CN1796482A - 用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法 - Google Patents
用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1796482A CN1796482A CNA2005101161919A CN200510116191A CN1796482A CN 1796482 A CN1796482 A CN 1796482A CN A2005101161919 A CNA2005101161919 A CN A2005101161919A CN 200510116191 A CN200510116191 A CN 200510116191A CN 1796482 A CN1796482 A CN 1796482A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- silicon nitride
- nitride layer
- silicon oxide
- polishing composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 69
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004438 BET method Methods 0.000 claims description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 102
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
提供一种抛光组合物，其氮化硅层的材料去除速率高于氧化硅层的材料去除速率，对抛光平面化基本上没有不良作用，可以达到足够的氮化硅层去除速率，还提供了一种使用该组合物的抛光方法。一种抛光组合物，包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，当酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃的大气下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。特别优选的组合物是其中氧化硅磨粒的平均粒径为1－50纳米，pH值为3.5－6.5的组合物。
Description
技术领域
本发明涉及用于在半导体装置生产中的抛光步骤中除去氮化硅层的抛光组合物，还涉及使用该组合物的抛光方法。本发明具体地涉及一种价廉的抛光组合物，其性能等于或高于常规蚀刻的去除，从而可完成去除步骤除了除去氮化硅层部分以外，不会破坏氧化硅层部分或多晶或单晶硅部分，还可以很容易地进行废液处理，还涉及使用所述抛光组合物的抛光方法。
背景技术
在半导体装置的生产中，在各个阶段都要进行去除氮化硅层的步骤，例如在形成元素(element)分离结构的步骤中，要除去作为阻挡层的氮化硅层，但是迄今为止，这种去除步骤通常是在约150℃的高温下，通过使用例如磷酸/硝酸混合溶液的湿法蚀刻处理进行的，很少采用使用磨粒的抛光步骤。
半导体装置生产中的抛光步骤通常是通过化学机械抛光(下文中以CMP表示)进行的，一个典型的例子是在形成作为夹层介电膜(下文中以ILD表示)的氧化硅层后，用包含分散在碱性水溶液中的氧化硅磨粒的抛光剂对其进行抛光，使不规则部分平面化。对抛光剂此时要使用一些pH调节剂，例如氢氧化钾或氨，使抛光剂的水溶液对要抛光的氧化硅有一定的蚀刻速率。通常使用ILD-CMP浆料，将蚀刻的化学作用与磨粒主要的机械抛光作用相结合，从而达到高材料(stock)去除速率和平面化效果。
同样也可以抛光氮化硅层。例如，可以提及专利文献1和2中揭示的抛光组合物。为了使不规则的单层表面平面化，ILD-CMP之类的化学蚀刻作用可以非常有效地加快使该操作过程。另一方面，在抛光时，当阻挡层暴露出来时，为了结束对要抛光的层的抛光，使形成于阻挡层凹处的要抛光的层保留下来(象CMP波形花纹形成(damascene)步骤那样)，这种化学蚀刻作用可能会带来不良作用。即原本应该在抛光过程中保持在这种凹处中的要抛光的层，却可能会被化学蚀刻作用腐蚀，从而造成凹陷。在抛光晶片平面时，为了防止抛光不均匀造成的要抛光的层的残留，通常要进行过度的抛光，因此，化学蚀刻的不良作用被认为在某种程度上是不可避免的。
例如，在专利文献1所揭示的方法中，通过向氧化硅磨粒中加入磷酸或磷酸衍生物，使选择性(用(氮化硅层的材料去除速率)/(氧化硅层的材料去除速率)表示)最多约为10倍。
专利文献1所揭示的抛光组合物，在抛光氮化硅层时，当氧化硅层和氮化硅层共存的表面暴露出来要结束抛光的步骤中，可能会有不良作用，即应当保留下来的氮化硅层，在过度的抛光过程中可能会被化学腐蚀掉。另外，磷酸本身具有能够渗入硅层或氧化硅层的性质，因此可能会影响所制备半导体的电性质。如果为了防止或抑制这种不良作用而减少磷酸或磷酸衍生物的用量，则会降低氮化硅层的材料去除速率，从而不仅会降低氮化硅层的去除效率，还会降低选择性。因此，期望作为抛光阻挡层的氧化硅层也会被抛光，从而会视阻挡层的暴露密度情况腐蚀形成相对凹陷，破坏平整化。在专利文献2所揭示的抛光组合物，也会有同样的不良作用，另外，还会有磨粒本身的机械抛光力造成的氧化硅层材料去除速率，从而可能会使所需的选择性变得极低，约为2。
专利文献1：JP-A-11-176773
专利文献2：JP-A-2004-214667
如上所述，在常规方法中，为了防止同时出现的各种问题，很难控制方法本身，使方法变得复杂。因此，本发明的目的是简单而稳定地建立一种抛光氮化硅层、并在氧化硅层和氮化硅层共存的表面暴露出来时结束抛光的步骤。即本发明的目的是提供一种抛光组合物和一种抛光方法，能提供高的抛光选择性，较佳的是抛光选择性至少为3，同时对氮化硅层基本上没有化学蚀刻作用，另外还可获得实际足够的氮化硅层材料去除速率。
发明内容
本发明提供了一种抛光组合物，所述的抛光组合物用于在半导体生产的抛光中对氮化硅层进行抛光直至到达氧化硅层的步骤中，该组合物包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，其中当所述酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃的气氛(atmosphere)下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。
另外，本发明抛光组合物的浓缩物包含具有以下特点的抛光组合物，其中水的含量低于该组合物用于抛光步骤时的水含量，从而当该浓缩物用于抛光步骤时，向其中加入水稀释能形成上述的抛光组合物。
另外，本发明提供了一种抛光方法，该方法包括在半导体生产的抛光中，用上述的抛光组合物，抛光具有氮化硅层和氧化硅层的基片，其中对氮化硅层进行抛光，直至抛光到氧化硅层为止。
使用本发明的抛光组合物，可以建立一种抛光步骤，即对氮化硅层进行抛光，而在氧化硅层和氮化硅层共存的表面暴露出来时结束抛光。即是可以提供一种抛光组合物和一种抛光方法，使选择性(氮化硅层的材料去除速率/氧化硅层的材料去除速率)至少为3，较佳的是至少为10，同时，不会由于对氮化硅层的化学蚀刻作用而对抛光平面化产生很大的负作用，另外，可以获得实际足够的氮化硅层材料去除速率。另外，该组合物不含对环境有害的组分，因此容易进行废液处理。
附图说明
图1显示当使用乙酸作为酸添加剂时，乙酸的加入量对抛光性能的影响。
具体实施方式
抛光组合物
为了实现本发明的目标，需要抛光组合物对氮化硅层的化学蚀刻作用非常弱。当抛光组合物仅仅是通过将二氧化硅磨粒分散于水中制成时，由于氧化硅层本身的化学活性极弱，随着抛光力的产生，机械抛光力将会是主要的，在此情况下，由于氮化硅层的硬度通常高于氧化硅层的硬度，对氮化硅层的抛光力不太可能大于对氧化硅层的抛光力。在这两种情况下，在一定程度上可通过例如热处理或重结晶过程来控制硬度本身。然而，当由等离子CVD形成的层用于半导体装置时，关于机械抛光的抛光选择性，选择性通常为1/4至1/2，对氧化硅层的抛光效率较高。为了提高在此情况下对氮化硅层的抛光选择性，除了蚀刻作用以外，显然还需要另外的作用。
本发明人考虑可以将控制内部固体表面反应作为这种另外的作用。该想法是，以某种方式将二氧化硅磨粒的表面变性成活性表面，这种活性对氮化硅膜选择性地产生。该研究的结果，发现通过以一特定的浓度在磨粒的表面吸附酸添加剂，能够制备一种抛光组合物，该组合物基本上没有化学蚀刻作用，并能够选择性地抛光氮化硅，具体来说其选择性较佳是至少为3，更佳是至少为10。
(a)氧化硅磨粒
本发明的抛光组合物包含氧化硅磨粒。这种氧化硅磨粒可以是一种单独类型的，也可以是两种或两种以上类型的组合。其中优选的是胶态二氧化硅，这是由于它具有极好的分散稳定性，因此可以被很方便地连续保持刚制备的抛光组合物的材料去除速率。
在本发明的抛光组合物中，吸附上后文提到的酸添加剂的磨粒表面，会对选择性抛光力的产生作出贡献。因此，所用磨粒的比表面积越大，效果越大。换句话说，发现磨粒的颗粒尺寸越小，效果越大。在本发明中，氧化硅磨粒的平均粒径是用Shimadzu公司生产的Micrometrics Flow Sorb II 2300、通过BET法计算得到的平均粒径。
氧化硅磨粒的平均粒径，由下式计算：
平均粒径(纳米)＝2121/比表面积(平方米/克)
常数2121是由二氧化硅密度所确定的数值。
从持续可获得的观点着眼，氧化硅磨粒平均粒径的下限较佳的是至少为1纳米。另一方面，上限较佳的是最多为50纳米，更佳的是最多为30纳米，这是为了增大比表面积，以增加酸添加剂的吸附量，从而增大选择性。
另外，在本发明的抛光组合物中，以组合物的总重量为基准计，氧化硅磨粒的含量较佳的是至少为0.1重量％，更佳的是至少为1重量％，从而能有效维持材料去除速率。另一方面，从成本的角度考虑，该含量较佳的是最多为20重量％，更佳的是最多为10重量％。
(b)酸添加剂
本发明的抛光组合物包含酸添加剂。优选使用对氮化硅层没有化学蚀刻作用的酸添加剂。专利文献1或2所揭示的抛光组合物中所用的磷酸，当磷酸形成85重量％的水溶液，并在80℃下静置24小时后，测得其对氮化硅层的化学蚀刻速率为34.8纳米/小时。本发明所用的酸添加剂较佳的是，在上述测量条件下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时，更佳的是最多为0.01纳米/小时的酸添加剂。
所述酸添加剂可以是例如盐酸或硫酸之类的无机酸，和甲酸、乙酸、草酸、己二酸或乳酸之类的有机酸。然而，并不限于上述的这些酸，任意的酸，只要其对氮化硅层没有化学蚀刻作用，便可用于本发明。专利文献2揭示的抛光组合物中中所用的氢氟酸，它对氧化硅膜有强的化学蚀刻作用，因此在很多情况下，不适于在使用氧化硅磨粒的本发明中用作酸添加剂。
在本发明的抛光组合物中，认为吸附在磨粒表面上的酸添加剂的浓度具有最佳值，如果吸附浓度高于或低于这个最佳值，则选择性抛光力的效率便会降低。认为如果吸附浓度低，能够提高选择性抛光力的内部固体反应便会不够充分，如果吸附浓度高，吸附在磨粒表面的酸添加剂层会很厚，会阻碍内部固体表面反应，从而降低效率。
对于本发明的抛光组合物，该最佳值可以根据所用酸添加剂的种类或磨粒的浓度，发生某种程度的变化。然而，为了更大地提高本发明的效果，较佳的是调节酸添加剂的量，使组合物的pH值通常为3.5-6.5，较佳的是4-5。
(c)水
本发明的组合物包含水，作为用于分散或溶解各组分的分散剂或溶剂。这种水较佳的是要包含尽可能少的杂质，以抑制其对其它组分作用的影响。具体地说，较佳的是纯水、超纯水，已经用离子交换树脂除去其中的杂质，然后过滤除去杂质，蒸馏水也佳。
(d)抛光组合物的制备方法
通过将上述各组分溶解或分散在水中来制备本发明的抛光组合物。溶解或分散方法是任选的，各组分的混合次序或混合方法没有什么限制。
本发明的抛光组合物可以制成较高浓度的储液，该储液可以进行储存或运输，可在实际抛光操作以前将其稀释使用。
具体来说，本发明的抛光组合物可以制成浓缩物的形式，即制备抛光组合物时，其中水的含量小于将组合物用于抛光步骤时的含量，在将浓缩物用于抛光步骤时，加水稀释形成满足上述特征的抛光组合物。
抛光方法
本发明的抛光方法采用以下步骤：在半导体生产中的抛光步骤中，用上述的抛光组合物抛光氮化硅层，当达到氧化硅层时，终止抛光。具体地说，该方法包括用上述抛光组合物抛光基片、特别是具有氮化硅层部分和氧化硅层部分的基片。本发明的抛光方法较佳地用于一种情况下的基片抛光，即氮化硅埋在氧化硅层的一些凹陷之中，而过量的氮化硅层突出在氧化硅层表面的情况，从而仅抛光氮化硅层的突出部分，使其平面化。在此情况下，氧化硅层作为抛光阻挡层，抛光法特别优选当抛光阻挡层暴露时，终止抛光。
接下来将参照一些实施例进一步描述本发明。然而，应当理解本发明绝不仅限于这些特定的实施方式。
实施例
作为满足本发明条件的抛光组合物的实施例，将乙酸用作酸添加剂，加入包含5重量％、平均粒径为13纳米的磨粒的水分散液中，如图1所示，当所述液相的pH值调节到4.5左右时，磨粒表面的最佳吸附浓度成为了平衡吸附浓度。当在抛光压力为34.5千帕、抛光线速度为42米/分钟的条件下，用上述的组合物作为抛光组合物，进行抛光时，氮化硅层的材料去除速率为116.7纳米/分钟，氧化硅层的去除速率为1.9纳米/分钟。这相当于选择性约为60，但是这种抛光组合物对两种层的化学蚀刻作用低于检测限。对于该抛光组合物，当酸添加剂的浓度大于或小于最佳浓度时，选择性抛光力会具有低于最佳浓度时的选择性，同时，氮化硅层的材料去除速率也会下降。另外，对于所用的磨粒，那些具有小颗粒尺寸的磨粒具有较高的选择性抛光力。这说明能够产生内部固体表面反应的部位，随着比表面积的增大而增大，从而增加氮化硅层材料去除速率绝对值的作用，以及由于小颗粒尺寸造成机械抛光力减小、从而减小氧化硅层材料去除速率的绝对值的作用，将协同地产生。
另外，制备了表1至表3所示的抛光组合物。并在抛光负荷为34.5千帕、抛光线性速度为42米/分钟、抛光组合物的流量为200毫升/分钟的抛光条件下，使用Ebara公司生产的化学机械抛光机EPO-113D，用这些组合物抛光了加有氧化硅层的硅晶片和加有氮化硅层的硅晶片，并计算了各晶片的材料去除速率和氮化硅层/氧化硅层的抛光选择性。其结果也列于表1至表3。另外，将标准的抛光组合物作为普通ILD-CMP浆料，用于同样的评价，见表3的实施例67。标准抛光组合物的组成如下。
热解法二氧化硅磨粒(平均粒径：20-40纳米)：12重量％
氨水(28％)： 0.5重量％
水： 余量
在这里，热解法二氧化硅的平均粒径是根据BET法测得的比表面积得到的平均初级粒径，用Coulter N4 Plus(美国的Coulter制造)测量的平均次级粒径为130-180纳米。
从实施例67可以很明显看出，使用对应于传统ILD-CMP浆料的标准抛光组合物时，氮化硅层/氧化硅层抛光选择性最多为1/2，因此很难将该组合物用作选择性抛光氮化硅层的组合物。另一方面，当抛光去除氮化硅层时，其选择性是足够的，相当于标准抛光组合物对氧化硅层去除速率的1/3至1/4，因此，氮化硅层选择性抛光组合物的所需的氮化硅层材料去除速率，与标准抛光组合物所需的氧化硅层去除速率相比，可为其1/3至1/4。在此基础上，可以很明显看出很重要的是，氮化硅选择性抛光组合物的材料去除速率，等于实施例67中氧化硅层材料去除速率的至少1/4，并且氮化硅层/氧化硅层抛光选择性至少为3。
表1
| 磨粒的平均粒径(纳米) | 磨粒的浓度(重量％) | 酸或碱添加剂 | pH | 氧化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 氮化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 选择性 | |
| 实施例1 | 12 | 1 | 乙酸 | 3.0 | 2.1 | 4.0 | 1.9 |
| 实施例2 | 3.5 | 1.9 | 18.0 | 9.3 | |||
| 实施例3 | 4.0 | 1.2 | 48.4 | 39.3 | |||
| 实施例4 | 4.2 | 1.5 | 56.4 | 37.8 | |||
| 实施例5 | 4.5 | 0.6 | 67.6 | 118.5 | |||
| 实施例6 | 5.0 | 0.6 | 24.1 | 37.7 | |||
| 实施例7(对比) | - | 7.8 | 0.2 | 1.8 | 8.2 | ||
| 实施例8(对比) | KOH | 11.1 | 0.1 | 0.5 | 4.7 | ||
| 实施例9 | 5 | 乙酸 | 2.7 | 13.2 | 15.9 | 1.2 | |
| 实施例10 | 3.0 | 12.6 | 17.4 | 1.4 | |||
| 实施例11 | 3.5 | 8.8 | 32.4 | 3.7 | |||
| 实施例12 | 4.0 | 5.3 | 65.7 | 12.4 | |||
| 实施例13 | 4.2 | 3.6 | 80.8 | 22.3 | |||
| 实施例14 | 4.5 | 1.9 | 116.7 | 60.1 | |||
| 实施例15 | 5.0 | 2.1 | 109.6 | 51.5 | |||
| 实施例16 | 5.5 | 1.4 | 44.0 | 31.5 | |||
| 实施例17(对比) | - | 7.2 | 2.0 | 6.8 | 3.4 | ||
| 实施例18(对比) | KOH | 11.0 | 6.9 | 5.5 | 0.8 |
表1(续)
| 磨粒的平均粒径(纳米) | 磨粒的浓度(重量％) | 酸或碱添加剂 | pH | 氧化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 氮化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 选择性 | |
| 实施例19 | 12 | 10 | 乙酸 | 3.0 | 9.1 | 39.3 | 4.3 |
| 实施例20 | 3.5 | 7.2 | 53.5 | 7.4 | |||
| 实施例21 | 4.0 | 5.4 | 75.7 | 14.0 | |||
| 实施例22 | 4.5 | 3.6 | 97.7 | 27.1 | |||
| 实施例23 | 5.0 | 2.3 | 122.5 | 53.3 | |||
| 实施例24 | 5.5 | 1.8 | 122.6 | 68.1 | |||
| 实施例25 | 5.9 | 0.7 | 94.6 | 135.6 | |||
| 实施例26(对比) | - | 7.1 | 1.7 | 16.8 | 9.9 | ||
| 实施例27(对比) | KOH | 11.0 | 31.0 | 18.2 | 0.6 |
表2
| 磨粒的平均粒径(纳米) | 磨粒的浓度(重量％) | 酸或碱添加剂 | pH | 氧化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 氮化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 选择性 | |
| 实施例28 | 35 | 10 | 乙酸 | 2.8 | 167.0 | 53.9 | 0.3 |
| 实施例29 | 3.0 | 153.2 | 53.3 | 0.3 | |||
| 实施例30 | 3.5 | 124.4 | 73.0 | 0.6 | |||
| 实施例31 | 4.0 | 73.4 | 72.7 | 1.0 | |||
| 实施例32 | 4.2 | 61.8 | 85.0 | 1.8 | |||
| 实施例33 | 4.5 | 32.5 | 111.0 | 4.9 | |||
| 实施例34 | 5.0 | 19.5 | 41.6 | 2.4 | |||
| 实施例35(对比) | - | 7.9 | 7.8 | 6.9 | 0.9 | ||
| 实施例36(对比) | KOH | 11.1 | 65.3 | 37.6 | 0.6 | ||
| 实施例37 | 90 | 10 | 乙酸 | 2.6 | 162.1 | 70.6 | 0.4 |
| 实施例38 | 3.0 | 167.2 | 69.1 | 0.4 | |||
| 实施例39 | 3.5 | 159.1 | 62.7 | 0.4 | |||
| 实施例40 | 4.0 | 146.2 | 59.2 | 0.4 | |||
| 实施例41 | 5.0 | 86.9 | 40.4 | 0.5 | |||
| 实施例42(对比) | - | 7.4 | 63.6 | 29.2 | 0.5 | ||
| 实施例43(对比) | KOH | 11.0 | 101.8 | 48.4 | 0.5 |
表3
| 磨粒的平均粒径(纳米) | 磨粒的浓度(重量％) | 酸添加剂 | pH | 氧化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 氮化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 选择性 | |
| 实施例44(对比) | 12 | 5 | - | 7.2 | 2.0 | 6.8 | 3.4 |
| 实施例45 | 乙酸 | 3.0 | 12.6 | 17.4 | 1.4 | ||
| 实施例46 | 3.5 | 8.8 | 32.4 | 3.7 | |||
| 实施例47 | 4.0 | 5.3 | 65.7 | 12.4 | |||
| 实施例48 | 4.5 | 1.9 | 116.7 | 60.1 | |||
| 实施例49 | 5.0 | 2.1 | 109.6 | 51.5 | |||
| 实施例50 | 硫酸 | 3.0 | 8.9 | 24.8 | 2.8 | ||
| 实施例51 | 3.5 | 5.6 | 75.0 | 13.3 | |||
| 实施例52 | 4.0 | 3.7 | 78.4 | 21.1 | |||
| 实施例53 | 4.5 | 1.1 | 55.7 | 48.9 | |||
| 实施例54 | 5.0 | 0.9 | 46.7 | 54.9 | |||
| 实施例55 | 己二酸 | 3.3 | 5.8 | 21.9 | 3.8 | ||
| 实施例56 | 4.0 | 4.6 | 69.2 | 15.1 | |||
| 实施例57 | 4.5 | 2.8 | 93.4 | 33.5 | |||
| 实施例58 | 5.0 | 2.0 | 106.3 | 54.5 | |||
| 实施例59 | 5.5 | 1.9 | 72.2 | 38.4 | |||
| 实施例60 | 6.0 | 2.1 | 36.3 | 17.1 |
表3(续)
| 磨粒的平均粒径(纳米) | 磨粒的浓度(重量％) | 酸或碱添加剂 | pH | 氧化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 氮化硅层的材料去除速率(纳米/分) | 选择性 | |
| 实施例61 | 12 | 5 | 乳酸 | 4.0 | 4.2 | 63.0 | 15.1 |
| 实施例62 | 盐酸 | 4.0 | 2.2 | 69.3 | 31.9 | ||
| 实施例63 | 甲酸 | 4.0 | 4.4 | 61.9 | 14.2 | ||
| 实施例64 | 草酸 | 4.0 | 3.4 | 79.1 | 23.2 | ||
| 实施例65(对比) | KOH | 11.0 | 6.9 | 5.5 | 0.8 | ||
| 实施例66(对比) | NH4OH | 11.0 | 12.1 | 9.5 | 0.8 | ||
| 实施例67(对比) | 标准抛光组合物 | 172.9 | 75.3 | 0.4 | |||
2004年10月19日提交的日本特许申请第2004-304651号的全文，包括说明书、权利要求书、附图和摘要，全部引入本文作为参考。
Claims (6)
1.一种抛光组合物，所述的抛光组合物用于在半导体生产的抛光中对氮化硅层进行抛光直至到达氧化硅层的步骤中，其特征在于，所述的抛光组合物包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，其中所述的酸添加剂为：当所述酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃气氛下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述氧化硅磨粒由通过BET法测得的比表面积计算所得的平均粒径为1-50纳米。
3.如权利要求1或2所述的抛光组合物，其特征在于，所述酸添加剂选自下组中的至少一种：盐酸、硫酸、甲酸、乙酸、草酸、己二酸和乳酸。
4.如权利要求1至3中任一项所述的抛光组合物，其特征在于，由所述抛光组合物对氮化硅层的材料去除速率和标准抛光组合物对氧化硅层的材料去除速率计算所得的(氮化硅层材料去除速率)/(使用所述标准抛光组合物时氧化硅层材料去除速率)的比值至少为1/4，所述标准抛光组合物具有以下组成：
热解法二氧化硅磨粒(平均粒径：20-40纳米)： 12重量％
氨水(28％)： 0.5％
水： 余量。
5.如权利要求1至3中任一项所述的抛光组合物，其特征在于，在相同抛光条件，由氮化硅层材料去除速率和氧化硅层材料去除速率计算，(氮化硅层材料去除速率)/(氧化硅层材料去除速率)的比值至少为3。
6.一种抛光方法，所述方法包括在半导体生产的抛光中，用权利要求1至5中的任一项所述的抛光组合物，对具有氮化硅层和氧化硅层的基片进行抛光，其中，对所述氮化硅层进行的抛光直至抛光到达氧化硅层为止。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004304651A JP4954462B2 (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | 窒化シリコン膜選択的研磨用組成物およびそれを用いる研磨方法 |
| JP2004304651 | 2004-10-19 | ||
| JP2004-304651 | 2004-10-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1796482A true CN1796482A (zh) | 2006-07-05 |
| CN1796482B CN1796482B (zh) | 2010-06-02 |
Family
ID=35602813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2005101161919A Active CN1796482B (zh) | 2004-10-19 | 2005-10-19 | 用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7217989B2 (zh) |
| EP (1) | EP1650278B1 (zh) |
| JP (1) | JP4954462B2 (zh) |
| KR (1) | KR101153756B1 (zh) |
| CN (1) | CN1796482B (zh) |
| AT (1) | ATE453698T1 (zh) |
| DE (1) | DE602005018586D1 (zh) |
| SG (1) | SG121988A1 (zh) |
| TW (1) | TWI366225B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103484024A (zh) * | 2013-09-13 | 2014-01-01 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法 |
| CN105369250A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-02 | 无锡吉进环保科技有限公司 | 一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液 |
| CN105463460A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-04-06 | 无锡吉进环保科技有限公司 | 一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液的制备方法 |
| CN111363550A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 |
| WO2024139394A1 (zh) * | 2022-12-28 | 2024-07-04 | 华为技术有限公司 | 一种组合物、平整层及平整化方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8759216B2 (en) * | 2006-06-07 | 2014-06-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for polishing silicon nitride materials |
| WO2008117592A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Jsr Corporation | 化学機械研磨用水系分散体、および半導体装置の化学機械研磨方法 |
| JPWO2008117593A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2010-07-15 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の化学機械研磨方法 |
| KR101396853B1 (ko) | 2007-07-06 | 2014-05-20 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 질화물 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 실리콘질화막의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP5519507B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-06-11 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | アミノシランを用いて処理した研磨剤粒子を利用する研磨組成物および研磨方法 |
| SG184772A1 (en) * | 2007-09-21 | 2012-10-30 | Cabot Microelectronics Corp | Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane |
| WO2010036358A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Rhodia Operations | Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same |
| US20110198531A1 (en) * | 2008-10-20 | 2011-08-18 | Nitta Haas Incorporated | Composition for polishing silicon nitride and method of controlling selectivity using same |
| CN101955731A (zh) * | 2009-07-13 | 2011-01-26 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| US20130005219A1 (en) * | 2010-02-01 | 2013-01-03 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method using same |
| US8497210B2 (en) | 2010-10-04 | 2013-07-30 | International Business Machines Corporation | Shallow trench isolation chemical mechanical planarization |
| US9583359B2 (en) | 2014-04-04 | 2017-02-28 | Fujifilm Planar Solutions, LLC | Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films |
| JP7041135B2 (ja) | 2016-10-17 | 2022-03-23 | シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド | 改善されたディッシングおよびパターン選択性を有する酸化物および窒化物選択性のｃｍｐ組成物 |
| US10584265B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-03-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions selective for nitride removal in polishing and methods of using them |
| US10508221B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-12-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aqueous low abrasive silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of making and using them |
| US11186748B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-11-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aqueous anionic functional silica slurry and amine carboxylic acid compositions for selective nitride removal in polishing and methods of using them |
| US10711158B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-07-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them |
| JP6958774B1 (ja) | 2020-06-30 | 2021-11-02 | Jsr株式会社 | 砥粒の製造方法、化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 |
| CN114672252B (zh) * | 2022-04-11 | 2023-11-28 | 宁波日晟新材料有限公司 | 一种无味氮化铝抛光液及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3190742B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2001-07-23 | 株式会社東芝 | 研磨方法 |
| US6046110A (en) * | 1995-06-08 | 2000-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP3230986B2 (ja) | 1995-11-13 | 2001-11-19 | 株式会社東芝 | ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。 |
| JP3514908B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 研磨剤 |
| EP0786504A3 (en) | 1996-01-29 | 1998-05-20 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US5968239A (en) | 1996-11-12 | 1999-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing slurry |
| JPH11176773A (ja) | 1997-12-12 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 研磨方法 |
| TW416104B (en) * | 1998-08-28 | 2000-12-21 | Kobe Steel Ltd | Method for reclaiming wafer substrate and polishing solution composition for reclaiming wafer substrate |
| JP2000183003A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-06-30 | Toshiba Corp | 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法 |
| JP2001115144A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨材、基板の研磨方法及び半導体装置 |
| JP2001187878A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
| US6355075B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-03-12 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP4439755B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-03-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 |
| KR100557600B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 나이트라이드 cmp용 슬러리 |
| JP2003170349A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-06-17 | Fujimi Inc | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4083528B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2008-04-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| KR100627510B1 (ko) | 2002-12-30 | 2006-09-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 나이트라이드용 ｃｍｐ 슬러리 |
| JP4267348B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2009-05-27 | 花王株式会社 | 研磨基板の製造方法 |
| JP4401672B2 (ja) | 2003-03-31 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法及びプログラム |
| US20050108947A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Mueller Brian L. | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride |
| US20060021972A1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Lane Sarah J | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
-
2004
- 2004-10-19 JP JP2004304651A patent/JP4954462B2/ja active Active
-
2005
- 2005-10-05 AT AT05256210T patent/ATE453698T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-10-05 DE DE602005018586T patent/DE602005018586D1/de active Active
- 2005-10-05 EP EP05256210A patent/EP1650278B1/en active Active
- 2005-10-11 SG SG200506653A patent/SG121988A1/en unknown
- 2005-10-18 US US11/251,880 patent/US7217989B2/en active Active
- 2005-10-18 TW TW094136344A patent/TWI366225B/zh active
- 2005-10-19 CN CN2005101161919A patent/CN1796482B/zh active Active
- 2005-10-19 KR KR1020050098657A patent/KR101153756B1/ko active IP Right Grant
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103484024A (zh) * | 2013-09-13 | 2014-01-01 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法 |
| CN105369250A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-02 | 无锡吉进环保科技有限公司 | 一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液 |
| CN105463460A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-04-06 | 无锡吉进环保科技有限公司 | 一种基于纳米二氧化硅的电路板用蚀刻液的制备方法 |
| CN111363550A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 |
| WO2024139394A1 (zh) * | 2022-12-28 | 2024-07-04 | 华为技术有限公司 | 一种组合物、平整层及平整化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006120728A (ja) | 2006-05-11 |
| EP1650278A2 (en) | 2006-04-26 |
| KR20060054116A (ko) | 2006-05-22 |
| TWI366225B (en) | 2012-06-11 |
| TW200703491A (en) | 2007-01-16 |
| JP4954462B2 (ja) | 2012-06-13 |
| EP1650278A3 (en) | 2006-10-04 |
| SG121988A1 (en) | 2006-05-26 |
| CN1796482B (zh) | 2010-06-02 |
| EP1650278B1 (en) | 2009-12-30 |
| KR101153756B1 (ko) | 2012-06-13 |
| ATE453698T1 (de) | 2010-01-15 |
| US20060084270A1 (en) | 2006-04-20 |
| DE602005018586D1 (de) | 2010-02-11 |
| US7217989B2 (en) | 2007-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1796482A (zh) | 用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法 | |
| CN1185471A (zh) | 抛光剂组合物 | |
| US7678700B2 (en) | Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers | |
| CN101970595B (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN1083154C (zh) | 研磨方法和半导体器件制造方法及半导体制造装置 | |
| EP1412443B1 (en) | Cerium oxide slurry and method of manufacturing a substrate | |
| EP0963419A1 (en) | Composition for oxide cmp | |
| CN1660951A (zh) | 抛光组合物和抛光方法 | |
| CN1766027A (zh) | 用于制造改进的氧化铈研磨颗粒及包括这种颗粒的组合物的方法 | |
| CN113789126B (zh) | 一种硅片化学机械抛光液及其应用 | |
| WO2006057479A1 (en) | Slurry for use in metal-chemical mechanical polishing and preparation method thereof | |
| CN1239665C (zh) | 抛光剂及其制造方法以及抛光方法 | |
| CN102816530B (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN1246408C (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN1203529C (zh) | 化学机械研磨用研磨剂及基板的研磨法 | |
| KR20190109265A (ko) | 결함 억제를 증가시킨 폴리싱 조성물 및 기판의 폴리싱 방법 | |
| CN101665663B (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN1842897A (zh) | 抛光用组合物及使用该组合物的抛光方法 | |
| US11274230B1 (en) | Polishing composition and method of polishing a substrate having enhanced defect inhibition | |
| US20230227696A1 (en) | Composition for semiconductor process, method for preparing the same and method for preparing semiconductor device using the same | |
| CN1370811A (zh) | 化学机械研磨组合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |