JP2019016743A - 多層基板 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁基材層の積層数の相違により第１領域と第２領域との境界に段差部が形成される構成において、段差部近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれに伴うコイル特性の変動を抑制した多層基板を実現する。【解決手段】多層基板１０１は、第１領域Ｆ１および第２領域Ｆ２を有する積層体１０、段差部ＳＰ、第１領域Ｆ１に形成されるコイル３を備える。積層体１０は、樹脂を主材料とする絶縁基材層を積層して形成され、第２領域Ｆ２は第１領域Ｆ１よりも積層数が少ない。段差部ＳＰは、積層数の相違により第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２との境界に形成される。コイル３は、コイル導体パターン３１，３２，３３および第１層間接続導体（層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２）を含んで構成される。第１層間接続導体は、絶縁基材層の積層方向（Ｚ軸方向）から視て、コイル導体パターン３１，３２，３３のうち、段差部ＳＰに沿って近接する部分ＡＤＰに配置される。【選択図】図１

Description

本発明は、多層基板に関し、特に樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層した積層体と、この積層体に形成されるコイルとを備える多層基板に関する。

従来、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層してなる積層体と、積層体に形成されるコイルと、を備える各種多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、厚肉部（以下、第１領域）および薄肉部（以下、第２領域）を有する積層体と、第１領域に形成されるコイルと、を備えた多層基板が開示されている。上記多層基板では、コイルが、２つ以上の絶縁基材層にそれぞれ形成される複数のコイル導体パターンと、複数のコイル導体パターンを接続する層間接続導体とを含んで構成されている。上記複数のコイル導体パターンは、複数の絶縁基材層の積層方向から視て、互いに重なるように配置されている。

上記多層基板では、第２領域の絶縁基材層の積層数が、第１領域の絶縁基材層の積層数よりも少ないため、第２領域が可撓性を有し、第１領域と第２領域との境界付近に積層数が異なる段差部が存在する。

国際公開第２０１５／０８３５２５号

一般的に、特許文献１に示されるような多層基板（積層体）は、段差部の形状に応じた金型を用いて、積層した複数の絶縁基材層を加熱加圧することにより得られる。

図６は、段差部を有する多層基板の、製造工程の一部を示す断面図である。図６に示すように、多層基板（積層体）は、積層した複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａを、金型１ａ，２ａを用いて積層方向（Ｚ軸方向）に加熱加圧して得られる。金型２ａの表面には、積層体の段差部ＳＰ１ａの形状に応じた段差部ＳＰ２ａが形成されている。しかし、金型２ａの形状を積層体の段差部ＳＰ１ａと完全に一致させることは困難であり、加熱加圧時の接合不良を抑制するため、金型２ａの段差部ＳＰ２ａの高さＨ２を段差部ＳＰ１ａの高さＨ１よりも小さく形成することが一般的である。

しかし、上述した製造方法では、次のような理由によって、コイルの特性にばらつきが生じる虞がある。

（ａ）絶縁基材層の積層数が多い第１領域には、絶縁基材層の積層数が少ない第２領域よりも、加熱加圧時に高い圧力が加わる。そのため、加熱加圧時に、樹脂を主材料とする絶縁基材層が、第１領域から第２領域に向かって流動する。このとき、段差部ＳＰ１ａ近傍における絶縁基材層の流動は特に大きく（図６における矢印を参照）、絶縁基材層の流動に伴って段差部ＳＰ１ａ近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれが生じやすい。

（ｂ）複数の絶縁基材層の積層方向に、複数のコイル導体パターンが重なるように配置される部分には、加熱加圧時に圧力が集中して加わるため、コイル導体パターンの位置ずれが大きくなりやすい。

（ｃ）また、段差部ＳＰ１ａ近傍は、金型２ａに接触する面積が大きいため（例えば、図６における絶縁基材層１３ａ，１４ａ，１５ａの右端面、および絶縁基材層１５ａの下面）、加熱加圧時にプレス機による熱の影響を受けやすい。そのため、加熱加圧時に段差部ＳＰ１ａ近傍の絶縁基材層は流動しやすく、段差部ＳＰ１ａ近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれが生じやすい。

本発明の目的は、絶縁基材層の積層数の相違により第１領域と第２領域との境界に段差部が形成される構成において、段差部近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれに伴うコイル特性の変動を抑制した多層基板を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層が積層されて形成され、第１領域、および前記第１領域よりも前記絶縁基材層の積層数が少ない第２領域を有する積層体と、
前記複数の絶縁基材層の積層数の相違により前記第１領域と前記第２領域との境界に形成される段差部と、
前記第１領域に形成されるコイルと、
を備え、
前記コイルは、前記複数の絶縁基材層のうち２以上の絶縁基材層に形成される複数のコイル導体パターンと、前記絶縁基材層に形成され、前記複数のコイル導体パターン同士を接続する第１層間接続導体と、を含んで構成され、
前記複数のコイル導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、少なくとも一部が互いに重なるように配置され、
前記第１層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記複数のコイル導体パターンのうち、前記段差部に沿って近接する部分に配置されることを特徴とする。

一般に、段差部近傍は、加熱加圧時に高い圧力が加わり、プレス機による熱の影響を受けやすいため、加熱加圧時における絶縁基材層の流動は大きい。一方、上記構成では、コイル導体パターンのうち段差部に沿って近接する部分に、加熱加圧時にコイル導体パターンよりも位置ずれを生じ難い第１層間接続導体が配置されるため、加熱加圧時における段差部近傍の絶縁基材層の流動が、第１層間接続導体によって抑制される。したがって、この構成により、加熱加圧時に、段差部近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれや変形等を抑制でき、コイル導体パターンの位置ずれや変形等に伴うコイルの特性変化を抑制できる。

（２）上記（１）において、前記絶縁基材層に形成されるダミー導体パターンを備え、前記ダミー導体パターンは、前記積層方向から視て、前記段差部に近接する位置に配置されることが好ましい。この構成では、段差部とコイルとの間に存在するダミー導体パターンにより、加熱加圧時における段差部近傍の絶縁基材層の流動がさらに抑制される。

（３）上記（２）において、前記ダミー導体パターンは、前記積層方向から視て、前記段差部に沿って配置されることが好ましい。この構成により、加熱加圧時における段差部近傍の絶縁基材層の流動が、より効果的に抑制される。

（４）上記（２）または（３）において、前記ダミー導体パターンは、前記積層方向から視て、前記段差部を跨るように配置されることが好ましい。この構成により、ダミー導体パターンが段差部に跨るように配置されていない場合に比べ、加熱加圧時における段差部近傍の絶縁基材層の流動はさらに抑制される。また、この構成により、積層体を形成した後の、段差部近傍の機械的強度を高めることできる。さらに、この構成により、段差部近傍の第２領域を容易に塑性変形（曲げ加工）可能な多層基板を実現できる。

（５）上記（２）から（４）のいずれかにおいて、前記ダミー導体パターンは、前記複数の絶縁基材層のうち２以上の絶縁基材層に形成される複数のダミー導体パターンであり、前記第１領域に形成され、前記複数のダミー導体パターン同士を接続する第２層間接続導体を備え、前記第２層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記段差部に近接する位置に配置されることが好ましい。この構成では、コイルと段差部との間に、加熱加圧時にコイル導体パターンよりも位置ずれを生じ難い第２層間接続導体が配置される。そのため、第２層間接続導体によって、加熱加圧時における段差部近傍の絶縁基材層の流動がさらに抑制される。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記複数の絶縁基材層は、熱可塑性樹脂からなることが好ましい。この構成によれば、積層した複数の絶縁基材層を一括プレスすることにより、積層体を容易に形成できるため、多層基板の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

本発明によれば、絶縁基材層の積層数の相違により第１領域と第２領域との境界に段差部が形成される構成において、段差部近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれに伴うコイル特性の変動を抑制した多層基板を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は多層基板１０１の平面図である。 図２は、多層基板１０１の分解平面図である。 図３は、多層基板１０１を備える通信モジュール２０１の回路図である。 図４（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図であり、図４（Ｂ）は多層基板１０２の平面図である。 図５は、多層基板１０２の分解平面図である。 図６は、段差部を有する多層基板の、製造工程の一部を示す断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は多層基板１０１の平面図である。図２は、多層基板１０１の分解平面図である。なお、図２では、構造を分かりやすくするため、コイル導体パターン３１，３２，３３をドットパターンで示している。また、図１において、各部の厚みは誇張して図示している。このことは以降に示す各断面図でも同様である。

多層基板１０１は、積層体１０、段差部ＳＰ、コイル３、外部接続電極Ｐ１，Ｐ２等を備える。

積層体１０は、第１領域Ｆ１および第２領域Ｆ２を有しており、コイル３は第１領域Ｆ１に形成されている。また、積層体１０は、第１主面ＶＳ１と、第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２Ａ，ＶＳ２Ｂと、を有する。第２主面ＶＳ２Ａは第１領域Ｆ１に位置する面であり、第２主面ＶＳ２Ｂは第２領域Ｆ２に位置する面である。外部接続電極Ｐ１は、第２領域Ｆ２の第２主面ＶＳ２Ｂに形成されており、外部接続電極Ｐ２は、第１領域Ｆ１の第２主面ＶＳ２Ａに形成されている。

積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の絶縁体平板である。積層体１０は、樹脂（熱可塑性樹脂）を主材料とする複数の絶縁基材層１４，１３，１２，１１をこの順に積層して形成される。積層体１０の第１領域Ｆ１は、絶縁基材層１４，１３，１２，１１の順に積層して形成される。第２領域Ｆ２は、絶縁基材層１２，１１の順に積層して形成される。図２等に示すように、絶縁基材層１１，１２は、第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２とに亘って形成される絶縁基材層である。絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、例えばポリイミド（ＰＩ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を主材料とする樹脂シートである。

第２領域Ｆ２の絶縁基材層の積層数（２層）は、第１領域Ｆ１の絶縁基材層の積層数（４層）よりも少ない。そのため、積層体１０の第２領域Ｆ２は、第１領域Ｆ１よりも曲がり易く、可撓性を有する。第１領域Ｆ１は、第２領域Ｆ２よりも硬く、第２領域Ｆ２よりも曲がり難い。また、複数の絶縁基材層の積層数の相違により、第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２との境界に段差部ＳＰが形成される。本実施形態に係る段差部ＳＰはＹＺ平面に平行である。

絶縁基材層１１，１２，１３，１４は、それぞれ長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。絶縁基材層１１，１２のＸ軸方向の長さは、絶縁基材層１３，１４のＸ軸方向の長さよりも長い。絶縁基材層１１，１２の平面形状は略同じであり、絶縁基材層１３，１４の平面形状は略同じである。

絶縁基材層１１の裏面には、コイル導体パターン３１および導体２１が形成されている。コイル導体パターン３１は、絶縁基材層１１の中央より第１辺（図２における絶縁基材層１１の左辺）寄りの位置に配置される１ターン弱の矩形ループ状の導体パターンである。導体２１は、概略的にＸ軸方向に延伸するクランク状の導体パターンである。コイル導体パターン３１および導体２１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

絶縁基材層１２の裏面には、コイル導体パターン３２および外部接続電極Ｐ１が形成されている。コイル導体パターン３２は、絶縁基材層１２の中央より第１辺（図２における絶縁基材層１２の左辺）寄りの位置に配置される１ターン弱の矩形ループ状の導体パターンである。外部接続電極Ｐ１は、絶縁基材層１２の第２辺（図２における絶縁基材層１２の右辺）中央付近に配置される矩形の導体パターンである。コイル導体パターン３２および外部接続電極Ｐ１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１２には、層間接続導体Ｖ１，Ｖ１１が形成されている。本実施形態に係る層間接続導体Ｖ１１が、本発明における「第１層間接続導体」に相当する。

絶縁基材層１３の裏面には、コイル導体パターン３３が形成されている。コイル導体パターン３３は、絶縁基材層１３の外形に沿って巻回される１ターン弱の矩形ループ状の導体パターンである。コイル導体パターン３３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１３には、層間接続導体Ｖ１２が形成されている。本実施形態に係る層間接続導体Ｖ１２が、本発明における「第１層間接続導体」に相当する。

絶縁基材層１４の裏面には、外部接続電極Ｐ２が形成されている。外部接続電極Ｐ２は、絶縁基材層１４の中央より第３辺（図２における絶縁基材層１４の下辺）寄りの位置に配置される矩形の導体パターンである。外部接続電極Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、絶縁基材層１４には、層間接続導体Ｖ２が形成されている。

外部接続電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１を介して導体２１の第１端に接続される。導体２１の第２端は、コイル導体パターン３１の第１端に接続される。コイル導体パターン３１の第２端は、層間接続導体Ｖ１１を介してコイル導体パターン３２の第１端に接続される。コイル導体パターン３２の第２端は、層間接続導体Ｖ１２を介してコイル導体パターン３３の第１端に接続される。コイル導体パターン３３の第２端は、層間接続導体Ｖ２を介して外部接続電極Ｐ２に接続される。

このように、コイル導体パターン３１，３２，３３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２によって、Ｚ軸方向に巻回軸ＡＸを有する３ターン弱の矩形ヘリカル状のコイル３が構成される。

図１（Ａ）および図１（Ｂ）等に示すように、コイル導体パターン３１，３２，３３は、複数の絶縁基材層の積層方向（Ｚ軸方向）から視て、互いに略重なるように配置されている。また、図１（Ａ）および図１（Ｂ）等に示すように、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２（第１層間接続導体）は、Ｚ軸方向から視て、コイル導体パターン３１，３２，３３のうち、段差部ＳＰに沿って近接する部分ＡＤＰ（図２におけるコイル導体パターン３１，３２，３３のうち、Ｙ軸方向に延伸する右辺部分）に配置される。

ここで、本発明における「段差部に沿って近接する部分」とは、コイル導体パターン３１，３２，３３のうち、段差部ＳＰに沿って延伸する部分で、且つ、他の部分よりも段差部ＳＰに近接して配置されている部分を言う。また、本発明における「段差部に沿った部分」とは、例えば、コイル導体パターンのうち、コイル導体パターンの延伸方向と段差部ＳＰとのなす角度が−３０°から＋３０°の範囲内である部分を言う。

本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）一般に、段差部ＳＰ近傍は、加熱加圧時に高い圧力が加わり、プレス機による熱の影響を受けやすいため、加熱加圧時における絶縁基材層の流動は大きい。一方、本実施形態では、段差部ＳＰに沿って近接する部分ＡＤＰに、加熱加圧時にコイル導体パターンよりも位置ずれを生じ難い層間接続導体（第１層間接続導体）が配置されるため、加熱加圧時における段差部ＳＰ近傍の絶縁基材層の流動が、第１層間接続導体によって抑制される。したがって、この構成により、加熱加圧時に、段差部ＳＰ近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれや変形等を抑制でき、コイル導体パターンの位置ずれや変形等に伴うコイルの特性変化を抑制できる。

なお、本実施形態では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４が熱可塑性樹脂からなる。そのため、接合層（例えば、半硬化状態のプリプレグ樹脂シート）を用いて積層体を形成する場合に比べ、加熱加圧時における絶縁基材層の流動が大きくなりやすく、コイル導体パターンの位置ずれや変形等に伴うコイルの特性変化が生じやすい。したがって、上記構成は、接合層を用いずに積層体を形成する場合に特に有効である。

なお、本実施形態で示したように、第１層間接続導体の数は複数であることが好ましい。複数の第１層間接続導体を、段差部ＳＰに沿って近接する部分ＡＤＰに配置することにより、加熱加圧時における段差部ＳＰ近傍の絶縁基材層の流動を効果的に抑制できる。

（ｂ）本実施形態では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４が熱可塑性樹脂からなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４を一括プレスすることにより、積層体１０を容易に形成できるため、多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。

（１）まず、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４を準備する。その後、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４に、コイル導体パターン３１，３２，３３、導体２１および外部接続電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。具体的には、集合基板状態の絶縁基材層１１，１２，１３，１４の片側主面（裏面）に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。これにより、絶縁基材層１１の裏面にコイル導体パターン３１および導体２１を形成し、絶縁基材層１２の裏面にコイル導体パターン３２および外部接続電極Ｐ１を形成し、絶縁基材層１３の裏面にコイル導体パターン３３を形成し、絶縁基材層１４の裏面に外部接続電極Ｐ２を形成する。

絶縁基材層１１，１２，１３，１４は例えばポリイミド（ＰＩ）や液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を主材料とする樹脂（熱可塑性樹脂）シートである。

また、複数の絶縁基材層１２，１３，１４には、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２が形成される。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２は、絶縁基材層１２，１３，１４にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱加圧で硬化させることによって設けられる。そのため、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２は、後の加熱加圧の温度よりも融点（溶融温度）が低い材料とする。

（２）次に、上部金型および下部金型（図５における金型１ａ，２ａを参照）を用いて、積層方向（Ｚ軸方向）に向かって、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４を加熱加圧する。具体的には、下部金型の上に、複数の絶縁基材層１４，１３，１２，１１の順に積層した後、上部金型および下部金型を用いて、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４を加熱加圧して積層体を形成する。

（３）その後、上部金型および下部金型から集合基板状態の積層体を取り外し、集合基板状態の積層体を分断することで、個別の多層基板１０１を得る。

この製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４を一括プレスすることにより、積層体１０を容易に形成できる。そのため、多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次のように用いられる。図３は、多層基板１０１を備える通信モジュール２０１の回路図である。図３において、多層基板１０１が備えるコイル３をコイルアンテナＡＮＴで表している。

通信モジュール２０１は、コイルアンテナＡＮＴ（多層基板１０１）、キャパシタＣ１およびＩＣ４を備える。図３に示すように、ＩＣ４にコイルアンテナＡＮＴが接続され、コイルアンテナＡＮＴにキャパシタＣ１が並列接続されている。ＩＣ４、キャパシタＣ１および多層基板１０１は、図示しない回路基板に実装され、回路基板に形成される導体パターンにより電気的に接続される。多層基板１０１は、外部接続電極（図１（Ａ）における外部接続電極Ｐ１，Ｐ２）を、はんだ等の導電性接合材を介して回路基板に接合することによって、回路基板に接続される。

図３に示すコイルアンテナＡＮＴとキャパシタＣ１とＩＣ４自信が持つ容量成分とで、ＬＣ共振回路が構成される。ＩＣ４は、例えばパッケージングされたＲＦＩＣチップ（ベアチップ）である。キャパシタＣ１は、例えばチップ型キャパシタ等である。

なお、図３では、キャパシタＣ１が、回路基板に実装されるチップ型キャパシタである例を示したが、これに限定されるものではない。キャパシタＣ１は、例えば多層基板１０１に実装されていてもよい。また、キャパシタＣ１はチップ部品に限定されるものではない。キャパシタＣ１は、例えば、複数の絶縁基材層に形成される、互いに対向する導体パターン間に形成される層間容量であってもよい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、ダミー導体パターンを備える多層基板の例を示す。

図４（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図であり、図４（Ｂ）は多層基板１０２の平面図である。図５は、多層基板１０２の分解平面図である。なお、図５では、構造を分かりやすくするため、コイル導体パターン３１，３２，３３をドットパターンで示している。

多層基板１０２は、ダミー導体パターン４１，４２および層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２を備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。多層基板１０２の他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

ダミー導体パターン４１は、絶縁基材層１２の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。ダミー導体パターン４２は、絶縁基材層１３の第２辺（図４における絶縁基材層１３の右辺）付近に配置される矩形の導体パターンである。

また、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２は、絶縁基材層１３に形成されている。また、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２は、積層体１０の第１領域Ｆ１に形成されている。ダミー導体パターン４１，４２は、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２を介して接続されている。

本実施形態に係る層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２が、本発明における「第２層間接続導体」に相当する。

本実施形態では、図４（Ａ）および図４（Ｂ）等に示すように、ダミー導体パターン４１，４２が、Ｚ軸方向から視て、段差部ＳＰに沿って近接する位置に配置されている。本実施形態では、ダミー導体パターン４１が、Ｚ軸方向から視て、段差部ＳＰに跨るように配置されている。図４（Ｂ）に示すように、ダミー導体パターン４１，４２は、コイル３の巻回軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）から視て、コイル開口ＯＰに重なっていない。

ここで、「ダミー導体パターンが段差部に近接する位置に配置される」とは、ダミー導体パターンの少なくとも一部が、部分ＡＤＰと段差部ＳＰとの間に配置されることを言う。また、「ダミー導体パターンが段差部に沿って配置される」とは、ダミー導体パターンの外縁のうち、段差部ＳＰに沿った部分が段差部ＳＰの全長の１／２以上となるように、ダミー導体パターンが配置されることを言う。

また、本実施形態では、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２（第２層間接続導体）が、Ｚ軸方向から視て、段差部ＳＰに近接する位置に配置されている。

ここで、「第２層間接続導体が段差部に近接する位置に配置される」とは、第２層間接続導体が、部分ＡＤＰと段差部ＳＰとの間に配置されることを言う。

本実施形態に係る多層基板１０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ｃ）本実施形態では、ダミー導体パターン４１，４２が、Ｚ軸方向から視て、段差部ＳＰに近接して配置されている。この構成では、段差部ＳＰとコイル３との間に存在するダミー導体パターン４１，４２によって、加熱加圧時における段差部ＳＰ近傍の絶縁基材層の流動がさらに抑制される。そのため、この構成により、加熱加圧時に、段差部ＳＰ近傍に位置するコイル導体パターンの位置ずれや変形等はさらに抑制され、コイル導体パターン位置ずれや変形等に伴うコイルの特性変化がさらに抑制される。

（ｄ）また、本実施形態で示したように、ダミー導体パターン４１，４２は、Ｚ軸方向から視て、段差部ＳＰに沿って近接する位置に配置されることが好ましい。この構成により、加熱加圧時における段差部ＳＰ近傍の絶縁基材層の流動が、より効果的に抑制される。

（ｅ）本実施形態では、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２（第２層間接続導体）が、Ｚ軸方向から視て、段差部ＳＰに沿って近接する位置に配置されている。この構成では、コイル３と段差部ＳＰとの間に、加熱加圧時にコイル導体パターンよりも位置ずれを生じ難い層間接続導体（第２層間接続導体）が配置される。そのため、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２によって、加熱加圧時における段差部ＳＰ近傍の絶縁基材層の流動がさらに抑制される。

なお、第２層間接続導体の数は複数であることが好ましい。複数の第２層間接続導体を、段差部ＳＰに沿って近接する位置に配置することにより、加熱加圧時における段差部ＳＰ近傍の絶縁基材層の流動を効果的に抑制できる。

（ｆ）また、本実施形態では、ダミー導体パターン４１が、Ｚ軸方向から視て、段差部ＳＰに跨るように配置されている。この構成により、ダミー導体パターンが段差部ＳＰに跨るように配置されていない場合に比べ、加熱加圧時における段差部ＳＰ近傍の絶縁基材層の流動（例えば、加熱加圧時に、第１領域Ｆ１から第２領域Ｆ２に向かって移動する絶縁基材層の流動）がさらに抑制される。また、この構成により、積層体１０を形成した後の、段差部ＳＰ近傍の機械的強度を高めることできる。さらに、この構成により、段差部ＳＰ近傍の第２領域Ｆ２を容易に塑性変形（曲げ加工）可能な多層基板を実現できる。

なお、本実施形態で示したように、ダミー導体パターン４１，４２は、Ｚ軸方向から視て、コイル３のコイル開口ＯＰに重ならないことが好ましい。この構成により、ダミー導体パターンがコイル３による磁界の形成を妨げてしまうことを抑制できる。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体１０が矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の平面形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、クランク形、Ｌ字形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、４つの絶縁基材層１１，１２，１３，１４を積層して形成される積層体の例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁基材層の積層数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体を形成する絶縁基材層の積層数は、例えば２つまたは３つでもよく、５つ以上でもよい。さらに、第１領域Ｆ１の絶縁基材層の積層数、および第２領域Ｆ２の絶縁基材層の積層数についても、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して加熱加圧することにより、積層体を形成する例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁基材層の間に、接合層（例えば、半硬化状態のプリプレグ樹脂）を挟んで積層したものを加熱加圧することにより積層体を形成してもよい。

また、以上に示した各実施形態では、Ｚ軸方向に巻回軸ＡＸを有する３ターン弱の矩形ヘリカル状のコイル３が構成される例を示したが、コイルの形状、ターン数等はこれに限定されるものではない。コイルの外形、構成およびターン数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。コイルは、例えばスパイラル状の複数のコイル導体パターンを層間接続導体で接続する構成であってもよい。コイルの外形（巻回軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）から視たコイルの外形）は、矩形に限定されるものではなく、例えば円形、楕円形等であってもよい。また、コイルの巻回軸ＡＸはＺ軸方向に完全に一致している必要はない。

以上に示した各実施形態では、全てのコイル導体パターン３１，３２，３３が、Ｚ軸方向から視て、互いに略重なるように配置されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。複数のコイル導体パターンは、Ｚ軸方向から視て、少なくとも一部が互いに重なるように配置される構成であってもよい。

さらに、以上に示した各実施形態では、コイルが、３つの絶縁基材層にそれぞれ形成される３つのコイル導体パターンを含んで構成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。コイルは、２以上の絶縁基材層にそれぞれ形成される２以上のコイル導体パターンを含んで構成されていればよい。すなわち、コイルを構成するコイル導体パターンの数は、２以上であればよい。

以上に示した各実施形態では、１つの第１領域Ｆ１と１つの第２領域とを有する積層体の例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１領域Ｆ１および第２領域Ｆ２の形状、個数、位置等は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。例えば、第１領域Ｆ１の数が複数であってもよく、第２領域Ｆ２の数が複数であってもよい。すなわち、段差部ＳＰの数が複数であってもよい。

なお、段差部ＳＰの数が複数である場合には、コイル導体パターンのうち、それぞれの段差部に沿って近接する部分に、第１層間接続導体が配置されることが好ましい。

以上に示した各実施形態では、コイルのみ備える多層基板の例を示したが、多層基板（積層体）に形成される回路構成はこれに限定されるものではない。積層体に形成される回路は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。例えば、導体パターンで形成されたキャパシタや各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）が、積層体に形成されていてもよい。また、例えば、チップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品が、積層体に実装されていてもよい。

また、外部接続電極の個数、配置および形状等は、第１・第２の実施形態で示した構成に限定されるものではない。外部接続電極の個数および配置は、積層体に形成される回路に応じて適宜変更かのうである。また、外部接続電極の平面形状は、矩形に限定されるものではなく、例えば正方形、多角形、円形、楕円形、Ｔ字形、Ｌ字形等であってもよい。

なお、第１の実施形態では、はんだ等の導電性接合材を介して、多層基板の外部接続電極を回路基板等に接続する例を示したが、この構成に限定されるものではない。多層基板は、例えばコネクタを用いて回路基板等に接続されていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＮＴ…コイルアンテナ
Ｃ１…キャパシタ
ＡＸ…コイルの巻回軸
Ｆ１…第１領域
Ｆ２…第２領域
ＯＰ…コイル開口
Ｐ１，Ｐ２…外部接続電極
ＳＰ，ＳＰ１ａ，ＳＰ２ａ…段差部
ＡＤＰ…コイル導体パターンのうち、段差部に沿って近接する部分
Ｖ１，Ｖ２…層間接続導体
Ｖ１１，Ｖ１２…層間接続導体（第１層間接続導体）
Ｖ２１，Ｖ２２…層間接続導体（第２層間接続導体）
ＶＳ１…積層体の第１主面
ＶＳ２Ａ，ＶＳ２Ｂ…積層体の第２主面
１ａ，２ａ…金型
３…コイル
４…ＩＣ
１０…積層体
１１，１１ａ，１２，１２ａ，１３，１３ａ，１４，１４ａ，１５ａ…絶縁基材層
２１…導体
３１，３２，３３…コイル導体パターン
４１，４２…ダミー導体パターン
１０１，１０２…多層基板
２０１…通信モジュール

Claims (6)

1. 樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層が積層されて形成され、第１領域、および前記第１領域よりも前記絶縁基材層の積層数が少ない第２領域を有する積層体と、
   前記複数の絶縁基材層の積層数の相違により前記第１領域と前記第２領域との境界に形成される段差部と、
   前記第１領域に形成されるコイルと、
   を備え、
   前記コイルは、前記複数の絶縁基材層のうち２以上の絶縁基材層に形成される複数のコイル導体パターンと、前記絶縁基材層に形成され、前記複数のコイル導体パターン同士を接続する第１層間接続導体と、を含んで構成され、
   前記複数のコイル導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、少なくとも一部が互いに重なるように配置され、
   前記第１層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記複数のコイル導体パターンのうち、前記段差部に沿って近接する部分に配置される、多層基板。
2. 前記絶縁基材層に形成されるダミー導体パターンを備え、
   前記ダミー導体パターンは、前記積層方向から視て、前記段差部に近接する位置に配置される、請求項１に記載の多層基板。
3. 前記ダミー導体パターンは、前記積層方向から視て、前記段差部に沿って配置される、請求項２に記載の多層基板。
4. 前記ダミー導体パターンは、前記積層方向から視て、前記段差部を跨るように配置される、請求項２または３に記載の多層基板。
5. 前記ダミー導体パターンは、前記複数の絶縁基材層のうち２以上の絶縁基材層に形成される複数のダミー導体パターンであり、
   前記第１領域に形成され、前記複数のダミー導体パターン同士を接続する第２層間接続導体を備え、
   前記第２層間接続導体は、前記積層方向から視て、前記段差部に近接する位置に配置される、請求項２から４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記複数の絶縁基材層は、熱可塑性樹脂からなる、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。

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