CN205984897U - 一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，包括封装体和二极管本体，二极管本体置于封装体内部，二极管本体包括芯片、金属触点和引线，金属触点分别设在芯片的上、下表面，芯片的左右两侧分别设有引脚，芯片的上下方金属触点通过引线分别和左右两侧引脚电性连接，引脚尾部延伸至封装体的外部,引脚尾部的外表面设有松香层，所述松香层远离封装体的一端设有锡块，锡块上设有凸纹。本实用新型的有益效果是：采用二次扩散工艺，改善表面欧姆接触层的合金质量和可焊性，提高了芯片的耐压性和可靠性；引脚尾部设置松香层和锡块，便于后期焊接二极管时能够减少在引脚加锡的步骤；封装体表面添加降温层，避免二极管在长时间工作中由于温度过高而导致损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管技术领域，特别是涉及一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管。
背景技术
二极管的分类有很多种，其中一种是使用快恢复芯片的二极管，简称快恢复二极管。快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点，多用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。然而，用于高频整流二极管时，其中的整流芯片由于其结构与工艺的特殊性，有其结构上的优点与不足，根据扩散原理，P+型扩散层杂质会往内部继续迁移，影响金属导电层表面合金效果，这样的金属导电层欧姆接触不好，影响器件电性能。而且，工作环境温度的上升和二极管自身的发热，也会导致二极管电性能不稳定。同时，二极管在焊接时因金属部分的融合性不好，不利于焊接，从而影响二极管的使用。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，通过在进行P区质扩散时采用二次扩散工艺，即P-型扩散层和P+型扩散层，提高了P区载流子有效浓度，改善表面欧姆接触层的合金质量和可焊性，同时，既能保证芯片的电性能，又可以防止芯片短路，提高了芯片的耐压性和可靠性；引脚尾部设置松香层和锡块，便于后期焊接二极管时能够减少在引脚加锡的步骤；在封装体表面添加降温层，避免二极管在长时间工作中由于温度过高而导致损坏。
本实用新型采用的技术方案为：一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，包括封装体和二极管本体，所述二极管本体置于封装体内部，所述二极管本体包括芯片、金属触点和引线，所述金属触点分别设在芯片的上、下表面，所述芯片的左右两侧分别设有引脚，所述芯片的上方金属触点通过引线和左侧引脚电性连接，所述芯片的下方金属触点通过引线和右侧引脚电性连接，所述引脚尾部延伸至封装体的外部,所述引脚尾部的外表面设有松香层，所述松香层远离封装体的一端设有锡块，所述锡块设有凸纹。
作为优选方式，所述芯片从上往下依次包括N+型扩散层、N-型扩散层、P-型扩散层和P+型扩散层，所述N-型扩散层和P-型扩散层之间的接触面设为PN结，所述芯片的上表面的左右两侧开设有凹槽，所述左右两侧的凹槽将芯片的上表面分割为位于芯片中间的第一台阶以及分设在芯片两侧边缘的第二台阶，所述第二台阶的上表面低于第一台阶的上表面，所述PN结暴露在凹槽的侧壁上，所述第二台阶的上表面、凹槽的底部和凹槽的侧壁上均设有玻璃钝化层。
作为优选方式，所述芯片的左右两侧分别设有DAF膜，所述DAF膜设为耐高温绝缘膜，所述DAF膜的厚度设为不大于25μm，所述引脚通过DAF膜固定在芯片的左右两侧。
作为优选方式，所述第二台阶的上表面和第一台阶的上表面的高度差设为10μm-30μm。
作为优选方式，第一台阶的上表面和芯片的下表面均设有金属导电层。
作为优选方式，所述锡块和二极管本体的距离设为4mm-4.5mm。
作为优选方式，所述引脚尾部延伸至封装体外部部分设为扁平状。
作为优选方式，所述引脚尾部的末端呈锥状，锥状处设有螺纹。
作为优选方式，所述封装体外表面设有降温层，其厚度不大于1mm。
本实用新型的有益效果是：
1、在P区扩散时采用二次扩散工艺，形成四层结构的芯片结构，改善了表面金属导电层的合金质量，降低了接触电阻，提高了可焊性，增加了有效载流面积和P区载流子浓度，芯片电流密度、耐压、功率等均有很大的提高；
2、由于第二台阶低于第一台阶且在第二台阶的上表面上设有玻璃钝化层，在第二台阶处切割芯片不会对玻璃钝化层造成隐裂以及崩角的问题，既可以提高切割速度，又可以防止芯片短路，并有利于装配，提高了芯片的耐压性、可靠性及电性能。
3、在引脚尾部设置松香层和锡块，便于后期焊接二极管时能够减少在引脚加锡的步骤；
4、在封装体表面添加降温层，避免二极管在长时间工作中由于温度过高导致损坏。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型芯片的结构示意图。
其中：
封装体-1 二极管本体-2 芯片-3
金属触点-4 引脚-5 DAF膜-6
引脚-7 松香层-8 锡块-9
降温层-10 N+型扩散层-31 N-型扩散层-32
P-型扩散层-33 P+型扩散层-34 凹槽-35
第一台阶-36 第二台阶-37 玻璃钝化层-38
金属导电层-39 PN结-40
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型的技术方案进行说明。
参照图1和图2所示，一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，包括封装体1和二极管本体2，所述二极管本体2置于封装体1内部，所述二极管本体2包括芯片3、金属触点4和引线5，所述金属触点4分别设在芯片3的上、下表面，所述芯片3的左右两侧分别设有引脚7，所述芯片3的上方金属触点4通过引线5和左侧引脚7电性连接，所述芯片3的下方金属触点4通过引线5和右侧引脚7电性连接，所述引脚7尾部延伸至封装体1的外部,所述引脚7尾部的外表面设有松香层8，所述松香层8远离封装体1的一端设有锡块9，所述锡块9设有凸纹。在引脚7尾部设置松香层8和锡块9，便于后期焊接二极管时能够减少在引脚7加锡的步骤。
所述芯片3从上往下依次包括N+型扩散层31、N-型扩散层32、P-型扩散层33和P+型扩散层34，所述N-型扩散层32和P-型扩散层33之间的接触面设为PN结40，所述芯片3的上表面的左右两侧开设有凹槽35，所述左右两侧的凹槽35将芯片3的上表面分割为位于芯片3中间的第一台阶36以及分设在芯片3两侧边缘的第二台阶37，所述第二台阶37的上表面低于第一台阶36的上表面，所述PN结40暴露在凹槽35的侧壁上，所述第二台阶37的上表面、凹槽35的底部和凹槽35的侧壁上均设有玻璃钝化层38。在芯片3制作工序中，在进行P区质扩散时采用二次扩散工艺，即P-型扩散层33和P+型扩散层34，提高了P区载流子有效浓度，改善表面欧姆接触层的合金质量和可焊性，同时，既能保证芯片3的电性能，又可以防止芯片3短路，提高了芯片3的耐压性和可靠性。
所述芯片3的左右两侧分别设有DAF膜6，所述DAF膜6设为耐高温绝缘膜，所述DAF膜6的厚度设为不大于25μm，所述引脚7通过DAF膜6固定在芯片3的左右两侧。
所述第二台阶37的上表面和第一台阶36的上表面的高度差设为10μm-30μm。
所述第一台阶36的上表面和芯片3的下表面均设有金属导电层39。
所述锡块9和二极管本体2的距离设为4mm-4.5mm，便于后期焊接。
所述所述引脚7尾部延伸至封装体1外部部分设为扁平状，便于后期焊接。
所述引脚7尾部的末端呈锥状，锥状处设有螺纹，便于引脚更好地焊接在电路板上。
所述封装体1外表面设有降温层10，其厚度不大于1mm。在封装体1的外表面增加了降温层10，可以有效降低二极管本体2工作时的温度，提升二极管本体2的可靠性。
上述实施例仅是显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
Claims (9)
1.一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：包括封装体(1)和二极管本体(2)，所述二极管本体(2)置于封装体(1)内部，所述二极管本体(2)包括芯片(3)、金属触点(4)和引线(5)，所述金属触点(4)分别设在芯片(3)的上、下表面，所述芯片(3)的左右两侧分别设有引脚(7)，所述芯片(3)的上方金属触点(4)通过引线(5)和左侧引脚(7)电性连接，所述芯片(3)的下方金属触点(4)通过引线(5)和右侧引脚(7)电性连接，所述引脚(7)尾部延伸至封装体(1)的外部,所述引脚(7)尾部的外表面设有松香层(8)，所述松香层(8)远离封装体(1)的一端设有锡块(9)，所述锡块(9)设有凸纹。
2.根据权利要求1所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：所述芯片(3)从上往下依次包括N+型扩散层(31)、N-型扩散层(32)、P-型扩散层(33)和P+型扩散层(34)，所述N-型扩散层(32)和P-型扩散层(33)之间的接触面设为PN结(40)，所述芯片(3)的上表面的左右两侧开设有凹槽(35)，所述左右两侧的凹槽(35)将芯片(3)的上表面分割为位于芯片(3)中间的第一台阶(36)以及分设在芯片(3)两侧边缘的第二台阶(37)，所述第二台阶(37)的上表面低于第一台阶(36)的上表面，所述PN结(40)暴露在凹槽(35)的侧壁上，所述第二台阶(37)的上表面、凹槽(35)的底部和凹槽(35)的侧壁上均设有玻璃钝化层(38)。
3.根据权利要求1所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：所述芯片(3)的左右两侧分别设有DAF膜(6)，所述DAF膜(6)设为耐高温绝缘膜，所述DAF膜(6)的厚度设为不大于25μm，所述引脚(7)通过DAF膜(6)固定在芯片(3)的左右两侧。
4.根据权利要求2所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：所述第二台阶(37)的上表面和第一台阶(36)的上表面的高度差设为10μm-30μm。
5.根据权利要求2所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：第一台阶(36)的上表面和芯片(3)的下表面均设有金属导电层(39)。
6.根据权利要求1所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：所述锡块(9)和二极管本体(2)的距离设为4mm-4.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：所述引脚(7)尾部延伸至封装体外部部分设为扁平状。
8.根据权利要求1所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：所述引脚(7)尾部的末端呈锥状，所述引脚(7)尾部的末端锥状处设有螺纹。
9.根据权利要求1所述的一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管，其特征在于：所述封 装体(1)外表面设有降温层(10)，其厚度不大于1mm。
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| CN201620911711.9U CN205984897U (zh) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195592A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-09-22 | 如皋市大昌电子有限公司 | 一种快恢复高压管 |
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2016
- 2016-08-19 CN CN201620911711.9U patent/CN205984897U/zh active Active
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