CN114122294B - 一种显示基板及显示装置 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
一种显示基板及显示装置，显示基板包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层，发光结构层包括第一电极层、像素界定层、水氧阻挡层、有机功能层和第二电极层；第一电极层包括设置在驱动结构层上的多个第一电极，像素界定层设于多个第一电极的远离基底一侧并设有多个第一像素开口，每个第一像素开口将对应的一个第一电极的远离基底的表面暴露出；水氧阻挡层至少部分地设置在第一像素开口的周向侧壁上；有机功能层包括有机发光层，有机功能层和第二电极层依次叠设于第一电极的远离基底的一侧。本公开实施例的显示基板可以阻挡像素界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层。
Description
技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
一些有机电致发光二极管(OLED)显示产品需要销售到高海拔地区，这些地方紫外光(UV光)照射比较强，客户会评价UV照射对电子产品的影响。以某型号产品为例，模组屏幕点亮时，调试Normal W255画面，测试T0时刻初始亮度L0；模组屏幕未点亮，UV光持续照射580h，然后屏幕点亮，同样调试Normal W255画面，测试T580h时刻亮度L580h，L580h/L0＜80％，即亮度出现大幅度下降。
对上述问题分析如下：1、现象分析，模组屏幕经过UV光持续照射580h后，RGB(红绿蓝)像素出现了不同程度收缩。以B像素(即蓝色子像素P1)为例，T0时刻B像素的发光面积如图1a所示，图1a为一些技术的显示基板在T0时刻B像素的发光面积的示意图；当用UV光照射后，T580h时刻B像素出现明显的像素收缩(即像素发光面积缩小)，如图1b所示，图1b为一些技术的显示基板在T580h时刻B像素(即蓝色子像素P1)的发光面积的示意图。2、根本原因分析，如图2所示，图2为一些技术的显示基板的局部剖面结构示意图，当用UV光(图2中用带箭头的虚线表示)长时间照射后，像素界定层(PDL，材料比如为聚酰亚胺系列有机物)32会挥发出水和氧(图2中用虚线圆圈表示)，有机发光层36的材料对水和氧比较敏感，有机发光层36的材料吸收PDL层32挥发的水和氧之后会发生失效，失效部分3601从像素的四周边缘向像素中心位置延伸，最终导致像素收缩，造成亮度衰减。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及显示装置，可以阻挡像素界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层，以避免显示基板亮度的大幅衰减。
本公开实施例提供一种显示基板，包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、水氧阻挡层、有机功能层和第二电极层；所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极，所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述基底一侧并设有多个第一像素开口，每个所述第一像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出；所述水氧阻挡层至少部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上；所述有机功能层包括有机发光层，所述有机功能层和所述第二电极层依次叠设于所述第一电极的远离所述基底的一侧，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个发光器件。
可选地，所述水氧阻挡层的一部分还设置在所述像素界定层的远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上。
可选地，所述水氧阻挡层的材料为导电材料，所述水氧阻挡层包括多个连接电极，每个所述连接电极设置在对应的一个所述第一电极的被所述第一像素开口暴露的表面上，并且部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上，以及部分地设置在所述像素界定层的远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上；所述有机功能层设置在所述水氧阻挡层的远离所述基底的表面上。
可选地，所述连接电极在所述基底上的正投影包含所述第一像素开口在所述基底上的正投影。
可选地，所述有机发光层包括多个子发光层，所述子发光层设置在所述第一像素开口内，所述第一像素开口在所述基底上的正投影包含所述子发光层在所述基底上的正投影。
可选地，所述第一电极包括第一导电材料层，所述连接电极包括第四导电材料层；
所述第一电极还包括第二导电材料层，所述第二导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间；或/和，所述连接电极还包括第三导电材料层，所述第三导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间。
可选地，所述第一电极包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一导电材料层和第二导电材料层，所述连接电极包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第三导电材料层和第四导电材料层；所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料相同，所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料相同。
可选地，所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料均为氧化铟锡或氧化铟锌，所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料均为银、钛或铝；
所述第一导电材料层的厚度为至/>所述第二导电材料层的厚度为至/>所述第三导电材料层的厚度为/>至/>所述第四导电材料层的厚度为/>至/>
可选地，所述水氧阻挡层的材料为绝缘材料，所述水氧阻挡层设有多个第二像素开口，每个所述第二像素开口将对应的一个所述第一电极的被所述第一像素开口暴露的表面暴露出；
所述有机功能层设置在所述第一电极的被所述第一像素开口和所述第二像素开口暴露的表面上，以及设置在所述水氧阻挡层的远离所述基底的表面上。
可选地，所述水氧阻挡层为一体结构。
可选地，所述水氧阻挡层的材料包括硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅中的一种或多种。
可选地，所述有机功能层还包括设于所述第一电极和所述有机发光层之间的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；
所述有机功能层还包括设于所述有机发光层和所述第二电极层之间的以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。
本公开实施例的显示基板，通过设置水氧阻挡层，且水氧阻挡层至少部分地设置在像素界定层的第一像素开口的周向侧壁上，这样，水氧阻挡层可以阻挡像素界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层，避免造成有机发光层材料失效的问题，从而可以避免显示基板亮度的大幅衰减。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1a为一些技术的显示基板在T0时刻蓝色子像素的发光面积的示意图；
图1b为一些技术的显示基板在T580h时刻蓝色子像素的发光面积的示意图；
图2为一些技术的显示基板的局部剖面结构示意图；
图3a为一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
图3b为在一些示例性实施例中图3a的显示基板的俯视结构示意图；
图4a为另一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
图4b为在一些示例性实施例中图4a的显示基板的俯视结构示意图；
图5为一些示例性实施例的显示基板在形成有源层后的局部剖面结构示意图；
图6为一些示例性实施例的显示基板在形成第一栅金属层后的局部剖面结构示意图；
图7为一些示例性实施例的显示基板在形成第二栅金属层后的局部剖面结构示意图；
图8为一些示例性实施例的显示基板在形成层间绝缘层后的局部剖面结构示意图；
图9为一些示例性实施例的显示基板在形成源漏金属层后的局部剖面结构示意图；
图10为一些示例性实施例的显示基板在形成平坦层后的局部剖面结构示意图；
图11为一些示例性实施例的显示基板在形成第一电极层后的局部剖面结构示意图；
图12为一些示例性实施例的显示基板在形成隔垫物后的局部剖面结构示意图。
附图标记为：
10、基底，20、驱动结构层，21、缓冲层，22、第一栅绝缘层，23、第二栅绝缘层，24、层间绝缘层，25、平坦层，30、发光结构层，31、第一电极，32、像素界定层，33、隔垫物，34、水氧阻挡层，35、第一有机结构层，36、有机发光层，37、第二有机结构层，38、第二电极层，40、封装结构层；
201、薄膜晶体管，202、存储电容，203、第一过孔，204、第二过孔，205、第三过孔，321、第一像素开口，341、连接电极，342、第二像素开口，361、子发光层，3601、失效部分；
2011、有源层，2012、栅电极，2013、源电极，2014、漏电极，2021、第一极板，2022、第二极板。
具体实施方式
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。
本公开实施例提供一种显示基板，包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、水氧阻挡层、有机功能层和第二电极层；所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极，所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述基底一侧并设有多个第一像素开口，每个所述第一像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出；所述水氧阻挡层至少部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上；所述有机功能层包括有机发光层，所述有机功能层和所述第二电极层依次叠设于所述第一电极的远离所述基底的一侧，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个发光器件。
本公开实施例的显示基板，通过设置水氧阻挡层，且水氧阻挡层至少部分地设置在像素界定层的第一像素开口的周向侧壁上，这样，水氧阻挡层可以阻挡像素界定层挥发出的水和氧侵入有机发光层，避免造成有机发光层材料失效的问题，从而可以避免显示基板亮度的大幅衰减。
在一些示例性实施例中，如图3a所示，图3a为一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述显示基板包括依次叠设于基底10上的驱动结构层20和发光结构层30，所述驱动结构层20可以包括多个像素驱动电路。所述像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容，所述像素驱动电路可以为3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C等结构，本实施例对此不作限制。
所述发光结构层30包括第一电极层、像素界定层32、水氧阻挡层34、有机功能层和第二电极层38；所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层20上的多个第一电极31，每个第一电极31与一个所述像素驱动电路连接，每个像素驱动电路驱动对应的一个发光器件发光。
所述像素界定层32设于所述多个第一电极31的远离所述基底10一侧并设有多个第一像素开口321，每个所述第一像素开口321将对应的一个所述第一电极31的远离所述基底10的表面暴露出。
所述水氧阻挡层34的材料可以为导电材料，所述水氧阻挡层34包括多个连接电极341，每个所述连接电极341设置在对应的一个所述第一电极31的被所述第一像素开口321暴露的表面上，并且部分地设置在所述第一像素开口321的周向侧壁上，以及部分地设置在所述像素界定层32的远离所述基底10的表面的靠近所述第一像素开口321的部分上。
所述有机功能层包括有机发光层36，所述有机功能层设置在所述水氧阻挡层34的远离所述基底10的表面上，所述有机功能层和所述第二电极层38依次叠设于所述第一电极31的远离所述基底10的一侧，每个所述第一电极31、所述有机功能层和所述第二电极层38形成一个发光器件。
本实施例中，水氧阻挡层34的材料为导电材料，水氧阻挡层34的每个连接电极341与对应的一个第一电极31连接，所述有机功能层与水氧阻挡层34的每个连接电极341连接，这样，水氧阻挡层34的每个连接电极341既可以阻挡像素界定层32挥发出的水和氧侵入有机发光层36，又可以将对应的一个第一电极31与有机功能层连接，保证每个所述第一电极31、所述有机功能层和所述第二电极层38可以形成一个发光器件。
本实施例的一个示例中，如图3a和图3b所示，图3b为在一些示例性实施例中图3a的显示基板的俯视结构示意图，所述连接电极341在所述基底10上的正投影可以包含所述第一像素开口321在所述基底10上的正投影。示例性地，所述第一像素开口321的剖面形状可以为梯形，第一像素开口321的远离基底10的一端在基底10上的正投影可以包含第一像素开口321的靠近基底10的一端在基底10上的正投影，本文中，所述第一像素开口321在所述基底10上的正投影指的是第一像素开口321的远离基底10的一端在基底10上的正投影。
所述有机发光层36包括多个子发光层361(图3a示出了一个子发光层361)，如图3a所示，所述子发光层361可以设置在所述第一像素开口321内，所述第一像素开口321在所述基底10上的正投影可以包含所述子发光层361在所述基底10上的正投影。
在一些示例性实施例中，所述显示基板可以包括红、绿、蓝三种子像素，每个红色子像素包括一个红光发光器件，每个绿色子像素包括一个绿光发光器件，每个蓝色子像素包括一个蓝光发光器件。所述有机发光层可以包括多个红色子发光层、多个绿色子发光层和多个蓝色子发光层，一个红光发光器件包括一个红色子发光层，一个绿光发光器件包括一个绿色子发光层，一个蓝光发光器件包括一个蓝色子发光层。如图3a所示，每个发光器件的子发光层361在第一电极31和第二电极层38的电压作用下发射相应颜色的光。所述发光器件可以为OLED器件。所述有机功能层可以包括依次叠设的第一有机结构层35、有机发光层36和第二有机结构层37，第一有机结构层35可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的任一个或多个，第二有机结构层37可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任一个或多个。第一有机结构层35和第二有机结构层37中的任一个膜层可以为一体结构并为多个子像素(或多个发光器件)的公共层。
在一些示例性实施例中，如图3a所示，所述第一电极31包括第一导电材料层，所述连接电极341包括第四导电材料层。所述第一电极31还可以包括第二导电材料层，所述第二导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间。所述连接电极341还可以包括第三导电材料层，所述第三导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间。所述第一电极31和所述连接电极341可以均为单层结构或多层复合结构。
本实施例的一个示例中，所述第一电极31可以包括沿远离所述基底10的方向依次叠设的第一导电材料层和第二导电材料层，所述连接电极341可以包括沿远离所述基底10的方向依次叠设的第三导电材料层和第四导电材料层；所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料可以相同，所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料可以相同。这样，设置所述水氧阻挡层34后，不会对第一电极31的功函数产生大的影响。
本实施例的一个示例中，所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料可以均为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等，所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料可以均为银、钛或铝等。所述第一导电材料层的厚度可以为至/>比如/>所述第二导电材料层的厚度可以为/>至/>比如/>所述第三导电材料层的厚度可以为/>至/>比如/>所述第四导电材料层的厚度可以为至/>比如/>
在另一些示例性实施例中，如图4a所示，图4a为另一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述显示基板包括依次叠设于基底10上的驱动结构层20和发光结构层30，所述驱动结构层20可以包括多个像素驱动电路。所述像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容，所述像素驱动电路可以为3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C等结构，本实施例对此不作限制。
所述发光结构层30包括第一电极层、像素界定层32、水氧阻挡层34、有机功能层和第二电极层38；所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层20上的多个第一电极31，每个第一电极31与一个所述像素驱动电路连接，每个像素驱动电路驱动对应的一个发光器件发光。
所述像素界定层32设于所述多个第一电极31的远离所述基底10一侧并设有多个第一像素开口321，每个所述第一像素开口321将对应的一个所述第一电极31的远离所述基底10的表面暴露出。
所述水氧阻挡层34的材料为绝缘材料，所述水氧阻挡层34至少部分地设置在所述第一像素开口321的周向侧壁上，并且至少部分地设置在所述像素界定层32的远离所述基底10的表面的靠近所述第一像素开口321的部分上；所述水氧阻挡层34设有多个第二像素开口，每个所述第二像素开口将对应的一个所述第一电极31的被所述第一像素开口321暴露的表面暴露出。
所述有机功能层包括有机发光层36，所述有机功能层设置在所述第一电极31的被所述第一像素开口321和所述第二像素开口暴露的表面上，以及设置在所述水氧阻挡层34的远离所述基底10的表面上；所述有机功能层和所述第二电极层38依次叠设于所述第一电极31的远离所述基底10的一侧，每个所述第一电极31、所述有机功能层和所述第二电极层38形成一个发光器件。
本实施例中，水氧阻挡层34的材料为绝缘材料，所述水氧阻挡层34至少部分地设置在所述第一像素开口321的周向侧壁上，并且至少部分地设置在所述像素界定层32的远离所述基底10的表面的靠近所述第一像素开口321的部分上；水氧阻挡层34设有多个第二像素开口，每个所述第二像素开口将对应的一个所述第一电极31的被所述第一像素开口321暴露的表面暴露出，这样，水氧阻挡层34可以阻挡像素界定层32挥发出的水和氧侵入有机发光层36，又可以通过设置的第二像素开口将第一电极31的被第一像素开口321暴露的表面暴露出，以保证后续形成的有机功能层可以与第一电极31连接。
在一些示例性实施例中，如图4a所示，所述水氧阻挡层34可以将所述第一像素开口321的周向侧壁完全覆盖，以避免像素界定层32产生的水氧从第一像素开口321的周向侧壁侵入有机发光层36。示例性地，如图4b所示，图4b为在一些示例性实施例中图4a的显示基板的俯视结构示意图，所述第一像素开口321在所述基底10上的正投影可以包含所述第二像素开口342在所述基底10上的正投影。
在一些示例性实施例中，如图4a所示，所述水氧阻挡层34可以为一体结构。
在一些示例性实施例中，如图4a所示，所述水氧阻挡层34的材料可以包括硅氧化物、硅氮化物、氮氧化硅中的一种或多种。所述水氧阻挡层34可以为单层结构或者多层复合结构。
在一些示例性实施例中，如图4a所示，所述显示基板还可以包括设置在所述像素界定层32的远离所述基底10的表面上的隔垫物33(PS)，所述隔垫物33可以用于在后续蒸镀形成有机功能层的膜层时支撑掩膜板。所述水氧阻挡层34可以部分地设置在所述第一像素开口321的周向侧壁上，部分地设置在所述像素界定层32和所述隔垫物33的远离所述基底10的表面上。
下面示例性地说明本公开显示基板的制备方法。本文所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本文中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。
结合图3a至图12，显示基板的制备方法可以包括如下步骤：
(1)在基底10上形成缓冲层21和有源层2011图案，可以包括：
在基底10上沉积缓冲薄膜，并形成缓冲层21。在缓冲层21上形成半导体薄膜，采用构图工艺对半导体薄膜进行图案化处理形成有源层2011图案，有源层2011图案包括有源层2011，如图5所示，图5为一些示例性实施例的显示基板在形成有源层2011后的局部剖面结构示意图。
(2)形成第一栅绝缘层22和第一栅金属层，可以包括：
在有源层2011图案的远离基底10一侧沉积第一栅绝缘薄膜，即形成第一栅绝缘层22。在第一栅绝缘层22的远离基底10一侧沉积第一栅金属薄膜，采用构图工艺对第一栅金属薄膜进行图案化处理形成第一栅金属层图案，第一栅金属层图案包括栅电极2012和第一极板2021，如图6所示，图6为一些示例性实施例的显示基板在形成第一栅金属层后的局部剖面结构示意图。
本示例中，可以在形成第一栅金属层图案后，对有源层2011的未被栅电极2012覆盖的部分进行导体化处理，以形成配置为与后续形成的源电极2013连接的第一区和配置为与后续形成的漏电极2014连接的第二区。
(3)形成第二栅绝缘层23和第二栅金属层，可以包括：
在第一栅金属层的远离基底10一侧沉积第二栅绝缘薄膜，形成第二栅绝缘层23。在第二栅绝缘层23的远离基底10一侧沉积第二栅金属薄膜，采用构图工艺对第二栅金属薄膜进行图案化处理形成第二栅金属层，第二栅金属层可以包括第二极板2022，第二极板2022可以与所述第一极板2021位置对应并形成存储电容202，如图7所示，图7为一些示例性实施例的显示基板在形成第二栅金属层后的局部剖面结构示意图。
(4)形成层间绝缘层24和源漏金属层，可以包括：
在第二栅金属层的远离基底10一侧沉积层间绝缘薄膜，采用刻蚀工艺形成贯穿层间绝缘薄膜、第二栅绝缘层23和第一栅绝缘层22的第一过孔203和第二过孔204，并形成层间绝缘层24，如图8所示，图8为一些示例性实施例的显示基板在形成层间绝缘层24后的局部剖面结构示意图。
在层间绝缘层24的远离基底10一侧沉积源漏金属薄膜，采用构图工艺对源漏金属薄膜进行图案化处理形成源漏金属层，源漏金属层包括源电极2013和漏电极2014，源电极2013通过第一过孔203与有源层2011的第一区连接，漏电极2014通过第二过孔204与有源层2011的第二区连接，如图9所示，图9为一些示例性实施例的显示基板在形成源漏金属层后的局部剖面结构示意图。所述源电极2013、漏电极2014、栅电极2012和有源层2011形成薄膜晶体管201(可以为像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管)。
(5)形成平坦层25和第一电极层，可以包括：
在源漏金属层的远离基底10一侧涂覆有机材料的平坦薄膜，平坦薄膜可以覆盖基底10上的前述结构，然后通过掩膜、曝光、显影和后烘工艺，在平坦薄膜上形成第三过孔205，以暴露出漏电极2014，从而形成平坦层25，如图10所示，图10为一些示例性实施例的显示基板在形成平坦层25后的局部剖面结构示意图。
在平坦层25上沉积透明导电薄膜，采用构图工艺对透明导电薄膜进行图案化处理形成第一电极层，第一电极层包括多个第一电极31，第一电极31通过平坦层25上的第三过孔205与漏电极2014连接，如图11所示，图11为一些示例性实施例的显示基板在形成第一电极层后的局部剖面结构示意图。
(6)形成像素界定层32和隔垫物33，可以包括：
在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩膜、曝光、显影、后烘工艺，形成像素界定层32，像素界定层32包括多个第一像素开口321，第一像素开口321将第一电极31的远离基底10的表面露出。
在像素界定层32的远离基底10的表面涂覆隔垫物33薄膜，采用构图工艺对隔垫物33薄膜进行图案化处理形成隔垫物33，隔垫物33设置在像素界定层32的远离基底10的表面上，如图12所示，图12为一些示例性实施例的显示基板在形成隔垫物33后的局部剖面结构示意图。
(7)形成水氧阻挡层34，可以包括：
在形成前述图案的基底10上形成水氧阻挡薄膜，采用构图工艺对水氧阻挡薄膜进行图案化处理形成水氧阻挡层34。
在一些示例中，如图3a所示，所述水氧阻挡层34的材料可以为导电材料，所述水氧阻挡层34包括多个连接电极341，每个所述连接电极341设置在对应的一个所述第一电极31的被所述第一像素开口321暴露的表面上，并且部分地设置在所述第一像素开口321的周向侧壁上，以及部分地设置在所述像素界定层32的远离所述基底10的表面的靠近所述第一像素开口321的部分上。所述连接电极341在所述基底10上的正投影可以包含所述第一像素开口321在所述基底10上的正投影。
在另一些示例中，如图4a所示，所述水氧阻挡层34的材料为绝缘材料，所述水氧阻挡层34至少部分地设置在所述第一像素开口321的周向侧壁上，并且至少部分地设置在所述像素界定层32的远离所述基底10的表面的靠近所述第一像素开口321的部分上；所述水氧阻挡层34设有多个第二像素开口，每个所述第二像素开口将对应的一个所述第一电极31的被所述第一像素开口321暴露的表面暴露出。如图4a所示，所述水氧阻挡层34可以为一体结构。
(8)形成有机功能层、第二电极层38，以及封装结构层40，可以包括：
在形成前述图案的基底10上依次形成有机功能层和第二电极层38，如图3a、图4a所示，有机功能层可以包括依次叠设的第一有机结构层35、有机发光层36和第二有机结构层37，第一有机结构层35可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的任一个或多个，第二有机结构层37可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任一个或多个，第一有机结构层35和第二有机结构层37中的任一个膜层可以为一体结构并为多个子像素(或多个发光器件)的公共层，有机发光层36包括多个子发光层361，每个发光器件包括一个子发光层361。每个所述第一电极31、所述有机功能层和所述第二电极层38依次叠设形成一个发光器件。
在形成前述图案的基底10上形成封装结构层40，如图3a、图4a所示。封装结构层40可以包括依次叠设的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。后续还可以在封装结构层40上形成触控结构层等。
在一些示例性实施例中，所述基底可以是柔性基底，或者可以是刚性基底。刚性基底可以为但不限于玻璃、石英中的一种或多种，柔性基底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
在一些示例性实施例中，所述第一栅金属层、第二栅金属层和源漏金属层均可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。缓冲(Buffer)层、第一栅绝缘(GI2)层、第二栅绝缘(GI2)层和层间绝缘(ILD)层均可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层结构或多层复合结构。平坦层可以采用有机材料，如树脂等。缓冲层可用于提高基底的抗水氧能力。有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩或聚噻吩等材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术或有机物技术制造的晶体管。第一电极可以采用单层结构，如氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO；或者，第一电极可以采用多层复合结构，如ITO/Ag/ITO等。像素界定层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯。第二电极层可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了一些例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
在本文描述中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本文描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
在本文描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，或是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。
Claims (8)
1.一种显示基板，包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；其特征在于：
所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、水氧阻挡层、有机功能层和第二电极层；所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极，所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述基底一侧并设有多个第一像素开口，每个所述第一像素开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出；
所述水氧阻挡层至少部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上；
所述有机功能层包括有机发光层，所述有机功能层和所述第二电极层依次叠设于所述第一电极的远离所述基底的一侧，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个发光器件；
所述水氧阻挡层的一部分还设置在所述像素界定层的远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上；
所述水氧阻挡层的材料为导电材料，所述水氧阻挡层包括多个连接电极，每个所述连接电极设置在对应的一个所述第一电极的被所述第一像素开口暴露的表面上，并且部分地设置在所述第一像素开口的周向侧壁上，以及部分地设置在所述像素界定层的远离所述基底的表面的靠近所述第一像素开口的部分上；所述有机功能层设置在所述水氧阻挡层的远离所述基底的表面上。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述连接电极在所述基底上的正投影包含所述第一像素开口在所述基底上的正投影。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述有机发光层包括多个子发光层，所述子发光层设置在所述第一像素开口内，所述第一像素开口在所述基底上的正投影包含所述子发光层在所述基底上的正投影。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述第一电极包括第一导电材料层，所述连接电极包括第四导电材料层；
所述第一电极还包括第二导电材料层，所述第二导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间；或/和，所述连接电极还包括第三导电材料层，所述第三导电材料层叠设在所述第一导电材料层和所述第四导电材料层之间。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于：所述第一电极包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第一导电材料层和第二导电材料层，所述连接电极包括沿远离所述基底的方向依次叠设的第三导电材料层和第四导电材料层；所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料相同，所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料相同。
6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于：所述第一导电材料层的材料与所述第四导电材料层的材料均为氧化铟锡或氧化铟锌，所述第二导电材料层的材料与所述第三导电材料层的材料均为银、钛或铝；
所述第一导电材料层的厚度为至/>所述第二导电材料层的厚度为/>至所述第三导电材料层的厚度为/>至/>所述第四导电材料层的厚度为至/>
7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述有机功能层还包括设于所述第一电极和所述有机发光层之间的以下任一个或多个膜层：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；
所述有机功能层还包括设于所述有机发光层和所述第二电极层之间的以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。
8.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求1至7任一项所述的显示基板。
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