CN1764351A - 隔壁结构体及其形成方法、器件、电光学装置及电子仪器 - Google Patents

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Abstract

提供一种能以高精度稳定形成细线状微细图案的贮格围堰结构体、图案形成方法、电光学装置及电子仪器。一种隔壁结构体，是设置了与用功能液形成的图案对应的凹部的隔壁结构体，其特征在于：其中具备与第一图案(40)对应设置的第一凹部(56)；与在第一凹部(56)的一部分上设置的比第一凹部(56)宽，而且至少外周的一部分上具有圆弧形状的第二图案对应的第二凹部(57)。

Description

隔壁结构体及其形成方法、器件、电光学装置及电子仪器
技术领域
本发明涉及隔壁结构体、隔壁结构体的形成方法、器件、电光学装置及电子仪器。
背景技术
作为电子电路或集成电路等使用的由所定图案构成的配线等的形成方法，例如广泛采用光刻法。这种光刻法需要真空装置、曝光装置等大规模的设备。而且为了用上述装置形成由所定图案构成的配线等，需要复杂的工序，而且在材料的使用效率上也百分之几左右不得不将材料的几乎全部废弃，存在制造成本高的问题。
与此相比，有人提出利用液滴喷头以液滴状喷出液体材料的液滴喷出法，采用所谓的喷墨法，在基板上形成由所定图案构成的配线等的方法(例如参见专利文献1、专利文献2)。这种喷墨法在基板上直接按照图案配置图案用的液体材料(功能液)，然后经过热处理或激光照射使其转变成图案。因此，采用这种方法由于无需光刻工序，大幅度简化工艺，同时能够直接在图案位置上配置原材料，所以具有能够削减用量的优点。
专利文献1：特开平11-274671号公报
专利文献2：特开2000-216330号公报
且说近年来，随着构成器件电路高密度化的推进，例如对于配线也提出了微细化和细线化的要求。在采用上述液滴喷出法的图案形成方法中，由于喷出的液滴弹落后在基板上扩展，难于稳定地形成微细的图案。特别是将以图案作导电膜的情况下，由于上述液滴的扩展，会产生液积存处(***bulge)，因而有成为断线和短路等不利情况的发生原因之虞。
而且有人提出一种通过形成划分配线形成区域的贮格围堰(bank)，在使此贮格围堰表面疏液化的状态下朝着配线的形成区域喷出功能液，比利用液滴喷出法喷出功能液的飞翔路径宽度更窄的配线的形成技术。通过这样形成划分配线形成区域的贮格围堰，即使一部分功能液被喷出在贮格围堰上面的情况下，由于贮格围堰被疏液处理而能使功能液全部流入配线形成区域内。
然而，近年来已确认，一部分功能液一旦与贮格围堰的上面接触，就会在贮格围堰的上面残留微细的残渣。例如当功能液具有导电性的情况下，残渣也会变成具有导电性的，一旦如上述那样在贮格围堰的上面残留，就有使配线图案本身的电特性以及采用此配线的器件特性发生变化的担心。
发明内容
本发明正是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供一种能够以高精度稳定形成细线状微细图案的贮格围堰结构体、图案形成方法及电光学装置和电子仪器。
本发明为解决上述课题，涉及一种设置了与用功能液形成的图案对应凹部的隔壁结构体，其特征在于，其中具备：与第一图案对应设置的第一凹部；与在所述第一凹部的一部分设置的比所述第一凹部宽度更宽，而且至少在外周的一部分上具有圆弧形状的第二图案对应的第二凹部。
其中所述第一凹部的宽度，是指从与第一凹部的纵向正交方向上的第一凹部的一端至另一端之间的距离。所述第二凹部的宽度，是指通过第二凹部中心的轴与第二凹部的外周重叠点的一端至另一端之间的距离最小的距离。
一般而言，为防止图案形成时功能液湿润扩展而设置的隔壁的凹部，形成为矩形形状。而且通过液滴喷出法形成图案的情况下，从液滴喷出装置喷出的功能液的弹落形状为圆形。因此，例如当第一图案的宽度比被喷出的功能液的飞翔路径的宽度更窄的情况下，一部分功能液会残留在隔壁的上面。与此相比，根据本发明，第二凹部具有比第一凹部宽度更宽，而且外周的至少一部分上具有圆弧的形状。因而第二凹部的宽度，将会与液滴喷出装置喷出的功能液的飞翔路径对应地增大。因此，被喷出的功能液不会从第二凹部溢出而被其容纳。由此，能够形成具有所需形状的图案，同时还能够实现具有防止因隔壁上面的残渣造成短路，具有所需电特性的图案。
而且本发明的隔壁结构体，所述第二凹部优选俯视为正圆形。
根据这种构成，配置功能液的区域的形状，与被喷出功能液的平面形状相等。其中例如将第二凹部设定为矩形的情况下，被喷出的功能液难于在第二凹部的角部湿润扩展，往往不能形成具有所需形状的图案。因此，将第二凹部设定为正圆形的情况下，能将功能液的喷出区域设定在最小面积上，因而能够减低功能液的成本。此外，也不会使被喷出的功能液在隔壁的上面溢出，能够将其容纳在第二凹部内。
而且本发明的隔壁结构体，还优选具备与所述第一图案连接，而且比所述第一图案宽度更宽的第三图案对应设置的第三凹部。
形成作为微细图案的第一图案的情况下，当微细图案的宽度与功能液的飞翔路径小时，直接向与第一图案对应的凹部喷出功能液一般是困难的。与此相比，本发明中第三图案形成得比第一图案更宽。因此，利用毛细管现象能够向比第三凹部更窄的作为图案的第一凹部配置向第三凹部喷出的功能液。此外，第一凹部一端连接于第二凹部，另一端连接于第三凹部。因此，功能液从第一凹部的两端流入，能使功能液在第一凹部的全体上湿润扩展。所以能够形成具有所需形状的图案，能够形成电特性优良的图案。
而且本发明的隔壁结构体，也优选具备与所述第二图案连接设置的第三图案对应的第三凹部。
根据这种构成，与第二图案连接设置着与第三图案对应的第三凹部。因此即使被喷出的功能液的飞翔路径比第一凹部的宽度更大的情况下，被喷出的功能液不会从隔壁中溢出，而被第二凹部所容纳，能够使功能液在第三凹部湿润扩展。因而能够形成具有所需形状的图案，能够形成电特性优良的图案。
而且本发明的隔壁结构体的形成方法，是在基板上形成具有与多个图案对应的凹部的隔壁结构体的方法，其特征在于，其中具有：在所述基板上涂布隔壁材料的工序；在所述隔壁材料上形成与第一图案对应的第一凹部的工序；对所述隔壁材料在所述第一凹部的一部分上设置比所述第一凹部宽度更宽，而且外周的至少一部分具有圆弧形状的第二图案对应的第二凹部形成工序。
根据本发明的隔壁结构体的形成方法，第二凹部是比第一凹部宽度更宽，而且外周的至少一部分具有圆弧的形状。因此，第二凹部的宽度变成具有与液滴喷出装置喷出功能液的飞翔路径对应的大小。因此，被喷出的功能液，不会从第二凹部溢出而被其容纳。由此，能够形成具有所需形状的图案，同时还能实现防止隔壁上面的残渣引起的短路等，具有所需电特性的图案。
本发明的器件，是具备在基板上设置的半导体层、与所述半导体层连接的源电极和漏电极、和通过绝缘层与所述半导体层相对向设置的栅电极的器件，其特征在于，具备：上述的隔壁结构体，和在所述隔壁结构体的所述第一和第二凹部的内部分别配置的图案，其中所述第一图案是所述漏电极。
通过采用上述的贮格围堰结构，能使功能液的残渣不会在贮格围堰上面残留，形成具有所需形状的漏电极。由此能够提供一种防止在贮格围堰上面形成的配线等的短路、断线等，电特性优良的器件。
本发明的器件，是具备在基板上设置的半导体层、与所述半导体层连接的源电极和漏电极、和通过绝缘层与所述半导体层相对向设置的栅电极的器件，其特征在于，具备：上述的隔壁结构体，和在所述隔壁结构体的所述第一、第二和第三凹部的内部分别配置的图案，其中所述第一图案是所述栅电极，所述第三图案是所述栅配线。
通过采用上述的贮格围堰结构，能使功能液的残渣不会在贮格围堰上面残留，形成具有所需形状的栅配线和栅电极。由此能够提供一种防止在贮格围堰上面形成的配线等短路、断线等，电特性优良的器件。
本发明的器件，是具备在基板上设置的半导体层、与所述半导体层连接的源电极和漏电极、和通过绝缘层与所述半导体层相对设置的栅电极的器件，其特征在于，具备：上述的隔壁结构体，和在所述隔壁结构体的所述第一、第二和第三凹部的内部分别配置的图案，其中所述第一图案是所述源配线，所述第三图案是所述源电极。
通过采用上述的贮格围堰结构，能使功能液的残渣不会在贮格围堰上面残留，形成具有所需形状的源配线和源电极。由此能够提供一种防止在贮格围堰上面形成的配线等短路、断线等，电特性优良的器件。
而且本发明的器件，其中所述源电极和所述半导体层在平面上重叠的面积，与所述漏电极和所述半导体层在平面上重叠的面积优选大体相等。
根据这种构成，能够实现没有信号延迟的电特性优良的器件。
而且本发明的电光学装置，其特征在于其中具备上述器件。此外本发明的电子仪器，其特征在于其中具备上述电光学装置。
根据本发明，由于备有电特性优良的器件，所以能够实现品质和性能提高的电光学装置和电子仪器。
其中在本发明中，所述电光学装置是指除了具有利用电场使物质的折射率产生变化，使透过率发生变化的电光学效果以外，还包括将电能转换成光能的一切装置的总称。具体讲有采用液晶作为电光学物质的液晶显示装置、利用有机EL(电致发光)的有机EL装置、利用无机EL的无机EL装置、以等离子体用气体作为电光学物质的等离子体显示装置等。此外还有电泳装置(EPD：Electrophoretic Display)、场致发射显示装置(FED：Field Emission Display)等。
附图说明
图1是表示本发明的液滴喷出装置大体构成的立体图。
图2是用于说明利用压电方式的液状体的喷出原理的图。
图3是示意表示贮格围堰结构的俯视图。
图4(a)～(c)是表示分别与栅电极、源电极和漏电极对应的贮格围堰结构的示意图。
图5(a)～(d)是表示配线图案形成方法的剖面图。
图6(a)～(c)是表示配线图案形成方法的俯视图。
图7是示意表示作为显示区域的一个像素俯视图。
图8(a)～(e)是表示一个像素形成工序的剖面图。
图9(a)、(b)是示意表示与其他实施方式的漏电极对应的贮格围堰结构的俯视图。
图10是从对向基板一侧看到的液晶显示装置的剖面图。
图11是液晶显示装置沿着图10的H-H’直线的剖面图。
图12是液晶显示装置的等效电路图。
图13是有机EL装置的局部放大剖面图。
图14是表示本发明的电子仪器的具体实例的图。
图15是非解除型卡式介质的分解立体图。
图中：
L…功能液，34…贮格围堰(隔壁)，42…源配线(第一图案)，42a…源配线沟槽部(第一凹部)，43…源电极(第三图案)，43a…源电极沟槽部(第三图案)，48…源配线辅助部(第二图案)，48a…源配线辅助沟槽部(第二凹部)，44…漏电极(第一图案)，44a…漏电极沟槽部(第一凹部)，46…无定形硅膜(半导体层)，49…漏电极辅助部(第二图案)，49a…漏电极辅助沟槽部(第二凹部)，55…栅配线(第三图案)，55a…栅配线沟槽部(第三凹部)，56…栅电极(第一图案)，56a…栅电极沟槽部(第一凹部)，57…栅电极辅助部(第二凹部)，57a…栅电极辅助部(第二图案)，62…漏电极辅助部(第二图案)，62a…漏电极辅助沟槽部(第二凹部)
具体实施方式
[第一种实施方式]
以下参照附图说明本发明的一个最佳实施方式。其中在以下说明的实施方式中，仅仅是表示本发明的一种实施方式，并不限定本发明。而且在以下说明用的各图中，为了能够在图上识别各层和各部件，适当变更了各层和各部件的比例尺。
(液滴喷出装置)
本实施方式中，首先参照附图1说明形成薄膜图案用的液滴喷出装置。
图1作为本发明的图案形成方法采用的装置的一例，是表示利用液滴喷出法在基板上配置液体材料的液滴喷出装置(喷墨装置)IJ的大体构成的立体图。
液滴喷出装置IJ备有：液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导向轴5、控制装置CONT、台架7、清洗机构8、基座9和加热器15。
台架7是支持由这种液滴喷出装置IJ设置油墨(液体材料)的基板P用的，备有将基板P固定在基准位置上的未图示的固定机构。
液滴喷头1是具备多个喷嘴的多喷嘴型液滴喷头，使其纵向与Y轴方向一致。多个喷嘴以一定间隔沿着Y轴方向被并列设置在液滴喷头1的下面。可以从液滴喷头1的喷嘴向被台架7支持的基板P上喷出含有上述导电性微粒的油墨。
X轴方向驱动马达2连接在X轴方向驱动轴4上。X轴方向驱动马达2是步进马达等，一旦由控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号，就能使X轴方向驱动轴4旋转。X轴方向驱动轴4一旦旋转，液滴喷头1就朝着X轴方向移动。
Y轴方向导向轴5被固定得相对于基座9不动。台架7具备Y轴方向驱动马达3。Y轴方向驱动马达3是步进马达等，一旦由控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号，就能使台架7朝着Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷头1供给液滴的喷出控制用的电压。而且向X轴方向驱动马达2供给控制液滴喷头1沿着X轴方向移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动马达3供给控制台架107沿着Y轴方向移动的驱动脉冲信号。
清洗机构8是清洗液滴喷头1的机构。清洗机构8备有未图示的Y轴方向驱动马达。通过这种Y轴方向驱动马达，能使清洗机构8沿着Y轴方向导向轴5移动。清洗机构8的移动也受控制装置CONT的控制。
加热器15，在此是一种通过灯退火对基板P进行热处理的部件，对基板P上涂布的液体材料所含的溶剂进行蒸发和干燥。这种加热器15电源的接通和切断也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ，一边使液滴喷头101与支持基板P的台架7作相对扫描，一边向基板P喷出液滴。其中在以下的说明中，将X轴方向定为扫描方向，与X轴方向正交的Y轴方向定为非扫描方向。因此将液滴喷头1的喷嘴以一定间隔并列设置在非扫描方向的Y轴方向上。另外，在图1中，液滴喷头1虽然相对于基板P的前进方向被配置成直角，但是也可以调整液滴喷头1的角度，使其与基板P的前进方向交叉。这样调整液滴喷头1的角度时，能够调节喷嘴间的间距。而且还能够任意调节基板P与喷嘴面间的距离。
图2是用于说明利用压电方式喷出液体材料的喷出原理的图。
图2中，与容纳液体材料(配线图案用油墨、功能液)的液体室21相邻设置着压电元件22。借助于包括容纳液体材料的材料罐的液体材料供给***23向液体室21供给液体材料。
将压电元件22连接于驱动电路24，借助于这种驱动电路24向压电元件22施加电压，通过压电元件22变形使液体室21变形，可以从喷嘴25中喷出液体材料。这种情况下，通过使施加的电压值变化，可以控制压电元件22的变形量。而且通过改变施加电压的频率，可以控制压电元件22的变形速度。
另外，液体材料的喷出原理，除了采用上述的压电元件的压电元件使油墨喷出的压电方式以外，还可以采用借助于加热液体材料产生的气泡(bubble)使液体材料喷出的气泡方式等公知技术。其中在上述的压电方式中，由于无需对液体材料加热，所以具有对材料的组成不产生影响的优点。
其中功能液L，是将导电性微粒在分散介质中分散的分散液和将有机银化合物和氧化银纳米粒子在溶剂中分散的溶液组成的物质。作为导电性微粒，例如除含有金、银、铜、钯和镍之中的任意金属的金属微粒以外，还可以使用其氧化物，以及导电性聚合物和超导体微粒等。这些导电性微粒，为了提高分散性也可以在表面上涂布有机物等后使用。导电性微粒的粒径优选为1纳米以上和0.1微米以下。一旦大于0.1微米就有使后述的液体喷头的喷嘴产生堵塞之虞。而且一旦小于1纳米，涂料与导电性微粒间的体积比就会增大，使得到的膜中的有机物比例过多。
作为分散介质只要是能够分散上述导电性微粒，不会产生凝聚的就没有特别限制。除水以外，例如还可以举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、杜烯、茚、双戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物，和乙二醇二甲醚、乙二醇二***、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二***、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物，以及亚丙基碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。这些分散介质中，从微粒的分散性和分散液的稳定性，以及容易采用液滴喷出法(喷墨法)等观点来看，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更优选的分散介质可以举出水、烃类化合物。
上述导电性微粒分散液的表面张力，优选为0.02N/m以上、0.07N/m以下的范围内。用喷墨法喷出液体时，表面张力一旦低于0.02N/m，由于油墨组合物对喷嘴面的湿润性增大而容易产生飞行弯曲。一旦超过0.07N/m，就会因喷嘴尖端的弯月面形状不稳定而使喷出量和喷出时间的控制变得困难。为了调整表面张力，可以在与基板的接触角不产生显著降低的范围内，向上述分散液中添加微量含氟系、硅酮系、非离子系等表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂，具有使液体在基板上的湿润性提高，改善膜的流平性，防止膜产生微小凹凸等作用。上述表面张力调节剂，必要时也可以含有醇类、醚类、酯类、酮类等有机化合物。
上述分散液的粘度，优选为1Pa·s以上、50mPa·s以下。采用喷墨法以液滴形式喷出液体材料时，粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴周边部分容易因油墨的流出而被污染，而当粘度大于50mPa·s的情况下，因喷嘴堵塞的频度增高而很难顺利地喷出液滴。
(贮格围堰结构体)
以下参照图3说明构成一个像素的贮格围堰结构。图3是示意表示构成一个像素(包括TFT)的贮格围堰结构的平面图。图3中，为使本实施方式容易理解，实际上仅将构成一个像素时使用的贮格围堰结构抽出加以说明。而且图3中，为方便起见将不同层上形成的各贮格围堰同样图示和说明。而且各图中，为使各层和各部件在图中达到能够识别的大小，使各层和各部件的比例持不同。
首先参照图3和图4(a)就图3所示的第一层进行详细说明。
图4(a)是将构成图3所示的一个像素的贮格围堰结构的第一层抽出后放大后示出的平面图。如图3、4(a)所示，在构成一个像素的第一层的贮格围堰34上，形成与栅配线对应的栅配线沟槽部55a(第三凹部)和与栅电极对应的栅电极沟槽部56a(第一凹部)。
栅配线沟槽部55a在X轴方向延续形成，具有宽度H1。栅配线沟槽部55a的宽度H1，形成得与上述液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径相等或者更大。因此，栅配线沟槽部55a成为由被喷出的功能液L不会从贮格围堰34的上面渗出的结构。
栅电极沟槽部56a在Y轴方向延续形成，栅电极沟槽部56a的低端部分与栅配线沟槽部55a大体垂直地连接。而且栅电极沟槽部56a具有宽度H2，该栅电极沟槽部56a的宽度H2形成为比上述栅配线沟槽部55a的宽度部分H1更窄。详细地讲，形成为比液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径更小。因此，很难使功能液L对栅电极沟槽部56a直接喷出功能液L。于是在本实施方式中，能够制成一种通过毛细管现象，将向栅配线沟槽部55a喷出的功能液L，供给栅电极沟槽部56a的结构。
本实施方式中，在栅电极沟槽部56a的顶端部，使栅电极辅助沟槽部57a(第二凹部)形成俯视呈正圆状。这种栅电极辅助沟槽部57a构成栅电极沟槽部56a的一部分。而且栅电极辅助沟槽部57a的正圆形状的宽度，形成得与上述液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径相等或者更大。也就是说，本实施方式中，事先变成被喷出功能液L的区域S1，成为了功能液L不会从贮格围堰34的上面溢出的结构。
通过设置这种栅电极辅助沟槽部57a，栅电极沟槽部56a一端与栅配线沟槽部55a连接，另一端与栅电极辅助沟槽部57a连接。而且栅配线沟槽部55a与栅电极辅助沟槽部57a，如上所述，将变成喷出功能液L的区域。因此，栅电极沟槽部56a可以从两端供给功能液L而不会在贮格围堰34上面溢出。由此，能使功能液L在栅电极沟槽部56a全体上湿润扩展，能够形成具有所需形状的图案。
接着参照图3、图4(b)和图4(c)详细说明图3所示的第二层。
图4(b)是将图3所示的构成一个像素的贮格围堰结构的第二层抽出放大表示的平面图。如图3、图4(b)所示，对于构成一个像素的第二层贮格围堰34，在栅配线和电极用的贮格围堰的上层，形成与源配线对应的源配线沟槽部42a(第一凹部)、源电极沟槽部43a(第三凹部)、和与漏电极对应的漏电极沟槽部44a(第一凹部)。而且，源配线及电极、漏电极用贮格围堰，正如后述那样，在形成源配线和电极、漏电极之后被除去。
源配线沟槽部42a，在Y方向上延伸的同时，形成得与上述的栅配线沟槽部55a交叉。而且源配线沟槽部42a具有宽度H3，形成为比从液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径更窄。另外，源配线沟槽部42a的宽度H3，正如上述的栅配线沟槽部55a那样，优选形成为与功能液L的飞翔路径相等或更大。
而且源电极沟槽部43a，如图3、图4(B)所示，在源配线沟槽部42a与上述栅配线沟槽部55a的交叉点附近，形成为从源配线沟槽部42向X轴方向延伸。
另外，在本实施方式中，使源配线沟槽部42a与源电极沟槽部43a合并的区域，比被喷出的功能液L的飞翔路径更窄，成为了微细图案。
在源配线沟槽部42a上，形成源配线辅助沟槽48a(第二凹部)。如图3、图4(b)所示，源配线辅助沟槽48a被设置得俯视呈正圆状，被设计得与一部分栅源配线沟槽部42a和源电极沟槽部43a重叠。而且源配线辅助沟槽48a，被设置得朝向源电极沟槽部43a，从源配线沟槽部42a延伸得俯视呈半球状。其中，源配线辅助沟槽48a的宽度，形成得与上述的液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径相等或更大。因此，源配线辅助沟槽48a成为将喷出功能液L的区域S2，成为了一种功能液L不会从贮格围堰34上面溢出的结构。
而且如图3、图4(b)所示，在源电极43a、43a之间形成有第二源电极辅助沟槽部47a(第二凹部)。第二源电极辅助沟槽部47a，形成得与源配线沟槽部42a大体垂直连接，在X轴方向延伸。这种第二源电极辅助沟槽部47a，形成为俯视呈正圆形状，形成得与上述的液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径相等或更大。也就是说，在本实施方式中，第二源电极辅助沟槽部47a成为将喷出功能液L用的区域S3。因此，通过在第二源电极辅助沟槽部47a上喷出功能液L，能够在不从沟槽部溢出的情况下配置功能液L，能够向源配线沟槽部42a供给功能液L。
进而就图3、图4(c)所示的在第二层贮格围堰上形成的漏电极沟槽部44a进行说明。图4(c)，是将图3所示的构成一个像素的贮格围堰结构的第二层抽出来放大表示的俯视图。在图3的第二层的贮格围堰34上，形成有与漏电极对应的漏电极沟槽部44a(第一凹部)。
漏电极沟槽部44a，形成得与源电极沟槽部43a相对向。而且漏电极沟槽部44a，与源电极沟槽部43a同样形成为矩形形状，形成得使源电极沟槽部43a与漏电极沟槽部44a的平面面积大体相等。
在漏电极沟槽部44a上形成有漏电极辅助沟槽部62a。这种漏电极辅助沟槽部62a，俯视呈正圆形状，被设置得其一部分与漏电极沟槽部44a重叠。而且，漏电极辅助沟槽部62a自漏电极沟槽部44a以俯视呈半圆形状延伸而形成。其中，漏电极辅助沟槽部62a的宽度，形成得与上述的液滴喷出装置喷出的功能液L的飞翔路径相等或更大。本实施方式中，漏电极辅助沟槽部62a变成将喷出功能液L的区域S4，成为了功能液L不会从贮格围堰34上面溢出的结构。
以下参照图3详细说明图3的第三层。
如图3所示，在划分为栅配线沟槽部55a和源配线沟槽部42a的区域上，形成有与像素电极对应的像素电极沟槽部45a。而且，像素电极沟槽部45a，形成得使漏电极沟槽部44a与漏电极辅助沟槽部62a部分重叠。
根据本实施方式，配置功能液L区域(栅电极辅助沟槽部57a)的形状，与被喷出的功能液L的飞翔路径相等。因此，被喷出的功能液L不会在贮格围堰34的上面等溢出，能够被容纳在栅电极辅助沟槽部57a内，供给栅电极沟槽部56a。关于源配线辅助沟槽47a、48a和漏电辅助沟槽62a，也能起到与栅电极辅助沟槽部57a同样的效果。
(贮格围堰结构体及图案的形成方法)
图5(a)～(d)和图6(a)～(c)，是以工序顺序表示贮格围堰结构体及图案形成方法的剖面图。其中图5(a)～(d)，是表示图3所示的贮格围堰结构体沿着A-A’线的剖面部分，即栅电极沟槽部、栅配线沟槽部和图案形成方法工序的图。关于图3所示的构成其他贮格围堰结构体的源电极沟槽部、源配线沟槽部、漏电极沟槽部等的形成工序，由于与栅电极形成工序是同样的，所以本实施方式中省略对其的说明。
(贮格围堰材料涂布工序)
首先如图5所示，利用旋涂法在基板48的全面上涂布贮格围堰材料。作为基板48，可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料膜、金属板等各种材料。而且贮格围堰材料也可以使用具有感光性的聚硅氮烷、丙烯树脂和聚酰亚胺等制成的绝缘材料。由此，由于贮格围堰材料兼有抗蚀剂的功能，所以能够省略抗蚀剂涂布工序。
其中，优选在这种基板48的基板表面上形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等基底层。而且作为上述贮格围堰材料的涂布方法，可以采用旋涂法、辊涂法、模涂法、浸涂法等各种方法。
以下如图5(b)、6(a)所示，通过光刻处理形成栅配线沟槽部55a、栅电极沟槽部56a和栅电极辅助沟槽部57a。而且在以下的光刻处理中，作为显影处理用的光化学反应，是以正型抗蚀剂为前提的。
具体讲，首先借助于曝光装置，用光掩模将所定的研磨图案转印在贮格围堰34上。其中光掩模采用具有以下图案开口的掩模。使用在与栅配线沟槽部55a对应的区域上，栅配线沟槽部55a的宽度H1，被开口得与液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径大体相等或更大的掩模。而且，使用在与栅电极沟槽部56a对应的区域上，栅电极沟槽部56a的宽度H2，被开口得比液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径更窄的掩模。此外，还使用在与栅电极辅助沟槽部57a对应的区域上，栅电极辅助沟槽部57a的形状俯视为正圆形，该正圆形的宽度，被开口得与液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径大体相等或更大的掩模。
进而对转印(曝光处理)了掩模图案的贮格围堰34进行显影处理。在本实施方式中，由于使用了正型抗蚀剂(贮格围堰34)，所以将溶解照射了曝光光的区域的抗蚀剂34。由此，如图6(a)所示，在贮格围堰34上可以形成栅配线沟槽部55a、栅电极沟槽部56a和栅电极辅助沟槽部57a。
(疏液化处理)
接着以CF4、SF5、CHF3等含氟气体作为处理气体，对基板48的全面上涂布了贮格围堰材料的表面进行等离子体处理。通过这种等离子体处理使贮格围堰材料的表面变成疏液性。作为疏液化处理方法，例如可以采用在大气气氛中以四氟甲烷作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理条件，例如可以设定为等离子体功率50～1000瓦，四氟甲烷气体流量50～100毫升/分钟，基体相对于等离子体放电电极的移动速度为0.5～1020毫米/秒钟，基板温度为70～90℃。
另外，作为处理气体并不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可以使用其他氟碳系气体。
(残渣处理工序)
然后为了除去形成了栅配线沟槽部55a、栅电极沟槽部56a的贮格围堰形成时的抗蚀剂残渣(有机物)，对基板48实施残渣处理。作为残渣处理的方法，可以采用显影液处理法、酸处理法等。
(功能液配置工序)
以下如图5(c)、图6(b)所示，用液滴喷出装置IJ，向栅配线沟槽部55a和栅电极沟槽部56a喷出作为配线图案形成材料的功能液L。而且，在本实施方式中，由于栅电极沟槽部56a是微细配线图案，所以难于用液滴喷出装置IJ直接喷出功能液L。因此，对栅电极沟槽部56a的功能液L的喷出，如上所述，利用毛细管现象使配置在栅配线沟槽部55a的功能液L流入栅电极沟槽部56a的方法进行。
具体讲，首先如图(c)、图6(b)所示，向栅配线沟槽部55a喷出功能液L。其中喷出功能液L的一部分，喷出在栅配线沟槽部55a和栅电极沟槽部56a的连接部分上，详细讲，喷出在使栅电极沟槽部56a的宽度H2的中心通过Y轴方向的轴，与使栅配线沟槽部55a的宽度H1的中点通过X轴方向的轴互相交叉的区域上。也就是说，被喷出的功能液L，通过毛细管现象在以最短距离流入栅电极沟槽部56a的区域上喷出功能液L。接着同样通过液滴喷出装置IJ，向栅电极辅助沟槽部57a的区域S1喷出功能液L。
利用液滴喷出装置IJ在栅配线沟槽部55a上配置的功能液L，如图5(c)、图6(b)所示，将会在栅配线沟槽部55a内部湿润扩展。同样，在栅电极辅助沟槽部57a配置的功能液L，如图5(c)、6(b)所示，将会在栅电极辅助沟槽部57a内部湿润扩展。
而且，在栅配线沟槽部55a和栅电极辅助沟槽部57a上湿润扩展的同时，功能液L，如图6(c)所示，将会借助于毛细管现象流入栅电极沟槽部56a中。因此，能够从栅电极沟槽部56a的两端供给功能液L。通过这种工序可以形成栅电极56。同样借助于功能液L在栅配线沟槽部55a上湿润扩展的功能，可以形成栅配线55。而且，在本实施方式中，通过配置在栅电极辅助沟槽部57a上的功能液L而形成的图案(以下称为栅电极辅助部57(第二凹部))，构成栅电极56的一部分。
(中间干燥工序)
接着将功能液L配置在栅配线沟槽部55a和栅电极沟槽部56a上，形成栅配线55、栅电极56后，根据需要进行干燥。中间干燥工序后，为了制成所需的厚度，也可以反复进行功能液配置工序。干燥处理，例如可以采用加热基板48的通常的电热板、电炉、灯退火等其他各种方式进行。其中作为灯退火使用的光源并没有特别限制，可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等受激准分子激光器等作为光源。这些光源一般使用输出功率处于10瓦以上、5000瓦以下范围内的，但是在本实施方式中，功率处于100瓦以上、1000瓦以下范围内就足够。
(烧成工序)
功能液L喷出工序后的干燥膜，为了实现微粒间充分电接触，需要完全除去分散介质。而且为提高分散性在导电性微粒表面上涂布有机物等涂料的情况下，也需要除去这种涂料。因此，对喷出工序后的基板实施热处理和/或光处理。
热处理和/或光处理通常在大气中进行，必要时也可以在氢气、氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛下进行。热处理和/或光处理的处理温度，可以根据分散介质的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性和氧化性等热行为、涂料的有无或数量、以及原材料的耐热温度等适当决定。
例如，为了除去由有机物组成的涂料，需要在大约300℃下烧成。而且在使用塑料等基板的情况下，优选在室温以上、100℃以下进行。
通过以上工序，喷出工序后的干燥膜可以确保微粒间的电接触，通过将其转变成所定厚度的导电性膜，如图5(d)所示，能够形成连续膜形式的导电性图案，即栅电极56、栅配线55。
根据本实施方式的贮格围堰结构体的形成方法，配置功能液L的区域(栅电极辅助沟槽部57a)的形状，将于被喷出的功能液L的飞翔路径相等。因此，能使被喷出的功能液L容纳在栅电极辅助沟槽57a中，而不会从贮格围堰34的上面溢出，供给栅电极沟槽部56a。
<像素的结构>
以下参照图7～图9就利用上述的本实施方式的贮格围堰结构形成的像素及像素的形成方法进行说明。
图7是表示本实施方式的一个像素40之结构的俯视图。
如图7所示，像素40备有：在基板48上沿着轴延伸的栅配线55(第三图案)，和从栅配线55向Y轴方向延伸形成的栅电极56(第一图案)。而且像素40也备有：与栅配线55交叉在Y轴方向形成的源配线42(第一图案)，和自源配线42在X轴方向延伸形成的源电极43(第三图案)，此外还备有与源电极43相对向形成的漏电极44(第一图案)，和与漏电极44连接的像素电极45。
栅电极56，如图7所示，在端部形成俯视正圆形形状。这种栅电极56的端部，是上述的喷出功能液L用的栅电极辅助部57。如此，在本实施方式中，栅电极辅助部57与栅电极56连接，能起栅电极56的作用，构成栅电极的一部分。
同样，源配线42如图7所示，形成一部分是以俯视半圆形形状延伸的部分，和以俯视以圆形形状延伸的部分。这些部分，是上述的用于喷出功能液L的在源配线辅助沟槽部47a、48a上形成的图案47、48(以下称为源配线辅助部47、48)的(第二图案)。因此在本实施方式中，源配线辅助部47、48与源配线42连接，起着源配线42的作用，构成源配线42的一部分。
此外，漏电极44，如图7所示，也同样形成部分以俯视呈半圆形状延伸的部分。此部分是上述的用于喷出功能液L的在漏电极辅助沟槽62a上形成的图案62(以下称为漏电极辅助部62)(第二图案)。因此在本实施方式中，漏电辅助部62与漏电极连接，起着漏电极44的作用，构成漏电极44的一部分。
而且像素电极45通过接触孔49与漏电44电连接。
其中如图7所示，栅电56的宽度，形成得比栅配线55的宽度更窄。例如，栅电极56的宽度为10微米，而栅配线55的宽度为20微米。而且源电极43形成得比源配线42的宽度更窄。例如，源电极43的宽度为10微米，而源配线42的宽度为20微米。通过这样形成，即使是不能直接喷出功能液L的微细图案(栅电极56、源电极43)，也能利用毛细管现象使功能液L流入微细的图案中。
而且如图7和后述图8所示，在栅电极56、源电极43与漏电极44之间形成有无定形硅膜46(半导体层)。本实施方式中，源电极43与无定形硅膜46在平面上重叠的面积，与漏电极44与无定形硅膜46在平面上重叠的面积大体相等。由此，能够实现电特性优良的TFT30。
由此，栅电极辅助部57、源配线辅助部48和漏电极辅助部62，是与功能液L的飞翔路径相比是具有大体相等宽度的圆形。因此能使喷出功能液L的区域达到最小，因而能够降低功能液L的成本。此外，在栅电极辅助部57中，能使相邻形成的像素电极45的开口率降低至最小。
<像素的形成方法>
图8(a)～(e)是表示沿着图7所示的B-B’线的像素形成工序的剖面图。
本实施方式中，利用上述的贮格围堰结构体和图案形成方法，形成具有底栅型TFT30的栅电极、源电极、漏电极的像素。另外，在以下的说明中，由于要经过上述的图5(a)～(d)和图6(a)～(c)所示的同样的工序，所以省略关于这些工序的说明。而且关于与上述实施方式所示的构成要素共同的构成要素，将赋予同一符号。
如图8(a)所示，在包括用图5(a)～(d)所示的工序形成的配线图案的贮格围堰的平坦面上，通过等离子体CVD法等使栅绝缘膜39成膜。其中栅绝缘膜39由氮化硅组成。然后使无定形硅膜在栅绝缘膜39上成膜。接着通过光刻处理和蚀刻处理，如图8(a)所示，图案化成所定形状，形成无定形硅膜46。
然后在无定形硅膜46上使接触层47(n+硅膜)成膜。接着利用光刻处理和蚀刻处理，如图8(a)所示图案形成为所定形状。
进而如图8(b)所示，利用旋涂法等在包括接触层47上的全面上涂布贮格围堰材料34b。其中作为构成贮格围堰34b的材料，形成后需要具备透光性和疏液性，所以可以适当使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、蜜胺树脂等高分子材料。而且为了对这些贮格围堰材料赋予疏液性而实施CF4等离子体处理等(采用含氟成分的气体的等离子体处理)。而且优选利用事先在贮格围堰材料本身中充填疏液成分(含氟基团等)的方式，代替这种处理。这种情况下，能够省略CF4等离子体处理。通过以上方式被疏液化的贮格围堰材料34b对于功能液L的接触角，优选确保处于40度以上。
接着形成一个像素间距为1/20～1/10的源·漏电极用贮格围堰34b。具体讲，首先利用光刻处理，在与栅绝缘膜39的上面涂布了贮格围堰材料34的源电极43对应的位置上形成源电极用沟槽部43a，同样在与漏电极44对应的位置上形成漏电极用沟槽部44a。
然后在源·漏电极用贮格围堰34b上形成了源电极用沟槽部43a和漏电极用沟槽部44a上配置功能液L，形成源电极43和漏电极44。具体讲，首先利用液滴喷出装置IJ在源配线用沟槽部配置功能液L(图示省略)。源电极用沟槽部43a的宽度，形成得比源配线用沟槽部的宽度更窄。因此，在源配线用沟槽部配置的功能液L，借助于毛细管现象流入源电极用沟槽部43a中。这样如图8(c)所示，可以形成源电极43。利用同样的方法可以形成漏电极44。
进而如图8(c)所示，形成源电极43和漏电极44之后，除去源·漏电极用贮格围堰34b。而且分别以接触层47上残留的源电极43和漏电极44作掩模，蚀刻在源电极43和漏电极44之间形成的接触层47的N+硅膜。通过这种蚀刻处理，可以除去在源电极43和漏电极44之间形成的接触层47的N+硅膜，使在N+硅膜的下层形成的无定形硅膜46的一部分露出。由此，在可以在源电极43的下层形成由N+硅组成的源区域32，在漏电极44的下层形成由N+硅组成的漏区域33。而且可以在这些源区域32和漏区域33的下层形成由无定形硅组成的通道区域(无定形硅膜46)。
利用以上说明的工序，将形成底栅型TFT30。
接着如图8(d)所示，通过蒸镀法、溅射法等使钝化膜38(保护膜)在源电极43、漏电极44、源区域32、漏区域33和露出的硅层上成膜。然后通过光刻处理和蚀刻处理，除去在形成了后述的像素电极45的栅绝缘膜39上的钝化膜38。同时为将像素电极45与漏电极44电连接，在漏电极44上的钝化膜38上形成接触孔49。
进而如图8(e)所示，在包括形成了像素电极45的栅绝缘膜39的区域上涂布贮格围堰材料。其中贮格围堰材料，如上所述含有丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等材料。接着通过等离子体处理等对这种贮格围堰材料(像素电极贮格围堰用34c)的上面实施疏液处理。然后通过光刻处理，在形成了像素电极45的区域上形成像素电极用沟槽部，形成像素电极贮格围堰用34c。
然后，通过喷墨法在上述像素电极贮格围堰用34c所划分的区域上形成由ITO(铟锡氧化物)构成的像素电极45。而且通过将像素电极45充填在上述的接触孔49中，可以确保像素电极45与漏电极44之间的电连接。另外，在本实施方式中，对像素电极贮格围堰用34c的上面将实施疏液处理。因此，能够在不会从像素电极用沟槽部溢出的情况下形成像素电极45。
[第二种实施方式]
以下参照附图说明本实施方式。在本实施方式中，将说明与构成TFT30的漏电极对应的漏电极沟槽部44a的结构。
在上述第一种实施方式中，与漏电极对应的漏电极沟槽部44a形成得俯视呈矩形形状。与此相比，在本实施方式中的不同点却在于使漏电极沟槽部44a形成得呈L字状。其他基本构成与第一种实施方式相同，所以对共同的构成要素将赋予同一符号，其详细说明省略。
图9(a)、(b)是表示与本实施方式的漏电极对应的漏电极沟槽部44a结构的俯视图。其中所谓漏电极沟槽部44a的内侧，是L字状漏电极沟槽部44a长边交叉的锐角侧，外侧是内侧的反侧。
如图9(a)所示，漏电极辅助沟槽部62a，在形成L字状的漏电极沟槽部44a的弯曲部分的内侧形成俯视呈圆形形状。详细讲，漏电极辅助沟槽部62a，形成得与一部分漏电极沟槽部44a重叠，变成从漏电极沟槽部44a的弯曲部分以俯视呈扇形形状延伸的状态。因此漏电极辅助沟槽部62a，与漏电极沟槽部44a连接，构成漏电极44的一部分。而且漏电极辅助沟槽部62a的宽度，形成得与液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径相等或更大。也就是说，在本实施方式中，漏电极辅助沟槽部62a变成喷出功能液L用的区域S4，变成功能液L不会从贮格围堰34上面溢出的结构。
而且优选使在漏电极沟槽部44a形成的漏电极辅助沟槽部62a，在与图9(a)所示位置不同的位置上形成。具体讲，在以L字状形成的漏电极沟槽部44a的两端部的内侧形成得俯视呈圆形形状。详细讲，漏电极辅助沟槽部62a，形成得与一部分漏电极沟槽部44a重叠，变成从漏电极沟槽部44a向内侧方向以半圆形形状伸出的状态。如此，漏电极辅助沟槽部62a，将与漏电极沟槽部44a连接，构成漏电极44的一部分。而且漏电极辅助沟槽部62a的宽度，形成得与液滴喷出装置IJ喷出的功能液L的飞翔路径相等或更大。也就是说，在本实施方式中，漏电极辅助沟槽部62a变成喷出功能液L用的区域S4，变成功能液L不会从贮格围堰34上面溢出的结构。
这样以L字状形成漏电极44，漏电极44的宽度即使在比喷出的功能液L的飞翔路径小的情况下，通过设置漏电极辅助沟槽部62a，也能在功能液L的残渣不会在残留贮格围堰34上面的情况下，形成所需形状的漏电极44。
<电光学装置>
以下说明采用具有上述贮格围堰结构的图案形成方法形成的具备像素的作为本发明电光学装置一例的液晶显示装置。
图10是就本发明涉及的液晶显示装置而言，从与各构成要素一起显示的对向基板侧观察的平面图。图11是沿着图10中H-H’直线的剖面图。图12是在液晶显示装置的像素显示区域中以矩阵状形成的多个像素中各种元件、配线等的等效电路图，而且在以下说明的各图中，为使各层和各部件具有图中可识别的大小，将各层和各部件的比例尺改变得不同。
图10及图11中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100，是用作为光固化性密封材料的密封材料52将成对的TFT基板10与对向基板20粘合而成的，在由此密封材料52所围定的区域内封入保有液晶50。密封材料52在基板面内的区域上形成密闭的框状，形成没有液晶注入口，也没有用密封材料密封痕迹的结构。
在密封材料52的形成区域的内侧区域上，形成由透光性材料组成的边框53。在密封材料52的外侧区域上，沿着TFT阵列基板10的一边形成数据线驱动电路201和安装矩形形状20，沿着与此一边相邻两边形成扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的其余一边上，设置着为在像素显示区域的两侧设置的扫描线驱动电路204之间连接用的多个配线205。而且在对向基板20的角落的至少一处配置着将TFT阵列基板10与对向基板20之间电导通用的基板间导通材料206。
另外，也可以借助于各方异性导电膜将例如安装了驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板与在TFT阵列基板10周边部分形成的端子组电连接和机械连接，以此代替在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204。而且，在液晶显示装置100中，可以根据使用的液晶50的种类，即按照TN(扭转向列)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等动作模式，以及常白模式/常黑模式的不同，在所定方向配置相位差板、偏光板等，但是这里省略对其的图示。
而且，当将液晶显示装置100以彩色显示用构成的情况下，对向基板20中，在与TFT阵列基板10的后述的各像素电极相对向的区域上，与其保护一起形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)色的滤色片。
在具有这种结构的液晶显示装置100的像素显示区域中，如图12所示，将多个像素100a构成得呈矩阵状，同时在这些像素100a的每个上形成着像素开关用的TFT(开关元件)30，将供给像素信号的数据线6a与TFT30的源电连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2、…、Sn，也可以按照线顺序以次顺序依次供给，也可以对相邻的多个数据线6a之间逐组供给。而且，构成得扫描线3a电连接在TFT30的栅上，对扫描线3a按照所定时序以线顺序施加脉冲扫描信号G1、G2、…、Gn。
像素电极19电连接在TFT30的漏区上，通过仅在一定期间开启作为开关元件的TFT30，按照所定时序写入由数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn。这样借助于像素电极19在液晶中写入的所定水平的像素信号S1、S2、…、Sn，在一定期间内被保持在图11所示的对向基板20的对向电极之间。另外，为了防止被保持的像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，可以与在像素电极19与对向电极121之间形成的液晶电容并列附加着储蓄电容60。例如在比施加原电压的时间长三位的时间内由储蓄电容保持像素电极19的电压。这样能够实现电荷保持特性得到改善，对比度高的液晶显示装置100。
以下说明与上述电光学装置(液晶显示装置100)不同的实施方式。
图13是表示具备上述贮格围堰结构和通过图案形成方法形成的像素的有机EL装置的侧剖面图。以下参照图13说明有机EL装置的大体结构。
图13中，有机EL装置401是在由基板411、电路元件部421、像素电极431、贮格围堰部441、发光元件451、阴极461(对向电极)、及密封基板471构成的有机EL元件402上，连接了柔性基板(图示略)的配线和驱动IC(图示略)形成的。电路元件部421是作为有源元件的TFT60在基板411上形成、多个像素电极431在电路元件部421上整列构成的。而且构成TFT60的栅配线61，是用上述的实施方式中配线图案的形成方法形成的。
在各像素电极431之间以格状形成贮格围堰部441，在由贮格围堰部441形成的凹部开口444上形成有发光元件451。而且，发光元件451由红色发光的元件、绿色发光的元件和蓝色发光的元件构成，因此有机EL装置401形成能够实现彩色显示的。阴极461在贮格围堰部441和发光元件451的上部全面形成，在阴极461上层叠有密封用基板471。
包含有机EL元件的有机EL装置401的制造方法，具备形成贮格围堰441的贮格围堰部形成工序、适当形成发光元件451用等离子体处理工序、形成发光元件451的发光元件形成工序、形成阴极461的对向电极形成工序、和在阴极461上层叠密封用基板471并密封的密封工序。
发光元件形成工序，通过在凹部开口444，即像素电极431上形成空穴注入层452和发光层453而形成发光元件451，其中具备空穴注入层形成工序和发光层形成工序。而且空穴注入层形成工序，具有将形成空穴注入层452用液体材料在各像素电极431上喷出的第一工序，和将喷出的液体材料干燥形成空穴注入层452的第一干燥工序。而且发光层形成工序，具有在空穴注入层452上喷出形成发光层453用液体材料的第二喷出工序，和将喷出的液体材料干燥形成空穴发光层453的第二干燥工序。其中发光层453，如上所述，事先由与红、绿和蓝三色对应的材料形成三种发光层，所以所述第二喷出工序，由分别喷出三种材料用的工序组成。
这种发光层形成工序中，在空穴注入层形成工序中的第一喷出工序，和发光层形成工序中的第二喷出工序中，可以使用上述的液滴喷出装置IJ。
而且作为本发明涉及的器件(电光学装置)，除了上述的以外，还可以用于PDP(等离子体显示板)，或通过使电流与膜面平行地在基板上形成的小面积薄膜中流过，产生电子释放现象的表面传导型电子释放元件等中。
<电子仪器>
以下说明本发明的电子仪器的具体实例。
图14是表示移动电话机一例的立体图。图14中，600表示移动电话机主体，601表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图14所示的电子仪器，由于是具备采用具有上述实施方式的贮格围堰结构的图案形成方法形成的液晶显示装置的，所以可以获得高的品质和性能。
另外，本实施方式的电子仪器虽然制成具备液晶装置的，但是也可以制成有机电致发光显示装置、等离子体显示装置等具备其他电光学装置的电子仪器。
以下说明在天线电路中采用具有本发明贮格围堰结构的图案形成方法形成的图案的实例。
图15表示本实施方式涉及的非接触型卡式介质，非接触型卡式介质400，在由卡式基板402和卡式盖片418构成的筐体内，内置半导体集成电路芯片408和天线电路412，借助于未图示的外部信号收发机与电磁波或静电电容结合的至少一种方式供给电力，或者进行数据的接收或发送。
本实施方式中，上述天线电路412基于本发明的图案形成方法形成。因此，能够实现上述天线电路412的微细化或细线化，获得高的品质或性能。
另外，除上述的电子仪器以外，还可以适用于各种电子仪器上。例如可以用于液晶投影仪、与多媒体对应的个人计算机(PC)及工程工作站(EWS)、寻呼机、文字处理机、电视机、取景器型或监视直视型磁带录像机、电子记事本、台式计算机、汽车导航装置、POS终端、具备触摸屏的装置等电子仪器上。
以上虽然参照附图说明了本发明涉及的优选实施方式，但是不用说本发明并不限于这些实例上。上述实例中示出的各种构成部件的各种形状及其组合等仅是一例，可以在不超出本发明要点的范围内根据设计要求等作各种变更。
例如在上述实施方式中，使喷出功能液的喷出区域形状形成俯视圆形。但是优选使喷出区域的形状形成得至少外周的一部分具有圆弧形状，来代替这种形状。具体讲，可以采用椭圆形、跑道形(track)等各种形状。
而且在上述实施方式中，通过光刻处理和蚀刻处理在贮格围堰上形成所需的沟槽部(例如栅电极沟槽部等)。但是优选代之以利用激光，通过将贮格围堰图案形成，形成所需的沟槽部。

Claims (11)

1.一种隔壁结构体，是设置了与用功能液形成的图案对应的凹部的隔壁结构体，其特征在于，其中具备：
与第一图案对应而设置的第一凹部；和
与在所述第一凹部的一部分上设置为比所述第一凹部更宽，而且至少在外周的一部分上具有圆弧之形状的第二图案对应的第二凹部。
  2.根据权利要求1所述的隔壁结构体，其特征在于，其中所述第二凹部俯视为正圆形。
3.根据权利要求1或2所述的隔壁结构体，其特征在于，其中具备与所述第一图案连接，而且比所述第一图案更宽的第三图案对应而设置的第三凹部。
4.根据权利要求1或2所述隔壁结构体，其特征在于，其中具备与所述第二图案连接而设置的第三图案对应的第三凹部。
5.一种隔壁结构体的形成方法，是在基板上形成具有与多个图案对应的凹部的隔壁结构体的方法，其特征在于，其中具有：
在所述基板上涂布隔壁材料的工序；
在所述隔壁材料上形成与第一图案对应的第一凹部的工序；
在所述隔壁材料上形成第二凹部的工序，该第二凹部与在所述第一凹部的一部分上设置为比所述第一凹部更宽，而且至少外周的一部分具有圆弧之形状的第二图案对应。
6.一种器件，是具备在基板上设置的半导体层、与所述半导体层连接的源电极和漏电极、和通过绝缘层与所述半导体层相对向设置的栅电极的器件，其特征在于，其中具备：
权利要求1或2所述隔壁结构体、和在所述隔壁结构体的所述第一和第二凹部的内部分别配置的图案；
所述第一图案是所述漏电极。
7.一种器件，是具备在基板上设置的半导体层、与所述半导体层连接的源电极和漏电极、和通过绝缘层与所述半导体层相对向设置的栅电极的器件，其特征在于，其中具备：
权利要求3所述的隔壁结构体，和在所述隔壁结构体的所述第一、第二和第三凹部的内部分别配置的图案；
所述第一图案是所述栅电极，所述第三图案是所述栅配线。
8.一种器件，是具备在基板上设置的半导体层、与所述半导体层连接的源电极和漏电极、和通过绝缘层与所述半导体层相对向设置的栅电极的器件，其特征在于，其中具备：
权利要求4所述的隔壁结构体，和在所述隔壁结构体的所述第一、第二和第三凹部的内部分别配置的图案；
所述第一图案是所述源配线，所述第三图案是所述源电极。
9.根据权利要求7或8所述的器件，其特征在于，其中所述源电极和所述半导体层在平面上重叠的面积，与所述漏电极和所述半导体层在平面上重叠的面积大体相等。
10.一种电光学装置，其特征在于，其中具备权利要求6～9中任何一项所述的器件。
11.一种电子仪器，其特征在于，其中具备权利要求10所述的电光学装置。
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