CN1681375A - 膜图形形成方法、器件制造方法、光电装置和电子设备 - Google Patents

膜图形形成方法、器件制造方法、光电装置和电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种膜图形的形成方法和器件的制造方法、光电装置和电子设备、有源矩阵基板的制造方法，该膜图形的形成方法，通过把功能液配置到基板上来形成膜图形，其包括：在上述基板上形成具有规定的图形的围堰的工序、在上述围堰间的沟中设置由多孔体构成的接受膜的工序、把上述功能液配置到上述接受膜上的工序。

Description

膜图形形成方法、器件制造方法、光电装置和电子设备
发明领域
本发明涉及膜图形的形成方法和器件的制造方法、光电装置和电子设备、有源矩阵基板的制造方法。
背景技术
例如光刻法被用在有布线的电子电路和集成电路等的器件制造中。该光刻法为：把被称为抗蚀剂的感光性材料涂覆到预先涂覆了导电膜的基板上，照射电路图形使之显影，通过对应抗蚀剂图形蚀刻导电膜、形成布线图形。该光刻法需要用到真空装置等大型设备和复杂的工序，另外，材料使用效率也是以百分之几的程度，不得不废弃几乎所有的材料，制造成本高。
对此，在如美国特许第5132248号说明书中，有如下方法的提案：使用从液体喷头喷出液滴状功能液的液体喷出法、即所谓喷墨法，在基板上形成布线图形的方法。在该方法中，把分散有金属微粒等导电性微粒的功能液直接按图形涂覆到基板上，然后进行热处理或激光照射、变换为导电性膜图形。使用该方法，具有不需要光刻蚀、工序大幅度变简单的同时、原材料的使用量也变少的优点。
基于液体喷出法形成组成器件的膜图形时，为了得到良好的器件特性，使喷头喷出的液滴在希望的状态下、配置到希望的位置上，这一点是很重要的。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而设计的，其目的在于提供一种用液体喷出法在基板上形成膜图形时能够使液滴在希望状态下配置到希望位置上的膜图形的形成方法和器件的制造方法、光电装置和电子设备、有源矩阵基板的制造方法。
为了达到上述目的，本发明采用以下构造。
本发明的膜图形的形成方法是通过把功能液配置在基板上而形成膜图形的方法，包括：在上述基板上形成具有规定图形的围堰的工序、在上述围堰间的沟内设置由多孔体构成的接受膜的工序、把上述功能液配置到上述接受膜上的工序。
根据本发明，通过围堰间的沟里设置由多孔体构成的接受膜，而配置在接受膜上的功能液被接受膜吸收，并被良好地保持。因而，能够把功能液良好地配置在围堰间的沟中，能够形成具有希望形状的膜图形。另外，在把功能液配置在沟中时，即使在该功能液的一部分粘到围堰上面的情况下，通过接受膜吸收功能液，粘在围堰上面的功能液能够被引入沟内。因而，能够防止在围堰上面生成功能液残渣的不良，能够防止该残渣引起的器件特性的劣化。
在本发明的膜图形的形成方法中，包括：设置上述接受膜的工序，在上述沟中配置第2功能液的工序，对被配置在上述沟中的上述第2功能液进行规定处理而把上述第2功能变换为上述液接受膜的工序。
根据本发明，通过对配置在沟中的第2功能液进行规定处理，能够在沟内顺畅地形成接受膜。
在本发明的膜图形的形成方法中，上述规定处理包括对被配置在上述沟中的上述第2功能液进行热处理，通过该热处理形成由多孔体构成的接受膜。
根据本发明，通过在规定条件下对第2功能液进行热处理，能够良好地形成接受膜。
在本发明的膜图形的形成方法中，在配置上述第2功能液的工序中使用液体喷出法。
根据本发明，能够经过简单的过程且控制材料的使用量而配置第2功能液。
在本发明的膜图形的形成方法中，在上述基板上由上述围堰形成具有第1宽度的第1沟的同时、还形成与上述第1沟连接的具有第2宽度的第2沟，把上述第2功能液配置到上述第1沟中，通过被配置到上述第1沟中的上述第2功能液的自身流动而把该第2功能液配置到第2沟中。
根据本发明，通过把第2功能液配置到第1沟中，利用被配置到该第1沟中的第2功能液的自身流动(毛细管现象)能够把第2功能液配置到第2沟中。因而，即使从围堰上方很难将第2功能液配置到第2沟中的情况下，第2功能液也能顺利地被配置到第2沟中。另外，即使不从围堰上方配置第2功能液，也能在第2沟中配置第2功能液，因此能够避免在围堰的上面存在第2功能液的残渣的不良。
在本发明的膜图形的形成方法中，上述第2宽度为上述第1宽度以下。
根据本发明，对宽度窄的第2沟，即使不从围堰上方配置第2功能液，通过把第2功能液配置到宽度宽的第1沟中，也能够顺利地把第2功能液配置到第2沟中。另外，即使对第1沟从围堰上方配置第2功能液，也由该第1沟具有宽的的宽度，所以能够避免在围堰的上面粘有第2功能液的残渣的不良。另外，由于第2沟的宽度窄，所以第2功能液能通过毛细管现象顺利地被配置到第2沟中。而且，由于能够顺利地把第2功能液配置到宽度狭窄的第2沟中，所以能够实现膜图形的细线化(精细化)。
在本发明的膜图形的形成方法中，在上述基板上，通过上述围堰形成向第1方向延伸的第1沟的同时、还形成与上述第1沟连接的向第2方向延伸的第2沟，向上述第1沟中配置上述第2功能液，通过第2功能液的自身流动而将该第2功能液配置到上述第2沟中。
根据本发明，通过把第2功能液配置到第1沟中，利用自身流动把第2功能液配置到与该第1沟延伸方向不同的第2沟中。
本发明的膜图形的形成方法，其特征在于：把上述功能液配置到上述第1沟中，利用被配置到上述第1沟中的上述功能液的自身流动把该功能液配置到上述第2沟中。
根据本发明，通过把功能液配置到被设置有接受膜的第1沟中，利用被配置在该第1沟中的功能液的自身流动(毛细管现象)把功能液配置在第2沟中。因而，即使从围堰上方很难向第2沟配置功能液的情况下，功能液也能顺利地被配置到第2沟中。另外，由于即使不从围堰上方配置功能液，功能液也能被配置到第2沟中，所以能够防止在围堰的上面存在功能液的残渣的不良。另外，对于宽度窄的第2沟，即使不从围堰上方配置功能液，通过把功能液配置到宽的宽度的第1沟，也能够顺利地把功能液配置到第2沟中。另外，对于第1沟，即使从围堰上方配置功能液，该第1沟具有较宽的宽度，因此能够避免在围堰的上面粘有功能液的残渣的不良。另外，第2沟的宽度较窄，所以功能液通过毛细管现象，能顺利地被配置到第2沟中。而且，因为在第1和第2沟中设置接受膜，所以功能液被接受膜吸收并被良好地保持。因而，能够形成具有希望形状的膜图形。于是，能够顺利地把第2功能液配置到宽度狭窄的第2沟中，能够实现膜图形的细线化(精细化)。
在本发明的膜图形的形成方法中，在上述功能液中含有导电性微粒。另外，在本发明的膜图形的形成方法中，上述功能液含有通过上述热处理或光处理而呈现导电性的材料。
根据本发明，可以把膜图形做成具有导电性的布线图形，能够应用于各种器件中。另外，除了导电微粒等之外，通过使用有机EL等的发光元件形成材料或R·G·B的墨材料，也可以适用于有机EL装置和具有滤色片的液晶显示装置等的制造。
在本发明的膜图形的形成方法中，上述功能液和上述第2功能液是大致相同的功能液。
在本发明中，通过用相同功能液(组成、物理性能)构成用于形成接受膜的第2功能液和用于形成膜图形的功能液，而基于第2功能液形成的接受膜(多孔体)可吸收功能液，能够形成致密性高的膜图形。其中，这里说的相同功能液(组成、物理性能)是指由功能液变换成的膜图形的功能(组成、物理性能)与由第2功能液变换成的第2膜图形的功能(组成、物理性能)相同。因而，含在功能液中的液体成分(溶剂)和含在第2功能液中的液体成分(溶剂)是相同溶剂也可，是不同溶剂也可。
在本发明的膜图形的形成方法中，上述功能液和上述第2功能液是相互不同的液体。
根据本发明，对应功能液的种类(组成、物理性能)，能够适当选择对功能液具有良好的接受性的第2功能液的种类(组成、物理性能)。另外，分别适当地选择功能液和第2功能液，能够形成具有：使形成的膜图形具有功能液和第2功能液分别的功能、能够控制(调整)形成的膜图形的功能等各种功能的膜图形。其中，功能液中含有的液体成分(溶剂)是相同溶剂也可、是不同溶剂也可。
在本发明的膜图形的形成方法中，在配置上述功能液的工序中使用液体喷出法。
根据本发明，能够经过简单的工艺且控制材料的使用量而配置功能液。
本发明的膜图形的形成方法是通过把第1功能液配置在基板上形成膜图形的方法，包括：在上述基板上形成具有规定图形的围堰的工序，在由上述围堰形成的第1沟中配置第2功能液的同时、在与上述第1沟连接的第2沟中利用被配置在上述第1沟中的上述第2功能液的自身流动配置该第2功能液的工序，对被配置在上述第1和第2沟中的第2功能液进行规定处理而把上述第2功能液变换为膜的工序，在上述膜上配置上述第1功能液的工序。
根据本发明，通过把第2功能液配置到第1沟中，利用被配置到该第1沟中的第2功能液的自身流动(毛细管现象)，能够把第2功能液配置到第2沟中。因而，即使从围堰上方向很难向第2沟中配置第2功能液的情况下，第2功能液也能顺利地被配置到第2沟中。另外，即使不从围堰上方配置第2功能液，也能在第2沟配置第2功能液，所以能够防止在围堰的上面存在第2功能液的残渣的不良。而且，通过把第1功能液配置到设有基于第2功能液形成的膜的第1沟内，能够通过被配置在该第1沟的第1功能液的自身流动(毛细管现象)、也把第1功能液顺利地配置到第2沟中。另外，第2功能液同样，能够防止在围堰的上面存在第2功能液的残渣的不良。另外，因为把第1功能液配置到被设置在第1和第2沟的膜上，所以根据膜的功能，能够良好地保持被配置在沟里的第1功能液的形状。因而，能够形成具有希望形状的膜图形。
在本发明的膜图形的形成方法中，上述规定处理包括，把被配置在第1和第2沟中的第2功能液变换为对上述第1功能液具有接受性的接受膜的处理。
根据本发明，通过变换第2功能液在在第1和第2沟内设置接受膜，而被配置在接受膜上的第1功能液被接受膜吸收、被良好地保持。因而，能够把第1功能液良好地配置在围堰间的沟中，能够形成具有希望形状的膜图形。
另外，把第1功能液配置在沟内时，即使在该第1功能液的一部分粘到围堰上面的情况下，通过接受膜吸收第1功能液，粘到围堰上面的第1功能液能够被引入沟内。因而能够防止在围堰上面第1功能液的残渣存在，所以能够防止该残渣引起的器件特性的劣化。
在本发明的膜图形的形成方法中，在上述第1沟中的、该第1沟与第2沟连接的连接部以外的位置设置堤防部，在上述连接部和上述堤防部之间配置上述第2功能液。
根据本发明，通过设置堤防部，被配置在第1沟中的连接部与堤防部之间的第2功能液(或第1功能液)流入连接部侧。因而，第2功能液(或第1功能液)介由该连接部顺利地滑入第2沟内。
在本发明的膜图形的形成方法中，上述第1沟和上述第2沟具有不同的宽度。另外，在本发明的膜图形的形成方法中，上述第2沟的宽度为上述第1沟的宽度以下。
根据本发明，即使不从围堰上方对宽度窄的第2沟配置功能液，通过把功能液配置到宽度宽的第1沟中，也能够顺利地把功能液配置到第2沟中。另外，即使从围堰上方对于第1沟配置功能液，由于该第1沟具有宽的宽度，所以能够避免在围堰的上面有功能液的残渣的不良。另外，由于第2沟的宽度狭窄，所以功能液利用毛细管现象能顺利地被配置到第2沟中。然后，由于能够顺利地把功能液配置到宽度狭窄的第2沟中，所以能够实现膜图形的细线化(精细化)。
在本发明的膜图形的形成方法中，上述第1沟与上述第2沟向相互不同的方向延伸形成。
根据本发明，通过在第1沟中配置第2功能液，第2功能液利用自身流动能够配置在与该第1沟的延伸方向不同的第2沟中。
本发明的膜图形的形成方法是通过在基板上配置功能液来形成膜图形的方法，包括：在上述基板上形成具有规定图形的围堰的工序，在由上述围堰形成的第1沟和与上述第1沟连接的具有比该第1沟宽度窄的宽度的第2沟中的、至少第2沟中设置对上述功能液具有接受性的接受膜的工序，从上述第2沟上方供给上述功能液而把上述功能液配置到被设有上述接受膜的上述第2沟中的工序。
根据本发明，利用围堰形成第1沟和与该第1沟连接的具有比该第1沟窄的宽度的第2沟时，至少通过在第2沟中设置接受膜，而即使在如基于液体喷出法从第2沟上方供给功能液时该功能液的一部分粘到围堰上面的情况下，通过接受膜吸收功能液，能够把粘到围堰上面的功能液引入第2沟内。因而可防止在围堰上面存在功能液的残渣，能够防止该残渣引起的器件特性的劣化。
而且，由于被供给到第2沟内的功能液被接受膜吸收并被良好地保持，所以能够形成具有希望形状的膜图形。
本发明的器件的制造方法是关于具有在基板上形成膜图形的工序的器件的制造方法，通过上述所述的膜图形的形成方法在上述基板上形成膜图形。
根据本发明，能够得到具有希望的图形形状、具有致密性高的膜图形的器件。
本发明的光电装置具有利用上述的器件的制造方法制造的器件。另外，本发明的电子设备具有上述的光电装置。根据本发明，能够得到含有以希望状态形成在希望位置的布线图形的光电装置和电子设备。
本发明的有源矩阵基板的制造方法，包括：在基板上形成栅极布线的第1工序，在上述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序，介由上述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序，在上述栅极绝缘层上形成源极和漏极的第4工序，把绝缘材料配置在上述源极和上述漏极上的第5工序，形成与上述漏极电连接的像素电极的第6工序。上述第1工序、上述第4工序和上述第6工序中的至少一个工序具有：在上述基板上形成具有规定图形的围堰的工序，在上述围堰之间的沟中设置由多孔体构成的接受膜的工序，在上述接受膜上配置上述功能液的工序。
根据本发明，因为能够以希望状态在希望位置配置液滴，所以能够制造具有希望性能的有源矩阵基板。
本发明的有源矩阵基板的制造方法包括：在基板上形成栅极布线的第1工序，在上述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序，介由上述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序，在上述栅极绝缘层上形成源极和漏极的第4工序，在上述源极和上述漏极上配置绝缘材料的第5工序，形成与上述漏极工序电连接的像素电极的第6工序，上述第1工序、上述第4工序和上述第6工序中的至少一个工序具有：在上述基板上形成具有规定的图形的围堰的工序，在把第2功能液配置到由上述围堰形成的第1沟的同时、还在与第1沟连接的第2沟中利用被配置在第1沟中的上述第2功能液的自身流动来配置第2功能液的工序，对配置在上述第1和第2沟中的第2功能液进行规定处理、把上述第2功能液变换为膜的工序，把上述第1功能液配置在上述膜上的工序。
根据本发明，因为能够以希望状态在希望位置配置液滴，所以能够制造具有希望性能的有源矩阵基板。
本发明的有源矩阵基板的制造方法包括：在基板上形成栅极布线的第1工序，在上述栅极布线上形成绝缘膜的第2工序，介由上述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序，在上述栅极绝缘层上形成源极和漏极的第4工序，在上述源极和上述漏极上配置绝缘材料的第5工序，形成与上述漏极电连接的像素电极的第6工序，上述第1工序、上述第4工序和上述第6工序中的至少一个工序具有：在上述基板上形成具有规定的图形的围堰的工序，在由上述围堰形成的第1沟和与第1沟连接的具有比该第1沟窄的宽度的第2沟中的至少第2沟中设置对上述功能液具有接受性的接受膜的工序，从上述第2沟上方供给上述功能液、在设有上述接受膜的上述第2沟中配置功能液的工序。
根据本发明，因为能够以希望状态在希望位置配置液滴，所以能够制造具有希望性能的有源矩阵基板。
附图说明
图1是表示液滴喷出装置的简要立体图。
图2是表示说明用压电方式喷出液体材料的原理图。
图3是表示本发明的膜图形的形成方法的一个实施方式的流程图。
图4A～图4D是表示形成本发明的膜图形顺序的一个例子模式图。
图5A～图5D是表示形成本发明的膜图形顺序的一个例子模式图。
图6是表示说明本发明的膜图形的形成方法的作用模式图。
图7A和图7B是表示说明实验结果的一个例子的图表。
图8是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图9A～图9C是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图10A～图10C是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图11是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图12是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图13是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图14是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图15A和图15B是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图16是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图17是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图18是表示本发明的膜图形的形成方法的其它实施方式模式图。
图19是表示有薄膜晶体管的基板的一个例子模式图。
图20是表示说明制造薄膜晶体管工序的图。
图21是表示说明制造薄膜晶体管工序的图。
图22是表示说明制造薄膜晶体管工序的图。
图23是表示说明制造薄膜晶体管工序的图。
图24是表示从对向基板方向观察液晶显示装置的俯视图。
图25是表示沿图24的H-H’线的剖面图。
图26是表示液晶显示装置的等效电路图。
图27是表示液晶显示装置的部分放大剖面图。
图28是表示有机EL装置的部分放大剖面图。
图29是表示等离子型显示装置的分解立体图。
图30是表示液晶显示装置的其它方式图。
图31是表示非接触型卡介质的分解立体图。
图32A～图32C是表示本发明的电子设备的具体实例图。
图中：33-布线图形(膜图形)，34-沟部，34A-第1沟部，34B-第2沟部，36-接受膜，37-连接部，39-堤防部，B-围堰，P-基板，LQ1、LQ2-功能液。
具体实施方式
以下，参照图示对本发明的膜图形的形成方法和器件的制造方法进行说明。在本实施方式中使用基于液体喷出法从液体喷头的喷嘴喷出液滴状的具有导电性材料的功能液(墨)、在基板上形成由导电性膜构成的布线图形(膜图形)的例子进行说明。
(器件制造装置)
首先，对被应用到本发明中器件的制造时的器件制造装置进行说明。作为该器件制造装置，应用通过从液体喷头喷出(滴下)液滴到基板上而制造器件的液滴喷出装置(喷墨装置)。
图1表示液滴喷出装置IJ的简要立体图。
在图1中，液滴喷出装置IJ具有：液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导轨轴5、控制装置CONT、载物台7、清洗机构8、底盘9、加热器15。
载物台7被用于支持基板P，液滴喷头1喷出(配置)功能液(墨)到基板P上，载物台7具有把基板P固定到基准位置的未图示的固定机构。
液滴喷头1是具有多个喷嘴的多喷嘴类型液滴喷头，使其长径方向与X轴方向一致。多个喷嘴按一定间隔沿X轴方向排列被设定在液滴喷头1的下面。功能液从液滴喷头1的喷嘴被喷出到被载物台7支持的基板P上。
X轴方向驱动电动机2与X轴方向驱动轴4连接。X轴方向驱动电动机2是步进电动机等，在控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号时，使X轴方向驱动轴4旋转。X轴方向驱动轴4旋转时，液滴喷头1向X轴方向移动。
Y轴方向导轨轴5被固定为不能相对底盘9移动。载物台7具有Y轴方向驱动电动机3。Y轴方向驱动电动机3是步进电动机等。控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号时，沿Y轴方向移动载物台7。
控制装置CONT向液滴喷头1供给液滴的喷出控制用电压。进一步，控制装置CONT相对X轴方向驱动电动机2供给控制液滴喷头1向X轴方向移动的驱动脉冲信号的同时，供给控制相对Y轴方向驱动电动机3、载物台7在Y轴方向移动的驱动脉冲信号。
清洗机构8是清洗液滴喷头1的机构，具有未图示的Y轴方向驱动电动机。通过该Y轴方向驱动电动机的驱动，清洗机构8沿Y轴方向导轨轴5移动。清洗机构8的移动也受控制装置CONT的控制。
加热器15在这里是利用灯退火对基板P进行热处理的机构，进行溶剂的蒸发和干燥，该溶剂含在被涂覆于基板P上的墨中。该加热器15电源的接通和切断也受控制装置CONT的控制。
液滴喷出装置IJ一边相对扫描支持液滴喷头1和基板P的载物台7一边基板P喷出液滴续。在这里，根据以下说明，Y轴方向定为扫描方向，与Y轴方向垂直的X轴方向定为非扫描方向。因而，液滴喷头1的喷嘴是被设置为沿非扫描方向的X轴方向按一定间隔排列。其中，在图1中，喷头1被配置为与基板P的运动方向垂直，但也可调整喷头1的角度、使其与基板P的运动方向交叉。
这样，通过调整液滴喷头1的角度可以调节喷嘴间的间距。另外，也可以随意调节基板P与喷嘴面的距离。
其中，作为液体喷出法的喷出技术，可列举如下：带电控制方式、加压振动方式、电机械变换方式、电热变换方式、静电吸引方式。
带电控制方式是用带电电极给予材料电荷、用偏转电极控制材料的飞行方向、从喷嘴喷出的方式。
另外，加压振动方式是向材料外加30kg/cm2左右的超高压、向喷嘴顶端侧喷出材料的方式；在没有控制电压的情况下、材料前进从喷嘴被喷出，加控制电压时、在材料间产生静电排斥、材料不飞散且不从喷嘴喷出。
另外，电机械变换方式是利用压电元件接受脉冲电信号而变形的性质的方式；通过压电元件变形、借助可弯曲物质向贮存材料的空间施加压力、从该空间挤压材料、从喷嘴喷出。
另外，电热变换方式是通过在贮存材料的空间内设置加热器，使材料快速汽化，产生泡，在泡压力作用下喷出空间内材料的方式。静电吸引方式是向贮存材料的空间内施加微小压力，在喷嘴形成材料的弯液面，在该状态下施加静电引力，引出材料的方法。除此以外，也可应用利用电场使流体粘性变化的方式和放电火花飞出方式等技术。液体喷出法具有如下优点：在材料使用方面浪费少，而且能够把需要量的材料准确地配置到需要的位置。其中用液体喷出法喷出的功能液一滴的量是例如1～300ng。
图2表示说明用电机械变换方式(压电方式)喷出功能液的原理图。
在图2中，与容纳功能液的液体室21相邻设置有压电元件22。借助含有容纳功能液材料容器的功能液供给***23，功能液被供给到液体室21。压电元件22与驱动电路24连接，借助该驱动电路24向压电元件22施加电压，通过使压电元件22变形，液体室21变形，功能液从喷嘴25喷出。这种情况下，通过使施加电压的值变化来控制压电元件22的变形量。另外，通过使施加电压的频率变化来控制压电元件22的变形速度。利用压电方式的液滴喷出由于没有向材料加热，所以很难对材料的组成造成影响，在这一点是有利的。
(功能液)
接着，对布线图形形成用的功能液进行说明。
作为形成布线图形的功能液，可以使用导电性微粒分散到分散剂中的分散液、有机银化合物或氧化银钠米级粒子等分散到溶剂(分散剂)中的溶液。作为导电性微粒，例如，除了可含有金、银、铜、铝、钯和镍中至少一种金属微粒之外，也可以使用它们的氧化物和导电性聚合物或超导体微粒等。为了提高分散性，可以在这些导电性微粒的表面涂层有机物等后再使用。导电性微粒的直径优选是1nm以上0.1μm以下。如果比0.1μm大，在后述的液滴喷头的喷嘴上就会发生堵塞。
另外，如果比1nm小，涂层剂相对导电性微粒的体积比变大，得到的膜中有机物比例过高。
作为分散剂，只要是能使上述导电性微粒分散、不引起凝聚的即可，没有特别限制。除了水之外可列举出：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等的醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、均四甲苯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等的烃类化合物，另外，可列举出：乙二醇二甲醚、乙二醇二***、乙二醇甲***、二甘醇二甲醚、二甘醇二***、二甘醇甲***、1，2-二甲氧基乙烷、二(2-甲氧乙基)醚、对二噁烷等的醚类化合物，还可列举出：碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、正甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等的极性化合物。其中，从微粒的分散性和分散液的稳定性、或适用于液体喷出法的容易性角度来看，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为分散剂，更优选水、烃类化合物。
上述导电性微粒的分散液表面张力优选是在0.02N/m以上、0.07N/m以下范围内。用液体喷出法喷出功能液(墨)时，表面张力不足0.02N/m时，功能液对喷嘴面的润湿性增大，所以容易产生飞行弯曲，超过0.07N/m时，由于在喷嘴顶端的弯液面形状不稳定，所以很难控制喷出量和喷出时间。为了调整表面张力，在不降低与基板之间的接触角的范围内也可微量添加氟类、硅类、非离子类等表面张力调节剂。非离子类等表面张力调节剂起到如下作用：提高功能液向基板的润湿性、改进膜的整平性、防止膜的微细凹凸的发生等。根据需要，上述表面张力调节剂也可含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
上述分散液的粘度优选为1mPa·s以上、50mPa·s以下。用液体喷出法作为液滴喷出功能液时，粘度小于1mPa·s的情况下，在功能液流出时容易污染喷嘴周边部位，另外，粘度大于50mPa·s的情况下，喷嘴孔的堵塞频率增加、很难顺畅地喷出液滴。
作为形成布线图形的基板，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶圆、塑料薄膜、金属板等各种材料。另外，也包括在这些各种材料基板的表面上形成半导体膜、金属膜、电介体膜、有机膜等的基板。
(布线图形的形成方法(第1实施方式))
下面，参照附图图3、图4和图5，对本发明的布线图形形成方法的第1实施方式进行说明。图3是表示本实施方式中的布线图形形成方法的一个例子的流程图、图4和图5表示形成工序模式图。
如图3所示，本实施方式中的布线图形形成方法是通过把布线图形形成用功能液配置到基板上而在基板上形成布线图形的方法，包括：根据布线图形在基板上设置围堰的围堰形成工序S1，除去围堰间残渣的残渣处理工序S2，赋予围堰疏液性的疏液化处理工序S3，基于液体喷出法、把功能液(功能液)配置到被除去残渣的围堰间的沟中的第1材料配置工序S4，对通过第1材料配置工序S4配置到围堰间的沟中的功能液进行处理，把功能液变换为接受膜的接受膜形成过程S5，在接受膜形成过程S5形成的接受膜上配置功能液(第1功能液)的第2材料配置工序S6，焙烧(烧成)工序S7。
以下，对每个工序进行详细说明。在本实施方式中，玻璃基板被作为基板P被使用。另外，在本实施方式中，作为布线图形形成用功能液，使用把导电性微粒分散到溶剂(分散剂)中的分散液。在本实施方式中，银微粒作为导电性微粒被使用。其中，作为导电性微粒，如同上述，是含有金、铜、钯、镍中的任意金属的金属微粒，或者也可以是导电性聚合物和超导体的微粒。另外，作为布线图形形成用功能液，也可使用把有机银化合物分散到二甘醇二***中形成的功能液。
(围堰形成工序)
首先，作为有机材料涂覆前的表面改性处理，对基板P施加HMDS处理。HMDS处理是指使六甲基二硅烷基胺[(CH3)3SiNHSi(CH3)3]变为蒸气状、再涂覆的方法。由此，如图4A所示，在基板P上形成作为提高围堰和基板P之间的粘合性(密接性)的粘合层的HMDS层32。
围堰是指作为间隔构件发挥作用的构件，围堰能在光刻法和印刷法等任意方法中形成。例如，使用光刻法时，用旋涂法、喷涂法、滚涂法、模涂法、浸涂法等规定的方法，在基板P的HMDS层32上按照围堰的高度涂覆有机类感光性材料31，再在其上涂覆抗蚀剂层。接着，按照围堰形状(布线图形)形成掩模，使抗蚀剂曝光、显影后，留下符合围堰形状的抗蚀膜。最后，进行蚀刻，除去掩模以外部分的围堰材料。另外，下层是无机物或有机物、是对功能液具有亲液性的材料，上层是有机物、是对功能液具有疏液性的材料，也可由这两种材料构成2层以上，由此形成围堰。这样，如图4B所示，为了包围布线图形形成预定区域的周边，设置了围堰B。
作为形成围堰的有机材料，可以是对功能液显示疏液性的材料，也可以是，如后述的，通过等离子处理疏液化(氟化)的、与基底基板之间的粘合性好的、通过光刻法容易图形化的绝缘有机材料。例如，可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、苯酚树脂、三聚氰胺树脂等的高分子材料。
(残渣处理工序)
在基板上形成围堰B后，实施氟酸处理。氟酸处理是指，例如，通过用2.5％氟酸水溶液、实施蚀刻，除去围堰B间的HMDS层32的处理。氟酸处理中，围堰B发挥掩模的作用，在围堰B、B间形成的沟部34的底部35中的有机物HMDS层32被除去。这样残渣HMDS层被除去。
(疏液化处理工序)
接着，对围堰B进行疏液化处理，赋予该表面疏液性。作为疏液化处理，可以采用如在空气环境中把四氟化碳作为处理气体的等离子处理法(CF4等离子处理法)。CF4等离子处理的条件是：例如，等离子功率50～1000W，4氟化碳气体流量50～100mL/min、相对等离子放电电极的基体搬送速度0.5～1020mm/sec、基体温度70～90℃。其中，作为处理气体，不只仅于四氟化碳，也可使用其它碳氟化合物类气体。
通过该疏液化处理，在围堰B中向构成围堰B的树脂中导入氟基，赋予围堰B高疏液性。其中，上述作为亲液化处理的O2等离子处理也可在围堰形成前进行，但丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等具有在O2等离子的前处理之后更容易氟化(疏液化)的性质，所以优选在形成围堰B之后进行O2等离子处理。
其中，对围堰B疏液化处理会对预先亲液化处理了的围堰间的基板P露出部有影响，但在尤其是基板P由气体构成的情况下、不能通过疏液化处理产生氟基的导入，所以实际上基板P的亲液性即润湿性并没有被损害。另外，围堰B是由具有疏液性的材料(例如具有氟基的树脂材料)形成的，所以也可省略该疏液处理过程。
这里，会出现用上述氟酸处理不能完全除去围堰B间的底部35的HMDS(有机物)的情况。或者也会出现在围堰B、B间的底部35中残留围堰形成时的抗蚀剂(有机物)的情况。所以，为了除去在围堰B、B间的底部35中的围堰形成时的有机物(抗蚀剂和HMDS)，在疏液化处理工序之后，优选对基板实施残渣处理。
作为残渣处理，可选择：通过紫外线照射、进行残渣处理的紫外线(UV)照射处理，和在空气环境中把氧气作为处理气体进行O2等离子处理等。另外也可选择使用酸(H2SO4、HF、HNO3)等的蚀刻处理。
而且，基板P是玻璃基板的情况下，其表面对布线图形形成用材料具有亲液性，如同本实施方式，通过为了进行残渣处理而实施O2等离子处理和紫外线照射处理，能够提高围堰B间露出的基板P表面(底部35)的亲液性。所以，为了使围堰B间的底部35的相对于功能液的接触角是15度以下，优选进行O2等离子处理和紫外线照射处理、酸(HF)蚀刻。
(第1材料配置工序)
接着，使用液滴喷出装置IJ的液体喷出法，把用于形成接受膜的功能液LQ1的液滴配置到基板P上的围堰B间的沟部34。在第1材料配置工序中，如图4所示，使功能液LQ1从液滴喷头1、以液滴状喷出。
在本实施方式中，在第1材料工序S4中被配置到沟部34的功能液(第2功能液)LQ1和后述的第2材料配置工序S6中被配置到接受膜(第1功能液)LQ2是相同功能液。即，在本实施方式中，用于形成接受膜的功能液LQ1和用于形成布线图形的功能液LQ2是相同的功能液。
如图4D所示，被喷出的功能液LQ1的液滴被配置到基板上的围堰B间的沟部34中。作为液滴喷出的条件，例如，能以墨重量4ng/dot、墨速度(喷出速度)5～7m/sec的条件进行。另外，喷出液滴的气体环境优选被设定为温度60℃以下、湿度80％以下。这样，喷头1的喷嘴不会被堵塞，能够稳定地进行液滴喷出。
此时，被喷液滴的布线图形形成预定区域(即沟部34)被围堰B包围，所以能够阻止液滴扩张到规定位置以外。另外，围堰被赋予了疏液性，由于围堰表面变成了疏液性，所以即使喷出液滴的一部分附在围堰B上，也会从围堰B弹落，流入围堰间的沟部34。进而，由于基板P露出的沟部34的底部35被赋予了亲液性，所以喷出的液滴更易于在底部35扩散，由此墨被均匀配置在规定范围内。
(接受膜形成工序)
在基板P上的沟部34配置功能液LQ1的液滴之后，为了除去液体成分的分散剂和形成接受膜，在规定条件下进行干燥处理(热处理)。干燥处理可通过利用加热基板P的通常的加热板、电炉等进行的加热处理进行。本实施方式中，例如，进行在180℃加热60分钟左右的处理。干燥处理的气体环境可以是空气、也可以不是空气。例如也可在氮气(N2)环境中进行。或者，也可通过用灯退火的光照射处理进行干燥处理。对用于灯退火的光的光源没有特别的限制，可以把红外线灯、氙气灯、YAG激光器、氩气激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCI、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等的准分子激光器等作为光源使用。这些光源通常被用于输出10W以上、5000W以下的范围，但在本实施方式中，100W以上、1000W以下的范围就足够了。
在本实施方式中，使被配置在沟部34的功能液LQ1的干燥条件(热处理条件)最优化，通过用该最优化的干燥条件干燥，如图5A所示，把配置到沟部34的功能液LQ1变换为接受膜36。接受膜36是对接下来的工序的第2材料配置工序S6中配置的功能液LQ2具有接受性的膜，由多孔体构成。通过在规定条件下干燥，能够把被配置在沟部34的功能液LQ1变换为由多孔体构成的接受膜36。在本实施方式中，通过例如进行60分钟左右1 80℃的加热处理，能够把被配置在沟部34中的功能液LQ1变换为多孔体。
(第2材料配置工序)
对基板P上的功能液LQ用规定条件进行干燥处理、形成接受膜36之后，如图5B所示，接下来的功能液LQ2的液滴被配置到设在沟部34的接受膜36上。如图5C所示，从喷头1喷出的功能液LQ2的液滴渗入由多孔体构成的接受膜36的空隙部，被接受膜吸收并保持。由此，通过把预先设置在基板P上的接受膜36变为多孔体，接着被配置的功能液LQ2的液滴、第2液滴被上述多孔体构成的接受膜36吸收、被良好地配置在围堰B之间。
(焙烧工序)
在喷出工序后的干燥膜上，为了良好地进行微粒间的电接触，有必要完全除去分散剂。另外，为了提高导电性微粒的表面上的分散性，在涂了有机物等的涂层材料的情况下，也有必要除去该涂层材料。为此，在喷出工序后的基板上实施热处理或光处理。
热处理或光处理通常是在空气中进行的，但根据需要，也可在氮气、氩气、氦气等的惰性气体中进行。在考虑了：分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类和压力、微粒的分散性和氧化性等的热性能、涂层材料的有无和用量、基体材料的耐热温度等之后，适当决定热处理或光处理的处理温度。例如，为了除去有机物构成的涂层材料，有必要在300℃下焙烧。另外，使用塑料基板的情况下，优选在室温以上、100℃以下进行。
通过以上工序进行了喷出工序以后的干燥膜确保微粒间的电接触，如图5D所示，变换为由导电性膜构成的布线图形33。
其中，焙烧工序后，可通过灰化剥离处理除去基板上存在的围堰B。作为灰化处理，可采用等离子灰化和臭氧灰化等。等离子灰化是使等离子化的氧气等的气体和围堰(抗蚀膜)发生反应、使围堰气化、剥离除去围堰的方法。围堰是碳、氧、氢构成的固体物质，这些物质通过和氧等离子发生化学反应，变为CO2、H2O、O2，全部变成气体，进而能够剥离。另一方面，臭氧灰化的基本原理与等离子灰化一样，分解O3(臭氧)，变为反应性气体O*(游离氧)，使这个O*与围堰反应。与O*反应后的围堰变为CO2、H2O、O2，全部变成气体，进而能够剥离。通过对基板P进行灰化剥离处理，从基板P除去围堰。
如上所述，通过在围堰B间的沟部34设置接受膜36，被配置在接受膜36上的功能液LQ2被接受膜36吸收，功能液LQ2被良好地保持。因而，能够把功能液LQ2良好地配置到围堰B间的沟部34，形成具有需要形状的布线图形33。
接着，如图6模式图所示，功能液LQ2被配置到沟部34时，即使在该功能液LQ2的一部分粘到围堰B的上面38的情况下，通过接受膜36吸收功能液LQ2，粘在围堰B上面38的功能液LQ2能够被引入沟部34。因而，能够防止功能液LQ2的残渣存在于围堰B的上面38。含有导电性材料的功能液LQ2残渣被配置在围堰B上面38的情况下，在布线图形33中通电流时，可能会在上面38的残渣内发生漏电。而且，在把该布线图形33应用于薄膜晶体管(TFT)的情况下，可能会因为该漏电使TFT的特性劣化。不过，在本实施方式中，因为能够防止围堰B上面38处的残渣生成，所以能够防止该残渣引起的器件特性的劣化。
其中，在本实施方式中，用液体喷出法把功能液LQ1配置到沟部34，通过对该功能液LQ2实施干燥处理(热处理)，形成接受膜36，当然，也可以用液体喷出法以外的方法把功能液LQ1配置到沟部34。或者，也可使形成接受膜36的接受膜形成用材料不为液体状态下被配置到沟部34。
在本实施方式中，在第1材料工序S4中被配置到基板P上的功能液LQ1和后述的第2材料配置工序S6中被配置到基板P上的LQ2是相同功能液。即，用于形成接受膜36的功能液LQ1和用于形成布线图形的功能液LQ2是相同功能液。因而，通过功能液LQ2被接受膜(多孔体)36吸收，能够形成致密性高的布线图形33。
另一方面，用于形成接受膜36的功能液LQ1与用于形成布线图形的功能液LQ2也可以是不同的功能液。而且，被配置到沟部34的接受膜36的物理特性与被配置到该接受膜36的功能液LQ2的物理性能也可不同。这样，对应功能液LQ2的种类(组成、物理性能)，可以适当选择对该功能液LQ2具有良好的接受性的接受膜36的种类(组成、物理性能)。另外，适当分别选择功能液LQ2和接受膜36，能够使功能液LQ2和接受膜36在形成的布线图形(膜图形)33上具有各自的功能、控制(调节)形成的布线图形(膜图形)33的功能等，可以形成具有各种功能的布线图形(膜图形)。
另外，通过使用多孔质二氧化硅、在其上配置含有导电性材料的布线图形形成用功能液LQ2，能够使围堰B的上面38不存在残渣、形成希望形状的布线图形33。把含有多孔质二氧化硅的接受膜36设置在沟部34时，通过用液体喷出法把含有多孔质二氧化硅的功能液LQ1配置到沟部34、在规定条件下进行干燥处理(热处理)，能够设置多孔质二氧化硅构成的接受膜36。另外，作为接受膜36，除了多孔质二氧化硅之外，也可使用多孔质氧化钛和多孔质氧化铝等。
另外，也可以在第1材料配置工序S4配置有机银化合物、在第2材料配置工序S6配置银微粒。相反，也可在第1材料配置工序S4配置银微粒、在第2材料配置工序S6配置有机银化合物。另外，例如，在第1材料配置工序S4使用分配器配置功能液、在第2材料配置工序S6使用喷墨头配置功能液。
其中，在上述实施方式中，对通过第1和第2材料配置工序把功能液配置到基板上的围堰间进行了说明，当然，也可通过第1、第2材料配置工序和包括其它的第3材料配置工序的任意多次的材料配置工序依次层叠功能液。这种情况下，能够把接受膜形成工序设置在多个材料配置工序中的任意材料配置工序之间而构成。
另外，在上述实施方式中，对把接受膜形成工序设置在多个材料配置工序之间进行接受膜的形成进行了说明，但也可与材料配置工序同时进行。例如，可以边用加热装置(加热板等)加热基板P、边把液滴配置在基板P上，也可边照射光、边配置液滴。这样，也可以用接受膜吸收功能膜并保持。另外，在同时配置液滴的接受膜形成工序中，也可以与多次材料配置工序中全部材料配置工序同时进行，也可以与其中选定的材料配置工序同时进行。
其中，如上所述，通过使设置在基板P上的接受膜36成为多孔体，能够使喷头1喷出的功能液LQ2渗入基板P上的接受膜36，因此多层层叠功能液(膜图形)时，也可使进行该层叠时的液滴喷出量缓缓变多。
其中，对在上述实施方式中的功能液的说明是指把导电性微粒分散到分散剂中的物质，例如，可以将有机银化合物等的导电性材料分散到二甘醇二***等的溶剂中(分散剂)的物质作为功能液使用。这种情况下，在上述焙烧工序中，对喷出到基板上的功能液(有机银化合物)，进行为了得到导电性的热处理或光处理、残留除去有机银化合物有机成分的银粒子。例如，为了除去有机银化合物的有机成分，用大约200℃焙烧。由此，确保了喷出工序后的干燥膜中的微粒间有电接触，并把干燥膜变换为导电性膜。
(实验例1)
为了形成接受膜36，用液体喷出法把含有导电性微粒的功能液LQ1配置到沟部34，然后，在多个干燥条件下干燥沟部34的功能液LQ1、进行干燥条件的最优化。干燥条件是：(1)自然放置24小时左右，(2)60℃加热5分钟左右，(3)120℃加热5分钟左右，(4)180℃加热60分钟左右，(5)200℃加热60分钟左右，(6)250℃加热60分钟左右。
图7A表示实验结果。图7A表示实验结果的表、图7B表示把图7A变为图形化的结果。
在图7A和图7B中，把功能液LQ2配置到在上述条件(1)～(4)下形成的接受膜36上时，接受膜36上产生裂纹。另外，把功能液LQ2配置到在上述条件(1)～(6)下形成的接受膜36上时，接受膜36相对于液体L Q2的润湿性在条件(3)的情况下最好，以下，按照条件(4)、(2)、(1)、(5)的顺序变差，条件(6)的情况最差。另外，把功能液LQ2配置到在上述条件(1)～(6)下形成的接受膜36上时，接受膜36相对于液体LQ2的吸收性在条件(3)的情况下最好，以下，按照条件(4)、(2)、(1)、(5)的顺序变差，条件(6)的情况最差。其中，图7B的纵轴“液滴蔓延”表示在接受膜36上用规定半径配置功能液LQ2的液滴时的润湿扩散量，接受膜36的吸收性越高，液滴蔓延的值越低。根据本实验结果，考虑不发生裂纹的条件等，可以判断条件(4)是最佳干燥条件。(实验例2)
作为为了形成接受膜36的材料，使用多孔质二氧化硅。另外，作为为了形成布线图形33的材料，使用有机银化合物。用液滴喷头1把含有多孔质二氧化硅的功能液的液滴喷出到沟部34中之后，进行300℃加热60分钟左右的热处理。其中，喷出含有多孔质二氧化硅的功能液的液滴时的喷出条件定为液滴量4pL、液滴飞行速度5～7m/sec。由此，在沟部34形成由多孔质二氧化硅构成的接受膜36。而且，在该接受膜36上用液滴喷头1把含有有机银化合物的功能液的液滴喷出之后，进行200℃加热60分钟左右的热处理。由此，能够在沟部34内形成布线图形33。
(布线图形的形成方法(第2实施方式))
下面，参照图8对本发明的布线图形形成方法的第2实施方式进行说明。图8表示为了说明关于本实施方式的布线图形的形成方法的模式图。这里，在以下说明中，对与实施实施方式相同或等同的结构部分，附加相同符号，简略或省略其说明。
在图8中，在基板P上形成：根据围堰B具有第1宽度H1的第1沟部34A和与该第1沟部34A连接的具有第2宽度H2的第2沟部34B。第2宽度H2比第1宽度H1窄。换言之，第2宽度H2为第1宽度H1以下。另外，第1沟部34A在图8中沿着X轴方向延伸形成，第2沟部34B沿着与X轴方向不同的Y轴方向延伸形成。
为了在上述沟部34A、34B上形成接受膜36，首先，如图9A所示，用液滴喷头1把为了形成接受膜36的功能液LQ1的液滴配置到第1沟部34A的规定位置。其中，在本实施方式中，作为接受膜形成用材料，使用多孔质二氧化硅。把功能液LQ1的液滴配置到第1沟部34A中时，从第1沟部34A的上方、用液滴喷头1把液滴喷出到第1沟部34A中。在本实施方式中，如图9A所示，功能液LQ1的液滴被沿着第1沟部34A的长径方向(X轴方向)以规定间隔配置。此时，功能液LQ1的液滴也被配置在第1沟部34A中、第1沟部34A和第2沟部34B连接的连接部附近。
如图9B所示，被配置在第1沟部34A的功能液LQ1，通过自身流动，在第1沟部34A内润湿扩散。进而，被配置在第1沟部34A的功能液LQ1，通过自身流动，也在第2沟部34B内润湿扩散。由此，不是从第2沟部34B的上方直接把液滴喷出到第2沟部34B中，功能液LQ1也能被配置在第2沟部34B中。
这样，通过把功能液LQ1配置在第1沟部34A中，利用被配置在第1沟部34A中的功能液LQ1的自身流动(毛细管现象)，能把功能液LQ1配置到第2沟部34B中。因而，对于狭窄的宽度H2的第2沟部34B、不是从围堰B上方把功能液LQ1的液滴喷出的，而是通过把功能液LQ1的液滴喷出到宽的宽度H1的第1沟部34A，可以把功能液LQ1顺利地配置到第2沟部34B中。特别是，第2沟部34B的宽度H2狭窄，即使是在液滴喷头1喷出的液滴直径(飞行中的直径)比宽度H2窄的情况下，通过功能液LQ1的自身流动，能够把功能液LQ1顺利地配置到第2沟部34B。而且，因为第2沟部34B的宽度H2狭窄，所以利用毛细管现象、把功能液LQ1顺利地配置到第2沟部34B。因而，能够形成具有希望形状的膜图形。并且，因为能够把功能液LQ1顺利地配置到宽度狭窄的第2沟部34B，所以能够实现膜图形的细线化(精细化)。另一方面，因为第1沟部34A的宽度H1宽，所以对于第1沟部34A、即使是从围堰B上方把功能液LQ1的液滴喷出的，也能避免发生功能液LQ1粘到围堰B的上面38、产生残渣的不良。
另外，在本实施方式中，即使很难通过从围堰B上方把功能液LQ1配置到第2沟部34B，也能把功能液LQ1顺利地配置到第2沟部34B。
把功能液LQ1配置到第1沟部34A和第2沟部34B以后，如同上述第1实施方式，通过在规定条件下进行干燥处理，如图9所示，功能液LQ1被变换为接受膜36。其中，作为干燥条件，通过例如300℃加热60分钟左右，能够形成由多孔体(多孔质二氧化硅)构成的接受膜36。
形成接受膜36以后，如图10A所示，通过液滴喷头1、把为了形成布线图形33的功能液LQ2的液滴配置到第1沟部34A的规定位置。其中在本实施方式中，作为布线图形形成用材料，使用有机银化合物。
把功能液LQ2的液滴配置在第1沟部34A中时，用液滴喷头1从第1沟部34A的上方把液滴喷出到第1沟部34A中。在本实施方式中，如图10A所示，功能液LQ2的液滴被沿着第1沟部34A的长径方向(X轴方向)以规定间隔配置。此时，功能液LQ2的液滴被配置在第1沟部34A中第1沟部34A与第2沟部34B连接的连接部37附近。
如图10B所示，被配置在第1沟部34A中的功能液LQ2，通过自身流动，在第1沟部34A内润湿扩散。进而，被配置在第1沟部34A中的功能液LQ2，通过自身流动，也在第2沟部34B内润湿扩散。由此，不是从第2沟部34B的上方、直接把液滴喷出到第2沟部34B，功能液LQ2也能被配置在第2沟部34B中。
这样，通过把功能液LQ2配置在被设置有接受膜的第1沟部34A中，利用被配置在第1沟部34A的功能液LQ2的自身流动(毛细管现象)，能把功能液LQ2配置在第2沟部34B中。因而，对于狭窄的宽度H2的第2沟部34B、不是从围堰B上方把功能液LQ2的液滴喷出的，而是通过把功能液LQ2的液滴喷出到宽的宽度H1的第1沟部34A，可以把功能液LQ1顺利地配置到第2沟部34B。特别是，第2沟部34B的宽度H2狭窄，即使是在液滴喷头1喷出的液滴直径(飞行中的直径)比宽度H2窄的情况下，通过功能液LQ2的自身流动，能够把功能液LQ2顺利地配置到第2沟部34B中。而且，因为第2沟部34B的宽度H2狭窄，所以利用毛细管现象、把功能液LQ2顺利地配置到第2沟部34B。因而，能够形成具有希望形状的膜图形33。而且，因为能够把功能液LQ2顺利地配置到宽度狭窄的第2沟部34B，所以能够实现膜图形的细线化(精细化)。另一方面，因为第1沟部34A的宽度H1宽，所以对于第1沟部34A、即使是从围堰B上方把功能液LQ2的液滴喷出的，也能避免发生功能液LQ2粘到围堰B的上面38、产生残渣的不良。因而，能够防止发生漏电的不良。
另外，在本实施方式中，即使很难通过从围堰B上方把功能液LQ2配置到第2沟部34B中，也能把功能液LQ2顺利地配置到第2沟部34B中。
把功能液LQ2配置到第1沟部34A和第2沟部34B中以后，如同上述第1实施方式，通过在规定条件下进行焙烧处理，如图10C所示，功能液LQ2被变换为布线图形33。其中，作为焙烧条件，通过例如200℃加热60分钟左右，能够形成布线图形33。
其中，如图11所示，也可：分别在第1沟部34A和第2沟部34B中设置接受膜36、使含有布线图形形成用材料的功能液LQ2的液滴从第2沟部34B的上方对第2沟部34B喷出。这样，第2沟部34B变得被喷出到第1沟部34A再利用自身流动流入到第2沟部34B的功能液LQ2和从该第2沟部34B的上方对第2沟部34B直接喷出(供给)的功能液LQ2的液滴充满。这种情况下，因为第2沟部34B的宽度H2狭窄，所以有发生功能液LQ2的液滴粘到围堰B的上面38的可能性，但因为在第2沟部34B上设有接受膜36，所以被喷出的功能液LQ2的液滴被吸引到第2沟部34B内。因而，能避免在围堰B的上面38有残渣的不良。
其中，如图11所示，在用功能液LQ2充满第2沟部34B的情况下，只用从该第2沟部34B的上方对第2沟部34B直接喷出(供给)的功能液LQ2的液滴，也可以充满第2沟部34B。
另外，在只用从该第2沟部34B的上方对第2沟部34B直接喷出(供给)的功能液LQ2的液滴充满第2沟部34B的情况下，如图12所示，也可以只是在具有狭窄宽度H2的第2沟部预先设置接受膜36的构造。对第2沟部34B直接喷出(供给)的功能液LQ2被接受膜36吸引到第2沟部34B内，所以能够避免在围堰B的上面38有残渣的不良。另一方面，第1沟部34A的宽度H1宽，所以把功能液LQ2配置到第1沟部34A中时，即使没有接受膜36，也不会在围堰B的上面38有残渣，能够顺利地把功能液LQ2配置到第1沟部34A。
其中，如图13所示，也可使第1沟部34A和第2沟部34B的连接部37成为从第1沟部34A向第2沟部34B逐渐变窄的锥状。这样，能够使配置在第1沟部34A的功能液LQ1(LQ2)顺利地流入第2沟部34B。
另外，如图14所示，在第1沟部34A的延伸方向与第2沟部34B的延伸方向不同地相交时，也可使第1沟部34A中的第2沟部34B附近区域的宽度H1’局部地比其它区域宽度H1狭窄。这样，能够使配置到第1沟部34A中的功能液LQ1(LQ2)顺利地流入第2沟部34B。在这种情况下，通过使形成第1沟部34A的围堰B的内表面Bh向第2沟部34B倾斜，能够使配置在第1沟部34A中的功能液LQ1(LQ2)更顺利地流入第2沟部34B。
其中，在上述各实施方式中，具有宽的宽度H1的第1沟部34A的延伸方向与具有狭窄宽度H2的第2沟部34B的延伸方向彼此不同，但如图15A和图15B所示，也可使具有宽的宽度H1的第1沟部34A的延伸方向与具有狭窄宽度H2的第2沟部34B的延伸方向相同。这种情况下，如图15A所示，通过把功能液LQ1(LQ2)配置到第1沟部34A中，通过该功能液LQ1(LQ2)的自身流动，如图15B所示，能够把功能液LQ1(LQ2)配置到第2沟部34B中。另外，这种情况下，也可通过使第1沟部34A和第2沟部34B的连接部37成为从第1沟部34A向第2沟部34B逐渐变窄的锥状，能够使配置在第1沟部34A的功能液LQ1(LQ2)顺利地流入第2沟部34B。
另外，把被配置在第1沟部34A的功能液LQ1(LQ2)，通过自身流动，配置到第2沟部34B中时，如图16所示，也可在第1沟部34A中的第1沟部34A和第2沟部34B连接的连接部37以外的区域设置堤防部39。图36中的堤防部39是被配置在第1沟部34A中的功能液LQ1(LQ2)的液滴。
即，作为堤防部39使用的功能液LQ1(LQ2)的液滴不会流动到第2沟部34B，而是最初被设置在第1沟部34A中的液滴。在图16中，作为堤防部39发挥作用的最初被设置的液滴被赋予“1”。而且，通过自身流动被配置在第2沟部34B中的功能液LQ1(LQ2)被配置在连接部37和堤防部39之间。赋予该液滴为“2”。这样，被配置在第1沟部34A中的连接部37和堤防部39(液滴“1”)之间的功能液LQ1(LQ2)的液滴“2”被阻止向连接部37以外的方向流动而流动向连接板37侧。因而，液滴“2”经过连接部37顺利地流入第2沟部34B。
另外，如图17所示，也可使用作为堤防部39的围堰B的内表面Bh。
另外，如图18所示，即使在具有比第1沟部34A的宽度H1和第2沟部34B的宽度H2狭窄的宽度H3的第3沟部34C与第1沟部34A连接的状态下，因为围堰B的内表面Bh是作为堤防部39发挥作用的，所以能够使配置在第1沟部H1中的功能液LQ1(LQ2)顺利地流入第2沟部34B和第3沟部34C。
(薄膜晶体管)
本发明的布线图形的形成方法可以应用于形成如图19所示的作为切换元件(开关元件)的薄膜晶体管(TFT)和与其连接的布线。在图19中，在具有TFT的TFT基板P上具备：栅极布线40、与该栅极布线40电连接的栅极41、源极布线42、与该源极布线42电连接的源极43、漏极44、与该漏极44电连接的像素电极45。栅极布线40在X轴方向延伸形成，栅极41在Y轴方向延伸形成。另外，栅极41的宽度H2比栅极布线40的宽度H1狭窄。这些栅极布线40和栅极41能够用本发明的布线图形的形成方法形成。
另外，在上述实施方式中，用本发明的膜图形的形成方法、形成TFT(薄膜晶体管)的栅极布线，但也可制造源极、漏极、像素电极等的其它组成要件。以下，对制造TFT的方法参照图20～图23进行说明。
如图20所示，首先，用光刻法在洗净的玻璃基板610上面形成用于设置间距1/20～1/10的沟611a的第1层围堰611。作为该围堰611在形成后有必要具有光透射性和疏液性，作为该原材料，适合使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、三聚氰胺树脂等的高分子材料。
为了使该形成后的围堰611具有疏液性，需要实施CF4等离子处理等(使用含有氟成分气体的等离子处理)，但也可用预先在围堰611的元件自身填充疏液成分(氟基等)取代其。这种情况下，能够省略CF4等离子处理等。
作为如上述被疏液化的围堰611相对于喷出的墨的接触角优选确保在40°以上，作为玻璃面的接触角优选确保在10°以下。即，本发明者等根据实验确认的结果是，在使用丙烯酸树脂作为围堰611的原材料的情况下，能够确保如导电性微粒(十四烷溶剂)处理后的接触角为大约54.0°(未处理的情况下是10°以下)。其中，这些接触角是在等离子功率550W基础上、以0.1L/min供给四氟化甲烷的处理条件下得到的接触角。
在接着上述第1层的围堰形成工序的栅极扫描电极形成工序(第1次的导电性图形形成工序)中，为了充满由围堰611分区的扫描区域的上述沟611a内，通过用喷墨头喷出含有导电性材料的液滴，形成栅极扫描电极612。而且，形成栅极扫描电极612时，适用于本发明的图形的形成方法。
作为此时的导电性材料，可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-si、导电性聚合物等。这样形成的栅极扫描电极612预先给予围堰611充分的疏液性，所以形成不从沟611a露出的精细的布线图形成为可能。
通过上述工序，在基板610上形成具有由围堰611和栅极扫描电极612构成的平坦的上面的第1导电层Al。
另外，为了在沟611a内得到良好的喷出结果，如图20所示，作为该沟611a的形状，优选采用顺锥状(具有向喷出源开口方向的锥形状)。由此，使喷出的液滴充分可以进入到深处。
接着，如图21所示，用等离子CVD法进行栅极绝缘膜613、活性层621、接触层609的连续成膜。通过变化原料气体和等离子条件形成作为栅极绝缘膜613的氮化硅膜、作为活性层621的等离子硅膜、作为接触层609的n+硅膜。用CVD法形成的情况下，需要经过300～350℃的温度，但通过把无机类的材料用于围堰，可以避免在透明性、耐热性方面出现问题。
在接在上述半导体层形成工序之后的第2层围堰形成工序中，如图22所示，基于光刻法在栅极绝缘膜613的上面形成用于设置1像素间距的1/20～1/10且与上述沟611a交叉的沟614a的第2层围堰614。作为围堰614，需要在形成后具有光透射性和疏液性，作为其原材料，适合使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂、三聚氰胺树脂等的高分子材料。
为了使该形成后的围堰614具有疏液性，需要实施CF4等离子处理等(使用含有氟成分气体的等离子处理)，但也可用预先在围堰614的原材料自身填充疏液成分(氟基等)来取代其。这种情况下，能够省略CF4等离子处理等。
如上述被疏液化的围堰614与喷出的墨的接触角优选确保在40°以上。
在接着上述第2层的围堰形成工序之后的源极、漏极形成工序(第2次的导电性图形形成工序)中，为了充满由围堰614分区的扫描区域的上述沟614a内，通过用喷墨头喷出含有导电性材料的液滴，如图23所示，形成与上述栅极扫描电极612交叉的源极615和漏极616。而且，形成源极615和漏极616时，适合用关于本发明的图形的形成方法。
作为此时的导电性材料，可以适当采用Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-si、导电性聚合物等。这样形成的源极615和漏极616预先给予围堰614充分的疏液性，所以形成不从沟614a露出的精细的布线图形成为可能。
另外，以嵌入配置有源极615和漏极616的沟614a的方式配置绝缘材料617。通过以上工序，在基板610上形成具有由围堰614和绝缘材料617构成的平坦的上面620。
接着，在绝缘材料617形成接触孔619的同时，通过在上面620上形成被形成了图形的像素电极(ITO)、借助接触孔619连接漏极616和像素电极618，形成TFT。
(光电装置)
对作为本发明的光电装置的一个例子的液晶表示装置进行说明。图24表示从对向基板侧观察本发明的液晶显示装置的各组成要件的俯视图，图25表示沿着图24的H-H’线的剖面图。图26表示在液晶显示装置的图形显示区域中被形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图，图27表示液晶显示装置的部分放大剖面图。其中，在使用以下说明的各图中，为了使各层和各构件成为在图面上可以识别的大小程度，与各层和各构件的缩小比例不同。
在图24和图25中，本实施方式的液晶显示装置(光电装置)100，成对的TFT阵列基板10和对向基板20被光硬化性密封材料的密封材料52粘合，在被该密封材料52分区的区域内封入并保持液晶50。密封材料52在基板面内的区域形成闭合的箱状。
在密封材料52的形成区域的内侧区域形成由遮光性材料构成的周围镶边53。在密封材料52的外侧区域沿着TFT阵列基板10的一边形成数据线驱动电路201和安装端子202，沿着与该边相邻的2个边形成扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩下一边设有多个布线205，其中该多个布线205是为了连接被设于图像显示区域两侧的扫描线驱动电路204的。另外，在基板20的角部至少一个位置安装有基板间导通材料206，其中基板间导通材料206是为了使TFT阵列基板10和对向基板20之间电导通的。
其中，代替在TFT阵列基板10之上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204，也可借助各向异性导电膜使安装有驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板和被形成在TFT阵列基板10的周边部的端子组电及机械连接。其中，在液晶显示装置100中，根据使用液晶50的种类、即TN(Twisted Nematic)模式、STN(Super Twisted Nematic)模式等的操作模式和常白模式/常黑模式的区别，把相位差板、偏光板等配置在规定方向上，这里省略图示。另外，在组装作为彩色显示用的液晶显示装置100时，在对向基板20上，把如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片与其保护膜一起形成在与TFT阵列基板10的后述的各像素电极对向的区域。
在具有这样构造的液晶显示装置100的图像显示区域中，如图26所示，多个像素100a被组成为矩阵状的同时，在这些像素100a上分别形成像素切换用TFT(切换元件)30，供给像素信号S1、S2、…、Sn的数据6a与TFT30的源极电连接。输入数据6a的像素信号S1、S2、…、Sn可以按照该线顺序依次供给，也可对彼此相邻的多个数据线6a分组、分别向各组供给。另外，使扫描线3a与TFT30的栅极电连接，为了用规定时间、按照线顺序依次脉冲地把扫描信号G1、G2、…、Gn外加在扫描线3a而构成。
像素电极19与TFT30的漏极电连接，通过使切换元件TFT30只在一定时间内处于接通状态，在规定时间内把从数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn输入到各像素中。这样借助像素电极19、被输入到液晶的规定水平的像素信号S1、S2、…、Sn在与图25所示的对向基板20的对向电极121之间被保持一定时间。其中，为了防止被保持的像素信号S 1、S2、…、Sn漏出，附加了与被形成在像素电极19和对向电极121之间的液晶电容并排的蓄积电容60。例如，像素电极19的电压被蓄积电容保持比外加电源电压时间长3个数量级(3位数)的长时间。由此，能够改善电荷的保持特性，并能实现对比度高的液晶显示装置100。
图27表示具有下栅极型TFT30的液晶显示装置100的部分放大剖面图，在组成TFT阵列基板10的玻璃基板P上用上述实施方式的布线图形的形成方法把栅极布线61形成于玻璃基板P上的围堰B之间。
在栅极布线61上夹隔由SiNx构成的栅极绝缘膜62层叠由非结晶硅(a-Si)层构成的半导体层63。与该栅极部分对向的半导体层63的部分成为通道区域。在半导体层63上层叠用于得到电阻接合的、由如n+型a-Si层构成的粘合层64a和64b，在通道区域中央部的半导体层63上形成用于保护通道的由SiNx构成的绝缘性蚀刻阻止膜65。其中，通过对这些栅极绝缘膜62、半导体层63和蚀刻阻止膜65在蒸镀(CVD)后实施抗蚀剂涂覆、感光/显像、光蚀刻，如图所示形成图形。
并且，粘合层64a、64b和由ITO构成的像素电极19也同样在成膜的同时，通过被实施光蚀刻，如图所示形成图形。接着，在像素电极19、栅极绝缘膜62和蚀刻阻止膜65上分别突出设置围堰66，通过在这些围堰66之间用上述液滴喷出装置IJ喷出银化合物液滴，能够形成源极线、漏极线。
其中，在上述实施方式中，把TFT30用作为液晶显示装置100的驱动用的切换元件，但也可被应用于液晶显示装置以外的如有机EL(电致发光)显示器件。有机EL显示器件是具有以阴极和阳极夹持含有荧光性的无机和有机化合物的膜的构造，是通过向上述膜中注入电子和空穴(hole)并使之激发而产生激子(exciton)、利用该激子再接合时发出光(荧光、磷光)使之发光的元件。
接着，在具有上述TFT30的基板上通过把用于有机EL显示元件的荧光性材料中的呈现红、绿和蓝色的各发光色的材料、即发光层形成材料和形成空穴注入/电子输送层的材料作成墨、而分别使其形成图形，能够制造自发光全色EL器件。本发明中的器件(光电装置)的范围也包括这样的有机EL器件。
图28表示通过上述液滴喷出装置IL制造一部分组成要件的有机EL装置的侧剖面图。参照图28，对有机EL装置的简要构造进行说明。
在图28中，有机EL装置401是在由基板411、电路元件部421、像素电极431、围堰部441、发光元件451、阴极461(对向电极)和密封基板471构成的有机EL元件402上连接柔性基板(图示略)的布线和驱动IC(图示略)的装置。电路元件部421是在基板411上形成作为有源元件的TFT60、并将多个像素电极43 1整齐排列在电路元件部421上而构成的。而且，通过上述实施方式的布线图形的形成方法，形成构成TFT60的栅极布线61。
围堰部441被呈格子状形成在各像素电极431间，发光元件451被形成在由围堰部441产生的凹部开口444内。其中，发光元件451是由红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件构成，由此有机EL装置401成为实现全色显示的装置。阴极461被形成在围堰部441和发光元件451的上部整个面上，密封用基板471被层叠在阴极461的上部。
含有有机EL元件的有机EL装置401的制造工艺包括：形成围堰部441的围堰部形成工序、用于适当形成发光元件451的等离子处理工序、形成发光元件451的发光元件形成工序、形成阴极461的对向电极形成工序、把密封用基板471层叠在阴极461上并密封的密封工序。
发光元件形成工序具有空穴注入层形成工序和发光层形成工序，其通过在凹部开口444、即像素电极43 1之上形成空穴注入层452和发光层453来形成发光元件451。而且，空穴注入层形成工序包括把用于形成空穴注入层452的液体材料喷出到各像素电极431上的第1喷出工序、使被喷出的液体材料干燥形成空穴注入层452的第1干燥工序。另外，发光层形成工序包括把用于形成发光层453的液体材料喷出到空穴注入层452上的第2喷出工序、使被喷出的液体材料干燥形成发光层453的第2干燥工序。其中，发光层453如上所述根据对应红、绿、蓝3色的材料形成3种发光层，因而，上述第2喷出工序由分别喷出3种材料的3个工序构成。
在该发光元件形成工序中，在空穴注入层形成工序的第1喷出工序和发光层形成工序的第1喷出工序可以使用上述的液滴喷出装置IJ。
另外，作为本发明中的器件(光电装置)，除了上述之外，也可应用于PDP(等离子显示面板)、和通过在形成于基板上的小面积薄膜通与膜面平行的电流来利用发生电子放出现象的表面传导型电子放出元件等。
其次，对把本发明的膜图形的形成方法形成的膜图形应用于等离子型显示装置的例子进行说明。
图29表示本实施方式的等离子型显示装置500的分解立体图。
等离子型显示装置500的构成包括彼此对向配置的基板501、502和其间形成的放电显示部510。
放电显示部510集合有多个放电室516。多个放电室516中，红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)、蓝色放电室516(B)的3个放电室516以成对构成1个像素的方式配置。
在基板501上面按照规定间隔形成条纹状地址电极511，形成覆盖地址电极511和基板501上面的电介体层519。
在电介体层519上，位于地址电极511、511之间且沿着各地址电极511形成隔壁515。隔壁515包括：在地址电极511的宽幅方向左右两侧相邻的隔壁、和向与地址电极511垂直的方向延伸的隔壁。另外，对应被隔壁515隔开的长方形状区域形成放电室516。
另外，被隔壁515分区的长方形状区域内侧配置有荧光体517。荧光体517是发出红、绿、蓝任意荧光的元件，并且，红色荧光体517(R)被配置在红色放电室516(R)的底部、绿色荧光体517(G)被配置在绿色放电室516(G)的底部、蓝色荧光体517(B)被配置在蓝色放电室516(B)的底部。
另一方面，在基板502上沿与前面地址电极511垂直方向呈条纹状按照规定间隔配置多个显示电极512。并且，以覆盖这些显示电极512的方式形成电介体层513和由MgO等构成的保护膜514。
基板501和基板502使上述地址电极511和显示电极512互相正交地相互对向粘贴。
上述地址电极511与显示电极512与图示略的交流电源连接。通过向各电极通电，在放电显示部510使荧光体517激励发光，而可以彩色显示。
本实施方式中，基于上述布线图形形成方法分别形成上述地址电极511和显示电极512，所以能够实现小型和薄型化，得到不会发生断线等故障的高品质等离子型显示装置。
图30表示液晶显示装置的其它实施方式的图。
图30所示的液晶显示装置901大致具有：彩色的液晶面板(光电面板)902和与液晶面板902连接的电路基板903。另外，根据需要，将背光灯等照明装置、其它附带器件设在液晶面板902上。
液晶面板902具有用密封材料904粘接的一对基板905a、基板905b，液晶被密封入这些基板905a、基板905b之间形成的间隙、即液晶单元间隙中。这些基板905a和基板905b一般由透光性材料、如玻璃、合成树脂等形成。在基板905a和基板905b的外侧表面粘贴有偏光板906a和偏光板906b。其中，在图30中，省略了另一个偏光板的图示。
另外，电极907a被形成在基板905a的内侧表面，电极907b被形成在基板905b的内侧表面。这些电极907a、907b被形成为条纹状或文字、数字、其它适当的图形形状。另外，这些电极907a、907b例如由ITO(IndiumTin Oxide：铟锡氧化物)等透光性材料形成。基板905a相对基板905b具有伸出的伸出部分，在该伸出部上形成多个端子。在基板905a上形成电极907a时，这些端子908与电极907a同时被形成。从而，这些端子908例如由ITO形成。这些端子908包括：与电极907a成为一体延伸的端子和借助导电材料(未图示)被与电极907b连接的端子。
在电路基板903布线基板909之上的规定位置装配有作为液晶驱动用IC的半导体元件900。其中，虽省略图示，但也可把电阻、电容器、其它芯片零件装配在安装了半导体元件900的部位以外部位的规定位置。布线基板909通过把形成在如聚酰亚胺等具有挠性的底座基板911的上面的Cu等的金属膜制成图形、形成布线图形912，来制造。
在本实施方式中，通过上述器件的制造方法，形成液晶面板902上的电极907a、907b和电路基板903上的布线图形912。
根据本实施方式的液晶显示装置，能够得到消除电特性不均匀的高品质的液晶显示装置。
其中，上述的例子是无源型的液晶面板，但也可以作为有源矩阵型液晶面板。即，在一方的基板上形成薄膜晶体管(TFT)，对各TFT形成像素电极。另外，可以用上述的喷墨技术形成与TFT电连接的布线(栅极布线、源极布线)。另一方面，在对向基板上形成对向电极等。这样本发明也能够适用于有源矩阵型液晶面板。
作为其它实施方式，对非接触型卡介质的实施方式连接说明。如图31所示，本实施方式的非接触型卡介质(电子设备)700，把半导体集成电路芯片708和天线电路712内置于由卡基体702和卡盖718构成的筐体内，通过未图示的外部信号接收发送器和电磁波或静电电容耦合中的至少一方进行电力供给或数据发送接收至少一项。在本实施方式中，上述天线电路712是用上述实施方式的布线形成方法形成的。
其中，作为本发明中的器件(光电装置)，除了上述之外，也可适用于PDP(等离子显示面板)和通过在形成于基板上的小面积薄膜通与膜面平行的电流而利用发生电子放出现象的表面传导型电子放出元件等。
(电子设备)
对本发明的电子设备的具体例进行说明。
图32A表示携带电话的一个例子立体图。在图32A中，1600表示携带电话主体，1601表示具有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图32B表示文字处理机、个人电脑等携带型信息处理装置的一个例子的立体图。在图32B中，1700表示信息处理装置、1701表示键盘等输入部、1703表示信息处理主体、1702表示具有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图32C表示腕表型电子设备的一个例子立体图。在图32C中，1800表示手表主体，1801表示具有上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图32A～图32C表示的电子设备是具有上述实施方式的液晶显示装置的电子设备，具有布线膜形，其中布线膜形具有希望的膜厚。
其中，本实施方式的电子设备具有液晶显示装置，但也可以是具有有机电致发光显示装置、等离子型显示装置等其它光电装置的电子设备。
以上，参照附图，对本发明的最佳的实施方式例进行了说明，但不用说，本发明局限于上述例子。上述例子中表示的各构成构件的诸形状和组合等是仅是例示，在不脱离本发明主旨的范围内基于设计要求，可以进行种种改变。
另外，在上述实施方式中，把薄膜图形作为导电性膜的构造，不局限于此，导电性膜的构造也可能适合使用在如液晶显示装置中用于实现彩色显示图像的滤色片。该滤色片是通过把R(红)、G(绿)、B(蓝)的墨(功能液)作为液滴配置在基板上而形成的，对应规定图形在基板上形成图形，通过赋予该围堰疏液性后配置墨形成滤色片，能够制造具有高性能滤色片的液晶显示装置。

Claims (33)

1.一种膜图形的形成方法，该形成方法是通过把功能液配置到基板上来形成膜图形的方法，其特征在于，包括：
在上述基板上形成具有规定的图形的围堰的工序；
在上述围堰间的沟中设置由多孔体构成的接受膜的工序；
把上述功能液配置到上述接受膜上的工序。
2.根据权利要求1所述的膜图形的形成方法，其特征在于：设置上述接受膜的工序包括：
在上述沟中配置第2功能液的工序；
对被配置在上述沟中的上述第2功能液进行规定处理，把上述第2功能液变换为上述接受膜的工序。
3.根据权利要求2所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述规定处理包括对被配置在上述沟中的上述第2功能液进行热处理，通过该热处理形成由多孔体构成的接受膜。
4.根据权利要求2所述的膜图形的形成方法，其特征在于：在配置上述第2功能液的工序中，使用液体喷出法。
5.根据权利要求2所述的膜图形的形成方法，其特征在于：
在上述基板上通过上述围堰来形成具有第1宽度的第1沟的同时，还形成与上述第1沟连接且具有第2宽度的第2沟，
把上述第2功能液配置到上述第1沟中，通过被配置到上述第1沟中的上述第2功能液的自身流动，把该第2功能液配置到第2沟中。
6.根据权利要求5所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述第2宽度为上述第1宽度以下。
7.根据权利要求5所述的膜图形的形成方法，其特征在于：把上述功能液配置到上述第1沟中，通过被配置在上述第1沟中的上述功能液的自身流动而将该功能液配置到上述第2沟中。
8.根据权利要求2所述的膜图形的形成方法，其特征在于：
在上述基板上，通过上述围堰形成向第1方向延伸的第1沟的同时、还形成与上述第1沟连接的向第2方向延伸的第2沟，
向上述第1沟中配置上述第2功能液，通过上述第2功能液的自身流动而将该第2功能液配置到上述第2沟中。
9.根据权利要求8所述的膜图形的形成方法，其特征在于：把上述功能液配置到上述第1沟中，通过被配置在上述第1沟中的上述功能液的自身流动而把该功能液配置到上述第2沟中。
10.根据权利要求1所述的膜图形的形成方法，其特征在于：在上述功能液中含有导电性微粒。
11.根据权利要求1所述的膜图形的形成方法，其特征在于：在上述功能液中含有通过热处理或光处理而呈现导电性的材料。
12.根据权利要求2所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述功能液和上述第2功能液是大致相同的功能液。
13.根据权利要求2所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述功能液和上述第2功能液是相互不同的功能液。
14.根据权利要求1所述的膜图形的形成方法，其特征在于：在配置上述功能液的工序中使用液体喷出法。
15.一种器件的制造方法，其特征在于：
具有在基板上形成膜图形的工序，
通过权利要求1所述的膜图形的形成方法，在上述基板上形成膜图形。
16.一种光电装置，其特征在于：具有利用权利要求15所述的器件的制造方法制造的器件。
17.一种电子设备，其特征在于：具有权利要求16所述的光电装置。
18.一种膜图形的形成方法，该形成方法是通过把第1功能液配置到基板上而形成膜图形的方法，其特征在于，包括：
在上述基板上形成具有规定图形的围堰的工序；
在由上述围堰形成的第1沟中配置第2功能液的同时、在与上述第1沟连接的第2沟中通过被配置到上述第1沟中的上述第2功能液的自身流动来配置该第2功能液的工序；
对被配置在上述第1和第2沟中的第2功能液进行规定处理而把上述第2功能液变换为膜的工序；
在上述膜上配置上述第1功能液的工序。
19.根据权利要求18所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述规定处理包括把被配置在上述第1和第2沟中的第2功能液变换为对上述第1功能液具有接受性的接受膜的处理。
20.根据权利要求18所述的膜图形的形成方法，其特征在于：在上述第1沟中的、该第1沟与上述第2沟相连接的连接部以外的位置设置堤防部，在上述连接部和上述堤防部之间配置第2功能液。
21.根据权利要求18所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述第1沟和上述第2沟具有不同的宽度。
22.根据权利要求21所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述第2沟的宽度为上述第1沟的宽度以下。
23.根据权利要求18所述的膜图形的形成方法，其特征在于：上述第1沟与上述第2沟被向相互不同的方向延伸形成。
24.一种器件的制造方法，其特征在于：具有在基板上形成膜图形的工序，通过权利要求18所述的膜图形的形成方法在上述基板上形成膜图形。
25.一种光电装置，其特征在于：具有利用权利要求24所述的器件的制造方法制造的器件。
26.一种电子设备，其特征在于：具有权利要求25所述的光电装置。
27.一种膜图形的形成方法，该形成方法是通过把功能液配置到基板上而形成膜图形的方法，其特征在于，包括：
在上述基板上形成具有规定图形的围堰的工序；
在由上述围堰形成的第1沟和与上述第1沟连接的具有比该第1沟的宽度窄的宽度的第2沟中的、至少第2沟中设置对上述功能液具有接受性的接受膜的工序；
从上述第2沟的上方供给上述功能液、把上述功能液配置到被设置了上述接受膜的上述第2沟中的工序。
28.一种器件的制造方法，其特征在于：
具有在基板上形成膜图形的工序，
通过权利要求27所述的膜图形的形成方法，在上述基板上形成膜图形。
29.一种光电装置，其特征在于：具有用权利要求28所述的器件的制造方法制造的器件。
30.一种电子设备，其特征在于：具有权利要求29所述的光电装置。
31.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
包括：
在基板上形成栅极布线的第1工序，
在上述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序，
介由上述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序，
在上述栅极绝缘层之上形成源极和漏极的第4工序，
在上述源极和上述漏极上配置绝缘材料的第5工序，
形成与上述漏极电连接的像素电极的第6工序；
并且，上述第1工序、上述第4工序和上述第6工序中的至少一个工序具有：
在上述基板上形成具有规定的图形的围堰的工序，
在上述围堰间的沟中设置由多孔体构成的接受膜的工序，
把上述功能液配置在上述接受膜上的工序。
32.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
包括：
在基板上形成栅极布线的第1工序，
在上述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序，
介由上述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序，
在上述栅极绝缘层之上形成源极和漏极的第4工序，
在上述源极和上述漏极上配置绝缘材料的第5工序，
形成与上述漏极电连接的像素电极的第6工序，
并有，上述第1工序、上述第4工序和上述第6工序中的至少一个工序具有：
在上述基板上形成具有规定的图形的围堰的工序，
在把第2功能液配置到由上述围堰形成的第1沟中的同时、在与上述第1沟连接的第2沟中通过被配置在第1沟中的上述第2功能液的自身流动来配置该第2功能液的工序，
对被配置在上述第1和第2沟中的第2功能液进行规定处理而把上述第2功能液变换为膜的工序，
把上述第1功能液配置在上述膜上的工序。
33.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
包括：
在基板上形成栅极布线的第1工序，
在上述栅极布线上形成栅极绝缘膜的第2工序，
介由上述栅极绝缘膜层叠半导体层的第3工序，
在上述栅极绝缘层之上形成源极和漏极的第4工序，
在上述源极和上述漏极上配置绝缘材料的第5工序，
形成与上述漏极电连接的像素电极的第6工序。
并且，上述第1工序、上述第4工序和上述第6工序中的至少一个工序具有：
在上述基板上形成具有规定图形的围堰的工序；
在由上述围堰形成的第1沟和与上述第1沟连接的具有比该第1沟宽度窄的宽度的第2沟中的、至少第2沟中设置对上述功能液具有接受性的接受膜的工序；
从上述第2沟的上方供给上述功能液而把上述功能液配置到被设置了上述接受膜的上述第2沟中的工序。
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