CN102983845A - 一种抗干扰复位电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗干扰复位电路,涉及集成电路设计领域,包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管,所述PMOS管和电容器的连接点与反相器串联构成的放大电路的输入端连接,所述放大电路的输出端连接外电路,所述PMOS管的栅极连接于反相器和反相器的连接点。本发明利用PMOS管的特性,在复位过程结束后关闭PMOS管,使电源的波动不影响电容的电量,达到提高抗干扰性的目的;而且结构简单,实施方便,不影响芯片的成本。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路设计领域,具体涉及一种复位电路。
背景技术
在集成电路的设计中,芯片的抗干扰问题不容忽视,在芯片带动较大的驱动电路时,驱动会对电源产生影响;复位电路的功能是保证芯片能够正常初始化,在利用电容的电压不突变原理,通过P-MOS管对电源充电实现初始化功能的复位电路中,由于P-MOS管处于导通状态,如果电源波动较大,或波动时间较长,会使内部电路产生误复位,造成芯片的功能混乱。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种抗干扰复位电路,可以解决现有技术因P-MOS管导通,在电源波动情况下导致内部电路误复位的问题。
本发明通过以下技术方案实现:
一种抗干扰复位电路,包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管,所述PMOS管和电容器的连接点与反相器串联构成的放大电路的输入端连接,所述放大电路的输出端连接外电路,所述PMOS管的栅极连接于反相器和反相器的连接点。
本发明与现有技术相比的优点在于:
一、利用PMOS管的特性,在复位过程结束后关闭PMOS管,使电源的波动不影响电容的电量,达到提高抗干扰性的目的;
二、结构简单,实施方便,不影响芯片的成本。
附图说明
图1为现有技术的复位电路的电路结构图。
图2为本发明所述的抗干扰复位电路的电路结构图。
具体实施方式
如图1所示的复位电路,包括源极与电源6连接、漏极与一端接地的电容器2连接的PMOS管1,所述PMOS管1和电容器2的连接点与反相器3、4、5串联构成的放大电路的输入端连接,所述放大电路的输出端7连接外电路,所述PMOS管1的栅极接地。
如图2所示的抗干扰复位电路,与图1相比的区别在于:PMOS管1的栅极连接于反相器4和反相器5的连接点;当芯片通电时,电容器2两端的电压为0,经过两个反相器3、4控制PMOS管1导通对电容器2进行充电使芯片进入复位状态,复位过程结束后,电容器2上电压为VDD,经过3、4反相器切断PMOS管,电容器2上的电压VDD保持,即使电源6的电压有波动,也不会对电容器2上的电压产生影响,芯片也就不会有误复位的情况,达到提高抗干扰性的目的。
Claims (1)
1. 一种抗干扰复位电路,包括源极与电源(6)连接、漏极与一端接地的电容器(2)连接的PMOS管(1),所述PMOS管(1)和电容器(2)的连接点与反相器(3、4、5)串联构成的放大电路的输入端连接,所述放大电路的输出端(7)连接外电路,其特征在于:所述PMOS管(1)的栅极连接于反相器(4)和反相器(5)的连接点。
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CN2012104759977A CN102983845A (zh) | 2012-11-22 | 2012-11-22 | 一种抗干扰复位电路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2012
- 2012-11-22 CN CN2012104759977A patent/CN102983845A/zh active Pending
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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C05 | Deemed withdrawal (patent law before 1993) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130320 |