CN102983845A - 一种抗干扰复位电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种抗干扰复位电路，涉及集成电路设计领域，包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管，所述PMOS管和电容器的连接点与反相器串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端连接外电路，所述PMOS管的栅极连接于反相器和反相器的连接点。本发明利用PMOS管的特性，在复位过程结束后关闭PMOS管，使电源的波动不影响电容的电量，达到提高抗干扰性的目的；而且结构简单，实施方便，不影响芯片的成本。

Description

一种抗干扰复位电路
技术领域
本发明涉及集成电路设计领域，具体涉及一种复位电路。
背景技术
在集成电路的设计中，芯片的抗干扰问题不容忽视，在芯片带动较大的驱动电路时，驱动会对电源产生影响；复位电路的功能是保证芯片能够正常初始化，在利用电容的电压不突变原理，通过P-MOS管对电源充电实现初始化功能的复位电路中，由于P-MOS管处于导通状态，如果电源波动较大，或波动时间较长，会使内部电路产生误复位，造成芯片的功能混乱。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种抗干扰复位电路，可以解决现有技术因P-MOS管导通，在电源波动情况下导致内部电路误复位的问题。
本发明通过以下技术方案实现：
一种抗干扰复位电路，包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管，所述PMOS管和电容器的连接点与反相器串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端连接外电路，所述PMOS管的栅极连接于反相器和反相器的连接点。
本发明与现有技术相比的优点在于：
一、利用PMOS管的特性，在复位过程结束后关闭PMOS管，使电源的波动不影响电容的电量，达到提高抗干扰性的目的；
二、结构简单，实施方便，不影响芯片的成本。
附图说明
图1为现有技术的复位电路的电路结构图。
图2为本发明所述的抗干扰复位电路的电路结构图。
具体实施方式
如图1所示的复位电路，包括源极与电源6连接、漏极与一端接地的电容器2连接的PMOS管1，所述PMOS管1和电容器2的连接点与反相器3、4、5串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端7连接外电路，所述PMOS管1的栅极接地。
如图2所示的抗干扰复位电路，与图1相比的区别在于：PMOS管1的栅极连接于反相器4和反相器5的连接点；当芯片通电时，电容器2两端的电压为0，经过两个反相器3、4控制PMOS管1导通对电容器2进行充电使芯片进入复位状态，复位过程结束后，电容器2上电压为VDD，经过3、4反相器切断PMOS管，电容器2上的电压VDD保持，即使电源6的电压有波动，也不会对电容器2上的电压产生影响，芯片也就不会有误复位的情况，达到提高抗干扰性的目的。

Claims (1)

1. 一种抗干扰复位电路，包括源极与电源（6）连接、漏极与一端接地的电容器（2）连接的PMOS管（1），所述PMOS管（1）和电容器（2）的连接点与反相器（3、4、5）串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端（7）连接外电路，其特征在于：所述PMOS管（1）的栅极连接于反相器（4）和反相器（5）的连接点。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5703510A (en) * 1996-02-28 1997-12-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power on reset circuit for generating reset signal at power on
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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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