CN202534398U - 耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种漆包铜扁线,具体的说是涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线,包括导体,其特征在于:所述导体表面涂覆绝缘漆膜,形成漆包扁线,在所述漆包扁线上绕包绝缘层,绝缘层为耐电晕聚酰亚胺薄膜。本实用新型的优点在于,通过对铜扁线表面涂覆绝缘漆制成漆包铜扁线,再绕包上耐电晕聚酰亚胺薄膜经加热烘焙烧结,使薄膜与漆包铜扁线熔为一体。

Description

耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线
技术领域
本实用新型涉及一种漆包铜扁线,具体的说是涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线。
背景技术
漆包线用于变频电机的绕组线。但对于耐电晕漆包铜扁线,这种绕组线要求绝缘强度好,耐电晕性能好。此种铜扁线尤其应用于火力发电、风力发电、核潜电机等要求耐电晕要求很高的环境。 
现有专利中也有对铜扁线进行的改进,如申请号为200920042418.3,申请日为2009-6-19,名称为“一种耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结铜扁线”的实用新型专利,其技术方案为:一种耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结铜扁线,包括铜扁线、烧结在铜扁线表面的薄膜层,其特征在于所述的薄膜层为耐电晕聚酰亚胺薄膜。
上述专利文件中的耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结铜扁线由于只是在普通的铜扁线上直接烧结耐电晕聚酰亚胺薄膜,这种绕组线绝缘强度和耐电晕性能并不能很好的适应实际的应用需求。
发明内容
为了克服现有的铜扁线存在的无法承受高温、高压,并且机械性能有限的问题,现特别提出一种耐温等级高、耐电压等级高、并且机械性能强的耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线。
为实现上述发明目的,本实用新型的具体方案如下:
一种耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线,它包括导体,其特征在于:所述导体表面涂覆绝缘漆膜,形成漆包扁线,在所述漆包扁线上绕包绝缘层,绝缘层为耐电晕聚酰亚胺薄膜。
所述导体为铜导体。
所述漆包扁线为180级聚酯亚胺或者200级聚酯亚胺/聚酰胺酰亚胺复合型漆包铜扁线。
本实用新型的优点在于:
1、本实用新型的耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线,通过对铜扁线表面涂覆绝缘漆制成漆包铜扁线,再绕包上耐电晕聚酰亚胺薄膜经加热烘焙烧结,使薄膜与漆包铜扁线熔为一体。
2、本实用新型的耐温等级高、耐电压等级高、并且机械性能强。
3、在普通漆包线的基础上增加耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结,增加了耐电晕性能,同时提高了绝缘强度,电气强度。   
附图说明
图1是本实用新型的俯视剖面图。
附图中1、导体  2、绝缘漆膜  3、耐电晕聚酰亚胺薄膜。
具体实施方式
一种耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线,它包括导体,所述铜导体表面涂覆绝缘漆膜,形成漆包扁线,在所述漆包扁线上绕包绝缘层,绝缘层为耐电晕聚酰亚胺薄膜,铜导线外包括两种绝缘层,与铜导线接触的(内层)漆膜绝缘层,再在漆膜层的基础上(外层)为薄膜烧结层。导体为铜导体,漆包扁线为180级聚酯亚胺或者200级聚酯亚胺/聚酰胺酰亚胺复合型漆包铜扁线。
上述180级聚酯亚胺漆包线,这个是漆包线中的一种,200级聚酯亚胺/聚酰胺酰亚胺复合型漆包线是漆包线中的另外一种,200级复合型漆包线生产时内层采用聚酯亚胺、外层采用聚酰胺酰亚胺两种绝缘漆。 
本实用新型的具体生产如下:
1、铜扁线的生产:
选用conform挤制扁铜线,提高产品表面光洁度和使产品晶相结合更加密实。采用国际先进的Conform技术挤压铜扁线导体,保证其内部晶相结构紧密均匀,机械电气性能稳定一致。
2、漆包铜扁线的生产: 
由于漆包铜扁线在绕包耐电晕聚酰亚胺薄膜后还要经过高温加热烘焙,但不能影响它的性能指标,如击穿电压、柔韧性、附着性、热冲击等,因此要有很高的热性能,所以漆包铜扁线的耐温等级在180级以上,采用聚酯亚胺或聚酯亚胺/聚酰胺酰亚胺复合型漆包铜扁线。在铜导体表面涂覆绝缘漆,经多次涂漆烘焙固化后,形成漆膜。
3、薄膜绕包和烧结过程: 
耐电晕聚酰亚胺薄膜绕包和烧结过程是生产的最后工序,也是最关键的工序,采用薄膜具体耐电晕性能,优越于普通烧结薄膜,同时为使耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结后具有较强的抗拉强度和耐弯曲性能,一般采用搭接宽度为50%以上的重叠绕包方式,提高性能指标。绕包经过加热烘焙烧结后,使薄膜与漆包线融为一体,具有优良的电性能,又有良好的机械性能。

Claims (3)

1.一种耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线,它包括导体(1),其特征在于:所述导体(1)表面涂覆绝缘漆膜(2),形成漆包扁线,在所述漆包扁线上绕包绝缘层,绝缘层为耐电晕聚酰亚胺薄膜(3)。
2.根据权利要求1所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线,其特征在于:所述导体(1)为铜导体。
3.根据权利要求1所述的耐电晕聚酰亚胺薄膜烧结漆包铜扁线,其特征在于:所述漆包扁线为180级聚酯亚胺或者200级聚酯亚胺/聚酰胺酰亚胺复合型漆包铜扁线。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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