CN1571117A - 表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置 - Google Patents

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Abstract

一种表面处理方法，具有对基板(11)表面实施疏液化处理的工序，和通过对疏液化处理过的基板(11)的表面照射能量光，在表面实施亲液化处理的工序。将基板表面的能量光的累计照度的偏差控制在20％以下。根据本发明的表面处理方法，即使是大型的基板，也能相等地控制液状体与基板的接触角。

Description

表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置
技术领域
本发明涉及一种表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置以及电子机器。
背景技术
在电子电路或集成电路等使用的配线的制造中，例如采用光刻法。该光刻法，在预先涂布有导电膜的基板上，涂布称之为抗蚀剂的感光材料，照射并显影电路图形，根据抗蚀剂图形，通过刻蚀导电膜，形成配线。该光刻法，需要真空装置等大规模的设备和复杂的工序，此外，材料的使用效率也只有几％，其大部分不得不废弃，制造成本高。
对此，提出了从液体喷出头液滴状喷出液体材料的液体喷出法，即，采用喷墨法形成配线图形的方法(例如，参照专利文献1)。在该方法中，直接在基板上图形状涂布能分散金属微粒子等导电性微粒子的功能液即配线图形用墨，然后，进行热处理或激光照射，变换成导电膜图形。如果采用该方法，具有不需要光刻法，能够大幅度简化工艺，同时也减少原材料使用量等优点。
为了确切进行利用喷墨法的导电膜配线，提出，在预先形成有疏液部和亲液部的图形的基板的亲液部，利用喷墨法有选择地喷出液体材料。此时，分散导电性微粒子的液体，由于不易残留在亲液部，所以，不形成围堰，能够保证位置精度，形成配线。
此时，作为疏液化的方法，已知有，在基板的表面形成疏液性单分子膜，如形成由有机分子构成的自组织化膜的处理，或在基板的表面上形成氟聚合膜的处理，例如以氟化碳系化合物作为反应气体的等离子处理等。
另外，作为亲液化的方法，已知有，在疏液化后，通过照射紫外光，破坏暂时形成疏液性的膜的方法。
专利文献1：美国专利5132248号说明书
但是，在上述的以往技术中，存在以下问题。
在采用付与上述亲液性或疏液性的基板形成膜图形时，需要大致相同地控制液状体与基板的接触角。这是因为，基板上的亲液性的偏差影响圆点直径，即行宽或膜厚度的均匀性。
而且，近年来，基板向大型化发展，随之在基板表面上的亲液性的偏差也增大，担心不能够相同地控制液体与基板的接触角。
发明内容
本发明是针对上述问题而提出的，目的是提供一种即使是大型的基板也能相等地控制液状体与基板的接触角的表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及具有该表面处理基板的光电装置以及电子机器。
为达到上述目的，本发明采用以下构成。
本发明的表面处理方法，具有对基板表面实施疏液化处理的工序、和通过对上述疏液化处理过的基板表面照射紫外光等的能量光，对上述表面实施亲液化处理的工序，其特征在于，将上述基板表面上的所述能量光的累计照度的偏差控制在20％以下。更优选按15％以下控制上述基板表面上的能量光的累计照度的偏差。
因此，在本发明中，能够将付与基板上的亲液性的偏差控制在规定范围内，也能够抑制基板与液状体的接触角的偏差。因此，能够得到涂布在基板上的液状体的圆点直径，即由液状体形成的行宽或膜厚度的均匀性。
作为抑制基板表面上的能量光的累计照度的偏差的方法，可以采用，相对于上述能量光的光源，一边相对移动上述基板，一边照射上述能量光的程序。
由此，能够缓和照射在基板上的能量的分布，能够抑制累计照度的偏差。
在随着基板的大型化排列多个能量光的光源的情况下，优选在上述多个光源的排列方向，相对摇动上述基板。
由此，根据本发明，即使在多个光源间存在照射能量的偏差，也能够缓和照射在基板上的能量的分布使累计照度相等。
此外，在本发明中，优选具有，在上述亲液化处理之前，分别计测上述基板表面的多个部位和上述基板附近的上述能量光的照度的工序；在上述亲液化处理中，根据计测上述基板附近的上述能量光的累计照度的结果，控制上述能量光的照射的工序。
由此，在本发明中，预先求出基板表面的能量光的照度和基板附近的能量光的照度的相对关系，在亲液化处理工序中，通过计测·监测基板附近的能量光的照度，不计测基板表面的照度，也能检测出基板表面的能量光的累计照度达到规定值，从而能够停止能量光的照射。
此外，本发明的表面处理基板，其特征在于，用上述的表面处理方法实施表面处理。
由此，在本发明中，由于具有所要求的均匀的亲液性，所以，在作为液滴向基板上喷出液状体时，能够得到由液状体形成的行宽或膜厚度的均匀性。
此外，本发明的光电装置，其特征在于，具有形成在上述发明的表面处理基板上的导电膜配线。此外，本发明的电子机器，其特征在于，具有本发明的光电装置。
由此，在本发明中，通过具有规定行宽或膜厚度的导电性膜，能够得到有利于导电、不易产生断线或短路等问题的高质量的光电装置及电子机器。
另外，本发明的基板处理装置，对基板的表面照射能量光，对上述表面实施亲液化处理，其特征在于：具有使上述能量光的光源和上述基板相对摇动的摇动装置。
由此，在本发明中，能够缓和照射基板的能量的分布，能够抑制累计照度的偏差。
优选基板沿多个排列的上述光源的排列方向相对摇动。
由此，在随着基板的大型化排列多个能量光的光源时，即使在多个光源间存在照射能的偏差，也能够缓和照射在基板上的能量的分布，使累计照度相同。
附图说明
图1是在表面处理装置上放置基板的概略俯视图。
图2是图1的主视图。
图3是利用压电方式喷出液状体的原理说明图。
图4是配线形成装置的概略立体图。
图5是实施方式3的液晶显示装置的基板上的俯视图。
图6是表示液晶显示装置的其他形态的图。
图7是实施方式4的等离子型显示装置的分解立体图。
图8是实施方式5的非接触型卡介体的分解立体图。
图9是说明FED的图。
图10是表示本发明的电子机器的具体例的图。
图中：
11：基板、31：表面处理装置、33：载物台(摇动装置)、34：驱动装置(摇动装置)、35：水银灯(光源)、37：控制装置(摇动装置)、200：FED(光电装置)、400：非接触型卡介体(电子机器)，500：等离子型显示装置(光电装置)、600：携带电话主体(电子机器)、700：信息处理装置(电子机器)、800：手表主体(电子机器)、900：液晶显示装置(光电装置)。
具体实施方式
以下，参照图1～图10，说明本发明的表面处理方法、表面处理装置及光电装置以及电子机器的实施方式。
实施方式1
首先，作为实施方式1，说明本发明的表面处理方法。
本发明的表面处理方法，由疏液化处理工序及亲液化处理工序构成。下面，说明各工序。
疏液化处理工序
作为疏液化处理方法的一种，可以举出在基板表面形成由有机分子膜等构成的自组织化膜的方法。
关于用于处理基板表面的有机分子膜，在一端侧具有可在基板结合的官能团，在另一端侧具有将基板的表面性改质(控制表面能)成疏液性的官能团，同时，具有结合这些官能团的碳的直链或部分支链的碳链，是通过在基板上结合，进行自组织化，形成分子膜如单分子膜的有机分子膜。
所谓的自组织化膜，是由可与基板等衬底层等的构成原子反应的结合性官能团和其以外的直链分子构成，是利用该直链分子的相互作用，通过使具有极高取向性的化合物取向而形成的膜。该自组织化膜，由于使单分子取向而形成，所以，能够大大减薄膜厚度，能够以分子水平形成均匀的膜。即，由于相同的分子位于膜的表面，能够付与膜的表面均匀且优良的疏液性等。
作为具有上述高取向性的化合物，例如，在采用氟烷基硅烷时，由于以氟烷基位于膜表面的方式，取向各化合物，形成自组织化膜，所以能够对膜的表面付与均匀的疏液性等。
作为形成自组织化膜的化合物，示例十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三氯硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛基三氯基硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等的氟代烷基硅烷(下面称为[FAS])。在使用时优选单独使用一个化合物，但即使组合两种化合物以上来使用，只要不影响本发明的目的，也没有限制。另外，在本发明中作为形成自组织化膜的化合物，通过使用FAS，可得到与基板的紧贴性和良好的疏液性，因此是优选的。
FAS一般以结构式RnSiX(4-n)来表示。这里，n表示1以上3以下的整数，X是甲氧基、乙氧基、卤原子等水解基团。另外，R是氟代烷基基，具有(CF3)(CF2)x(CH2)y的(这里x表示0以上10以下的整数，y表示0以上4以下的整数)结构，在多个R或X与Si耦合的情况下，R或X既可彼此相同，也可不同。由X表示的水解基团通过水解形成硅醇，与基板(玻璃、硅)的基底羟基反应后，通过硅氧烷键与基板耦合。另一方面，由于R在表面具有(CF3)等氟代基，所以将基板的底表面改质成不浸湿(表面能量低)的表面。
如果将上述原料化合物和基板装入同一密封容器中，在室温下放置2～3天左右，在基板上形成由有机分子膜等构成的自组织化膜。此外，通过100℃保温密封容器整体，能在3个小时左右在基板上形成自组织化膜。以上所述，是由气相的形成法，但也能够从液相形成自组织化膜。
例如，在含有原料化合物的溶液中浸渍基板，通过清洗、干燥，也能在基板上得到自组织化膜。
另外，优选在形成自组织化膜之前，通过对基板表面照射紫外光，或利用溶剂清洗，实施预处理。
作为疏液化处理的其他方法，可举例在常压或真空中照射等离子的方法。
用于等离子处理的气体种类，可根据基板的表面材质等进行多种选择。例如，作为处理气体，可以使用4氟甲烷、全氟己烷、全氟癸烷等氟代烃系气体。此时，在基板的表面上，能够形成疏液性的氟化聚合膜。
疏液化处理，也能够通过在基板表面粘贴例如由四氟乙烯加工的聚酰亚胺薄膜等进行。另外，也可以将聚酰亚胺薄膜直接用作基板。
亲液化处理工序
经过上述疏液化处理后的基板表面，由于具有高于通常所要求的疏液性的疏液性，所以，通过亲液化处理能缓和疏液性。
关于亲液化处理，作为能量光，可举例照射170～400nm的紫外光的方法。由此，能够部分并且作为整体均匀破坏暂时形成的疏液性膜，能够缓和疏液性。
此时，疏液性的缓和程度能够根据紫外光的照射时间或紫外光的强度、波长及其组合进行调整，但在本实施方式中，用基板表面的紫外光的累计照度进行管理，进而将累计照度的偏差控制在20％以下。
下面，参照图1及图2，说明对基板的表面进行亲液化处理的表面处理装置。图1是在表面处理装置31上放置基板11的概略俯视图，图2是主视图。
表面处理装置31的主体构成，主要由保持基板11向图中左右方向自由移动的载物台33、驱动载物台33的驱动装置34、在载物台33的上方沿载物台33的移动方向按一定间隔排列的多个(此处为4个)水银灯(光源)35、切换水银灯35的照射/停止照射的切换装置36、控制上述驱动装置34及切换装置36的控制装置37构成。此外，在载物台33上，在位于基板11附近，设置照度传感器38。另外，由载物台33、驱动装置34及控制装置37构成本发明的摇动装置。
关于水银灯35，由于其端部的紫外光的照射能与中央部相比，不稳定(低)，所以，以将基板置于能用稳定的照射能照射的区域的方式，设定水银灯35的长度。
另外，在对基板11实施亲液化处理时，在控制装置37的控制下，在点亮水银灯35的状态下，按图2中箭头所示方向，相对于水银灯35，往返移动(摇动、相对移动)保持基板11的载物台33。通过对基板11的表面，照射来自水银灯35的例如波长254nm的紫外光，缓和疏液性，能进行亲液化处理。此时，在采用多个水银灯35的情况下，通常，在水银灯之间，尽管小也存在照射能的偏差，但由于通过载物台35摇动基板11，所以，能够缓和照射基板上的能量的分布(偏差)。
另外，在亲液化处理工序之前，采用试验用的基板，用照度传感器38分别计测基板表面的多个部位(至少包括端部及中央部)及紫外光的照度，求出它们之间的相对关系。在亲液化处理工序中，根据照度传感器38计测的照度，监测累计照度，从上述相对关系和监测结果求出基板表面的累计照度。然后，如果上述基板的累计照度达到规定值，控制装置37借助切换装置36，停止紫外光的照射。如此，不计测基板表面的照度，也能够用规定的累计照度对基板照射能量光。
实施例
表1示出了计测经过该亲液化处理的基板表面的累计照度、此时的液滴圆点直径、接触角的结果。另外，该计测结果是通过照射波长254nm的紫外光，在玻璃基板上液滴银(Ag)独立分散液得到的(照度计：A1紫外线照度计UVPF-A1 PD254)，作为目标的圆点直径大约为60μm。
                                  表1
累计照度(mj/cm2)   圆点直径(液滴直径)   接触角(Ag独立分散液)
1300   54μm   34°
1400   60μm   31.6°
1620   60μm   30°
1800   61μm   29.4°
1950   65μm   26°
如计测结果所示，例如，如以累计照度1620mj/cm2为标准，通过按累计照度1300mj/cm2(相对于标准的偏差，大约20％)、累计照度1950mj/cm2(相对于标准的偏差，大约20％)进行紫外光照射，能够将圆点直径的偏差抑制在行宽、膜厚度不产生问题的程度。此外，通过按累计照度1400mj/cm2(相对于标准的偏差，大约14％)、累计照度1800mj/cm2(相对于标准的偏差，大约11％)进行紫外光照射，能够大致固定圆点直径即接触角。
如此，在本实施方式中，由于进行基于基板表面的紫外光的累计照度的偏差的亲液化处理，能够更确切地控制基板表面的圆点直径及接触角。此外，在本实施方式中，通过按20％以下控制累计照度的偏差，能够抑制圆点直径及接触角的偏差。特别是，通过按15％以下控制累计照度的偏差，能够大致固定圆点直径即接触角，能够得到液体状形成的行宽或膜厚度的均匀性。
而且，在本实施例中，通过在水银灯的排列方向摇动基板的简易机构，即使在多个水银灯之间存在照射能的偏差，也能够缓和其影响，按大致均匀的累计照度照射整个基板表面。此外，在本实施方式中，由于预先用照度传感器38分别计测基板表面的多个部位及紫外光的照度，求出它们之间的相对关系，根据照度传感器38计测的照度，监测累计照度，从上述相对关系和监测结果求出基板表面的累计照度，所以，不计测基板表面的照度(累计照度)，也能够确实按规定的累计照度对基板照射能量光。
实施方式2
作为实施方式2，说明相对于本发明的表面处理基板的膜图形形成方法的一种，即配线形成方法。本实施方式的配线形成方法由表面处理工序、喷出工序、热处理/光处理工序构成。以下，说明各工序。
表面处理工序
作为要形成由导电膜构成配线的的基板，可以采用Si晶片、石英玻璃、玻璃、塑料薄膜、金属板等各种基板。此外，也可以在这些各种原料基板的表面，作为衬底层形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等，将如此的基板作为要形成导电膜配线的基板使用。
以相对于含有导电性微粒子的液体的规定接触角达到所要求值的方式，对要形成该导电膜配线的基板的表面，按实施方式1的方法实施表面处理。
所要求的接触角的值，可根据后述的喷出工序的具体方法适宜选择。例如，优选与前面喷出的液滴一边重叠一边喷出时的接触角在30[deg]以上、60[deg]以下。此外，优选在第1次喷出中，不相互接触地间隔喷出多个液滴，然后利用第2次以后喷出，采用埋入该间隔的喷出方法，以达到60[deg]以上、优选90[deg]以上110[deg]以下的方式，实施表面处理。
喷出工序
下面，采用液滴喷出法，在基板上涂布含有导电膜配线形成材料即导电性微粒子的液状体。作为含有导电性微粒子的液状体，采用在分散剂中分散有导电性微粒子的分散液。
作为导电性微粒子，例如，除含有金、银、铜、钯及镍中的任何一种的金属粒子外，也可以采用它们的氧化物及导电性聚合物或超导体的微粒子等。
这些导电性微粒子，为提高其分散性，也能够以在其表面涂敷有机物等的方式使用。
导电性微粒子的粒径优选在5nm以上0.1μm以下。如果大于0.1μm，有在后述的液体喷出头的喷嘴产生堵塞的危险。此外，如果小于5nm，相对于导电性微粒子的涂剂的体积比增大，得到的膜中的有机物的比例过多。
作为分散剂，可以采用能分散上述导电性微粒子的分散剂，只要不引起凝集，不特别限定。例如，除水外，还可以列举甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、均四甲苯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃类化合物，或乙二醇二甲醚、乙二醇二***、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二***、二甘醇甲基乙基醚、1，2-甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二噁烷等醚类化合物，以及碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。在这些分散剂中，从微粒子的分散性和分散液的稳定性，以及易于适用液滴喷出法(喷墨法)等方面考虑，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更优选的分散剂，可以列举水、烃类化合物。
上述导电性微粒子的分散液的表面张力，优选在0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内，在采用喷墨法喷出液体时，如果表面张力低于0.02N/m，由于相对于墨组合物的喷嘴面的润湿性增大，因此容易产生飞行弯曲，如果超过0.07N/m，由于喷嘴前端的弯液面的形状不稳定，难于控制喷出量或喷出定时。为调整表面张力，在上述分散液中，在不过分降低与基板的接触角的范围内，可以微量添加氟系、硅酮系、非离子系等表面张力调节剂。非离子表面张力调节剂，用于提高液体对基板的润湿性，改进膜的均化性，防止膜的微细凹凸的发生等。上述表面张力调节剂，根据需要，也可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
上述分散液的粘度优选在1mPa·s以上50mPa·s以下。在采用喷墨法以液滴喷出液体材料时，如果粘度低于1mPa·s，流出的墨容易污染喷嘴的周边部，此外，如果粘度大于50mPa·s，喷嘴孔的堵塞频率高，难于顺利喷出液滴。
此时，作为液滴喷出法的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、电力机械变换式、电热变换式、静电吸引方式等。带电控制方式，是用带电电极对材料付与电荷，用偏向电极控制材料的飞散方向，从喷嘴喷出的方式。此外，加压振动方式，是对材料外加30kg/cm2左右的超高压，使材料在喷嘴前端侧喷出的方式，在不施加控制电压时，材料直进，从喷嘴喷出，如施加控制电压，在材料间引起静电推斥，材料飞溅，不能从喷嘴喷出。
此外，电力机械变换式是利用压电元件在接受脉冲电信号后变形的性质的变换式，通过压电元件变形，借助柔性物质，对贮留材料的空间施加压力，从该空间挤出材料，使其从喷嘴喷出。此外，电热变换式，通过设置在贮留材料的空间内的加热器，急速气化材料，使其产生气泡，利用气泡的压力喷出空间内的材料。静电吸引方式，对贮留材料的空间施加微小的压力，在喷嘴处形成材料的弯液面，在该状态下，在施加静电引力后，引出材料。此外，除此之外，也可以采用基于电场的流体的粘性变化的方式或用放电火花吹散的方式等技术。
在本实施方式中实施的压电方式的液滴喷出法，具有使用材料浪费少，并且能够在所要求的位置配置所要求量的材料的优点。另外，利用液滴喷出法喷出的液状材料(流动体)的一滴的量，例如可在1～300毫微克。
图3利用压电方式的液滴喷出头10喷出液状体的原理说明图。
在图3中，以与收容液体材料(配线图形用墨)的液体室21邻接的方式，设置压电元件22。在液体室21，借助包括收容液体材料的材料罐的液体材料供给***23，供给液体材料。压电元件22连接在驱动电路24，借助该驱动电路24，对压电元件22外加电压，通过变形压电元件22，变形液体室，从喷嘴25喷出液体材料。此时，通过变化外加电压值，控制压电元件22的变形量。此外，通过变化外加电压的频率，控制压电元件22的变形速度。利用压电方式喷出液滴，由于不对材料加热，所以，具有不易影响材料组成的优点。
在本实施方式中，从液体喷出头10喷出上述分散液的液滴，滴在基板上的要形成配线的部位。此时，需要以液体不产生液体堆积(凸起)的方式，控制继续喷出的液滴的重叠程度。此外，也可以采用在第1次喷出中，不相互接触地间隔喷出多个液滴，然后利用第2次以后的喷出，埋入该间隔的喷出方法。
在喷出液滴后，为去除分散剂，根据需进行干燥处理。干燥处理，例如，除采用通常的加热板、电炉等加热基板W的处理外，也可以采用灯退火进行处理。作为用于灯退火的光的光源，不特别限定，作为光源，可以采用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、碳酸气体激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等受激准分子激光器等。这些光源，一般采用输出功率10W以上5000W以下的范围的光源，但在本实施方式中，用100W以上1000W以下的范围就可以。
热处理/光处理
在喷出工序后的干燥膜，为提高微粒子间的电接触，需要完全去除分散剂。此外，在为了提高分散性，在导电性微粒子的表面涂敷有机物等涂剂时，也需要去除该涂剂。因此，对喷出工序后的基板实施热处理和/或光处理。
热处理/光处理，通常在大气下进行，但也可以根据需要，在氮、氩、氦等惰性气体保护性气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度，可根据分散剂的沸点(蒸气压)、保护性气氛气体的种类或压力、微粒子的分散性或氧化性等的热行为、涂剂的有无或量大小、基材的耐热温度等，适宜确定。
例如，为去除由有机物构成的涂剂，需要用大约300℃进行焙烧。此外，在采用塑料等基板时，优选在室温以上100℃以下进行。
热处理和/或光处理，除采用通常的加热板、电炉等的处理外，也可以采用灯退火进行处理。作为用于灯退火的光的光源，不特别限定，作为光源，可以采用红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、碳酸气体激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等受激准分子激光器等。这些光源，一般采用输出功率10W以上5000W以下的范围的光源，但在本实施方式中，采用100W以上1000W以下的范围就可以。
通过以上工序，喷出工序后的干燥膜能够确保微粒子间的电接触，能够变换成导电膜。
利用本实施方式形成的导电膜，由于采用相等地控制了亲液性即圆点直径及接触角的基板，所以，能够实现细线化、厚膜化。
因此，如果采用本实施方式，能够加厚膜厚度，有利于导电，不易产生断线或短路等问题，并能够形成微细的导电膜配线。
下面，作为配线图形形成装置的一例，说明实施上述配线图形形成方法的配线形成装置。
图4是本实施方式的配线形成装置的概略立体图。如图4所示，配线形成装置100具有，液体喷出头10、用于向X方向驱动液体喷出头10的X方向导向轴2、使X方向导向轴2旋转的X方向驱动电机3、用于放置基板11的载物台4、用于向Y方向驱动载物台4的Y方向导向轴5、使Y方向导向轴5旋转的Y方向驱动电机6、清洗机构部14、加热器15及控制上述各部的控制装置8等。X方向导向轴2及Y方向导向轴5分别固定在基台7上。另外，在图4中，液体喷出头10，相对于基板11的前进方向，呈直角状配置，但也可以调整液体喷出头10的角度，使之与基板11的前进方向形成交差。如此，通过调整液体喷出头10的角度，能够调节喷嘴间的间距。此外，也可以任意调节基板11与喷嘴面的距离。
液体喷出头10，是从喷嘴(喷出口)喷出由含有导电性微粒子的分散液构成的液体材料的喷头，被固定在X方向导向轴2上。X方向驱动电机3是步进电机等，如果从控制装置8发出X轴方向的驱动脉冲信号，则使X方向导向轴2旋转。通过旋转X方向导向轴2，相对于基台7，液体喷出头10向X轴方向移动。
如后述，作为液体的喷出方式，采用压电元件使墨喷出的压电方式、通过加热液体材料生成泡(气泡)而使液体材料喷出的气泡方式等已知的各种方法，都可采用。其中，由于压电方式不加热液体材料，具有不影响材料组成等的优点。
载物台4固定在Y方向导向轴5上，在Y方向导向轴5上连接Y方向驱动电机6、16。Y方向驱动电机6、16是步进电机等，如果从控制装置8发出Y轴方向的驱动脉冲信号，则使Y方向导向轴5旋转。通过Y方向导向轴5的旋转，相对于基台7，载物台4向Y轴方向移动。
清洗机构部14清洗液体喷出头10，以防止喷嘴堵塞。清洗机构部14，在上述清洗中，通过Y方向的驱动电机16，沿Y方向导向轴5移动。
加热器15，采用灯光退火等加热手段，热处理基板11，在蒸发·干燥基板11上的喷出液体的同时，进行用于变换成导电膜的热处理。
在本实施方式的配线形成装置100中，一边从液体喷出头10喷出液体材料，一边借助X方向驱动电机3和/或Y方向驱动电机6，通过使基板11和液体喷出头10相对移动，在基板11上配置液体材料。
液体喷出头10的各喷嘴的液滴的喷出量，由控制装置8根据供给上述压电元件的电压进行控制。
此外，配置在基板11上的液滴的间距，根据上述相对移动速度及从液体喷出头10的喷出频率(对压电元件的驱动电压的频率)进行控制。
此外，在基板11上开始液滴的位置，根据上述相对移动的方向及上述相对移动时从液体喷出头10开始喷出液滴的定时控制等，进行控制。
由此，在基板11上形成上述的配线用的导电膜图形。
实施方式3
作为实施方式3，说明本发明的光电装置的一例即液晶显示装置。图5表示本实施方式的液晶显示装置的第1基板上的信号电极等的平面布置。本实施方式的液晶显示装置由该第1基板、设置扫描电极等的第2基板(未图示)、封入第1基板和第2基板之间的液晶(未图示)概略构成。
如图5所示，在第1基板300上的像素区域303，多重矩阵状设置多个信号电极310…。特别是，各信号电极310…由对应各像素设置的多个像素电极部分310a…和多重矩阵状连接它们的信号配线部分310b…构成，向Y方向延伸。
此外，符号350表示1芯片结构的液晶驱动电路，该液晶驱动电路350和信号配线部分310b…的一端侧(图中下侧)，借助第1绕线配线331…相连接。
此外，符号340…表示上下导通端子，该上下导通端子340…和设在未图示的第2基板上的端子，通过上下导通材341…相连接。此外，上下导通端子340…和液晶驱动电路350借助第2绕线配线332…相连接。
在本实施方式中，分别采用实施方式2的配线形成方法，形成设在上述第1基板300上的信号配线部分310b…、第1绕线配线331…、第2绕线配线332…。
如果采用本实施方式的液晶显示装置，不易产生上述各配线类的断线或短路等缺陷，而且，能够形成可小型化、薄型化的液晶显示装置。
下面，说明本发明的光电装置即液晶显示装置的另一方式。
图6所示的液晶显示装置(光电装置)901，如大致区分，具有彩色液晶面板(光电面板)902、与液晶面板902连接的电路基板903。此外，根据需要，也可在液晶面板902附设背光等照明装置、其他附带装置。
液晶面板902具有一对由密封材904接合的基板905a及基板905b构成，在形成在上述基板905a及基板905b的之间的间隙即单元间隙，封入液晶。这些基板905a及基板905b，一般，由透光性材料，例如玻璃、合成树脂等形成。在基板905a及基板905b的外侧表面，贴附偏光板906a及偏光板906b。另外，在图9中，省略偏光板906b的图示。
此外，在基板905a的内侧表面，形成电极907a，在基板905b的内侧表面，形成电极907b。这些电极907a、电极907b可形成条形状或文字、数字、其他适宜的图形状。此外，这些电极907a、电极907b，由例如ITO(IndiumTin Oxide：铟锡氧化物)等透明型材料形成。基板905a，相对于基板905b，具有伸出的伸出部，在该伸出部形成多个端子908。这些端子908，当在基板905a上形成电极907a时，与电极907a同时形成。因此，这些端子908，例如由ITO形成。在这些端子908中，包括从电极907a一体延伸的端子，及借助导电材(未图示)连接在电极907b的端子。
在电路基板903，在配线基板909上的规定位置，安装作为液晶驱动用IC的半导体元件900。另外，省略图示，但也可以在安装半导体元件900的部位以外的规定部位，安装电阻、电容器、其他芯片部件。配线基板909，例如，通过对形成在具有聚酰亚胺等柔性的基础基板911上Cu等金属膜进行图案形成，形成配线图形912，进行制造。
在本实施方式中，液晶面板902上的电极907a、907b及电路基板903上的配线图形912，利用上述实施方式2的配线形成方法形成。
如果采用本实施方式的液晶显示装置，不易产生上述各配线类的断线或短路等缺陷，而且，能够形成可小型化、薄型化的液晶显示装置。
另外，上述例是无源型的液晶面板，但也可以是有源矩阵型的液晶面板。即，在一方的基板上形成薄膜晶体管(TFT)，相对于各TFT形成像素电极。此外，如上所述，也能够采用喷射技术形成与各TFT电连接的配线(栅极配线、源极配线)。
另外，可在对置的基板上形成对置的电极等。在如此的有源矩阵型的液晶面板中，也能够应用本发明。
实施方式4
作为实施方式4，说明本发明的光电装置的一例即等离子型显示装置。图7表示本实施方式的等离子型显示装置500的分解立体图。
本实施方式的等离子型显示装置500，由相互对置配置的玻璃基板501、玻璃基板502、形成在它们之间的放电显示部510概略构成。放电显示部510集合多个放电室516，在多个放电室516中，以成对构成1像素的方式，配置红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)、蓝色放电室516(B)等3个放电室516。
在上述(玻璃)基板501的上面，按规定间隔，条形状形成地址电极511，以覆盖上述地址电极511和基板501的上面的方式，形成电介质层519，然后，在电介质层519上，在地址电极511、511的之间，沿各地址电极511，形成隔壁515。另外，在隔壁515，在其纵向方向的规定位置，在与地址电极511直交的方向，也按规定的间隔隔开(图示略)，主要是，利用与地址电极511的宽度方向左右两侧邻接的隔壁和向与地址电极511直交的方向延设的隔壁，形成隔开的长方形状的区域。与这些长方形状的区域对应地形成放电室516，这些长方形状的区域成3对，构成1像素。此外，在由隔壁515区分的长方形状的区域的内侧，配置荧光体517。荧光体517是发红、绿、蓝中的任何一种荧光的荧光体，在红色放电室516(R)的底部配置红色荧光体517(R)、在绿色放电室516(G)的底部配置绿色荧光体517(G)、在蓝色放电室516(B)的底部配置蓝色荧光体517(B)。
下面，在上述玻璃基板502侧，与上述地址电极511直交的方向，按规定间隔，以条形状形成多个显示电极512，以覆盖上述显示电极512的方式，形成电介质层513，然后形成由MgO等构成的保护膜514。
此外，以使上述地址电极511…和显示电极512…相互直交的方式，对对置、相互贴合上述基板501和玻璃基板502两块基板，用基板501、隔壁515和形成在玻璃基板502侧的保护膜514围住形成空间，对该空间部分进行排气，封入稀有气体，形成放电室516。另外，对于各放电室516，以各配置两个的方式，形成在玻璃基板502侧形成的显示电极512。
上述地址电极511和显示电极512与未图示的交流电源连接，通过与各电极通电，在所需位置的放电显示部510，使荧光体517激发发光，能够产生彩色显示。
在本实施方式中，上述地址电极511和显示电极512，分别按实施方式2的配线形成方法形成。
如果采用本实施方式的等离子型显示装置，不易产生上述各电极的断线或短路等缺陷，而且，能够形成可小型化、薄型化的等离子型显示装置。
实施方式5
作为实施方式5，说明本发明的非接触型卡介体的实施方式。如图8所示，本实施方式的非接触型卡介体(电子机器)400，在由卡基体402和卡盖418构成的框体内，内设半导体集成电路芯片408和天线电路412，可由未图示的收发信机和电磁波或静电电容耦合的至少一方进行电力供应或数据接受的至少一方。
在本实施方式中，上述天线电路412，采用实施方式2的配线形成方法形成。
如果采用本实施方式的非接触型卡介体，不易产生上述天线电路412的断线或短路等缺陷，而且，能够形成可小型化、薄型化的非接触型卡介体。
实施方式6
作为实施方式6，说明具有电场发射元件(电子发射元件)的光电装置，即电场发射显示器(Field Emission Display，以下简称FED)。
图9是说明FED的图，图9(a)是表示构成FED的阴极和阳极基板的配置的概略构成图，图9(b)是表示FED中的阴极基板具有的驱动电路的模式图，图9(c)是表示阴极基板的主要部位的立体图。
如图9(a)所示，FED(光电装置)200形成对置配置阴极基板200a和阳极基板200b的构成。阴极基板200a，如图9(b)所示，具有栅极线201、发射线202、连接上述栅极线201和发射线202的电场发射元件203，即，形成所谓简单矩阵驱动电路。在栅极线201，能够供给栅极信号V1、V2…Vm，在发射线202，能够供给发射信号W1、W2…Wn。此外，阳极基板200b包括由RGB构成的荧光体，具有利用电子撞击而发光的性质。
如图9(c)所示，电场发射元件203形成具有与发射线202连接的发射电极203a和与栅极线201连接的栅电极203b的构成。此外，发射电极203a具有所谓发射尖端205的突起部，其从发射电极203a侧，朝栅电极203b方向直径逐渐小，在与该发射尖端205对应的位置，在栅电极203b上形成孔部204，在孔部204内，配置发射尖端205的前端。
在如此的FED200中，通过控制栅极线201的栅极信号V1、V2…Vm及发射线202的发射信号W1、W2…Wn，向发射电极203a和栅电极203b的之间供给电压，利用电解作用，从发射尖端205向孔部204移动电子210，从发射尖端205的顶端发射电子210。此时，由于通过该电子210撞击阳极基板200b的荧光体而发光，所以，能够按要求驱动FED200。
在如此构成的FED中，采用上述实施方式2的配线形成方法形成例如发射电极203a或发射线202以及栅电极203b或栅极线201。
如果采用本实施方式的FRD，能够形成不易产生配线断线或短路等缺陷的，而且能够小型化、薄型化的非接触型卡介体。
实施方式7
作为实施方式7，说明本发明的电子机器的具体例。
图10(a)表示一例携带电话的立体图，在图10(a)中，600表示携带电话主体，601表示具有实施方式3的液晶显示装置的液晶显示部。
图10(b)表示一例文字处理机、个人电脑等携带型信息处理装置的立体图，在图10(b)中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入部，703表示信息处理主体，702表示具有实施方式3的液晶显示装置的液晶显示部。
图10(c)表示一例手表型电子机器的立体图。在图10(c)中，800表示手表主体，801表示具有实施方式3的液晶显示装置的液晶显示部。
图10(a)～(c)所示的电子机器，由于具有上述实施方式的液晶显示装置，所以，能够不易产生配线类的断线或短路等缺陷，而且能够小型化、薄型化。
另外，本实施方式的电子机器是具有液晶显示装置的电子机器，但也可以是具有有机电致发光显示装置、等离子型显示装置、FED等、其他光电装置的电子机器。
以上，参照附图说明了本发明的优选实施方式例，当然，本发明并不局限于此。在上述例中示出的各构成部件的诸形状或组合等只是一例，在不脱离本发明宗旨的范围内，可根据设计要求等进行种种变更。
例如，在上述实施方式中，形成相对于能量光的光源即水银灯能摇动基板的构成，但也不局限于此，例如，也可以形成相对于基板摇动水银灯的构成。此外，光源和基板的相对移动方法也不局限于摇动，也可以形成向单一方向的相对移动或相对旋转的构成。此外，也可以形成随移动而变动光源和基板的相对移动速度，或变化基板和光源的高度，如此反复相对移动的构成。另外，关于光源，也不局限于水银灯，只要是能够照射用于使基板表面亲液化的能量光的光源，也可以是利用其他光源的构成。

Claims (10)

1.一种表面处理方法，具有对基板表面实施疏液化处理的工序；以及对上述疏液化处理过的基板表面照射能量光，对上述表面实施亲液化处理的工序，其特征在于，将上述基板表面上的上述能量光的累计照度的偏差控制在20％以下。
2.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，将上述基板表面上的能量光的累计照度的偏差控制在15％以下。
3.如权利要求1或2所述的表面处理方法，其特征在于，相对于上述能量光的光源，边相对移动上述基板边照射上述能量光。
4.如权利要求3所述的表面处理方法，其特征在于，相对于多个排列的上述光源，使上述基板在上述多个光源的排列方向上相对摇动。
5.如权利要求1～4中的任何一项所述的表面处理方法，其特征在于，具有：在上述亲液化处理之前，分别计测上述基板表面的多个部位和上述基板附近的上述能量光的照度的工序；
在上述亲液化处理中，根据上述基板附近的上述能量光的累计照度的计测的结果，控制上述能量光的照射的工序。
6.一种表面处理基板，其特征在于，利用权利要求1～5中的任何一项所述的表面处理方法，实施表面处理。
7.一种光电装置，其特征在于，具有形成在权利要求6所述的表面处理基板上的导电膜配线。
8.一种电子机器，其特征在于，具有权利要求7所述的光电装置。
9.一种表面处理装置，对基板的表面照射能量光，对上述表面实施亲液化处理，其特征在于，具有使上述能量光的光源和上述基板相对摇动的摇动装置。
10.如权利要求9所述的表面处理装置，其特征在于，上述基板，沿多个排列的上述光源的排列方向相对摇动。
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