JP2006114585A - 隔壁構造体、隔壁構造体の形成方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 23
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 20
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 17
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 8
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOC CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 oxides thereof Substances 0.000 description 1
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
【課題】 細い線状の微細パターンを、精度よく安定して形成することができるバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】 機能液により形成するパターンに対応した凹部が設けられた隔壁構造体であって、第1パターン40に対応して設けられた第1凹部56と、第1凹部56の一部に第1凹部56よりも幅が広く、かつ、外周の少なくとも一部に円弧を有する形状に設けられた第2パターンに対応した第2凹部57と、を備えることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
に関する。
これに対して、液体吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いて基板上に所定パターンからなる配線等を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。このインクジェット法では、パターン用の液体材料(機能液)を基板に直接パターン配置し、その後熱処理やレーザー照射を行ってパターンに変換する。従って、この方法によれば、フォトリソグラフィー工程が不要となり、プロセスが大幅に簡略化されるとともに、パターン位置に原材料を直接配置することができるので、使用量も削減できるというメリットがある。
そこで、配線の形成領域を区画するバンクを形成し、このバンク表面が撥液化された状態で配線の形成領域に向けて機能液を吐出することによって、液滴吐出法によって吐出した機能液の飛翔径よりも幅が狭い配線を形成する技術も提案されている。このように、配線の形成領域を区画するバンクを形成することによって、機能液の一部がバンクの上面に吐出された場合であっても、バンク上面は撥液処理されているため、配線の形成領域に全てに機能液が流れ込むようになっている。
しかしながら、近年、機能液の一部がバンクの上面に触れると、バンクの上面に微細な残渣が残ることが確認された。例えば機能液が導電性を有している場合には残渣も導電性を有していることとなり、上述のようにバンクの上面に残渣が残ると、配線パターン自体の電気的特性やこの配線を用いたデバイスの特性が変化することが懸念される。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、細い線状の微細パターンを、精度よく安定して形成することができるバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供することを目的とする。
一般的に、パターン形成時の機能液の濡れ広がりを防止するために設けられる隔壁の凹部は、矩形状に形成されている。また、パターンを液滴吐出法により形成する場合、液滴吐出装置から吐出される機能液の着弾形状は円形状である。従って、例えば、第1パターンの幅が、吐出される機能液の飛翔径の幅よりも狭い場合、機能液の一部が隔壁上面に残留する。これに対して、本発明によれば、第2凹部は、第1凹部より幅が広く、かつ、外周の少なくとも一部に円弧を有する形状である。従って、第2凹部の幅は、液滴吐出装置から吐出される機能液の飛翔径に対応した大きさとなる。そのため、吐出される機能液は、第2凹部からはみ出さずに収容される。これにより、所望の形状を有するパターンを形成することができるとともに、隔壁上面の残渣による短絡等を防止し、所望の電気的特性を有するパターンを実現することができる。
この構成によれば、機能液を配置する領域の形状が、吐出される機能液の平面的な形状と等しくなる。ここで、例えば、第2凹部を矩形状とした場合、吐出される機能液が第2凹部の角部に濡れ広がりにくく、所望の形状を有するパターンを形成することができない場合がある。従って、第2凹部の形状を正円形状とすることで、機能液の吐出領域を最小面積とすることができ、機能液のコスト削減を図ることができる。さらに、吐出された機能液を、隔壁上面にはみ出させることなく、第2凹部に収容することができる。
一般的に、微細パターンである第1パターンを形成する場合、微細パターンの幅が機能液の飛翔径よりも小さいときには、直接、第1パターンに対応する凹部に機能液を吐出することは困難である。これに対して、本発明では、第3凹部は、第1パターンよりも幅広に形成されている。従って、第3凹部に吐出される機能液を、毛細管現象を利用することによって、第3凹部よりも狭いパターンである第1凹部に配置することができる。さらに、第1凹部は、一端が第2凹部に接続され、他端が第3凹部に接続されている。従って、第1凹部の両端から機能液が流入され、第1凹部の全体に均一に機能液を濡れ広がらせることができる。よって、所望の形状を有するパターンを形成することができ、電気的特性に優れたパターンを形成することができる。
この構成によれば、第3パターンに対応した第3凹部は、第2パターンに接続されて設けられている。そのため、吐出される機能液の飛翔径が第1凹部の幅よりも大きい場合でも、第2凹部によって、吐出される機能液を隔壁からはみ出さずに収容して、第3凹部に機能液を濡れ広がらせることができる。よって、所望の形状を有するパターンを形成することができ、電気的特性に優れたパターンを形成することができる。
上述したバンク構造体を用いることにより、バンク上面に機能液の残渣を残すことなく、所望の形状を有するドレイン電極を形成することができる。これにより、バンク上面に形成される配線等の短絡、断線等を防止して、電気的特性の優れたデバイスを提供することができる。
上述したバンク構造体を用いることにより、バンク上面に機能液の残渣を残すことなく、所望の形状を有するゲート配線及びゲート電極を形成することができる。これにより、バンク上面に形成される配線等の短絡、断線等を防止して、電気的特性の優れたデバイスを提供することができる。
上述したバンク構造体を用いることにより、バンク上面に機能液の残渣を残すことなく、所望の形状を有するソース配線及びソース電極を形成することができる。これにより、バンク上面に形成される配線等の短絡、断線等を防止して、電気的特性の優れたデバイスを提供することができる。
この構成によれば、信号遅延のない電気的特性に優れたデバイスを実現することができる。
本発明によれば、電気的特性に優れたデバイスを備えているため、品質や性能の向上を図った電気光学装置及び電子機器を実現することができる。
ここで、本発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機EL(Electro-Luminescence)を用いる有機EL装置、無機ELを用いる無機EL装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置(EPD:Electrophoretic Display)、フィールドエミッションディスプレイ装置(FED:電界放出表示装置:Field Emission Display)等がある。
以下、本発明の最良の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさととするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
まず、本実施形態において、薄膜パターンを形成するための液滴吐出装置について図1を参照して説明する。
図1は、本発明のパターン形成方法に用いられる装置の一例として、液滴吐出法によって基板上に液体材料を配置する液滴吐出装置(インクジェット装置)IJの概略構成を示す斜視図である。
ステージ7は、この液滴吐出装置IJによりインク(液体材料)を設けられる基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
Y軸方向ガイド軸5は、基台9に対して動かないように固定されている。ステージ7は、Y軸方向駆動モータ3を備えている。Y軸方向駆動モータ3はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ7をY軸方向に移動する。
クリーニング機構8は、液滴吐出ヘッド1をクリーニングするものである。クリーニング機構8には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。このY軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構8は、Y軸方向ガイド軸5に沿って移動する。クリーニング機構8の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ15は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ15の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
このようにすれば、液滴吐出ヘッド1の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することができる。また、基板Pとノズル面との距離を任意に調節することができるようにしてもよい。
図2において、液体材料(配線パターン用インク、機能液)を収容する液体室21に隣接してピエゾ素子22が設置されている。液体室21には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系23を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子22は駆動回路24に接続されており、この駆動回路24を介してピエゾ素子22に電圧を印加し、ピエゾ素子22を変形させることにより、液体室21が変形し、ノズル25から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み速度が制御される。
なお、液体材料の吐出原理としては、上述した圧電体素子であるピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式の他にも、液体材料を加熱し発生した泡(バブル)により液体材料を吐出させるバブル方式等、公知の様々な技術を適用することができる。このうち、上述したピエゾ方式では、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は1nm以上0.1μm以下であることが好ましい。0.1μmより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
次に、図3を参照して1画素を構成するバンク構造について詳細に説明する。図3は、1画素(TFTを含む)を構成するバンク構造を模式的に示した平面図である。図3では、本実施形態の理解を容易とするため、実際に1画素を構成する際に使用するバンク構造のみを抽出し、説明する。また、図3においては、便宜上、異なる層に形成される各バンクを共通にして図示及び説明をする。また、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図4(a)は、図3に示す1画素を構成するバンク構造の1層目を抽出し拡大して示した平面図である。図3、4(a)に示すように、1画素を構成する1層目のバンク34には、ゲート配線に対応するゲート配線溝部55a(第3凹部)とゲート電極に対応するゲート電極溝部56a(第1凹部)とが形成されている。
図4(b)は、図3に示す1画素を構成するバンク構造の2層目を抽出し拡大して示した平面図である。図3、4(b)に示すように、1画素を構成する2層目のバンク34には、ゲート配線及び電極用バンクの上層に、ソース配線に対応するソース配線溝部42a(第2凹部)と、ソース電極溝部43a(第3凹部)と、ドレイン電極に対応するドレイン電極溝部44a(第1凹部)が形成されている。なお、ソース配線及び電極、ドレイン電極用バンクは、後述するように、ソース配線及び電極、ドレイン電極が形成された後に除去される。
また、ソース電極溝部43aは、図3、図4(b)に示すように、ソース配線溝部42aと上記ゲート配線溝部55aとの交差点近傍に、ソース配線溝部42からX軸方向に延出して形成されている。
なお、本実施形態において、ソース配線溝部42aと、ソース電極溝部43aとを合わせた領域は、吐出される機能液Lの飛翔径よりも狭く、微細パターンとなっている。
図3に示すように、画素電極に対応する画素電極溝部45aは、ゲート配線溝部55aとソース配線溝部42aとに区画される領域に形成されている。そして、画素電極溝部45aは、ドレイン電極溝部44aやドレイン電極補助溝部62aに一部が重畳するように形成されている。
図5(a)〜(d)、図6(a)〜(c)は、バンク構造体及びパターンの形成方法を工程順に示した断面図である。なお、図5(a)〜(d)は、図3に示すバンク構造体のA−A‘線に沿った断面部分、即ち、ゲート電極溝部、ゲート配線溝部及びパターンの形成方法の工程を示した図である。図3に示すその他のバンク構造体を構成するソース電極溝部、ソース配線溝部、ドレイン電極溝部等の形成工程については、ゲート電極形成工程と同様であるため、本実施形態においては省略して説明している。
まず、図5(a)に示すように、スピンコート法により、基板48の全面にバンク材を塗布する。基板48としては、ガラス、石英ガラス、Siウエハ、プラスチックフィルム、金属板等の各種材料を使用することができる。また、バンク材は、感光性のポリシラザン、アクリル樹脂やポリイミド等からなる絶縁材料を用いることができる。これにより、バング材がレジストの機能を兼ね備えるため、レジスト塗布工程を省略することができる。
なお、この基板48の基板表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜等の下地層を形成することも好ましい。また、上記バンク材の塗布方法として、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の各種方法を適用することが可能である。
具体的には、まず、露光装置により、フォトマスクを用いて、所定のマスクパターンをバンク34に転写する。ここで、フォトマスクには、以下のようなパターンが開口されたマスクを用いている。ゲート配線溝部55aに対応する領域においては、ゲート配線溝部55aの幅H1が、液滴吐出装置IJから吐出される機能液Lの飛翔径と等しくなるか、あるいは、大きくなるように開口されたマスクを用いている。また、ゲート電極溝部56aに対応する領域においては、ゲート電極溝部aの幅H2が液滴吐出装置IJから吐出される機能液Lの飛翔径よりも狭くなるように開口されたマスクを用いている。さらに、ゲート電極補助溝部57aに対応する領域においては、ゲート電極補助溝部57aの形状が、平面視正円形状であり、この正円形状の幅が、液滴吐出装置IJから吐出される機能液Lの飛翔径と略等しくなるか、あるいは大きくなるように開口されたマスクを用いている。
次に、基板48の全面に塗布したバンク材の表面を、CF4、SF5、CHF3等のフッ素含有ガスを処理ガスとしたプラズマ処理する。このプラズマ処理によりバンク材の表面を撥液性にする。撥液化処理法としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4 プラズマ処理法)を採用することができる。CF4 プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが50〜1000W、4フッ化メタンガス流量が50〜100ml/min、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が0.5〜1020mm/sec、基体温度が70〜90℃とされる。
なお、上記処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
次に、ゲート配線溝部55a、ゲート電極溝部56aが形成されたバンク形成時のレジスト(有機物)残渣を除去するために、基板48に対して残渣処理を施す。残渣処理の方法としては、現像液、酸等による各種方法を採用することができる。
次に、図5(c)、図6(b)に示すように、液滴吐出装置IJにより、ゲート配線溝部55a及びゲート電極溝部56aに配線パターン形成材料である機能液Lを吐出する。なお、本実施形態において、ゲート電極溝部56aは微細配線パターンであるため、液滴吐出装置IJでは機能液Lを直接吐出することは困難である。従って、ゲート電極溝部56aへの機能液Lの吐出は、上述したように、ゲート配線溝部55aに配置した機能液Lを毛細管現象によってゲート電極溝部56aに流入させる方法により行う。
そして、ゲート配線溝部55a及びゲート電極補助溝部57aに濡れ広がると同時に、機能液Lは、図6(c)に示すように、毛細管現象により、ゲート電極溝部56aに流入する。従って、ゲート電極溝部56aの両端から機能液Lを供給することができる。このような工程により、ゲート電極56が形成される。同様に、ゲート配線溝部55aに機能液Lが濡れ広がることにより、ゲート配線55が形成される。なお、本実施形態においては、ゲート電極補助溝部57aに配置された機能液Lによって形成されたパターン(以下、ゲート電極補助部57と称する(第2凹部))は、ゲート電極56として機能し、ゲート電極56の一部を構成している。
次に、ゲート配線溝部55a,ゲート電極溝部56に機能液Lを配置してゲート配線55,ゲート電極溝部56を形成した後、必要に応じて乾燥処理を行う。中間乾燥工程後、所望の膜厚にするために、機能液配置工程を繰り返しても良い。乾燥処理は、例えば、基板48を加熱する通常のホットプレート、電気炉、ランプアニールその他の各種方法により行うことが可能である。ここで、ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等のエキシマレーザー等を光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W以上5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では100W以上1000W以下の範囲で十分である。
機能液Lの吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び/又は光処理が施される。
熱処理及び/又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、水素、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約300℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上100℃以下で行うことが好ましい。
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、所定の厚みの導電性膜に変換されることで、図5(d)に示すように、連続した膜としての導電性パターン、即ちゲート電極56、ゲート配線55を形成することができる。
<画素の構造>
図7に示すように、画素40は、基板48上に、X軸方向に延在するゲート配線55(第3パターン)と、ゲート配線55からY軸方向に延出して形成されるゲート電極56(第1パターン)とを備えている。また、画素40は、ゲート配線55に交差してY軸方向に形成されるソース配線42(第1パターン)と、ソース配線42からX軸方向に延出して形成されるソース電極43(第3パターン)とを備え、さらに、ソース電極43に対向して形成されるドレイン電極44(第1パターン)と、ドレイン電極44に接続される画素電極45とを備えている。
また、画素電極45は、コンタクトホール49を介して、ドレイン電極44と電気的に接続されている。
図8(a)〜(e)は、図7に示すA−A‘線に沿った画素の形成工程を示した断面図である。
本実施形態においては、上述したバンク構造体及びパターンの形成方法を利用して、ボトムゲート型のTFT30のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等を有する画素を形成する。なお、以下の説明においては、上述した図5(a)〜(d)及び図6(a)〜(c)に示すパターン形成工程と同様の工程を経るため、かかる工程についての説明は省略する。また、上記実施形態に示す構成要素と共通の構成要素については同一の符号を付す。
次に、アモルファスシリコン膜46上にコンタクト層47(n+シリコン膜)を成膜する。続けて、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理により、図8(a)に示すように所定形状にパターニングする。
以上説明した工程により、ボトムゲート型のTFT30を形成する。
以下に、本実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態においては、TFT30を構成するドレイン電極44に対応するドレイン電極溝部44aの構造について説明する。
上記第1実施形態においては、ドレイン電極に対応するドレイン電極溝部44aを平面視矩形状に形成していた。これに対して、本実施形態においては、ドレイン電極溝部4444aの形状を平面視L字状に形成している点において異なる。その他の基本構成は第1の実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図9(a)に示すように、ドレイン電極補助溝部62aは、L字状に形成されるドレイン電極溝部44aの屈曲部の内側に、平面視円形状に形成されている。詳細には、ドレイン電極補助溝部62aは、ドレイン電極溝部44aの一部に重畳して形成され、ドレイン電極溝部44aの屈曲部から平面視扇形状に延出した状態となっている。このように、ドレイン電極補助溝部62aは、ドレイン電極溝部44aに接続され、ドレイン電極44の一部を構成している。また、ドレイン電極補助溝部62aの幅は、液滴吐出装置IJから吐出される機能液Lの飛翔径と略等しいか、あるいは大きくなるように形成されている。即ち、本実施形態において、ドレイン電極補助溝部62aは、機能液Lを吐出するための領域S4となり、機能液Lがバンク34上面からはみ出さないような構造となっている。
次に、上記バンク構造を有するパターン形成方法により形成した画素を備える本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
図10は、本発明にかかる液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図である。図11は図10のH−H’線に沿う断面図である。図12は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
なお、データ線駆動回路201及び走査線駆動回路204をTFTアレイ基板10の上に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTAB(Tape Automated Bonding)基板とTFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置100においては、使用する液晶50の種類、すなわち、TN(Twisted Nematic)モード、C−TN法、VA方式、IPS方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板20において、TFTアレイ基板10の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
図13は、上記バンク構造及びパターン形成方法により形成した画素を備える有機EL装置の側断面図である。以下、図13を参照しながら、有機EL装置の概略構成を説明する。
図13において、有機EL装置401は、基板411、回路素子部421、画素電極431、バンク部441、発光素子451、陰極461(対向電極)、及び封止基板471から構成された有機EL素子402に、フレキシブル基板(図示略)の配線及び駆動IC(図示略)を接続したものである。回路素子部421は、アクティブ素子であるTFT60が基板411上に形成され、複数の画素電極431が回路素子部421上に整列して構成されたものである。そして、TFT60を構成するゲート配線61が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図14は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図14において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図14に示す電子機器は、上記実施形態のバンク構造を有するパターン形成方法により形成された液晶表示装置を備えたものであるので、高い品質や性能が得られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
図15は、本実施形態例に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体400は、カード基体402とカードカバー418から成る筐体内に、半導体集積回路チップ408とアンテナ回路412を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波又は静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
例えば、上記実施形態においては、機能液を吐出するための吐出領域の形状を平面視円形に形成した。これに代えて、吐出領域の形状を外周の少なくとも一部に円弧を有する形状に形成することも好ましい。具体的には、楕円形状、トラック形状等の種々の形状を採用することが可能である。
また、上記実施形態においては、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理により、バンクに所望の溝部(例えば、ゲート電極溝部等)を形成していた。これに代えて、レーザーを用いてバンクにパターニングすることにより、所望の溝部を形成することも好ましい。
Claims (11)
- 機能液により形成するパターンに対応した凹部が設けられた隔壁構造体であって、
第1パターンに対応して設けられた第1凹部と、
前記第1凹部の一部に前記第1凹部よりも幅が広く、かつ、外周の少なくとも一部に円弧を有する形状に設けられた第2パターンに対応した第2凹部と、
を備えることを特徴とする隔壁構造体。 - 前記第2凹部が、平面視正円形状であることを特徴とする請求項1に記載の隔壁構造体。
- 前記第1パターンに接続され、かつ、前記第1パターンよりも幅が広い第3パターンに対応して設けられた第3凹部を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の隔壁構造体。
- 前記第2パターンに接続されて設けられた第3パターンに対応した第3凹部を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の隔壁構造体。
- 基板上に複数のパターンに対応した凹部を有する隔壁構造体を形成する方法であって、
前記基板上に隔壁材を塗布する工程と、
前記隔壁材に第1パターンに対応した第1凹部を形成する工程と、
前記隔壁材に前記第1凹部の一部に前記第1凹部よりも幅が広く、かつ、外周の少なくとも一部に円弧を有する形状に設けられた第2パターンに対応した第2凹部を形成する工程と、
を有することを特徴とする隔壁構造体の形成方法。 - 基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層に接続されるソース電極及びドレイン電極と、絶縁層を介して前記半導体層に対向して設けられたゲート電極と、を備えるデバイスであって、
前記請求項1又は請求項2に記載の隔壁構造体と、前記隔壁構造体の前記第1及び第2凹部の各々の内部に配置されたパターンと、を備え、
前記第1パターンが前記ドレイン電極であることを特徴とするデバイス。 - 基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層に接続されるソース電極及びドレイン電極と、絶縁層を介して前記半導体層に対向して設けられたゲート電極と、を備えるデバイスであって、
前記請求項3に記載の隔壁構造体と、前記隔壁構造体の前記第1、第2及び第3凹部の各々の内部に配置されたパターンと、を備え、
前記第1パターンが前記ゲート電極であり、前記第3パターンが前記ゲート配線であることを特徴とするデバイス。 - 基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層に接続されるソース電極及びドレイン電極と、絶縁層を介して前記半導体層に対向して設けられたゲート電極と、を備えるデバイスであって、
前記請求項4に記載の隔壁構造体と、前記隔壁構造体の前記第1、第2及び第3凹部の各々の内部に配置されたパターンと、を備え、
前記第1パターンが前記ソース配線であり、前記第3パターンが前記ソース電極である
ことを特徴とするデバイス。 - 前記ソース電極と前記半導体層とが平面的に重畳する面積と、前記ドレイン電極と前記半導体層とが平面的に重畳する面積とが略等しいことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載のデバイス。
- 請求項6乃至請求項9のいずれか1項に記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項10に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004298450A JP2006114585A (ja) | 2004-10-13 | 2004-10-13 | 隔壁構造体、隔壁構造体の形成方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 |
US11/223,015 US7667232B2 (en) | 2004-10-13 | 2005-09-12 | Bank structure, method of forming bank structure, device, electro-optical device and electronic apparatus |
DE602005027789T DE602005027789D1 (de) | 2004-10-13 | 2005-09-27 | Überhöhungsstruktur zur Erzeugung von Drahtformungsgebieten |
EP05021029A EP1648210B1 (en) | 2004-10-13 | 2005-09-27 | Bank structure for defining wire-formation regions |
KR1020050091828A KR100715298B1 (ko) | 2004-10-13 | 2005-09-30 | 반도체 디바이스, 액정 표시 장치, 유기 el장치, 플라즈마 디스플레이 장치, 이동 통신 단말기, 도전성 패턴의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
TW094134897A TW200627548A (en) | 2004-10-13 | 2005-10-06 | Bank structure, method of forming bank structure, device, electro-optical device and electronic apparatus |
CNB2005101085934A CN100531520C (zh) | 2004-10-13 | 2005-10-10 | 隔壁结构体及其形成方法、器件、电光学装置及电子仪器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004298450A JP2006114585A (ja) | 2004-10-13 | 2004-10-13 | 隔壁構造体、隔壁構造体の形成方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006245756A Division JP4042798B2 (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 配線パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006114585A true JP2006114585A (ja) | 2006-04-27 |
Family
ID=35520744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004298450A Pending JP2006114585A (ja) | 2004-10-13 | 2004-10-13 | 隔壁構造体、隔壁構造体の形成方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7667232B2 (ja) |
EP (1) | EP1648210B1 (ja) |
JP (1) | JP2006114585A (ja) |
KR (1) | KR100715298B1 (ja) |
CN (1) | CN100531520C (ja) |
DE (1) | DE602005027789D1 (ja) |
TW (1) | TW200627548A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006208750A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Future Vision:Kk | 表示装置用基板とその製造方法、及びこの表示装置用基板を用いた表示装置 |
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JP2008066567A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Ricoh Co Ltd | 配線パターンとこれを用いた電子素子、有機半導体素子、積層配線パターンおよび積層配線基板 |
WO2020065859A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4235921B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2009-03-11 | 株式会社フューチャービジョン | 液晶表示パネルの製造方法および液晶表示パネル |
CN108539043B (zh) * | 2018-04-12 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制造方法、显示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3445495B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2003-09-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
JP4741045B2 (ja) | 1998-03-25 | 2011-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置 |
JP2000216330A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | 積層型半導体装置およびその製造方法 |
EP1446835A2 (en) * | 2001-09-24 | 2004-08-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Assembly for a thin-film optical device, organic electroluminescent display device and method of manufaturing same |
JP3578162B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP3623209B2 (ja) | 2002-06-18 | 2005-02-23 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4098039B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-06-11 | シャープ株式会社 | パターン形成基材およびパターン形成方法 |
JP4090954B2 (ja) | 2003-07-08 | 2008-05-28 | 株式会社リコー | 基板、基板用基体及び基板の製造方法並びに該製造方法に用いられる版 |
-
2004
- 2004-10-13 JP JP2004298450A patent/JP2006114585A/ja active Pending
-
2005
- 2005-09-12 US US11/223,015 patent/US7667232B2/en active Active
- 2005-09-27 DE DE602005027789T patent/DE602005027789D1/de active Active
- 2005-09-27 EP EP05021029A patent/EP1648210B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-30 KR KR1020050091828A patent/KR100715298B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-06 TW TW094134897A patent/TW200627548A/zh unknown
- 2005-10-10 CN CNB2005101085934A patent/CN100531520C/zh not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1648210B1 (en) | 2011-05-04 |
CN100531520C (zh) | 2009-08-19 |
KR100715298B1 (ko) | 2007-05-08 |
CN1764351A (zh) | 2006-04-26 |
TW200627548A (en) | 2006-08-01 |
EP1648210A1 (en) | 2006-04-19 |
KR20060051893A (ko) | 2006-05-19 |
US7667232B2 (en) | 2010-02-23 |
DE602005027789D1 (de) | 2011-06-16 |
US20060078830A1 (en) | 2006-04-13 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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