CN117082898A - 显示面板和显示面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的一实施例公开一种显示面板和显示面板的制造方法，显示面板包括：基板，包括中心区域以及具有在远离所述中心区域的方向上延伸的延伸角部区域的角部区域；无机绝缘层，配置在所述基板上；绝缘层，在所述无机绝缘层上被配置成沿着所述延伸角部区域的周围包括使所述无机绝缘层的一部分露出的第一槽；中间层，配置在所述绝缘层的上部；封装层，配置在所述中间层上，包括至少一个无机封装层；以及加热电极，在平面图上与所述第一槽重叠而沿着所述延伸角部区域的周围配置。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板和显示面板的制造方法。
背景技术
近几年，正在广泛使用电子设备。电子设备如移动型电子设备和固定型电子设备这样以各种方式被利用，这种电子设备为了支持各种功能而包括可向使用者提供如图像或视频这样的视觉信息的显示装置。
近几年，随着用于驱动显示装置的其他部件变得小型化，趋势是显示装置在电子设备中所占的比重逐渐增加，还在开发从平坦的状态弯曲成具有预定角度或者以轴为中心折叠的结构。
前述的背景技术是发明人为了导出本发明而所拥有的或者在本发明的导出过程中习得的技术信息，并不一定是在本发明的申请日之前向一般公众公开的公知技术。
发明内容
本发明的实施例的目的在于，提供一种最小化来自外部的氧或水分的渗透来提高可靠性的显示面板和显示面板的制造方法。
然而，这些课题是例示，本发明要解决的课题并不限于此。
本发明的一实施例公开一种显示面板，包括：基板，包括中心区域以及具有在远离所述中心区域的方向上延伸的延伸角部区域的角部区域；无机绝缘层，配置在所述基板上；绝缘层，在所述无机绝缘层上被配置成沿着所述延伸角部区域的周围包括使所述无机绝缘层的一部分露出的第一槽；中间层，配置在所述绝缘层的上部；封装层，配置在所述中间层上，包括至少一个无机封装层；以及加热电极，在平面图上与所述第一槽重叠而沿着所述延伸角部区域的周围配置。
在本实施例中，可以是，所述无机绝缘层包括覆盖所述加热电极的层间绝缘层，所述层间绝缘层的上表面被所述第一槽露出而与所述至少一个无机封装层直接接触。
在本实施例中，可以是，所述绝缘层包括：第一绝缘层；以及第二绝缘层，配置在所述第一绝缘层的上部，所述第一槽包括：第一开口，由所述第一绝缘层定义且使所述无机绝缘层的一部分露出；以及第二开口，由所述第二绝缘层定义且使所述第一绝缘层的一部分露出，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。
在本实施例中，可以是，所述加热电极的宽度具有大于或等于所述第一开口的宽度且小于所述第二开口的宽度的值。
在本实施例中，可以是，在所述第一槽中，所述中间层在被所述第二开口露出的所述第一绝缘层的上部被配置成与所述第一绝缘层的所述上部直接接触。
在本实施例中，可以是，在所述第一槽中，在被所述第二开口露出的所述第一绝缘层的上部，所述中间层、低粘接层、盖层、所述封装层被配置成依次彼此接触。
在本实施例中，可以是，所述显示面板还包括：储能电容器的上部电极，被所述层间绝缘层覆盖，所述上部电极和所述加热电极配置在相同的层中。
在本实施例中，可以是，所述上部电极和所述加热电极包括相同的物质。
在本实施例中，可以是，所述无机绝缘层还包括：上部栅极绝缘层，所述加热电极配置在所述上部栅极绝缘层上，所述层间绝缘层的热传导率大于所述上部栅极绝缘层的热传导率。
在本实施例中，可以是，所述加热电极配置在被所述第一槽露出的所述无机绝缘层上。
在本实施例中，可以是，在所述第一槽中所述加热电极与所述至少一个无机封装层直接接触。
在本实施例中，可以是，所述显示面板还包括：像素电极，配置在所述中间层与所述绝缘层之间，所述加热电极包括与所述像素电极相同的物质。
在本实施例中，可以是，所述显示面板还包括：第一半导体层，配置在所述基板上；第二半导体层，配置在所述第一半导体层的上部的层中；以及栅电极，被配置成与所述第二半导体层重叠，所述无机绝缘层包括覆盖所述栅电极和所述加热电极的上部层间绝缘层。
在本实施例中，可以是，所述上部层间绝缘层的上表面被所述第一槽露出而与所述至少一个无机封装层直接接触。
在本实施例中，可以是，所述第一半导体层包括硅半导体，所述第二半导体层包括氧化物半导体。
在本实施例中，可以是，所述栅电极和所述加热电极配置在相同的层中。
在本实施例中，可以是，所述栅电极和所述加热电极包括相同的物质。
在本实施例中，可以是，所述无机绝缘层还包括：中间绝缘层，所述加热电极配置在所述中间绝缘层上，所述上部层间绝缘层的热传导率大于所述中间绝缘层的热传导率。
本发明的其他实施例公开一种显示面板的制造方法，包括：配置包括中心区域以及具有在远离所述中心区域的方向上延伸的延伸角部区域的角部区域的基板的步骤；沿着所述延伸角部区域的周围在所述基板的上部配置加热电极的步骤；沿着所述延伸角部区域的周围使包括第一槽的绝缘层成膜为在平面图上与所述加热电极重叠的步骤；使中间层成膜为覆盖所述第一槽和所述绝缘层的步骤；以及使所述加热电极发热而在所述第一槽中去除与所述加热电极重叠的所述中间层的步骤。
在本实施例中，可以是，所述显示面板的制造方法还包括：使低粘接层成膜在所述第一槽中的步骤；以及使所述加热电极发热而在所述第一槽中去除与所述加热电极重叠的所述低粘接层的步骤。
在本实施例中，可以是，所述显示面板的制造方法还包括：使盖层成膜在所述第一槽的所述低粘接层上的步骤；以及使所述加热电极发热而在所述第一槽中去除与所述加热电极重叠的所述盖层的步骤。
在本实施例中，可以是，所述显示面板的制造方法还包括：在所述基板的上部配置储能电容器的上部电极的步骤，所述加热电极和所述上部电极在相同的步骤中形成。
在本实施例中，可以是，所述加热电极和所述上部电极包括相同的物质。
在本实施例中，可以是，所述显示面板的制造方法还包括：使无机绝缘层成膜为覆盖所述加热电极和所述上部电极的步骤；以及使封装层成膜为覆盖所述中间层的步骤，所述无机绝缘层被所述第一槽露出，在所述第一槽中所述无机绝缘层与所述封装层直接接触。
在本实施例中，可以是，所述显示面板的制造方法还包括：在所述绝缘层的上部配置像素电极的步骤，所述加热电极和所述像素电极在相同的步骤中形成。
在本实施例中，可以是，所述加热电极和所述像素电极包括相同的物质。
在本实施例中，可以是，配置所述加热电极的步骤还包括：将所述加热电极配置在被所述第一槽露出的无机绝缘层上的步骤，所述显示面板的制造方法还包括：使封装层成膜为覆盖所述中间层的步骤，在所述第一槽中所述加热电极与所述封装层直接接触。
在本实施例中，可以是，所述显示面板的制造方法还包括：在所述基板与所述绝缘层之间配置第一半导体层和配置在所述第一半导体层的上部的层中的第二半导体层的步骤；以及在所述第二半导体层与所述绝缘层之间将栅电极配置成与所述第二半导体层重叠的步骤，所述加热电极在与所述栅电极相同的步骤中形成。
在本实施例中，可以是，所述加热电极和所述栅电极包括相同的物质。
在本实施例中，可以是，所述第一半导体层包括硅半导体，所述第二半导体层包括氧化物半导体。
通过以下的用于实施发明的具体的内容、权利要求书以及附图，前述以外的其他侧面、特征以及优点会变得明确。
(发明效果)
根据本发明的实施例，可实现最小化来自外部的氧或水分的渗透来提高可靠性的显示面板和显示面板的制造方法。
本发明的效果并不限于以上所提及的效果，通过权利要求书的记载，本领域技术人员应当能够明确地理解未提及的其他效果。
附图说明
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的立体图。
图2a是沿着图1的A-A′线表示图1的显示装置的剖视图，图2b是沿着图1的B-B′线表示图1的显示装置的剖视图，图2c是沿着图1的C-C′线表示图1的显示装置的剖视图。
图3是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板的平面图。
图4是示意性表示可适用于显示面板的像素电路的等效电路图。
图5是沿着图3的E-E′线示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板的剖视图。
图6是放大了图3的显示面板的D部分的放大图。
图7是放大了图6的显示面板的F部分的放大图。
图8是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板的剖视图。
图9是放大了图8的H部分的放大图。
图10至图19是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板的制造方法的图。
图20是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的剖视图。
图21是放大了图20的I部分的放大图。
图22至图29是示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的制造方法的图。
图30是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的剖视图。
图31是放大了图30的J部分的放大图。
图32至图33是示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的制造方法的图。
图34是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的剖视图。
图35是放大了图34的K部分的放大图。
图36是示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的制造方法的图。
符号说明：
1：显示装置；10：显示面板；100：基板；IIL：无机绝缘层；115：第一绝缘层；116：第二绝缘层；300：封装层；500：加热电极。
具体实施方式
本发明可具有各种变换以及各种实施例，在附图中例示特定实施例，在此进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例，本发明的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的实施例，可以各种形态实现本发明。
以下，参照附图详细说明本发明的实施例，在参照附图进行说明时，对于相同或对应的构成元件赋予相同的符号并省略对其的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是定义性用语，是为了将一个构成元件区别于其他构成元件而使用。
在以下的实施例中，单数的表述在文中没有明确相反意思时包括多个的表述。
在以下的实施例中，包括或者具有等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成元件的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成元件的附加可能性。
在以下的实施例中，膜、区域、构成元件等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成元件等的情况。
在附图中，为了便于说明，构成元件其大小可能会有所放大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而任意示出的，本发明并不一定限于图示的情况。
在以下的实施例中，x轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系上的三轴，可解释为包括其的更宽泛的意义。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，但也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。
在某一实施例可以不同方式实现的情况下，特定的工序顺序也可与所说明的顺序不同地被执行。例如，连续说明的两个工序实质上可同时被执行，也可以与所说明的顺序相反的顺序被执行。
在本说明书中，显示装置是显示动态图像或静态图像的装置，不仅可用作如移动电话(mobile phone)、智能电话(smart phone)、平板PC(tablet personal computer)、移动通信终端机、电子手册、电子书、PMP(portable multimedia player)、导航仪、UMPC(Ultra Mobile PC)等这样的便携式电子设备的显示屏幕，还可用作电视机、笔记本、监视器、广告板、物联网(internet of things，IOT)装置等各种产品的显示屏幕。此外，一实施例涉及的显示装置可使用在如智能手表(smart watch)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器和头戴式显示器(head mounted display，HMD)这样的可穿戴装置(wearabledevice)中。此外，一实施例涉及的显示装置可用作汽车的仪表盘、汽车的仪表中央盒(center fascia)或配置在仪表盘的CID(Center Information Display，中央信息显示器)、代替汽车的后视镜的室内镜显示器(room mirror display)、作为汽车的后座用娱乐设备而配置在前座的背面的显示器。
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置1的立体图，图2a是沿着图1的A-A′线表示图1的显示装置1的剖视图，图2b是沿着图1的B-B′线表示图1的显示装置1的剖视图，图2c是沿着图1的C-C′线表示图1的显示装置1的剖视图。
参照图1和图2a至图2c，显示装置1可显示图像(image)。显示装置1可具有第一方向上的边缘位置和第二方向上的边缘位置。在此，第一方向和第二方向可为彼此交叉的方向。例如，第一方向和第二方向可彼此形成锐角。作为其他例，第一方向和第二方向可彼此形成钝角或者正交。以下，以第一方向和第二方向彼此正交的情况为中心进行详细说明。例如，第一方向可为x方向或-x方向，第二方向可为y方向或-y方向。
在一实施例中，显示装置1的第一方向(例如，图1的x方向或-x方向)上的边缘位置和第二方向(例如，图1的y方向或-y方向)上的边缘位置相遇的角部(corner)CN可具有预定曲率。
显示装置1可包括覆盖窗CW和显示面板10。覆盖窗CW可起到保护显示面板10的功能。在一实施例中，覆盖窗CW可配置在显示面板10上。在一实施例中，覆盖窗CW可为柔性窗。覆盖窗CW可在不产生裂痕(crack)的情况下随着外力容易被弯曲的同时保护显示面板10。覆盖窗CW可包括玻璃、蓝宝石或塑料。覆盖窗CW例如可为钢化玻璃(Ultra Thin Glass)、透明聚酰亚胺(Colorless Polyimide，CPI)。在一实施例中，覆盖窗CW可具备在玻璃基板的一面配置了具有柔性的高分子层的结构，或者覆盖窗CW可仅由高分子层构成。
显示面板10可配置在覆盖窗CW的下部。虽然未图示，但是显示面板10可通过如光学透明粘接剂(Optically clear adhesive，OCA)膜这样的透明粘接部件附着于覆盖窗CW。
显示面板10可显示图像。显示面板10可包括基板100和像素PX。基板100可包括中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA、中间区域MA和周边区域PA。在一实施例中，基板100的形状可定义显示装置1的形状。
中心区域CA可为平坦的区域。在一实施例中，显示装置1可在中心区域CA中提供大部分图像。
第一侧面区域SA1可被弯曲成在第一方向(例如，图1的x方向或-x方向)上与中心区域CA相邻。第一侧面区域SA1可被定义为在第一方向(例如，x方向或-x方向)上的截面(例如，xz截面)中从中心区域CA开始弯曲的区域。第一侧面区域SA1可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。换言之，第一侧面区域SA1可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的截面(例如，yz截面)中不被弯曲。第一侧面区域SA1可从中心区域CA开始在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。在图2a中示出了从中心区域CA开始在x方向上延伸且被弯曲的第一侧面区域SA1和从中心区域CA开始在-x方向上延伸且被弯曲的第一侧面区域SA1具有彼此相同的曲率的情况，但是在其他实施例中，从中心区域CA开始在x方向上延伸且被弯曲的第一侧面区域SA1和从中心区域CA开始在-x方向上延伸且被弯曲的第一侧面区域SA1可具有彼此不同的曲率。
第二侧面区域SA2可被弯曲成在第二方向(例如，y方向或-y方向)上与中心区域CA相邻。第二侧面区域SA2可被定义为在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的截面(例如，yz截面)中从中心区域CA开始弯曲的区域。第二侧面区域SA2可在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。第二侧面区域SA2可在与第一方向(例如，x方向或-x方向)正交的截面(例如，xz截面)中不被弯曲。在图2b中示出了从中心区域CA开始在y方向上延伸且被弯曲的第二侧面区域SA2和从中心区域CA开始在-y方向上延伸且被弯曲的第二侧面区域SA2具有彼此相同的曲率的情况，但是在其他实施例中，从中心区域CA开始在y方向上延伸且被弯曲的第二侧面区域SA2和从中心区域CA开始在-y方向上延伸且被弯曲的第二侧面区域SA2可具有彼此不同的曲率。
角部区域CNA可为配置在角部CN中的区域。在一实施例中，角部区域CNA可为显示装置1的第一方向(例如，x方向或-x方向)上的边缘位置和第二方向(例如，y方向或-y方向)上的边缘位置相遇的区域。在一实施例中，角部区域CNA可包围中心区域CA、第一侧面区域SA1和第二侧面区域SA2的至少一部分。或者，角部区域CAN可包围中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2和中间区域MA的至少一部分。当第一侧面区域SA1在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸且被弯曲并且第二侧面区域SA2在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸且被弯曲的情况下，角部区域CNA的至少一部分可在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸且被弯曲的同时在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸且被弯曲。换言之，角部区域CNA的至少一部分可为多个方向上的多个曲率重叠的复合曲率区域。在一实施例中，角部区域CNA可被设置为多个。
中间区域MA可配置在中心区域CA和角部区域CNA之间。在一实施例中，中间区域MA可在第一侧面区域SA1和角部区域CNA之间延伸。在一实施例中，中间区域MA可在第二侧面区域SA2和角部区域CNA之间延伸。在一实施例中，中间区域MA可被弯曲。在中间区域MA中可配置用于向像素PX提供电信号的驱动电路和/或用于提供电源的电源布线。在该情况下，配置在中间区域MA中的像素PX可与驱动电路和/或电源布线重叠。在一些实施例中，配置在中间区域MA中的驱动电路和/或电源布线可被省略。
周边区域PA可配置在中心区域CA的外侧。在一实施例中，周边区域PA可配置在第一侧面区域SA1的外侧。周边区域PA可从第一侧面区域SA1开始延伸。在一实施例中，周边区域PA可配置在第二侧面区域SA2的外侧。周边区域PA可从第二侧面区域SA2开始延伸。在周边区域PA中可不配置像素PX。因此，周边区域PA可为不显示图像的非显示区域。在周边区域PA中可配置用于向像素PX提供电信号的驱动电路和/或用于提供电源的电源布线。
参照图2a，第一侧面区域SA1、中间区域MA和角部区域CNA的一部分可被弯曲成具有第一曲率半径R1。参照图2b，第二侧面区域SA2、中间区域MA和角部区域CNA的另一部分可被弯曲成具有第二曲率半径R2。参照图2c，中间区域MA和角部区域CNA的又一部分可被弯曲成具有第三曲率半径R3。
像素PX可配置在基板100上。在一实施例中，像素PX可被设置为多个，多个像素PX可射出光来显示图像。在一实施例中，多个像素PX可分别包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。或者，多个像素PX可分别包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
像素PX可配置在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2和角部区域CNA中的至少一个中。在一实施例中，多个像素PX可配置在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA和中间区域MA中。在该情况下，显示装置1可在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA和中间区域MA中显示图像。在一实施例中，配置在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA和中间区域MA中的多个像素PX可分别提供独立的图像。在其他实施例中，配置在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA和中间区域MA中的多个像素PX可分别提供任一图像的一部分。
显示装置1不仅可在中心区域CA中显示图像，而且还可在第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、中间区域MA和角部区域CNA中显示图像。因此，在显示装置1中作为显示图像的区域的显示区域所占的比重可增加。此外，显示装置1可在角部CN处被弯曲且显示图像，因此可提高审美感。
图3是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板10的平面图。
参照图3，显示面板10可显示图像。显示面板10可包括基板100、像素PX和驱动电路DC。基板100可包括中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA、中间区域MA和周边区域PA。中心区域CA可为平坦的区域。在一实施例中，显示面板10可在中心区域CA中提供大部分图像。
第一侧面区域SA1可在第一方向(例如，x方向或-x方向)上与中心区域CA相邻。在一实施例中，第一侧面区域SA1可配置在中心区域CA和周边区域PA之间。第一侧面区域SA1可从中心区域CA开始在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。
第二侧面区域SA2可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上与中心区域CA相邻。在一实施例中，第二侧面区域SA2可配置在中心区域CA和周边区域PA之间。第二侧面区域SA2可从中心区域CA开始在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。
角部区域CNA可为配置在显示面板10的角部CN中的区域。在一实施例中，角部区域CNA可为显示面板10的第一方向(例如，x方向或-x方向)上的边缘位置和第二方向(例如，y方向或-y方向)上的边缘位置相遇的区域。在一实施例中，角部区域CNA可包围中心区域CA、第一侧面区域SA1和第二侧面区域SA2的至少一部分。角部区域CNA可包围中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2和中间区域MA的至少一部分。
中间区域MA可配置在中心区域CA和角部区域CNA之间。在一实施例中，中间区域MA可在第一侧面区域SA1和角部区域CNA之间延伸。在一实施例中，中间区域MA可在第二侧面区域SA2和角部区域CNA之间延伸。在中间区域MA中可配置用于向像素PX提供电信号的驱动电路DC和/或用于提供电源的电源布线。在该情况下，配置在中间区域MA中的像素PX可与驱动电路DC和/或电源布线重叠。在一些实施例中，配置在中间区域MA中的驱动电路DC和/或电源布线可被省略。
周边区域PA可配置在中心区域CA的外侧。在周边区域PA中可不配置像素PX。因此，周边区域PA可为不显示图像的非显示区域。在周边区域PA中可配置用于向像素PX提供电信号的驱动电路DC和/或用于提供电源的电源布线。周边区域PA可包括第一相邻区域AA1、第二相邻区域AA2、第三相邻区域AA3、弯曲区域BA和焊盘区域PADA。
第一相邻区域AA1可配置在第一侧面区域SA1的外侧。换言之，第一侧面区域SA1可配置在第一相邻区域AA1和中心区域CA之间。第一相邻区域AA1可从第一侧面区域SA1开始延伸。在一实施例中，第一相邻区域AA1可从第一侧面区域SA1开始在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。在一实施例中，在第一相邻区域AA1中可配置驱动电路DC。
第二相邻区域AA2和第三相邻区域AA3可配置在第二侧面区域SA2的外侧。换言之，第二侧面区域SA2可配置在第二相邻区域AA2和中心区域CA之间。此外，第二侧面区域SA2可配置在第三相邻区域AA3和中心区域CA之间。第二相邻区域AA2和第三相邻区域AA3可从第二侧面区域SA2开始延伸。在一实施例中，第二相邻区域AA2和第三相邻区域AA3可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。在第二相邻区域AA2和第三相邻区域AA3之间可配置中心区域CA。
弯曲区域BA可配置在第三相邻区域AA3的外侧。换言之，第三相邻区域AA3可配置在弯曲区域BA和第二侧面区域SA2之间。在弯曲区域BA中，显示面板10可被弯曲。在该情况下，焊盘区域PADA可与显示面板10的后表面相向，其中，显示面板10的后表面与显示图像的显示面板10的上表面相反。因此，可减小使用者看到的周边区域PA的面积。
焊盘区域PADA可配置在弯曲区域BA的外侧。换言之，弯曲区域BA可配置在第三相邻区域AA3和焊盘区域PADA之间。在焊盘区域PADA中可配置焊盘(未图示)。显示面板10可通过焊盘接收电信号和/或电源电压。
第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA和中间区域MA中的至少一个可被弯曲。例如，第一侧面区域SA1和角部区域CNA的一部分可在第一方向(例如，x方向或-x方向)上的截面(例如，xz截面)中被弯曲。第二侧面区域SA2和角部区域CNA的另一部分可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的截面(例如，yz截面)中被弯曲。角部区域CNA的又一部分可在第一方向(例如，x方向或-x方向)上的截面(例如，xz截面)中被弯曲且在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的截面(例如，yz截面)中被弯曲。
当角部区域CAN被弯曲时，在角部区域CNA中所产生的压缩应变(compressivestrain)可比拉伸应变(tensile strain)还大。在该情况下，需要在角部区域CNA的至少一部分中适用可收缩的基板100和基板100上的多层膜结构。在一实施例中，角部区域CNA中的显示面板10的结构可不同于中心区域CA中的显示面板10的结构。
像素PX和驱动电路DC可配置在基板100上。像素PX可配置在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、角部区域CNA和中间区域MA中的至少一个中。在一实施例中，像素PX可被设置为多个。像素PX可包括显示元件。在一实施例中，显示元件可为包括有机发光层的有机发光二极管(organic light emitting diode)。或者，显示元件可为包括无机发光层的发光二极管(LED)。发光二极管(LED)的大小可为微米(micro)级或纳米(nano)级。例如，发光二极管可为微型(micro)发光二极管。或者，发光二极管可为纳米棒(nanorod)发光二极管。纳米棒发光二极管可包括镓氮化物(GaN)。在一实施例中，在纳米棒发光二极管上可配置色变换层。所述色变换层可包括量子点。或者，显示元件可为包括量子点发光层的量子点发光二极管(Quantum dot Light Emitting Diode)。
像素PX可包括多个子像素，多个子像素分别可利用显示元件来射出预定颜色的光。在本说明书中，子像素是实现图像的最小单位，表示发光区域。另一方面，在采用有机发光二极管作为显示元件的情况下，所述发光区域可通过像素定义膜(pixel defininglayer)的开口来定义。对此，将后述。
驱动电路DC可为通过扫描线SL向各像素PX提供扫描信号的扫描驱动电路。或者，驱动电路DC可为通过数据线DL向各像素PX提供数据信号的数据驱动电路。在一实施例中，数据驱动电路可配置在第三相邻区域AA3或焊盘区域PADA中。或者，数据驱动电路可配置在通过所述焊盘连接的显示电路板上。
图4是示意性表示可适用于显示面板10的像素电路PC的等效电路图。
参照图4，像素电路PC可与显示元件DPE电连接。像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和储能电容器Cst。在一实施例中，显示元件DPE可射出红色、绿色或蓝色的光、或者可射出红色、绿色、蓝色或白色的光。
第二薄膜晶体管T2可与扫描线SL及数据线DL连接，基于从扫描线SL输入的扫描信号或开关电压，将从数据线DL输入的数据信号或数据电压传递给第一薄膜晶体管T1。
储能电容器Cst可与第二薄膜晶体管T2及驱动电压线PL连接，存储与从第二薄膜晶体管T2接收到的电压及供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之差相应的电压。
第一薄膜晶体管T1可与驱动电压线PL及储能电容器Cst连接，与存储在储能电容器Cst中的电压值对应地控制从驱动电压线PL流向显示元件DPE的驱动电流。显示元件DPE可通过驱动电流而射出具有预定亮度的光。显示元件DPE的对置电极可接收第二电源电压ELVSS。
图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个储能电容器的情况，但是像素电路PC可包括这以上的薄膜晶体管和/或储能电容器。
图5是沿着图3的E-E′线示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板10的剖视图。
参照图5，显示面板10可包括基板100、像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层300。
基板100可包括如玻璃、金属或有机物这样的各种材料。作为选择性的实施例，基板100可包括柔性材料。例如，基板100可包括超薄型柔性玻璃(例如，数十μm～数百μm的厚度)或高分子树脂。在基板100包括高分子树脂的情况下，基板100可包括聚酰亚胺(polyimide)。或者，基板100可包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚芳酯(polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、三醋酸纤维素(TAC)和/或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetatepropionate)等。
在一实施例中，基板100可包括第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d。在一实施例中，第一基底层100a、第一阻挡层100b、第二基底层100c和第二阻挡层100d可被依次层叠。或者，基板100可包括玻璃。
第一基底层100a和第二基底层100c中的至少一个可包括如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素、醋酸丙酸纤维素等高分子树脂。
第一阻挡层100b和第二阻挡层100d是防止外部的异物质的渗透的阻挡层，可为包括如硅氮化物(SiNX)、硅氧化物(SiO2)和/或硅氮氧化物(SiON)等这样的无机物的单层或多层。
像素电路层PCL可配置在基板100上。像素电路层PCL可包括像素电路PC。像素电路PC可配置在中心区域CA上。在一实施例中，像素电路PC可包括至少一个薄膜晶体管。像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和储能电容器Cst。
像素电路层PCL还可包括配置在第一薄膜晶体管T1的构成元件的下方和/或上方的无机绝缘层IIL、第一绝缘层115和第二绝缘层116。无机绝缘层IIL可包括缓冲层111、下部栅极绝缘层112、上部栅极绝缘层113和层间绝缘层114。第一薄膜晶体管T1可包括第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。
缓冲层111可配置在基板100上。缓冲层111可包括如硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)和硅氧化物(SiO2)这样的无机绝缘物，可为包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
第一半导体层Act1可配置在缓冲层111上。第一半导体层Act1可包括多晶硅。或者，第一半导体层Act1可包括非晶(amorphous)硅、或者可包括氧化物半导体、或者可包括有机半导体等。第一半导体层Act1可包括沟道区域(Act1指代的层中的点线阴影部分)以及分别配置在沟道区域的两侧的漏极区域和源极区域(Act1指代的层中的两侧的斜线阴影部分)。
第一栅电极GE1可与沟道区域重叠。第一栅电极GE1可包括低电阻金属物质。第一栅电极GE1可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。
第一半导体层Act1与第一栅电极GE1之间的下部栅极绝缘层112可包括如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)和/或锌氧化物(ZnOX)等这样的无机绝缘物。在一实施例中，锌氧化物(ZnOX)可包括氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
上部栅极绝缘层113可覆盖第一栅电极GE1。与下部栅极绝缘层112类似地，上部栅极绝缘层113可包括如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)和/或锌氧化物(ZnOX)等这样的无机绝缘物。
在上部栅极绝缘层113的上部可配置储能电容器Cst的上部电极CE2。上部电极CE2可与其下方的第一栅电极GE1重叠。此时，夹着上部栅极绝缘层113而重叠的第一薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1和上部电极CE2可形成储能电容器Cst。即，第一薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1可起到储能电容器Cst的下部电极CE1的功能。换言之，储能电容器Cst与第一薄膜晶体管T1可重叠。在一些实施例中，储能电容器Cst可不与第一薄膜晶体管T1重叠。上部电极CE2可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，可为包括前述的物质的单层或多层。
层间绝缘层114可覆盖上部电极CE2。层间绝缘层114可包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnOX)等。层间绝缘层114可为包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
第一漏电极DE1和第一源电极SE1可分别配置在层间绝缘层114上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可通过绝缘层(具体而言，下部栅极绝缘层112、上部栅极绝缘层113和层间绝缘层114)的接触孔而与第一半导体层Act1电连接。第一漏电极DE1和第一源电极SE1可包括传导性出色的材料。第一漏电极DE1和第一源电极SE1可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。作为一实施例，第一漏电极DE1和第一源电极SE1可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二薄膜晶体管T2可包括第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二漏电极DE2和第二源电极SE2。由于第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二漏电极DE2及第二源电极SE2分别与第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一漏电极DE1及第一源电极SE1类似，因此省略详细的说明。
第一绝缘层115可配置在至少一个薄膜晶体管上。在一实施例中，第一绝缘层115可被配置成覆盖第一漏电极DE1和第一源电极SE1。第一绝缘层115可包括有机物质。例如，第一绝缘层115可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳基醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物这样的有机绝缘物。
连接电极CML可配置在第一绝缘层115上。此时，连接电极CML可通过第一绝缘层115的接触孔而与第一漏电极DE1或第一源电极SE1连接。图5示出了连接电极CML与第一漏电极DE1连接的情况。连接电极CML可包括传导性出色的材料。连接电极CML可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。作为一实施例，连接电极CML可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二绝缘层116可被配置成覆盖连接电极CML和第一绝缘层115。第二绝缘层116可包括有机物质。第二绝缘层116可包括如聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳基醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物这样的有机绝缘物。
显示元件层DEL可配置在像素电路层PCL上。显示元件层DEL可包括显示元件DPE、像素定义膜220和间隔物230。显示元件DPE可包括有机发光二极管。显示元件DPE可通过第二绝缘层116的接触孔而与连接电极CML电连接。显示元件DPE可包括像素电极211、中间层212和对置电极213。在一实施例中，配置在中心区域CA中的显示元件DPE可与配置在中心区域CA中的像素电路PC重叠。
像素电极211可配置在第二绝缘层116上。像素电极211可通过第二绝缘层116的接触孔而与连接电极CML电连接。像素电极211可包括如铟锡氧化物(ITO；indium tinoxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO)、铟氧化物(In2O3：indiumoxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zincoxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，像素电极211可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为又一实施例，像素电极211可在前述的反射膜的上方/下方还包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
在像素电极211上可配置具有使像素电极211的中央部露出的开口220OP的像素定义膜220。像素定义膜220的开口220OP可定义从显示元件DPE射出的光的发光区域(以下，称为发光区域)。例如，像素定义膜220的开口220OP的宽度可相当于发光区域的宽度。此外，像素定义膜220的开口220OP的宽度可相当于子像素的宽度。
在一实施例中，像素定义膜220可包括有机绝缘物。在其他实施例中，像素定义膜220可包括如硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)或硅氧化物(SiO2)这样的无机绝缘物。在又一实施例中，像素定义膜220可包括有机绝缘物和无机绝缘物。在一些实施例中，像素定义膜220可包括阻光物质，可被设置为黑色。阻光物质可包括含有炭黑、碳纳米管、黑色染料的树脂或膏剂、金属粒子(例如，镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物粒子(例如，铬氧化物)或金属氮化物粒子(例如，铬氮化物)等。在像素定义膜220包括阻光物质的情况下，可减少配置在像素定义膜220的下部的金属结构物引起的外光反射。
间隔物230可配置在像素定义膜220上。间隔物230可用于在制造显示装置1的制造方法中防止基板100和/或基板100上的多层膜的破损。在制造显示面板10的方法中可使用掩模片，此时所述掩模片可能会进入像素定义膜220的开口220OP的内部或者与像素定义膜220密接。间隔物230可在将沉积物质沉积到基板100时防止或减少基板100和所述多层膜的一部分因所述掩模片受损或破损的不良。
间隔物230可包括如聚酰亚胺这样的有机物质。或者，间隔物230可包括如硅氮化物(SiNX)或硅氧化物(SiO2)这样的无机绝缘物、或者包括有机绝缘物和无机绝缘物。在一实施例中，间隔物230可包括与像素定义膜220不同的物质。或者，在其他实施例中，间隔物230可包括与像素定义膜220相同的物质，在该情况下，像素定义膜220和间隔物230可在利用半色调掩模等的掩模工序中一同形成。
在像素定义膜220上可配置中间层212。中间层212可包括与像素定义膜220的开口220OP对应地配置的发光层212b。发光层212b可包括射出预定颜色的光的高分子有机物或低分子有机物。
中间层212可包括介于像素电极211与发光层212b之间的第一功能层212a以及介于发光层212b与对置电极213之间的第二功能层212c中的至少一个。在一实施例中，可在发光层212b的下方和上方分别配置第一功能层212a和第二功能层212c。第一功能层212a例如可包括空穴传输层(HTL：Hole Transport Layer)、或者包括空穴传输层和空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)。第二功能层212c可包括电子传输层(ETL：ElectronTransport Layer)和/或电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)。第一功能层212a和/或第二功能层212c可与后述的对置电极213同样地形成为覆盖整个基板100的公共层。
对置电极213可配置在中间层212上。对置电极213可由功函数低的导电性物质构成。例如，对置电极213可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，对置电极213可在包含前述的物质的(半)透明层上还包括如ITO、IZO、ZnO或In2O3这样的层。
在一些实施例中，在对置电极213上还可配置用于提高从显示元件DPE射出的光的提取率的盖层CPL。盖层CPL可包括如硅氮化物这样的无机绝缘物，和/或，可包括有机绝缘物。在盖层CPL包括有机绝缘物的情况下，盖层CPL例如可包括三胺(triamine)衍生物、咔唑联苯(carbazole biphenyl)衍生物、芳基二胺(arylenediamine)衍生物、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、丙烯酸(acrylic)、聚酰亚胺(polyimide)、聚酰胺(polyamide)等的有机绝缘物。以下，以盖层CPL包括有机绝缘物的情况为中心进行说明。
封装层300可配置在对置电极213上。此外，在配置盖层CPL的情况下，封装层300可配置在盖层CPL上。在一实施例中，封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在一实施例中，封装层300可包括依次层叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)、锌氧化物(ZnOX)、硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)和硅氮氧化物(SiON)中的一种以上的无机物。有机封装层320可包括聚合物(polymer)系的物质。作为聚合物系的物质，可包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺系树脂和聚乙烯系树脂等。作为一实施例，有机封装层320可包括丙烯酸酯(acrylate)树脂。
虽然未图示，但是触摸传感器层可配置在封装层300上。触摸传感器层可获得外部的输入(例如，与触摸事件相关的坐标信息)。触摸传感器层可包括感知电极(感测电极或触摸电极)以及与感知电极连接的信号线(追踪线(trace line))。触摸传感器层可通过相互覆盖(mutual-capping)方式和/或自覆盖(self-capping)方式感知外部输入。
虽然未图示，但是在触摸传感器层上可配置防反射层。防反射层可减少朝向显示面板10入射的光的反射率。在一实施例中，防反射层可包括相位延迟器(retarder)和/或偏振器(polarizer)。相位延迟器可为膜类型或液晶涂敷类型，可包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可为膜类型或液晶涂敷类型，膜类型可包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂敷类型可包括排列成预定排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可包括保护膜。
或者，防反射层可包括黑矩阵和滤色器。滤色器可考虑从显示面板10的多个显示元件DPE分别射出的光的颜色来排列。各个滤色器可包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。或者，各个滤色器除了前述的颜料或染料以外还可包括量子点。或者，多个滤色器中的一部分可不包括前述的颜料或染料，可包括如氧化钛这样的散射粒子。
或者，防反射层可包括相消干涉结构物。相消干涉结构物可包括配置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可被相消干涉，由此可减少外部光反射率。
图6是放大了图3的显示面板10的D部分的放大图。
参照图6，基板100可包括中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2和角部区域CNA。
第一侧面区域SA1可在第一方向(例如，x方向或-x方向)上与中心区域CA相邻。第一侧面区域SA1可从中心区域CA开始在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。第二侧面区域SA2可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上与中心区域CA相邻。第二侧面区域SA2可从中心区域CA开始在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。
角部区域CNA可为配置在显示面板10的角部CN中的区域。在一实施例中，角部区域CNA可为显示面板10的第一方向(例如，x方向或-x方向)上的边缘位置和第二方向(例如，y方向或-y方向)上的边缘位置相遇的区域。在一实施例中，角部区域CNA可包围中心区域CA、第一侧面区域SA1和第二侧面区域SA2的至少一部分。角部区域CNA可包围中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2和中间区域MA的至少一部分。角部区域CNA可包括延伸角部区域CCA、第一相邻角部区域ACA1和第二相邻角部区域ACA2。
延伸角部区域CCA可在远离中心区域CA的方向上延伸。在一实施例中，延伸角部区域CCA可被设置为多个，从而各个延伸角部区域CCA可在远离中心区域CA的方向上延伸。延伸角部区域CCA可包括第一区域A1和第二区域A2。在一实施例中，多个延伸角部区域CCA可包括多个第一区域A1。多个第一区域A1可分别在远离中心区域CA的方向上延伸。在一实施例中，多个第一区域A1可在与第一方向(例如，x方向或-x方向)及第二方向(例如，y方向或-y方向)交叉的方向上延伸。
第二区域A2可包围第一区域A1。第二区域A2可包围多个第一区域A1。在一实施例中，隔开区域VA可定义在配置于相邻的第一区域A1之间的第二区域A2中的一部分与配置于所述相邻的第一区域A1之间的第二区域A2中的其他部分之间。
隔开区域VA可为未配置显示面板10的构成元件的区域。当延伸角部区域CCA在角部CN中被弯曲时，在延伸角部区域CCA中所产生的压缩应变(compressive strain)可比拉伸应变(tensile strain)还大。在本实施例中，由于在配置于相邻的第一区域A1之间的第二区域A2中的一部分与配置于所述相邻的第一区域A1之间的第二区域A2的其他部分之间定义有隔开区域VA，因此延伸角部区域CCA可收缩。因此，显示面板10可在延伸角部区域CCA中无损伤地被弯曲。
第一相邻角部区域ACA1可与延伸角部区域CCA相邻。在一实施例中，第一侧面区域SA1的至少一部分和第一相邻角部区域ACA1可排列在第一方向(例如，x方向或-x方向)上。相邻的延伸角部区域CCA的端部和第一相邻角部区域ACA1的端部可彼此间隔开。第一相邻角部区域ACA1是在第一方向(例如，x方向或-x方向)上的截面(例如，xz截面)中被弯曲且在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的截面(例如，yz截面)中不被弯曲的区域，在第一相邻角部区域ACA1的内部可不定义隔开区域VA。
第二相邻角部区域ACA2可与延伸角部区域CCA相邻。第二侧面区域SA2的至少一部分可在第二方向(例如，y方向或-y方向)上配置在中心区域CA和第二相邻角部区域ACA2之间。相邻的延伸角部区域CCA的端部和第二相邻角部区域ACA2的端部可彼此间隔开。第二相邻角部区域ACA2是在第一方向(例如，x方向或-x方向)上的截面(例如，xz截面)中不被弯曲且在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的截面(例如，yz截面)中被弯曲的区域，在第二相邻角部区域ACA2的内部可不定义隔开区域VA。
中间区域MA可配置在中心区域CA和角部区域CNA之间。中间区域MA可在角部区域CNA和第一侧面区域SA1之间延伸。中间区域MA可在角部区域CNA和第二侧面区域SA2之间延伸。在中间区域MA中可配置用于向像素PX提供电信号的驱动电路DC和/或用于提供电源的电源布线。在该情况下，配置在中间区域MA中的像素PX可与驱动电路DC和/或电源布线重叠。在一些实施例中，配置在中间区域MA中的驱动电路DC可被省略。
像素PX可配置在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、第一区域A1和中间区域MA中的至少一个中。在一实施例中，多个像素PX可配置在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、第一区域A1和中间区域MA中。因此，显示面板10可在中心区域CA、第一侧面区域SA1、第二侧面区域SA2、第一区域A1和中间区域MA中显示图像。多个像素PX可包括多个显示元件DPE(参照图5)。
图7是放大了图6的显示面板10的F部分的放大图，图8是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板10的剖视图。图9是放大了图8的H部分的放大图。
参照图7至图9，基板100可包括配置在显示面板10的角部CN(参照图6)中的角部区域CNA，角部区域CNA可包括在远离中心区域CA(参照图6)的方向上延伸的第一区域A1和包围第一区域A1的至少一部分的第二区域A2。例如，第一区域A1可被设置为多个，在与第一方向(例如，x方向或-x方向)及第二方向(例如，y方向或-y方向)交叉的方向上延伸。第二区域A2可延伸到第一区域A1的外侧且包围第一区域A1的至少一部分。
隔开区域VA可为未配置显示面板10的构成元件的区域。在一实施例中，隔开区域VA可定义在配置于相邻的第一区域A1之间的第二区域A2中的一部分与配置于所述相邻的第一区域A1之间的第二区域A2中的其他部分之间。
像素PX可配置在第一区域A1中。在一实施例中，像素PX可包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可分别射出红色光、绿色光和蓝色光。
红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可被配置成S条纹(stripe)结构。在一实施例中，绿色子像素Pg的边可分别与红色子像素Pr的边及蓝色子像素Pb的边彼此相向。或者，不同于图示的情况，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb也可被平行地配置或者被配置成pentile类型。
第一槽GV1可配置在第二区域A2中。第一槽GV1可在平面图上与第二区域A2重叠而被配置成包围第一区域A1的至少一部分。第一槽GV1可在基板100的厚度方向(例如，z方向或-z方向)上凹陷。
第一坝部DP1可配置在第二区域A2中。具体而言，第一坝部DP1可在平面图上与第二区域A2重叠且配置在第一槽GV1的外侧，从而被配置成包围第一槽GV1。第一坝部DP1可以第一槽GV1为基准而与第一区域A1间隔开。由此，可以说第一槽GV1和第一坝部DP1是沿着延伸角部区域CCA的周围配置的。
参照图8，显示面板10可在基板100上包括像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层300。
像素电路层PCL可配置在基板100上。像素电路层PCL可包括像素电路PC、无机绝缘层IIL、第一绝缘层115、连接电极CML和第二绝缘层116。
无机绝缘层IIL可配置在基板100上。在一实施例中，无机绝缘层IIL可包括缓冲层111、下部栅极绝缘层112、上部栅极绝缘层113和层间绝缘层114。
第一绝缘层115可配置在无机绝缘层IIL上。在一实施例中，第一绝缘层115可配置在基板100和第二绝缘层116之间。第一绝缘层115可包括与第二区域A2重叠地配置且使无机绝缘层IIL(具体而言，层间绝缘层114)的上表面露出的第一开口115OP。第一绝缘层115可以第一开口115OP为基准被分离，从而可阻挡氧和/或水分通过第一绝缘层115的渗透路径。
第二绝缘层116可配置在第一绝缘层115上。第二绝缘层116可包括与第二区域A2重叠地配置且使第一绝缘层115的上表面的一部分露出的第二开口116OP。在一实施例中，第二开口116OP可被配置成与第一开口115OP重叠。此外，在一实施例中，第二开口116OP的宽度可大于第一开口115OP的宽度。由此，第二开口116OP可使定义第一开口115OP的边界的第一绝缘层115的一部分的上表面露出，第一开口115OP和第二开口116OP可构成使无机绝缘层IIL(具体而言，层间绝缘层114)的上表面连续露出的一个开口部。换言之，第一开口115OP和第二开口116OP可构成第一槽GV1。
在第二绝缘层116上可配置像素定义膜220。像素定义膜220可在第一区域A1中具有使像素电极211的中央部露出的开口220OP。像素定义膜220的开口220OP可定义从显示元件DPE射出的光的发光区域。此外，像素定义膜220可包括构成第一槽GV1的第三开口220OP2。在一实施例中，第三开口220OP2可在平面图上与第一开口115OP及第二开口116OP重叠。
另一方面，第一坝部DP1可与第一区域A1间隔开且配置在第二区域A2中以便包围第一槽GV1。第一坝部DP1可被配置成相邻于第二区域A2和隔开区域VA的边界。在一实施例中，第一坝部DP1可包括第一绝缘层115、第二绝缘层116和像素定义膜220。换言之，可通过第一绝缘层115、第二绝缘层116和像素定义膜220来定义第一坝部DP1。此外，在一些实施例中，在像素定义膜220上可选择性地进一步配置间隔物230。
在平面图上，加热电极500可被配置成与第一槽GV1重叠。在一实施例中，加热电极500可与第一开口115OP及第二开口116OP重叠。如第一槽GV1那样，可沿着延伸角部区域CCA的周围配置加热电极500以使其包围第一区域A1。加热电极500可按照被无机绝缘层IIL(具体而言，层间绝缘层114)覆盖的方式配置在层间绝缘层114的下部。在一实施例中，加热电极500可配置在层间绝缘层114与上部栅极绝缘层113之间。
在一实施例中，加热电极500可与加热布线连接，若基于通过加热布线施加的电压而流过电流，则可产生焦耳热(joule heat)。加热电极500可产生焦耳热，从而可使有机层挥发或分解。
在一实施例中，加热电极500可包括与形成储能电容器Cst的上部电极CE2相同的物质。例如，加热电极500可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种，优选可包括钼(Mo)，可为前述的物质的单层或多层。换言之，加热电极500可通过与上部电极CE2相同的工序形成在与上部电极CE2相同的层中。即，可在上部栅极绝缘层113上进行图案化来形成上部电极CE2和加热电极500，层间绝缘层114可被配置成覆盖上部电极CE2和加热电极500。
加热电极500可包括高电阻的金属，因此随着施加电压，可产生更大的热，由此可分解且去除加热电极500周围(即，加热电极500的上部)的有机层。
在一实施例中，朝向加热电极500的上部的热传导率和朝向加热电极500的下部的热传导率可不同。具体而言，配置在加热电极500的下部的上部栅极绝缘层113的热传导率可小于配置在加热电极500的上部的层间绝缘层114的热传导率。由此，由加热电极500产生的热可不朝向加热电极500的下部而是朝向上部更有效地被传递，可有效地去除配置在加热电极500的上部的有机层。
在一实施例中，在第一槽GV1中，加热电极500的宽度可大于第一开口115OP的宽度。此外，在第一槽GV1中，加热电极500的宽度可小于第二开口116OP的宽度。即，加热电极500的宽度可具有第一开口115OP的宽度与第二开口116OP的宽度之间的值。由此，加热电极500可去除配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的有机层。
显示元件层DEL可配置在第二绝缘层116上。显示元件层DEL可包括显示元件DPE、像素定义膜220和间隔物230。显示元件DPE可包括依次层叠的像素电极211、具备与像素电极211对应地配置的发光层212b的中间层212以及对置电极213。
中间层212还可包括配置在像素电极211与发光层212b之间的第一功能层212a以及配置在发光层212b与对置电极213之间的第二功能层212c中的至少一个。发光层212b可与像素电极211对应地在每个像素PX中配置，而相反，第一功能层212a、第二功能层212c和对置电极213可在基板100的整个面形成为一体使得覆盖多个像素PX。
第一功能层212a和第二功能层212c可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，第一功能层212a和第二功能层212c可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上表面。此时，第一功能层212a和第二功能层212c可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可在第一槽GV1中通过加热电极500的焦耳热去除第一功能层212a和第二功能层212c来实现。因此，第一功能层212a和第二功能层212c可在第一槽GV1中(具体而言，在层间绝缘层114的上表面)被断开。
在第一槽GV1中，在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面处可配置低粘接层WAL。在一实施例中，低粘接层WAL可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上表面。这可在第一槽GV1中通过加热电极500的焦耳热去除包括有机物的低粘接层WAL来实现。
低粘接层WAL是对于对置电极213而言粘接力弱的物质，可为具有不会使对置电极213在低粘接层WAL的上表面成膜的特性的物质。
例如，低粘接层WAL可利用8-羟基喹啉锂(Liq；[8-Quinolinolato Lithium])、N,N-苯基-N,N-(9-苯基-9H-3-咔唑基)联苯-4,4'-二胺(N,N-diphenyl-N,N-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4′-diamine；HT01)、N(二苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(N(diphenyl-4-yl)9,9-dimethyl-N-(4(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluorene-2-amine；HT211)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(2-(4-(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo-[D]imidazole；LG201)等物质来形成。
与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，对置电极213也可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，对置电极213可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上表面。此外，对置电极213可在第一槽GV1中不配置于配置在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面的低粘接层WAL上。即，对置电极213可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部以及形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面为止。
在对置电极213上可配置盖层CPL。与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，盖层CPL可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部。此时，与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可在第一槽GV1中通过加热电极500的焦耳热去除盖层CPL来实现。
第一功能层212a和第二功能层212c可包括有机物质，通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个，外部的氧或水分等可通过第二区域A2流入第一区域A1。这种氧或水分可使显示元件DEP受损。根据本发明的一实施例，在第一槽GV1中(尤其是在层间绝缘层114的上部)完全去除第一功能层212a和第二功能层212c，从而可防止外部的氧或水分的流入，可提高显示面板10的可靠性。
在盖层CPL上可配置封装层300。封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。作为一实施例，封装层300可包括依次层叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可分别包括一种以上的无机绝缘物。无机绝缘物可包括铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物。有机封装层320可包括聚合物(polymer)系的物质。作为聚合物系的物质，可包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺系树脂和聚乙烯系树脂等。丙烯酸系树脂例如可包括聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚丙烯酸树脂等。
封装层300的至少一个无机封装层(例如，第一无机封装层310)可在第一槽GV1中与层间绝缘层114直接接触。具体而言，第一无机封装层310可从第一区域A1开始被连续地配置，从而覆盖第二区域A2的整个面(例如，像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部、形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面以及被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部)。由此，在第一槽GV1中(具体而言，在层间绝缘层114的上部)可形成无机层与无机层接触而实现密封的无机接触区域。
第一无机封装层310可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸以便覆盖至第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
有机封装层320可配置在第一无机封装层310的上部。有机封装层320可被配置成覆盖第一区域A1且填充第二区域A2的第一槽GV1。在一实施例中，有机封装层320可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到第一坝部DP1为止。有机封装层320可通过第一坝部DP1被配置成不会越过第一坝部DP1的像素定义膜220的上部。即，有机封装层320可从第一区域A1开始配置到第一坝部DP1为止，在隔开区域VA与第二区域A2的边界处可不配置有机封装层320。
第二无机封装层330可配置在有机封装层320上。与第一无机封装层310同样地，第二无机封装层330可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸以便覆盖至第一绝缘层115、第二绝缘层116的侧面和基板100的侧面为止。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330可防止水分通过显示面板10的侧面(例如，第一功能层212a、第二功能层212c、第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面)流入的情况。
另一方面，虽然未图示，但是在一实施例中，第一坝部DP1的一侧(例如，朝向隔开区域VA的一侧)还可按顺序选择性地配置与第一槽GV1类似的第二槽(未图示)以及与第一坝部DP1类似的第二坝部(未图示)。此时，应当能够理解如前所述那样可在第二槽中配置加热电极500且第一功能层212a和第二功能层212c可在第二槽中被断开或分离。
图10至图19示意性表示本发明的一实施例涉及的显示面板的制造方法的图。为了制造前述的显示面板10可利用本实施例涉及的显示面板的制造方法，但是并不限于此。
参照图10，可在上部栅极绝缘层113上配置上部电极CE2和加热电极500。此时，如前所述，加热电极500可包括与上部电极CE2相同的物质。例如，加热电极500可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种，优选可包括钼(Mo)，可为包括前述的物质的单层或多层。如上所述，可利用具有高电阻的物质来图案化出加热电极500。
此外，在一实施例中，加热电极500可在与上部电极CE2相同的工序中被图案化在与上部电极CE2相同的层中。加热电极500可在第二区域A2中被图案化为包围配置有像素电路PC的第一区域A1。即，可沿着延伸角部区域CCA的周围图案化出加热电极500。由此，加热电极500可形成为在一方向上与上部电极CE2间隔开。
参照图11，可将层间绝缘层114配置成覆盖上部电极CE2和加热电极500。在一实施例中，层间绝缘层114的热传导率可高于上部栅极绝缘层113的热传导率。由此，若加热电极500产生焦耳热，则所产生的热可通过热传导率更高的层间绝缘层114而朝向上部被传导得更多。
参照图12，可在层间绝缘层114上配置第一绝缘层115、第二绝缘层116和像素定义膜220。具体而言，第一绝缘层115可被配置成覆盖层间绝缘层114，在第一绝缘层115上可配置第二绝缘层116，在第二绝缘层116上可配置像素定义膜220。
此时，第一绝缘层115和第二绝缘层116可分别形成第一开口115OP和第二开口116OP以便形成第一槽GV1。具体而言，第一开口115OP和第二开口116OP可形成为在平面图上与加热电极500重叠。由此，第一开口115OP、第二开口116OP以及包括第一开口115OP和第二开口116OP的第一槽GV1可形成为包围第一区域A1。此外，像素定义膜220可包括与第一开口115OP及第二开口116OP重叠的第三开口220OP2。
在一实施例中，第一开口115OP的宽度(例如，从第一区域A1朝向第二区域A2的方向上的长度)可小于加热电极500的宽度。此外，第二开口116OP的宽度可大于第一开口115OP的宽度和加热电极500的宽度。第一开口115OP可形成为在与加热电极500重叠的区域中使层间绝缘层114的一部分露出。第二开口116OP可使定义第一开口115OP的边界的第一绝缘层115的一部分的上表面露出，可与第一开口115OP连续地构成使层间绝缘层114的上表面露出的一个开口部。
参照图13，可将中间层212形成为覆盖第一区域A1和第二区域A2。具体而言，发光层212b可与像素电极211对应地在每个像素PX(参照图1)中形成，第一功能层212a和第二功能层212c可经由第一区域A1和第二区域A2来形成。此时，如前所述，第一功能层212a和第二功能层212c可为包括有机物的有机物层。
参照图14，可向加热电极500施加电压来产生焦耳热，从而去除作为有机物层的第一功能层212a和第二功能层212c的一部分。具体而言，第一功能层212a和第二功能层212c可在第一槽GV1中在与加热电极500重叠的层间绝缘层114的上部被高热(例如，350℃以上的高热)分解而去除。由此，第一功能层212a和第二功能层212c可在第一槽GV1中被断开。
参照图15，可在第一槽GV1中去除第一功能层212a和第二功能层212c，将低粘接层WAL成膜在第一槽GV1中。具体而言，低粘接层WAL可通过图案化的掩模来形成以使其成膜在被第一开口115OP和第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部。在一实施例中，低粘接层WAL可为包括有机物的有机物层。
参照图16，可将对置电极213成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。具体而言，对置电极213可利用开放掩模来成膜，由于对置电极213与低粘接层WAL的粘接力弱，因此对置电极213可不成膜在低粘接层WAL的上表面。由此，与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，对置电极213也可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，对置电极213可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部。此外，对置电极213可在第一槽GV1中不配置于配置在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面的低粘接层WAL上。即，对置电极213可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部以及形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面为止。
参照图17和图18，可将盖层CPL成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。在一实施例中，盖层CPL可为包括有机物的有机物层。在使盖层CPL成膜之后，可再次向加热电极500施加电压来产生焦耳热。由此，作为有机物层的低粘接层WAL和盖层CPL的一部分可被去除。具体而言，低粘接层WAL和盖层CPL可在第一槽GV1中在与加热电极500重叠的层间绝缘层114的上部被高热(例如，350℃以上的高热)分解而去除。由此，低粘接层WAL和盖层CPL可在第一槽GV1中被断开。
参照图19，可将封装层300成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。具体而言，第一无机封装层310可成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。第一无机封装层310可在第一槽GV1中直接接触到与加热电极500重叠的区域(即，被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上表面)，从而形成无机接触区域。第一无机封装层310可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处成膜为连续地延伸以便覆盖到第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
有机封装层320可成膜在第一无机封装层310的上部。有机封装层320可成膜为覆盖第一区域A1且填充第二区域A2的第一槽GV1。在一实施例中，有机封装层320可从第一区域A1开始连续地成膜，从而成膜到第一坝部DP1为止。即，有机封装层320可从第一区域A1开始配置到第一坝部DP1为止，不配置在隔开区域VA与第二区域A2的边界处。
第二无机封装层330可成膜在有机封装层320上。具体而言，第二无机封装层330可成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。与第一无机封装层310同样地，第二无机封装层330可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸以便覆盖到第一绝缘层115、第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
根据本发明的一实施例涉及的制造方法，可利用加热电极500来容易断开或分离有机层。为了断开或分离有机层，可利用在第一槽GV1中在第一绝缘层115的上部形成无机图案的方法。根据本发明的一实施例，通过加热电极500断开或分离有机层，因此无需形成单独的无机图案，由于不需要用于形成无机图案的掩模，从而可削减费用，还可缩短制造工序。
图20是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板10的剖视图。图21是放大了图20的I部分的放大图。在本实施例中，由于显示面板与前述的显示面板类似，因此以下仅以差异点为中心进行说明。
参照图20和图21，加热电极500可被配置成在平面图上与第一槽GV1重叠。在一实施例中，加热电极500可与第一开口115OP及第二开口116OP重叠。如第一槽GV1那样，加热电极500可沿着延伸角部区域CCA的周围被配置成包围第一区域A1。加热电极500可配置在无机绝缘层IIL(具体而言，层间绝缘层114的上部)。即，加热电极500可配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部。
在一实施例中，加热电极500可与加热布线连接，若基于通过加热布线施加的电压而流过电流，则可产生焦耳热。加热电极500可产生焦耳热，由此可使有机层挥发或分解。
在一实施例中，加热电极500可包括与像素电极211相同的物质。例如，加热电极500可包括如铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zincoxide)、氧化锌(ZnO)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium galliumoxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，加热电极500可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为又一实施例，加热电极500可在前述的反射膜的上方/下方还包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。换言之，加热电极500可通过与像素电极211相同的工序形成。即，当图案化出像素电极211时，可在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114上进行图案化来形成加热电极500。
在一实施例中，由于加热电极500配置成容纳在第一开口115OP中，因此在第一槽GV1中，加热电极500的宽度可与第一开口115OP的宽度实质上相同。然而，并不限于此，在其他实施例中，加热电极500的宽度可大于第一开口115OP的宽度。即，应当能够理解加热电极500可被配置成延伸到定义第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。以下为了便于说明，如图20所示那样以加热电极500不配置到第一绝缘层115的内侧面为止的情况为中心进行说明。
此外，在第一槽GV1中，加热电极500的宽度可小于第二开口116OP的宽度。即，加热电极500的宽度可具有第一开口115OP的宽度与第二开口116OP的宽度之间的值。
第一功能层212a和第二功能层212c可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，第一功能层212a和第二功能层212c可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部。此时，第一功能层212a和第二功能层212c可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除第一功能层212a和第二功能层212c来实现。因此，第一功能层212a和第二功能层212c可在第一槽GV1中(具体而言，在层间绝缘层114的上部)被断开。
在第一槽GV1中，在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面可配置低粘接层WAL。在一实施例中，低粘接层WAL可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除包括有机物的低粘接层WAL来实现。
与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，对置电极213也可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，对置电极213可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部。此外，对置电极213可在第一槽GV1中不配置于配置在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面的低粘接层WAL上。即，对置电极213可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部以及形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面为止。
在对置电极213上可配置盖层CPL。与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，盖层CPL可不配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114的上部。此时，与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除盖层CPL来实现。
在盖层CPL上可配置封装层300。封装层300的至少一个无机封装层(例如，第一无机封装层310)可在第一槽GV1中与加热电极500直接接触。具体而言，第一无机封装层310可从第一区域A1开始被连续地配置，从而覆盖第二区域A2的整个面(例如，像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部、形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面以及配置在被第一开口115OP露出的层间绝缘层114上的加热电极500的上部)。
第一无机封装层310可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸以便覆盖到第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
有机封装层320可配置在第一无机封装层310的上部。有机封装层320可被配置成覆盖第一区域A1且填充第二区域A2的第一槽GV1。在一实施例中，有机封装层320可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到第一坝部DP1为止。有机封装层320可通过第一坝部DP1被配置成不会越过第一坝部DP1的像素定义膜220的上部。即，有机封装层320可从第一区域A1开始配置到第一坝部DP1为止，在隔开区域VA与第二区域A2的边界处可不配置有机封装层320。
第二无机封装层330可配置在有机封装层320上。与第一无机封装层310同样地，第二无机封装层330可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸为覆盖到第一绝缘层115、第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
图22至图29是示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的制造方法的图。为了制造前述的显示面板10可利用本实施例涉及的显示面板的制造方法，但是并不限于此。此外，由于本实施例涉及的显示面板的制造方法与在图10至图19中说明的显示面板的制造方法类似，因此以下仅以差异点为中心进行说明。
参照图22，可在无机绝缘层IIL(例如，层间绝缘层114)上使第一绝缘层115和第二绝缘层116成膜。具体而言，第一绝缘层115可被配置成覆盖层间绝缘层114，第二绝缘层116可配置在第一绝缘层115上。
此时，第一绝缘层115和第二绝缘层116可在第二区域A2中分别形成第一开口115OP和第二开口116OP以便形成第一槽GV1。由此，第一开口115OP、第二开口116OP以及包括第一开口115OP及第二开口116OP的第一槽GV1可形成为包围第一区域A1。此外，第二绝缘层116可在第一区域A1中包括使连接电极CML的至少一部分露出的接触孔。
接着，可配置像素电极211和加热电极500。此时，如前所述，加热电极500可包括与像素电极211相同的物质。例如，加热电极500可包括如铟锡氧化物(ITO；indium tinoxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO)、铟氧化物(In2O3：indiumoxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zincoxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，加热电极500可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为又一实施例，加热电极500可在前述的反射膜的上方/下方还包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
在一实施例中，可在与像素电极211相同的工序中图案化出加热电极500。加热电极500可被图案化为容纳在第二区域A2(具体而言，第一槽GV1的第一开口115OP)中以便包围配置有像素电路PC的第一区域A1。加热电极500可与层间绝缘层114接触。
可在第二绝缘层116上图案化出像素电极211。像素电极211可与在第二绝缘层116中以在第一区域A1中使连接电极CML的至少一部分露出的方式形成的接触孔电连接。
参照图23，可在第二绝缘层116上配置像素定义膜220。像素定义膜220可被配置成具有使像素电极211的中央部露出的开口220OP。此外，像素定义膜220可在第二区域A2中形成第一坝部DP1。在像素定义膜220上可选择性地配置间隔物230。
接着，可将中间层212形成为覆盖第一区域A1和第二区域A2。具体而言，发光层212b可与像素电极211对应地在每个像素PX(参照图1)中形成，第一功能层212a和第二功能层212c可经由第一区域A1和第二区域A2来形成。此时，如前所述，第一功能层212a和第二功能层212c可为包括有机物的有机物层。
参照图24，可向加热电极500施加电压来产生焦耳热，由此去除作为有机物层的第一功能层212a和第二功能层212c的一部分。具体而言，第一功能层212a和第二功能层212c可在配置于第一槽GV1中的加热电极500的上部被高热(例如，350℃以上的高热)分解而去除。由此，第一功能层212a和第二功能层212c可在第一槽GV1中被断开。
参照图25，可去除第一功能层212a和第二功能层212c，将低粘接层WAL成膜在第一槽GV1中。具体而言，低粘接层WAL可通过图案化的掩模来形成以使其成膜在被第一开口115OP和第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部。在一实施例中，低粘接层WAL可为包括有机物的有机物层。
参照图26，可将对置电极213成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。具体而言，对置电极213可利用开放掩模来成膜，由于对置电极213与低粘接层WAL的粘接力弱，因此对置电极213可不成膜在低粘接层WAL的上表面。由此，与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，对置电极213也可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，对置电极213可不配置于配置在第一开口115OP中的加热电极500的上部。此外，对置电极213在第一槽GV1中可不配置于配置在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面的低粘接层WAL上。即，对置电极213可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部以及形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面为止。
参照图27和图28，可将盖层CPL成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。在一实施例中，盖层CPL可为包括有机物的有机物层。在使盖层CPL成膜之后，可再次向加热电极500施加电压来产生焦耳热。由此，作为有机物层的低粘接层WAL和盖层CPL的一部分可被去除。具体而言，低粘接层WAL和盖层CPL可在配置于第一槽GV1中的加热电极500的上部被高热(例如，350℃以上的高热)分解而去除。由此，低粘接层WAL和盖层CPL可在第一槽GV1中被断开。
参照图29，可将封装层300成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。具体而言，第一无机封装层310可成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。第一无机封装层310可被配置成与配置在第一槽GV1中的加热电极500直接接触。第一无机封装层310可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处成膜为连续地延伸以便覆盖到第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
有机封装层320可成膜在第一无机封装层310的上部。有机封装层320可成膜为覆盖第一区域A1且填充第二区域A2的第一槽GV1。在一实施例中，有机封装层320可从第一区域A1开始连续地成膜而成膜到第一坝部DP1为止。即，有机封装层320可从第一区域A1开始配置到第一坝部DP1为止，不配置在隔开区域VA与第二区域A2的边界处。
第二无机封装层330可成膜在有机封装层320上。具体而言，第二无机封装层330可成膜为覆盖第一区域A1和第二区域A2。与第一无机封装层310同样地，第二无机封装层330可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸为覆盖到第一绝缘层115、第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
图30是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板10的剖视图。图31是放大了图30的J部分的放大图。由于本实施例涉及的显示面板与前述的显示面板类似，因此以下仅以差异点为中心进行说明。
参照图30，显示面板10可在基板100上包括像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层300。
像素电路层PCL可配置在基板100上。像素电路层PCL可包括无机绝缘层IIL、像素电路PC、第一绝缘层115、连接电极CML和第二绝缘层116。
无机绝缘层IIL可配置在基板100上。在一实施例中，无机绝缘层IIL可包括缓冲层111、下部栅极绝缘层112、上部栅极绝缘层113、层间绝缘层114、中间绝缘层117和上部层间绝缘层118。
像素电路PC可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和储能电容器Cst。
第一薄膜晶体管T1可包括第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第二薄膜晶体管T2可包括第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。储能电容器Cst可包括下部电极CE1和上部电极CE2。
缓冲层111可配置在基板100上。
第一半导体层Act1可配置在缓冲层111上。第一半导体层Act1可包括硅半导体。第一半导体层Act1可包括多晶硅。或者，第一半导体层Act1可包括非晶(amorphous)硅。在一些实施例中，第一半导体层Act1可包括氧化物半导体或者包括有机半导体等。第一半导体层Act1可包括沟道区域(Act1指代的层中的点线阴影部分)以及分别配置在沟道区域的两侧的漏极区域和源极区域(Act1指代的层中的两侧的斜线阴影部分)。
第一栅电极GE1可与第一半导体层Act1重叠。第一栅电极GE1可包括低电阻金属物质。第一栅电极GE1可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。
在第一半导体层Act1与第一栅电极GE1之间可配置下部栅极绝缘层112。因此，第一半导体层Act1可与第一栅电极GE1绝缘。
上部栅极绝缘层113可覆盖第一栅电极GE1。上部栅极绝缘层113可配置在第一栅电极GE1上。
上部电极CE2可配置在上部栅极绝缘层113上。上部电极CE2可与其下方的第一栅电极GE1重叠。在该情况下，上部电极CE2和第一栅电极GE1可在其间夹着上部栅极绝缘层113重叠而形成储能电容器Cst。即，第一薄膜晶体管T1的第一栅电极GE1可起到储能电容器Cst的下部电极CE1的功能。
如上所述，储能电容器Cst与第一薄膜晶体管T1可重叠地形成。在一些实施例中，储能电容器Cst可形成为不与第一薄膜晶体管T1重叠。
层间绝缘层114可覆盖上部电极CE2。在层间绝缘层114上可配置第二半导体层Act2。在一实施例中，第二半导体层Act2可包括沟道区域(Act2指代的层中的点线阴影部分)以及分别配置在沟道区域的两侧的漏极区域和源极区域(Act2指代的层中的两侧的斜线阴影部分)。第二半导体层Act2可包括氧化物半导体。例如，第二半导体层Act2可由Zn氧化物系物质(例如，Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等)形成。或者，第二半导体层Act2可具备在锌氧化物(ZnO)中含有如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)这样的金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITZO(In-Sn-Zn-O)或IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O)半导体。
第二半导体层Act2的源极区域和漏极区域可调节氧化物半导体的载流子浓度实现导电化来加以形成。例如，第二半导体层Act2的源极区域和漏极区域可通过在氧化物半导体中利用了氢系气体、氟系气体或它们的组合的等离子体处理增加载流子浓度来加以形成。
中间绝缘层117可覆盖第二半导体层Act2。在一实施例中，中间绝缘层117可整体地配置在第一区域A1和第二区域A2中。在其他实施例中，可沿着第二栅电极GE2的形状来图案化出中间绝缘层117。中间绝缘层117可包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO)等。中间绝缘层117可为包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
第二栅电极GE2可配置在中间绝缘层117上。第二栅电极GE2可与第二半导体层Act2重叠。第二栅电极GE2可与第二半导体层Act2的沟道区域重叠。第二栅电极GE2可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。
在一些实施例中，第二薄膜晶体管T2还可包括与第二半导体层Act2重叠且配置在第二半导体层Act2的下部的第三栅电极。
上部层间绝缘层118可覆盖第二栅电极GE2。上部层间绝缘层118可包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或锌氧化物(ZnO)等。上部层间绝缘层118可为包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可配置在上部层间绝缘层118上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可与第一半导体层Act1电连接。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可通过绝缘层(具体而言，下部栅极绝缘层112、上部栅极绝缘层113、层间绝缘层114、中间绝缘层117和上部层间绝缘层118)的接触孔而与第一半导体层Act1电连接。
第二源电极SE2和第二漏电极DE2可配置在上部层间绝缘层118上。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可与第二半导体层Act2电连接。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可通过中间绝缘层117的接触孔及上部层间绝缘层118的接触孔而与第二半导体层Act2电连接。
第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可包括传导性出色的材料。第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可包括含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可形成为包括上述的材料的多层或单层。作为一实施例，第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
具备包括硅半导体的第一半导体层Act1的第一薄膜晶体管T1可具有高可靠性，其可被用作驱动薄膜晶体管来实现高品质的显示面板10。
由于氧化物半导体具有高的载流子迁移率(high carrier mobility)和低的漏电流，因此即使驱动时间长，电压降也不会大。即，由于在低频驱动时因电压降引起的图像的颜色变化也不大，因此可实现低频驱动。如上所述，由于在氧化物半导体的情况下具有漏电流少的优点，因此可在除了驱动薄膜晶体管以外的其他薄膜晶体管中的至少一个中采用氧化物半导体来防止漏电流的同时减少功耗。例如，第二薄膜晶体管T2可具备包括氧化物半导体的第二半导体层Act2。
在上部层间绝缘层118上可配置第一绝缘层115和第二绝缘层116。第一绝缘层115可被配置成覆盖第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
连接电极CML可配置在第一绝缘层115上。此时，连接电极CML可通过第一绝缘层115的接触孔而与第一漏电极DE1或第一源电极SE1连接。在图30中示出了连接电极CML与第一漏电极DE1连接的情况。
第二绝缘层116可被配置成覆盖连接电极CML和第一绝缘层115。
显示元件层DEL可配置在像素电路层PCL上。显示元件层DEL可包括显示元件DPE、像素定义膜220和间隔物230。显示元件DPE可通过第二绝缘层116的接触孔而与连接电极CML电连接。显示元件DPE可包括像素电极211、中间层212和对置电极213。
像素电极211可配置在第二绝缘层116上。像素电极211可通过第二绝缘层116的接触孔而与连接电极CML电连接。
在像素电极211上可配置具有使像素电极211的中央部露出的开口220OP的像素定义膜220。像素定义膜220的开口220OP可定义从显示元件DPE射出的光的发光区域(以下，称为发光区域)。
间隔物230可配置在像素定义膜220上。间隔物230可用于在制造显示装置1(参照图1)的制造方法中防止基板100和/或基板100上的多层膜的破损。
在像素定义膜220上可配置中间层212。中间层212可包括与像素定义膜220的开口220OP对应地配置的发光层212b。
中间层212可包括介于像素电极211与发光层212b之间的第一功能层212a以及介于发光层212b与对置电极213之间的第二功能层212c中的至少一个。在一实施例中，在发光层212b的下方和上方可分别配置第一功能层212a和第二功能层212c。
对置电极213可配置在中间层212上。在一些实施例中，在对置电极213上还可配置用于提高从显示元件DPE射出的光提取率的盖层CPL。
封装层300可配置在对置电极213上。此外，在配置有盖层CPL的情况下，封装层300可配置在盖层CPL上。在一实施例中，封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在一实施例中，封装层300可包括依次层叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
参照图31，第一绝缘层115可配置在无机绝缘层IIL上。在一实施例中，第一绝缘层115可配置在基板100和第二绝缘层116之间。第一绝缘层115可包括与第二区域A2重叠地配置且使无机绝缘层IIL(具体而言，上部层间绝缘层118)的上表面露出的第一开口115OP。第一绝缘层115可以第一开口115OP为基准被分离，从而阻挡氧和/或水分通过第一绝缘层115的渗透路径。
第二绝缘层116可配置在第一绝缘层115上。第二绝缘层116可包括与第二区域A2重叠地配置且使第一绝缘层115的上表面的一部分露出的第二开口116OP。在一实施例中，第二开口116OP可被配置成与第一开口115OP重叠。此外，在一实施例中，第二开口116OP的宽度可大于第一开口115OP的宽度。由此，第二开口116OP可使定义第一开口115OP的边界的第一绝缘层115的一部分的上表面露出，第一开口115OP和第二开口116OP可连续地构成使无机绝缘层IIL(具体而言，上部层间绝缘层118)的上表面露出的一个开口部。换言之，第一开口115OP和第二开口116OP可构成第一槽GV1。
在一实施例中，加热电极500可被配置成与第一槽GV1重叠。在一实施例中，加热电极500可与第一开口115OP及第二开口116OP重叠。加热电极500可如第一槽GV1那样沿着延伸角部区域CCA的周围被配置成包围第一区域A1。在上部层间绝缘层118的下部可将加热电极500配置成被无机绝缘层IIL(具体而言，上部层间绝缘层118)覆盖。在一实施例中，加热电极500可配置在中间绝缘层117与上部层间绝缘层118之间。
在一实施例中，加热电极500可与加热布线连接，若基于通过加热布线施加的电压而流过电流，则可产生焦耳热(joule heat)。加热电极500可产生焦耳热，由此可使有机层挥发或分解。
在一实施例中，加热电极500可包括与第二栅电极GE2相同的物质。例如，加热电极500可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，优选可包括钼(Mo)，可形成为前述的物质的单层或多层。换言之，加热电极500可通过与第二栅电极GE2相同的工序形成。即，可通过图案化而在中间绝缘层117上形成第二栅电极GE2和加热电极500，可将上部层间绝缘层118配置成覆盖第二栅电极GE2和加热电极500。
在一实施例中，朝向加热电极500的上部的热传导率和朝向加热电极500的下部的热传导率可不同。具体而言，配置在加热电极500的下部的中间绝缘层117的热传导率可小于配置在加热电极500的上部的上部层间绝缘层118的热传导率。由此，由加热电极500产生的热可不朝向加热电极500的下部而是朝向上部更有效地传递，可有效地去除配置在加热电极500的上部的有机层。
与前述的实施例类似地，第一功能层212a和第二功能层212c可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，第一功能层212a和第二功能层212c可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上表面。此时，第一功能层212a和第二功能层212c可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除第一功能层212a和第二功能层212c来实现。因此，第一功能层212a和第二功能层212c可在第一槽GV1中(具体而言，在上部层间绝缘层118的上表面)被断开。
在第一槽GV1中，在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面可配置低粘接层WAL。在一实施例中，低粘接层WAL可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上表面。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除包括有机物的低粘接层WAL来实现。
与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，对置电极213也在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，对置电极213可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部。此外，对置电极213可不配置于在第一槽GV1中配置在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面上的低粘接层WAL上。即，对置电极213可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部以及形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面为止。
在对置电极213上可配置盖层CPL。与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，盖层CPL可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部。此时，与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除盖层CPL来实现。
第一功能层212a和第二功能层212c可包括有机物质，通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个，外部的氧或水分等可通过第二区域A2流入第一区域A1。这种氧或水分可使显示元件DPE损伤。根据本发明的一实施例，通过在第一槽GV1中(尤其是，在上部层间绝缘层118的上部)完全去除第一功能层212a和第二功能层212c，从而可防止外部的氧或水分的流入，可提高显示面板10的可靠性。
在盖层CPL上可配置封装层300。封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。作为一实施例，封装层300可包括依次层叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
封装层300的至少一个无机封装层(例如，第一无机封装层310)可在第一槽GV1中与上部层间绝缘层118直接接触。具体而言，第一无机封装层310可从第一区域A1开始被连续地配置，从而覆盖第二区域A2的整个面(例如，像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部、形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面以及被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部)。由此，在第一槽GV1中(具体而言，在上部层间绝缘层118的上部)可形成无机层与无机层接触而实现密封的无机接触区域。
第一无机封装层310可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸以便覆盖到第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
有机封装层320可配置在第一无机封装层310的上部。有机封装层320可被配置成覆盖第一区域A1且填充第二区域A2的第一槽GV1。在一实施例中，有机封装层320可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到第一坝部DP1为止。有机封装层320可通过第一坝部DP1被配置成不会越过第一坝部DP1的像素定义膜220的上部。即，有机封装层320可从第一区域A1开始配置到第一坝部DP1为止，不配置在隔开区域VA与第二区域A2的边界处。
第二无机封装层330可配置在有机封装层320上。与第一无机封装层310同样地，第二无机封装层330可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸为覆盖第一绝缘层115、第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330可防止水分通过显示面板10的侧面(例如，第一功能层212a、第二功能层212c、第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面)流入的情况。
另一方面，虽然未图示，但是在一实施例中，在第一坝部DP1的一侧(例如，朝向隔开区域VA的一侧)还可选择性地依次配置与第一槽GV1类似的第二槽(未图示)以及与第一坝部DP1类似的第二坝部(未图示)。此时，应当能够理解如前所述那样可在第二槽中配置加热电极500且第一功能层212a和第二功能层212c可被断开或分离。
图32至图33是示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的制造方法的图。为了制造前述的显示面板10可利用本实施例涉及的显示面板的制造方法，但是并不限于此。此外，由于本实施例涉及的显示面板的制造方法与在图10至图19中说明的显示面板的制造方法类似，因此以下仅以差异点为中心进行说明。
参照图32，可在中间绝缘层117上配置第二栅电极GE2和加热电极500。此时，如前所述，加热电极500可包括与第二栅电极GE2相同的物质。例如，加热电极500可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，优选可包括钼(Mo)，可形成为前述的物质的单层或多层。
此外，在一实施例中，加热电极500可在与第二栅电极GE2相同的工序中被图案化在与第二栅电极GE2相同的层中。加热电极500可在第二区域A2中被图案化为包围配置有像素电路PC的第一区域A1。即，可沿着延伸角部区域CCA的周围图案化出加热电极500。由此，加热电极500可形成为在一方向上与第二栅电极GE2间隔开。
参照图33，上部层间绝缘层118可被配置成覆盖第二栅电极GE2和加热电极500。在一实施例中，上部层间绝缘层118的热传导率可高于中间绝缘层117的热传导率。由此，若加热电极500产生焦耳热，则产生的热可通过热传导率更高的上部层间绝缘层118向上部被传导得更多。
接着，可在上部层间绝缘层118上配置第一绝缘层115、第二绝缘层116和像素定义膜220。具体而言，第一绝缘层115可被配置成覆盖上部层间绝缘层118，第二绝缘层116可配置在第一绝缘层115上，像素定义膜220可配置在第二绝缘层116上。
接着，与图13至图19类似地，可使中间层212至封装层300成膜。由于本工序与图13至图19类似，因此以下省略详细说明。
图34是沿着图7的G-G′线示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板10的剖视图。图35是放大了图34的K部分的放大图。在本实施例中，由于显示面板与前述的显示面板类似，因此以下仅以差异点为中心进行说明。
参照图34和图35，加热电极500可被配置成在平面图上与第一槽GV1重叠。在一实施例中，加热电极500可与第一开口115OP及第二开口116OP重叠。如第一槽GV1那样，加热电极500可沿着延伸角部区域CCA的周围被配置成包围第一区域A1。加热电极500可配置在无机绝缘层IIL(具体而言，上部层间绝缘层118)的上部。即，加热电极500可配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部。
在一实施例中，加热电极500可与加热布线连接，若基于通过加热布线施加的电压而流过电流，则可产生焦耳热。加热电极500可产生焦耳热，从而可使有机层挥发或分解。
在一实施例中，加热电极500可包括与像素电极211相同的物质。例如，加热电极500可包括如铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zincoxide)、氧化锌(ZnO)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium galliumoxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，加热电极500可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为又一实施例，加热电极500可在前述的反射膜的上方/下方还包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。换言之，加热电极500可通过与像素电极211相同的工序形成。即，当图案化出像素电极211时，可在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118上进行图案化来形成加热电极500。
在一实施例中，由于加热电极500被配置成容纳在第一开口115OP中，因此在第一槽GV1中，加热电极500的宽度可与第一开口115OP的宽度实质上相同。然而，并不限于此，在其他实施例中，加热电极500的宽度可大于第一开口115OP的宽度。即，应当能够理解加热电极500可被配置成延伸到定义第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。以下为了便于说明，如图34所示，以加热电极500不配置到第一绝缘层115的内侧面为止的情况为中心进行说明。
此外，在第一槽GV1中，加热电极500的宽度可小于第二开口116OP的宽度。即，加热电极500的宽度可具有第一开口115OP的宽度与第二开口116OP的宽度之间的值。
第一功能层212a和第二功能层212c可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，第一功能层212a和第二功能层212c可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部。此时，第一功能层212a和第二功能层212c可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除第一功能层212a和第二功能层212c来实现。因此，第一功能层212a和第二功能层212c可在第一槽GV1中(具体而言，在上部层间绝缘层118的上部)被断开。
在第一槽GV1中，在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面可配置低粘接层WAL。在一实施例中，低粘接层WAL可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除包括有机物的低粘接层WAL来实现。
与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，对置电极213也在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，对置电极213可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部。此外，对置电极213在第一槽GV1中可不配置于配置在被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上表面以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面的低粘接层WAL上。即，对置电极213可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部以及形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面为止。
在对置电极213上可配置盖层CPL。与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可在第二区域A2的第一槽GV1中被断开或分离。例如，盖层CPL可不配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的上部。此时，与第一功能层212a及第二功能层212c类似地，盖层CPL可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部以及形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面为止。这可通过在第一槽GV1中利用加热电极500的焦耳热去除盖层CPL来实现。
在盖层CPL上可配置封装层300。封装层300的至少一个无机封装层(例如，第一无机封装层310)可在第一槽GV1中与加热电极500直接接触。具体而言，第一无机封装层310可从第一区域A1开始被连续地配置，从而覆盖第二区域A2的整个面(例如，像素定义膜220、第二绝缘层116的上部、形成第二开口116OP的第二绝缘层116的内侧面、被第二开口116OP露出的第一绝缘层115的上部、形成第一开口115OP的第一绝缘层115的内侧面以及配置在被第一开口115OP露出的上部层间绝缘层118的加热电极500的上部)。
第一无机封装层310可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸以便覆盖到第一绝缘层115和第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
有机封装层320可配置在第一无机封装层310的上部。有机封装层320可被配置成覆盖第一区域A1且填充第二区域A2的第一槽GV1。在一实施例中，有机封装层320可从第一区域A1开始被连续地配置，从而配置到第一坝部DP1为止。有机封装层320可通过第一坝部DP1被配置成不会越过第一坝部DP1的像素定义膜220的上部。即，有机封装层320可从第一区域A1开始配置到第一坝部DP1为止，不配置在隔开区域VA与第二区域A2的边界处。
第二无机封装层330可配置在有机封装层320上。与第一无机封装层310同样地，第二无机封装层330可在隔开区域VA与第二区域A2的边界处连续地延伸以便覆盖到第一绝缘层115、第二绝缘层116的侧面以及基板100的侧面为止。
图36是示意性表示本发明的其他实施例涉及的显示面板的制造方法的图。为了制造前述的显示面板10可利用本实施例涉及的显示面板的制造方法，但是并不限于此。此外，由于本实施例涉及的显示面板的制造方法与在图10至图19以及图32至图33中说明的显示面板的制造方法类似，因此以下仅以差异点为中心进行说明。
参照图36，可将第一绝缘层115和第二绝缘层116成膜在无机绝缘层IIL(例如，上部层间绝缘层118)上。具体而言，第一绝缘层115可被配置成覆盖上部层间绝缘层118，第二绝缘层116可配置在第一绝缘层115上。
此时，第一绝缘层115和第二绝缘层116可在第二区域A2中分别形成第一开口115OP和第二开口116OP以便形成第一槽GV1。由此，第一开口115OP、第二开口116OP以及包括第一开口115OP和第二开口116OP的第一槽GV1可形成为包围第一区域A1。此外，第二绝缘层116可在第一区域A1中包括使连接电极CML的至少一部分露出的接触孔。
接着，可配置像素电极211和加热电极500。此时，如前所述，加热电极500可包括与像素电极211相同的物质。例如，加热电极500可包括如铟锡氧化物(ITO；indium tinoxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO)、铟氧化物(In2O3：indiumoxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或铝锌氧化物(AZO；aluminum zincoxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，加热电极500可包括含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。作为又一实施例，加热电极500可在前述的反射膜的上方/下方还包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
在一实施例中，可在与像素电极211相同的工序中图案化出加热电极500。加热电极500可被图案化为容纳在第二区域A2(具体而言，第一槽GV1的第一开口115OP)中以便包围配置有像素电路PC的第一区域A1。加热电极500可与上部层间绝缘层118接触。
可在第二绝缘层116上图案化出像素电极211。像素电极211可在第一区域A1中与在第二绝缘层116中形成为使连接电极CML的至少一部分露出的接触孔电连接。
接着，与图23至图29类似地，可使中间层212至封装层300成膜。由于本工序与图23至图29类似，因此以下省略详细说明。
如上所述，参照图示的实施例说明了本发明，但是这仅仅是例示。本领域技术人员应当能够理解可从实施例实现各种变形以及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应基于权利要求书来确定。
Claims (30)
1.一种显示面板，包括：
基板，包括中心区域以及具有在远离所述中心区域的方向上延伸的延伸角部区域的角部区域；
无机绝缘层，配置在所述基板上；
绝缘层，在所述无机绝缘层上被配置成沿着所述延伸角部区域的周围包括使所述无机绝缘层的一部分露出的第一槽；
中间层，配置在所述绝缘层的上部；
封装层，配置在所述中间层上，包括至少一个无机封装层；以及
加热电极，在平面图上与所述第一槽重叠而沿着所述延伸角部区域的周围配置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述无机绝缘层包括覆盖所述加热电极的层间绝缘层，
所述层间绝缘层的上表面被所述第一槽露出而与所述至少一个无机封装层直接接触。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述绝缘层包括：第一绝缘层；以及第二绝缘层，配置在所述第一绝缘层的上部，
所述第一槽包括：第一开口，由所述第一绝缘层定义且使所述无机绝缘层的一部分露出；以及第二开口，由所述第二绝缘层定义且使所述第一绝缘层的一部分露出，
所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，
所述加热电极的宽度具有大于或等于所述第一开口的宽度且小于所述第二开口的宽度的值。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板，其中，
在所述第一槽中，所述中间层在被所述第二开口露出的所述第一绝缘层的上部被配置成与所述第一绝缘层的所述上部直接接触。
6.根据权利要求3或4所述的显示面板，其中，
在所述第一槽中，在被所述第二开口露出的所述第一绝缘层的上部，所述中间层、低粘接层、盖层、所述封装层被配置成依次彼此接触。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：储能电容器的上部电极，被所述层间绝缘层覆盖，
所述上部电极和所述加热电极配置在相同的层中。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，
所述上部电极和所述加热电极包括相同的物质。
9.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述无机绝缘层还包括：上部栅极绝缘层，所述加热电极配置在所述上部栅极绝缘层上，
所述层间绝缘层的热传导率大于所述上部栅极绝缘层的热传导率。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述加热电极配置在被所述第一槽露出的所述无机绝缘层上。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，
在所述第一槽中所述加热电极与所述至少一个无机封装层直接接触。
12.根据权利要求10或11所述的显示面板，还包括：
像素电极，配置在所述中间层与所述绝缘层之间，
所述加热电极包括与所述像素电极相同的物质。
13.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：
第一半导体层，配置在所述基板上；
第二半导体层，配置在所述第一半导体层的上部的层中；以及
栅电极，被配置成与所述第二半导体层重叠，
所述无机绝缘层包括覆盖所述栅电极和所述加热电极的上部层间绝缘层。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，
所述上部层间绝缘层的上表面被所述第一槽露出而与所述至少一个无机封装层直接接触。
15.根据权利要求13或14所述的显示面板，其中，
所述第一半导体层包括硅半导体，所述第二半导体层包括氧化物半导IPA2302KR0094
体。
16.根据权利要求13或14所述的显示面板，其中，
所述栅电极和所述加热电极配置在相同的层中。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，
所述栅电极和所述加热电极包括相同的物质。
18.根据权利要求13或14所述的显示面板，其中，
所述无机绝缘层还包括：中间绝缘层，所述加热电极配置在所述中间绝缘层上，
所述上部层间绝缘层的热传导率大于所述中间绝缘层的热传导率。
19.一种显示面板的制造方法，包括：
配置包括中心区域以及具有在远离所述中心区域的方向上延伸的延伸角部区域的角部区域的基板的步骤；
沿着所述延伸角部区域的周围在所述基板的上部配置加热电极的步骤；
沿着所述延伸角部区域的周围使包括第一槽的绝缘层成膜为在平面图上与所述加热电极重叠的步骤；
使中间层成膜为覆盖所述第一槽和所述绝缘层的步骤；以及
使所述加热电极发热而在所述第一槽中去除与所述加热电极重叠的所述中间层的步骤。
20.根据权利要求19所述的显示面板的制造方法，还包括：
使低粘接层成膜在所述第一槽中的步骤；以及
使所述加热电极发热而在所述第一槽中去除与所述加热电极重叠的所述低粘接层的步骤。
21.根据权利要求20所述的显示面板的制造方法，还包括：
使盖层成膜在所述第一槽的所述低粘接层上的步骤；以及
使所述加热电极发热而在所述第一槽中去除与所述加热电极重叠的所述盖层的步骤。
22.根据权利要求19所述的显示面板的制造方法，还包括：
在所述基板的上部配置储能电容器的上部电极的步骤，
所述加热电极和所述上部电极在相同的步骤中形成。
23.根据权利要求22所述的显示面板的制造方法，其中，
所述加热电极和所述上部电极包括相同的物质。
24.根据权利要求22或23所述的显示面板的制造方法，还包括：
使无机绝缘层成膜为覆盖所述加热电极和所述上部电极的步骤；以及
使封装层成膜为覆盖所述中间层的步骤，
所述无机绝缘层被所述第一槽露出，在所述第一槽中所述无机绝缘层与所述封装层直接接触。
25.根据权利要求19所述的显示面板的制造方法，还包括：
在所述绝缘层的上部配置像素电极的步骤，
所述加热电极和所述像素电极在相同的步骤中形成。
26.根据权利要求25所述的显示面板的制造方法，其中，
所述加热电极和所述像素电极包括相同的物质。
27.根据权利要求25或26所述的显示面板的制造方法，其中，
配置所述加热电极的步骤还包括：将所述加热电极配置在被所述第一槽露出的无机绝缘层上的步骤，
所述显示面板的制造方法还包括：使封装层成膜为覆盖所述中间层的步骤，
在所述第一槽中所述加热电极与所述封装层直接接触。
28.根据权利要求19所述的显示面板的制造方法，还包括：
在所述基板与所述绝缘层之间配置第一半导体层和配置在所述第一半导体层的上部的层中的第二半导体层的步骤；以及
在所述第二半导体层与所述绝缘层之间将栅电极配置成与所述第二半导体层重叠的步骤，
所述加热电极在与所述栅电极相同的步骤中形成。
29.根据权利要求28所述的显示面板的制造方法，其中，
所述加热电极和所述栅电极包括相同的物质。
30.根据权利要求28或29所述的显示面板的制造方法，其中，
所述第一半导体层包括硅半导体，所述第二半导体层包括氧化物半导体。
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| PB01 | Publication | ||
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