CN114005860A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,其能够解决显示基板内不同子像素间载流子串扰问题,有效改善了显示基板的灰度清晰度,提升了显示效果。显示基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个子像素,每个子像素至少包括一个发光器件,每个发光器件由设置在像素限定层的容纳部中的第一电极层、发光层、有机功能层和第二电极层组成;像素限定层和衬底基板间设置有层间绝缘层。显示基板还包括贯穿像素限定层和层间绝缘层部分厚度的第一内凹部;有机功能层在第一内凹部对应位置形成第一开口。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度和对比度高、宽视角、使用温度范围广以及可大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示面板。OLED显示面板属于自发光型显示面板,其上的OLED发光器件通常包括分别被用作阳极(Anode)的像素电极、被用作阴极(cathode)的公共电极以及设在像素电极与公共电极之间的有机功能层,当有电流通过时,这些有机功能层就会发光。
但申请人在实践中发现,目前OLED器件普遍存在不同子像素间的串扰问题,即载流子可以通过有机功能层中的电子传输层或空穴传输层进入到相邻子像素中致使相邻子像素发光,导致显示器件的灰阶清晰度降低,影响器件的显示效果。
发明内容
本公开旨在,本公开采用如下技术方案。
第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板包括衬底基板,其包括设置在所述衬底基板上的多个子像素,每个子像素中至少包括发光器件;所述发光器件包括设置在所述衬底基板上的第一电极层、第二电极层,以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层和有机功能层;各个所述发光器件的有机功能层为一体成型结构;所述显示基板还包括:位于所述第一电极层靠近所述衬底基板一侧的层间绝缘层,以及位于所述第一电极层靠近所述发光层一侧的像素限定层;所述像素限定层中形成有多个容纳部,一个所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影与一个所述容纳部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
在任意相邻的所述子像素之间至少形成有贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的第一内凹部;所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成第一开口。
其中,任一相邻设置的所述子像素之间的第一开口的长度不小于第一长度,所述第一长度为相邻设置的所述子像素在所述第一开口的延伸方向上的最大宽度。
其中,各个所述第一开口的长度相等,且所述第一开口长度不小于第二长度,所述第二长度为各所述子像素中在所述第一开口的延伸方向上的宽度中最大的一者。
其中,在所述在任意相邻的所述子像素之间还形成有贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的多个第二内凹部;
一个所述第二内凹部在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定层的容纳部的在所述衬底基板上的正投影的顶角对应设置;所述有机功能层在所述第二内凹部对应位置形成第二开口。
其中,各个所述发光器件的第二电极层为一体成型结构,且在所述第二电极层与所述有机功能层在所述第二内凹部对应位置形成第二开口。
其中,相邻设置的所述子像素之间的第一内凹部的数量为多个,且各所述第一内凹部的延伸方向相同。
其中,所述有机功能层包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的至少一者。
其中,各个所述发光器件的第二电极层为一体成型结构,且在所述第二电极层与所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成第一开口。
其中,所述显示面板还包括位于所述第一内凹部两侧、且沿所述第一电极层同层设置的限定部,所述限定部的材料与所述第一电极层的材料相同。
其中,每个所述子像素还包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述显示基板还包括位于薄膜晶体管的有源层和所述衬底基板之间的缓冲层;位于所述薄膜晶体管的栅极所在层和有源层所在层之间的栅极绝缘层,位于所述薄膜晶体管的栅极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间的第一绝缘层;位于所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层和所述第一电极层之间的平坦化层;所述薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述第一电极层电连接;
所述层间绝缘层包括所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层和所述平坦化层;所述第一内凹部贯穿所述缓冲层、所述第一绝缘层、和所述平坦化层中的至少一者。
其中,所述第一内凹部贯穿所述平坦化层的部分厚度。
第二方面,本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法,包括形成衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个子像素,每个子像素中至少包括发光器件;形成所述发光器件的过程包括在所述衬底基板上依次形成第一电极层、第二电极层,以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层和有机功能层;各个所述发光器件的有机功能层为一体成型结构;所述方法还包括:在所述第一电极层靠近所述衬底基板一侧形成层间绝缘层;在所述第一电极层靠近所述发光层一侧形成像素限定层;所述像素限定层中形成有多个容纳部,一个所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影与一个所述容纳部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
在任意相邻所述子像素之间形成贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的第一内凹部;所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成第一开口。
其中,所述方法还包括:在任意相邻所述子像素之间形成两个延伸方向相同且贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的所述第一内凹部;所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成所述第一开口。
其中,所述方法还包括:在所述在任意相邻的所述子像素之间形成贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的多个第二内凹部;
一个所述第二内凹部在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定层的容纳部的在所述衬底基板上的正投影的顶角对应设置;所述有机功能层在所述第二内凹部对应位置形成第二开口。
第三方面,本公开实施例提供了一种显示装置,其上述任一所述的显示基板。
附图说明
图1为本公开实施例的一种显示基板的平面示意图;
图2为本公开实施例的一种显示基板的电路结构示意图;
图3为现有技术中的一种显示基板的结构示意图;
图4为本公开实施例中的一种显示基板的结构示例图;
图5为本公开实施例中的一种第一开口的平面示意图
图6为本公开实施例中的另一种第一开口的平面示意图;
图7为本公开实施例中的再一种第一开口的平面示意图;
图8为本公开实施例中的一种第一开口和第二开口的平面示意图;
图9为本公开实施例的一种显示基板的制备方法的流程图;
图10为本公开实施例的另一种显示基板的制备方法的流程图;
图11为本公开实施例的再一种显示基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
下面结合附图,对本公开实施例提供的显示面板及其制备方法、显示面板的具体实施方式进行详细地说明。
图1为本公开实施例的一种显示基板的平面示意图;如图1所示,显示基板包括衬底基板1,以及形成在衬底基板1上的多个子像素,子像素分为红色子像素R、蓝色子像素B、第一绿色子像素G1、第二绿色子像素G2四种,其排列方式如图1所示,每个子像素中均设置有一个像素驱动电路和一个发光器件。该像素驱动电路可以包括7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构,例如包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管以及第二发光控制晶体管。图2为本公开实施例的一种显示基板的电路结构示意图;参照图2,数据写入晶体管T4源极304的与驱动晶体管T3的源极304电连接,数据写入晶体管T4的漏极302被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号,数据写入晶体管T4的栅极304被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号;存储电容Cst的第一极板CC1与第一电源电压端VDD电连接,存储电容Cst的第二极板CC2与驱动晶体管T3的栅极304电连接;阈值补偿晶体管T2的源极304与驱动晶体管T3的漏极302电连接,阈值补偿晶体管T2的漏极302与驱动晶体管T3的栅极304电连接,阈值补偿晶体管T2的栅极304被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号;第一复位晶体管T1的源极304被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号,第一复位晶体管T1的漏极302与驱动晶体管T3的栅极304电连接,第一复位晶体管T1的栅极304被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号;第二复位晶体管T7的源极304被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号,第二复位晶体管T7的漏极302与发光器件的第一电极层5电连接,第二复位晶体管T7的栅极304被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号;第一发光控制晶体管T5的源极304与第一电源电压端VDD电连接,第一发光控制晶体管T5的漏极302与驱动晶体管T3的源极304电连接,第一发光控制晶体管T5的栅极304被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号;第二发光控制晶体管T6的源极304与驱动晶体管T3的漏极302电连接,第二发光控制晶体管T6的漏极302与发光器件的第一电极层5电连接,第二发光控制晶体管T6的栅极304被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号;发光器件的第二电极层7与第二电源电压端VSS电连接。
图3为现有技术中的一种显示基板的结构示意图;如图3所示,显示基板包括衬底基板1,以及形成在衬底基板1上的多个发光器件,每个发光器件包括设置在衬底基板1上的第一电极层5、第二电极层7,以及位于第一电极层5和第二电极层7之间的发光层6和有机功能层8,有机功能层8包括发光层6与第一电极层5之间的空穴传输层801和发光层6与第二电极层7之间的电子传输层802。各个发光器件的有机功能层8为一体成型结构,因此,该显示基板普遍存在不同子像素间的串扰问题,即载流子可以通过有机功能层8中的电流传输层或空穴传输层801进入到相邻子像素中,致使相邻子像素发光,导致显示基板的灰阶清晰度降低,极大影响显示效果。
第一方面,本公开实施例提供一种显示基板,图4为本公开实施例中的一种显示基板的结构示例图;如图4所示,显示基板包括衬底基板1和设置在衬底基板1上的多个子像素,每个子像素中至少包括发光器件;发光器件包括设置在衬底基板1上的第一电极层5、第二电极层7,以及位于第一电极层5和第二电极层7之间的发光层6和有机功能层8;各个发光器件的有机功能层8为一体成型结构;显示基板还包括:位于第一电极层5靠近衬底基板1一侧的层间绝缘层2,以及位于第一电极层5靠近发光层6一侧的像素限定层4;像素限定层背离衬底基板一侧设置有多个隔垫物9;像素限定层4中形成有多个容纳部,一个第一电极层5在衬底基板1上的正投影与一个容纳部在衬底基板1上的正投影至少部分重叠;在任意相邻的子像素之间至少形成有贯穿像素限定层4和层间绝缘层2部分厚度的第一内凹部11;有机功能层8在第一内凹部11对应位置形成第一开口12。由于相邻子像素间存在贯穿像素限定层4和层间绝缘层2部分厚度的第一内凹部11,因此第一内凹部11上方的有机功能层8材料沉积在第一内凹部11底部,使相邻子像素之间的像素限定层4在第一内凹部11对应位置上方形成第一开口12,由于载流子不能通过第一开口12,因此相邻子像素间的载流子串扰路径被截断,避免了载流子串扰致使相邻子像素发光的问题,提高了显示基板的灰阶清晰度,改善了显示效果。
在一些示例中,图5为本公开实施例中的一种第一开口的平面示意图,如图5所示,任一相邻设置的子像素之间的第一开口12的长度不小于第一长度,第一长度为相邻设置的子像素在第一开口12的延伸方向上的最大宽度,即相邻子像素之间的第一开口12的长度不小于相邻子像素中面积最大的子像素在第一开口12的延伸方向上的最大宽度,这种设置方案确保了第一开口12能够充分阻断相邻子像素间的载流子传输通道,避免了载流子串扰致使相邻子像素发光的问题,提高了显示基板的灰阶清晰度,改善了显示效果。
在一些示例中,图6为本公开实施例中的另一种第一开口的平面示意图,如图6所示,各个第一开口12的长度相等,且第一开口12长度不小于第二长度,第二长度为各子像素中在第一开口12的延伸方向上的宽度中最大的一者,即第一开口12的长度不小于显示基板中面积最大子像素在第一开口12延伸方向上的宽度。这种设置方案将各个第一开口12的长度统一为相同数值,使对应的各个第一内凹部11在制作过程中能够按照相同的设置参数进行制作,降低了工艺难度,且保证了第一开口12能够有效阻断相邻子像素间的载流子通过。
在一些示例中,相邻设置的子像素之间的第一内凹部11的数量为多个,且各第一内凹部11的延伸方向相同,例如,图7为本公开实施例中的再一种第一开口12的平面示意图,如图7所示,红色子像素R与相邻第一绿色子像素G1和第二绿色子像素G2间,分别设置有两个间隔设置,延伸方向、长度相同的第一容纳部;蓝色子像素B与相邻第一绿色子像素G1和第二绿色子像素G2间,分别设置有两个间隔设置,延伸方向、长度相同的第一容纳部,第一容纳部贯穿像素限定层4和层间绝缘层2部分厚度。这种设置方案相较于在相邻子像素间设置一个第一内凹部11的方案相比,双内凹部结构对载流子的阻断效果更好,对显示效果的改善更加明显。
在一些示例中,在任意相邻的子像素之间除第一内凹部11外还形成有贯穿像素限定层4和层间绝缘层2部分厚度的多个第二内凹部;一个第二内凹部在衬底基板1上的正投影与像素限定层4的容纳部的在衬底基板1上的正投影的顶角对应设置;有机功能层8在第二内凹部对应位置形成第二开口13。
例如,图8为本公开实施例中的一种第一开口和第二开口的平面示意图,如图8所示,红色子像素R与相邻第一绿色子像素G1和第二绿色子像素G2间,分别设置有两个间隔设置,延伸方向、长度相同的第一容纳部;蓝色子像素B与相邻第一绿色子像素G1和第二绿色子像素G2间,分别设置有两个间隔设置,延伸方向、长度相同的第一容纳部;第一容纳部贯穿像素限定层4和层间绝缘层2部分厚度,有机功能层8在第一容纳部对应位置形成第一开口12。在靠近红色子像素R与蓝色子像素B相对的两个顶角处,分别设置有两个第二内凹部;在靠近第一绿色子像素G1与第二绿色子像素G2相对的两个顶角处,分别设置有两个第二内凹部,第二内凹部贯穿像素限定层4和层间绝缘层2部分厚度,有机功能层8在第二容纳部对应位置形成第二开口13。这种设置方案不仅能够阻隔相邻子像素相对的边缘位置的载流子扩散,也能够充分阻隔相邻子像素相对顶角位置的载流子扩散,有效减少相邻子像素间的载流子串扰现象,改善了显示基板的显示效果。
在一些示例中,各个发光器件的第二电极层7为一体成型结构,且在第二电极层7与有机功能层8在第一内凹部11对应位置形成第一开口12。
在一些示例中,各个发光器件的第二电极层7为一体成型结构,且在第二电极层7与有机功能层8在第二内凹部对应位置形成第二开口13。
上述设置方案不仅阻断了相邻子像素间的有机功能层8,也阻断了相邻子像素间的第二电极层7,从而避免了载流子通过第二电极层7对相邻子像素的串扰。
在一些示例中,有机功能层8包括空穴传输层801、空穴注入层、电子传输层802、电子注入层中的至少一者。通过设置包含上述膜层的有机功能层8能够提升发光层6的发光效率并提高发光层6的稳定性。
在一些示例中,如图4所示,显示基板还包括位于第一内凹部11两侧、且沿第一电极层5同层设置的限定部10,限定部10的材料与第一电极层5的材料相同。由于第一容纳部与第二容纳部是通过干刻气体刻蚀像素限定层4与层间绝缘层2形成的,又因为上述干刻气体不能刻蚀第一电极层5,因此可以通过设置于第一电极层5材料相同的限定部10来限定形成第一内凹部11的位置与宽度。
在一些示例中,如图4所示,每个子像素还包括像素驱动电路,像素驱动电路包括薄膜晶体管3,显示基板还包括位于薄膜晶体管3的有源层301和衬底基板1之间的缓冲层201;位于薄膜晶体管3的栅极304所在层和有源层301所在层之间的栅极绝缘层202,位于薄膜晶体管3的栅极304所在层和薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层之间的第一绝缘层203;位于薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层和第一电极层5之间的平坦化层204;薄膜晶体管3的漏极302通过贯穿平坦化层204的过孔与第一电极层5电连接;
层间绝缘层2包括缓冲层201、栅极绝缘层202、第一绝缘层203和平坦化层204;第一内凹部11贯穿缓冲层201、第一绝缘层203、和平坦化层204中的至少一者。这种显示基板的设置方案使得显示基板中的各层厚度均匀,提升了整体的稳定性,增加了发光器件的可靠性。
在一些示例中,第一内凹部11贯穿平坦化层204的部分厚度。因此第一内凹部11上方的有机功能层8材料会沉积在第一内凹部11底部,形成第一开口12,从而阻断了相邻子像素间的载流子传输通道,解决了相邻子像素间的载流子串扰问题,改善了显示基板的显示效果。
在一些示例中,如图1所示,显示基板中的多个子像素包括红色子像素R、第一绿色子像素G1、第二绿色子像素G2和蓝色子像素B,其中,在显示面板中,多个第一绿色子像素G1和多个第二绿色子像素G2沿第一方向交替间隔排列成第一像素行;多个红色子像素R和多个蓝色子像素B沿第一方向交替间隔排列成第二像素行;多个第一像素行与多个第二像素行沿第二方向交替间隔排列,且在第二方向上,多个第一绿色子像素G1和多个第二绿色子像素G2间隔排列成第一像素列,多个红色子像素R和多个蓝色子像素B交替间隔排列成第二像素列,多个第一像素列与多个第二像素行列沿第一方向交替间隔排列。这种像素排列方式使显示基板的色彩表现、可视角度、亮度等方面相较其他像素排列方式具有较大优势,且在相同面积中能够排列更多数量的子像素,从而具有更高的分辨率。
第二方面,本公开实施例提供一种显示基板的制备方法,该方法用于制备上述任一显示基板。该方法包括:形成衬底基板1以及设置在衬底基板1上的多个子像素,每个子像素中至少包括发光器件;形成发光器件的过程包括在衬底基板1上依次形成第一电极层5、第二电极层7,以及位于第一电极层5和第二电极层7之间的发光层6和有机功能层8;各个发光器件的有机功能层8为一体成型结构;其特征在于,方法还包括:在第一电极层5靠近衬底基板1一侧形成层间绝缘层2;在第一电极层5靠近发光层6一侧形成像素限定层4;像素限定层4中形成有多个容纳部,一个第一电极层5在衬底基板1上的正投影与一个容纳部在衬底基板1上的正投影至少部分重叠;在任意相邻子像素之间形成贯穿像素限定层4和层间绝缘层2部分厚度的第一内凹部11;有机功能层8在第一内凹部11对应位置形成第一开口12。
由于载流子不能通过第一开口12,因此相邻子像素间的载流子串扰路径被截断,有效避免了载流子串扰致使相邻子像素发光的问题,提高了显示基板的灰阶清晰度,改善了显示效果。
具体的,图9为本公开实施例的一种显示基板的制备方法的流程图;如图9所示,以形成图5中所示的显示基板为例,该显示基板的制备方法,具体包括以下步骤。
S101:形成衬底基板1及衬底基板1上的层间绝缘层2和多个像素驱动电路。
在一些示例中,步骤S101中的具体步骤可以包括:形成衬底基板1;在衬底基板1上形成缓冲层201;在缓冲层201背离衬底基板1一侧形成多个像素驱动电路,每个像素驱动电路包括薄膜晶体管3;在薄膜晶体管3的栅极304所在层和薄膜晶体管3的有源层301所在层之间形成栅极绝缘层202;在薄膜晶体管3的栅极304所在层和薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层之间形成第一绝缘层203;在薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层背离衬底基板1一侧形成平坦化层204。缓冲层201、栅极绝缘层202、第一绝缘层203、平坦化层204组成层间绝缘层2。通过上述制备方法制备的显示基板中的各膜层厚度均匀,像素驱动电路的稳定性较好。
S102:在层间绝缘层2背离衬底基板1一侧形成第一电极层5和多个限定部10。
在一些示例中,步骤S102中的具体步骤可以包括:在层间绝缘层2背离衬底基板1一侧形成第一电极层5和多个限定部10。第一电极层5通过贯穿平坦化层204的过孔与薄膜晶体管3的漏极302相连。第一电极层5存在多个断开区域,任意断开区域中的形成有限定部10且一个断开区域中只形成有一个限定部10,限定部10的材料与第一电极层5的材料相同,由于之后用于形成第一内凹部11的干刻气体不能刻蚀第一电极层5材料,因此限定部10能够限定第一内凹部11的形成位置和宽度。
S103:在第一电极层5背离衬底基板1一侧形成像素限定层4和第一内凹部11。
在一些示例中,步骤S103中的具体步骤可以包括:在第一电极层5背离衬底基板1一侧形成像素限定层4,像素限定层4中形成有多个容纳部,一个容纳部在衬底基板1上的正投影与一个第一电极层5在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。在限定部10对应位置刻蚀形成第一内凹部11,第一内凹部11贯穿像素限定层4和层间绝缘层2的部分厚度。由于第一内凹部11为凹槽结构,因此之后在形成在第一内凹部11上方的有机功能层8材料会沉积进凹槽中,从而切断了显示基板中不同子像素间的载流子通过路径,减少了不同子像素间的载流子串扰问题,改善了显示面板的显示效果。
S104:在每个容纳部对应位置形成发光层6和有机功能层8。
在一些示例中,步骤S104中的具体步骤可以包括:在每个容纳部对应位置形成发光层6和有机功能层8。各有机功能层8为一体结构,有机功能层8包括发光层6与第一电极层5之间的空穴传输层801和发光层6背离衬底基板1一侧的电子传输层802。有机功能层8在第一容纳部的对应位置沉积形成第一开口12,由于载流子不能通过第一开口12形成的空隙,因此相邻子像素间的载流子传输通道被阻断,有效减少了不同子像素间的载流子串扰问题,改善了显示面板的显示效果。
S105:在有机功能层8背离衬底基板1一侧形成第二电极层7。
在一些示例中,步骤S105中的具体步骤可以包括:在有机功能层8背离衬底基板1一侧形成第二电极层7,第二电极层7在第一内凹部11对应位置沉积,与有机功能层8在此处形成第一开口12,因此第一开口12也阻断了相邻子像素间的第二电极层7,从而避免了载流子通过第二电极层7对相邻子像素的串扰。
具体的,图10为本公开实施例的另一种显示基板的制备方法的流程图;如图10所示,以形成图7中所示的显示基板为例,该显示基板的制备方法,具体包括以下步骤。
S201:形成衬底基板1及衬底基板1上的层间绝缘层2和多个像素驱动电路。
在一些示例中,步骤S201中的具体步骤可以包括:形成衬底基板1;在衬底基板1上形成缓冲层201;在缓冲层201背离衬底基板1一侧形成多个像素驱动电路,每个像素驱动电路包括薄膜晶体管3;在薄膜晶体管3的栅极304所在层和薄膜晶体管3的有源层301所在层之间形成栅极绝缘层202;在薄膜晶体管3的栅极304所在层和薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层之间形成第一绝缘层203;在薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层背离衬底基板1一侧形成平坦化层204。缓冲层201、栅极绝缘层202、第一绝缘层203、平坦化层204组成层间绝缘层2。通过上述制备方法制备的显示基板中的各膜层厚度均匀,像素驱动电路的稳定性较好。
S202:在层间绝缘层2背离衬底基板1一侧形成第一电极层5和多个限定部10。
在一些示例中,步骤S202中的具体步骤可以包括:在层间绝缘层2背离衬底基板1一侧形成第一电极层5和多个限定部10。第一电极层5通过贯穿平坦化层204的过孔与薄膜晶体管3的漏极302相连。第一电极层5存在多个断开区域,任意断开区域中的形成有限定部10且一个断开区域中形成有两个限定部10,限定部10的材料与第一电极层5的材料相同,由于之后用于形成第一内凹部11的干刻气体不能刻蚀第一电极层5材料,因此限定部10能够限定第一内凹部11的形成位置和宽度。
S203:在第一电极层5背离衬底基板1一侧形成像素限定层4和第一内凹部11。
在一些示例中,步骤S203中的具体步骤可以包括:在第一电极层5背离衬底基板1一侧形成像素限定层4,像素限定层4中形成有多个容纳部,一个容纳部在衬底基板1上的正投影与一个第一电极层5在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。在限定部10对应位置刻蚀形成第一内凹部11,第一内凹部11贯穿像素限定层4和层间绝缘层2的部分厚度。这种制备方法使得显示基板的相邻子像素之间能够形成两个间隔设置、延伸方向相同的第一内凹部11,之后在形成在第一内凹部11上方的有机功能层8材料会沉积进凹槽中,从而切断了显示基板中不同子像素间的载流子通过路径,减少了不同子像素间的载流子串扰问题,改善了显示面板的显示效果。
S204:在每个容纳部对应位置形成发光层6和有机功能层8。
在一些示例中,步骤S204中的具体步骤可以包括:在每个容纳部对应位置形成发光层6和有机功能层8。各有机功能层8为一体结构,有机功能层8包括发光层6与第一电极层5之间的空穴传输层801和发光层6背离衬底基板1一侧的电子传输层802。有机功能层8在第一容纳部的对应位置沉积形成第一开口12,这种制备方法使显示基板中的相邻子像素间形成有两个第一开口12,由于载流子不能通过第一开口12形成的空隙,因此相邻子像素间的载流子传输通道被阻断,有效减少了不同子像素间的载流子串扰问题,改善了显示面板的显示效果。
S205:在有机功能层8背离衬底基板1一侧形成第二电极层7。
在一些示例中,步骤S205中的具体步骤可以包括:在有机功能层8背离衬底基板1一侧形成第二电极层7,第二电极层7在第一内凹部11对应位置沉积,与有机功能层8在此处形成第一开口12,因此第一开口12也阻断了相邻子像素间的第二电极层7,从而避免了载流子通过第二电极层7对相邻子像素的串扰。
具体的,图11为本公开实施例的再一种显示基板的制备方法的流程图;如图11所示,以形成图8中所示的显示基板为例,该显示基板的制备方法,具体包括以下步骤。
S301:形成衬底基板1及衬底基板1上的层间绝缘层2和多个像素驱动电路。
在一些示例中,步骤S301中的具体步骤可以包括:形成衬底基板1;在衬底基板1上形成缓冲层201;在缓冲层201背离衬底基板1一侧形成多个像素驱动电路,每个像素驱动电路包括薄膜晶体管3;在薄膜晶体管3的栅极304所在层和薄膜晶体管3的有源层301所在层之间形成栅极绝缘层202;在薄膜晶体管3的栅极304所在层和薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层之间形成第一绝缘层203;在薄膜晶体管3的源极304和漏极302所在层背离衬底基板1一侧形成平坦化层204。缓冲层201、栅极绝缘层202、第一绝缘层203、平坦化层204组成层间绝缘层2。通过上述制备方法制备的显示基板中的各膜层厚度均匀,像素驱动电路的稳定性较好。
S302:在层间绝缘层2背离衬底基板1一侧形成第一电极层5和多个限定部10。
在一些示例中,步骤S302中的具体步骤可以包括:在层间绝缘层2背离衬底基板1一侧形成第一电极层5和多个限定部10。第一电极层5通过贯穿平坦化层204的过孔与薄膜晶体管3的漏极302相连。第一电极层5存在多个断开区域,任意断开区域中的形成有限定部10且一个断开区域中形成有两个限定部10,限定部10的材料与第一电极层5的材料相同,由于之后用于形成第一内凹部11的干刻气体不能刻蚀第一电极层5材料,因此限定部10能够限定第一内凹部11的形成位置和宽度。
S303:在第一电极层5背离衬底基板1一侧形成像素限定层4、第一内凹部11和第二内凹部。
在一些示例中,步骤S303中的具体步骤可以包括:在第一电极层5背离衬底基板1一侧形成像素限定层4,像素限定层4中形成有多个容纳部,一个容纳部在衬底基板1上的正投影与一个第一电极层5在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。在限定部10对应位置进行刻蚀,形成第一内凹部11或第二内凹部,第一内凹部11和第二内凹部均贯穿像素限定层4和层间绝缘层2的部分厚度。这种制备方法不仅使显示基板的相邻子像素之间能够形成两个间隔设置、延伸方向相同的第一内凹部11,也使子像素顶角对应位置形成第二内凹部,使之后在形成在第一内凹部11和第二内凹部上方的有机功能层8材料会沉积进凹槽中,不仅能够阻隔相邻子像素相对的边缘位置的载流子扩散,也能够充分阻隔相邻子像素相对顶角位置的载流子扩散,有效减少相邻子像素间的载流子串扰现象,改善了显示基板的显示效果。
S304:在每个容纳部对应位置形成发光层6和有机功能层8。
在一些示例中,步骤S304中的具体步骤可以包括:在每个容纳部对应位置形成发光层6和有机功能层8。各有机功能层8为一体结构,有机功能层8包括发光层6与第一电极层5之间的空穴传输层801和发光层6背离衬底基板1一侧的电子传输层802。有机功能层8在第一容纳部的对应位置沉积形成第一开口12,在第二容纳部的对应位置沉积形成第二开口13,这种制备方法使显示基板中的相邻子像素间形成有两个第一开口12,子像素顶角对应位置形成第二开口13,由于载流子不能通过第一开口12和第二开口13形成的空隙,因此相邻子像素间的载流子传输通道被阻断,有效减少了不同子像素间的载流子串扰问题,改善了显示面板的显示效果。
S305:在有机功能层8背离衬底基板1一侧形成第二电极层7。
在一些示例中,步骤S305中的具体步骤可以包括:在有机功能层8背离衬底基板1一侧形成第二电极层7,第二电极层7在第一内凹部11和第二内凹部对应位置沉积,与有机功能层8在此处形成第一开口12和第二开口13,因此第一开口12和第二开口13也阻断了相邻子像素间的第二电极层7,从而避免了载流子通过第二电极层7对相邻子像素的串扰。
第三方面,本公开实施例提供了一种显示装置,其包括上述的任意一种显示基板,故本实施例的显示装置相较传统显示器件灰度清晰度更高,显示效果更好。该显示装置可以为:电子纸、QLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (17)
1.一种显示基板,包括衬底基板,设置在所述衬底基板上的多个子像素,每个子像素中至少包括发光器件;所述发光器件包括设置在所述衬底基板上的第一电极层、第二电极层,以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层和有机功能层;各个所述发光器件的有机功能层为一体成型结构;其特征在于,所述显示基板,还包括:位于所述第一电极层靠近所述衬底基板一侧的层间绝缘层,以及位于所述第一电极层靠近所述发光层一侧的像素限定层;所述像素限定层中形成有多个容纳部,一个所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影与一个所述容纳部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
在任意相邻的所述子像素之间至少形成有贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的第一内凹部;所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成第一开口。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,任一相邻设置的所述子像素之间的第一开口的长度不小于第一长度,所述第一长度为相邻设置的所述子像素在所述第一开口的延伸方向上的最大宽度。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,各个所述第一开口的长度相等,且所述第一开口长度不小于第二长度,所述第二长度为各所述子像素中在所述第一开口的延伸方向上的宽度中最大的一者。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在所述在任意相邻的所述子像素之间还形成有贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的多个第二内凹部;
一个所述第二内凹部在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定层的容纳部的在所述衬底基板上的正投影的顶角对应设置;所述有机功能层在所述第二内凹部对应位置形成第二开口。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,各个所述发光器件的第二电极层为一体成型结构,且在所述第二电极层与所述有机功能层在所述第二内凹部对应位置形成第二开口。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,相邻设置的所述子像素之间的第一内凹部的数量为多个,且各所述第一内凹部的延伸方向相同。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述有机功能层包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,各个所述发光器件的第二电极层为一体成型结构,且在所述第二电极层与所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成第一开口。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述第一内凹部两侧、且沿所述第一电极层同层设置的限定部,所述限定部的材料与所述第一电极层的材料相同。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每个所述子像素还包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述显示基板还包括位于薄膜晶体管的有源层和所述衬底基板之间的缓冲层;位于所述薄膜晶体管的栅极所在层和有源层所在层之间的栅极绝缘层,位于所述薄膜晶体管的栅极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间的第一绝缘层;位于所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层和所述第一电极层之间的平坦化层;所述薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述第一电极层电连接;
所述层间绝缘层包括所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层和所述平坦化层;所述第一内凹部贯穿所述缓冲层、所述第一绝缘层、和所述平坦化层中的至少一者。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述第一内凹部贯穿所述平坦化层的部分厚度。
13.根据权利要求12所述的显示基板,其特征在于,多个所述子像素包括红色子像素、第一绿色子像素、第二绿色子像素和蓝色子像素,其中,在所述显示面板中,多个所述第一绿色子像素和多个所述第二绿色子像素沿第一方向交替间隔排列成第一像素行;多个所述红色子像素和多个所述蓝色子像素沿第一方向交替间隔排列成第二像素行;多个所述第一像素行与多个第二像素行沿第二方向交替间隔排列,且在第二方向上,多个所述第一绿色子像素和多个所述第二绿色子像素间隔排列成第一像素列,多个所述红色子像素和多个所述蓝色子像素交替间隔排列成第二像素列,多个所述第一像素列与多个第二像素行列沿第一方向交替间隔排列。
14.一种显示基板的制备方法,包括形成衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个子像素,每个子像素中至少包括发光器件;形成所述发光器件的过程包括在所述衬底基板上依次形成第一电极层、第二电极层,以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层和有机功能层;各个所述发光器件的有机功能层为一体成型结构;其特征在于,所述方法还包括:在所述第一电极层靠近所述衬底基板一侧形成层间绝缘层;在所述第一电极层靠近所述发光层一侧形成像素限定层;所述像素限定层中形成有多个容纳部,一个所述第一电极层在所述衬底基板上的正投影与一个所述容纳部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
在任意相邻所述子像素之间形成贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的第一内凹部;所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成第一开口。
15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:在任意相邻所述子像素之间形成两个延伸方向相同且贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的所述第一内凹部;所述有机功能层在所述第一内凹部对应位置形成所述第一开口。
16.根据权利要求15所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述在任意相邻的所述子像素之间形成贯穿所述像素限定层和所述层间绝缘层部分厚度的多个第二内凹部;
一个所述第二内凹部在所述衬底基板上的正投影与所述像素限定层的容纳部的在所述衬底基板上的正投影的顶角对应设置;所述有机功能层在所述第二内凹部对应位置形成第二开口。
17.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-13中任一项所述的显示基板。
Priority Applications (1)
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CN202111271958.0A CN114005860A (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
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CN202111271958.0A CN114005860A (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
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CN202111271958.0A Pending CN114005860A (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
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CN (1) | CN114005860A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2024037319A1 (zh) * | 2022-08-17 | 2024-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示设备 |
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2021
- 2021-10-29 CN CN202111271958.0A patent/CN114005860A/zh active Pending
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WO2024037319A1 (zh) * | 2022-08-17 | 2024-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示设备 |
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