rücksetz
schaltung dafür ausgelegt, eine Freigabeaktivierung des Teil
systems zu sperren, bis das Potential der Leistungsschiene
zur Aktivierung dieses speziellen Teilsystems geeignet ist.
Ein Spannungspegelwandler oder Umsetzerpuffer wird ver
wendet, um die Logikpegel mit hoher und niedriger Spannung,
die mit einem in den Puffer eingegebenen einzelnen Eingangs
signal oder einem Paar Eingangssignale verbunden sind, auf
hohe und niedrige Spannungspegel einzustellen, die mit der
stromabwärtigen Schaltungsanordnung verträglich sind. Der Um
setzerpuffer muß diese elektrischen Signale mit einer ge
wünschten Amplitude und Rate übertragen, wobei vorzugsweise
so wenig Leistung wie möglich verbraucht wird. Die Signal
übertragung erfolgt zwischen aktiven Vorrichtungen, die sich
entweder auf dem gleichen Halbleiterchip oder auf verschie
denen Chips befinden. Die Vorrichtungen können nahe beiein
ander oder in einem gewissen Abstand voneinander liegen. Ein
Beispiel einer Schnittstelle benachbarter Vorrichtungen, die
eine oder mehrere Busverbindungen erfordert, ist die Kopplung
einer Leiterplatte mit einer anderen innerhalb eines Compu
tersystems wie z. B. über einen rückseitigen Bus. Ein Beispiel
einer eine oder mehrere Busverbindungen erfordernden Schnitt
stelle entfernter Vorrichtungen ist die Kopplung eines Compu
tersystems mit einem anderen.
Bekanntlich werden in digitalen Systemen die zwischen
Vorrichtungen übertragenen Signale als entweder hoher Logik
pegel ("1" oder "AN") oder niedriger Logikpegel ("0" oder
"AUS") zugeordnet. Das spezielle Signalpotential, das defi
niert, ob ein hoher Logikpegel oder ein niedriger Logikpegel
übertragen wird, hängt von den Halbleiterkomponenten ab, die
die mit dieser Übertragung verbundene Schaltungsanordnung
bilden. Die häufigsten Schaltungskonfigurationen, die verwen
det werden, um digitale Signale zu erzeugen, umfassen u. a.
CMOS, eine Transistor-Transistor-Logik (TTL) und eine emit
tergekoppelte Logik (ECL). Jede dieser logischen Konfigura
tionen arbeitet verschieden als Funktion "des Pegelabstandes
bzw. der Schwingung" (swing) zwischen einem Hochpegelsignal
und einem Niedrigpegelsignal.
Für CMOS-Logiksysteme beispielsweise, die in erster Linie
auf der Verwendung langsamerer, weniger Leistung verbrau
chender MOS-Transistoren basieren, wird das Niedrigpegel
signal im allgemeinen im Bereich von 0,6 Volt (V) oberhalb
einer Niederpotential-Leistungsschiene GND entwickelt, die
bei 0,0 V liegen kann. Im Bereich Vcc bis Vcc-0,6 V, wobei
Vcc für eine nominelle 5-Volt-Stromversorgung zwischen 4,5 V
und 5,5 V oder für eine nominelle 3,3-Volt-Stromversorgung
zwischen 3,0 V und 3,6 V variieren kann, wird im allgemeinen
ein Hochpegelsignal entwickelt. Bei der 3,3-Volt-
Stromversorgung muß dann die differentielle Schwingung zwi
schen einem Niedrigpegel- und Hochpegelsignal mindestens 2,4 Volt
betragen, um sicherzustellen, daß eine gewünschte Ver
schiebung zwischen einem Niedrigpegelsignal und einem Hochpe
gelsignal auftritt. Seit kurzem werden nominelle 2-Volt-
Stromversorgungen verwendet, um noch kleinere Vorrichtungen
zu speisen. TTL- und ECL-Logikkonfigurationen basieren ande
rerseits in erster Linie auf der Verwendung schnellerer, hohe
Leistung verbrauchender bipolarer Transistoren. Die differen
tielle Schwingung für eine Verschiebung zwischen einem Nied
rigpegelsignal und einem Hochpegelsignal ist signifikant ge
ringer, als sie für einen CMOS-Betrieb ist; sie kann bis zu
0,4 Volt klein sein. In einer TTL-Schaltungsanordnung bei
spielsweise, die Vcc-abhängig ist, ist ein Hochpegelsignal
einem Potential von etwa Vcc-0,8 V äquivalent, und ein
Niedrigpegelsignal ist einem Potential von Vcc-1,9 V äqui
valent. Somit kann man erkennen, daß bei zusammengehörigen
CMOS- und Nicht-CMOS-Übertragungen Schwankungen der Potenti
alschwingungen das Auslösen einer gewünschten Schwingung von
einem Logikpegel zu einem anderen nicht automatisch sicher
stellen. Geringere Potentialschwingungen in TTL-Signalen und
insbesondere Niederspannungs-TTL-Schwingungen (LVTTL) können
ferner keine Logikpegeländerung bewirken, die mit daran ange
schlossenen CMOS-Transistoren verbunden ist. Signal
schwingungen, die volle CMOS-Potentiale, seien sie hoch oder
niedrig, nicht erreichen oder dies zumindest relativ langsam
tun, können alternativ dazu bewirken, daß sowohl ein Pull-Up-
Transistor (P-Typ-MOS) als auch ein Pull-Down-Transistor (N-
Typ-MOS) zur gleichen Zeit eingeschaltet sind. Dies erzeugt
einen direkten Stromfluß von Schiene zu Schiene durch die
eingeschalteten PMOS- und NMOS-Transistoren. Dieser Strom ist
als gleichzeitiger Leitungsstrom oder Leckstrom bekannt und
eine unerwünschte Stromverbrauchsquelle.
Es gibt verschiedene Entwürfe von Einschalt-Rücksetz
schaltungen. In einem vereinfachten Diagramm in Fig. 1 ist
eine Schaltung veranschaulicht, die erwiesenermaßen in Syste
men nach dem Stand der Technik ausreicht, die eine Umsetzung
eines Rücksetzsignals bei einem Potential zu einem Signal bei
einem höherem Potential erfordern. Die dargestellte Rücksetz
schaltung 10 nach dem Stand der Technik mit Umsetzung enthält
eine erste Rücksetz-Teilschaltung 20, die durch eine erste
Hochpotential-Leistungsschiene Vcca bei einem ersten Potential
gespeist wird, und eine zweite Rücksetz-Teilschaltung 30,
die durch eine zweite Hochpotential-Leistungsschiene Vccb bei
einem zweiten Potential gespeist wird, das höher als das er
ste Potential Vcca ist. Eine einfache Teilschaltung 40 eines
Logikpegelumsetzers erhöht das der Rücksetz-Teilschaltung 20
zugeordnete Potential auf das der Rücksetz-Teilschaltung 30
zugeordnete, um eine geeignete Schnittstelle der Rücksetz-
Teilschaltung 20 mit der Rücksetz-Teilschaltung 30 und einer
damit gekoppelten nachgeschalteten Schaltungsanordnung zu er
möglichen. In Fig. 2 ist eine beispielhafte geeignete Umset
zer-Teilschaltung dargestellt. Das umgesetzte Ausgangssignal
am Ausgangsknoten B ist eine Eingabe in eine beliebige Art
von Logikgatter, z. B. ein logisches NOR-Gatter NOR, das den
Zustand des Ausgangs der Schaltung 10 steuern kann. Die Aus
gabe eines Inverters IV4 ist die andere Eingabe in NOR. Wenn
die Potentiale der Schaltungen 20 und 30 einen bestimmten de
finierten Einstellwert überschritten haben, werden die Ausga
ben von 40 und IV4 beide niedrig, und die Einschalt-Rücksetz
schaltung wird dadurch aktiviert, daß RESET ein Hochpegelsi
gnal beim Potential Vccb wird.
Nach Fig. 1 enthält die Teilschaltung 20 ferner einen aus
Widerständen R1 und R2 gebildeten Spannungsteiler, worin R1
einen mit einer Hochpotential-Leistungsschiene Vcca gekoppel
ten Hochpotentialknoten und R2 einen mit einer gemeinsamen
Niederpotential-Leistungsschiene GND gekoppelten Niederpoten
tialknoten aufweist. Ein mit einem NMOS-Transistor M1 in Rei
he geschalteter Widerstand R3 dient als Inverter, wobei der
Hochpotentialknoten von R3 mit Vcca und sein Niederpotential
knoten mit dem Drain-Anschluß von M1 gekoppelt ist. Der Sour
ceAnschluß von M1 ist mit GND gekoppelt, und dessen Gate-
Anschluß ist mit dem Ausgang des Spannungsteilers R1/R2 ge
koppelt. Während das Potential von Vcca ansteigt, erreicht es
einen durch den Spannungsteiler definierten bestimmten Pegel,
bei dem die Ausgabe des Inverters R3/M1 von einem Hochpegel
signal zu einem Niedrigpegelsignal springt. Dieses Ausgangs
signal wird bei einem vollen Vcca-Potential durch Inverter
IV1 und IV2 zweimal invertiert, so daß die Ausgabe von IV2 an
einem Knoten A das Äquivalent eines Niedrigpegelzustandes
ist, wenn Vcca ein volles Potential erreicht. Es ist beson
ders zu erwähnen, daß als Ersatz für den Transistor M1 eine
andere Schalteinrichtung einschließlich beispielsweise eines
bipolaren Transistors verwendet werden kann.
Die Teilschaltung 30 ist ähnlich aufgebaut. Im einzelnen
enthält die Teilschaltung 30 einen aus Widerständen R4 und R5
gebildeten Spannungsteiler, worin R4 einen mit einer Hochpo
tential-Leistungsschiene Vccb bei einem ersten Potential ge
koppelten Hochpotentialknoten und R5 einen mit GND gekoppel
ten Niedrigpotentialknoten aufweist. Ein mit einem NMOS-
Transistor M2 in Reihe geschalteter Widerstand R6 dient als
Inverter, wobei der Hochpotentialknoten von R6 mit Vccb ge
koppelt ist und sein Niederpotentialknoten mit dem Drain-
Anschluß von M2 gekoppelt ist. Der Source-Anschluß von M2 ist
mit GND gekoppelt, und sein Gate-Anschluß ist mit dem Ausgang
des Spannungsteilers R4/R5 gekoppelt. Während das Potential
von Vccb ansteigt, erreicht es einen durch den Spannungs
teiler definierten bestimmten Pegel, bei dem die Ausgabe des
Inverters R6/M2 von einem Hochpegelsignal zu einem Niedrigpe
gelsignal springt. Das Ausgangssignal wird bei vollem Vccb-
Potential durch Inverter IV3 und IV4 zweimal invertiert, so
daß die Ausgabe von IV4 einem Niedrigpegelzustand äquivalent
ist, wenn Vccb volles Potential erreicht. Wie beim Transistor
M1 kann natürlich jede beliebige Art von Schaltvorrichtung
einschließlich beispielsweise eines bipolaren Transistors
verwendet werden, um die Funktion des Transistors M2 auszu
führen.
In Fig. 2 ist der Logikpegel-Umsetzer 40 dargestellt. Er
enthält einen durch Vcca und GND gespeisten Inverter IV5. Die
Eingabe in IV5 ist die Ausgabe des Inverters IV2 von der
Teilschaltung 20 am Knoten A. Der Umsetzer 40 enthält ferner
einen PMOS-Transistor M3 und Inverter IV6 und IV7. Eine zwei
te Hochpotentialschiene Vccb und GND speisen alle drei Vor
richtungen. Die Ausgabe des Inverters IV5 ist die Eingabe in
IV6 und IV7. Der Ausgang von IV6 ist mit dem Gate-Anschluß
von M3 gekoppelt, dessen Source-Anschluß mit Vccb und dessen
Drain-Anschluß mit dem Ausgang von IV5 gekoppelt ist. Der Um
setzer 40 ist so ausgelegt, daß der Inverter IV7 ein Niedrig
pegelsignal an einem Knoten B nur abgibt, wenn die Ausgabe
von IV5 hoch ist und M3 eingeschaltet ist. Damit IV5 ein
Hochpegelsignal erzeugt, muß Vcca bei einem ausreichend hohen
Potential liegen, um M1 der Teilschaltung 20 einzuschalten.
Damit M3 des Umsetzers 40 eingeschaltet ist, muß die Eingabe
in IV6 hoch sein, und das Potential von Vccb muß einen gewis
sen Schwellenwert übersteigen, der größer als das dem von IV5
abgegebenen Hochpegelsignal zugeordnete Potential ist. Wenn
dies geschieht, wird davon ausgegangen, daß die Stromversor
gung einen geeigneten Zustand erreicht hat, um eine Aktivie
rung des RESET-Signals zum Koppeln mit der stromabwärtigen
Schaltungsanordnung zu erreichen.
Unglücklicherweise gibt es ein Problem bei der Verwendung
der in Fig. 2 gezeigten Umsetzer-Teilschaltung 40 zusammen
mit der in Fig. 1 dargestellten Rücksetzschaltung 10. Wenn
der Inverter IV5 ein Hochpegelsignal erzeugt und Vccb im we
sentlichen ausgeschaltet ist und daher kein Potential ein
richtet, wird konkret ein Leckpfad erzeugt, so daß Strom vom
Ausgang von IV5 durch den eingeschalteten Transistor M3 zu
Vccb fließt. Dies hat eine unerwünschte Entwicklung des Leck
stroms zur Folge, der unnötigerweise Leistung vom System ab
zieht und die Betriebseffizienz reduziert. Ganz allgemein sei
besonders erwähnt, daß Umsetzungsschaltungen Leistung ver
brauchen, Signalausbreitungsverzögerungen erzeugen, keine
vollständige Umsetzung liefern können und von Natur aus viel
Schaltungsraum in Anspruch nehmen.
Daher wird eine Einschalt-Rücksetzschaltung zur Verwen
dung bei einem Dual-Stromversorgungssystem benötigt, worin
die beiden Stromversorgungen ungleiches Potential haben kön
nen. Es wird auch eine Einschalt-Rücksetzschaltung ohne Pfade
für Leckströme benötigt. Des weiteren wird eine Einschalt-
Rücksetzschaltung für die Ausbreitung eines Versorgungs
signals benötigt, das Stromversorgungen mit ungleichem Poten
tial zugeordnet ist, ohne eine Umsetzerschaltung zu benöti
gen, um Logiksignale verschiedener Potentiale umzuwandeln.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Einschalt-
Rücksetzschaltung zur Verwendung mit einem Dual-Stromversor
gungssystem zu schaffen, worin die beiden Stromversorgungen
ungleiches Potential haben können. Eine weitere Aufgabe der
vorliegenden Erfindung ist, eine derartige Einschalt-
Rücksetzschaltung ohne Pfade für Leckströme zu schaffen. Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ei
ne Einschalt-Rücksetzschaltung zur Ausbreitung eines Versor
gungssignals zu liefern, das Stromversorgungen mit ungleichem
Potential zugeordnet ist, ohne eine Umsetzerschaltung zu be
nötigen, um Logiksignale verschiedener Potentiale umzuwan
deln.
Diese und andere Aufgaben werden in der vorliegenden Er
findung gelöst, indem die beschriebene Umsetzerschaltung be
seitigt und die Kopplung bestimmter Komponenten der Rücksetz
schaltung von Fig. 1 neu konfiguriert wird. Konkret beinhal
tet die vorliegende Erfindung das Einrichten einer Einschalt-
Rücksetzschaltung, die nur den Spannungsteiler mit der ersten
Stromversorgung und alle restlichen Elemente der Rücksetz
schaltung mit der zweiten Stromversorgung koppelt. Auf diese
Weise wird die erste Stromversorgung verwendet, um eine Akti
vierung eines ersten Eingangszweiges eines NOR-Gatters auszu
lösen, während der zweite NOR-Eingangszweig weiter durch die
zweite Stromversorgung gespeist wird. Die Inverterstufen der
Teilschaltung 20 nach dem Stand der Technik sind nun vorzugs
weise in der hierin ausführlich beschriebenen Art und Weise
mit der zweiten Stromversorgung verbunden.
Die Abwandlung der Kopplung der verschiedenen Komponenten
der Rücksetzschaltung nach dem Stand der Technik liefert meh
rere Leistungsverbesserungen. Zunächst werden die mit dem
Einschluß einer Umsetzerschaltung verbundenen Mängel mit der
Beseitigung dieser Schaltung eliminiert. Zweitens gibt es
keinen direkten Stromweg zwischen den ersten und zweiten
Stromversorgungen insofern, als der mit der ersten Strom
versorgung gekoppelte Spannungsteiler nur mit dem Steuer
knoten der Schalteinrichtung gekoppelt ist, die durch die
zweite Stromversorgung gespeist wird, und es somit keinen
Pfad für einen Leckstrom gibt. Selbst wenn die zweite Strom
versorgung abgeschaltet ist, ist drittens die mit der ersten
Stromversorgung verbundene Logiksignaleingabe für die Rück
setzoperation aufgrund der Steuerung des Rücksetzsignals
durch das Logikgatter belanglos. Schließlich ist besonders zu
erwähnen, daß die Einschalt-Rücksetzschaltung der vorliegen
den Erfindung verwendet werden kann, um das Schwellenpotential
zum Zurücksetzen des Einschaltzustandes in bezug auf jede
Stromversorgung als Funktion der für die spezielle Spannungs
teileranordnung ausgewählten ohmschen Widerstände zu definie
ren.
Im folgenden wird eine Ausführungsform einer Einschalt-
Rücksetzschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung anhand von
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein vereinfachtes Schaltungsdiagramm, das eine
Einschalt-Rücksetzschaltung nach dem Stand der Technik zur
Kopplung an ein Dualversorgungsystem darstellt;
Fig. 2 ein vereinfachtes Schaltungsdiagramm, das einen
Logikpegelumsetzer nach dem Stand der Technik zeigt, der als
Teil der Einschalt-Rücksetzschaltung von Fig. 1 nach dem
Stand der Technik verwendet wird; und
Fig. 3 ein vereinfachtes Schaltungsdiagramm, das die Ein
schalt-Rücksetzschaltung für Dualversorgungen der vor
liegenden Erfindung zeigt.
In Fig. 3 ist eine vereinfachte Veranschaulichung einer
Einschalt-Rücksetzschaltung 100 der vorliegenden Erfindung
dargestellt. Die in der Schaltung 100 der vorliegenden Erfin
dung enthaltenen Komponenten, die die gleichen wie die Kompo
nenten der in Fig. 1 gezeigten Schaltung 10 nach dem Stand
der Technik sind, sind durch gleiche Zahlen bezeichnet. Die
Rücksetzschaltung 100 enthält einen Rücksetz-Regelzweig 50,
der durch eine erste Hochpotential-Leistungsschiene Vcca mit
einem bestimmten Potential gespeist wird. Die Rücksetzschal
tung 100 enthält ferner eine Umsetz- und Rücksetz-Teilschal
tung 60, die durch eine zweite Hochpotential-Leistungsschiene
Vccb mit einem bestimmten Potential gespeist wird, das von
dem Potential der Schiene von Vcca verschieden ist. Ein Aus
gang des Zweigs 50 ist an einem Knoten C mit einem Eingang
einer Schaltung 60 gekoppelt. Der Knoten C liefert konkret
ein Signal an eine Abfühlschaltung 61, die durch eine erste
Stromversorgung geregelt wird, um ein Eingangssignal an ein
Logikgatter wie z. B. ein NOR-Gatter NOR oder irgendeine ande
re geeignete Logikvorrichtung zu regeln, die die Eingangs
signale auswerten kann, um ein ausgewähltes Ausgangssignal zu
erzeugen. Eine zweite Schaltung, eine Abfühlschaltung 62, die
durch eine zweite Stromversorgung geregelt wird, liefert eine
zweite Eingabe in NOR, die durch das Potential der Schiene
Vccb geregelt wird. Wenn die Potentiale von Vcca und Vccb ei
nen bestimmten definierten Einstellwert überschritten haben,
werden die Ausgaben von 61 und 62 beide niedrig, und das Ein
schalt-Rücksetzsignal wird dadurch aktiviert, daß RESET beim
Potential von Vccb ein Hochpegelsignal ist.
Nach Fig. 3 enthält der Zweig 50 ferner einen Spannungs
teiler, der von als Widerstände R1 und R2 bezeichneten ohm
schen Widerständen gebildet wird, worin R1 einen mit der
Hochpotential-Leistungsschiene Vcca gekoppelten Hochpotenti
alknoten und R2 einen mit einer gemeinsamen Niederpotential-
Leistungsschiene GND gekoppelten Niederpotentialknoten auf
weist. Die Abgabe des durch den Zweig 50 am Konten C einge
richteten Potentials ist durch die auswählbaren, mit den Wi
derständen R1 und R2 verbundenen ohmschen Widerständen und
das Potential von Vcca definiert.
Die Schaltung 61 enthält einen mit einem NMOS-Transistor
M1 in Reihe geschalteten Widerstand R3, deren Kombination als
Inverter dient. Die Abweichung von der Schaltung 10 nach dem
Stand der Technik besteht in der Tatsache, daß der Gate-
Anschluß von M1 noch mit dem Knoten C gekoppelt ist, so daß
Vcca dessen Einschalten steuert, während das Potential an
seinem Drain-Anschluß nun durch das Potential von Vccb gere
gelt wird. Konkret ist nun der Hoehpotentialknoten von R3 mit
Vccb gekoppelt, wohingegen sein Niederpotentialknoten mit dem
Drain-Anschluß von M1 gekoppelt bleibt. Der Source-Anschluß
von M1 ist mit GND gekoppelt. Während das Potential von Vcca
ansteigt, erreicht es einen bestimmten, durch den Zweig 50
wie angegeben definierten Pegel, an welchem Punkt die Ausgabe
des Inverters R3/M1 durch das Einschalten von M1 von einem
Hochpegelsignal zu einem Niedrigpegelsignal springt, aber nur
falls ein durch das Potential von Vccb definiertes entspre
chendes Potential am Niederpotentialknoten von R3 vorliegt.
Falls Vccb ausgeschaltet ist, kann M1 nicht arbeiten. Der
Rest der Schaltung 61 enthält Inverter IV1 und IV2 nach dem
Stand der Technik, die nun von Vccb statt Vcca gespeist wer
den. Wieder ist besonders zu erwähnen, daß jede beliebige ge
eignete Art von Schalteinrichtung für den Transistor M1 ein
schließlich beispielsweise eines bipolaren Transistors sub
stituiert werden kann. Es ist wichtig, daß solche Schaltein
richtungen einen mit dem Ausgang des Spannungsteilers gekop
pelten Steuerknoten und einen durch die zweite Stromversor
gung Vccb versorgten Strompfad aufweisen.
Die Schaltung 62 bleibt im wesentlichen die gleiche wie
die Teilschaltung 30 nach dem Stand der Technik. Konkret ent
hält die Schaltung 62 einen aus Widerständen R4 und R5 gebil
deten Spannungsteiler, worin R4 einen mit einer Hochpotenti
al-Leistungsschiene Vccb bei einem ersten Potential gekoppel
ten Hochpotentialknoten und R5 einen mit GND gekoppelten Nie
derpotentialknoten aufweist. Ein mit einem NMOS-Transistor M2
in Reihe geschalteter Widerstand R6 dient als Inverter, worin
der Hochpotentialknoten von R6 mit Vccb gekoppelt ist und
dessen Niederpotentialknoten mit dem Drain-Anschluß von M2
gekoppelt ist. Der Source-Anschluß von M2 ist mit GND und
dessen Gate-Anschluß mit den Ausgang des Spannungsteilers
R4/R5 gekoppelt. Während das Potential von Vccb ansteigt, er
reicht es einen bestimmten, durch den Spannungsteiler defi
nierten Pegel, bei dem die Ausgabe des Inverters R6/M2 von
einem Hochpegelsignal zu einem Niedrigpegelsignal springt.
Dieses Ausgangssignal wird bei einem vollen Vccb-Potential
durch Inverter IV3 und IV4 zweimal invertiert, so daß die
Ausgabe von IV4 einem Niedrigpegelsignal äquivalent ist, wenn
Vccb ein volles Potential erreicht. Der Transistor M2 reprä
sentiert wieder eine steuerbare Schalteinrichtung und kann
alternativ dazu beispielsweise ein bipolarer Transistor sein,
der einen Steuerknoten und Hoch- und Niederpotentialknoten
aufweist.
Im Betrieb liefert das Einschalten der Stromversorgung
Vcca an C ein Potential, das dem Potential von Vcca minus der
Abfall über R1 äquivalent ist. Wenn dieses Potential bei C
das Schwellenpotential zum Einschalten am Gate-Anschluß von
M1 erreicht, schaltet dieser Transistor ein. Das Einschalten
des Transistors M1 stellt eine Niedrigpegelabgabe am Knoten D
ein, die durch die Inverter IV1 und IV2 invertiert wird, um
ein Niedrigpegelsignal an den ersten Eingang von NOR zu lie
fern. Wird Vccb genügend hochgefahren, um eine Aktivierung
von M1 zu ermöglichen, liefert der Inverter IV4 der Schaltung
62 ein Niedrigpegelsignal an den zweiten Eingang von NOR, wo
durch ein Hochpegelsignal am Ausgang dieses Gate-Anschlusses
erzeugt wird, um das Einschalt-Rücksetzsignal bei RESET aus
zulösen.
Es ist besonders zu erwähnen, daß die Schaltung 100 nach
Wunsch abgewandelt werden kann, um die Potentiale Vcca und
Vccb, bei denen NOR ein Aktivierungssignal erzeugt, zu defi
nieren, indem die ohmschen Widerstände der Widerstände der
beiden Spannungsteileranordnungen ausgewählt werden. Es ist
ebenfalls besonders zu erwähnen, daß jede der beiden Schienen
Vcca und Vccb die höhere sein kann, um die Rücksetzaktivie
rung für gegebene Potentiale an einer Schiene zu definieren.
Obgleich die Erfindung mit Verweis auf spezielle bei
spielhafte Ausführungsformen beschrieben wurde, soll sie alle
Abwandlungen und Äquivalente innerhalb des Umfangs der fol
genden Ansprüche abdecken.
Claims (15)
1. Einschalt-Rücksetzschaltung (100), die durch eine er
ste Hochpotential-Leistungsschiene (Vcca), eine zweite Hoch
potential-Leistungsschiene (Vccb) und eine Niederpotential-
Leistungsschiene (GND) gespeist wird, worin die erste Hochpo
tentialschiene dafür ausgelegt ist, ein Potential zuzuführen,
das von einem durch die zweite Hochpotentialschiene zuzufüh
renden Potential verschieden ist, und worin die Schaltung ei
nen Rücksetz-Ausgangsknoten (RESET) enthält, wobei die Schal
tung umfaßt:
- a) einen Spannungsteiler (50) mit einem mit der ersten Hochpotential-Leistungsschiene gekoppelten Hochpotential knoten, einen mit der Niederpotential-Leistungsschiene gekop pelten Niederpotentialknoten und einem Ausgang (C);
- b) eine erste Rücksetz-Teilschaltung (61) mit einem mit dem Ausgang des Spannungsteilerzweiges (50) gekoppelten Steu erknoten, worin die erste Rücksetz-Teilschaltung mit der zweiten Hochpotential-Leistungsschiene gekoppelt ist, wobei die erste Rücksetz-Teilschaltung einen mit dem Rücksetz- Ausgangsknoten gekoppelten Ausgang aufweist; und
- c) eine zweite Rücksetz-Teilschaltung (62), die mit der zweiten Hochpotential-Leistungsschiene gekoppelt ist und ei nen mit dem Rücksetz-Ausgangsknoten gekoppelten Ausgang auf weist,
2. Schaltung nach Anspruch 1, worin der Spannungsteiler
zweig (50) einen ersten ohmschen Widerstand (R1) und einen
zweiten ohmschen Widerstand (R2) enthält, worin der erste
ohmsche Widerstand einen mit der ersten Hochpotential-
Leistungsschiene gekoppelten Hochpotentialknoten und einen
mit einem Hochpotentialknoten des zweiten ohmschen Wider
stands gekoppelten Niederpotentialknoten aufweist, worin der
zweite ohmsche Widerstand einen mit der Niederpotential-
Leistungsschiene gekoppelten Niederpotentialknoten enthält
und worin der Niederpotentialknoten des ersten ohmschen Wi
derstands der Ausgangsknoten (C) des Spannungsteilerzweiges
(50) ist.
3. Schaltung nach Anspruch 2, worin die erste Rücksetz-
Teilschaltung (61) einen Inverterzweig (R3, M1) mit einer
Schalteinrichtung enthält, die einen mit dem Ausgangsknoten
(C) des Spannungsteilers (50) gekoppelten Steuerknoten und
einen mit der Niederpotential-Leistungsschiene gekoppelten
Niederpotentialknoten aufweist.
4. Schaltung nach Anspruch 3, worin die Schalteinrichtung
ein NMOS-Transistor (M1) ist.
5. Schaltung nach Anspruch 4, worin die erste Rücksetz-
Teilschaltung (61) ferner einen ohmschen Widerstand (R3) mit
einem mit der zweiten Hochpotential-Leistungsschiene (Vccb)
gekoppelten Hochpotentialknoten und einem mit einem Drain-
Anschluß (D) des NMOS-Transistors (M1) der ersten Rücksetz-
Teilschaltung (61) gekoppelten Niederpotentialknoten auf
weist.
6. Schaltung nach Anspruch 5, worin die erste Rücksetz-
Teilschaltung (61) ferner einen ersten Inverter (IV1) und ei
nen zweiten Inverter (IV2) enthält, die in Reihe geschaltet
sind, worin ein Eingang des ersten Inverters (IV1) mit dem
Niederpotentialknoten (D) des ohmschen Widerstands (3) der
ersten Rücksetz-Teilschaltung (61) und ein Ausgang des zwei
ten Inverters (IV2) mit dem Rücksetz-Ausgangsknoten (RESET)
gekoppelt ist.
7. Schaltung nach Anspruch 6, worin die zweite Rücksetz-
Teilschaltung (62) einen zweiten Spannungsteiler mit einem
ersten ohmschen Widerstand (R4) und einem zweiten ohmschen
Widerstand (R5) enthält, worin der erste ohmsche Widerstand
(R4) einen mit der zweiten Hochpotential-Leistungsschiene
(Vccb) gekoppelten Hochpotentialknoten und einen mit einem
Hochpotentialknoten des zweiten ohmschen Widerstands (R5) des
zweiten Spannungsteilers gekoppelten Niederpotentialknoten
aufweist, worin ein Niederpotentialknoten des zweiten ohm
schen Widerstands (R5) mit der Niederpotential-Leistungs
schiene (Vccb) gekoppelt ist und der Niederpotentialknoten
des ersten ohmschen Widerstands (R4) ein Ausgangsknoten des
zweiten Spannungsteilers ist.
8. Schaltung nach Anspruch 7, worin die zweite Rücksetz-
Teilschaltung (62) einen Inverterzweig (R6, M2) mit einer
zweiten Schalteinrichtung enthält, die einen mit dem Aus
gangsknoten des zweiten Spannungsteilers gekoppelten Steuer
knoten und einen mit der Niederpotential-Leistungsschiene ge
koppelten Niederpotentialknoten aufweist.
9. Schaltung nach Anspruch 8, worin die zweite Schaltein
richtung ein NMOS-Transistor (M2) ist.
10. Schaltung nach Anspruch 9, worin die zweite Rücksetz-
Teilschaltung (62) ferner einen ohmschen Widerstand (R6) mit
einem mit der zweiten Hochpotential-Leistungsschiene (Vccb)
gekoppelten Hochpotentialknoten und einem mit einem Drain-
Anschluß des zweiten NMOS-Transistors (M2) der zweiten Rück
setz-Teilschaltung gekoppelten Niederpotentialknoten auf
weist.
11. Schaltung nach Anspruch 10, worin die zweite Rück
setz-Teilschaltung (62) ferner einen dritten Inverter (IV3)
und einen vierten Inverter (IV4) enthält, die in Reihe ge
schaltet sind, worin ein Eingang des dritten Inverters (IV3)
mit dem Niederpotentialknoten des ersten ohmschen Widerstands
(6) des zweiten Spannungsteilers gekoppelt ist und ein Aus
gang des vierten Inverters (IV4) mit dem Rücksetz-Ausgangs
knoten (RESET) gekoppelt ist.
12. Schaltung nach Anspruch 11, ferner aufweisend eine
Logikvorrichtung (NOR) mit einem ersten Eingangsknoten, einem
zweiten Eingangsknoten und einem Ausgang, worin der erste
Eingangsknoten mit dem Ausgang des zweiten Inverters (IV2)
gekoppelt ist, der zweite Eingangsknoten mit dem Ausgangs
knoten des vierten Inverters (IV4) gekoppelt ist und der Aus
gangsknoten mit dem Rücksetz-Ausgangsknoten (RESET) gekoppelt
ist.
13. Schaltung nach Anspruch 12, worin die Logikvorrich
tung ein NOR-Gatter (NOR) ist.
14. Schaltung nach Anspruch 1, worin die erste Hoch
potential-Leistungsschiene (Vcca) bei einem höheren Potential
als das Potential der zweiten Hochpotential-Leistungsschiene
(Vccb) gespeist wird.
15. Schaltung nach Anspruch 1, worin die zweite Hoch
potential-Leistungsschiene (Vccb) bei einem höheren Potential
als das Potential der ersten Hochpotential-Leistungsschiene
(Vcca) gespeist wird.
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