CN102568585B - 一种可靠执行数据销毁的硬件电路 - Google Patents

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Abstract

一种可靠执行数据销毁的硬件电路，该硬件电路包括单片机以及与单片机连接的延时触发电路、与延时触发电路连接的自锁电路和放电电路。本发明利用上电初始给数据销毁信号一个可靠的电平，利用延时触发电路实现电路的杂波滤除及时间延迟，通过自锁电路来保证信号的固定电平，通过放电电路实现自锁电路电荷的积累瞬间泄流问题，保证下次上电的可靠复位；利用上拉电阻把数据销毁信号上拉到VCC，在上电初始就能确保上电的初始状态，利用延迟电路可有效改善数据销毁信号的波形及信号的时间延迟提高其可靠性。

Description

一种可靠执行数据销毁的硬件电路
技术领域
本发明涉及一种针对电子盘可靠执行数据销毁的方法。具体是一种硬件延时触发电路及相关锁定电路。
背景技术
固态存储盘设备作为一种非易失性存储介质，以其存储密度大、携带方便、功耗低、掉电数据保持时间长及抗震性好等诸多优点，已广泛应用于电子类领域。数据销毁功能作为固态存储盘的特殊功能被应用于高度安全的环境。
数据销毁功能是通过外部触发信号的触发进行全盘数据销毁工作的，销毁的数据无法进行恢复，因此怎样有效、可靠的实现电子盘的数据销毁工作是至关重要的
发明内容
本发明的目的在于提供一种硬件电路的实现方法，解决了可靠的上电状态，杂波滤除、延时触发功能及电路的锁定。
本发明的技术解决方案是：
一种可靠执行数据销毁的硬件电路，其特殊之处在于，该硬件电路包括单片机以及与单片机连接的延时触发电路、与延时触发电路连接的自锁电路和放电电路；
所述延时触发电路包括固定数据销毁输入信号电压的上拉电阻，防高电平输入的二极管，及用于后级电路保护的PMOS；当有有效的数据销毁信号时给后级电容充电，通过调整电容的容值大小来控制时间的长短；
所述自锁电路通过延迟电路及稳压二极管把电压抬升到能够打开NMOS的开关电压；所述自锁电路由NMOS的D、S端相通与地线相连，触发数据销毁功能，把低电平直接引导延迟电路的输入端形成；
所述放电电路通过电阻与三极管组建；当电源电压掉电后三极管E、C端导通把延迟电路的电荷快速释放掉；
利用NMOS管及电容器来控制及管理充电时间以达到延迟目的，可通过调整电容的容值来调整时间的长短；通过延迟电路中电容的电压开启PMOS管形成自锁电路；保证信号的固定电平；放电电路实现自锁电路电荷的积累瞬间泄流问题，保证下次上电的可靠复位。
本发明利用上电初始给数据销毁信号一个可靠的电平，利用延时触发电路实现电路的杂波滤除及时间延迟，通过自锁电路来保证信号的固定电平，通过放电电路实现自锁电路电荷的积累瞬间泄流问题，保证下次上电的可靠复位。
利用上拉电阻把数据销毁信号上拉到VCC，在上电初始就能确保上电的初始状态，利用延迟电路可有效改善数据销毁信号的波形及信号的时间延迟提高其可靠性。
附图说明：
图1是本发明的电路示意框图；
图2是本发明的硬件延迟电路图
图3是本发明的放电电路图
图4是本发明的自锁电路图
图5是本发明的整体电路图
具体实施方式
参见图1及图5，一种可靠执行数据销毁的硬件电路，其特殊之处在于，该硬件电路包括单片机以及与单片机连接的延时触发电路、与延时触发电路连接的自锁电路和放电电路。
参见图2，延时触发电路包括固定数据销毁输入信号电压的上拉电阻，防高电平输入的二极管，及用于后级电路保护的PMOS；当有有效的数据销毁信号时给后级电容充电，通过调整电容的容值大小来控制时间的长短。
参见图4，自锁电路通过延迟电路及稳压二极管把电压抬升到能够打开NMOS的开关电压；所述自锁电路由NMOS的D、S端相通与地线相连，触发数据销毁功能，把低电平直接引导延迟电路的输入端形成；此后外界的数据销毁信号再怎样变化都不会影响到后级电路的输出状态。
参见图3，放电电路通过电阻与三极管组建；当固态存储盘断电后，延迟电路中积聚的电荷无法快速的释放掉，会影响固态存储盘的下次上电，因此当电源电压掉电后三极管E、C端导通把延迟电路的电荷快速释放掉。
本发明上电初始给数据销毁信号一个可靠的电平，把数据销毁信号上拉到VCC；利用NMOS管及电容器来控制及管理充电时间已达到延迟目的，可通过调整电容的容值来调整时间的长短；通过延迟电路中电容的电压开启PMOS管形成自锁反馈电路；保证信号的固定电平；放电电路实现自锁电路电荷的积累瞬间泄流问题，保证下次上电的可靠复位。

Claims (1)

1.一种可靠执行数据销毁的硬件电路，其特征在于，该硬件电路包括单片机以及与单片机连接的延时触发电路、与延时触发电路连接的自锁电路和放电电路；
所述延时触发电路包括固定数据销毁输入信号电压的上拉电阻，防高电平输入的二极管，及用于后级电路保护的PMOS；当有有效的数据销毁信号时给后级电容充电，通过调整电容的容值大小来控制时间的长短；
所述自锁电路通过延迟电路及稳压二极管把电压抬升到能够打开NMOS的开关电压；所述自锁电路由NMOS的D、S端相通与地线相连，触发数据销毁功能，把低电平直接引导延迟电路的输入端形成；
所述放电电路通过电阻与三极管组建；当电源电压掉电后三极管E、C端导通把延迟电路的电荷快速释放掉；
利用NMOS管及电容器来控制及管理充电时间以达到延迟目的，可通过调整电容的容值来调整时间的长短；通过延迟电路中电容的电压开启PMOS管形成自锁电路；保证信号的固定电平；放电电路实现自锁电路电荷的积累瞬间泄流问题，保证下次上电的可靠复位。
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