CN219843922U - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种显示装置，包括：基板；像素电路，配置在所述基板上；平坦化绝缘层，配置在所述像素电路上，包括具有开口或槽的第一结构；坝层，配置在所述平坦化绝缘层上，包括与所述第一结构重叠的第一开口；以及中间层，配置在所述第一结构和所述第一开口的至少一部分中。
Description
技术领域
本实用新型的实施例涉及装置，更详细而言涉及显示装置。
背景技术
基于移动性的电子设备正在被广泛使用。作为移动用电子设备，除了如移动电话这样的小型电子设备以外，近几年还广泛使用平板PC。
如上所述的移动型电子设备为了支持各种功能且为了向使用者提供如图像或视频这样的视觉信息而包括显示装置。近几年，随着用于驱动显示装置的其他部件变得小型化，显示装置在电子设备中所占的比重处于逐渐增加的趋势，还在开发可从平坦的状态弯曲成具有预定角度的结构。
实用新型内容
本实用新型的实施例的目的在于，通过在平坦化绝缘层中配置开口或槽来进一步确保能够配置中间层的空间，将配置中间层的空间与像素电路及其他布线配置成在平面上彼此间隔开。
然而，这种课题是例示，本实用新型要解决的课题并不限于此。
本实用新型的一实施例公开一种显示装置，包括：基板；像素电路，配置在所述基板上；平坦化绝缘层，配置在所述像素电路上，包括具有开口或槽的第一结构；坝层，配置在所述平坦化绝缘层上，包括与所述第一结构重叠的第一开口；以及中间层，配置在所述第一结构和所述第一开口的至少一部分中。
在本实施例中，可以是，所述第一结构和所述第一开口被配置成在平面上与所述像素电路彼此间隔开。
在本实施例中，可以是，所述平坦化绝缘层包括：第一平坦化绝缘层；以及第二平坦化绝缘层，配置在所述第一平坦化绝缘层上。
在本实施例中，可以是，所述槽配置在所述第二平坦化绝缘层中。
在本实施例中，可以是，所述开口包括配置在所述第二平坦化绝缘层中的第二开口。
在本实施例中，可以是，所述槽与所述第二开口重叠且配置在所述第一平坦化绝缘层中。
在本实施例中，可以是，所述开口还包括与所述第二开口重叠且配置在所述第一平坦化绝缘层中的第三开口。
在本实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第一电极，与所述中间层连接，至少一部分介于所述第二平坦化绝缘层和所述坝层之间；以及接触金属，连接所述第一电极和所述像素电路，至少一部分介于所述第一平坦化绝缘层和所述第二平坦化绝缘层之间，所述第一结构和所述第一开口被配置成在平面上与所述接触金属彼此间隔开。
在本实施例中，可以是，所述平坦化绝缘层还包括配置在所述第二平坦化绝缘层上的第三平坦化绝缘层。
在本实施例中，可以是，所述开口包括配置在所述第三平坦化绝缘层中的第四开口。
本实用新型的其他实施例公开一种显示装置，包括：基板；像素电路，配置在所述基板上；平坦化绝缘层，配置在所述像素电路上；坝层，配置在所述平坦化绝缘层上；以及中间层，配置在配置于所述平坦化绝缘层和所述坝层中的第一空间中。
在本实施例中，可以是，所述第一空间被配置成在平面上与所述像素电路彼此间隔开。
在本实施例中，可以是，所述平坦化绝缘层包括：第一平坦化绝缘层；以及第二平坦化绝缘层，配置在所述第一平坦化绝缘层上。
在本实施例中，可以是，所述第一空间包括：第一开口，配置在所述坝层中；以及第一槽，与所述第一开口重叠且配置在所述第二平坦化绝缘层中。
在本实施例中，可以是，所述第一空间包括：第一开口，配置在所述坝层中；以及第二开口，与所述第一开口重叠且配置在所述第二平坦化绝缘层中。
在本实施例中，可以是，所述第一空间还包括与所述第二开口重叠且配置在所述第一平坦化绝缘层中的第二槽。
在本实施例中，可以是，所述第一空间还包括与所述第二开口重叠且配置在所述第一平坦化绝缘层中的第三开口。
在本实施例中，可以是，所述平坦化绝缘层还包括配置在所述第二平坦化绝缘层上的第三平坦化绝缘层。
在本实施例中，可以是，所述第一空间包括：第一开口，配置在所述坝层中；以及第四开口，与所述第一开口重叠且配置在所述第三平坦化绝缘层中。
在本实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第一电极，与所述中间层连接，至少一部分介于所述第二平坦化绝缘层和所述坝层之间；以及接触金属，连接所述第一电极和所述像素电路，至少一部分介于所述第一平坦化绝缘层和所述第二平坦化绝缘层之间，所述第一空间被配置成在平面上与所述接触金属彼此间隔开。
通过以下的附图、权利要求书以及实用新型的详细说明，前述以外的其他侧面、特征以及优点会变得明确。
(实用新型效果)
根据本实用新型的实施例，可减少发光层从坝层的开口溢出的现象，可提高配置有中间层的第一电极的平坦度。
本实用新型的效果并不限于以上所提及的效果，通过权利要求书的记载，本领域技术人员应当能够明确理解未提及的其他效果。
附图说明
图1是示意性地示出本实用新型的一实施例涉及的显示装置的平面图。
图2是本实用新型的一实施例涉及的对于图1的II-II′部分的剖视图。
图3是本实用新型的一实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
图4是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
图5是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
图6是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
图7是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
图8是本实用新型的一实施例涉及的显示装置的像素的等效电路图。
图9是本实用新型的其他实施例涉及的对于图1的II-II′部分的剖视图。
图10是本实用新型的一实施例涉及的对于图9的B部分的放大图。
符号说明：
1：显示装置；100：基板；DD：显示部；300：封装层；VIA：平坦化绝缘层；VIA1：第一平坦化绝缘层；VIA2：第二平坦化绝缘层；VIA3：第三平坦化绝缘层；ARE：第一空间；OP1：第一开口；STR：第一结构。
具体实施方式
本实用新型可以具有各种变换以及各种实施例，在附图中例示特定实施例并在此进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例，本实用新型的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本实用新型并不限于以下公开的实施例，可以各种形态实现本实用新型。
以下，参照附图详细说明本实用新型的实施例，在参照附图进行说明时，对于相同或对应的构成元件赋予相同的符号并省略对其的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是限定性用语，是为了将一个构成元件区别于其他构成元件而使用。
在以下的实施例中，单数的表述在文中没有明确相反意思时包括多个的表述。
在以下的实施例中，包括或者具有等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成元件的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成元件的附加可能性。
在以下的实施例中，膜、区域、构成元件等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成元件等的情况。
为了便于说明，构成元件其大小可能会有所放大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而任意示出的，本实用新型并不一定限于图示的情况。
在以下的实施例中，X轴、Y轴和Z轴并不限于直角坐标系上的三轴，可解释为包括其的更宽泛的意义。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此正交，但也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
在某一实施例可以不同方式实现的情况下，特定的工序顺序也可与所说明的顺序不同地被执行。例如，连续说明的两个工序实质上可同时被执行，也可以与所说明的顺序相反的顺序被执行。
图1是示意性地示出本实用新型的一实施例涉及的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置1包括显示区域DA和位于显示区域DA的外侧的周边区域PA。显示装置1可通过在显示区域DA中二维排列的多个像素PX的阵列来提供图像。
周边区域PA是不提供图像的区域，可包围显示区域DA的全部或部分。在周边区域PA中可配置用于向与各个像素PX对应的像素电路(例如，图3的像素电路PC)提供电信号或电源的驱动器等。在周边区域PA中可配置作为能够与电子元件或印刷电路基板等电连接的区域的焊盘。
以下，以显示装置1包括有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode)OLED(参照图3)作为发光元件(Light emitting element)的情况进行说明，但是本实用新型的显示装置1并不限于此。作为其他实施例，显示装置1可为包括无机发光二极管的发光显示装置(即，无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display))。无机发光二极管可包括含有基于无机物半导体的材料的PN结二极管。若向PN结二极管在正向上施加电压，则空穴和电子被注入，通过将该空穴与电子的复合产生的能量变换为光能，可射出预定颜色的光。前述的无机发光二极管可具有几～数百微米的宽度，在一些实施例中，无机发光二极管可被称为微型LED。作为又一实施例，显示装置1可为量子点发光显示装置(Quantum dotLight Emitting Display)。
另一方面，显示装置1不仅可用作如移动电话(mobile phone)、智能电话(smartphone)、平板PC(tablet personal computer)、移动通信终端机、电子手册、电子书、PMP(portable multimedia player)、导航仪、UMPC(Ultra Mobile PC)等这样的便携式电子设备的显示屏幕，还可用作电视机、笔记本、监视器、广告板、物联网(internet of things，IOT)装置等各种产品的显示屏幕。此外，一实施例涉及的显示装置1可利用于如智能手表(smart watch)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器和头戴式显示器(head mounteddisplay，HMD)这样的可穿戴装置(wearable device)中。此外，一实施例涉及的显示装置1可用作汽车的仪表盘、汽车的仪表中央盒(center fascia)或配置在仪表盘的CID(CenterInformation Display，中央信息显示器)、代替汽车的后视镜的室内镜显示器(roommirror display)、作为汽车的后座用娱乐设备而配置在前座的背面的显示屏幕。
图2是本实用新型的一实施例涉及的对于图1的II-II′部分的剖视图。
参照图2，显示装置1可包括基板100、显示部DD和封装层300。
在显示装置1的显示区域DA中，在基板100上可配置显示部DD。封装层300可被配置成覆盖显示部DD。在显示装置1的显示区域DA中，封装层300可与显示部DD的上表面(例如，朝向+Z轴的面)接触。此外，在显示装置1的周边区域PA中，封装层300可与基板100的上表面(例如，朝向+Z轴的面)接触。由于封装层300覆盖显示部DD，因此可防止外部的湿气和氧渗透到显示部DD的现象。
图3是本实用新型的一实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
参照图3，显示装置1可包括基板100、显示部DD和封装层300的层叠结构。
基板100可为包括含有高分子树脂的基底层和无机层的多层结构。例如，基板100可包括含有高分子树脂的基底层和作为无机绝缘层的阻挡层。例如，基板100可包括依次层叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103可包括聚酰亚胺(polyimide：PI)、聚醚砜(PES，polyethersulfone)、聚芳酯(polyarylate)、聚醚酰亚胺(PEI，polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，polyethyleneterephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide：PPS)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)和/或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate：CAP)等。第一阻挡层102和第二阻挡层104可包括如硅氧化物、硅氮氧化物和/或硅氮化物这样的无机绝缘物。基板100可具有柔性特性。
显示部DD可包括像素电路层PCL和显示元件层DEL。在基板100上可配置像素电路层PCL。
像素电路层PCL可包括像素电路PC以及配置在像素电路PC的构成元件的下方和/或上方的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114和平坦化绝缘层VIA。图3示出了像素电路PC所包括的多个薄膜晶体管中的任一个薄膜晶体管TFT以及储能电容器Cst。
缓冲层111可减少或阻断异物、湿气或外部气体从基板100的下部渗透的情况，可在基板100上提供平坦面。缓冲层111可包括如硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物这样的无机绝缘物，可构成为包括前述的物质的单层或多层的结构。
缓冲层111上的薄膜晶体管TFT可包括半导体层Act，半导体层Act可包括多晶硅(poly-Si)。或者，半导体层Act可包括非晶硅(a-Si)、包括氧化物半导体、或者包括有机半导体等。半导体层Act可包括沟道区域C以及分别配置在沟道区域C的两侧的漏极区域D和源极区域S。薄膜晶体管TFT的栅电极GE可与沟道区域C重叠。
栅电极GE可包括低电阻金属物质。栅电极GE可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的第一栅极绝缘层112可包括如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等这样的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOX)可为氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
第二栅极绝缘层113可被设置成覆盖栅电极GE。第二栅极绝缘层113可与第一栅极绝缘层112类似地包括如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等这样的无机绝缘物。锌氧化物(ZnOX)可为氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
在第二栅极绝缘层113的上部可配置储能电容器Cst的上部电极Cst2。上部电极Cst2可与其下方的栅电极GE重叠。此时，夹着第二栅极绝缘层113重叠的栅电极GE和上部电极Cst2可形成储能电容器Cst。即，栅电极GE可起到储能电容器Cst的下部电极Cst1的功能。
如上所述，储能电容器Cst与薄膜晶体管TFT可重叠地形成。在一些实施例中，储能电容器Cst也可形成为不与薄膜晶体管TFT重叠。
上部电极Cst2可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，可为前述的物质的单层或多层。
层间绝缘层114可覆盖上部电极Cst2。层间绝缘层214可包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等。锌氧化物(ZnOX)可为氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。层间绝缘层114可为包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
薄膜晶体管TFT的漏电极DE和源电极SE可分别位于层间绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE可分别通过形成在它们下部的多个绝缘层中的接触孔而与漏极区域D及源极区域S连接。漏电极DE和源电极SE可包括传导性出色的材料。漏电极DE和源电极SE可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。作为一实施例，漏电极DE和源电极SE可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化绝缘层VIA可覆盖漏电极DE和源电极SE。平坦化绝缘层VIA可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳基醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物这样的有机绝缘物。平坦化绝缘层VIA可包括第一平坦化绝缘层VIA1和第二平坦化绝缘层VIA2。第二平坦化绝缘层VIA2可配置在第一平坦化绝缘层VIA1上。
在前述的结构的像素电路层PCL上可配置显示元件层DEL。显示元件层DEL可包括坝层BN和有机发光二极管OLED。
坝层BN可配置在平坦化绝缘层VIA上。坝层BN的至少一部分可与第二平坦化绝缘层VIA2接触。坝层BN可包括有机绝缘物和/或无机绝缘物。
在平坦化绝缘层VIA和坝层BN中可配置第一空间ARE。平坦化绝缘层VIA可包括具有开口或槽的第一结构STR。例如，如图3所示，第一结构STR可包括配置在第二平坦化绝缘层VIA2中的第一槽。即，第一结构STR可从第二平坦化绝缘层VIA2凹陷而形成。坝层BN可包括与第一结构STR重叠的第一开口OP1。即，第一空间ARE可包括第一结构STR和第一开口OP1。
在第一空间ARE中可配置有机发光二极管OLED的至少一部分。第一空间ARE可定义从有机发光二极管OLED射出的光的发光区域。例如，第一空间ARE的大小/宽度可相当于发光区域的大小/宽度。因此，像素PX的大小/宽度可依赖于第一空间ARE的大小/宽度。
有机发光二极管OLED可包括第一电极210、中间层220和第二电极230的层叠结构。有机发光二极管OLED例如可射出红色光、绿色光或蓝色光，或者可射出红色光、绿色光、蓝色光或白色光。有机发光二极管OLED可通过发光区域射出光，可将发光区域定义为像素PX。
第一电极210可配置在平坦化绝缘层VIA上，与第一结构STR重叠。第一电极210可与中间层220连接，至少一部分可介于第二平坦化绝缘层VIA2和坝层BN之间。可配置连接第一电极210和像素电路PC的接触金属CM。接触金属CM的至少一部分可介于第一平坦化绝缘层VIA1和第二平坦化绝缘层VIA2之间。接触金属CM可通过形成在第一平坦化绝缘层VIA1中的接触孔而与像素电路PC连接。此外，接触金属CM可通过形成在第二平坦化绝缘层VIA2中的接触孔而与第一电极210连接。其结果，接触金属CM可连接第一电极210和像素电路PC。
第一电极210可包括如铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO；zinc oxide)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，第一电极210可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为其他实施例，第一电极210可在前述的反射膜的上方/下方还包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
中间层220可配置在第一空间ARE中。即，中间层220可配置在第一结构STR和第一开口OP1的至少一部分中。中间层220可包括与第一电极210对应地形成的发光层222。发光层222可包括射出预定颜色的光的高分子或低分子的有机物。或者，发光层222可包括无机发光物质或者可包括量子点。
作为一实施例，中间层220可包括分别配置在发光层222的下方和上方的第一功能层221和第二功能层223。第一功能层221例如可包括空穴传输层(HTL：Hole TransportLayer)、或者可包括空穴传输层和空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)。第二功能层223是配置在发光层222的下方的构成元件，可包括电子传输层(ETL：Electron TransportLayer)和/或电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)。
如图3所示，与后述的第二电极230同样地，第一功能层221和第二功能层223可仅配置在第一空间ARE内。然而，这是例示，第一功能层221、第二功能层223和第二电极230也可为按照覆盖整个基板100的方式形成的公共层。
第二电极230可配置在第一电极210上，与第一电极210重叠。第二电极230的至少一部分可配置在中间层220上。即，在第一电极210和第二电极230之间可配置中间层220。
第二电极230可由功函数低的导电性物质构成。例如，第二电极230可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，第二电极230可在包括前述的物质的(半)透明层上还包括如ITO、IZO、ZnO或In2O3这样的层。
通过平坦化绝缘层VIA的第一结构STR，可确保第一空间ARE的高度。因此，在第一空间ARE中配置中间层220的过程中，可减少中间层220从第一空间ARE溢出的现象。例如，可减少射出彼此不同颜色的发光层222从第一空间ARE溢出使得彼此的颜色混合的混色现象。例如，第一空间ARE的高度可在5μm以上。即，第一结构STR的高度和第一开口OP1的高度之和可在5μm以上。然而，这仅仅是一个例示，第一空间ARE的高度并不限于此。
第一空间ARE可被配置成在平面上与像素电路PC及接触金属CM彼此间隔开。即，第一空间ARE可不与像素电路PC及接触金属CM重叠。第一结构STR和第一开口OP1可被配置成在平面上与像素电路PC及接触金属CM彼此间隔开。即，第一结构STR和第一开口OP1可不与像素电路PC及接触金属CM重叠。在如上所述的结构中，可减少因像素电路PC、接触金属CM和其他布线使得与中间层220重叠的第一电极210的平坦度降低的现象。
封装层300可配置在显示元件层DEL上，覆盖显示元件层DEL。封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，作为一实施例，图3示出了封装层300包括依次层叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的情况。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的一种以上的无机物。有机封装层320可包括聚合物(polymer)系的物质。作为聚合物系的物质，可包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺系树脂和聚乙烯系树脂等。作为一实施例，有机封装层320可包括丙烯酸酯(acrylate)树脂。有机封装层320可通过固化单体或者涂布聚合物来形成。有机封装层320可具有透明性。
虽然未图示，但是在封装层300上可配置触摸传感器层，在所述触摸传感器层上可配置光学功能层。所述触摸传感器层可获得外部的输入(例如，与触摸事件相关的坐标信息)。所述光学功能层可减小从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率，和/或，可提高从显示装置1射出的光的色纯度。作为一实施例，所述光学功能层可包括相位延迟器(retarder)和/或偏振器(polarizer)。所述相位延迟器可为膜类型或液晶涂敷类型，可包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。所述偏振器也可为膜类型或液晶涂敷类型。膜类型可包括延伸型合成树脂膜，液晶涂敷类型可包括排列成预定排列的液晶。所述相位延迟器和所述偏振器还可包括保护膜。
在所述触摸传感器层和所述光学功能层之间可配置粘合部件。所述粘合部件可无限制地采用本技术领域中公知的。所述粘合部件可为压敏性粘合剂(pressure sensitiveadhesive，PSA)。
图4是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
为了便于说明，在图4中省略与参照图3说明的内容相同或类似的内容。此外，与图3相同的符号指代相同的部件，省略对它们的重复说明。
在图4中，与参照图3说明的实施例相比，第一结构STR可包括配置在第二平坦化绝缘层VIA2中的第二开口。即，第一结构STR可贯通第二平坦化绝缘层VIA2。配置在第一结构STR中的第一电极210的至少一部分可与第一平坦化绝缘层VIA1接触。在如上所述的结构中，第一空间ARE的高度可进一步变高。因此，在第一空间ARE中配置中间层220的过程中，可进一步减少中间层220从第一空间ARE溢出的现象。
图5是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
为了便于说明，在图5中省略与参照图4说明的内容相同或类似的内容。此外，与图4相同的符号指代相同的部件，省略对它们的重复说明。
在图5中，与参照图4说明的实施例相比，第一结构STR还可包括配置在第一平坦化绝缘层VIA1中的第二槽GR2。第二槽GR2可从第一平坦化绝缘层VIA1凹陷来形成。即，第一结构STR可包括配置在第一平坦化绝缘层VIA1中的第二槽GR2以及配置在第二平坦化绝缘层VIA2中的第二开口OP2。
配置在第一结构STR中的第一电极210的至少一部分可与第一平坦化绝缘层VIA1或第二平坦化绝缘层VIA2接触。例如，配置在第二槽GR2中的第一电极210可与第一平坦化绝缘层VIA1接触，配置在第二开口OP2中的第一电极210可与第二平坦化绝缘层VIA2接触。在如上所述的结构中，第一空间ARE的高度可进一步变高。因此，在第一空间ARE中配置中间层220的过程中，可进一步减少中间层220从第一空间ARE溢出的现象。
图6是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
为了便于说明，在图6中省略与参照图5说明的内容相同或类似的内容。此外，与图5相同的符号指代相同的部件，省略对它们的重复说明。
在图6中，与参照图5说明的实施例相比，第一结构STR还可包括配置在第一平坦化绝缘层VIA1中的第三开口OP3。第三开口OP3可贯通第一平坦化绝缘层VIA1。即，第一结构STR可包括配置在第一平坦化绝缘层VIA1中的第三开口OP3以及配置在第二平坦化绝缘层VIA2中的第二开口OP2。
配置在第一结构STR中的第一电极210的至少一部分可与第一平坦化绝缘层VIA1或第二平坦化绝缘层VIA2接触。例如，配置在第三开口OP3中的第一电极210可与第一平坦化绝缘层VIA1或层间绝缘层114接触，配置在第二开口OP2中的第一电极210可与第二平坦化绝缘层VIA2接触。在如上所述的结构中，第一空间ARE的高度可进一步变高。因此，在第一空间ARE中配置中间层220的过程中，可进一步减少中间层220从第一空间ARE溢出的现象。
例如，第三开口OP3的高度可在2μm以上，第二开口OP2的高度可在2μm以上，第一开口OP1的高度可在1.5μm以上。然而，这是例示，第三开口OP3、第二开口OP2和第一开口OP1的高度并不限于此。
图7是本实用新型的其他实施例涉及的对于图2的A部分的放大图。
为了便于说明，在图7中省略与参照图3说明的内容相同或类似的内容。此外，与图3相同的符号指代相同的部件，省略对它们的重复说明。
在图7中，与参照图3说明的实施例相比，平坦化绝缘层VIA还可包括第三平坦化绝缘层VIA3。第三平坦化绝缘层VIA3可配置在第二平坦化绝缘层VIA2上。即，第三平坦化绝缘层VIA3可介于第二平坦化绝缘层VIA2和坝层BN之间。第一结构STR还可包括配置在第三平坦化绝缘层VIA3中的第四开口OP4。第四开口OP4可贯通第三平坦化绝缘层VIA3。即，第一结构STR可包括配置在第一平坦化绝缘层VIA1中的第三开口OP3、配置在第二平坦化绝缘层VIA2中的第二开口OP2以及配置在第三平坦化绝缘层VIA3中的第四开口OP4。
第一电极210的至少一部分可配置在第三平坦化绝缘层VIA3上。即，第一电极210的至少一部分可介于第三平坦化绝缘层VIA3和坝层BN之间。此外，第一电极210的至少一部分可与第一结构STR重叠。与第一结构STR重叠的第一电极210可与中间层220连接。
连接第一电极210和像素电路PC的接触金属CM可包括第一接触金属CM1和第二接触金属CM2。第一接触金属CM1的至少一部分可介于第一平坦化绝缘层VIA1和第二平坦化绝缘层VIA2之间。第一接触金属CM1可通过形成在第一平坦化绝缘层VIA1中的接触孔而与像素电路PC连接。第二接触金属CM2的至少一部分可介于第二平坦化绝缘层VIA2和第三平坦化绝缘层VIA3之间。第二接触金属CM2可通过形成在第二平坦化绝缘层VIA2中的接触孔而与第一接触金属CM1连接。此外，第二接触金属CM2可通过形成在第三平坦化绝缘层VIA3中的接触孔而与第一电极210连接。其结果，第一接触金属CM1和第二接触金属CM2可连接第一电极210和像素电路PC。
配置在第一结构STR中的第一电极210的至少一部分可与第一平坦化绝缘层VIA1、第二平坦化绝缘层VIA2或第三平坦化绝缘层VIA3接触。例如，配置在第三开口OP3中的第一电极210可与第一平坦化绝缘层VIA1或层间绝缘层114接触，配置在第二开口OP2中的第一电极210可与第二平坦化绝缘层VIA2接触，配置在第四开口OP4中的第一电极210可与第三平坦化绝缘层VIA3接触。在如上所述的结构中，第一空间ARE的高度可进一步变高。因此，在第一空间ARE中配置中间层220的过程中，可进一步减少中间层220从第一空间ARE溢出的现象。
在图7中示出了第一结构STR包括第三开口OP3、第二开口OP2和第四开口OP4的情况，但是这仅仅是一个例示，第一结构STR并不限于此。例如，在第一平坦化绝缘层VIA1中可配置第二槽GR2(参照图5)而不是第三开口OP3，在第二平坦化绝缘层VIA2中可配置第一槽(参照图3)而不是第二开口OP2。此外，可从配置在第一平坦化绝缘层VIA1中的第三开口OP3或第二槽GR2以及配置在第二平坦化绝缘层VIA2中的第二开口OP2或第一槽导出各种组合。
第一空间ARE可被配置成在平面上与像素电路PC及接触金属CM彼此间隔开。即，第一空间ARE可不与像素电路PC及接触金属CM重叠。第一结构STR和第一开口OP1可被配置成在平面上与像素电路PC、第一接触金属CM1及第二接触金属CM2彼此间隔开。即，第一结构STR和第一开口OP1可不与像素电路PC、第一接触金属CM1及第二接触金属CM2重叠。在如上所述的结构中，可减少因像素电路PC、接触金属CM和其他布线使得与中间层220重叠的第一电极210的平坦度降低的现象。
图8是本实用新型的一实施例涉及的显示装置的像素的等效电路图。
各像素PX可包括像素电路PC以及与像素电路PC连接的显示元件(例如，有机发光二极管OLED)。像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和储能电容器Cst。各像素PX可通过有机发光二极管OLED射出例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管，可与扫描线SL及数据线DL连接，基于从扫描线SL输入的开关电压，将从数据线DL输入的数据电压传递到第一薄膜晶体管T1。储能电容器Cst可与第二薄膜晶体管T2及驱动电压线PL连接，存储相当于从第二薄膜晶体管T2接收到的电压与供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之差的电压。
第一薄膜晶体管T1是驱动薄膜晶体管，可与驱动电压线PL及储能电容器Cst连接，与存储在储能电容器Cst中的电压值对应地控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可通过驱动电流而射出具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的第二电极230(参照图3)可被供给第二电源电压ELVSS。
图8说明了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个储能电容器的情况，但是本实用新型并不限于此。薄膜晶体管的数量和储能电容器的数量可根据像素电路PC的设计而进行各种变更。例如，像素电路PC除了前述的两个薄膜晶体管以外还可包括四个、五个或其以上的薄膜晶体管。
图9是本实用新型的其他实施例涉及的对于图1的II-II′部分的剖视图，图10是本实用新型的一实施例涉及的对于图9的B部分的放大图。
为了便于说明，在图9和图10中省略与参照图1至图8说明的内容相同或类似的内容。此外，与图1至图8相同的符号指代相同的部件，省略对它们的重复说明。
参照图9和图10，显示装置2可包括基板100、配置在基板100上的显示部DD、与基板100对置的覆盖基板500、接合基板100与覆盖基板500的密封部件FR以及配置在基板100和覆盖基板500之间的中间部件400。
覆盖基板500可配置在具备显示部DD的基板100的上部。覆盖基板500可与基板100对置且被配置在显示部DD上，可将后述的密封部件FR作为媒介而与基板100接合。
覆盖基板500可为具有高刚性的基板。例如，覆盖基板500可包括将SiO2作为主成分的透明的玻璃材质。然而，这是例示，覆盖基板500可包括金属、塑料和丙烯酸材质中的至少一种。
密封部件FR可配置在基板100的周边区域PA上，通过密封部件FR可接合基板100与覆盖基板500。密封部件FR可被配置成与配置在显示区域DA中的显示部DD间隔开了一定程度，并且可被配置在与基板100的外廓也间隔开了一定程度的内侧处。这种密封部件FR例如可为玻璃料。密封部件FR可如上所述那样起到接合基板100与覆盖基板500的作用，由此可从外部密封显示部DD。
中间部件400可配置在由基板100、覆盖基板500和密封部件FR形成的空间中。中间部件400可与基板100及显示部DD的上表面(例如，朝向+Z轴的面)、密封部件FR的内表面以及覆盖基板500的下表面(例如，朝向-Z轴的面)接触。中间部件400可在从显示部DD射出的光行进到显示装置2的外部的过程中补偿光被折射的程度。中间部件400的至少一部分可配置在显示元件层DEL的有机发光二极管OLED上。例如，中间部件400的至少一部分可与坝层BN或第二电极230接触。
如上所述，参照图示的实施例说明了本实用新型，但是这仅仅是例示，本领域技术人员应当能够理解可由此进行各种变形以及实施例的变形。因此，本实用新型的真正的技术保护范围应通过权利要求书的技术思想来确定。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
像素电路，配置在所述基板上；
平坦化绝缘层，配置在所述像素电路上，包括具有开口或槽的第一结构；
坝层，配置在所述平坦化绝缘层上，包括与所述第一结构重叠的第一开口；以及
中间层，配置在所述第一结构和所述第一开口的至少一部分中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一结构和所述第一开口被配置成在平面上与所述像素电路彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述平坦化绝缘层包括：
第一平坦化绝缘层；以及
第二平坦化绝缘层，配置在所述第一平坦化绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述槽配置在所述第二平坦化绝缘层中。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述开口包括配置在所述第二平坦化绝缘层中的第二开口。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述槽与所述第二开口重叠且配置在所述第一平坦化绝缘层中。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述开口还包括与所述第二开口重叠且配置在所述第一平坦化绝缘层中的第三开口。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第一电极，与所述中间层连接，至少一部分介于所述第二平坦化绝缘层和所述坝层之间；以及
接触金属，连接所述第一电极和所述像素电路，至少一部分介于所述第一平坦化绝缘层和所述第二平坦化绝缘层之间，
所述第一结构和所述第一开口被配置成在平面上与所述接触金属彼此间隔开。
9.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述平坦化绝缘层还包括配置在所述第二平坦化绝缘层上的第三平坦化绝缘层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述开口包括配置在所述第三平坦化绝缘层中的第四开口。
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