CN1697578A - 有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种有机电致发光器件。在该有机电致发光器件中，第一电极和第二电极彼此相对并以预定间隔互相分开放置，并且包括用于再现图像的子像素。阵列元件形成在第一基板的各子像素中，并且包括至少一个TFT。有机电致发光二极管形成在第二基板的各子像素中。用金属部分覆盖的衬垫料用于电连接第一和第二基板。TFT的漏极和有机电致发光二极管的第一电极(阳极)通过用金属部分覆盖的衬垫料被电连接。
Description
本申请要求享有2004年5月10日在韩国递交的申请号为P2004-32578的申请的权益，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制造方法，特别是涉及一种将多晶硅(p-Si)TFT用作驱动元件的有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术
在平板显示器件领域中，液晶显示器件(LCD)由于其重量轻和能耗低被广泛使用。然而，LCD是不发光显示器件并且在亮度、对比度、视角和屏幕尺寸方面具有技术局限性。因此，能够克服这些缺点的新型平板显示器件已经被积极开发。
一种新型平板显示器件是有机电致发光器件(OELD)。因为OELD是自发光显示器件，与LCD相比其具有高对比度和宽视角。而且，因为OELD不需要背光组件，所以其重量轻并且外形薄。此外，OELD可以减少能耗。
另外，OELD能够以低DC(直流)电压驱动并且响应速度快。因为OELD的所有部件由固体材料形成，所以其可耐外部冲击。其也可以在宽的温度范围内使用并且能够以低成本制造。
具体地说，通过沉积工序和封装工序可以容易地制造OELD。因此，OELD的制造方法和制造设备比LCD或PDP的制造方法和设备简单。
如果以有源矩阵型驱动OELD，即使施加低电流时也可以获得均匀亮度。因此，OELD具有低能耗、高清晰度和大尺寸屏幕的优点。
现在将参照附图描述有源矩阵型OELD(AMOELD)的基本结构和操作特性。
图1示出了现有技术AMOELD的基本像素结构的电路图。
参照图1，栅线(GL)2形成在第一方向上，并且数据线(DL)3和电源线(VDD)4形成在与第一方向交叉的第二方向上以限定各子像素区域。
用作寻址元件(addressing element)的开关TFT5形成在栅线和数据线2和3的各交叉点处。存储电容(CST)6连接到开关TFT5和电源线4。用作电流源元件的驱动TFT 7连接到存储电容(CST)6和电源线4。有机电致发光二极管8连接到驱动TFT7。
当正向电流施加到有机发光材料时，电子和空穴移动通过位于作为空穴施主的阳极与作为电子施主的阴极之间的P-N结而复合。因此，有机电致发光二极管8的能量变得比当电子从空穴分离时产生的能量小。此时，由于能量差而发光。
即，AMOELD的各子像素包括开关TFT5和驱动TFT7。开关TFT5寻址为栅驱动电压的像素电压，并且驱动TFT7控制AMOELD的驱动电流。而且，还有用于稳定地保持像素电压的存储电容6。
OELD依据从有机电致发光二极管发出的光的传播方向可以分为顶部发光型和底部发光型。
在AMOELD中使用的TFT依据用作有源沟道的半导体薄膜的状态分为非晶硅(a-Si)TFT和多晶硅(p-Si)TFT。近年来，已经花费很多努力来将具有高场效应迁移率的p-Si TFT应用到AMOELD。
图1示出了使用p-Si TFT的AMOELD的电路图。如图1所示，因为TFT是p型TFT，有机电致发光二极管8的阳极连接到驱动TFT7的漏极D并且电源线4连接到驱动TFT7的源极S。
图2示出了现有技术底部发光型AMOELD的示意性截而图。如图2所示，第一基板10和第二基板30彼此相对地放置。第一和第二基板10和30的边缘部分由密封图案40密封。TFT T形成在第一基板10的透明基板1上的子像素单元中。第一电极12连接到TFT T。有机电致发光层14形成在TFT T和第一电极12上并且对应于第一电极12设置。有机电致发光层14包括显示红、绿和蓝颜色的发光材料。第二电极16形成在有机电致发光层14上。
第一电极12和第二电极16用作将电场施加到有机电致发光层14上。
由于密封图案40，第二电极16和第二基板30彼此相隔预定距离放置。因此，可以在第二基板30的内表面进一步设置吸收剂(未示出)和半透明胶带(未示出)。吸收剂吸收从AMOELD外面进入的湿气，并且半透明胶带将吸收剂粘附在第二基板30上。
在底部发光型结构中，当第一电极12和第二电极16分别是阳极和阴极时，第一电极12由透明导电材料形成并且第二电极16由具有低功函的金属形成。在这种情况下，有机电致发光层14包括空穴注入层14a、空穴传输层14b、发光层14c、以及电子传输层14d，上述各层顺序形成在与第一电极12接触的层上。发光层14c在子像素中具有红、绿和蓝的滤色片。
图3示出了图2所示的底部发光型AMOELD的一个子像素区域的放大截面图。如图3所示，p-Si TFT区域包括顺序形成在透明基板1上的半导体层62、栅极68、以及源极/漏极80和82。源极/漏极80和82分别连接到形成在电源线(未示出)中的电源电极72和有机电致发光二极管E。
存储电容区域包括电源电极72、设置在电源电极72下方的电容电极64、以及夹在电源电极72与电容电极64之间的电介质。
形成在p-Si TFT区域和存储电容区域中的、除有机电致发光二极管E之外的元件构成阵列元件A。
有机电致发光二极管E包括第一电极12、与第一电极12相对的第二电极16、以及夹在第一和第二电极12和16之间的有机电致发光层14。有机电致发光二极管E设置在向外发射其自发光的光的发光区域中。
如图1所示，电连接到漏极82的第一电极12是由氧化铟锡(ITO)制成的阳极，并且第二电极16是由具有低功函的例如Al(铝)的金属形成的阴极。在现有技术OELD中，阵列元件A和有机电致发光二极管E层叠在相同基板上。
然而，在底部发光型OELD中，电流补偿电路用于解决具有p-Si TFT的阵列元件的电流不均匀性，并因而在一个像素中设置四个TFT。因此，对于小尺寸显示器件难以保证足够的孔径比。
而且，通过将形成有阵列元件和有机电致发光二极管的基板粘接到用于封装的单独基板上来制造底部发光型OELD。在这种情况下，OELD的产量由阵列元件的产量与有机电致发光二极管的产量的乘积来决定。整个工序产量被后一个工序大大限制，即形成有机电致发光二极管的工序。例如，即使形成良好的阵列元件，如果在使用厚度为大约1000的薄膜形成有机电致发光层时，杂质粒子或其他因素导致缺陷，相应的OELD也是有缺陷的。因此，出现了在无缺陷阵列元件的制造中花费的费用和材料成本，导致产量的减少。
发明内容
本发明提供了一种能达到简单和稳定操作的OELD及其制造方法，其中阵列元件和有机电致发光二极管形成在不同基板中，用于驱动各像素的驱动TFT是p-Si TFT，有机电致发光二极管的第一电极(阳极)连接到驱动TFT的漏极，并且不需要透明第二电极(阴极)。
仅作为介绍，在一方面，一种有机电致发光器件包括：彼此相对并且彼此相距预定间隔放置的第一和第二基板；形成在第一基板上的阵列元件，其中阵列元件包括TFT；形成在第二基板上的有机电致发光二极管；以及用于电连接TFT的漏极和有机电致发光二极管的第一电极的用导体覆盖的衬垫料。
在另一方面，该有机电致发光器件包括非倒置有机电致发光二极管结构、晶体管、以及提供晶体管的漏极与金属之间的接触的导体。金属接触有机电致发光二极管的阳极，并且与形成有机电致发光二极管的阴极的金属一样。
在又一个方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制造方法。该方法包括：在第一基板上形成包括TFT的阵列元件；在第二基板上形成有机电致发光二极管；以及使用由导体覆盖的衬垫料电连接TFT的漏极和有机电致发光二极管的第一电极。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。
附图说明
本申请所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并且包括在该申请中并且作为本申请的一部分，示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1示出了现有技术AMOELD的基本像素结构的电路图；
图2示出了现有技术底部发光型AMOELD的示意性截面图；
图3示出了图2所示的底部发光型AMOELD的一个子像素区域的放大截面图；
图4示出了双板型OELD的示意性截面图；
图5示出了根据本发明实施方式的OELD的示意性截面图；
图6示出了图5所示OELD的上基板的平面图；以及
图7A至图7F示出了图5所示的OELD的制造过程的截面图。
具体实施方式
现在要详细说明本发明的最佳实施方式，所述实施方式的实施例示于附图中。在可能的情况下，所有附图都用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
在描述本发明之前，要说明双板型OELD。图4示出了双板型OELD的示意性截面图。为了描述简便，图4仅示出了两个相邻的子像素区域。
参照图4，第一基板110和第二基板130彼此相距预定间隔放置。阵列元件A形成在第一基板110的透明基板100的上表面上，并且有机电致发光二极管E形成在第二基板130的透明基板101的下表面上。第一基板110和第二基板130的边缘部分由密封图案(未示出)密封。
有机电致发光二极管包括被用作公共电极的第一电极132，设置在子像素之间的边界部分并在第一电极132的下表面上的缓冲133和分隔体134，形成在对应于缓冲133的区域内并在第一电极132的下表面上的有机电致发光层136，以及形成在有机电致发光层136的下表面上并由分隔体134分开的第二电极138。
有机电致发光层136包括顺序层叠在第一电极132的下表面上的第一载流子传输层136a，发光层136b，以及第二载流子传输层136c。第一载流子传输层136a和第二载流子传输层136c将电子或空穴传输/注入到发光层136b中。
依据阳极和阴极的排列结构决定第一和第二载流子传输层136a和136c。例如，当发光层136b由聚合物制成并且第一和第二电极132和138分别是阳极和阴极时，连接到第一电极132的第一载流子传输层136a包括顺序层叠在其中的空穴注入层和空穴传输层，并且连接到第二电极138的第二载流子传输层136c包括顺序层叠在其中的电子注入层和电子传输层。
阵列元件A包括p-Si TFT T。为了将电流提供到有机电致发光二极管E，柱状衬垫料114连接第二电极138和TFT T的方式设置在各子像素中，并且金属部分113形成在衬垫料114的外表面上并电连接到TFT T的漏极112。
与LCD的普通衬垫料所不同，衬垫料114主要目的是连接第一和第二基板110和130，而不是保持盒间隙。衬垫料114夹在基板110和130之间并具有对应于基板110与130之间的间隔的预定高度。
现在将详细描述衬垫料114与TFT T之间的连接结构。形成保护层124以具有漏极接触孔，通过该漏极接触孔，漏极112被部分暴露至覆盖TFT T的区域，并且通过漏极接触孔连接到漏极的金属部分113形成在保护层124的上表面上，并以该方式覆盖衬垫料114。因此，TFT T电连接到在第二基板130中形成的有机电致发光二极管E。
TFT T相当于连接到有机电致发光二极管E的驱动p-Si TFT。金属部分113由导电材料制成，优选的是由具有低电阻率的韧性金属材料制成。
上述结构的双板型OELD具有顶部发光结构，其中光从有机电致发光层136发出，射向第二基板130的上面。
虽然图4中未示出，阵列元件A还包括栅线，与栅线交叉并以预定间隔相互分离设置的数据线和电源线，设置在栅线和数据线相互交叉的位置上的开关TFT，以及存储电容。
与阵列元件和有机电致发光二极管形成在相同基板上的现有OELD所不同，双板型OELD具有如上所述的阵列元件A和有机电致发光二极管E形成在不同基板上(即，第一基板110和第二基板130)的结构。因此，与现有OELD相比，双板型OELD的优点在于阵列元件A的产量不受有机电致发光二极管E的影响。
而且，当具有上述结构的顶部发光型体现为屏幕时，可以不考虑孔径比而设计TFT。因此，可以提高阵列元件的工序效率，并且可以提供高孔径比和高分辨率。而且，因为有机电致发光二极管以双板型形成，可以有效地隔离外部空气并因而可以提高OELD的稳定性。
而且，因为TFT和有机电致发光二极管形成在不同基板上，可以获得充分的TFT排列的自由度。而且，因为有机电致发光二极管的第一电极形成在透明基板上，与第一电极形成在阵列元件上的现有结构相比，可以增加第一电极的自由度。
然而，因为p-Si TFT通常是如参照图1描述的p型TFT，为了操作稳定，驱动TFT T的漏极112电连接到有机电致发光二极管E的阳极电极。
因此，当第一电极132是ITO阳极电极并且第二电极138是由具有低功函的例如Al的金属制成的阴极电极时，驱动TFT T的漏极112电连接到有机电致发光二极管E的阴极。因此，进行稳定操作是困难的。
为了解决这个问题，提出了一种使用倒置EL结构的方法，其中第一电极(阳极)132和第二电极(阴极)138在位置上互相交换。然而，在这种方法中，透明阴极膜用于顶部发光结构。而且，当使用等离子沉积法沉积透明阴极膜时，有机电致发光层136可能被不期望地损坏。
图5示出了根据本发明实施方式的OELD的示意性截面图。为了描述简便，图5仅示出了OELD的两个相邻子像素。图6示出了图5所示的OELD的上基板的平面图。为了描述简便，图6仅示出了OELD的一个子像素区域。
图5所示的OELD与图4所示的双板型OELD相似，并因此在图4和图5中使用相同的附图标记表示相同的部件。OELD的第一基板110具有与图4所示的双板型OELD的第一基板110相同的结构。然而，第一电极(阳极)532、第二电极(阴极)538、缓冲533、以及分隔体534与图4所示的双板型OELD的第二基板130中的那些不一样地形成在第二基板530中。在图5的OELD中，设置在第一基板110中的p型驱动TFT T的漏极112电连接到形成在第二基板530中的有机电致发光二极管E的阳极(即，第一电极532)，并且对于顶部发光型，有机电致发光二极管E的阴极(即，第二电极538)不需要是透明的。即，当以传统EL结构而不是以倒置EL结构层叠有机电致发光二极管E时，可以使用顶部发光型OELD。
在传统EL结构中，第一电极(阳极)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、以及第二电极(阴极)顺序层叠在第二基板上。在倒置EL结构中，第二电极(阴极)、电子传输层(ETL)、发光层(EML)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、以及第一电极(阳极)顺序层叠在第二基板上。
为了解决上述OELD的不稳定性，提出了倒置EL结构，但存在有机发光层与阳极之间的界面易于被损坏并且影响OELD的问题。
为了解决这些问题，在保持传统EL结构的同时，有机电致发光二极管的第一电极(阳极)532电连接到在第一基板11O中形成的驱动TFT T的漏极112，从而达到稳定的顶部发光。在此，驱动TFT T是p型p-Si TFT。
参照图5和图6，有机电致发光二极管E的第一电极(阳极)532形成在各子像素的第二基板530的透明基板501的下表面上。缓冲533形成在第一电极532的边缘部分B中和第一电极532上给定区域C中，即，接触被在第一基板110上形成的金属部分113所覆盖的衬垫料114的部分的外部区域。分隔体534形成在缓冲533的下表面上。
在此，缓冲533用作分隔各子像素区域并限定形成有机电致发光层536的区域。即，缓冲533限定各子像素区域并且有机电致发光层536仅形成在限定的子像素区域中。
在此，有机电致发光层536不形成在由缓冲533和分隔体534包围的子像素的区域中。有机电致发光层536包括顺序层叠在第一电极532的下表面上的空穴传输层536a、发光层536b、以及电子传输层536c。空穴传输层536a和电子传输层536c将电子或空穴传输/注入到发光层536b中。连接到第一电极(阳极)532的空穴传输层536a包括顺序层叠在其中的空穴注入层和空穴传输层，并且连接到第二电极538的电子传输层536c包括顺序层叠在其中的电子注入层和电子传输层。
有机电致发光层536仅形成在限定的子像素区域中，并且第二电极(阴极)538形成在有机电致发光层536的下表面上。在此，第二电极(阴极)538用作公共电极。第一电极(阳极)532形成在各子像素中并用作像素电极。
因为有机电致发光层536不形成在由缓冲533和分隔体534包围的子像素的区域中，即与用金属部分113覆盖的衬垫料114接触的部分，所以第一电极532和第二电极538被连接。
在第一基板110形成中的阵列元件A包括p-Si TFT T。为了将电流提供到有机电致发光二极管E，在各子像素中设置有柱状衬垫料114以连接有机电致发光二极管E和TFT T，并且金属部分113形成在衬垫料114的外表面上并电连接到TFT T的漏极112。即，形成金属部分113以覆盖衬垫料114并且衬垫料114通过第二电极(阴极)538与第一电极(阳极)532接触。因此，TFTT的漏极112可以电连接到有机电致发光二极管E的第一电极(阳极)532。
因此，可以构造第二基板530以便有机电致发光二极管的第一电极(阳极)532电连接到形成在第一基板110中的驱动TFT T的漏极112，同时保持传统EL结构，从而达到稳定的顶部发光方法。在此，驱动TFT T是p型p-Si TFT。
图7A至图7F示出了图5所示的OELD的制造过程的截面图。首先参照图7A，通过在透明基板上形成缓冲层，在缓冲层上形成半导体层和电容电极，在半导体层上形成栅极和源极/漏极(即，TFT)，并且在电容电极上形成连接到源极的电源电极而在第一基板110上形成阵列元件A。包括驱动TFT T的多个TFT可以形成在各子像素中，并且TFT可以是p型p-Si TFT。之后，用金属部分113覆盖的衬垫料114可以形成为用于电连接第一基板和第二基板的电连接图案。
参照图7B，对有机电致发光二极管的第一电极(阳极)532进行构图并将其形成在各子像素中第二基板的透明基板501上。第一电极532由透明导电材料制成，优选的是由ITO制成。
参照图7C，缓冲533形成在第一电极532的边缘区域B中和第一电极532的给定区域C中，并且分隔体534形成在缓冲533上。给定区域C是接触用在第一基板110上形成的金属部分113覆盖的衬垫料114的部分的外部区域。缓冲533和分隔体534形成在给定区域C中。缓冲533分隔各子像素区域并限定形成有机电致发光层的区域。
参照图7D，有机电致发光层536仅形成在由缓冲533限定的子像素的区域中。有机电致发光层536不形成在由缓冲533和分隔体534包围的子像素的区域中。有机电致发光层536包括顺序层叠在第一电极532的下表面上的空穴传输层536a、发光层536b、以及电子传输层536c。空穴传输层536a和电子传输层536c将电子或空穴传输/注入到发光层536b中。连接到第一电极(阳极)532的空穴传输层536a可以包括顺序层叠在其中的空穴注入层和空穴传输层，而连接到第二电极538的电子传输层536c可以包括顺序层叠在其中的电子注入层和电子传输层。
如图7E所示，在有机电致发光层536仅形成在限定的子像素区域中之后，有机电致发光二极管的第二电极(阴极)538形成在有机电致发光层536上。第二电极(阴极)538用作公共电极，并且优选地是由具有低功函的金属形成，例如Al(铝)。第一电极(阳极)532形成在各子像素中并用作像素电极。因为有机电致发光层536不形成在由缓冲533和分隔体534包围的子像素的区域中，即与用金属部分113覆盖的衬垫料114接触的部分，所以第一电极532和第二电极538被连接。
参照图7F，当第一基板和第二基板被连接在一起并随后被密封时，通过用金属部分113覆盖的衬垫料114，第一基板和第二基板互相电连接。因此，形成在第二基板中的有机电致发光二极管的第一电极(阳极)532电连接到在第一基板中形成的TFT的漏极112。
如上所述，所述OELD及其制造方法具有下面的优点。首先，可以提高制造产量和效率。第二，由于是顶部发光方法，可以容易地设计TFT并且可以获得高孔径比和高分辨率。第三，因为有机电致发光二极管形成在基板上，因此可以选择多种材料。第四，由于顶部发光方法和封装结构，可以提供稳定地抗外部空气的产品。而且，因为驱动TFT是由p-Si TFT构成并且有机电致发光二极管的第一电极(阳极)连接到驱动TFT的漏极，所以可以使用透明第二电极并且可以获得OELD的稳定操作。
可以清楚地理解，对于本领域的普通技术人员来说，本发明具有各种变型和改进。因而，本发明意欲覆盖所有落入所附权利要求以及等效物所限定的范围内的变型和改进。
Claims (28)
1、一种有机电致发光器件，包括：
彼此相对并且相距预定间隔设置的第一和第二基板；
在所述第一基板上形成的阵列元件，其中所述阵列元件包括薄膜晶体管；
在所述第二基板上形成的有机电致发光二极管；以及
用导体覆盖的衬垫料，其用于电连接薄膜晶体管的漏极和所述有机电致发光二极管的第一电极。
2、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光二极管包括：
第一电极，其被构图的并形成在所述第二基板上；
缓冲和分隔体，其形成在所述第一电极上的边缘区域和预定区域中；
有机电致发光层，其形成在由所述缓冲限定的区域中；以及
第二电极，其形成在所述有机电致发光层上。
3、根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述预定区域是与导体接触部分的外部区域。
4、根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光层不形成在所述预定区域中。
5、根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电极和第二电极在所述预定区域中互相接触。
6、根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电极包括透明材料并且所述第二电极包括不透明金属。
7、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述薄膜晶体管是p型多晶硅驱动薄膜晶体管。
8、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬垫料由不导电材料形成。
9、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电极是所述有机电致发光二极管的阳极。
10、根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还进一步包括位于所述第二基板上的所述有机电致发光二极管的第二电极，其设置为比所述第一电极更接近于所述第一基板，其中所述导体接触第二电极。
11、根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，还进一步包括在所述导体接触所述第二电极的区域中分隔所述第一电极和第二电极的缓冲。
12、根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，还进一步包括设置在所述第一电极上第一区域中的第一缓冲，其中所述第一区域与所述导体接触所述第二电极的第二区域相邻。
13、根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，还进一步包括设置在所述第一电极上第三区域中的第二缓冲，其中所述第三区域与所述第一区域和第二区域相对。
14、一种有机电致发光器件，包括：非倒置有机电致发光二极管结构、晶体管、以及提供晶体管的漏极与金属之间的接触的导体，其中所述金属接触所述有机电致发光二极管的阳极，所述接触阳极的金属与形成所述有机电致发光二极管阴极的金属一样。
15、根据权利要求14所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述晶体管和有机电致发光二极管形成在不同基板上。
16、根据权利要求15所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导体包括用导电材料覆盖的不导电衬垫料。
17、根据权利要求14所述的有机电致发光器件，其特征在于，还进一步包括设置在接触相对两侧的缓冲和分隔体。
18、根据权利要求17所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述分隔体限定相邻的有机电致发光二极管的阴极端。
19、根据权利要求17所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲中的一个限定相邻的有机电致发光二极管的阳极端。
20、根据权利要求14所述的有机电致发光器件，其特征在于，还进一步包括多个子像素，其中所述各子像素包括有机电致发光二极管、晶体管、以及导体，所述各有机电致发光二极管的阳极与相邻的有机电致发光二极管的阴极不重叠。
21、一种有机电致发光器件的制造方法，所述方法包括：
在第一基板上形成阵列元件，其中所述阵列元件包括薄膜晶体管；
在第二基板上形成有机电致发光二极管；
在所述第一基板上形成用导体覆盖的衬垫料；以及
使用所述导体电连接所述薄膜晶体管的漏极和所述有机电致发光二极管的第一电极。
22、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述形成所述有机电致发光二极管的步骤包括：
在所述第二基板上进行构图并形成第一电极；
在所述第一电极上的边缘区域和预定区域中形成缓冲并且在所述缓冲上形成分隔体；
在由所述缓冲限定的区域中形成有机电致发光层；以及
在所述有机电致发光层上形成第二电极。
23、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述在所述第一基板上形成阵列元件的步骤包括：
在连接所述有机电致发光二极管和薄膜晶体管的位置上形成衬垫料；以及
在所述衬垫料的外表面上形成导体。
24、根据权利要求21所述的方法，其特征在于，用所述导体覆盖的衬垫料通过所述有机电致发光二极管的第二电极电连接所述薄膜晶体管的漏极和所述有机电致发光二极管的第一电极。
25、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，所述预定区域是与用所述导体覆盖的衬垫料相接触的部分的外部区域。
26、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，所述有机电致发光层不形成在所述预定区域中。
27、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一电极和第二电极在所述预定区域中互相接触。
28、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管是p型多晶硅驱动薄膜晶体管。
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