CN219591377U - 智能功率模块和设备 - Google Patents

Abstract

本公开提出了一种智能功率模块和设备，智能功率模块包括封装体、功率芯片、控制IC芯片、功率引脚、控制引脚和绝缘散热基板，所述功率芯片设置在所述绝缘散热基板上方，所述绝缘散热基板底面与所述封装体底面平齐并裸露于所述封装体外；功率引脚和控制引脚，所述功率引脚和所述控制引脚的一部分引出所述封装体外，所述功率引脚和所述控制引脚的另一部分位于所述封装体内，所述功率引脚与所述功率芯片电连接，所述控制引脚与所述控制IC芯片电连接；所述封装体在所述功率引脚引出部分的下方到所述封装体底面之间具有向所述封装体内部凹进的第一台阶。本公开的智能功率模块和设备，冲注封装树脂时可以减小绝缘散热基板位移并还可以降低溢料风险。

Description

智能功率模块和设备

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种智能功率模块，以及设备。

背景技术

对于包括绝缘散热基板例如DBC(Direct Bonding Copper，覆铜陶瓷基板)结构的智能功率模块，如图1所示，绝缘散热基板10’通常靠近模块底部设置且下层覆铜层从模块底面裸露出，而封装时注入树脂的注入口通常设置在模块引出功率引脚20’的侧面且高度高于绝缘散热基板10’上表面，如图1中A’处大概对应树脂注入口的位置。在绝缘散热基板10’与功率引脚侧侧面之间的空间如图1中C’所示比较大，容易积存大量的封装树脂，进而容易导致树脂从绝缘散热基板10’底面溢出而产生毛刺缺陷。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本公开的一个目的在于提出一种智能功率模块，该智能功率模块，可以在树脂冲注时减少树脂从绝缘散热基板底面溢出而产生毛刺缺陷。

本公开的第二个目的在于提出一种设备。

本公开第一方面实施例的智能功率模块，包括：封装体；设置在所述封装体内的功率芯片、控制IC芯片和绝缘散热基板，所述功率芯片设置在所述绝缘散热基板上方，所述绝缘散热基板底面与所述封装体底面平齐并裸露于所述封装体外；功率引脚和控制引脚，所述功率引脚和所述控制引脚的一部分引出所述封装体外，所述功率引脚和所述控制引脚的另一部分位于所述封装体内，所述功率引脚与所述功率芯片电连接，所述控制引脚与所述控制IC芯片电连接；所述封装体在所述功率引脚引出部分的下方到所述封装体底面之间具有向所述封装体内部凹进的第一台阶，所述绝缘散热基板靠近所述功率引脚的端部到所述第一台阶侧面的距离小于1.5倍的绝缘散热基板的厚度。

根据本公开实施例的智能功率模块，通过设置第一台阶，减少了绝缘散热基板与型腔对应模块功率引脚侧侧面之间的空间，从而在树脂注入时可以减少在该位置积聚树脂的量，降低了冲注时树脂从绝缘散热基板的底面溢出而产生毛刺的缺陷，进一步地，绝缘散热基板靠近功率引脚的端部到第一台阶侧面的距离小于1.5倍的绝缘散热基板的厚度，可以避免此处空间过大容易积聚树脂而造成绝缘散热基板外部溢料，进一步减少了冲注树脂时产生的毛刺缺陷。

在一些实施例中，所述绝缘散热基板靠近所述功率引脚的端部到所述第一台阶侧面的距离大于0.5倍的绝缘散热基板的厚度,可以减少注入树脂时树脂空隙缺陷的出现。

在一些实施例中，所述第一台阶的台面到所述封装体底面的高度小于模塑树脂注入口到所述封装体底面的距离。

在一些实施例中，所述第一台阶的台面到所述封装体底面的高度小于所述功率芯片顶面到所述封装体底面的距离。因此，在注入树脂时，树脂趋向于水平缓和流向绝缘散热基板，极大减少了树脂对绝缘散热基板的冲击力，进一步减少了树脂对绝缘散热基板的冲击力造成的位移。

在一些实施例中，所述智能功率模块还包括模塑树脂注入口，所述模塑树脂注入口到所述封装体底面的距离大于所述功率芯片顶面到所述封装体底面的距离。从而在冲注树脂时，能够保证注入树脂淹没功率芯片，更好地将功率芯封装在封装体内。

在一些实施例中，所述封装体在所述控制引脚引出部分的下方到所述封装体底面之间具有向所述封装体内部凹进的第二台阶。控制引脚侧端部底面设置第二台阶，可以减少控制侧空间树脂积存量，减少树脂溢出绝缘散热基板的毛刺缺陷。

在一些实施例中，所述封装体在所述控制引脚引出部分的上方到所述封装体顶面之间具有向所述封装体内部凹进的第三台阶。

控制引脚侧上下设置两个台阶，可以调整控制引脚侧模流速度，是的整个模流速度较为均衡，避免产生空隙，以及可以加快冲注时间。

在一些实施例中，所述第一台阶、所述第二台阶和所述第三台阶中至少一个台阶的侧面的拐角处设置有导流部。通过导流部可以推动树脂流动，避免冲注树脂时树脂在拐角处停滞积聚而产生树脂空隙。

在一些实施例中，所述导流部为倒角或者圆角或者凹槽。

在一些实施例中，模塑树脂注入口设置于对应所述封装体引出所述功率引脚的侧面或者临近所述功率引脚的侧面，并且所述模塑树脂注入口靠近树脂分型面设置。如此设置，可以利于模具加工方便。

在一些实施例中，所述绝缘散热基板包括：双面覆铜陶瓷板，所述双面覆铜陶瓷板位于所述封装体内，所述功率芯片设置于所述双面覆铜陶瓷板上面的铜层，所述功率引脚与所述双面覆铜陶瓷板上面的铜层连接，所述双面覆铜陶瓷板下面的铜层与所述封装体底面平齐并裸露出所述封装体外。

在一些实施例中，所述绝缘散热基板包括：单面覆铜陶瓷板，所述单面覆铜陶瓷板位于所述封装体内，所述功率芯片设置于所述单面覆铜陶瓷板上面的铜层，所述功率引脚与所述单面覆铜陶瓷板上面的铜层连接，所述单面覆铜陶瓷板的陶瓷层的底面与所述封装体底面平齐并裸露出所述封装体外。

在一些实施例中，所述绝缘散热基板包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板的上面与所述功率引脚位于所述封装体内的部分的下面贴合，所述功率芯片设置在所述功率引脚位于所述封装体内的部分的上面，所述陶瓷基板的底面与所述封装体底面平齐并裸露出所述封装体外。

为了达到上述目的，本公开第二方面实施例的设备，包括控制器和上面实施例所述的智能功率模块，所述智能功率模块与所述控制器连接。

根据本公开实施例的设备，通过采用上面实施例的智能功率模块，提高了绝缘耐压性、绝缘可靠性，以及提高了设备的电气安全性。

本公开的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本公开的实践了解到。

附图说明

本公开的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是相关技术中智能功率模块的示意图；

图2是根据本公开的一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图；

图3是根据本公开的另一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图；

图4是根据本公开的另一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图；

图5是根据本公开的另一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图；

图6是根据本公开的一个实施例的智能功率模块的侧视图；

图7是根据本公开的一个实施例的模塑树脂注入口对应设置位置的俯视图；

图8是根据本公开的一个实施例的模塑树脂注入口对应设置位置的侧视图；

图9是根据本公开的一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图；

图10是根据本公开的一个实施例的智能功率模块的立体图；

图11是根据本公开的另一个实施例的智能功率模块的立体图；

图12是根据本公开的一个实施例的设备的框图。

具体实施方式

下面参照附图描述本公开实施例的智能功率模块。

图2是根据本公开的一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图。如图2所示，智能功率模块100包括封装体10、功率芯片20、控制IC芯片30、功率引脚40、控制引脚50和绝缘散热基板60。

其中，功率芯片20和控制IC芯片30设置在封装体10内，功率芯片20与控制IC芯片30连接，控制IC芯片30用于驱动功率芯片20。

功率引脚40和控制引脚50的一部分引出封装体10外，功率引脚40和控制引脚50的另一部分位于封装体10内，功率引脚40和功率芯片20电连接，功率引脚40用以实现功率芯片20与外部驱动部件的电连接，控制引脚50与控制IC芯片30电连接，控制引脚50用以实现控制IC芯片30与外部控制器的连接。

绝缘散热基板60位于封装体10内，功率芯片20设置在绝缘散热基板60的上方，绝缘散热基板60底面60B与封装体10底面10B平齐并裸露于封装体10外。绝缘散热基板60用于对功率芯片20进行散热，以保证功率芯片20的正常工作。其中，封装体10底面为智能功率模块100的散热面。

在本公开的实施例中，绝缘散热基板60可以采用双面覆铜陶瓷板或者单面覆铜陶瓷板或者只有陶瓷基板或者绝缘散热铜片，在此不做具体限制。

如图2所示，绝缘散热基板60为双面覆铜陶瓷板，即包括中间的陶瓷板61及其上面的铜层62和下面铜层63。双面覆铜陶瓷板位于封装体10内，双面覆铜陶瓷板上面的铜层62可以设置功率焊盘，功率芯片20通过功率焊盘设置在该双面覆铜陶瓷板上面的铜层62上，功率引脚40与双面覆铜陶瓷板上面的铜层62连接，双面覆铜陶瓷板下面的铜层63与封装体10底面平齐并裸露出封装体10外。在本实施例中，双面覆铜陶瓷板既可以实现对功率芯片20的导电连接也可以实现对功率芯片20的导热。

图3是根据本公开的一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图，如图3所示，绝缘散热基板60为单面覆铜陶瓷板，单面覆铜陶瓷板包括陶瓷层61及其上面的铜层62，单面覆铜陶瓷层上面的铜层62可以设置功率焊盘，功率芯片20通过功率焊盘设置在单面覆铜陶瓷板上面的铜层62，功率引脚40与单面覆铜陶瓷板上面的铜层62连接，单面覆铜陶瓷板的陶瓷层61的底面与封装体10底面平齐并裸露出封装体10外。在本实施例中，单面覆铜陶瓷板既可以实现对功率芯片20的导电连接也可以实现对功率芯片20的导热。

图4是根据本公开的一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图，如图4所示，绝缘散热基板60为陶瓷基板，陶瓷基板的上面与功率引脚40位于封装体10内的部分的下面贴合，功率芯片20设置在功率引脚40位于封装体10内的部分的上面，陶瓷基板的底面与封装体10底面平齐并裸露出封装体10外。即言，在本实施例中，功率引脚40位于封装体10内的部分作为功率焊盘框架以实现功率芯片20的导电连接，并结合陶瓷基板实现对功率芯片20的导热。其中，陶瓷基板可以为一整块，也可以为由多块高度一致的陶瓷板设于功率焊盘框架的底面构成。

如前文背景技术中描述，对于设置绝缘散热基板60的智能功率模块，在绝缘散热基板60与功率引脚侧侧面之间的空间比较大容易产生溢料的风险，因此，本公开实施例的智能功率模块100对封装体10进行了改进。

可以理解的是，塑封模具围成的型腔的腔壁形状应该与本公开实施例的智能功率模块100的封装体10的外形是匹配的，换句话说，塑封模具的型腔也应该具有封装体10对应的外形结构。在进行封装时，将智能功率模块100的主体结构放入塑封模具的型腔内，通过模塑树脂注入口注入树脂，树脂填充在智能功率模块100的主体结构和型腔腔壁之间，进而进行树脂固化，形成包括封装体10的智能功率模块100。

如图2-4所示，在本公开实施例中，封装体10在功率引脚引出部分的下方到封装体10底面10B之间具有向封装体10内部凹进的第一台阶11，如图2所示，第一台阶11具有台面11A和侧面11B。相应地，塑封模具的型腔具有对应第一台阶11的结构，从而减小了绝缘散热基板60与功率侧侧面型腔腔壁之间的空间，在注入封装树脂时，该处不会大量积聚树脂，可以降低溢料的危险。

即言，本公开的智能功率模块100，通过设置第一台阶11，减少了绝缘散热基板60与型腔对应模块功率引脚侧侧面之间的空间，从而在树脂注入时可以减少在该位置积聚树脂的量，降低了冲注时树脂从绝缘散热基板60的底面溢出而产生毛刺的缺陷。

进一步地，如图5所示，对于在绝缘散热基板60靠近功率引脚40的端部到第一台阶11侧面11B的距离S，若S过大，则容易产生树脂从绝缘散热基板60外部溢出的风险；若S过小，则树脂不易充填满该处，容易导致树脂空隙缺陷。因此，本公开实施例中，对该距离S进行了限定，例如，绝缘散热基板60靠近功率引脚40的端部到第一台阶11侧面11B的距离S满足：0.5倍的绝缘散热基板60的厚度<S<1.5倍的绝缘散热基板60的厚度。

具体地，当S≤S1时，其中，S1＝0.5倍的绝缘散热基板60的厚度H3，绝缘散热基板60靠近功率引脚40的端部与第一台阶11侧面11B即模块功率侧侧面之间的空间构成为细长的窄缝，冲注树脂时树脂不易充填满该处，容易导致树脂空隙缺陷。当S≥S2时，其中，S2＝1.5倍的绝缘散热基板60的厚度H3，绝缘散热基板60靠近功率引脚40的端部与第一台阶11侧面11B之间的空间较大，冲注树脂时树脂容易积存在该处，产生树脂从绝缘散热基板60外面溢出的毛刺缺陷。例如，假设绝缘散热基板60的厚度H3为1.05mm，若S＝0.518mm，则不容易填充满该处树脂；若S＝2.0mm,容易产生溢料风险。

因此，限定距离S在绝缘散热基板60的厚度H3的0.5倍至1.5倍之间，例如S＝0.5*H3或S＝1.0*H3或S＝1.5*H3，例如具体设置S＝0.869mm或者1.2mm等，既可以较容易填充满该处树脂，又可以减少冲注树脂时产生毛刺缺陷和树脂空隙缺陷，保证智能功率模块100的绝缘稳定性，提高其电气安全性。

图6是根据本公开的一个实施例的智能功率模块的侧视图，图中标示出了对应模塑树脂注入口70的位置，模塑树脂注入口70到到封装体10底面10B的距离表示为H0。

在本公开的一些实施例中，图7是根据本公开的一个实施例的模塑树脂注入口对应设置位置的俯视图，如图7所示，模塑树脂注入口70可以设置于对应封装体10引出功率引脚40的侧面或者临近功率引脚40的侧面，如图7中所示设置在图中的右侧侧面，当然也可以设置在图中左侧侧面。

并且，在一些实施例中，图8是根据本公开的一个实施例的模塑树脂注入口对应设置位置的侧视图，如图8所示，模塑树脂注入口70靠近树脂分型面F设置。例如，模塑树脂注入口70设置在树脂分型面F的上方或者下方或者对应树脂分型面F设置，或者，靠近分型面下方且靠近框架的底面，如此设置，可以利于模具加工方便。

图9所示为根据本公开的一个实施例的智能功率模块沿宽度方向的截面图，如9结合图6所示，第一台阶11的台面11A到封装体10底面10B的高度H1小于模塑树脂注入口到封装体10底面的距离H0。

其中，模塑树脂注入口70设置在对应功率引脚侧，并且在本申请中，封装体10在功率引脚引出部分的下方到封装体10底面10B之间具有向封装体10内部凹进的第一台阶11，型腔对应第一台阶11的位置在模塑树脂注入口70的下方，因此，从模塑树脂注入口70注入树脂时，通过型腔对应该第一台阶11的结构，降低了树脂冲向绝缘散热基板60的高度，可以起到缓冲作用，减小了树脂向下对绝缘散热基板60的冲击力，可以减小绝缘散热基板60的位移。

在一些实施例中，如图9所示，第一台阶11的台面11A到封装体10底面10B的高度H1小于功率芯片20顶面到封装体10底面10B的距离H2。对应地，模具型腔对应第一台阶11的位置到型腔底面的高度小于功率芯片20顶面到型腔底面的距离。具体地，在冲注树脂时，树脂从模塑树脂注入口70注入，经由型腔对应第一台阶11的位置流动至绝缘散热基板60和功率芯片20，此时，树脂趋向于水平缓和流向绝缘散热基板60，极大减少了树脂对绝缘散热基板60的冲击力，进一步减少了树脂对绝缘散热基板60的冲击力造成的位移。

并且，第一台阶11的台面11A到封装体10底面10B的高度H1较小时，即绝缘散热基板60与模块功率侧侧面之间的空间也减少，进一步降低此处树脂积存即封装体10的用量，减少树脂溢出绝缘散热基板60底面外部的毛刺缺陷。

在一些实施例中，模塑树脂注入口70到封装体10底面10B的距离H0大于功率芯片20顶面到封装体10底面10B的距离H2。从而在冲注树脂时，能够保证注入树脂淹没功率芯片20，更好地将功率芯20封装在封装体10内。

在一些实施例中，如图2-4所示，封装体10在控制引脚50引出部分的下方到封装体10底面10B之间具有向封装体10内部凹进的第二台阶12，如图2所示，第二台阶12具有台面12A和侧面12B，第二台阶12与第一台阶11可以对称地设置在智能功率模块100的宽度方向。控制引脚侧端部底面设置第二台阶13，可以减少控制侧空间树脂积存量，减少树脂溢出绝缘散热基板70的毛刺缺陷。

如图2所示，封装体10在控制引脚50引出部分的上方到封装体10顶面10T之间具有向封装体10内部凹进的第三台阶13，第三台阶13具有台面13A和侧面13B。通过在控制引脚50侧上面和下面两侧设置台阶，可以调整控制引脚侧模流速度，使得整个模流速度较为均衡，避免产生空隙，以及可以加快冲注时间。

进一步地，在台阶侧面的拐角角落，由于型腔腔壁的阻挡会使得该处的树脂停滞积聚，进而造成树脂空隙。为了解决该问题，在本公开的一些实施例中，第一台阶11、第二台阶12和第三台阶13中至少一个台阶的侧面的拐角处设置有导流部。具体地在实施例中，导流部可以为倒角或者圆角或者凹槽，或者可以实现树脂导流作用的结构。通过导流部可以推动树脂流动，避免冲注树脂时树脂在拐角处停滞积聚而产生树脂空隙。

例如，如图10所示，第一台阶11侧面11B的拐角处设置有第一导流部111，第一导流部111可以为倒角或者弧形朝向封装体10外的圆角，如图10所示，第一导流部111为倒角，如图11所示，第一导流部111为圆角。在注入树脂时，第一导流部111处可以产生将树脂导向对面侧的分力，从而可以避免该处的树脂停滞积聚，减少树脂空隙的产生。

再例如，如图10所示，第二台阶12侧面12B的拐角处设置有第二导流部112。在一些实施例中，第二导流部112可以设置为倒角或者圆角或者凹槽。拐角处设置倒角或圆角可以产生一个向中间的分力，从而可以使得流动至该倒角处的封装树脂可以向中间流动，避免在拐角处停滞积聚，减少树脂空隙的产生。

需要说明的是，上面实施例台阶侧面的拐角处可以根据需要设置导流部，例如可以在每个拐角处设置导流部，也可以选择性地在一些拐角处设置导流部，在此不做具体限制。

基于上面实施例的智能功率模块，本公开第二方面实施例还提出一种设备。

图12为根据本公开的一个实施例的设备的框图，如图12所示，设备1000包括控制器200和上面实施例的智能功率模块100，智能功率模块100与控制器200连接。

在实施例中，智能功率模块10可以为一个或者多个，设备1000可以包括但不限于逆变设备或者整流设备，具体体例如可以为电机驱动控制器。

具体地，控制器200根据用户指令可以生成控制信号，并将功率控制信号发送给智能功率模块100，智能功率模块100根据控制信号生成驱动信号，并输出给对应的驱动件，实现驱动控制或者逆变或者整流转换等。

根据本公开实施例的设备1000，通过采用上面实施例的智能功率模块100，提高了绝缘耐压性、绝缘可靠性，以及提高了设备的电气安全性。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

尽管已经示出和描述了本公开的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本公开的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本公开的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (12)

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：

封装体；

设置在所述封装体内的功率芯片、控制IC芯片和绝缘散热基板，所述功率芯片设置在所述绝缘散热基板上方，所述绝缘散热基板底面与所述封装体底面平齐并裸露于所述封装体外；

功率引脚和控制引脚，所述功率引脚和所述控制引脚的一部分引出所述封装体外，所述功率引脚和所述控制引脚的另一部分位于所述封装体内，所述功率引脚与所述功率芯片电连接，所述控制引脚与所述控制IC芯片电连接；

所述封装体在所述功率引脚引出部分的下方到所述封装体底面之间具有向所述封装体内部凹进的第一台阶，所述绝缘散热基板靠近所述功率引脚的端部到所述第一台阶侧面的距离小于1.5倍的绝缘散热基板的厚度。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述绝缘散热基板靠近所述功率引脚的端部到所述第一台阶侧面的距离大于0.5倍的绝缘散热基板的厚度。

3.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一台阶的台面到所述封装体底面的高度小于模塑树脂注入口到所述封装体底面的距离。

4.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一台阶的台面到所述封装体底面的高度小于所述功率芯片顶面到所述封装体底面的距离。

5.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述封装体在所述控制引脚引出部分的下方到所述封装体底面之间具有向所述封装体内部凹进的第二台阶。

6.根据权利要求5所述的智能功率模块，其特征在于，所述封装体在所述控制引脚引出部分的上方到所述封装体顶面之间具有向所述封装体内部凹进的第三台阶。

7.根据权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一台阶、所述第二台阶和所述第三台阶中至少一个台阶的侧面的拐角处设置有导流部，所述导流部为倒角或者圆角或者凹槽。

8.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块还包括模塑树脂注入口，所述模塑树脂注入口设置于对应所述封装体引出所述功率引脚的侧面或者临近所述功率引脚的侧面，并且所述模塑树脂注入口靠近树脂分型面设置。

9.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述绝缘散热基板包括：

双面覆铜陶瓷板，所述双面覆铜陶瓷板位于所述封装体内，所述功率芯片设置于所述双面覆铜陶瓷板上面的铜层，所述功率引脚与所述双面覆铜陶瓷板上面的铜层连接，所述双面覆铜陶瓷板下面的铜层与所述封装体底面平齐并裸露出所述封装体外。

10.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述绝缘散热基板包括：

单面覆铜陶瓷板，所述单面覆铜陶瓷板位于所述封装体内，所述功率芯片设置于所述单面覆铜陶瓷板上面的铜层，所述功率引脚与所述单面覆铜陶瓷板上面的铜层连接，所述单面覆铜陶瓷板的陶瓷层的底面与所述封装体底面平齐并裸露出所述封装体外。

11.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述绝缘散热基板包括：

陶瓷基板，所述陶瓷基板的上面与所述功率引脚位于所述封装体内的部分的下面贴合，所述功率芯片设置在所述功率引脚位于所述封装体内的部分的上面，所述陶瓷基板的底面与所述封装体底面平齐并裸露出所述封装体外。

12.一种设备，其特征在于，包括控制器和权利要求1-11任一项所述的智能功率模块，所述智能功率模块与所述控制器连接。