CN210840270U

CN210840270U - 多层基板以及致动器

Info

Publication number: CN210840270U
Application number: CN201890000561.3U
Authority: CN
Inventors: 伊藤慎悟
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-03-24
Filing date: 2018-03-22
Publication date: 2020-06-23
Anticipated expiration: 2028-03-22
Also published as: JPWO2018174133A1; JP6913155B2; US11309113B2; US20190341180A1; WO2018174133A1

Abstract

提供一种多层基板以及致动器。多层基板(101)具备：层叠体(10)，具有第一主面(VS1)，层叠由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层而形成；线圈(L1)，包含多个线圈导体(CP1、CP2、CP3)而构成。线圈(L1)在多个绝缘基材层的层叠方向上具有卷绕轴(AX)。多个线圈导体具有最靠近第一主面(VS1)的第一线圈导体(线圈导体(CP1))和与第一线圈导体相邻地配置的第二线圈导体(线圈导体(CP2))。第二线圈导体具有线宽度比第一线圈导体宽的宽幅部。上述宽幅部具有从Z轴方向观察与第一线圈导体重叠的重叠部(OP1)和从Z轴方向观察不与第一线圈导体重叠的非重叠部(NOP1)。非重叠部(NOP1)弯曲为比重叠部(OP1)靠近第一主面(VS1)。

Description

多层基板以及致动器

技术领域

本实用新型涉及多层基板，特别涉及在多个绝缘基材层形成了多个线圈导体的多层基板、以及具备该多层基板的致动器。

背景技术

以往，已知有在层叠多个绝缘基材层而成的层叠体形成了线圈的多层基板。例如，在专利文献1公开了由形成在多个绝缘基材层的多个线圈导体构成了线圈的多层基板。在上述多层基板中，为了抑制图案的印刷位置的偏移、层叠位置的偏移所引起的线圈导体间的寄生电容的偏差，使在多个绝缘基材层的层叠方向上相邻的多个线圈导体中的、一方的线圈导体的线宽度比另一方的线圈导体的线宽度细。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-36532号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

存在将由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层进行层叠来形成层叠体的情况。但是，在该情况下，在形成层叠体之际的加热加压时，绝缘基材层有可能流动而发生线圈导体的位置偏移。特别是，线宽度细的线圈导体与线宽度粗的线圈导体相比容易发生位置偏移。

此外，层叠体的表层附近在加热加压时容易受到由压制机造成的热的影响，配置在层叠体的表层附近的线圈导体容易发生位置偏移。因此，在层叠体的表层附近配置有线宽度细的线圈导体的情况下，该线宽度细的线圈导体的位置偏移容易变大，有时得不到给定的线圈的特性。

本实用新型的目的在于，提供一种在具备包含形成在多个绝缘基材层的多个线圈导体的线圈的结构中通过抑制形成层叠体时的线圈导体的位置偏移而抑制了线圈的特性变化的多层基板、以及具备该多层基板的致动器。

用于解决课题的技术方案

(1)本实用新型的多层基板的特征在于，具备：

层叠体，具有第一主面，层叠由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层而形成；以及

线圈，包含形成在所述多个绝缘基材层的多个线圈导体而构成，在所述多个绝缘基材层的层叠方向上具有卷绕轴，

所述多个线圈导体具有：第一线圈导体，最靠近所述第一主面；以及第二线圈导体，与所述第一线圈导体相邻地配置，具有线宽度比所述第一线圈导体的线宽度宽的宽幅部，

所述宽幅部具有：重叠部，从所述层叠方向观察与所述第一线圈导体重叠；以及非重叠部，从所述层叠方向观察不与所述第一线圈导体重叠，

所述非重叠部弯曲为比所述重叠部靠近所述第一主面。

一般来说，层叠体的表层附近在加热加压时容易受到由压制机造成的热的影响，配置在层叠体的表层附近的线圈导体在加热加压时容易发生位置偏移。另一方面，在该结构中，通过弯曲的非重叠部(第二线圈导体) 可抑制形成层叠体之际的加热加压时的第一主面附近的绝缘基材层的流动(特别是，向面方向的流动)。因此，通过该结构，可抑制最靠近层叠体的第一主面附近的第一线圈导体的、加热加压时的位置偏移(特别是，向面方向的位置偏移)，能够抑制与第一线圈导体的位置偏移、变形等相伴的线圈的特性变化。

此外，一般来说，线宽度细的线圈导体与线宽度粗的线圈导体相比，在形成层叠体之际的加热加压时容易由于由热塑性树脂构成的绝缘基材层的流动而发生位置偏移。因此，在最靠近层叠体的第一主面的第一线圈导体的线宽度比其它线圈导体的线宽度细的情况下，上述结构特别有效。

进而，在该结构中，第二线圈导体(宽幅部)的非重叠部弯曲，因此与非重叠部不弯曲的情况相比，不易发生加热加压时的第二线圈导体的位置偏移。

(2)优选地，在上述(1)中，一部分弯曲至与所述层叠方向上的所述第一线圈导体的位置相同的位置。通过该结构，可进一步抑制加热加压时的第一主面附近的绝缘基材层的流动，因此可进一步抑制第一线圈导体的加热加压时的位置偏移。

(3)优选地，在上述(1)中，从所述层叠方向观察，所述非重叠部位于所述宽幅部中的所述第二线圈导体的径向的外周侧。在该结构中，非重叠部不会妨碍线圈的磁场形成(通过线圈的线圈开口的磁通量的形成)。

(4)也可以是，在上述(1)中，从所述层叠方向观察，所述非重叠部位于所述宽幅部中的所述第二线圈导体的径向的内周侧。在该结构中，例如在加热加压时的温度下流动性比热塑性树脂低的构件(层间连接导体、其它导体)形成于线圈的外侧的情况下，由于第一线圈导体被上述构件和非重叠部夹着，因此可进一步抑制加热加压时的第一线圈导体的位置偏移。

(5)优选地，在上述(1)至(4)中的任一者中，从所述层叠方向观察，所述第一线圈导体的面积的1/2以上与所述宽幅部重叠。在第一线圈导体中的、从层叠方向观察不与宽幅部重叠的部分多的情况下，变得容易发生第一线圈导体的位置偏移、变形等。因此，通过该结构，能够抑制第一线圈导体的位置偏移、变形等。

(6)本实用新型的致动器的特征在于，具备：

上述(1)至(5)中的任一者的多层基板；以及

磁铁，

所述磁铁最靠近所述多个线圈导体中的所述第一线圈导体地配置。

通过该结构，能够实现具备抑制了与加热加压时的第一线圈导体的位置偏移、变形等相伴的线圈的特性变化的多层基板的致动器。

实用新型效果

根据本实用新型，可得到在具备包含形成在多个绝缘基材层的多个线圈导体的线圈的结构中通过抑制形成层叠体时的线圈导体的位置偏移而抑制了线圈的特性变化的多层基板以及具备该多层基板的致动器。

附图说明

图1(A)是第一实施方式涉及的多层基板101的外观立体图，图1 (B)是多层基板101的分解立体图。

图2是多层基板101的剖视图。

图3是示出具备多层基板101的电子设备401的主要部分的剖视图。

图4是依次示出多层基板101的制造工序的剖视图。

图5(A)是第二实施方式涉及的多层基板102的立体图，图5(B) 是多层基板102的剖视图。

图6(A)是第三实施方式涉及的多层基板103的俯视图，图6(B) 是多层基板103的剖视图。

图7是多层基板103的分解俯视图。

图8是第四实施方式涉及的多层基板104的剖视图。

图9是第五实施方式涉及的多层基板105的剖视图。

具体实施方式

以下，参照图并列举几个具体的例子示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，方便起见，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第二实施方式以后，省略关于与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。

《第一实施方式》

图1(A)是第一实施方式涉及的多层基板101的外观立体图，图1 (B)是多层基板101的分解立体图。图2是多层基板101的剖视图。另外，在图1(B)中，为了使构造易懂，用阴影线示出了宽幅部WP。此外，在图2中，夸张地图示了各部分的厚度。关于以后的各实施方式中的剖视图也是同样的。

多层基板101具备层叠体10、形成在层叠体10的线圈L1(后面详细叙述)以及外部电极P1、P2等。

层叠体10是长边方向与X轴方向一致的矩形的平板，具有相互对置的第一主面VS1以及第二主面VS2。如图1(B)所示，层叠体10依次层叠由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层14、13、12、11而形成。多个绝缘基材层11、12、13、14分别具有可挠性，是长边方向与X轴方向一致的矩形的平板。多个绝缘基材层11、12、13、14例如是以液晶聚合物 (LCP)或聚醚醚酮(PEEK)为主材料的片材。

在绝缘基材层11的表面形成有线圈导体CP1。线圈导体CP1是沿着绝缘基材层11的外周卷绕的大约1匝的矩形环状的导体。线圈导体CP1 例如是由Cu箔等构成的导体图案。

此外，在绝缘基材层11形成有层间连接导体V1、V3。

在绝缘基材层12的表面形成有线圈导体CP2以及导体21。线圈导体 CP2是沿着绝缘基材层12的外周卷绕的大约1匝的矩形环状的导体。导体21是配置在绝缘基材层12的第一边(图1(B)中的绝缘基材层12 的左边)中央附近的矩形的导体。线圈导体CP2以及导体21例如是由 Cu箔等构成的导体图案。

此外，在绝缘基材层12形成有层间连接导体V2、V4。

在绝缘基材层13的表面形成有线圈导体CP3以及导体22。线圈导体 CP3是沿着绝缘基材层13的外周卷绕的大约1匝的矩形环状的导体。导体22是配置在绝缘基材层13的第一边(图1(B)中的绝缘基材层13 的左边)中央附近的矩形的导体。线圈导体CP3以及导体22例如是Cu 箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层13形成有层间连接导体V5、V7。

在绝缘基材层14的背面形成有外部电极P1、P2。外部电极P1是配置在绝缘基材层14的第一边(图1(B)中的绝缘基材层14的左边)中央附近的矩形的导体。外部电极P2是配置在绝缘基材层14的第二边(图 1(B)中的绝缘基材层14的右边)中央附近的矩形的导体。外部电极P1、 P2例如是Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层14形成有层间连接导体V6、V8。

如图1(B)所示，线圈导体CP1的第一端经由层间连接导体V1而与线圈导体CP2的第一端连接。线圈导体CP2的第二端经由层间连接导体V2而与线圈导体CP3的第一端连接。像这样，包含分别形成在绝缘基材层11、12、13的线圈导体CP1、CP2、CP3以及层间连接导体V1、V2 而形成大约3匝的线圈L1。线圈L1形成在层叠体10，具有沿着多个绝缘基材层11、12、13、14的层叠方向(Z轴方向)的卷绕轴AX。

另外，虽然在本实施方式中示出了线圈L1的卷绕轴AX与多个绝缘基材层11、12、13、14的层叠方向(Z轴方向)一致的例子，但是线圈 L1的卷绕轴AX并不限于与Z轴方向严格地一致。在本实用新型中，所谓“具有沿着多个绝缘基材层的层叠方向的卷绕轴”，例如还包括线圈L1 的卷绕轴AX相对于Z轴方向在-30°至+30°的范围内的情况。

此外，线圈L1的一端(线圈导体CP1的第二端)与外部电极P1连接，线圈L1的另一端(线圈导体CP3的第二端)与外部电极P2连接。具体地，如图1(B)所示，线圈L1的一端(线圈导体CP1的第二端) 经由导体21、22以及层间连接导体V3、V4、V5、V6而与外部电极P1 连接。此外，线圈L1的另一端(线圈导体CP3的第二端)经由层间连接导体V7、V8而与外部电极P2连接。

如图2所示，多个线圈导体CP1、CP2、CP3中的线圈导体CP1最靠近层叠体10的第一主面VS1，线圈导体CP2与线圈导体CP1相邻地配置。

在本实施方式中，线圈导体CP1相当于本实用新型中的“第一线圈导体”，线圈导体CP2相当于本实用新型中的“第二线圈导体”。

此外，如图1(B)所示，第二线圈导体(线圈导体CP2)具有线宽度比第一线圈导体(线圈导体CP1)的线宽度宽的宽幅部WP。在本实施方式中，线圈导体CP2整体为宽幅部WP。如图2所示，第二线圈导体(线圈导体CP2)的宽幅部(WP)具有：从Z轴方向观察与第一线圈导体(线圈导体CP1)重叠的重叠部OP1、和从Z轴方向观察不与第一线圈导体 (线圈导体CP1)重叠的非重叠部NOP1。如图2所示，非重叠部NOP1 弯曲(或弯折)为比重叠部OP1靠近第一主面VS1。

在本实施方式中，第一线圈导体(线圈导体CP1)的面积的1/2以上与第二线圈导体(线圈导体CP2)的宽幅部WP重叠。此外，在本实施方式中，非重叠部NOP1位于第二线圈导体(线圈导体CP2)的径向的内周侧(线圈导体CP2中的接近卷绕轴AX的一侧)。

多层基板101例如像以下那样使用。图3是示出具备多层基板101 的电子设备401的主要部分的剖视图。

电子设备401具备致动器301、电路基板201等。致动器301具备多层基板101、磁铁3以及可动体4等，组装到电子设备401。另外，在致动器301中，可动体4不是必需的。

多层基板101安装在电路基板201。具体地，多层基板101的外部电极P1、P2经由导电性接合材料2而与形成在电路基板201的表面的导体 21、22分别连接。导电性接合材料2例如是焊料。

图3所示的磁铁3装配于可动体4。如图3所示，磁铁3最靠近多个线圈导体CP1、CP2、CP3中的第一线圈导体(线圈导体CP1)地配置。即，磁铁3不是配置在层叠体10的第二主面VS2侧，而是配置在第一主面VS1侧。

若在线圈L1流过给定的电流，则由于从线圈L1辐射的磁场，磁铁3 以及可动体4向层叠方向(Z轴方向)的正交方向(Y轴方向)进行位移 (参照图3所示的空心箭头。)。

根据本实施方式涉及的多层基板101以及致动器301，达到如下的效果。

(a)一般来说，层叠体的表层附近在加热加压时容易受到由压制机造成的热的影响，配置在层叠体的表层附近的线圈导体在加热加压时容易发生位置偏移。另一方面，在本实施方式中，具有线宽度比第一线圈导体 (线圈导体CP1)的线宽度宽的宽幅部WP的第二线圈导体(线圈导体 CP2)与第一线圈导体相邻地配置，第二线圈导体的非重叠部NOP1弯曲为比重叠部OP1靠近第一主面VS1。在该结构中，通过弯曲的非重叠部 NOP1(第二线圈导体)可抑制形成层叠体10之际的加热加压时的第一主面VS1附近的绝缘基材层的流动(特别是，向面方向的流动)。因此，通过该结构，可抑制最靠近层叠体10的表面(第一主面VS1)附近的第一线圈导体的、加热加压时的位置偏移(第一线圈导体向图2中的用箭头示出的方向的位置偏移)，能够抑制与第一线圈导体的位置偏移、变形等相伴的线圈的特性变化。

此外，一般来说，线宽度细的线圈导体与线宽度粗的线圈导体相比，在形成层叠体之际的加热加压时容易由于由热塑性树脂构成的绝缘基材层的流动而发生位置偏移。因此，像本实施方式涉及的多层基板101那样，最靠近层叠体10的表面(第一主面VS1)的线圈导体CP1的线宽度比其它线圈导体CP2、CP3的线宽度细的情况下，上述结构特别有效。

另外，在本实施方式中，非重叠部NOP1弯曲为靠近第一主面VS1，使得在加热加压时抑制第一线圈导体分别向相反方向(参照图2中的箭头)的位置偏移。通过该结构，与非重叠部NOP1弯曲为可抑制第一线圈导体向一个方向的位置偏移的情况相比，可进一步抑制加热加压时的第一线圈导体的位置偏移。

(b)此外，在多层基板101中，第二线圈导体(线圈导体CP2)具有线宽度比第一线圈导体(线圈导体CP1)的线宽度宽的宽幅部WP。因此，与第一线圈导体相比，不易发生加热加压时的第二线圈导体的位置偏移。进而，在多层基板101中，因为宽幅部WP的非重叠部NOP1弯曲，所以与非重叠部NOP1不弯曲的情况相比，不易发生加热加压时的第二线圈导体的位置偏移。

(c)此外，在本实施方式中，多个线圈导体CP1、CP2、CP3中的、最靠近第一主面VS1的第一线圈导体(线圈导体CP1)的线宽度比其它线圈导体CP2、CP3的线宽度细。一般来说，与构成线圈的线圈导体(图案)的线宽度粗的情况相比，在线圈导体的线宽度细的情况下在线圈导体的周围产生的磁通量更多。因此，通过该结构，能够增大基于最靠近第一主面的第一线圈导体与磁铁的相互作用的电磁力。

(d)此外，在本实施方式中，第一线圈导体(线圈导体CP1)的线宽度比除此以外的线圈导体CP2、CP3细。即，通过仅使第一线圈导体的线宽度变细，从而与设为使线圈的导体损耗相同的条件并使多个线圈导体的线宽度全部相同的情况相比，能够增大基于磁铁与线圈的相互作用的电磁力。此外，通过该结构，与设为使电磁力相同的条件并使多个线圈导体CP1、CP2、CP3的线宽度全部相同的情况相比，可抑制线圈的导体损耗的大幅的增加。

(e)此外，在本实施方式中，非重叠部NOP1位于第二线圈导体(线圈导体CP2)的径向的内周侧(线圈导体CP2中的接近卷绕轴AX的一侧)，层间连接导体V3、V4、V5、V6等配置在线圈L1的外侧。在该结构中，第一线圈导体(线圈导体CP1)被在加热加压时的温度下流动性比绝缘基材层(热塑性树脂)低的构件(层间连接导体、其它导体)和非重叠部NOP1夹着。因此，可进一步抑制加热加压时的第一线圈导体的位置偏移。

另外，上述低流动性的构件只要在上述加热加压时存在即可。也就是说，只要在后述的集合基板的阶段存在，就可得到同样的作用效果。因此，在分离为单片后的状态下，也有可能在各单片不存在上述低流动构件。

(f)在本实施方式中，从Z轴方向观察，第一线圈导体(线圈导体 CP1)的面积的1/2以上与第二线圈导体(线圈导体CP2)的宽幅部WP 重叠。在第一线圈导体中的、从层叠方向观察不与宽幅部WP重叠的部分多的情况下，变得容易发生第一线圈导体的位置偏移、变形等。因此，通过该结构，能够抑制第一线圈导体的位置偏移、变形等。

本实施方式涉及的多层基板101例如可通过以下工序制造。图4是依次示出多层基板101的制造工序的剖视图。另外，虽然在图4中，为了说明的方便而以单个芯片(单片)下的制造工序进行说明，但是实际的多层基板的制造工序以集合基板状态进行。

首先，如图4中的(1)所示，准备由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层11、12、13、14。绝缘基材层11、12、13、14例如是液晶聚合物(LCP) 等的片材。

此后，在由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层11、12、13、14分别形成线圈导体CP1、CP2、CP3、导体21、22以及外部电极P1、P2。具体地，在集合基板状态的绝缘基材层11、12、13的表面层压金属箔(例如，Cu箔)，并通过光刻对该金属箔进行图案化，由此在绝缘基材层11、 12、13的表面形成线圈导体CP1、CP2、CP3以及导体21、22。此外，在集合基板状态的绝缘基材层14的背面层压金属箔(例如，Cu箔)，并通过光刻对该金属箔进行图案化，由此在绝缘基材层14的背面形成外部电极P1、P2。

另外，第二线圈导体(线圈导体CP2)具有线宽度比第一线圈导体(线圈导体CP1)的线宽度宽的宽幅部(WP)。

在由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层11、12、13形成具有第一线圈导体(线圈导体CP1)以及第二线圈导体(线圈导体CP2)的多个线圈导体CP1、CP2、CP3的该工序是本实用新型中的“线圈导体形成工序”的一个例子。

此外，在多个绝缘基材层11、12、13、14形成层间连接导体(图1 (B)中的层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8)。层间连接导体通过如下方式来设置，即，在用激光等设置了贯通孔之后，配设包含Cu、Ag、Sn、Ni、Mo等中的一种以上或它们的合金的导电性膏，在后续的加热加压中使其硬化(固化)。因此，层间连接导体作为熔点(熔融温度)比后续的加热加压时的温度低的材料。

接着，如图4中的(2)所示，在刚性高的台座5上依次层叠绝缘基材层14、13、12、11。此时，多个绝缘基材层11、12、13、14被层叠为第一线圈导体(线圈导体CP1)在形成了层叠体时在多个线圈导体CP1、 CP2、CP3之中最靠近层叠体的第一主面。此外，多个绝缘基材层11、12、 13、14被层叠为第二线圈导体(线圈导体CP2)与第一线圈导体(线圈导体CP1)相邻。

在上述“线圈导体形成工序”之后，层叠多个绝缘基材层11、12、 13、14，使得在形成了层叠体时多个线圈导体CP1、CP2、CP3中的第一线圈导体最靠近第一主面，且使得第二线圈导体与第一线圈导体相邻，该工序为本实用新型中的“层叠工序”的一个例子。

接着，对层叠的多个绝缘基材层11、12、13、14进行加热加压而形成层叠体10。具体地，将层叠的多个绝缘基材层11、12、13、14加热，从图4中的(2)所示的空心箭头的方向进行基于等静压的各向同性压力压制(加压)。

此时，宽幅部中的从Z轴方向观察不与第一线圈导体重叠的非重叠部NOP1较之于宽幅部中的从Z轴方向观察与第一线圈导体(线圈导体 CP1)重叠的重叠部OP1，在层叠方向上重叠的导体的数目少。因此，与重叠部OP1附近相比，加热加压时的非重叠部NOP1附近的绝缘基材层容易变形，非重叠部NOP1弯曲为比重叠部OP1靠近第一主面VS1。

在上述“层叠工序”之后，对层叠的多个绝缘基材层11、12、13、 14进行加热加压而形成层叠体10，由此使非重叠部NOP1弯曲为比重叠部OP1靠近第一主面VS1，该工序为本实用新型中的“层叠体形成工序”的一个例子。

最后，从集合基板分离为各个单片，得到如图4中的(3)所示的多层基板101。

根据上述的制造方法，通过抑制形成层叠体时的线圈导体的位置偏移，从而能够容易地制造抑制了线圈的特性变化的多层基板。

另外，虽然在上述的制造方法中示出了通过将层叠的多个绝缘基材层 11、12、13、14加热并进行基于等静压的各向同性压力压制(加压)从而形成层叠体10的方法，但是层叠体的形成方法并不限定于此。例如，也可以在刚性高的台座上层叠了多个绝缘基材层之后，隔着硅等刚性低的缓冲材料用刚性高的构件对层叠的多个绝缘基材层进行压制(模拟的各向同性压力压制)，由此形成层叠体。

《第二实施方式》

在第二实施方式中，示出线圈的结构与第一实施方式不同的例子。

多层基板102具备层叠体10、形成在层叠体10的线圈L2以及外部电极P1、P2等。

在多层基板102中，线圈L2的结构与第一实施方式涉及的多层基板 101不同。关于其它结构，与多层基板101相同。

以下，对与第一实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。

在本实施方式涉及的线圈L2中，如图5(B)所示，比重叠部OP1 靠近第一主面VS1地弯曲的非重叠部NOP2位于第二线圈导体(线圈导体CP2)的径向(Y轴方向或X轴方向)的外周侧(线圈导体CP2中的远离卷绕轴AX的一侧)。关于其它结构，与在第一实施方式中说明的线圈L1实质上相同。

根据本实施方式涉及的多层基板102，除了在第一实施方式中叙述的效果以外，还达到如下的效果。

在本实施方式中，非重叠部NOP2位于第二线圈导体(线圈导体CP2) 的径向(Y轴方向或X轴方向)的外周侧。在该结构中，非重叠部NOP2 不会妨碍线圈L2的磁场形成(通过线圈L2的线圈开口的磁通量的形成)。此外，通过该结构，与非重叠部位于第二线圈导体的径向的内周侧的情况相比，能够拓宽线圈的线圈开口，因此能够提高基于磁铁与线圈的相互作用的电磁力。

《第三实施方式》

在第三实施方式中，示出线圈的结构与以上所示的各实施方式不同的例子。

图6(A)是第三实施方式涉及的多层基板103的俯视图，图6(B) 是多层基板103的剖视图。图7是多层基板103的分解俯视图。另外，在图7中，为了使构造易懂，用阴影线示出了宽幅部WP。

多层基板103具备层叠体10、形成在层叠体10的线圈L3(后面详细叙述)以及外部电极P1、P2等。

在多层基板103中，线圈L3的结构与第一实施方式涉及的多层基板 101不同。关于其它结构，与多层基板101相同。

层叠体10层叠由热塑性树脂构成的多个绝缘基材层11、12、13、14 而形成。

在绝缘基材层11的表面形成有线圈导体CP1。线圈导体CP1是沿着绝缘基材层11的外周卷绕的大约1.5匝的矩形螺旋状的导体。此外，在绝缘基材层11形成有层间连接导体V1、V2。

在绝缘基材层12的表面形成有线圈导体CP2以及导体21。线圈导体 CP2是沿着绝缘基材层12的外周卷绕的大约2匝的矩形螺旋状的导体。导体21是配置在绝缘基材层12的第一边(图7中的绝缘基材层12的左边)中央附近的矩形的导体。此外，在绝缘基材层12形成有层间连接导体V3、V6。

在绝缘基材层13的表面形成有导体22、23。导体22是配置在绝缘基材层13的第一边(图7中的绝缘基材层13的左边)中央附近的矩形的导体。导体23是配置在绝缘基材层13的第二边(图7中的绝缘基材层 13的右边)中央附近的矩形的导体。此外，在绝缘基材层13形成有层间连接导体V4、V7。

在绝缘基材层14的背面形成有外部电极P1、P2。外部电极P1是配置在绝缘基材层14的第一边(图7中的绝缘基材层14的左边)中央附近的矩形的导体。外部电极P2是配置在绝缘基材层14的第二边(图7中的绝缘基材层14的右边)中央附近的矩形的导体。此外，在绝缘基材层 14形成有层间连接导体V5、V8。

如图7等所示，线圈导体CP1的第一端经由层间连接导体V1而与线圈导体CP2的第一端连接。像这样，包含分别形成在绝缘基材层11、12 的线圈导体CP1、CP2以及层间连接导体V1而形成大约3.5匝的线圈L3。

此外，线圈L3的一端(线圈导体CP1的第二端)与外部电极P1连接，线圈L3的另一端(线圈导体CP2的第二端)与外部电极P2连接。具体地，如图7等所示，线圈L3的一端(线圈导体CP1的第二端)经由导体21、22以及层间连接导体V2、V3、V4、V5而与外部电极P1连接。此外，线圈L3的另一端(线圈导体CP2的第二端)经由层间连接导体 V6、V7、V8而与外部电极P2连接。

此外，如图7所示，第二线圈导体(线圈导体CP2)具有线宽度比第一线圈导体(线圈导体CP1)的线宽度宽的宽幅部WP。在本实施方式中，仅线圈导体CP2的外周部分为宽幅部WP。如图6(B)所示，第二线圈导体的宽幅部(WP)具有：从Z轴方向观察与第一线圈导体重叠的重叠部OP1、和从Z轴方向观察不与第一线圈导体重叠的非重叠部NOP3。如图6(B)所示，非重叠部NOP3弯曲为比重叠部OP1靠近第一主面VS1。

即使是这样的结构，多层基板103的基本的结构也与在第一实施方式中说明的多层基板101相同，达到与多层基板101同样的作用、效果。

另外，本实用新型中的“宽幅部”无需为第二线圈导体(线圈导体 CP2)整体。如本实施方式中所示，第二线圈导体只要在一部分具有宽幅部WP即可。

此外，如本实施方式中所示，第一线圈导体(线圈导体CP1)以及第二线圈导体(线圈导体CP2)以外的线圈导体(例如，在第一实施方式中示出的线圈导体CP3)不是必需的。

另外，即使像以下那样构成，也可得到同样的效果，即，不是第二线圈导体(线圈导体CP2)的外周部分，而是只有内周部分为宽幅部，宽幅部具有从Z轴方向观察与第一线圈导体(线圈导体CP1)重叠的重叠部和不重叠的非重叠部，非重叠部向靠近第一主面VS1的方向弯曲。

《第四实施方式》

在第四实施方式中，示出线圈的结构与以上所示的各实施方式不同的例子。

图8是第四实施方式涉及的多层基板104的剖视图。

多层基板104具备层叠体10、形成在层叠体10的线圈L4以及外部电极P1、P2等。

在多层基板104中，线圈L4的结构与第一实施方式涉及的多层基板 101不同。关于其它结构，与多层基板101相同。

在本实施方式涉及的线圈L4中，如图8所示，比重叠部OP1靠近第一主面VS1地弯曲的非重叠部NOP1、NOP2分别位于第二线圈导体(线圈导体CP2)的径向(例如，X轴方向或Y轴方向)的内周侧(线圈导体CP2中的接近卷绕轴AX的一侧)以及外周侧(线圈导体CP2中的远离卷绕轴AX的一侧)的双方。关于其它结构，与在第一实施方式中说明的线圈L1实质上相同。

通过该结构，与仅在第二线圈导体的径向(例如，X轴方向或Y轴方向)的内周侧或外周侧的一者具有非重叠部的情况相比，可进一步抑制加热加压时的第一线圈导体的位置偏移。

《第五实施方式》

在第五实施方式中，示出能够进一步抑制加热加压时的第一线圈导体的位置偏移的多层基板的例子。

图9是第五实施方式涉及的多层基板105的剖视图。

多层基板105具备层叠体10、形成在层叠体10的线圈L5以及外部电极P1、P2等。

在多层基板105中，线圈L5的结构与第一实施方式涉及的多层基板 101不同。关于其它结构，与多层基板101相同。

在本实施方式涉及的线圈L5中，如图9所示，靠近第一主面VS1 地弯曲的非重叠部NOP2的一部分弯曲至Z轴方向上的与第一线圈导体(线圈导体CP1)的位置相同的位置。

根据本实施方式涉及的多层基板105，除了在第一实施方式中叙述的效果以外，还达到如下的效果。

(a)在本实施方式中，第二线圈导体(线圈导体CP2)的非重叠部NOP2的一部分弯曲至Z轴方向上的与第一线圈导体(线圈导体CP1)的位置相同的位置。通过该结构，可进一步抑制加热加压时的第一主面VS1 附近的绝缘基材层的流动，因此可进一步抑制第一线圈导体的加热加压时的位置偏移。

这样的多层基板105(层叠体)通过如下方式来形成，即，在刚性高的台座上层叠了多个绝缘基材层(图4所示的绝缘基材层11、12、13、 14)之后，用刚性高的构件对层叠的多个绝缘基材层进行压制(加压)。

《其它实施方式》

虽然在以上所示的各实施方式中示出了层叠体为矩形的平板的例子，但是并不限定于该结构。层叠体的平面形状能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更，例如也可以为圆形、椭圆形、多边形等。此外，层叠体的第一主面VS1以及第二主面VS2并不限定于完全的平面，也可以一部分为曲面等。另外，在本实用新型的层叠体中，第二主面不是必需的。

此外，虽然在以上所示的各实施方式中示出了具备层叠四个绝缘基材层而形成的层叠体的多层基板的例子，但是并不限定于该结构。形成层叠体的绝缘基材层的层数能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。

另外，虽然在以上所示的各实施方式中示出了包含形成在多个绝缘基材层的两个或三个线圈导体而构成线圈的例子，但是并不限定于该结构。本实用新型的线圈也可以包含四个以上的线圈导体而构成。进而，线圈的形状以及卷绕数能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。本实用新型的线圈并不限于如第三实施方式涉及的线圈L3那样的螺旋状。

虽然在以上所示的各实施方式中示出了仅在绝缘基材层的一个主面形成有导体(线圈导体、外部电极、以及其它导体)的例子，但是并不限定于该结构。线圈导体等的导体也可以形成在绝缘基材层的两个主面。

虽然在以上所示的各实施方式中示出了在层叠体的第二主面VS2设置了外部电极P1、P2的例子，但是本实用新型中的振动板并不限定于该结构。关于外部电极P1、P2的个数、形状、配置等，能够在达到本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。外部电极可以设置在第一主面VS1，也可以设置在第一主面VS1以及第二主面VS2的双方。

此外，也可以在层叠体的第一主面VS1或第二主面VS2形成有覆盖膜、阻焊膜等保护层。

最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，并不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包括从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。

附图标记说明

AX：线圈的卷绕轴；

CP1：线圈导体(第一线圈导体)；

CP2：线圈导体(第二线圈导体)；

CP3：线圈导体；

L1、L2、L3、L4、L5：线圈

OP1、OP2、OP3：重叠部；

NOP1、NOP2、NOP3：非重叠部；

P1、P2：外部电极；

V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8：层间连接导体；

VS1：层叠体的第一主面；

VS2：层叠体的第二主面；

WP：宽幅部；

2：导电性接合材料；

3：磁铁；

4：可动体；

5：台座；

10：层叠体；

11、12、13、14：绝缘基材层；

21、22、23：导体；

101、102、103、104、105：多层基板；

201：电路基板；

301：致动器；

401：电子设备。

Claims

1.一种多层基板，其特征在于，具备：

所述非重叠部弯曲为比所述重叠部靠近所述第一主面。

2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

所述非重叠部的一部分弯曲至所述层叠方向上的与所述第一线圈导体的位置相同的位置。

3.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

从所述层叠方向观察，所述非重叠部位于所述宽幅部中的所述第二线圈导体的径向的外周侧。

4.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，

从所述层叠方向观察，所述非重叠部位于所述宽幅部中的所述第二线圈导体的径向的内周侧。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的多层基板，其特征在于，

从所述层叠方向观察，所述第一线圈导体的面积的1/2以上与所述宽幅部重叠。

6.一种致动器，其特征在于，具备：

权利要求1至5中的任一项所述的多层基板；以及

磁铁，