CN101789436A - 一种图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，其中，所述图像传感器包括：衬底，其上形成有焊盘区、其他电路区和有源像素区；主像素区，形成于所述有源像素区中；钝化层，其仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。其中，所述制造方法包括如下步骤：在衬底上形成焊盘区、其他电路区和有源像素区；在所述有源像素区中形成主像素区；形成钝化层，所述钝化层仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。本发明能够兼顾钝化层，又能减少主像素阵列区在例如彩色滤波器和微透镜的制成中直接暴露。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别涉及传感器领域。
背景技术
图像传感器是从物理接收光信号且将光信号转化为电信号的器件。电信号然后可以被传输用于进一步的处理，诸如数字化，然后再诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储，或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器现在被广泛地用于数字相机、摄像机、打印机、传真机等。
根据元件不同，图像传感器分为电荷藕合器件(CCD，ChargeCoupled Device，电荷耦合元件)传感器和金属氧化物半导体元件(CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor)传感器，两者皆采用感光元件作为影像捕获的基本手段，两者感光元件的核心也都是一个感光二极管(photodiode)，该二极管在接受光线照射之后能够产生输出电流，而电流的强度则与光照的强度对应，因此，图像传感器的灵敏度和光敏器件(如光电二极管)能够捕捉到的入射光息息相关。CCD传感器是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，其优点在于低噪音运转和器件均匀度；CMOS传感器则应用于较低影像品质的产品中，其优点在于制造成本较CCD更低，功耗也低得多，并且其由于高帧能力可以在高速运行。进一步地，所述CMOS传感器分为黑白CMOS图像传感器和彩色CMOS图像传感器。其中，黑白CMOS传感器没有色彩还原度指标，只有灰度没有色彩，而彩色CMOS图像传感器由于带有红外滤色片而导致大约60％光线能量损失，另外由于其每个像素上面都有三色滤色片R/G/B(红光/绿光/蓝光)还会导致大约20％光线能量损失，所以入射光到达其光敏元件组成的像素去大约只有32％左右。由此，本领域技术人员应该理解，黑白CMOS传感器可以使接近100％能量到达像素，所以黑白CMOS传感器较彩色CMOS图像传感器拥有更高的感光度。
在如今的CMOS传感器技术中，顶层钝化层结构与标准CMOS制造流程基本类似。所述顶层钝化层是用于分隔内部电路和外部环境，以防止来自外部环境的诸如湿气、腐蚀性化合物等带来的不利影响。厚度较厚的氮化硅(SiN)层通常用于制造CMOS传感器的钝化层。然而，由于相较与普通绝缘层/介质层(诸如二氧化硅层(SiO2))，氮化硅有较高的光子(Photon)吸收率和折射率，因此，在CMOS传感器中，入射光透过作为钝化层的氮化硅层带来的能够到达光敏器件将不同程度地被减少，这将导致CMOS传感器的灵敏度下降和退化。为了解决上述缺陷，业内对CMOS感应器的钝化层进行了改进。例如，公开号为US2006011813的美国专利申请就揭示了通过在CMOS传感器中完全去除在主像素区顶层的氮化硅钝化层来克服上述缺陷。
具体地，图1示出了现有技术的彩色CMOS图像传感器的部分横截面示意图。如图1所示，彩色CMOS图像传感器包括具有主像素阵列A11的有源像素区A1，所述有源像素区还可以包括伪像素阵列和光学黑区。所述彩色CMOS图像传感器还包括控制电路区B1，其可以包括行驱动器，列驱动器和其他电路，其还可以包括诸如相关双取样器(CDS)、模拟数字转换器(ADC)、数字信号处理器(DPS)和其他与彩色CMOS图像传感器IS的运行有关的其他电路。所述彩色CMOS图像传感器还包括焊盘区C1，在焊盘区C1可以将诸如引线和导电线路的电连接焊接到所述彩色CMOS图像传感器。所述彩色CMOS图像传感器形成于半导体衬底11上。所述彩色CMOS图像传感器包括光敏区21，所述光敏区21包括多个光敏器件，例如n型光电二极管和p型HAD区，其还可以包括隔离区、主像素有源区、基准像素(光学黑)有源区和伪像素有源区。层间介质层31形成于衬底11和光敏区21上方，所述层间介质层31包括第一层间介质层311、在所述第一层间介质层311上方的第二层间介质层312和在第二层间介质层312上方的第三层间介质层313。第一互连线形成于所述第一层间介质层311上方，第二互连线形成于所述第二层间介质层312上方。所述第一互连线包括有源像素阵列区A中的第一部分411a和在控制电路区B中的第二部分411b，所述第二互连线包括有源像素阵列区A1中的第二部分412a和在控制电路区B中的第二部分412b。由例如氮化硅制成的钝化层71形成于层间介质层31上方，需要说明的是，所述钝化层71和所述层间介质层31之间还可以存在连接层(例如由铝导线制成的铝导线)，所述连接层还可以进一步地包括光阻挡层和焊盘部分。其中，所述钝化层71不存在于有源像素阵列区A1的主像素阵列区A11中，其可以部分地存在于有源像素阵列区A1的其它部分中(未示出)。所述钝化层71还可以部分地存在于焊盘区C1中，其不存在于焊盘区C1的实际焊接区中(未示出)。彩色滤光器区51在有源像素阵列区A1中的其它部分和控制电路区B1中形成于钝化层71上方，在有源像素阵列区A1中的主像素阵列区A11中形成于第三层间介质层313上方，其中，所述主像素阵列区A11中的所述第三层间介质层313和所述彩色滤光器区51之间还可以包括绝缘层(未示出)。具体地，所述彩色滤光器区51可以包括红外滤光器、红光滤光器、绿光滤光器、蓝光滤光器等。平化层81形成于彩色滤光器区51上方。微透镜61在有源像素阵列区A1中存在于所述平化层81上方。
通过避免在有源像素阵列区中形成钝化层，上述彩色CMOS图像传感器虽然可以避免其主像素阵列区由于钝化层对入射光的吸收和折射而减少的光子，从而提高其灵敏度，但是，本领域技术人员可以理解，由于所述主像素阵列区没有钝化层的保护，其将不可避免地受到诸如雾气和腐蚀性化合物等有害物质的侵害(例如，在彩色滤波器和微透镜的制成中)。
综上所述，业内需要一种既兼顾钝化层功能，又能减少主像素阵列区在例如彩色滤波器和微透镜的制成中直接暴露的图像传感器，本发明正是基于此提出的。
发明内容
为了解决上述缺陷，本发明提供一种图像传感器及其制造方法，可以有效地防止图像传感器受到有害物质的侵害并提高其灵敏度。
本发明的第一方面，提供了一种图像传感器，其中，包括：
衬底，其上形成有焊盘区、其他电路区和有源像素区；
主像素区，形成于所述有源像素区中；
钝化层，其仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。
本发明的第二方面，提供了一种图像传感器的制造方法，其中，包括如下步骤：
A.在衬底上形成焊盘区、其他电路区和有源像素区；
B.在所述有源像素区中形成主像素区；
C.形成钝化层，所述钝化层仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。
采用本发明提供的图像传感器及其制造方法，能够有效地保护图像传感器不受有害物质的侵害，并能够有效地提高其灵敏度。
附图说明
通过阅读以下参照附图所作的对非限制性实施例的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
图1是现有技术的彩色CMOS图像传感器的部分横截面示意图；
图2a是根据本发明的一个具体实施例的图像传感器的部分横截面示意图；
图2b是根据图2a所示的具体实施例的一个变化实施例的图像传感器的部分横截面示意图；
图2c是根据图2a所示的具体实施例的又一变化实施例的图像传感器的部分横截面示意图；
图3是根据本发明的一个具体实施例的制造图像传感器的步骤流程图；
图4a～图4c是根据本发明的一个具体实施例的制造图像传感器的步骤S3的工艺流程图；
图5a～图5d是根据图4a～图4c所示的具体实施例的一个变化实施例的制造图像传感器的步骤S3的工艺流程图；
图6a、图6b是根据图4a～图4c所示的具体实施例的又一变化实施例的制造图像传感器的步骤S3的工艺流程图。
附图中，相同或者相似的附图标识代表相同或者相似的部件。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
图2a示出了根据本发明的一个具体实施例的图像传感器的部分横截面示意图。如图2所示，本发明的第一方面提供了一种图像传感器，其中，包括：
衬底12，在所述衬底12上形成了焊盘区C2、其他电路区B2和有源像素区A2；
主像素区A21，形成于所述有源像素区A2；
钝化层，所述钝化层仅存在于所述其他电路区B2和所述主像素区A21中。
具体地，所述有源像素区A2还可以包括伪像素阵列和光学黑区。所述其他电路区B2可以包括行驱动器，列驱动器和其他电路，其还可以包括诸如相关双取样器(CDS)、模拟数字转换器(ADC)、数字信号处理器(DPS)和其他与图像传感器IS的运行有关的其他电路。所述焊盘区C2可以将诸如引线和导电线路的电连接焊接到所述图像传感器。
进一步地，本发明第一方面提供的图像传感器的有源像素区A2还包括光敏区22，其中，所述光敏区22可以包括多个光敏器件，例如n/p型光电二极管和n/p型HAD(Hole-Accumulation Diode)区。所述有源像素区A2还可以包括隔离区、主像素有源区、基准像素(光学黑)有源区和伪像素有源区等。层间介质层32形成于衬底12和光敏区22上方，所述层间介质层32包括第一层间介质层321、在所述第一层间介质层321上方的第二层间介质层322和在所述第二层间介质层322上方的第三层间介质层323。第一互连线形成于所述第一层间介质层321上方，第二互连线形成于所述第二层间介质层322上方。其中，所述第一互连线可以包括有源像素区A2中的第一部分421a和在控制电路区B2中的第二部分421b，所述第二互连线包括有源像素区A2中的第二部分422a和在控制电路区B2中的第二部分422b。其中，钝化层形成于层间介质层32上方。需要说明的是，所述钝化层和所述层间介质层32之间还可以存在连接层(未示出)，所述连接层可以由诸如铝导线制成，所述连接层还可以进一步地包括光阻挡层和焊盘部分。
进一步地，所述钝化层可以包括第一钝化层721和第二钝化层722，其中，所述第一钝化层721形成于所述其他电路区B2中，所述第二钝化层722形成于所述其他电路区B2和所述主像素区A21中。
更进一步地，所述第二钝化层722覆盖所述第一钝化层721。
具体地，其中，所述第一钝化层721仅存在于图像传感器的其他电路区B2，也可以存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)，而并不会存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21和焊盘区C2。所述第二钝化层722存在于图像传感器的其他电路区B2和有源像素区A2的主像素区A21，也可以存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)，而并不会存在图像传感器的焊盘区C2。
此外，所述图像传感器还包括彩色滤光器区52、平化层82和微透镜62。其中，所述彩色滤光器区52形成于钝化层的上方，具体地，所述彩色滤光器区52可以包括红外滤光器、红光滤光器、绿光滤光器、蓝光滤光器等。平化层82形成于彩色滤光器区52上方。微透镜62在有源像素区A2中存在于所述平化层82上方。v特别地，所述第一钝化层721的厚度的取值范围为
所述第二钝化层722的厚度的取值范围为
特别地，所述第一钝化层721包括氮化硅，所述第二钝化层722包括氮化硅或氮氧化硅。
根据图2a所示的具体实施例的一个变化例，还可以省略部分第二钝化层722。具体地，如2b所示，所述第一钝化层721仅存在于图像传感器的其他电路区B2中，而并不会存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21和焊盘区C2，也不存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)。所述第二钝化层722存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21，而并不会存在图像传感器的其他电路区B2和焊盘区C2中，也不存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)。
需要说明的是，在上述变化例中，其他物理层/区域的位置和定义与在图2a所示的CMOS传感器中的上述物理层/区域保持一致，因此，在此不再赘述。其中，所述其他物理层/区域包括但不限于有源像素区A2、主像素区A21、其他电路区B2、焊盘区C2、衬底12、光敏区22、层间介质层32、第一层间介质层321、第二层间介质层322、第三层间介质层323、第一互连线的第一部分421a和第二部分421b、第二互连线的第一部分422a和第二部分422b、彩色滤光器区52、平化层82和微透镜62。
根据图2a所示的具体实施例的又一变化例，还可以省略第一钝化层721。具体地，如图2c所示，第二钝化层722存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21和其他电路去B2，也可以存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分中(非必须)。
需要说明的是，在上述变化例中，其他物理层/区域的位置和定义与在图2a所示的CMOS传感器中的上述物理层/区域保持一致，因此，在此不再赘述。其中，所述其他物理层/区域包括但不限于有源像素区A2、主像素区A21、其他电路区B2、焊盘区C2、衬底12、光敏区22、层间介质层32、第一层间介质层321、第二层间介质层322、第三层间介质层323、第一互连线的第一部分421a和第二部分421b、第二互连线的第一部分422a和第二部分422b、彩色滤光器区52、平化层82和微透镜62。
特别地，所述图像传感器是CMOS图像传感器。更特别地，所述CMOS传感器是彩色CMOS图像传感器。
图3示出了根据本发明的一个具体实施例的制造图像传感器的步骤流程图。参照图3，本发明第二方面提供了一种图像传感器的制造方法，其中，包括如下步骤：
首先，在步骤S1中，在衬底上形成焊盘区、其他电路区和有源像素区；
然后，在步骤S2中，在所述有源像素区中形成主像素区；
最后，在步骤S3中，形成钝化层，所述钝化层仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。
图4a～图4c示出了根据本发明的一个具体实施例的制造图像传感器的步骤S3的工艺流程图，进一步地，在本实施例中，所述步骤S3还包括如下步骤：
首先，参照图4a，在所述图像传感器的有源像素区A2(其包括主像素区A21)、其他电路区B2、焊盘区C2中形成第一钝化层721。
然后，参照图4a，在有源像素区A2的其他部分、其他电路区B2和焊盘区C2中设置第一光刻胶层921，其中，所述第一光刻胶层921是用于作为掩膜层的，并以第一光刻胶层921为掩膜去除所述主像素区A21中的所述第一钝化层721，并去除剩余的所述第一光刻胶层921。
接着，参照图4b，在所述图像传感器上形成第二钝化层722。
最后，参照图4b，在所述图像传感器的有源像素区A2和其他电路区B2中设置第二光刻胶层922，其中，所述第二光刻胶层922是用于形成掩膜层的，并以所述第二光刻胶层922为掩膜去除所述焊盘区C2中的第一钝化层和721第二钝化层722，并去除剩余的所述第二光刻胶层922，之后形成如附图4c所示的钝化层，其中，所述第一钝化层721仅存在于图像传感器的其他电路区B2，也可以存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)，而并不会存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21和焊盘区C2。所述第二钝化层722存在于图像传感器的其他电路区B2和有源像素区A2的主像素区A21，也可以存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)，而并不会存在图像传感器的焊盘区C2。
需要说明的是，由于本实施例提供的上述图像传感器中的其他物理层/区域的制造均和现有技术的标准CMOS制造工艺一致，在此不再赘述。其中，所述其他物理层/区域包括但不限于有源像素区A2、主像素区A21、其他电路区B2、焊盘区C2、衬底12、光敏区22、层间介质层32、第一层间介质层321、第二层间介质层322、第三层间介质层323、第一互连线的第一部分421a和第二部分421b、第二互连线的第一部分422a和第二部分422b、彩色滤光器区52、平化层82和微透镜62。
根据图4a～图4c所示的具体实施例的一个变化例，还可以省略部分第二钝化层722。具体地，图5a～图5d是根据图4a～图4c所示的具体实施例的一个变化实施例的制造图像传感器的步骤S3的工艺流程图，进一步地，在本变化例中，所述步骤S3还包括如下步骤：
首先，参照图5a，在所述图像传感器的有源像素区A2(其包括主像素区A21)、其他电路区B2、焊盘区C2中形成第一钝化层721。
然后，参照图5a，在有源像素区A2的其他部分、其他电路区B2和焊盘区C2中设置光刻胶层921，其中，所述第一光刻胶层921是用于作为掩膜层的，并以第一光刻胶层921为掩膜去除所述主像素区A21中的所述第一钝化层721，并去除剩余的所述第一光刻胶层921。
接着，参照图5b，在所述图像传感器上形成第二钝化层722。
然后，参照图5b，在所述图像传感器的有源像素区A2和其他电路区B2中设置第二光刻胶层922，其中，所述第二光刻胶层922是用于形成掩膜层的，并以所述第二光刻胶层922为掩膜去除所述焊盘区C2中的第一钝化层721和第二钝化层722，且去除剩余的所述第二光刻胶层922。然后，如图5c所示，在所述图像传感器的主像素区A21和其他焊盘区C2中设置第三光刻胶层923，其中，所述第三光刻胶层923是用于形成掩膜层的，并以所述第三光刻胶层923为掩膜去除所述有源像素区A2的其他部分和其他电路区B2中的第二钝化层722，然后去除剩余的所述第三光刻胶层923，之后形成如附图5d所示的钝化层，其中，所述第一钝化层721仅存在于图像传感器的其他电路区B2，而并不会存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21和焊盘区C2，也不存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)。所述第二钝化层722存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21，而并不会存在图像传感器的焊盘区C2，也不存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分(非必须)。
需要说明的是，由于本变化例提供的上述图像传感器中的其他物理层/区域的制造均和现有技术的标准CMOS制造工艺一致，在此不再赘述。其中，所述其他物理层/区域包括但不限于有源像素区A2、主像素区A21、其他电路区B2、焊盘区C2、衬底12、光敏区22、层间介质层32、第一层间介质层321、第二层间介质层322、第三层间介质层323、第一互连线的第一部分421a和第二部分421b、第二互连线的第一部分422a和第二部分422b、彩色滤光器区52、平化层82和微透镜62。
根据图4a～4c所示的具体实施例的又一变化例，还可以省略第一钝化层721。具体地，图6a～图6b是根据图4a～图4c所示的具体实施例的又一变化实施例的制造图像传感器的步骤S3的工艺流程图，进一步地，在本变化例中，所述步骤S3还包括如下步骤：
首先，参照图6a，在所述图像传感器的有源像素区A2(其包括主像素区A21)、其他电路区B2、焊盘区C2中形成第二钝化层722。。
然后，参照图6a，在有源像素区A2和其他电路区B2中设置第一光刻胶层921，其中，所述第一光刻胶层921是用于作为掩膜层的，并以第一光刻胶层921为掩膜去除所述焊盘区中的所述第二钝化层722，然后去除剩余的所述第一光刻胶层921，之后形成如附图6b所示的钝化层，第二钝化层722存在于图像传感器的有源像素区A2的主像素区A21和其他电路去B2，也可以存在于图像传感器的有源像素区A2的其他部分中(非必须)。
需要说明的是，由于本变化例提供的上述图像传感器中的其他物理层/区域的制造均和现有技术的标准CMOS制造工艺一致，在此不再赘述。其中，所述其他物理层/区域包括但不限于有源像素区A2、主像素区A21、其他电路区B2、焊盘区C2、衬底12、光敏区22、层间介质层32、第一层间介质层321、第二层间介质层322、第三层间介质层323、第一互连线的第一部分421a和第二部分421b、第二互连线的第一部分422a和第二部分422b、彩色滤光器区52、平化层82和微透镜62。
特别地，所述第一钝化层的厚度的取值范围为
所述第二钝化层的厚度的取值范围为
特别地，所述第一钝化层包括氮化硅，所述第二钝化层包括氮化硅或氮氧化硅。
特别地，所述第一钝化层721和第二钝化层722的形成采用的是化学气相淀积，更特别地，所述化学气相淀积包括等离子体增强化学气相沉积。
特别地，所述去除所述主像素区A21中的所述第一钝化层722、所述去除所述焊盘区C2中的所述第一钝化层721、去除所述焊盘区C2中的所述第二钝化层722以及去除其他电路区B2中的所述第二钝化层722采用的是刻蚀。
特别地，所述图像传感器是CMOS图像传感器。更特别地，所述CMOS图像传感器是彩色CMOS图像传感器。
需要说明的是，由于彩色CMOS图像传感器感光度低的特殊性，现有技术尚未出现在所述彩色CMOS图像传感器的主像素区制作钝化层的技术，本发明提供的彩色CMOS图像传感器填补了技术空白，使其不仅能够避免来自外部的湿气、腐蚀性化合物等带来的不利影响，还能够使其拥有更高的灵敏度。
还需要说明的是，形成本发明提供的彩色CMOS图像传感器的钝化层采用的氮氧化硅相较于传统的氮化硅，有较低的光子吸收率和折射率，因此采用氮氧化硅作为钝化层的本发明的优选实施例提供的彩色CMOS传感器的灵敏度更高。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在所附权利要求的范围内做出各种变形或修改。
Claims (24)
1.一种图像传感器，其中，包括：
衬底，其上形成有焊盘区、其他电路区和有源像素区；
主像素区，形成于所述有源像素区中；
钝化层，其仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，其中，所述第一钝化层形成于所述其他电路区中，所述第二钝化层形成于所述主像素区中。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于：所述第二钝化层还形成于所述其他电路区中。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第二钝化层覆盖所述第一钝化层。
5.如权利要求2至4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第一钝化层的厚度的取值范围为
6.如权利要求2至4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第二钝化层的厚度的取值范围为
7.如权利要求2至4中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第一钝化层包括氮化硅。
8.如权利要求2至4中任一项任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅或氮氧化硅。
9.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述图像传感器为CMOS图像传感器。
10.如权利要求9所述的图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器为彩色CMOS图像传感器。
11.一种图像传感器的制造方法，其中，包括如下步骤：
A.在衬底上形成焊盘区、其他电路区和有源像素区；
B.在所述有源像素区中形成主像素区；
C.形成钝化层，所述钝化层仅存在于所述其他电路区和所述主像素区中。
12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述步骤C包括如下步骤：
C3.在所述焊盘区、其他电路区和有源像素区中形成第二钝化层；
C4.去除所述焊盘区中的所述第二钝化层。
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤C中，且在所述步骤C3之前还包括如下步骤：
C1.在所述焊盘区、其他电路区和有源像素区中形成第一钝化层；
C2.去除所述主像素区中的所述第一钝化层；
其中，所述步骤C4还包括：
-去除所述焊盘区中的所述第一钝化层。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述步骤C4还包括如下步骤：
-去除其他电路区中的所述第二钝化层。
15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度的取值范围为
16.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层的厚度的取值范围为
17.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层和第二钝化层的形成采用的是化学气相淀积。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述化学气相淀积包括等离子体增强化学气相沉积。
19.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述主像素区中的所述第一钝化层、所述去除所述焊盘区中的所述第一钝化层、去除所述焊盘区中的所述第二钝化层以及去除其他电路区中的所述第二钝化层采用的是刻蚀。
20.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀包括干法刻蚀。
21.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层包括氮化硅。
22.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅或氮氧化硅。
23.如权利要求11所述的图像传感器，其特征在于：所述图像传感器为CMOS图像传感器。
24.如权利要求23所述的图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器为彩色CMOS图像传感器。
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