CN1875663B - 显示设备以及制造该显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个目的是提供一种防止水和/或氧从外部侵入以及防止由于这些侵入物质而导致发光元件退化的显示设备，以及提供一种包括生产这种显示设备的简单制造步骤的制造方法。本发明提供一种显示设备，该显示设备具有在暴露的层间绝缘体边缘处的密封材料，该密封材料用于防止水和/或氧从该层间绝缘体侵入。进一步地，本发明提供一种显示设备，其具有在暴露的层间绝缘体上的隔层体，该隔层体用于防止水和/或氧从该层间绝缘体侵入。此外，在用于生产显示设备的生产步骤中应用液滴排出技术能够免除光刻步骤，如曝光和显影。这样，提供一种生产具有改进产量的显示设备的方法。

Description

显示设备以及制造该显示设备的方法
发明领域
本发明涉及一种具有防止水和/或氧的外部侵入的结构的显示设备，以及生产这种显示设备的方法。尤其是，本发明涉及一种通过利用液滴排出技术来制造显示设备的方法。
背景技术
近年来，已经开发了包括自发光元件的显示设备，该自发光元件如电致发光(EL)元件。这种显示设备由于高质量、宽视角以及因自发光特性而不需要背光并通过利用其薄、轻的优点而得以广泛使用。
但是，在自发光元件中，诸如强度的特性可能从初始状态退化，这可能导致具有部分低强度的暗斑以及强度从显示屏端部开始退化的收缩。这些问题是由于光发射器的退化引起的，而这种退化是由水和/或氧侵入暴露的绝缘体并且随着时间过去水和/或氧扩展到这些光发射器而造成的。
而且，近年来，已经将利用液滴排出技术的图案形成应用于平板显示器，并且使其得以积极地发展。液滴排出技术具有许多优点，这些优点包括不需要用于直接复制图案的掩模、很容易应用于大衬底以及材料的高使用效率。因此，已经将液滴排出技术用于生产等离子显示器的EL层、滤色器和电极(如T.Shimoda在《SID 03 DIGEST》中第1178-1181页发表的“用于平板显示器的制造过程的喷墨技术”中所述)。
发明内容
本发明是考虑到这些问题而提出的。因此，本发明的目的是提供一种显示设备，该显示设备防止水和/或氧的外部侵入并防止由于这些侵入物质引起发光元件退化，本发明还提供一种包括用于生产该显示设备的简单生产步骤的生产方法。
为了克服常规技术的问题，根据本发明制定了下面的措施。
根据本发明的一个方面，提供一种显示设备，该显示设备具有在暴露的层间绝缘体的边缘处的密封材料，该密封材料用于防止水和/或氧侵入该层间绝缘体。
该显示设备包括具有薄膜晶体管和光发射器的显示部分、具有位于该显示部分边缘处的运行线(run wire)的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底，以及用于粘合第一衬底和第二衬底的密封材料。在这种情况下，仅仅在该显示部分的内部以及一根和多根运行线的交叉点处提供包含有机材料或具有骨架结构的材料的层间绝缘体，并且在该层间绝缘体的边缘处提供密封材料，所述骨架结构包括在第一衬底上多层绝缘体间的Si-0键。图1A至2B中示出了这种显示设备的顶视图和剖面图。
根据本发明的另一个方面，提供一种具有在暴露的层间绝缘体上的隔层体的显示设备，该隔层体用于防止水和/或氧侵入该层间绝缘体。
该显示设备包括具有薄膜晶体管和光发射器的显示部分、具有位于该显示部分边缘处的包括薄膜晶体管的驱动电路和运行线的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底，以及用于粘合第一衬底和第二衬底的密封材料。在这种情况下，仅仅在该显示部分的内部以及一根和多根运行线的交叉点处提供包含有机材料或具有骨架结构的材料的层间绝缘体。隔层体覆盖在驱动电路上的层间绝缘体的端部。在驱动电路上提供密封材料，所述骨架结构包括在第一衬底上多层绝缘体间的Si-0键。图5至6B中示出了这种显示设备的顶视图和剖面图。
在本发明的显示设备的描述中，术语“显示部分的边缘”指的是排除第一衬底上的显示部分之外的区域。即，术语“边缘”指的是在外部环绕某物的部分。运行线总体来说指的是布置在显示部分的边缘的线。例如，将包括与红(R)、绿(G)和蓝(B)相对应的阳极线路和一条阴极线路的四条供电线路，以及将显示部分、驱动电路等连接到接线端子的多条线共同地称为运行线。
有机材料指的是丙烯酸类、聚酰亚胺等。具有包括Si-0键的骨架结构的材料指的是通常由硅氧烷聚合物的聚合而制成的化合物材料。更特别的是，该材料指的是包括具有Si-0键的骨架结构并在取代基中至少包含氢的材料，或者在取代基中具有氟、烷基和芳香族烃的至少一个的材料。
层间绝缘体是在薄膜晶体管中包含的栅极绝缘膜上的单层或多层绝缘体。在许多情况下，该绝缘体具有开口，填充该开口的导体起到连接上层图案和下层图案的导线的作用。因此，该层间绝缘体对应于较厚的绝缘体，更特别的是，其厚度是50nm至5μm(更优选的是100nm至2μm)。层间绝缘体的端部指的是该层间绝缘体图案在衬底上的端部。
隔层体包含防止促使光发射器退化的物质侵入的绝缘材料或导电材料。更特别的是，该隔层体包括这样的树脂，该树脂包含在分子中含氟原子的单体，或者该隔层体包括这样的树脂，该树脂包含具有碳和氢原子的单体。更特别的是，可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰铵树脂、聚氨酯树脂等。
一根和多根运行线的交叉点指的是在显示部分排列的运行线、信号线、扫描线的交叉点。
驱动电路对应于具有显示部分的衬底上的驱动电路。例如，驱动电路对应于功能电路，所述功能电路例如与信号线驱动电路、扫描线驱动电路、CPU或存储器相对应。该显示设备包括光源，如图像显示设备、发光设备和照明装置。本发明包括密封像素部分和位于衬底和盖构件之间的驱动电路的板、具有在该板上的FPC的组件、具有在该FPC的端部的驱动器IC的组件、具有通过COG方法在该板上实现的驱动器IC的组件，以及用作监视器的显示器。
根据本发明的另一个方面，提供一种生产显示设备的方法，在该显示设备中，在第一衬底上形成薄膜晶体管、光发射器和运行线，该方法包括以下步骤，排除含有导电材料的合成物并在第一衬底上形成导电图案，通过利用有机材料或具有包括Si-0键的骨架结构的材料仅仅在该显示部分的内部以及运行线和多条线之间的交叉点处并在第一衬底上形成至少一个多层绝缘体，在该显示部分的内部、运行线和多条线之间的交叉点的边缘形成密封材料，通过该密封材料将相对的第二衬底粘合到第一衬底上。通过这些步骤，获得显示设备，其中在暴露的层间绝缘体的边缘提供密封材料，从而防止水/氧侵入该层间绝缘体。
根据本发明的另一个方面，提供一种生产显示设备的方法，该方法包括以下步骤，排除含有导电材料的合成物并在第一衬底上形成导电图案，通过利用有机材料或具有包括Si-0键的骨架结构的材料仅仅在该显示部分的内部以及运行线和多条线之间的交叉点处并在第一衬底上形成至少一个多层绝缘体，排出组合物并形成隔层体以便与驱动电路上的绝缘体接触，在驱动电路上形成密封材料，通过该密封材料将相对的第二衬底粘合到第一衬底上。通过这些步骤，获得显示设备，其中在暴露的层间绝缘体上提供隔层体，从而防止水/氧侵入该层间绝缘体。液滴排出技术用于这些步骤中的排出含有导电材料的组合物的这一步骤。
具有这些构造的本发明能够防止水和/或氧侵入到直接接触光发射器的绝缘体，并能够防止光发射器的退化。因此，能够防止出现暗斑和收缩，并能够提供可靠性提高的显示设备产品。
而且，将液滴排出技术应用于生产显示设备的生产步骤中可以删除如曝光和显影的光刻步骤。这样，可以提供一种产量提高的生产显示设备的方法。
附图简述
图1A和1B示出本发明的显示设备(实施方式1)；
图2A至2C示出本发明的显示设备(实施方式2)；
图3A至3D示出本发明的显示设备的制造方法(实施方式1)；
图4示出本发明的显示设备(实施方式1)；
图5示出本发明的显示设备(实施方式2)；
图6A和6B示出本发明的显示设备(实施方式2)；
图7A至7C示出本发明的显示设备的制造方法(实施方式2)；
图8A至8C示出本发明的显示设备的制造方法(实施方式2)；
图9A和9B示出应用于本发明的显示设备的制造方法的液滴排出技术(实施方式1)；
图10A至10E示出应用于本发明的电子设备(实施方式2)；
图11A至11C示出应用于本发明的电子设备(实施方式2)；
图12示出本发明的显示设备(实施方式1)。
具体实施方式
参考附图详细描述本发明的各个实施例。但是，本领域的技术人员很容易理解，本发明不限于下面的描述，而是可以在不背离本发明的精神和范围的情况下在形式上和细节上做各种改变。因此，本发明不应限于下面对各个实施例的描述。相同的附图标记通常表示在本发明的构造中的相同部件，下面将要描述本发明。
实施方式1
参考图1A和1B描述本发明的显示设备。图1A是本发明显示设备的顶视图。该显示设备包括在衬底100上的显示部分101、扫描线驱动电路102和103、信号线驱动电路104、密封材料105、运行线106和107、层间绝缘体108和接线端子109。在显示部分101中，以矩阵形式排列着多个像素，每个像素都包括光发射器和薄膜晶体管。
运行线106包括位于显示部分101边缘的三条供电线。这三条供电线是与红(R)、绿(G)和蓝(B)的子像素相对应的阳极线。当不需要分别用于R、G、B的供电线时，可以提供一条供电线，并且不需要为彩色图像显示提供对应于这些子像素的电源电势。运行线107也是供电线，在本文中是阴极线。
层间绝缘体108是衬底100上的多层绝缘体中的一层绝缘体。更特别的是，层间绝缘体108是包括在薄膜晶体管中的栅极绝缘膜上的单层或多层绝缘体。层间绝缘体108对应于包含有机材料或具有包含Si-O键的骨架结构的材料的绝缘体。在许多情况下，该层间绝缘体具有开口，开口中填充的导体作为连接上层图案和下层图案的导线。因此，层间绝缘体108对应于较厚的绝缘体，更特别的是，其厚度为50nm至5μm(更优选的是，100nm至2μm)。
例如，层间绝缘体108与包含在顶部栅极薄膜晶体管中的第一导体(栅电极)和连接到该薄膜晶体管中包含的半导体(有源层)杂质区的第二导体(源极-漏极线)之间绝缘的绝缘体相对应。而且，层间绝缘体108与布置在底部栅极薄膜晶体管中包含的半导体(有源层)和连接到该半导体杂质区的导体(源极-漏极线)之间的绝缘体相对应。更进一步地，层间绝缘体108与布置在连接到沟道保护和沟道蚀刻薄膜晶体管中包含的N型非晶态半导体的第一导体和连接到该第一导体的第二导体之间的绝缘体相对应。
接线端子109是例如通过导电粒子将FPC粘合其上的端子。通过该接线端子109可以向显示部分101提供各种信号和功率电压。
尽管图1A和1B示出了在衬底100上整体地包括显示部分101、扫描线驱动电路102和103以及信号线驱动电路104的显示设备，但是该显示设备也可以根据显示设备的一些应用而仅仅在整体上包括扫描线驱动电路102和103。在这种情况下，与信号线驱动电路104一样，可以通过COG方法实现驱动器IC。可选择的是，可以由驱动器IC来代替所有驱动电路。
图1B是图1A中虚线围绕的区域110的放大图。该放大区域110包括密封材料105、运行线106和107，以及层间绝缘体108。如上所述，运行线106包括三条阳极线。图1B包括与红色(R)对应的阳极线106r、与绿色(G)对应的阳极线106g，以及与蓝色(B)对应的阳极线106b。
本发明的显示设备的特征在于密封材料105和层间绝缘体108的位置。更特别的是，本发明的显示设备的特征在于仅仅在显示部分101中，以及运行线106、107与多条线的交叉点处提供层间绝缘体108，并且在层间绝缘体108的边缘提供密封材料105。
运行线106、107与多条线的交叉点包括显示部分101中的信号线与运行线106、107的交叉点，以及各运行线106的交叉点。
由于密封材料105布置在层间绝缘体108的边缘，因此，具有这些特征的本发明能够防止水和/或氧侵入到直接接触光发射器的绝缘体，并且能够防止光发射器的退化。因此，能够防止出现暗斑和收缩，并能够提供可靠性提高的显示设备产品。
图2B是沿图1A中的线B-B′-B″截开的剖面图，并且是运行线的剖面图。在图2B中，在衬底100上提供绝缘体141。绝缘体141是栅极绝缘膜。在绝缘体141上提供第一导体120至122、层间绝缘体123至126，对应于阳极线的第二导体106r、106g和106b。通过密封材料105将衬底100与衬底111粘合。图2C是沿图1B中的线C-C＇截开的剖面图，并且是运行线的剖面图。在图2C中，在衬底100上提供绝缘体141。绝缘体141是栅极绝缘膜。在绝缘体141上提供第一导体168和第二导体106r、106g和106b。第一导体168作为接线端子109。第二导体106r、106g和106b对应于阳极线。通过密封材料105将衬底100与衬底111粘合。
如图2B中所示，在运行线106的交叉点处提供层间绝缘体123至126。另一方面，如图2C中所示，仅仅在显示部分101处以及运行线和多条线的交叉点处提供层间绝缘体123至126。
图2A是沿图1A和1B中的线A-A′-A″截开的剖面图，并且是显示部分101、信号线驱动电路104和接线端子109的剖面图。下面根据生产步骤参照图3A至3D来描述图2A中的剖面结构。
衬底100可以是玻璃衬底、石英衬底、金属衬底、大块的半导体衬底、不锈性衬底或可抵抗生产步骤的处理温度的塑料衬底(图3A)。根据需要在衬底100上形成包含绝缘体的基础膜。接着，通过公知的方法(如溅射、LPCVA和等离子CVD)在衬底100上形成半导体165至167。这里，半导体165至167是多晶半导体。这些多晶半导体是通过利用公知的方法形成非晶态半导体、通过公知的结晶方法(激光结晶、通过RTA的热结晶或利用促进结晶的金属元素的炉内退火或热结晶)使非晶态半导体结晶并以所希望的形式使产物图案化而形成的。
接着，通过公知的方法在半导体165至167上形成包含二氧化硅膜和/或氮化硅膜的绝缘体141。绝缘体141作为栅极绝缘膜。
接着，通过利用液滴排出技术排出含有导电材料的组合物而在绝缘体141上形成第一导体142至145(图3B)。第一导体142至145作为接线端子或栅电极。
通过液滴排出单元可产生液滴排出技术的图案。该液滴排出单元包括用于排出液滴的单元，如具有组合物出口的喷嘴，和具有一个或多个喷嘴的喷头。液滴排出单元的喷嘴的直径可以规定为0.02至100μm(更优选的是30μm或更小)，将要从喷嘴排出的组合物的排出量可以规定为0.001pl至100pl(更优选的是，10pl或更小)。排出量与喷嘴直径的尺寸成比例增大。但是，喷嘴的直径可以依照第一导体142至145的形状和/或尺寸而改变。为了下降到所需位置，喷嘴的主体和出口之间的距离优选尽可能短，更优选的是，规定为0.1至3mm(更优选的是1mm或更小)。
将要从出口排出的组合物可以是由将导体溶解或分散到溶剂中而得到的。该导体可以对应于金属，如银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铱(Ir)、铑(Rh)、钨(W)和铝(Al)或卤化银细粒或分散的纳米粒子。可选择的是，该导体可以与用于透明导电薄膜的氧化铟锡(ITO)、有机铟、有机锡、氧化锌(ZnO)，和/或氮化钛(TiN)相对应。但是，考虑到电阻率值，将要从出口排出的组合物优选是由金、银或铜的材料溶解或分散到溶剂中而引起的。更优选的是，该导体是低电阻的银或铜。但是，当使用银或铜时，可以附加地使用阻挡膜作为杂质措施。
溶剂可对应于诸如乙酸丁酯和乙酸乙酯的酯、诸如异丙醇和乙醇的醇，或诸如甲乙酮和丙酮的有机溶剂。
组合物的粘度优选是50cp(厘泊)或更小，从而防止变干，并使该组合物从出口平稳地排出。组合物的表面张力优选是40mN/m或更小。根据将要使用的溶剂或应用，可以根据需要调整该组合物的粘度。例如，通过将ITO、有机铟或有机锡溶解或分散到溶剂中而产生的组合物的粘度可以是5至50mPa·S。通过将银溶解或分散到溶剂中而产生的组合物的粘度是5至20mPa·S。通过将金溶解或分散到溶剂中而产生的组合物的粘度是10至20mPa·S。
导体的粒子直径优选尽可能地小，以便防止喷嘴堵塞，和/或以便产生高清晰度图案，尽管粒子的直径取决于喷嘴的直径。粒子的直径优选是0.1μm或更小。组合物可通过公知的方法来形成，所述公知的方法例如是电解、雾化或湿还原(wet reducing)。粒子大小一般是大约0.5至10μm。但是，当利用气体蒸发技术来形成喷嘴时，由分散所保护的纳米分子大约是7nm，这是非常微小的。当利用涂层来覆盖这些纳米粒子的表面时，这些纳米粒子不会在溶剂中凝结。这些纳米粒子按照稳定的方式在室温下分散。也就是，这些纳米粒子基本上展现出与液体相同的特性。因此，优选使用涂层。
当在压力降低的情况下排出组合物时，在排出的组合物碰撞主体之前使该组合物挥发。因此，可以省略后面的烘干和焙烧的步骤。例如，由于氧化膜没有在导体的表面上形成，因此优选在压力降低的情况下排出组合物。
在排出组合物之后，可以进行烘干和焙烧的一个或两个步骤。尽管烘干和焙烧的步骤都是加热步骤，但是烘干步骤是在100度进行三分钟，而焙烧步骤是在200至350度进行15至30分钟。这两个步骤的目的、温度和时间都不同。烘干步骤和焙烧步骤是在正常压力或减小的压力下通过激光辐照、快速热退火或炉内退火而进行的。在形成第一导体142至145或在第一导体142或145上形成绝缘体之后，可以进行加热处理。加热处理的时间没有特别限制。为了良好地进行烘干和焙烧步骤，可以预先加热衬底。温度取决于例如衬底的材料，但是一般是100至800度(优选200至350度)。这些步骤可以使组合物中的溶剂挥发，或者用化学方法消除分散。而且，周围的树脂会***并收缩，这使纳米粒子彼此接触。因此，加速了混合和熔合。
激光辐照可以使用连续振荡或脉冲振荡的气体激光器或固体激光器。前者的气体激光器可以是受激准分子激光器或YAG激光器。后者的固体激光器可以是含有晶体的激光器，如含有Cr、Nd等的YAG和YVO4。考虑到激光的吸收系数，优选使用连续振荡的激光器。可以采用所谓的混合激光辐照，其中将脉冲振荡与连续振荡组合。但是，根据衬底100的耐热性，可以通过激光辐照几微秒至大约30秒来快速地进行加热处理，从而不破坏衬底100。
通过利用辐照紫外线或红外线的红外灯或卤素灯在具有惰性气体的气氛中快速升温和快速加热几分钟至几微秒来进行快速热退火(RTA)。该快速处理可以仅仅基本上加热最上面的表面上的薄膜，这不会影响下面的薄膜。换句话说，不会影响具有低热阻的衬底100，如塑料衬底。
接着，通过利用产生的第一导体142至145中的一个或两个并根据需要利用产生的抗蚀剂作为掩模，向半导体165至167增加P型或N型给定杂质，并形成含有杂质的杂质区159至161以及沟道形成区162至164。
这样，完成晶体管(薄膜晶体管TFT)130至132，该晶体管包括半导体165至167、绝缘体141和第一导体143至145，半导体165至167包括杂质区159至161中的任一个和沟道形成区162至164中的任一个。
接着，通过利用诸如等离子CVD、溅射、SOG(在玻璃上旋涂)和旋涂的公知方法形成遍布在绝缘体141之上的50nm至5μm(更优选是100nm至2μm)厚的绝缘体并通过掩模使该绝缘体图案化为所希望的形状而在绝缘体141上形成层间绝缘体147至153(图3C)。
优选通过液滴排出技术来形成层间绝缘体147至153。这是因为材料的使用效率比公知方法(特别是旋涂)更明显地增大。而且，当通过液滴排出技术将组合物仅仅排出到所希望的位置时，可以省略曝光和显影的步骤。这样，可以明显提高产量。但是，在这种情况下，在形成源极-漏极线之前，必须使作为栅极绝缘膜的绝缘体141图案化。
层间绝缘体147至153中的每一个优选是含有硅的单层或多层材料，如二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧氮化硅膜、诸如丙烯酸、苯并环丁烯、聚对二甲苯基、特别(flair)且透明的聚酰亚胺的有机材料，和/或由硅氧烷聚合物的聚合而制成的化合物。含有有机材料的层间绝缘体147至153非常平坦，即使稍后在其上形成导体，这能够防止厚度极端减小和/或在任何水平面变化处出现断裂。但是，为了防止有机材料出现脱气，可以形成包含无机材料的薄膜作为层间绝缘体147至153的上层和下层，该无机材料包含硅。更特别的是，优选通过等离子CVD或溅射形成氮氧化硅膜或氮化硅膜。
根据具有这种结构的本发明，由于在外部罩上了作为层之间绝缘体的有机材料，因此能够防止光发射器的退化，能够防止吸水性。有机材料吸收水但是该有机材料是非常平坦的，这对于用作层之间的薄膜或堤是非常有利的。换句话说，根据本发明，可以在需要平面性而不关注有机材料的吸水性的地方使用有机材料。有机材料有利地具有低介电常数，并可以用作层之间的薄膜从而降低线容量。这样，优选将有机材料用在需要快速操作的显示设备中。硅氧烷聚合物是包括具有Si-0键的骨架结构并在取代基中至少含有氢的材料或者在取代基中具有氟、烷基和芳香族烃中至少一个的材料的典型例子。但是，在一些情况下，可以使用各种材料来代替。硅氧烷聚合物显示出高平面性，也具有透明度和热阻。这样，在形成含硅氧烷聚合物的绝缘体之后可以在温度为300度至600度下进行加热处理。该加热处理允许同时进行氢化处理和焙烧处理。
接着，通过利用液滴排出技术排出包括导电材料的组合物而在绝缘体141和层间绝缘体147至153上形成第二导体154至158。在这种情况下，第二导体154至158作为运行线或源极线和漏极线。
接着，通过液滴排出技术形成导体134，使其与导体158接触，导体158与晶体管132中包括的杂质区161接触(图2A)。在这种情况下，导体134作为第一电极(像素电极)。接着，通过公知的方法形成作为堤的绝缘体133，并且形成与导体134接触的电场发光层135。然后，叠置导体136，使其与电场发光层135接触。这样，完成光发射器，其包括导体134、电场发光层135和导体136。
光发射器中的一对电极对应于阳极和阴极。该阳极和阴极优选包含诸如金属、合金、电导体化合物或其混合物的材料。当阳极包含具有大的功函数的材料时，阴极包含具有小的功函数的材料。阳极和阴极之间的电场发光层具有单层、多层或广泛包含有机材料(低聚物、高聚物和/或共轭聚合物)和/或无机材料的混合结构。电场发光层中的发光包括从单线激态返回到基态发出的光(荧光)和从三线激态返回到基态发出的光(磷光)。包含在电场发光层中的材料可以是单线材料或三线材料。对于这些材料和结构可以参考日本特许公开案No.2002-151269。
光可以从光发射器朝衬底100(下侧发射)或者沿衬底100的相反方向(上侧发射)发射。此外，光发射器的一对电极可以包括透明材料或具有一厚度，该厚度允许光透过以执行包括上侧发射和下侧发射的双侧光发射。
最后，绝缘体137形成在整个表面上。在这种情况下，绝缘体137用作保护膜。用作堤的绝缘体133可以利用公知的方法由包含硅的材料和/或有机材料形成。但是，电场发光层135较薄并且在电平转换时容易破裂。这样，电场发光层135可以由感光的丙烯酸类和/或感光的聚酰亚胺形成，由此可以获得柔和的表面，其具有连续变化的曲率半径。
随后，利用丝网印刷或分配技术在层间绝缘体147至153的边缘处形成密封材料105。通过这些步骤，可以获得具有光发射器的显示设备。
根据本发明的制造方法，可以利用液滴排出技术形成第一导体142至145、第二导体154至158和导体134、136的所有导电图案。
因此，这些特征具有以下优点。首先，可以形成完全包含导电材料的薄膜，并在该薄膜上进行图案处理。这样，由于在接触孔(开口)的侧面或端部中残余的导电材料，可以缩短导线。本发明通过使用液滴排出技术可以防止发生短路。此外，本发明通过使用液滴排出技术可以显著地改进材料的使用效率和减小废液的处理量。这样，可以提供有助于解决环境问题的处理。此外，由于不需要掩模，可以简化生产步骤，这样可以提高产量。本发明可以容易地应用于第五代或更高级的衬底，其具有一米或更大的侧面。这样，即使在正常的压力下，例如也可以不需要真空机构。因此，可以抑制在清洁室内占地面积的增加。
图2中示出的剖面结构包括导体134，其所位于的层与具有第二导体155至158的层相同。在这种情况下，导体134用作像素电极。但是，为了改进沿衬底100的相反方向从光发射器发射光的孔径比，也就是说，为了所谓的上侧发射，另一个绝缘层可以附加地形成在第二导体155至158上。那么，用作像素电极的导体可以形成在该绝缘体上。图4示出了在这种情况下的剖面结构。
图4中，晶体管132布置在衬底100上。层间绝缘体151至153以及与层间绝缘体151至153接触的第二导体157和158布置在晶体管132上。层间绝缘体170和171以及与层间绝缘体170和171接触的第三导体174布置在第二导体158上。包括导体(像素电极)134的光发射器布置在绝缘体172和173上，所述导体与第三导体174、电场发光层135和导体(相对电极)136接触。这样，绝缘体137就完全覆盖于其上。
层间绝缘体151至153和层间绝缘体170至171中的一个或两个可以利用公知的方法由有机材料和/或包含硅的无机材料形成。但是，当使用有机材料时，包含硅的材料的薄膜可以形成在包含有机材料的薄膜之上或之下，以便防止发生脱气。
具有图4中所示结构的显示设备允许增大用作像素电极的导体134的接线区域。这样，可以改进孔径比。
实施方式2
参考图5和12描述本发明的显示设备。图5是本发明的显示设备的顶视图。该显示设备包括位于衬底200上的显示部分251、扫描线驱动电路252和253、信号线驱动电路254、密封材料255、运行线256和257、层间绝缘体258、接线端子259和隔层体260。
运行线256包括在显示部分251的边缘处的三条供电线。运行线257也是供电线，在此是阴极线。
层间绝缘体258是一绝缘体，其包含有机材料或具有骨架结构的材料，所述骨架结构包括在衬底200上的多层绝缘体间的Si-0键。更特别地是，该层间绝缘体258是位于栅极绝缘薄膜上的单层或多层绝缘体，所述栅极绝缘薄膜包括在薄膜晶体管中。在许多情况下，绝缘体具有一开口，填充在该开口中的导体用作一导线，用于连接上层图案和下层图案。因此，层间绝缘体258对应于较厚的绝缘体，更特别地是，其厚度为50nm至5μm(更优选的是100nm至2μm)。
隔层体260包含绝缘材料或导电材料，用于防止促使光发射器退化的物质侵入，更特别地是，隔层体包含防止环氧树脂和/或导体中的水和/或氧侵入的材料。
本发明的显示设备的特征在于密封材料255和层间绝缘体258的位置。更特别地是，本发明的显示设备的特征在于层间绝缘体258仅仅布置在显示部分251内以及运行线256和257和导线的交叉点处，还在于密封材料255布置在绝缘体258中除信号线驱动电路254上面的部分的边缘处。本发明的显示设备的主要特征在于暴露在信号线驱动电路254上的层间绝缘体258的端部由隔层体260覆盖，该隔层体可以利用液滴排出技术形成。运行线256和257与导线的交叉点包括运行线256和显示部分251内部的信号线的交叉点以及各运行线256之间的交叉点。
接着，参考图12描述本发明的显示设备的顶视图。与图5中示出的显示设备的结构相比，图12中示出的显示设备还包括隔层体261和262，以及具有不同位置的密封材料255。运行线256不包括三条供电线但是对应于一条供电线。
具有这种结构的本发明的显示设备的特征在于密封材料255和层间绝缘体258的位置。更特别地是，本发明的显示设备的特征在于层间绝缘体258仅仅布置在显示部分251内以及运行线256和257和导线的交叉点处，还在于密封材料255布置在绝缘体258中除扫描线驱动电路252和253以及信号线驱动电路254上面的部分的边缘处。本发明的显示设备的主要特征在于扫描线驱动电路252和253以及信号线驱动电路254的端部由隔层体260至262覆盖，该隔层体可以利用液滴排出技术形成。
具有这些特征的本发明可以防止水和/或氧侵入到直接接触光发射器的绝缘体，并且由于密封材料布置在层间绝缘体258中排出驱动电路上面的部分的边缘处，因此可以防止光发射器退化，以及在信号线驱动电路254上层间绝缘体258的暴露部分由隔层体覆盖，该隔层体可以利用液滴排出技术形成。因此，可以防止产生暗斑和收缩，从而可以提供具有改进可靠性的显示设备作为产品。此外，由于密封材料255布置在驱动电路上，因此可以提供具有狭窄框边的显示设备。
尽管图5和12示出了整体地包括在衬底200上的显示部分251、扫描线驱动电路252和253以及信号线驱动电路254的显示设备，但是仅仅根据显示设备的某些应用的需要该显示设备也可以整体地包括扫描线驱动电路252和253。在这种情况下，作为信号线驱动电路254，可以利用COG方法实现驱动器IC。可替换地，所有驱动电路都可由驱动器IC替代。换句话说，当没有布置信号线驱动电路254时，密封材料255布置在显示部分251上，这将进一步减小框边的尺寸。
图6A是沿图5中的A-A′截开的剖面图，它是连接端子259、显示部分251和信号线驱动电路254的剖面图。图6B是沿图5中的B-B′截开的剖面图，它是连接端子259和信号线驱动电路254的端部的剖面图。下面参考图7和8据生产步骤描述图6A中的剖面结构。
衬底200可以是玻璃衬底、石英衬底、金属衬底、不锈性衬底或可抵抗生产步骤中的处理温度的塑料衬底(图7A)。如所需的包含绝缘体的底部膜形成在衬底200上。接着，通过利用液滴排出技术排放导电材料的组合物，在衬底200上形成导体201。导体201用作栅电极。
接着，利用公知的方法形成包含二氧化硅膜或氮化硅膜的绝缘体202。该绝缘体202用作栅极绝缘膜。
随后，利用公知的方法在绝缘体202上形成半导体203。这里，半导体203是非晶态半导体。接着，利用公知的方法在半导体203上形成N型半导体204。这里，N型半导体204是包含一种导电型杂质的半导体。该N型半导体204可以利用其中将杂质组合物添加到非晶态半导体中的掺杂方法或者使用硅烷气体和磷化氢气体形成。接着，形成掩模205作为抗蚀剂。当利用液滴排出技术形成掩模205时，曝光和显影的步骤可以省略，从而提高材料的使用效率。
通过同时在掩模205上使半导体203和N型半导体204图案化形成半导体206和N型半导体207(图7B)。接着，通过利用液滴排出技术排除导电材料的组合物形成导体209和210。
随后，通过同时在掩模上使半导体206和N型半导体207图案化形成半导体211和N型半导体212(图7C)。这样，就完成了包括导体201、绝缘体202、半导体206和N型半导体207的晶体管231。
该完成的晶体管231包括非晶态半导体。当使用a-Si TFT作为驱动光发射器的晶体管时，沟道宽度W/沟道长度L优选限定在1至100(更优选的是5至20)，以便改进电流能力。更特别地是，沟道长度L优选限定为5至15μm，沟道宽度W优选限定为2 0至1200μm(更优选的是40至600μm)。当沟道宽度W和沟道长度L如上所述进行限定时，晶体管会占据大量的像素空间。因此，光发射器优选执行上侧发射，用于沿衬底的相反方向发射。
接着，完整地形成绝缘体232。该绝缘体232的功能是保护包括在晶体管231中的沟道形成区。
接着，通过利用公知的方法在整个绝缘体232上形成厚度为50nm至5μm(更优选的是100nm至2μm)的绝缘体，然后通过掩模使绝缘体图案化成期望的形式，在绝缘体232上形成层间绝缘体214和215。
层间绝缘体214和215优选由液滴排出技术形成。这是因为与公知的方法(特别是旋涂法)相比，可以显著地增大材料的使用效率。此外，当利用液滴排出技术将组合物仅仅排除到期望位置时，可以省略曝光和显影步骤。这样，可以显著地增大产量。但是，在这种情况下，在新形成连接导体210的导体之前，必须在后一步骤中使绝缘体232图案化。
每个层间绝缘体214和215优选是包含诸如二氧化硅膜的硅的单层或多层材料、诸如丙烯酸类和透明的聚酰亚胺的有机材料以及由硅氧烷聚合物的聚合而形成的化合物材料。
硅氧烷聚合物是该材料的典型实例，其包括具有Si-0键和包含在取代基中的至少一个氢或在取代基中具有氟、烷基和芳族烃中至少一个的材料。但是，在各种条件下可以使用不同材料进行替代。
有机材料和具有包含Si-0键的骨架结构的材料是优选的，因为有机材料和具有包含Si-0键的骨架结构的材料是高度平坦的，这可以防止厚度急剧减小和/或在任何电平转换时发生断裂，即使以后在其上形成导体。具有包含Si-0键的骨架结构的材料也具有透明度和热阻。这样，可以在形成薄膜之后，在大约300度的温度执行加热处理。该加热处理允许同时执行氢化处理和焙烧处理。
接着，通过利用液滴排出技术排除包括导电材料的组合物，形成第二导体208、216和217，使其与绝缘体210接触。在这种情况下，第二导体208、216和217用作运行线或源极线和漏极线(图8A)。
这里，如图8A所示，层间绝缘体214的端部230是暴露的。但是，水和/或氧可能从暴露的端部230侵入，而光发射器可能因侵入的物质发生退化。因此，通过利用液滴排出技术对暴露的端部排除组合物来形成隔层体218(图8B)。这里使用的组合物可以是能够防止水和/或氧侵入的组合物，其具有50cp或更低的粘度，它可以利用液滴排出技术形成。一种具有这些特性的组合物例如可以是公知的导电材料或树脂材料，如环氧树脂、丙烯酸酯、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰铵树脂、聚氨酯树脂。当使用这些树脂材料中的一种时，可以使用溶剂将粘度调节成溶解的或分散的。憎水树脂是优选的，它可以是包含氟原子的树脂或包含氢原子的树脂。更特别地是，包含在分子中具有氟原子的单体的树脂或包含具有所有碳和氢原子的单体的树脂是优选的。当隔层体218由导电材料形成时，必须形成图案以便防止隔层体218和导线之间的短路。因此，包含树脂材料的隔层体218优选布置在可能导致与导线发生短路的区域。当形成隔层体218时，可能在端部230以某一角度发生断裂。因此，该端部230必须形成为使其具有柔和的倾斜表面，更特别地是，可以形成为具有30至70度的楔形形式。此外，为了防止断裂，可以反复从组合物中排除一个或多个液滴以及焙烧和硬化该组合物的处理。
图8C是沿图5中的线B-B′截开的剖面图。如图8C所示，层间绝缘体229由包括线B-B′的区域中的导体233覆盖。这样，在某种程度上可以防止水和/或氧的外部侵入。但是，为了可靠地防止杂质的外部侵入，优选形成一隔层体228。
接着，利用液滴排出技术形成导体(像素电极)220，使其与导体217接触(图6)。在这种情况下，导体220用作第一电极(像素电极)。接着，利用公知的方法形成用作堤的绝缘体221和222，并且电场发光层223形成为与导体220接触。然后，堆叠导体224，使其与电场发光层223接触。这样，获得的光发射器包括导体220、电场发光层223和导体224。最后，完整地形成用作保护膜的绝缘体225。
接着，利用丝网印刷或分配技术形成密封材料256，然后通过密封材料226粘合衬底200和相对的衬底227。通过这些步骤，可以获得如图6A和6B所示具有光发射器的显示设备。
尽管在用密封材料密封之前形成隔层体218，但是本发明不限于此。隔层体218可以在密封之后形成。在这种情况下，隔层体218可以覆盖相对的衬底227，而不是形成在显示部分251上。
根据具有该生产方法的本发明，可以利用液滴排出技术形成导体210、208至210、216、217和220的所有导电图案。
因此，这些特征具有以下的优点。首先，可以形成完全包含导电材料的薄膜，并在其上执行图案处理。这样，由于在接触孔(开口)的侧面或端部中残余的导电材料，可以缩短导线。本发明通过使用液滴排出技术可以防止发生短路。
图6A和6B中示出的剖面结构包括导体220，其所位于的层与具有导体216和217层相同。在这种情况下，导体220用作像素电极。但是，为了改进沿衬底200的相反方向从光发射器发射光的孔径比，也就是说，为了如图4所示的所谓的上侧发射，另一个绝缘层可以附加地形成在导体216和217上。那么，用作像素电极的导体可以形成在该绝缘体上。在具有该结构的显示设备中，可以增大用作像素电极的导体134的区域。这样，可以改进孔径比
该实施例可以自由地与第一实施例组合。
实施例1
参考图9A和9B描述用于制造导线和半导体的液滴排出装置的实例。首先简要地参考图9A描述液滴排出装置的结构。该液滴排出装置包括具有喷嘴的液滴排出单元(未示出)或具有沿轴向布置的多个喷嘴的喷头的液滴排出单元(未示出)、控制器和用于控制液滴排出单元的CPU(未示出)以及用于固定衬底6401并可沿XYθ方向移动的平台6403。为了改进循环时间，优选使用包括沿轴向布置的多个喷嘴的喷头的液滴排出单元。
液滴排出单元设置在框架6402上，该框架6402具有用于固定液滴排出单元的结构，如图9B所示。平台6403具有利用诸如真空吸盘的技术固定衬底6401的功能。组合物可以从液滴排出单元的喷嘴出口朝衬底6401排出，由此形成图案。
平台6403和液滴排出单元通过控制器由CPU控制。图像拾取单元(未示出)例如CCD照相机也可以由CPU控制。该图像拾取单元检测标记的位置，然后将检测到的信息提供给CPU。在形成图案的过程中，可以移动液滴排出单元，或者可以固定液滴排出单元，而移动平台6403。在这种情况下，液滴排出单元必须考虑到组合物的加速度、液滴排出单元的喷嘴和目标以及环境之间的距离而进行移动。
为了改进排出组合物的命中精度，可以进一步提供用于使液滴排出单元上下移动的移动机构和为此的控制单元作为可选择的部件。这样，喷头和衬底6401之间的距离可以根据排出组合物的特性改变。此外，可以提供清洁单元用于提供清洁气体和减小工作区域中的灰尘。此外，如果需要可以提供用于加热衬底的单元(未示出)和用于测量各种物理性质如温度和压力的单元(未示出)。这些单元可以由布置在其箱体外部的控制单元中央地和外部地进行控制。通过LAN电缆、无线LAN、光纤等类似物与生产管理***连接的控制单元可以中央地控制这些步骤。这样，可以改进生产率。为了增大干燥命中组合物的速度，和去除组合物中溶解的成份，可以在真空环境中排出空气使其成为低压。
图9B示出了液滴排出单元。该液滴排出单元包括压电元件6404和用于配合到如图9A所示的框架6402中的框架6405和6406。该液滴排出单元还包括出口6407。在图9B中，压电元件被示出，但是对于一些溶解的材料，可以加热加热元件，形成气泡，然后分离出溶剂。在这种情况下，压电元件由加热器替代。此外，为了排出液滴，在溶剂和流体容器管道、辅助流体容器、流体阻力部分、增压器以及溶剂出口之间调节可湿性是重要的。因此，可以在管道中布置碳膜、树脂膜等类似物，用于调节给定材料的可湿性。导线和供给管等等布置在框架6405和6406内部。当图9B中的液滴排出单元安装在如图9A所示的装置中时，导线与驱动电路连接，用于控制压电元件。供给管与装填组合物的储罐连接。
实施例2
本发明可以应用于各种电子设备，例如摄影机、数码相机、眼镜型显示器、导航***、音频复制设备例如车用音频***、笔记本个人电脑、游戏机、便携信息终端(移动计算机、移动电话、便携游戏机、电子书籍等等)和具有记录介质的图像复制设备如家用视频游戏机(特别地，是能够复制记录介质的设备如DVD，并且该设备具有显示所复制图像的显示器)。图10A至11C中示出了这种电子设备的具体实例。
图10A示出了一种便携式终端，其包括主体9101、显示部分9102等等。图10B示出了布置在该便携终端中的平板。该平板具有显示部分9102和位于同一衬底上的驱动电路9103。图10C示出了一种PDA，其包括主体9201、显示部分9202等等。图10D示出了一种便携游戏机，其包括主体9401、显示部分9402等等。图10E示出了一种数字摄像机，其包括主体9701、显示部分9702等等。
在上述的电子设备中，本发明的显示设备可以应用于包括显示部分9102、9202、9402、9701和9702的平板。每个包括显示部分的平板具有一对彼此配合的衬底，本发明可应用于这种平板及其制造方法。
图11A示出了一种电视机，其包括底架9501、显示部分9502等等。图11B示出了一种与个人电脑连接的监视器，其包括底架9601、显示部分9602等等。图11C示出了一种笔记本个人电脑，其包括底架9801、显示部分9802等等。
本发明可以应用于制造包括显示部分9502、9602和9802的平板。从价格和/或处理的观点来看，与图11A至11C示出的电子设备和第二实施例一样，包括显示部分9502、9602和9802的10英寸或更大的平板优选包括薄膜晶体管(a-Si TFT)，其具有包含非晶态半导体的沟道部分。
应用本发明的显示设备可以防止暗斑和收缩，并改进产品的可靠性，还可以提供具有更长使用期限的电子设备。本发明通过应用液滴排出技术可以提供简化地制造显示设备的方法，和提供廉价的电子设备。
在这些电子设备如图10A至10E示出的移动终端中，优选使用自发光的光发射器作为显示部分的显示设备。因为不需要背光，所以该光发射器例如可以比液晶更薄、更小、更轻。此外，如图11A至11C所示，通过使用光发射器可以减小10英寸或更大电子设备的厚度、尺寸和重量。特别地，如图11A所示，与CRT电视机相比，可以显著地改进40英寸或更大电视机的重量和尺寸。

Claims (25)

1.一种显示设备，包括：
包括位于第一衬底上的薄膜晶体管和发光元件的显示部分；
布置在第一衬底上所述显示部分外部的运行线；
在薄膜晶体管和运行线上形成的层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括树脂材料；
覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面的隔层体，其中所述隔层体包括树脂材料；
与所述第一衬底相对的第二衬底；
嵌入在所述第一衬底和所述第二衬底之间的密封材料；
其中所述层间绝缘体在所述显示部分和所述运行线处形成，以及
其中所述密封材料布置在所述隔层体上。
2.一种显示设备，包括：
包括位于第一衬底上的薄膜晶体管和发光元件的显示部分；
布置在第一衬底上所述显示部分外部的运行线；
在薄膜晶体管和运行线上形成的层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括具有Si-O键的骨架结构；
覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面的隔层体，其中所述隔层体包括树脂材料；
与所述第一衬底相对的第二衬底；
嵌入在所述第一衬底和所述第二衬底之间的密封材料；
其中所述层间绝缘体在所述显示部分和所述运行线处形成，以及
其中所述密封材料布置在所述隔层体上。
3.一种显示设备，包括：
在第一衬底上形成的显示部分和驱动电路，所述显示部分和驱动电路都包括薄膜晶体管；
布置在第一衬底上所述显示部分外部的运行线；
在薄膜晶体管和运行线上形成的层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括树脂材料；
与所述第一衬底相对的第二衬底；
嵌入在所述第一衬底和所述第二衬底之间的密封材料；和
覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面的隔层体，其中所述隔层体包括树脂材料；
其中所述层间绝缘体在所述显示部分和所述运行线处形成，以及
其中所述密封材料布置在所述隔层体上。
4.一种显示设备，包括：
在第一衬底上形成的显示部分和驱动电路，所述显示部分和驱动电路都包括薄膜晶体管；
布置在第一衬底上所述显示部分外部的运行线；
在薄膜晶体管和运行线上形成的层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括具有Si-O键的骨架结构；
与所述第一衬底相对的第二衬底；
嵌入在所述第一衬底和所述第二衬底之间的密封材料；和
覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面的隔层体，其中所述隔层体包括树脂材料；
其中所述层间绝缘体在所述显示部分和所述运行线处形成，以及
其中所述密封材料布置在所述隔层体上。
5.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述层间绝缘体在栅极电极和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成。
6.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述层间绝缘体在有源层和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成。
7.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述层间绝缘体包括在栅极电极和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成的第一绝缘体，以及在源极线和漏极线中至少一个和发光元件之间形成的第二绝缘体。
8.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述层间绝缘体包括在有源层和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成的第一绝缘体，以及在源极线和漏极线中至少一个和发光元件之间形成的第二绝缘体。
9.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述隔层体包括选自由环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰铵树脂、聚氨酯树脂构成的组中的至少一个。
10.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述隔层体包括具有氟原子的单体。
11.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述隔层体包括具有碳原子和氢原子的单体。
12.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述层间绝缘体仅在显示部分和运行线处形成。
13.如权利要求1至4中任何一项所述的显示设备，其中所述显示设备结合在下述组中的至少一个设备中，所述组包括摄影机、数码相机、眼镜型显示器、导航***、音频复制设备、笔记本个人电脑、电视机、游戏机、移动计算机、移动电话、便携游戏机、电子书籍和图像复制设备。
14.一种制造显示设备的方法，包括：
在第一衬底上形成包括薄膜晶体管的显示部分和在所述显示部分外部的运行线；
在显示部分和运行线上形成层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括树脂材料；
在所述层间绝缘体上形成发光材料；
形成隔层体，从而覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面，其中所述隔层体包括树脂材料；
在所述隔层体上形成密封材料；以及
通过所述密封材料结合第二衬底和第一衬底。
15.一种制造显示设备的方法，包括：
在第一衬底上形成包括薄膜晶体管的显示部分和在所述显示部分外部的运行线；
在显示部分和运行线上形成层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括具有Si-O键的骨架结构；
在所述层间绝缘体上形成发光材料；
形成隔层体，从而覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面，其中所述隔层体包括树脂材料；
在所述隔层体上形成密封材料；以及
通过所述密封材料结合第二衬底和第一衬底。
16.一种制造显示设备的方法，包括：
在第一衬底上形成显示部分、驱动电路和在所述显示部分外部的运行线；其中所述显示部分和驱动电路都包括薄膜晶体管；
在所述显示部分、所述驱动电路和所述运行线上形成层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括树脂材料；
在所述层间绝缘体上形成发光材料；
形成隔层体，从而覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面，其中所述隔层体包括树脂材料；
在所述隔层体上形成密封材料；以及
通过所述密封材料结合第二衬底和第一衬底。
17.一种制造显示设备的方法，包括：
在第一衬底上形成显示部分、驱动电路和在所述显示部分外部的运行线；其中所述显示部分和驱动电路都包括薄膜晶体管；
在所述显示部分、所述驱动电路和所述运行线上形成层间绝缘体，其中所述层间绝缘体包括具有Si-O键的骨架结构；
在所述层间绝缘体上形成发光材料；
形成隔层体，从而覆盖所述层间绝缘体的端部和侧面，其中所述隔层体包括树脂材料；
在所述隔层体上形成密封材料；以及
通过所述密封材料结合第二衬底和第一衬底。
18.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述层间绝缘体在栅极电极和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成。
19.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述层间绝缘体在有源层和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成。
20.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述层间绝缘体包括在栅极电极和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成的第一绝缘体，和在源极线和漏极线中至少一个和发光元件之间形成的第二绝缘体。
21.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述层间绝缘体包括在有源层和所述薄膜晶体管的源极线和漏极线中至少一个之间形成的第一绝缘体，和在源极线和漏极线中至少一个和发光元件之间形成的第二绝缘体。
22.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述隔层体包括选自由环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰铵树脂、聚氨酯树脂构成的组中的至少一个。
23.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述隔层体包括具有氟原子的单体。
24.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述隔层体包括具有碳原子和氢原子的单体。
25.如权利要求14至17中任何一项所述的制造显示设备的方法，其中所述显示设备结合在下述组中的至少一个设备中，所述组包括摄影机、数码相机、眼镜型显示器、导航***、音频复制设备、笔记本个人电脑、电视机、游戏机、移动计算机、移动电话、便携游戏机、电子书籍和图像复制设备。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8350466B2 (en) 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
DE102005046190A1 (de) 2005-09-27 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit Stromaufweitungsschicht
KR100671643B1 (ko) * 2006-01-27 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US9071809B2 (en) 2008-01-04 2015-06-30 Nanolumens Acquisition, Inc. Mobile, personsize display system and method of use
KR101074801B1 (ko) * 2009-09-09 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 발광 표시 장치
KR20120089123A (ko) * 2011-02-01 2012-08-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9236202B2 (en) * 2012-09-10 2016-01-12 Apple Inc. Corrosion mitigation for metal traces
KR102184448B1 (ko) * 2013-10-15 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP6354188B2 (ja) * 2014-02-10 2018-07-11 セイコーエプソン株式会社 導通構造、導通構造の製造方法、液滴吐出ヘッドおよび印刷装置
KR102184676B1 (ko) 2014-02-19 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102309620B1 (ko) * 2014-11-18 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102357269B1 (ko) * 2014-12-12 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102536146B1 (ko) * 2016-04-07 2023-05-24 삼성전자주식회사 디스플레이 장치, 이를 포함하는 전자 장치 및 이의 동작 방법
KR102610024B1 (ko) * 2016-06-16 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107644937B (zh) * 2016-07-22 2021-06-15 元太科技工业股份有限公司 电子组件封装体
US10714706B2 (en) * 2017-09-25 2020-07-14 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN108428804A (zh) * 2018-04-19 2018-08-21 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其封装方法
CN208781850U (zh) * 2018-10-31 2019-04-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3284406A (en) * 1963-12-18 1966-11-08 Dow Corning Organosiloxane encapsulating resins
JP2660012B2 (ja) * 1988-09-13 1997-10-08 株式会社東芝 ゴム変性フェノール樹脂、エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JPH11233257A (ja) 1998-02-12 1999-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分散型エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法
JP3230664B2 (ja) 1998-04-23 2001-11-19 日本電気株式会社 液晶表示装置とその製造方法
US6391771B1 (en) * 1998-07-23 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Integrated circuit interconnect lines having sidewall layers
JP2000133649A (ja) 1998-10-22 2000-05-12 Canon Inc 素子回路基板上の絶縁膜の形成方法
EP1020839A3 (en) * 1999-01-08 2002-11-27 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and driving circuit therefor
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW511298B (en) * 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
JP4831873B2 (ja) 2000-02-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置及びその作製方法
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
US6515310B2 (en) 2000-05-06 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric apparatus
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US6864628B2 (en) 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP2002151269A (ja) 2000-08-28 2002-05-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
JP4101529B2 (ja) * 2001-02-22 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6656611B2 (en) 2001-07-20 2003-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure-defining material for OLEDs
JP2003203783A (ja) 2001-10-26 2003-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7488986B2 (en) 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6956240B2 (en) 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7576734B2 (en) 2001-10-30 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same
US6963336B2 (en) 2001-10-31 2005-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit and light emitting device
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4101511B2 (ja) 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
JP2003208980A (ja) 2002-01-11 2003-07-25 Fuji Electric Co Ltd 色変換フィルタ基板およびそれを用いた色変換カラーディスプレイ
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP3864796B2 (ja) * 2002-02-06 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 描画パターンデータ生成方法、描画パターンデータ生成装置並びにこれを備えた機能液滴吐出装置、液晶表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ｐｄｐ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP2003243327A (ja) 2002-02-20 2003-08-29 Seiko Epson Corp 電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置
JP4082927B2 (ja) 2002-05-08 2008-04-30 三洋電機株式会社 放送受信装置
JP4171258B2 (ja) 2002-07-25 2008-10-22 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
EP1437683B1 (en) 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
US20040227197A1 (en) 2003-02-28 2004-11-18 Shinji Maekawa Composition of carbon nitride, thin film transistor with the composition of carbon nitride, display device with the thin film transistor, and manufacturing method thereof
JP2004361424A (ja) 2003-03-19 2004-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法
US8552933B2 (en) 2003-06-30 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method of the same
US7566001B2 (en) 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card

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