CN203027230U - 一种抗干扰复位电路 - Google Patents

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谢卫国
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Jiangsu Gelite Electronics Co ltd
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JIANGSU GELITE ELECTRONICS CO Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种抗干扰复位电路，涉及集成电路设计领域，包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管，所述PMOS管和电容器的连接点与第一反相器、第二反相器、第三反相器串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端连接外电路，所述PMOS管的栅极连接于第二反相器和第三反相器的连接点。本实用新型利用PMOS管的特性，在复位过程结束后关闭PMOS管，使电源的波动不影响电容的电量，达到提高抗干扰性的目的；而且结构简单，实施方便，不影响芯片的成本。

Description

一种抗干扰复位电路
技术领域
本实用新型涉及集成电路设计领域，具体涉及一种复位电路。 
背景技术
在集成电路的设计中，芯片的抗干扰问题不容忽视，在芯片带动较大的驱动电路时，驱动会对电源产生影响；复位电路的功能是保证芯片能够正常初始化，在利用电容的电压不突变原理，通过P-MOS管对电源充电实现初始化功能的复位电路中，由于P-MOS管处于导通状态，如果电源波动较大，或波动时间较长，会使内部电路产生误复位，造成芯片的功能混乱。 
发明内容
本实用新型要解决的问题是提供一种抗干扰复位电路，可以解决现有技术因P-MOS管导通，在电源波动情况下导致内部电路误复位的问题。 
本实用新型通过以下技术方案实现： 
一种抗干扰复位电路，包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管，所述PMOS管和电容器的连接点与第一反相器、第二反相器、第三反相器串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端连接外电路，所述PMOS管的栅极连接于第二反相器和第三反相器的连接点。
本实用新型与现有技术相比的优点在于： 
一、利用PMOS管的特性，在复位过程结束后关闭PMOS管，使电源的波动不影响电容的电量，达到提高抗干扰性的目的；
二、结构简单，实施方便，不影响芯片的成本。
附图说明
图1为现有技术的复位电路的电路结构图。 
图2为本实用新型所述的抗干扰复位电路的电路结构图。 
具体实施方式
如图1所示的复位电路，包括源极与电源6连接、漏极与一端接地的电容器2连接的PMOS管1，所述PMOS管1和电容器2的连接点与第一反相器3、第二反相器4、第三反相器5串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端7连接外电路，所述PMOS管1的栅极接地。 
如图2所示的抗干扰复位电路，与图1相比的区别在于：PMOS管1的栅极连接于第二反相器4和第三反相器5的连接点。当芯片通电时，电容器2两端的电压为0，经过第一反相器3、第二反相器4控制PMOS管1导通对电容器2进行充电使芯片进入复位状态，复位过程结束后，电容器2上电压为VDD，经过第一反相器3、第二反相器4切断PMOS管，电容器2上的电压VDD保持，即使电源6的电压有波动，也不会对电容器2上的电压产生影响，芯片也就不会有误复位的情况，达到提高抗干扰性的目的。 

Claims (1)

1.一种抗干扰复位电路，包括源极与电源（6）连接、漏极与一端接地的电容器（2）连接的PMOS管（1），所述PMOS管（1）和电容器（2）的连接点与第一反相器（3）、第二反相器（4）、第三反相器（5）串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端（7）连接外电路，其特征在于：所述PMOS管（1）的栅极连接于第二反相器（4）和第三反相器（5）的连接点。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102983845A (zh) * 2012-11-22 2013-03-20 江苏格立特电子有限公司 一种抗干扰复位电路
CN104283534A (zh) * 2014-10-31 2015-01-14 苏州大学 一种抗干扰复位电路

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Patentee after: Xie Weiguo

Address before: 223900, Jiangsu, Suqian province Sihong County Construction North Road and Jinsha River Road Electronic Industrial Park, No. 10 factory building

Patentee before: JIANGSU GELITE ELECTRONICS Co.,Ltd.

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