CN1928682A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种显示装置，其电路结构简单，即使在像素TFT的特性中出现温度变化、长期变化及个体离散等，也可以在最佳的驱动电压下驱动像素TFT。设置具有与设在像素中的像素TFT(11)相同的特性的特性检测用TFT(17)。特性检测用TFT(17)检测用来驱动像素TFT(11)的栅极导通电压Vgh。进而，以和像素TFT(11)处于导通状态的期间一致的方式，驱动特性检测用TFT(17)。

Description

显示装置
                      技术领域
本发明涉及使用了薄膜晶体管的显示装置。
                      背景技术
使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵显示器作为将液晶用于光控制或将有机EL作为光源等的薄膜显示装置，可以用于各种各样的用途。
典型的用途有PC的显示装置、汽车导航装置、ATM和POS等。其中，汽车导航装置或设在野外的ATM等是在非常宽范围的温度环境下使用，对显示装置也要求在很宽的温度范围内工作。
但是，当使用温度范围宽时，显示装置各部分的温度特性的变化会引起图像质量变差的问题。特别是在低温区域，存在由于设置在像素中的TFT的迁移率不足而得不到所期望的显示特性的情况。
若以LCD(液晶显示器)为例，则在使用现有的LCD的功能模块的情况下，TFT的驱动电压与使用条件(温度)无关，是固定的。因此，低温时，TFT的迁移率不足，因对像素的充电不足而使对比度明显降低。
为了解决这样的问题，在专利文献1中，公开了一项发明，使用热敏电阻等温度传感器检测温度，并生成与该温度相适应的像素TFT的驱动电压。
此外，在专利文献2记载的发明中，提出一种在显示区之外设置特性检测用像素，测定那里的辉度再使信号线和公共电压变化，从而设定最佳驱动条件的方式。
【专利文献1】特开2003-255304号公报
【专利文献2】特开平02-124530号公报
但是，如前所述，在使用热敏电阻等温度传感器检测温度并生成与该温度相适应的驱动电压的方法中，要吸收LCD间的TFT的特性离散(个体差异)非常困难。此外，不可能检测长时间使用后的TFT的长期变化。
因此，在专利文献1中，进一步公开了一种作为温度检测装置使用与设在显示装置的像素中的TFT(像素TFT)同时制作的特性检测用TFT，并通过监视其特性再进行反馈来决定最佳驱动条件的方式。
若按照该方式，虽然可以吸收TFT特性的个体差异，但是，特性检测用TFT始终是导通状态，会引起特性检测用TFT的阈值漂移。这样一来，特性检测用TFT和像素TFT变为别的完全不同的特性，失去了使用特性检测用TFT的意义。
在专利文献2记载的发明中，因特性检测用TFT和像素TFT在相同的条件下驱动，故可以解决前述的只有特性检测用TFT的特性偏差的问题。
但是，因必须设置辉度传感器，故除了显示装置的外形大之外，电路结构也变得复杂。
                        发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种显示装置，电路结构简单，即使像素TFT的特性中出现温度变化、长期变化及个体离散等，也可以在最佳的驱动电压下驱动像素TFT。
本发明的第1方面记载的显示装置，其特征在于：具有在衬底上呈矩阵状配置且在各像素中分别设有像素TFT的多个像素和在上述衬底上形成且具有和上述像素TFT相同的特性，并检测用来驱动上述像素TFT的导通电压或截止电压的特性检测用TFT，上述特性检测用TFT以和上述像素TFT处于导通状态的期间一致的方式被驱动。
若按照本发明的第1方面的显示装置，因在和上述像素TFT处于导通状态的期间一致的期间内驱动特性检测用TFT，故与像素电极一样，长期变化相同。因此，可以不必设置辉度传感器，能以简单的电路结构且与像素TFT的长期变化对应去控制像素TFT。
                        附图说明
图1是实施方式1的显示装置的方框图。
图2是用来说明实施方式1的特性检测用TFT向电源电路输出的检测电压的概略图。
图3是表示实施方式1的驱动像素TFT的时序的时序图。
图4是表示实施方式1的电源电路的结构的电路图。
图5是表示实施方式1的源极驱动输出电压的时间变化的图。
图6是表示实施方式1的n级并联连接的特性检测用TFT的结构的电路图。
图7是实施方式1的液晶像素的简化等效电路图。
图8是表示实施方式1的公共电压生成电路的结构的电路图。
图9是实施方式2的显示装置的方框图。
图10是表示实施方式2的特性检测用TFT的***电路的结构的电路图。
图11是表示实施方式3的特性检测用TFT的***电路的结构的电路图。
图12是表示实施方式3的公共电压生成电路的结构的电路图。
图13是表示实施方式4的特性检测用TFT的***电路的结构的电路图。
图14是表示实施方式5的栅极驱动电路的结构的电路图。
图15是表示实施方式6的显示装置的结构的电路图。
图16是用来说明实施方式6的显示装置的动作的图。
                    具体实施方式
【实施方式1】
<A.结构>
<A-1.整体结构>
图1是实施方式1的显示装置的方框图。形成的像素呈矩阵状配置在衬底的显示区(显示区域)12上，并分别设有作为n沟道MOSTFT的像素TFT。
像素电容10与像素TFT11的漏极连接。像素TFT11的栅极与按每一根扫描线(栅极引线)18对像素TFT11进行驱动的栅极驱动电路16连接。而且，决定对像素电容10施加的电压的源极驱动电路13经数据线19与像素TFT11的源极连接。
像素电容10的一端与像素TFT11的漏极连接，像素电容10的另一端与端子72连接。而且，对端子72施加后述的公共电压。
栅极驱动电路16和源极驱动电路13与控制信号电路14连接，由控制信号电路14供给的信号来控制。而且，源极驱动电路13与电源电路15连接，由电源电路15供给的驱动电源来驱动。
经连线L2从电源电路15向栅极驱动电路16供给栅极导通电压Vgh和栅极截止电压Vgl，栅极导通电压Vgh是像素TFT11导通时在其栅极施加的电压，栅极截止电压Vgl是像素TFT11截止时在其栅极施加的电压。
与像素TFT11不同的特性检测用TFT17(以下，有时单称作TFT17)经连线L1与电源电路15连接。特性检测用TFT17在上述衬底上使用和像素TFT11相同的工艺形成并具有同一特性。
特性检测用TFT17设在显示区12或显示区12之外。特性检测用TFT17经连线L1向电源电路15输出检测电压。特性检测用TFT17还与控制信号电路14连接。而且，控制信号电路14向特性检测用TFT17输出信号STV。
再有，源极驱动电路13、栅极驱动电路16、控制信号电路14和电源电路15可以在形成像素TFT11和特性检测用TFT17的衬底上同时形成，也可以在别的衬底上形成。
图2是用来说明实施方式1的特性检测用TFT17向电源电路15输出检测电压的概略图。
特性检测用TFT17的栅极(控制端子)在连接部23中与漏极(电流输入端子)连接。而且，特性检测用TFT17的源极接地。恒流源22的一端与连接部23连接。恒流源22的另一端与电源21连接。电源21的另一端接地。
这里，恒流源22和电源21包含在电源电路15(图1)内。在图1中，省略了恒流源22和电源21与特性检测用TFT17的漏极连接的连线。在图2中向特性检测用TFT17输入信号STV的连线也被省略了。
而且，在连接部23中，特性检测用TFT17经连线L1与电源电路15连接。在连接部23中，由恒流源22对特性检测用TFT17施加恒定的偏置电流。
这时，若将特性检测用TFT17的漏·源间的电压Vds作为检测电压，在特性检测用TFT17的漏极电流Id的特性中，Id/Vgs与Id/Vds相比足够大，所以，检测电压大致反映流过偏置电流所必需的栅极导通电压Vgh。
因此，当将像素电容10的充电(像素充电)所必需的电流值作为偏置电流对恒流源22设定时，作为检测电压，从特性检测用TFT17自动生成像素TFT11导通时像素充电所必须的栅极导通电压Vgh。接着，检测电压经连线L1向电源电路15输出。
考虑各种误差因素，偏置电流值不必刚好是像素充电所必需的电流值，考虑到余量可以设定为比该值大一点的电流值，或者可以往少里设定，而在后级电路使电流值再上去一点。
但是，当用非晶硅形成特性检测用TFT17时，特性检测用TFT17始终处于导通状态，载流子被特性检测用TFT17的沟道俘获，出现作为增强型MOSFET的特性检测用TFT17的阈值向耗尽性MOSEFT漂移的现象。
当只有特性检测用TFT17的阈值漂移时，特性检测用TFT17和像素TFT11的特性出现差异，从特性检测用TFT17输出的检测电压恐怕不能充分驱动像素TFT11，这样很不好。
因此，构成为使特性检测用TFT17在和像素TFT11相同的条件下进行驱动。下面，说明使特性检测用TFT17在和像素TFT11相同的条件下进行驱动的结构。
图3是表示驱动像素TFT11的时序的时序图。像素TFT11典型地按图3所示的时序图来驱动。时钟信号CLKV是将1个水平周期作为周期的时钟信号。而且，信号STV是表示扫描开始时间的启动脉冲。
当信号STV变成ON时，从配置在显示区12的第1行的像素TFT11的栅极开始，依次导通，当第2行导通时第1行截止。此外，在下一帧(1个垂直周期之后)重复同样的动作。
即，当着眼于显示区12的某像素TFT11时，该像素TFT11在1个垂直周期内，在1个水平周期的ON信号输入的期间导通1次。
特性检测用TFT17也可以像这样来驱动，所以，例如可以使用信号STV，在信号STV为OFF时，使特性检测用TFT17的栅极电压与栅极截止电压Vgl同步。
<A-2.电源电路15的结构>
其次，说明实现以上说明了的动作的电源电路15和特性检测用TFT17的具体结构。图4是表示电源电路15和特性检测用TFT17的具体结构的简化电路图。这里，对和图2对应的结构要素使用同一符号。
图4所示的电源电路15是由输入的电源电压VCC生成源极驱动电路14和灰度基准电压中使用的模拟电压VDDA、栅极截止电压Vgl(以下，有时又称作电压Vgl或截止电压Vgl)和栅极导通电压Vgh(以下，有时又称作电压Vgh或导通电压Vgh)的电路。
栅极导通电压Vgh和栅极截止电压Vgl被输入到栅极驱动电路16，分别变成像素TFT11的栅极导通或截止时的电压。此外，在图4中，特性检测用TFT17之外的部分包含在电源电路15(参照图1)中。
这里，在图1中，为简便起见，信号STV是从控制信号电路14直接输入到特性检测用TFT17，但是，实际上，是经过包含在电源电路15中的电路35才输入到特性检测用TFT17的。
<A-2-1.升压变换电路32的结构>
首先，说明升压变换电路32的结构。升压变换电路32是早就知道的电路，是从输入电源电压VCC生成模拟电压VDDA的电路。
电源38与电感L1的一端连接。电源38使输入电源电压VCC施加在电感L1的一端。电感L1的另一端与晶体管Q1的漏极连接。晶体管Q1的源极接地。
晶体管Q1的栅极与DCDC控制器31的输出连接。DCDC控制器31的另一端与二极管D1的阴极连接。二极管D1的阳极与电感L1的另一端连接。
电容C1的一端与二极管D1的阴极连接，另一端接地。电容C1的一端与端子T32连接，端子T32输出模拟电压VDDA。
<A-2-2.充电泵电路33的结构>
其次，说明充电泵电路33的结构。电容C7的一端与二极管D2的阴极连接，另一端接地。二极管D2的阳极与二极管D3的阴极连接。二极管D3的阳极与二极管D4的阴极连接。
二极管D4的阳极与二极管D5的阴极连接。二极管D5的阳极与二极管D6的阴极连接。二极管D6的阳极与二极管D7的阴极连接。而且，二极管D7的阳极与电容C1的一端连接。
电容C2的一端与二极管D2的阳极连接。电容C3的一端与二极管D4的阳极连接。电容C4的一端与二极管D6的阳极连接。而且电容C2～C4的另一端与二极管D1的阳极连接。电容C5的一端与二极管D3的阳极连接，另一端与电容C7的另一端连接。电容C6的一端与二极管D5的阳极连接，另一端与电容C7的另一端连接。
<A-2-3.串联调节电路34的结构>
其次，说明串联调节电路34的结构。电容C10的一端与电感L1的另一端连接。电容C10的另一端与二极管D9的阳极连接。二极管D10的阴极与二极管D9的阳极连接，二极管D10的阳极接地。
二极管D9的阴极与电容C11的一端连接。电容C11的另一端与二极管D10的阳极连接。电容C11的一端与电阻R10的一端连接。而且，电阻R10的另一端与齐纳二极管ZD1的阳极连接。齐纳二极管ZD1的阴极与二极管D10的阳极连接。
电阻R10的一端与晶体管Q7的集电极连接。晶体管Q7的发射极与电容C12的一端及端子T35连接。而且，从端子T35输出栅极截止电压Vgl。电容C12的另一端与齐纳二极管ZD1的阴极连接。
<A-2-4.恒流源22的结构>
其次，说明恒流源22的结构。电阻R1的一端与电容C7的一端连接，另一端与晶体管Q2的发射极连接。晶体管Q2的基极与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接地。晶体管Q3的基极与电阻R2的一端连接，发射极与电阻R3的一端连接。电阻R3的另一端与电阻R1的一端及晶体管Q4的集电极连接。晶体管Q3的集电极与特性检测用TFT17的漏极连接。
<A-2-5.电路35的结构>
其次，说明电路35的结构。晶体管Q6的集电极与运算放大器OP1的+输入端子和特性检测用TFT17的漏极连接。晶体管Q6的发射极与端子T35连接。
晶体管Q6的基极与电阻R8的一端连接。电阻R8的另一端与电阻R9的一端及晶体管Q5的集电极连接。电阻R9的另一端与晶体管Q6的发射极连接。
晶体管Q5的基极与电阻R7的一端连接。电阻R7的另一端与电阻R6的一端及端子T36连接，端子T36中输入信号STV。电阻R6的另一端与晶体管Q5的发射极连接。晶体管Q5的发射极与电源V1连接。
<A-2-6.峰值保持电路36的结构>
其次，说明峰值保持电路36的结构。运算放大器OP1的-输入端子与电阻R5的一端连接。运算放大器OP1的输出与二极管D8的阳极及电阻R5的一端连接。二极管D8的阴极与电容C9的一端及电阻R5的另一端连接。电容C9的另一端接地。
<A-2-7.电路37的结构>
其次，说明电路37的结构。电阻R5的另一端与电阻R4的一端连接。电阻R4的另一端与晶体管Q4的基极连接。晶体管Q4的发射极与电容C8的一端及端子T34连接。电容C8的另一端接地。从端子T34输出栅极导通电压Vgh。
<A-2-8.特性检测用TFT17的结构>
接着，说明特性检测用TFT17的结构。特性检测用TFT17其漏极和栅极连接。特性检测用TFT17的漏极在连接部23中与构成恒流源22的晶体管Q3的集电极连接。特性检测用TFT17的源极与端子T32连接。
<B.动作>
其次，说明图4所示的电源电路15和特性检测用TFT17的动作。升压变换电路32由输入电源电压VCC生成模拟电压VDDA。这里，设输入电源电压VCC为3.3V，将生成的模拟电压VDDA设定为10V。
这一来，晶体管Q1的漏极电压变成大致是10V的方波，所以，串联调节电路34生成负电压的栅极截止电压Vgl，并从端子T35输出。目前，利用齐纳二极管ZD1的值将栅极截止电压Vgl设定为-6V。
充电泵电路33使电感L1的另一端产生的电压上升，在电容C7的一端产生35V的电压。而且，当从电容C7的一端对恒流源22施加35V的电压时，向连接成二极管的特性检测用TFT17的阳极(连接部23)输出设定的偏置电流。
这里，恒流源22使用晶体管来构成，但当对精度没有要求时也可以只用电阻代替。
当向连接成二极管的特性检测用TFT17的阳极输入偏置电流时，特性检测用TFT17根据在图2中已说明的动作，从连接部23经连线L1输出检测电压。检测电压输出给构成电源电路15的运算放大器OP1的+输入端子。
这里，经晶体管Q6向连接成二极管的特性检测用TFT17的阳极输入栅极截止电压Vgl。晶体管Q6在信号STVOFF时导通，栅极截止电压Vgl输入到特性检测用TFT17的阳极，在信号STVON时不导通。
更详细地说，当信号STV为OFF时，从电源V1经电阻R6及电阻R7向晶体管Q5流过基极电流，晶体管Q5导通。当晶体管Q5导通时，从电源V1经电阻R8向晶体管Q6流过基极电流，晶体管Q6导通。
当信号STV为ON时，不经电阻R6、R7使晶体管Q5流过基极电流，晶体管Q5截止。其结果，因晶体管Q6中也不流过基极电流，故晶体管Q6不导通。
由以上可知，特性检测用TFT17只有在信号STV为ON时、即1个垂直周期中的1次水平周期的导通期间(只是信号STV的ON期间和1个水平周期的导通期间相等的情况)才处于导通状态。
根据以上的动作，从特性检测用TFT17输出的检测电压在流过设定的偏置电流的栅极导通电压Vgh和栅极截止电压Vgl之间变化。因此，把用于抵消栅极截止电压Vgl的峰值保持电路36与特性检测用TFT17的阳极连接。
峰值保持电路36在运算放大器OP1的+输入端子输入栅极导通电压Vgh时，使电容C9充电到栅极导通电压Vgh。
另一方面，当运算放大器OP1的+输入端子中输入栅极截止电压Vgl时，运算放大器的输出下降，但是，因为有二极管D8，故能保持电容C9的电压。
当向作为电流缓冲器的晶体管Q4的基极输入电容C9的电压时，电容C8充电到栅极导通电压Vgh，从端子34输出(严格地说，从检测电压只有VBE等的成分下降)。
这里，说明使特性检测用TFT17的源极一侧与模拟电压VDDA连接的理由。图5是表示一般的源极驱动电路13的输出电压(源极驱动输出电压)的时间变化的图。
显示中所必需的期望电压按每一个扫描期间从源极驱动电路13输出。该最大电压通常是比模拟电压VDDA稍(数百mV)低的电压，最小电压通常是比接地电压(GND)稍(数百mV)高的电压。
因此，加给像素TFT11的栅极电压Vgs，其导通状态下的最小值大约是Vgh-VDDA，截止状态下的最大值(在图中因栅极电压Vgs为负故绝对值变成最小值)大约是Vgl-GND。
因此，能得到的导通状态下的栅极电压Vgs的最小值大约是Vgh-VDDA，所以，特性检测用TFT17的阴极侧也与最差情况下的VDDA连接。根据驱动方式，当栅极电压Vgs与其不同时，可以连接与使栅极电压Vgs在导通状态下为最小时的电压连接。
特性检测用TFT17最好和像素TFT11完全相同地形成，但是，像素TFT11因只驱动像素电容10故迁移率通常非常小。因此，若特性检测用TFT17和像素TFT11相同，则特性检测用TFT17有时不能充分驱动引出线或同样用来驱动像素TFT11的***电路等的引线电容。
若不能对它们进行充分驱动，即使在1个垂直周期的期间内想要只在1个水平导通期间从特性检测用TFT17检测出栅极导通电压Vgh，也会因***电路的电压不能充分上升而出现不能检测栅极导通电压Vgh的结果。此外，不能忽视***电路的夹断电流(漏极电流)或外界噪声的影响，可能会对检测电压带来很大的误差。
为了避免这些问题，有必要提高特性检测用TFT17的迁移率。如图6所示，为了在保持和像素TFT11相同的特性的同时提高迁移率，可以将多个特性检测用TFT17并联进行n级连接。
例如，当将像素电容10的充电所必需的漏极电流Id设定为100nA时，本来恒流源22的设定电流(偏置电流)为100nA即可。但是，若因***电路的影响而不能工作，至少需要1μA的设定电流时，可以设n＝10，将10个特性检测用TFT17并联连接，使恒流源22的设定电流设定为1μA。
利用上述电路结构，特性检测用TFT17向电源电路15输出像素电容10充电必需的栅极导通电压，电源电路15可以使栅极导通电压Vgh动态变化。
这里，当栅极导通电压Vgh动态变化时，有必要使作为液晶像素电极一侧的电压的公共电压变化。
图7是液晶像素的简化等效电路图。像素TFT11的漏极与电容Cp的一端连接。这里，电容Cp一般是像素电容10的液晶电容C1c和保持电容Cs的和。
电容Cp的另一端与端子72连接。端子72上施加公共电压。像素TFT11的栅·漏之间连接栅·漏电容Cgd。栅·漏电容Cgd是像素TFT11固有的栅·漏间的电容。
如在图1中说明的那样，像素TFT11的源极与源极驱动电路13连接，像素TFT11的栅极与栅极驱动电路16连接。
在像素TFT11刚截止之前，像素电压(电容Cp的与像素TFT11连接的一侧的电压)和像素TFT11的源极电压大致相同。
但是，当栅极电压为OFF时，像素电压只下降Cgd/Cp×(Vgh-Vgl)。这里，电容Cgd，电容Cp的值也被视为Cgd，Cp。
通常，对此进行估计来设定公共电压，以使施加在电容Cp上的电压恒定。但是，在本发明的实施方式1中，因栅极导通电压Vgh动态变化，故有必要对公共电压进行动态校正。
图8是表示本实施方式1的公共电压生成电路的结构的电路图。运算放大器OP81的+输入端子与电阻R82的一端及电阻R83的一端连接。电阻R82的另一端与端子81连接，端子81上施加模拟电压VDDA。电阻R83的另一端接地。
运算放大器OP82的-输入端子与电阻R85的一端及电阻R84的一端连接。电阻R85的另一端与端子82连接，端子82上施加栅极导通电压Vgh。电阻R84的另一端与运算放大器OP81的输出连接。运算放大器OP81的输出与端子72连接，输出公共电压。
公共电压发生电路因具有以上的结构，故其输出包含变成-(R84/R85)×Vgh的部分。因此，通过与Cgd/Cp的值对应适当调节电阻R84、R85的大小，可以使公共电压与电压Vgh的变化对应进行动态变化，以使施加在电容Cp上的电压恒定。
<C.效果>
在本实施方式1的显示装置中，特性检测用TFT17在和像素TFT11处于导通状态的期间相同的期间内被驱动。因此，特性检测用TFT17和像素TFT11一样老化。其结果，即使像素TFT11出现长期老化，也可足够输出能流过漏极电流Id的栅极导通电压Vgh。
进而，因特性检测用TFT17具有和像素TFT11相同的特性，故能够对应制造时的个体差异或长时间使用后的长期变化。
本实施方式1的显示装置通过使特性检测用TFT17的栅极和漏极连接，并对其连接部施加偏置电流，使特性检测用TFT17能检测用来驱动像素TFT11的栅极导通电压Vgh。
因此，通过简单的电路结构，例如在使用温度条件变化的情况下，可以自动地使像素TFT11的栅极导通电压Vgh变化。
即，当在低温区域像素TFT11的迁移率不足时，自动地加大电压Vgh，提高迁移率，在高温区域通过使电压Vgh下降来抑制像素TFT11的特性变差，减小不必要的功耗，进而，可以防止因电压Vgh高而引起的显示质量的下降。
本实施方式1的显示装置具有对多个像素施加公共电压的公共电压发生电路，由于公共电压与栅极导通电压Vgh对应变化，所以，即使栅极导通电压Vgh变化，也可以使施加在像素电容10上的电压保持恒定。
在本实施方式1的显示装置中，还具有多个特性检测用TFT17，多个特性检测用TFT17并联连接。其结果，可以保持和像素TFT11相同的特性，并可以提高整个并联连接的特性检测用TFT17的迁移率。
再有，在本实施方式1中，说明了LCD的情况，但由特性检测用TFT17的特性来决定栅极导通电压Vgh的方法，对于使用TFT、因迁移率的温度变化而成问题的其他显示装置(例如有机EL)或由TFT形成的集成电路等中也可以使用。
【实施方式2】
在实施方式1的显示装置中，示出特性检测用TFT17中流过由恒流源22生成的偏置电流并取得这时的栅极导通电压Vgh的例子。
在本实施方式2的显示装置中，由栅极驱动电路16驱动特性检测用TFT17，并检测流过特性检测用TFT17的漏极电流Id。而且，利用反馈回路使栅极导通电压Vgh的值变化，这样来取得栅极导通电压Vgh，以使漏极电流Id变成所要的值(电容Cp充电所必需的漏极电流Id的值)。
下面，说明本实施方式2的显示装置的结构。
<A.结构>
<A-1.整体结构>
图9是实施方式2的显示装置的方框图。在本实施方式2的显示装置中，与实施方式1的结构相比，不从控制信号电路14向TFT17输入信号STV，栅极驱动电路16经栅极引线91与特性检测用TFT17连接。
其余的结构和实施方式1一样，对同一结构标记同一符号并省略重复说明。
<A-2.特性检测用TFT17的***电路的结构>
图10是表示实施方式2的特性检测用TFT17的***电路的结构的电路图。对和图9对应的结构标记同样的符号。
特性检测用TFT17的栅极经栅极引线91与栅极驱动电路16的输出缓冲器6连接。特性检测用TFT17的漏极与端子101连接，对端子101施加模拟电压VDDA。
特性检测用TFT17的源极与电流检测用电阻R101(以下，有时单称作‘电阻R101’)的一端及运算放大器OP101的+输入端子连接。电阻R101的另一端接地。
运算放大器OP101的输出与二极管D101的阳极连接。二极管D101的阴极与电容C101的一端连接。电容C101的另一端接地。
运算放大器OP101的-输入端子与电阻R103的一端连接。电阻R103的另一端与放电电阻R102(电阻R102)的一端及二极管D101的阴极连接。电阻R102的另一端与二极管D101的阳极连接。二极管D101的阴极与比较器COMP102的-输入端子连接。比较器COMP102的的+输入端子与电源102连接。
比较器COMP102的输出与电阻R104的一端连接。电阻R104的另一端与电容C102的一端及电流缓冲器103的输入连接。电容C102的另一端接地。电流缓冲器103的输出与端子104连接，从端子104输出栅极导通电压Vgh。而且，从端子104输出的栅极导通电压Vgh经连线L2H反馈给栅极驱动电路16。连线L2H与图9的连线L2对应。
这里，栅极引线91可以和驱动像素TFT11的栅极引线18共用，也可以新设。
此外，在图10的结构中，栅极驱动电路16、特性检测用TFT17以外的部分包含在电源电路15中。而且，由运算放大器OP101、电阻R102、电阻R103、二极管D101和电容C101构成峰值保持电路106。
这里，本来峰值保持电路106可以在初级运算放大器OP101和与其输出连接的电容C101之间***JFET等开关来构成采样保持型的电路。但是，在本实施方式2中，通过使二极管D101和时间常数长的放电电阻R102并联连接来取代开关，可以简单地实现峰值保持电路106。
<B.动作>
其次，说明本实施方式2的显示装置的动作。
特性检测用TFT17和像素TFT11相同，由栅极驱动电路16驱动。栅极驱动电路16只在1个垂直期间内的1个水平周期的导通期间，向特性检测用TFT17输出栅极导通电压Vgh。这里，在初始状态，虽然电压Vgh不定，但可以是一定范围内的某一电压。
当特性检测用TFT17导通时，某个大的漏极电流Id从端子101经特性检测用TFT17流向电阻R101。当电阻R101中流过漏极电流Id时，在电阻R101和特性检测用TFT17的漏极的连接点a上产生电压。该电压被输入到峰值保持电路106的运算放大器OP101的+输入端子。
运算放大器OP101在二极管D101的阴极一侧的电压比输入到+输入端子的电压低时，对电容C101充电，使二极管D101的阴极一侧的电压上升。
而且，当运算放大器OP101的+输入端子的电压下降时，运算放大器OP101的输出也下降，但是，因二极管D101的原因，二极管D101的阴极一侧的电压不下降。
若这样，二极管D101的阴极一侧的电压只有上升。因此，通过与二极管D101并联连接电阻值很大的放电电阻R102，根据电容C101和放电电阻R102的时间常数，可以在一定时间内下降。
电容C101保持的电压在比较器COMP102中与预先设定的电源102的电压(基准电压Vr)进行比较。接着，进行反馈控制，将把比较器COMP102的输出平滑后的电压作为栅极导通电压Vgh输入到栅极驱动电路16。
例如，当特性检测用TFT17的漏·源间电压Vds的值是10V时，通过简单的计算即可得到流过1μA的漏极电流Id的栅极导通电压Vgh，设模拟电压VDDA的大小为11V，将电流检测用电阻R101的值设定为1MΩ，基准电压Vr设定为1V。
作为初始状态，从栅极驱动电路16输出的栅极导通电压Vgh的值是比所要的值低的值。
当从栅极驱动电路16向特性检测用TFT17输出栅极导通电压Vgh时，特性检测用TFT17迁移到导通状态。这时，因栅极导通电压Vgh比所要的值低，故电流检测用电阻R101中流过电流值比认为必要的1μA小的漏极电流Id。
其结果，由峰值保持电路106的电容C101保持的电压小于1V。因此，比较器COMP102输出高电平电压。当比较器COMP102输出高电平电压时，电容C102被慢慢充电，逐渐上升到栅极导通电压Vgh。
接着，上升后的栅极导通电压Vgh再次输入到栅极驱动电路16。栅极驱动电路16向特性检测用TFT17输出上升后的栅极导通电压Vgh。
当重复上述动作且超过所要的栅极导通电压Vgh时，因电流检测用电阻R101的两端产生的电压大于1V，故比较器COMP102输出低电平信号。其结果，栅极导通电压Vgh的值慢慢减小。
最后，栅极导通电压Vgh达到流过1μA的漏极电流Id的平衡值。其结果，可以得到使特性检测用TFT17流过1μA的漏极电流Id所必需的栅极导通电压Vgh。
<C.效果>
在本实施方式2的显示装置中，由栅极驱动电路16驱动特性检测用TFT17，所以，与实施方式1相比，不需要别的用来使特性检测用TFT17导通/截止的电路。其结果，电路结构简单。特别是，通过共用像素TFT11的栅极引线18，可以容易控制特性检测用TFT17。
此外，当栅极驱动电路16的输出数比显示区12必要的栅极引线数多时(有富余)，可以通过使富余的输出与特性检测用TFT17连接来进行有效地利用。
【实施方式3】
在实施方式1和2中，示出使用特性检测用TFT17(图1)对栅极导通电压Vgh进行动态校正的方法。
但是，若以LCD为例，有时因像素TFT11的劣化而使阈值漂移等，引起栅极截止电压Vgl不足，泄漏电流加大，从而使显示品质下降。
因此，在本实施方式3的显示装置中，提供一种使用特性检测用TFT17对栅极截止电压Vgl进行动态校正的方法。
<A.结构>
图11是表示实施方式3的特性检测用TFT17的***电路的结构的电路图。
运算放大器OP111(栅极电压控制电路)的-输入端子与电源112连接。电源112对运算放大器OP111的-输入端子施加基准电压Vr。
运算放大器OP111的输出被输入到特性检测用TFT17的栅极。此外，运算放大器OP111的输出经连线L2向栅极驱动电路16输出(参照图1)。
特性检测用TFT17的源极接地。TFT17的漏极在连接点111上，与运算放大器OP111的+输入端子及电阻R111(设电阻R111的值也是R111)的一端连接。电阻R111的另一端与电源113连接。电源113输出施加电压Vs(电压Vs)。
再有，与图1对应，在图11所示的电路中，特性检测用TFT17之外的部分包含在电源电路15(图1)中，电源113、电源112等在电源电路15内生成。
<B.动作>
其次，说明图11所示的电路的动作。首先，在初始状态，因运算放大器OP111的输出低，没有对特性检测用TFT17的栅极施加足够的电压，TFT17的漏极电阻大。因此，连接点111的电压比基准电压Vr高。其结果，运算放大器OP111的输出提高。
当运算放大器OP111的输出变高时，特性检测用TFT17的漏极电阻变低。这一来，向运算放大器OP111的+输入端子输入的电压变低，运算放大器OP111的输出低。
重复上述动作，直到输入到运算放大器OP111的-输入端子的基准电压Vr和输入到+输入端子的电压相等。
即，可以控制运算放大器OP111的输出，以使特性检测用TFT17中流过由(Vs-Vr)/R111给出的漏极电流Id。
例如，作为TFT17的OFF特性，考虑当TFT17的漏·源间电压Vds是10V时有必要使漏极电流Id＝1nA的情况。这时，当设外加电压Vs是11V，基准电压Vr是10V时，若选择电阻R111的电阻值为(11V-10V)/1nA＝1GΩ，则从运算放大器OP111向栅极驱动电路16输出使TFT17流过1nA的漏极电流Id的栅极截止电压Vgl。
再有，因为漏极电流Id是1nA那样的微小电流，所以，在图11所示的电路中，如在实施方式1中说明的那样，有时会因***电路的寄生泄漏成分等影响而不能进行所希望的动作。在这样的情况下，可以和实施方式1一样，将多个TFT17并联连接，使流过并联连接的TFT17中电流增大。
此外，如在实施方式1说明的那样，有必要和像素TFT11同样来驱动TFT17。因此，在1个垂直周期期间内只在1个水平周期的导通期间导通1次来驱动TFT17。
为此，可以在运算放大器OP111的输出和TFT17的栅极之间串联连接电阻，在该电阻和栅极之间，供给信号STV，使电平位移到栅极导通电压Vgh。这样一来，可以在信号STV为ON的期间使TFT17处于导通状态。
这里，当栅极截止电压Vgl可变时，有必要对公共电压进行校正。即，如在实施方式1中说明的那样，当像素TFT11截止时，像素电压只下降Cgd/Cp×(Vgh-Vgl)。
因此，有必要与栅极截止电压Vgl对应校正公共电压，以使施加给电容Cp的电压恒定。
图12是表示实施方式3的公共电压生成电路的结构的电路图。
电阻R82和电阻R83的连接点与电阻R121的一端连接。电阻R121的另一端与端子121连接。对端子121施加栅极截止电压Vgl。其余的结构和图8所示的电路一样，对同一结构标记同一符号并省略详细说明。
图12所示的公共电压生成电路因运算放大器OP81的+输入端子中输入栅极截止电压Vgl，故当栅极截止电压Vgl变高时，公共电压下降，当栅极截止电压变低时，公共电压上升。
其结果，即使栅极截止电压Vgl变化，施加在电容Cp上的电压也可以保持恒定。
<C.效果>
在本实施方式3的显示装置中，因具有上述结构，故可以不仅对电压Vgh、对电压Vgl也可以进行动态校正。例如，即使因TFT劣化而使阈值漂移，因为像素TFT11始终在最佳条件下驱动，所以，能够保证显示的品质。
本实施方式3的显示装置利用运算放大器OP111控制栅极电压，以使特性检测用TFT17中流过与像素TFT11要求的电流相同的规定的电流。其结果，可以得到更准确的栅极截止电压Vgl。
本实施方式3的显示装置具有能给出多个像素共用的公共电压的公共电压生成电路，因公共电压与栅极截止电压Vgl对应变化，所以，即使栅极截止电压Vgl变化，也可以使施加在像素电容10上的电压保持恒定。
此外，图11所示的电路通过适当选择电阻R111、电源113、电源112的值，可以作为生成栅极导通电压Vgh的电路来使用。
即，通过选择电阻R111、电源113、电源112的值，可以从运算放大器OP111输出栅极导通电压Vgh，以使流过电阻R111的电流与像素TFT11导通时要求的漏极电流相等。
【实施方式4】
在实施方式3中，示出通过使用图11所示的电路去校正栅极截止电压Vgl的方法。在本实施方式中，通过使用实施方式2所示的结构去校正栅极导通电压Vgh和栅极截止电压Vgl的方法。
<A.结构>
图13是表示本实施方式4的特性检测用TFT17的***电路的结构的电路图。
对图10所示的电路进一步将输出栅极截止电压Vgl的电路131连接在特性检测用TFT17的漏极上。其它结构和实施方式2一样，对和实施方式2相同的结构标记同一符号并省略重复说明。
首先，说明电路131的结构。运算放大器OP102的+输入端子与TFT17的源极连接。运算放大器OP102的输出与二极管D102的阴极连接。二极管D102的阳极与电容C103的一端连接。
运算放大器OP102的-输入端子与电阻R105的一端连接。电阻R105的另一端与放电电阻R106的一端及二极管D102的阳极连接。
放电电阻R106的另一端与二极管D102的阴极连接。二极管D102的阳极与比较器COMP103的-输入端子连接。比较器COMP103的+输入端子与电源105连接。电源105给出基准电压Vr。
比较器COMP103的输出与电阻R107的一端连接。电阻R107的另一端与电容C104的一端及电流缓冲器106的输入连接。电容C104的另一端接地。电流缓冲器106的输出与端子107连接，从端子107输出栅极截止电压Vgl。
从端子107输出的栅极截止电压Vgl经连线L2L反馈给栅极驱动电路16。这里，连线L2L与图9的连线L2对应。
由运算放大器OP102、电阻R105、电阻R106、二极管D102和电容C103构成最小值检测电路132。最小值检测电路132与峰值保持电路106相比，二极管D102的方向相反。
<B.动作>
作为初始状态，从栅极驱动电路16输出的栅极截止电压Vgl的值比所要的值高。此外，由电源105施加的基准电压Vr选择电流检测电阻R101中流过所要的漏极电流时产生的电压。
当从栅极驱动电路16向特性检测用TFT17的栅极输出电压Vgl时，特性检测用TFT17迁移到截止状态。这时，因栅极截止电压Vgl比所要的值高，故电流检测用电阻R101中流过比要求的泄漏电流更大的泄漏电流。
当电阻R101中流过泄漏电流时，在连接点a上产生电压。而且，该电压输入到运算放大器OP102的+输入端子。当运算放大器OP102的+输入端子中输入电压时，运算放大器OP102将电容C103充电至+输入端子的输入电压。因输入电压比比较器COMP103的+输入电压高，故比较器COMP103输出低电平。
当比较器COMP103输出低电平的电压时，电容C104慢慢放电，栅极截止电压Vgl也慢慢下降。比初始状态低的栅极截止电压Vgl输入到栅极驱动电路16，栅极驱动电路16向特性检测用TFT17的栅极输出低电压值的栅极截止电压Vgl，并重复前述动作。
而且，若泄漏电流小，则最小值检测电路132的电容C103的电压下降，比较器COMP103的输出为高，与所要的电压Vgl平衡。
<C.效果>
在本实施方式4的显示装置中，因利用栅极驱动电路16驱动特性检测用TFT17，故与实施方式3相比，不需要用来使特性检测用TFT17导通/截止的电路。特别是，通过和像素TFT11的栅极引线18共用，能够容易控制特性检测用TFT17。
不仅对电压Vgh，对电压Vgl也可进行动态校正，例如，即使因TFT劣化而使阈值漂移，因为像素TFT11始终在最佳条件下驱动，所以，能够保证显示的品质。
再有，在本实施方式中，校正电压Vgl的电路和校正电压Vgh的电路都使用相同的TFT17，但是，因导通状态和截止状态的电流比通常能差到几个数量级，故当使用相同的电流检测电阻R101不能得到足够的精度时，可以使用另外的TFT17。
【实施方式5】
显示装置即使在通常使用时，显示区12(参照图1)内的温度为面内分布。例如，若以LCD为例，在背景光光源附近的温度高，在离开光源的位置上温度低。此外，在直立设置的显示装置中，一般，因空气的对流，显示区12上侧的温度比下侧高。
当这样的温度分布对像素TFT11(图1)的特性产生影响，使显示品质下降时，通过使用实施方式1至4所示的结构，可以抑制显示品质的下降。
具体地说，当将显示装置立起来使用且显示区12的上侧和下侧的温度不同时，至少在显示区12的上侧和下侧二处配置特性检测用TFT17。而且，位于显示区12的上侧的像素TFT11由配置在上侧TFT17输出的电压Vgh和电压Vgl来驱动，位于下侧的像素TFT11由配置在下侧的特性检测用TFT17检测出的导通电压Vgh和截止电压Vgl来驱动。
但是，当单纯根据配置在上侧和下侧的特性检测用TFT17的特性决定这二点的工作电压时，若在扫描行的某1处驱动电压突然变化，则会看见电压切换的痕迹，这样就产生不良现象。
因此，本实施方式5的显示装置提供一种栅极驱动电路，其可以从位于显示区12的上侧的像素TFT11到下侧的像素TFT11使驱动电压平滑地变化。
<A.结构>
图14是一个栅极驱动电路16的结构例，当向配置在显示区12的上侧的像素TFT11和配置在下侧的像素TFT11输出不同的电压Vgh、Vgl时，就看不出电压切换的痕迹。
这里，为简便起见，图14所示的栅极驱动电路16的扫描行是5行。本实施方式5的栅极驱动电路16除了输出缓冲器B1～B5之外还具有参考电压部146(分压部)。下面，说明参考电压部146的结构。
电阻RH1的一端与端子141及输出OH1连接。电阻RH1的另一端与输出OH2及电阻RH2的一端连接。电阻RH2的另一端与输出OH3及电阻RH3的一端连接。
电阻RH3的另一端与输出OH4及电阻RH4的一端连接。电阻RH4的另一端与输出OH5及端子143连接。
而且，对端子141施加由配置在显示区12的上侧的特性检测用TFT17检测出的电压VghTop。此外，对端子143施加由配置在显示区12的下侧的特性检测用TFT17检测出的电压VghBottom。
电阻RL1的一端与端子142及输出OL1连接。电阻RL1的另一端与输出OL2及电阻RL2的一端连接。电阻RL2的另一端与输出OL3及电阻RL3的一端连接。
电阻RL3的另一端与输出OL4及电阻RL4的一端连接。电阻RL4的另一端与输出OL5及端子144连接。
对端子142施加由配置在显示区12的上侧的特性检测用TFT17检测出的电压VglTop。而且，对端子144施加由配置在显示区12的下侧的特性检测用TFT17检测出的电压VglBottom。
像以上那样构成参考电压部146。而且，输出缓冲器B1～B5的输入与参考电压部146的输出连接，输出缓冲器B1～B5的输出分别与配置在像素区12的第1行至第5行的像素TFT11的栅极连接。
<B.动作>
栅极导通电压VghTop和栅极导通电压VghBottom由电阻RH1～RH5分压成多个电压。而且，从电压VghTop到电压VghBottom，电压逐级下降。
栅极截止电压VglTop和栅极截止电压VglBottom由电阻RL1～RL5分压成多个电压。而且，从电压VglTop到电压VglBottom，电压逐级下降。
栅极驱动电路16在需要某一行(在圈14的例子中是第2行)的像素TFT11是导通状态时，控制成使该行的输出缓冲器B2选择参考电压部146的电压输出OH2。与其他的行连接的输出缓冲器B1、B3～B5选择参考电压部146的输出OL1、OL3～OL5。
<C.效果>
本实施方式5的显示装置具有将多个特性检测用TFT17之间的输出分压的参考电压部146。
因此，施加在像素TFT11上的栅极导通电压Vgh、或栅极截止电压Vgl平滑地切换，从上侧到下侧慢慢减小。因此，看不出电压的变化。
【实施方式6】
实施方式5所示的栅极驱动电路16与通常的栅极驱动电路相比，电路结构复杂。因此制造成本高。
进而，为了与电压Vgh、Vgl的变化对应对公共电压进行动态校正，有必要使用某种装置来知道已选择的水平方向的扫描线18的电压，因此，电路更加复杂。
因此，在本实施方式6中，提供一种装置，能够以简单的电路结构来对电压Vgh、Vgl进行温度校正。
<A.结构>
图15是表示实施方式6的显示装置的结构的电路图。在呈矩阵状配置的像素151中分别设置像素TFT11(参照图1)。
这些像素151通过水平方向的扫描线18来选择，并写入垂直方向的数据线19的电压。为方便起见，数据线19的电压是在0V～10V的范围内。
这里，用来驱动源极驱动电路13及栅极驱动电路16的控制信号因为是通常的信号，故省略其说明。
在图15中，电路153是用来生成栅极导通电压Vgh的电路。在本实施方式6中，作为用来生成栅极导通电压Vgh的电路，使用和实施方式3所示的图11同样的电路。
特性检测用TFT17H和像素TFT11一起与各扫描线18连接。在图15所示的例子中，1根扫描线18与2个特性检测用TFT17H连接。像在实施方式1中说明的那样，这是为了避免因特性检测用TFT17H的迁移率小而引起误动作。因此，若是动作需要，可以连接好几个。
这些特性检测用TFT17H的漏极全部相互连接，同样，源极也全部相互连接。
特性检测用TFT17H的源极与端子T154连接，对端子T154施加10V(源极引线电压的最大值)的电压。而且，TFT17H的漏极经5MΩ的电流检测用电阻R152与端子T152连接。端子T152上施加30V的电压。
TFT17H的漏极与运算放大器OP151的+输入端子连接。运算放大器OP151的-输入端子与电阻R151的一端及电容C151的一端连接。电阻R151的另一端与电源V151连接，电源V151给出20V的电压。
电容C151的另一端与运算放大器OP151的输出连接。而且，运算放大器OP151的输出与带Enable控制的电流缓冲器151的输入连接。电流缓冲器151的输出与栅极驱动电路16和电容C152的一端连接。电容C152的另一端接地。
其次，说明电路154的结构。电路154是用来生成电压Vgl的电路。
电阻R153的一端与端子T153连接。电阻R153的电阻值是10MΩ。而且，端子T153上施加10V的电压。
电阻R153的另一端与运算放大器OP152的+输入端子及特性检测用TFT17L的漏极连接。在每根扫描线18上连接2个特性检测用TFT17L。而且，与第1行到第3行的扫描线18连接的特性检测用TFT17L串联连接。
此外，与第4行到第6行的扫描线18连接的特性检测用TFT17L也串联连接。而且，4组串联连接的TFT17L组相互并联连接。而且，在串联连接的TFT17L组中，一端的TFT17L的漏极与电阻R153的另一端连接，另一端的TFT17L的源极接地。
运算放大器OP152的-输入端子与电阻R154的一端连接，电阻R154的另一端与电源V152连接。电源V152给出9.96V的电压。
在运算放大器OP152的输出和-输入端子之间连接电容C154，而且，运算放大器OP152的输出与电流缓冲器152的输入连接。电流缓冲器152的输出与端子T154及电容C153的一端连接。电容C153的另一端接地。端子T154输出电压Vgl。
而且，从端子T154输出的电压Vgl被输入到栅极驱动电路16。
这里，在图15中，省略了图4所示的升压变换电路32、充电泵电路33等，电源V151、施加给端子T152的电压、施加给端子T153的电压和电源V152等由电源电路15来生成。
<B.动作>
电路153的动作因和实施方式3的图11的电路一样，故省略详细说明。
电路153将由V151给出的基准电压设定在20V，所以，当TFT17的漏·源电压Vds是(20V-10V)＝10V时，产生使漏极电流Id变成(30V-20V)/5MΩ＝2μA的栅极导通电压Vgh。
假设栅极驱动电路现在正在进行图3所示的动作。这一来，在某一时刻，变成或者某1根扫描线18被选中或者在垂直消隐期间谁都没有被选中的状态。
在垂直消隐期间之外的期间，因选择了某1根扫描线18，故在该例子中，并联连接的2个特性检测用TFT17H的栅极导通。因此，电路153输出使每一个TFT17H流过1μA的漏极电流Id的栅极导通电压Vgh。
运算放大器OP151的后级具有带Enable控制的电流缓冲器151。
该电流缓冲器151因下面的理由而设置。因垂直消隐期间无论哪一个TFT17H都没有被选中，所以，不管电压Vgh如何变化，都不能流过所要的电流。因此，运算放大器OP151使电压持续上升直到达到饱和。这一来，当下一帧开始时，因电压Vgh太高，故为了防止出现该情况，在消隐期间内，使Enable端子为Disenable状态，使电压Vgh不变。
不仅是垂直消隐期间，在通常的显示中当所有的扫描线18处于未被选中的状态时，同样，可以只在该期间内使电压Vgh不变。因为目的是不使电压Vgh有大的变动，所以也可以使用除此之外的别的方法。
电路154是用来生成电压Vgl的电路。电路154的动作也和实施方式3的图11的电路一样，所以省略详细说明。
运算放大器OP152与给出基准电压9.96V的电源V152连接。因此，电压Vgl被设定在能流过4nA的电流并在电流检测电阻R154上产生10-9.96＝40mV的电压降的电压上。
因此，1组串联连接的TFT17L中流过1nA的电流。其他的串联连接的组中也同样流过1nA的电流。
将特性检测用TFT17L串联连接的理由是：在显示期间，因某一根扫描线18处于被选中的状态，故特性检测用TFT导通，若不串联连接，只有1个TFT17L导通，无论截止电压Vgl如何下降，电流也不会小于一定的值。
本来，将2个TFT17L串联连接即可，但是，考虑在某一根扫描线18是OFF，下一根扫描线18是ON的期间双方的栅极变成ON的状态的情况下，有可能在那里流过大的电流，所以，为了避免这种情况，最好串联3个。
实际上，用来设定电压Vgh和Vgl的电流值可以由显示特性决定，但是，若选择太靠近TFT17H、17L的界限的值，则不能解决个体差异的问题，不能进行控制。因此，将决定电压Vgh的电流设定得低一些，将决定电压Vgl的电流设定得高一些，留有余地，与前面输出的电压相比，电压Vgh高一些，电压Vgl低一些。
其次，参照图16说明实际驱动本实施方式的显示装置时的动作。图16是用来说明实际驱动本实施方式6的显示装置时的动作的图。
本来，实际生成的电压Vgh是源·漏间电压Vgs加上源极引线电压的最小值的电压，为了看起来方便，这一点在图中被省略了。
现在，假定画面上部的温度高，配置在上侧的像素TFT11的迁移率高，画面下部的温度低，像素TFT11的迁移率低。
当显示帧开始并选择第1行的扫描线18，根据第1行的特性检测用TFT17生成低一点的电压Vgh。
继续扫描，在中间部生成与这时选择的扫描线18上的TFT17对应的电压Vgh，当选择帧结束的最下一根扫描线18时，根据最后1行的TFT17的特性生成稍高一点的电压Vgh。然后，变成垂直消隐期间，电压Vgh的值恒定，当再选择第1行时，变成与第1行相应的电压Vgh。
电压Vgl几乎不变化。这是因为当例如扫描线18有1000行时，即使选择其中1行，也只有1/1000的影响。当然，若显示装置出现整体发热等、平均特性发生变化，则应相应地控制电压Vgl的值。
<C.效果>
本实施方式6的显示装置还具有多个特性检测用TFT17L、TFT17H。而且，特性检测用TFT17L、TFT17H配置在已设置在多个行中的像素TFT11的栅极线18的端部。
因此，可以以简单的电路结构防止因像素TFT11的个体差异、温度变化、长期变化及面内温度分布等像素TFT11的特性引起的显示品质的下降。
进而，在垂直方向具有多个特性检测用TFT17L、TFT17H并依次进行选择或调整，所以，即使例如某一部分出现局部发热(TFT特性不同)需要非线性电压驱动，也可以应对。
虽然在本实施方式中，将用来决定电压Vgh的特性检测用TFT17H配置在栅极驱动电路16一侧，将用来决定电压Vgl的特性检测用TFT17L配置在远离栅极驱动电路16一侧，但是，反过来配置也行。
但是，电压Vgh最好配置在栅极驱动电路16一侧，因为这时没有因栅极线18的电阻和电容引起的栅极电压的误差，容易始终处于某个导通状态。
若因栅极电压的误差而在扫描行切换时使哪根扫描线都处于非ON的状态或2根以上的扫描线18都为ON时，这时，可以像前述那样，利用Enable信号停止反馈回路的工作，使Vgh电压不变。
再有，虽然图15没有示出，但可以通过将图12所示的公共电压发生电路组合来对公共电压进行动态补偿。在本实施方式6的显示装置中，因对每一根扫描线18，向像素TFT11输出的栅极导通电压Vgh、栅极截止电压Vgl都要变，故可以分别校正成合适的公共电压。

Claims (8)

1.一种显示装置，其特征在于，具有：
多个像素，在衬底上呈矩阵状配置且在各像素中分别设有像素TFT；以及
特性检测用TFT，在上述衬底上形成且具有和上述像素TFT相同的特性，并检测用来驱动上述像素TFT的导通电压或截止电压，
以和上述像素TFT处于导通状态的期间一致的方式，驱动上述特性检测用TFT。
2.权利要求1记载的显示装置，其特征在于：
上述特性检测用TFT其控制端子与电流输入端子连接，
通过对上述控制端子和上述电流输入端子的连接部施加偏置电流，来检测上述导通电压或上述截止电压。
3.权利要求1记载的显示装置，其特征在于：
还具有栅极电压控制电路，其控制上述特性检测用TFT的栅极电压，
上述特性检测用TFT通过控制上述栅极电压，以使流过与上述像素TFT所要求的电流相同的规定的电流，来检测上述导通电压或上述截止电压。
4.权利要求1记载的显示装置，其特征在于：
上述特性检测用TFT由驱动上述像素TFT的驱动电路来驱动。
5.权利要求1～4的任何一项记载的显示装置，其特征在于：
还具有公共电压生成电路，其向上述多个像素共同供给公共电压，
上述公共电压对应上述导通电压或上述截止电压而变化。
6.权利要求1～5的任何一项记载的显示装置，其特征在于：
还具有多个上述特性检测用TFT，
上述多个特性检测用TFT并联连接。
7.权利要求1～6的任何一项记载的显示装置，其特征在于：
还具有：
多个上述特性检测用TFT；以及
分压部，将多个上述特性检测用TFT之间的输出进行分压，
上述像素TFT由上述分压部分压后的导通电压或截止电压来驱动。
8.权利要求1～6的任何一项记载的显示装置，其特征在于：
还具有多个上述特性检测用TFT，
上述多个特性检测用TFT配置在多行设置的上述像素TFT的栅极线的端部。
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