CN213026131U - Oled显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

一种OLED显示面板和显示装置，其中，OLED显示面板包括：基板，所述基板包括若干分立的像素区；覆盖所述像素区的边缘区域的阻挡层，所述阻挡层中具有凹陷，所述凹陷位于所述像素区的中心区域上；位于所述基板的像素区和所述阻挡层上的像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层和功能层，位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进。所述OLED显示面板能够改善横向漏电现象。

Description

OLED显示面板和显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light－Emitting Diode，简称OLED)显示器，又称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平面显示器。与现有的液晶显示器相比，其具有自主发光、视角宽、超轻、超薄、高亮度、低功耗和快响应等一系列的优点，并且响应速度可达液晶显示器的1000倍，因此，OLED显示器成为国内外非常热门的平面显示器产品，具有广阔的应用前景。OLED显示器的结构包括：基板玻璃；依次层叠设置在基板玻璃上的阳极、有机功能层和阴极；以及封装在玻璃基板上的盖板。其中，有机功能层包括空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

然而，采用现有的OLED显示面板存在横向漏电现象。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中OLED显示面板中的横向漏电现象的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种OLED显示面板，包括：基板，所述基板包括若干分立的像素区；覆盖所述像素区的边缘区域的阻挡层，所述阻挡层中具有凹陷，所述凹陷位于所述像素区的中心区域上；位于所述基板的像素区和所述阻挡层上的像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层和功能层，位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进。

可选的，所述凹陷贯穿所述阻挡层；所述功能层包括位于像素区的中心区域上的第一功能区和位于所述阻挡层上方的第二功能区，所述第一功能区和第二功能区的接触面在垂直于所述基板表面的方向上的尺寸小于所述第一功能区的厚度且小于所述第二功能区的厚度。可选的，所述凹陷的侧壁与所述凹陷的底面之间的夹角为90度～110度。

可选的，所述凹陷的侧壁与所述凹陷的底面垂直；所述第一功能区的纵向剖面形状为矩形。

可选的，所述凹陷的侧壁倾斜，所述凹陷的顶部开口大于底部开口，且所述凹陷的侧壁的底端相交在一起；自像素区的中心区域与像素区的边缘区域的交界处至像素区的中心点，所述第一功能区至基板的距离递减。

可选的，所述凹陷的侧壁与所述基板表面之间的夹角为30度～45度。

可选的，所述阻挡层的材料包括光阻材料；位于像素区的边缘区域上的阻挡层的厚度为50纳米～200纳米。

可选的，所述基板还包括位于相邻的像素区之间的像素间隔区；所述阻挡层还延伸至所述基板的所述像素间隔区上；所述OLED显示面板还包括：位于所述基板的像素区和所述阻挡层上的阳极层，像素区上的所述阳极层位于所述像素核心层的底部；位于所述基板的像素间隔区上的像素定义层，所述像素定义层覆盖所述像素间隔区上的阻挡层，所述像素定义层中具有像素定义口；所述发光层的位置对应所述像素定义口，所述功能层还延伸在所述像素定义层的上方；位于所述像素核心层上方的阴极层。

可选的，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

本实用新型还提供一种显示装置，包括本实用新型的OLED显示面板。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

1.本实用新型技术方案提供的OLED显示面板，由于在像素区的边缘区域设置了阻挡层，因此功能层在阻挡层上方的部分被抬高，使得位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进，进而使得不同像素区之间的横向漏电现象得到有效的改善。

其次，由于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进，适当减弱了 OLED显示面板内部阴极层和阳极层之间的微腔效应，使得出OLED显示面板的光角度并不局限于垂直于基板的方向附近，相对于垂直于基板的方向的大角度的方向上，使得在大角度观察OLED显示面板时，画面失真现象得到改善，因此改善了视角效应。在改善视角效应的效果上，无需通过电路补偿或者增加其他光学膜层进行调整。简化了工艺，降低了生产成本。

其次，由于位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进，有效的减少了OLED显示面板内部光线全反射的效应和波导效应，使得出光率提高。

其次，当所述OLED显示面板为柔性OLED显示面板时，阻挡层中的凹陷能够有效的释放OLED面板弯曲时的弯曲应力，提高可弯折次数，可弯折次数提高20％以上，从而对显示面板进行保护。

2.进一步，所述阻挡层的材料包括光阻材料，光阻材料具有良好的透光性，使得阻挡层的设置不会影响OLED显示面板的透光性。且光阻材料容易做成特征尺寸较小的图案，使得阻挡层中的凹陷容易形成。

3.进一步，所述凹陷贯穿所述阻挡层；所述功能层包括位于像素区的中心区域上的第一功能区和位于所述阻挡层上方的第二功能区。由于所述第一功能区和第二功能区的接触面在垂直于所述基板表面的方向上的尺寸小于所述第一功能区的厚度且小于所述第二功能区的厚度，因此使得功能层中的电流流经的有效截面减小，因此抑制了不同像素区之间的横向漏电现象。

4.进一步，所述凹陷的侧壁倾斜，所述凹陷的顶部开口大于底部开口，且所述凹陷的侧壁的底端相交在一起；所述功能层包括位于像素区的中心区域上的第一功能区，自像素区的中心区域与像素区的边缘区域的交界处至像素区的中心点，所述第一功能区至基板的距离递减。因此延长了功能层中的电流流经的路径长度，因此抑制了不同像素区之间的横向漏电现象。

5.本实用新型技术方案提供的显示装置，包括上述的OLED显示基板，由于在像素区的边缘区域设置了阻挡层，因此功能层在阻挡层上方的部分被抬高，使得位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进，进而使得不同像素区之间的横向漏电现象得到有效的改善。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1至图4为一种OLED显示面板制备过程的结构示意图；

图5为本实用新型一实施例提供的OLED显示面板的结构示意图；

图6至图9为另一种OLED显示面板制备过程的的结构示意图；

图10为本实用新型另一实施例提供的OLED显示面板的结构示意图。

具体实施方式

OLED显示面板包括像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层和功能层。为了使OLED显示面板生产更加简单快捷，在OLED 显示面板的各功能层的制备过程中，采用一体式制备，即各个像素之间的功能层是完全平行连通的，会存在横向电流，横向电流的存在导致像素干扰，会使OLED显示面板发生横向漏电，造成显示不良。例如，绿色像素处于亮态，红色像素和蓝色像素处于暗态情况下，由于子像素间的横向漏流作用使本来处于暗态条件的红色子像素和蓝色子像素也处于微弱的发光状态。

基于此，本实用新型提供一种OLED显示面板，包括：基板，所述基板包括若干分立的像素区；覆盖所述像素区的边缘区域的阻挡层，所述阻挡层中具有凹陷，所述凹陷位于所述像素区的中心区域上；位于所述基板的像素区和所述阻挡层上的像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层和功能层，位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进。所述OLED显示面板能够改善横向漏电现象。

下面结合附图对本实施例的OLED显示面板的制造过程进行详细的说明。

参考图1，提供基板100，所述基板100包括若干分立的像素区A。

需要说明的是，图1中仅画出了一个像素区A，并不代表像素区A的数量，仅仅作为示例。

所述基板100还包括位于相邻的像素区A之间的像素间隔区B。

所述像素区A包括像素区A的边缘区域A1和像素区A的中心区域A0。

在一个实施例中，所述边缘区域A1的横向宽度与所述中心区域A0的横向宽度之比为0.5－1。

继续参考图1，在基板100上形成覆盖所述像素区A的边缘区域A1 的阻挡层110，所述阻挡层110中具有凹陷111，所述凹陷111位于所述像素区A的中心区域A0上。

所述阻挡层110还延伸至所述基板100的所述像素间隔区B上。

所述阻挡层110的材料包括光阻材料。

形成所述阻挡层110的方法包括：在所述基板100上形成光阻膜；对所述光阻膜进行曝光和显影，以形成所述阻挡层110。

本申请中，所述阻挡层110采用光阻材料的好处在于：光阻材料具有良好的透光性，使得阻挡层的设置不会影响OLED显示面板的透光性。且光阻材料容易做成特征尺寸较小的图案，使得阻挡层中的凹陷容易形成。

若所述阻挡层110的厚度过厚，会导致像素区A上的阳极层不连续，容易发生漏光；若所述阻挡层110的厚度过薄，会导致对于改善不同像素区之间的横向漏电现象的效果减弱。因此，在一个实施例中，设置所述阻挡层110的厚度占据后续阳极层的厚度的1/3～3/4，位于像素区A的边缘区域A1上的阻挡层110的厚度为50纳米～200纳米。

本实施例中，凹陷111的数量为若干个，所述凹陷111呈阵列排布。

在一个实施例中，所述凹陷111的侧壁与所述凹陷111的底面之间的夹角为90度～110度。

需要说明的是，所述凹陷111的侧壁与所述凹陷111的底面之间的夹角的设置、以及所述阻挡层110的厚度占据后续阳极层的厚度的比例设置，共同决定了：后续第一功能区和第二功能区的接触面在垂直于基板表面的方向上的尺寸小于第一功能区的厚度且小于第二功能区的厚度。

本实施例中，所述凹陷111的侧壁与所述凹陷111的底面垂直。

参考图2，在所述基板100的像素区A和所述阻挡层110上形成阳极层120。

所述阳极层120包括Al电极、Ag电极、Mg/Ag复合电极、或者Al/ITO 电极、Ag/ITO电极、Mg/Ag/ITO电极。

本实施例中，相邻像素区A上的阳极层120之间相互分立，后续相邻像素区A上的阴极层连接在一起，阴极层呈整面膜层。相应的，OLED显示面板用于形成主动矩阵有机发光器件(Active－matrix organic light－emitting diode，AMOLED)。本实施例中，阳极层120呈阵列排布。

在其他实施例中，阳极层和后续的阴极层呈行列排列。具体的，阳极层呈行排列，后续的阴极层呈列排列，或者，阴极层呈行排列，后续的阳极层呈列排列。相应的，OLED显示面板用于形成被动矩阵有机发光器件 (Passive matrix organic light－emittingdiode，PMOLED)。相应的，阳极层还覆盖在部分阻挡层上。

本实施例中，阻挡层110的存在，使得位于像素区A的中心区域A0 上的阳极层120相对于位于所述阻挡层110上方的阳极层120朝向所述基板100凹进。位于像素区A的中心区域A0上的阳极层120至少填充在所述凹陷111(参考图1)中。

本实施例中，所述凹陷111的侧壁与所述凹陷111的底面垂直，相应的，对于所述像素区A的中心区域A0上的阳极层120，阳极层120的纵向剖面形状为矩形。

在其他实施例中，对于所述像素区A的中心区域A0上的阳极层120，阳极层120的纵向剖面为梯形或者其他形状。

参考图3，在所述基板100的像素间隔区B上形成像素定义层130，所述像素定义层130覆盖所述像素间隔区B上的阻挡层110，所述像素定义层 130中具有像素定义口。

所述像素定义口位于所述像素区A上。

参考图4，形成所述像素定义层130之后，在所述基板100的像素区A 和所述阻挡层110上形成像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层140和功能层150，不同像素区A的功能层150连接，位于像素区A 的中心区域A0上的功能层相对于位于所述阻挡层110上方的功能层150 朝向所述基板100凹进。

所述功能层150包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述功能层150还延伸在所述像素定义层130的上方，使得不同像素区上的功能层150连接。

本实施例中，功能层150包括底层功能层150a和顶层功能层150b，所述底层功能层150a位于所述发光层140的下方，所述顶层功能层150b位于所述发光层140的上方。

不同像素区A的功能层150连接，功能层150还延伸至像素间隔区B 上。

具体的，不同像素区A的底层功能层150a连接，底层功能层150a还延伸至像素间隔区B上，不同像素区A的顶层功能层150b连接，顶层功能层 150b还延伸至像素间隔区B上。

所述底层功能层150a至少包括空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层的至少之一。所述顶层功能层150b至少包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述发光层140的位置对应所述像素定义口。

本实施例中，位于像素区A的中心区域A0上的底层功能层150a相对于位于所述阻挡层110上方的底层功能层150a朝向所述基板100凹进，位于像素区A的中心区域A0上的顶层功能层150b相对于位于所述阻挡层110 上方的顶层功能层150b朝向所述基板100凹进。

所述功能层150包括位于像素区A的中心区域A0上的第一功能区和位于所述阻挡层110上方的第二功能区，所述第一功能区和第二功能区的接触面在垂直于所述基板100表面的方向上的尺寸小于所述第一功能区的厚度且小于所述第二功能区的厚度。

具体的，底层功能层150a包括位于像素区A的中心区域A0上的第一底功能区和位于所述阻挡层110上方的第二底功能区，所述第一底功能区和第二底功能区的接触面在垂直于所述基板100表面的方向上的尺寸小于所述第一底功能区的厚度且小于所述第二底功能区的厚度。顶层功能层 150b包括位于像素区A的中心区域A0上的第一顶功能区和位于所述阻挡层110上方的第二顶功能区，所述第一顶功能区和第二顶功能区的接触面在垂直于所述基板100表面的方向上的尺寸小于所述第一顶功能区的厚度且小于所述第二顶功能区的厚度。

本实施例中，所述底层功能层150a包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层中的至少之一。所述顶层功能层150b包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

在一个实施例中，所述底层功能层150a的总厚度大于所述顶层功能层 150b的总厚度。

参考图5，在所述像素核心层的上方形成阴极层160。

本实施例中，由于在像素区的边缘区域设置了阻挡层，因此功能层在阻挡层上方的部分被抬高，使得位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进，进而使得不同像素区之间的横向漏电现象得到有效的改善。

由于所述第一功能区和第二功能区的接触面在垂直于所述基板表面的方向上的尺寸小于所述第一功能区的厚度且小于所述第二功能区的厚度，因此使得功能层中的电流流经的有效截面减小，因此抑制了不同像素区之间的横向漏电现象。

其次，由于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进，适当减少了 OLED显示面板内部阴极层和阳极层之间的微腔效应，使得出OLED显示面板的光角度并不局限于垂直于基板的方向附近，相对于垂直于基板的方向的大角度的方向上，使得在大角度观察OLED显示面板时，画面失真现象得到改善，因此改善了视角效应。在改善视角效应的效果上，无需通过电路补偿或者增加其他光学膜层进行调整。简化了工艺，降低了生产成本。

其次，由于位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进，有效的减少了OLED显示面板内部光线全反射的效应和波导效应，使得出光率提高。

其次，当所述OLED显示面板为柔性OLED显示面板时，阻挡层中的凹陷能够有效的释放OLED面板弯曲时的弯曲应力，提高可弯折次数，可弯折次数提高20％以上，从而对显示面板进行保护。

相应的，本实施例还提供一种OLED显示面板，参考图5，包括：基板100，所述基板100包括若干分立的像素区A；覆盖所述像素区A的边缘区域A1的阻挡层110，所述阻挡层110中具有凹陷111，所述凹陷111位于所述像素区A的中心区域A0上；位于所述基板100的像素区A和所述阻挡层110上的像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层140 和功能层，位于像素区A的中心区域A0上的功能层150相对于位于所述阻挡层110上方的功能层150朝向所述基板100凹进。

所述基板100还包括位于相邻的像素区A之间的像素间隔区B。

所述像素区A包括像素区A的边缘区域A1和像素区A的中心区域A0。

在一个实施例中，所述边缘区域A1的横向宽度与所述中心区域A0的横向宽度之比为0.5－0.1。

所述凹陷111贯穿所述阻挡层140。

所述凹陷111的侧壁与所述凹陷111的底面之间的夹角为90度～110度。本实施例中，所述凹陷111的侧壁与所述凹陷111的底面垂直。

所述功能层150包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述功能层150还延伸在所述像素定义层130的上方，使得不同像素区上的功能层150连接。

本实施例中，功能层150包括底层功能层150a和顶层功能层150b，所述底层功能层150a位于所述发光层140的下方，所述顶层功能层150b位于所述发光层140的上方。

不同像素区A的功能层150连接，功能层150还延伸至像素间隔区B 上。

具体的，不同像素区A的底层功能层150a连接，底层功能层150a还延伸至像素间隔区B上，不同像素区A的顶层功能层150b连接，顶层功能层 150b还延伸至像素间隔区B上。

所述底层功能层150a至少包括空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层的至少之一。所述顶层功能层150b至少包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述发光层140的位置对应所述像素定义口。

本实施例中，位于像素区A的中心区域A0上的底层功能层150a相对于位于所述阻挡层110上方的底层功能层150a朝向所述基板100凹进，位于像素区A的中心区域A0上的顶层功能层150b相对于位于所述阻挡层110 上方的顶层功能层150b朝向所述基板100凹进。

所述功能层150包括位于像素区A的中心区域A0上的第一功能区和位于所述阻挡层110上方的第二功能区，所述第一功能区和第二功能区的接触面在垂直于所述基板100表面的方向上的尺寸小于所述第一功能区的厚度且小于所述第二功能区的厚度。

具体的，底层功能层150a包括位于像素区A的中心区域A0上的第一底功能区和位于所述阻挡层110上方的第二底功能区，所述第一底功能区和第二底功能区的接触面在垂直于所述基板100表面的方向上的尺寸小于所述第一底功能区的厚度且小于所述第二底功能区的厚度。顶层功能层 150b包括位于像素区A的中心区域A0上的第一顶功能区和位于所述阻挡层110上方的第二顶功能区，所述第一顶功能区和第二顶功能区的接触面在垂直于所述基板100表面的方向上的尺寸小于所述第一顶功能区的厚度且小于所述第二顶功能区的厚度。

本实施例中，所述底层功能层150a包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层中的至少之一。所述顶层功能层150b包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

在一个实施例中，所述底层功能层150a的总厚度大于所述顶层功能层 150b的总厚度。

本实施例中，所述凹陷的侧壁与所述凹陷的底面垂直；所述第一功能区的纵向剖面形状为矩形。

所述阻挡层110的材料包括光阻材料。

所述阻挡层110还延伸至所述基板100的所述像素间隔区B上。

所述OLED显示面板还包括：位于所述基板的像素区和所述阻挡层上的阳极层，像素区上的所述阳极层位于所述像素核心层的底部；位于所述基板的像素间隔区上的像素定义层，所述像素定义层覆盖所述像素间隔区上的阻挡层，所述像素定义层中具有像素定义口；所述发光层的位置对应所述像素定义口，所述功能层还延伸在所述像素定义层的上方；位于所述像素核心层上方的阴极层。

所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述阻挡层110的厚度50纳米－200纳米。所述阻挡层110的厚度占据阳极层的厚度的1/3～3/4。

图6为本实用新型另一实施例提供的OLED显示面板。下面结合图6 至图10详细介绍该OLED显示面板的制备过程。

参考图6，提供基板200，所述基板200包括若干分立的像素区M。

需要说明的是，图6中仅画出了一个像素区M，并不代表像素区M的数量，仅仅作为示例。

所述基板200还包括位于相邻的像素区M之间的像素间隔区N。

所述像素区M包括像素区M的边缘区域M1和像素区M的中心区域 M0。

在一个实施例中，所述边缘区域M1的横向宽度与所述中心区域M0的横向宽度之比为0.5～1。

继续参考图6，在基板200上形成覆盖所述像素区M的边缘区域M1 的阻挡层210，所述阻挡层210中具有凹陷211，所述凹陷211位于所述像素区M的中心区域M0上。

所述阻挡层210还延伸至所述基板200的所述像素间隔区N上。

所述阻挡层210的材料包括光阻材料。

形成所述阻挡层210的方法包括：在所述基板200上形成光阻膜；对所述光阻膜进行曝光和显影，以形成所述阻挡层210。

本申请中，所述阻挡层210采用光阻材料的好处在于：光阻材料具有良好的透光性，使得阻挡层的设置不会影响OLED显示面板的透光性。且光阻材料容易做成特征尺寸较小的图案，使得阻挡层中的凹陷容易形成。

若所述阻挡层210的厚度过厚，会导致后续成膜不均匀；若所述阻挡层210的厚度过薄，会导致对于改善不同像素区之间的横向漏电现象的效果减弱。因此，在一个实施例中，设置所述阻挡层210的厚度占据后续位于阻挡层210上的阳极层的厚度的1/3～3/4。位于像素区M的边缘区域M1 上的阻挡层210的厚度为50纳米－200纳米。

本实施例中，凹陷211的数量为若干个，所述凹陷211呈阵列排布。

本实施例中，所述凹陷211的侧壁倾斜，所述凹陷211的顶部开口大于底部开口，且所述凹陷211的侧壁的底端相交在一起。所述凹陷211的侧壁与所述基板200表面之间的夹角为30度～45度。

本实施例中，所述凹陷211的纵向剖面形状为三角形。

参考图7，在所述基板200的像素区M和所述阻挡层210上形成阳极层 220。

所述阳极层220包括Al电极、Ag电极、Mg/Ag复合电极、或者Al/ITO 电极、Ag/ITO电极、Mg/Ag/ITO电极。

本实施例中，阻挡层210的存在，使得位于像素区M的中心区域M0 上的阳极层220相对于位于所述阻挡层210上方的阳极层220朝向所述基板200凹进。位于像素区M的中心区域M0上的阳极层220至少填充在所述凹陷211(参考图6)中。

本实施例中，对于所述像素区M的中心区域M0上的阳极层220，阳极层220的纵向剖面为三角形。在其他实施例中，对于所述像素区M的中心区域M0上的阳极层220，阳极层220的纵向剖面为他形状。

参考图8，在所述基板200的像素间隔区N上形成像素定义层230，所述像素定义层230覆盖所述像素间隔区N上的阻挡层210，所述像素定义层 230中具有像素定义口。

所述像素定义口位于所述像素区M上。

参考图9，形成所述像素定义层230之后，在所述基板200的像素区M 和所述阻挡层210上形成所述像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层240和功能层250，不同像素区M的功能层250连接，所述发光层240的位置对应所述像素定义口，位于像素区M的中心区域M0上的功能层250相对于位于所述阻挡层210上方的功能层250朝向所述基板200凹进。

具体的，本实施例中，所述功能层250包括位于像素区M的中心区域 M0上的第一功能区，自像素区M的中心区域M0与像素区M的边缘区域 M1的交界处至像素区M的中心点，所述第一功能区至基板200的距离递减。由于自像素区M的中心区域M0与像素区M的边缘区域M1的交界处至像素区M的中心点，所述第一功能区至基板200的距离递减，因此延长了功能层中的电流流经的路径长度，因此抑制了不同像素区之间的横向漏电现象。

像素区M上的所述阳极层220位于所述像素核心层的底部。

所述功能层250包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述功能层250还延伸在所述像素定义层230的上方，使得不同像素区 M上的功能层250连接。

本实施例中，功能层250包括底层功能层250a和顶层功能层250b，所述底层功能层250a位于所述发光层240的下方，所述顶层功能层250b位于所述发光层240的上方。

不同像素区M的功能层250连接，功能层250还延伸至像素间隔区N 上。

具体的，不同像素区M的底层功能层250a连接，底层功能层250a还延伸至像素间隔区N上，不同像素区M的顶层功能层250b连接，顶层功能层250b还延伸至像素间隔区M上。

所述底层功能层250a至少包括空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层的至少之一。所述顶层功能层250b至少包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述发光层240的位置对应所述像素定义口。

本实施例中，位于像素区M的中心区域M0上的底层功能层250a相对于位于所述阻挡层210上方的底层功能层250a朝向所述基板200凹进，位于像素区M的中心区域M0上的顶层功能层250b相对于位于所述阻挡层210 上方的顶层功能层250b朝向所述基板200凹进。

所述底层功能层250a包括位于像素区M的中心区域M0上的第一底功能区，自像素区M的中心区域M0与像素区M的边缘区域M1的交界处至像素区M的中心点，所述第一底功能区至基板200的距离递减。

所述顶层功能层250b包括位于像素区M的中心区域M0上的第一顶功能区，自像素区M的中心区域M0与像素区M的边缘区域M1的交界处至像素区M的中心点，所述第一顶功能区至基板200的距离递减。

本实施例中，所述底层功能层250a包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层中的至少之一。所述顶层功能层250b包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

在一个实施例中，所述底层功能层250a的总厚度大于所述顶层功能层 250a的总厚度。

本实施例中，所述功能层的纵向剖面为三角形。在其他实施例中，所述功能层的纵向剖面为其他形状。

参考图10，在所述像素核心层的上方形成阴极层260。

相应的，本实施例还提供一种OLED显示面板，参考图10，包括：基板200，所述基板200包括若干分立的像素区M；覆盖所述像素区M的边缘区域M1的阻挡层210，所述阻挡层210中具有凹陷211，所述凹陷211 位于所述像素区M的中心区域M0上；位于所述基板200的像素区M和所述阻挡层210上的像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层 240和功能层250，位于像素区M的中心区域M0上的功能层250相对于位于所述阻挡层210上方的功能层250朝向所述基板200凹进，所述功能层 250包括位于像素区M的中心区域M0上的第一功能区，自像素区M的中心区域M0与像素区M的边缘区域M1的交界处至像素区M的中心点，所述第一功能区至基板200的距离递减。

所述凹陷211的侧壁倾斜，所述凹陷211的顶部开口大于底部开口，且所述凹陷211的侧壁的底端相交在一起。所述凹陷211的侧壁与所述基板 200表面之间的夹角为30度～45度。

所述阻挡层210的材料包括光阻材料。

位于像素区M的边缘区域M1上的阻挡层210的厚度为50纳米－200纳米。所述阻挡层210的厚度占据后续位于阻挡层210上的阳极层的厚度的 1/3～3/4。

所述基板200还包括位于相邻的像素区M之间的像素间隔区N；所述阻挡层210还延伸至所述基板200的所述像素间隔区N上。

所述OLED显示面板还包括：位于所述基板200的像素区M和所述阻挡层210上的阳极层220，像素区M上的所述阳极层220位于所述像素核心层的底部；位于所述基板200的像素间隔区N上的像素定义层，所述像素定义层覆盖所述像素间隔区N上的阻挡层210，所述像素定义层230中具有像素定义口；所述发光层240的位置对应所述像素定义口，所述功能层250 还延伸在所述像素定义层230的上方；位于所述像素核心层上方的阴极层 260。

所述功能层250包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述功能层250还延伸在所述像素定义层230的上方，使得不同像素区 M上的功能层250连接。

本实施例中，功能层250包括底层功能层250a和顶层功能层250b，所述底层功能层250a位于所述发光层240的下方，所述顶层功能层250b位于所述发光层240的上方。

不同像素区M的功能层250连接，功能层250还延伸至像素间隔区N 上。

具体的，不同像素区M的底层功能层250a连接，底层功能层250a还延伸至像素间隔区N上，不同像素区M的顶层功能层250b连接，顶层功能层250b还延伸至像素间隔区M上。

所述底层功能层250a至少包括空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层的至少之一。所述顶层功能层250b至少包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

所述发光层240的位置对应所述像素定义口。

本实施例中，位于像素区M的中心区域M0上的底层功能层250a相对于位于所述阻挡层210上方的底层功能层250a朝向所述基板200凹进，位于像素区M的中心区域M0上的顶层功能层250b相对于位于所述阻挡层210 上方的顶层功能层250b朝向所述基板200凹进。

所述底层功能层250a包括位于像素区M的中心区域M0上的第一底功能区，自像素区M的中心区域M0与像素区M的边缘区域M1的交界处至像素区M的中心点，所述第一底功能区至基板200的距离递减。

所述顶层功能层250b包括位于像素区M的中心区域M0上的第一顶功能区，自像素区M的中心区域M0与像素区M的边缘区域M1的交界处至像素区M的中心点，所述第一顶功能区至基板200的距离递减。

本实施例中，所述底层功能层250a包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层中的至少之一。所述顶层功能层250b包括电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

在一个实施例中，所述底层功能层250a的总厚度大于所述顶层功能层 250a的总厚度。

本实施例中，所述功能层的纵向剖面为三角形。在其他实施例中，所述功能层的纵向剖面为其他形状。

本实用新型又一实施例还提供一种显示装置，包括上述的OLED显示面板。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括若干分立的像素区；

覆盖所述像素区的边缘区域的阻挡层，所述阻挡层中具有凹陷，所述凹陷位于所述像素区的中心区域上；

位于所述基板的像素区和所述阻挡层上的像素核心层，所述像素核心层包括：层叠设置的发光层和功能层，位于像素区的中心区域上的功能层相对于位于所述阻挡层上方的功能层朝向所述基板凹进。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹陷贯穿所述阻挡层；

所述功能层包括位于像素区的中心区域上的第一功能区和位于所述阻挡层上方的第二功能区，所述第一功能区和第二功能区的接触面在垂直于所述基板表面的方向上的尺寸小于所述第一功能区的厚度且小于所述第二功能区的厚度。

3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹陷的侧壁与所述凹陷的底面之间的夹角为90度～110度。

4.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹陷的侧壁与所述凹陷的底面垂直；所述第一功能区的纵向剖面形状为矩形。

5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹陷的侧壁倾斜，所述凹陷的顶部开口大于底部开口，且所述凹陷的侧壁的底端相交在一起；

所述功能层包括位于像素区的中心区域上的第一功能区，自像素区的中心区域与像素区的边缘区域的交界处至像素区的中心点，所述第一功能区至基板的距离递减。

6.根据权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹陷的侧壁与所述基板表面之间的夹角为30度～45度。

7.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阻挡层的材料包括光阻材料；位于像素区的边缘区域上的阻挡层的厚度为50纳米～200纳米。

8.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述基板还包括位于相邻的像素区之间的像素间隔区；所述阻挡层还延伸至所述基板的所述像素间隔区上；

所述OLED显示面板还包括：位于所述基板的像素区和所述阻挡层上的阳极层，像素区上的所述阳极层位于所述像素核心层的底部；位于所述基板的像素间隔区上的像素定义层，所述像素定义层覆盖所述像素间隔区上的阻挡层，所述像素定义层中具有像素定义口；所述发光层的位置对应所述像素定义口，所述功能层还延伸在所述像素定义层的上方；位于所述像素核心层上方的阴极层。

9.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少之一。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的OLED显示面板。

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