CN1645634A - 倒装芯片氮化物半导体发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及氮化物半导体LED，其中在透明衬底上形成n掺杂的氮化物半导体层。在n掺杂的氮化物半导体层上形成有源层。在有源层上形成p掺杂的氮化物半导体层。在p掺杂的氮化物半导体层上形成网状结构的高反射率欧姆接触层，并且具有大量的开口区，用来暴露出p掺杂的氮化物半导体层。在高反射率欧姆接触层的至少顶部区域上形成的金属阻挡层。在金属阻挡层上形成的p键合电极。在n掺杂的氮化物半导体层上形成的n电极。

Description

倒装芯片氮化物半导体发光二极管
优先权
本申请要求申请日为2004年1月19日的韩国专利申请No.2004-3960的优先权，其公开在这里作为参考引入。
技术领域
本发明涉及氮化物半导体发光二极管(LED)，更具体的，涉及具有出色电特性和亮度的倒装芯片氮化物半导体LED。
背景技术
最近，作为产生蓝色或绿色波长光的光学器件的氮化物半导体LED由用公式AlxInyGa(1-x-y)N(其中，0≤x≤1，0≤y≤1并且0≤x+y≤1)表示的半导体材料制成。考虑晶格匹配，在衬底(例如，用于氮化物单晶体生长的蓝宝石衬底)上生长氮化物半导体晶体。由于蓝宝石衬底是电绝缘的，所以在最终的氮化物半导体LED的同一侧上形成p和n电极。
根据上述结构特性，已经开发出适于倒装芯片结构的具有特定几何形状的氮化物半导体LED。图1示出了其上安装有常规氮化物半导体LED的倒装芯片发光器件。
在图1中所示的倒装芯片发光器件20包括安装在支撑基板21上的氮化物半导体LED 10。该氮化物半导体LED 10包括蓝宝石衬底11和以此顺序在蓝宝石衬底11上形成的n掺杂的氮化物半导体层12、有源层13和p掺杂的氮化物半导体层14。氮化物半导体LED 10可以通过焊接电极19a和19b用引线图形22a和22b分别通过导电凸点24a和24b安装在支撑基板21上。在该结构的倒装芯片发光器件20中，由于LED 10的蓝宝石衬底11是透明的，所以其可以用作发光平面。
每个电极，特别是，倒装芯片氮化物半导体LED的p电极要求具有高反射率，用来反射从有源层13向发光平面发出的光，同时与p掺杂的氮化物半导体层14形成欧姆接触，如图1所示。因此，如图1所示，p电极结构包括在p掺杂的氮化物半导体层14上形成的高反射率欧姆接触层15和用来防止欧姆接触层15的成分扩散的金属阻挡层16。
但是，因为在图1中所示的氮化物半导体LED 10具有平面电极结构，并且特别是，p电极侧欧姆接触层15比p掺杂的氮化物半导体层14具有更低的特殊电阻(例如，5到10m/cm2)，所以这种类型的氮化物半导体LED 10存在沿欧姆接触层15流动的电流的主要部分在用箭头指示的靠近n电极的狭窄部分A处集中的电流拥挤现象。
这种电流拥挤现象增加了正向电压，同时降低了离n电极较远的有源层部分的发光效率，降低了亮度特性。而且，电流集中部分A产生大量的热，从而显著降低了LED的可靠性。
发明内容
为了解决现有技术的上述问题而作出本发明，因此本发明的一个目的是提供一种具有改善的p电极结构的氮化物半导体LED，其能够降低电流拥挤现象，从而实现更低的正向电压以及更高的发光效率。
根据实现上述目的的本发明的一个方案，所提供的氮化物半导体发光二极管包括：用于氮化物单晶生长的透明衬底；在透明衬底上形成的n掺杂的氮化物半导体层；在n掺杂的氮化物半导体层上形成的有源层；在有源层上形成的p掺杂的氮化物半导体层；在p掺杂的氮化物半导体层上形成的网状结构的高反射率欧姆接触层，并且具有大量的开口区，用来暴露出p掺杂的氮化物半导体层；在高反射率欧姆接触层的至少顶部区域上形成的金属阻挡层；在金属阻挡层上形成的p键合电极；以及在n掺杂的氮化物半导体层上形成的n电极。
高反射率欧姆接触层的开口面积总计优选70％或更少，更优选欧姆接触层的整个顶部面积的50％或更少。另外，高反射率欧姆接触层最好具有至少70％的反射率。
优选的，高反射率欧姆接触层由从包括Ag、Ni、Al、Ph、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及其组合的组中选择的材料构成。
更具体的，高反射率欧姆接触层由从包括Ni、Pd、Ir、Pt和Zn的组中选择的材料制成的第一层和在第一层上形成的Ag或Al的第二层构成。或者，高反射率欧姆接触层包括由Ni制成的第一层、在第一层上形成的Ag的第二层和在第二层上形成的Pt的第三层。
在两层或三层结构的高反射率欧姆接触层的实施例中，最好第一层的厚度范围从大约5到50，第二层的厚度范围从大约1000到10000，以及第三层的厚度范围从100到500。
根据本发明的另一个实施例，可以形成金属阻挡层围绕整个高反射率欧姆接触层。而且，可以形成金属阻挡层以与被高反射率欧姆接触层的开口区域暴露出来的p掺杂的氮化物半导体层的顶部区域连接，以便作为在高反射率欧姆接触层的开口区域中的另一个反射层。
根据本发明的再一个实施例，氮化物半导体发光二极管进一步包括在高反射率欧姆接触层上形成的介质阻挡层，以至少暴露出p键合电极。
可以形成介质阻挡层以围绕高反射率欧姆接触层，并且在发光二极管的一侧，以暴露出p键合电极和n电极，作为钝化层。具体的，本发明的介质阻挡层包括具有不同折射率的两种类型的介质层的反射层，两种类型的介质层彼此重复交替，以便作为高反射率介质镜层。最好介质阻挡层由含有从包括Si、Zr、Ta、Ti、In、Sn、Mg和Al的组中选择的元素的氧化物或氮化物制成。
这里所用的术语“倒装芯片氮化物半导体发光二极管(LED)”是指用在倒装芯片发光器件中的LED，其中具有p和n电极的LED的侧面安装在发光器件的基板上。
附图说明
通过下面结合附图的详细介绍，本发明的上述和其它目的、特征和其它优点将变得更加清楚，其中：
图1示出了安装有常规氮化物半导体LED的发光器件的侧面剖视图；
图2A示出了根据本发明的第一实施例的倒装芯片氮化物半导体LED的侧面剖视图；
图2B是图2A的俯视图；
图3A示出了根据本发明的第二实施例的倒装芯片氮化物半导体LED的侧面剖视图；
图3B示出了安装有图3A中的倒装芯片氮化物半导体LED的芯片结构的侧面剖视图；
图4A示出了根据本发明的第三实施例的倒装芯片氮化物半导体LED的侧面剖视图；
图4B示出了在图4A中示出的介质阻挡层的部分B的放大图；以及
图5A和5B是将引入本发明的氮化物半导体LED的倒装芯片发光器件的正向和输出电压特性分别与常规倒装芯片发光器件的这些特性相比较的图。
具体实施方式
下文中将更加详细地介绍本发明的氮化物半导体LED的部件。
p和n掺杂的氮化物半导体层
用公式AlxInyGa(1-x-y)N(其中，0≤x≤1，0≤y≤1并且0≤x+y≤1)表示的单晶体的p和n掺杂的氮化物半导体层可以通过金属有机化学汽相淀积(MOCVD)、分子束外延生长(MBE)、氢化物汽相外延生长(HVPE)等生长。氮化物半导体层的典型例子包括GaN、AlGaN或GaInN。
p掺杂的氮化物半导体层含有，例如，Mg、Zn和Be，掺杂剂，以及n掺杂的氮化物半导体层含有，例如，Si、Ge、Se、Te和C，掺杂剂。通常，可以在n掺杂的氮化物半导体层与衬底之间形成缓冲层。该缓冲层的典型例子包括例如AlN或GaN等低温成核(nucleation)层。
有源层
掺杂本发明的有源层，以发出蓝-绿色光(波长范围从大约350到550nm)，并且由具有单个或多个量子阱结构的未掺杂的氮化物半导体层制成。类似于p或n掺杂的氮化物半导体层，可以通过MOCVD、MBE、HVP等的任一个生长有源层。
高反射率欧姆接触层
如上所述，本发明的高反射率欧姆接触层由网状结构构成，该结构具有大量开口区域。高反射率欧姆接触层的网状结构相对延长了从p键合电极沿欧姆接触层到n电极的电流路径。结果，当激活LED时，减轻了在靠近n电极的特定区域中的电流拥挤现象。这还增加了流向p掺杂的氮化物半导体层的电流能力，从而解除了电流拥挤问题。
另外，必须用适当的材料制成高反射率欧姆接触层，以降低其本身与较高能带隙的p掺杂的氮化物半导体层之间的接触电阻，而且最好，是考虑倒装芯片氮化物半导体LED的结构方面的高反射率材料。
高反射率欧姆接触层由从Ag、Ni、Al、Ph、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及其组合构成的组中选择的材料构成，并且最好具有70％或更高的反射率，以降低接触电阻并且满足高反射率条件。
此外，高反射率欧姆接触层由从Ni、Pd、Ir、Pt和Zn构成的组中选择的材料制成的第一层和在第一层上形成的Ag或Al的第二层构成。或者，高反射率欧姆接触层具有由Ni制成的第一层、在第一层上形成的Ag的第二层和在第二层上形成的Pt的第三层。
这里，最好第一层的厚度范围从5到50，第二层的厚度范围从1000到10000，以及第三层的厚度范围从100到500，以便改善具有两层或三层结构的欧姆接触层的高反射率。
通过常规汽相淀积或溅射形成高反射率欧姆接触层，特别是，在温度范围从大约400到900，以便改善欧姆接触层的特性。
P键合电极和N电极
键合电极与高反射率欧姆接触层和金属阻挡层一起组成p电极结构元件。键合电极作为要通过在倒装芯片结构中的导电凸点安装到引线图形上的最外面的电极层，并且由Au或含有Au的合金制成。
另外，在n掺杂的氮化物半导体层上形成的n电极可以由从由Ti、Cr、Al、Cu和Au构成的组中选择的材料制成的单层或多层结构形成。
这种电极可以通过例如汽相淀积和溅射等生长金属层的常规方法形成。
金属阻挡层
在要形成p键合电极的高反射率欧姆接触层上区域上形成的本发明的金属阻挡层用作为混合键合电极材料与欧姆接触材料之间的界面、以防止欧姆接触层的任何特性(例如，反射率和接触电阻)下降的层。这种类型的金属阻挡层可由从由Ni、Al、Cu、Cr、Ti及其组合构成的组中选择的材料制成的单层或多层结构构成。
或者，根据替代实施例，金属阻挡层可以扩展到高反射率欧姆接触层的侧面。具体的，替代实施例具有金属阻挡层可以有效地防止由于在高反射率欧姆接触层中含有的任何Ag的迁移引起的电流泄漏的优点。
另外，可以形成还在网状结构的高反射率欧姆接触层的开口区域中与p掺杂的氮化物半导体层接触的预定反射率的金属阻挡层，以改善高反射率欧姆接触层的反射率。
与其它电极一样，通过常规汽相淀积或溅射形成金属阻挡层，最好在大约300℃的温度下热处理几十秒到几分钟，以便改善键合能力。
介质阻挡层
在本发明中采用的介质阻挡层可以选择性地形成在高反射率欧姆接触层上，以至少暴露出p键合电极。
优选地，以围绕高反射率欧姆接触层的侧面的程度形成介质阻挡层，以便作为典型的钝化层，同时防止在高欧姆接触层中Al的迁移引起的电流泄漏。根据替代实施例，可以在LED的一侧形成介质阻挡层，类似于常规钝化结构，以便暴露出p键合电极和n电极。
介质阻挡层由含有从由Si、Zr、Ta、Ti、In、Sn、Mg和Al构成的组中选择的元素的氧化物或氮化物制成。
优选地，介质阻挡层由具有不同折射率的两种类型的介质层的高反射率层彼此交替构成。在倒装芯片LED中的高反射率介质阻挡层可以根据由Samsung Electro-Mechanics Co.(三星电机株式会社)在韩国专利申请序列号2003-41172(2003年6月24日)中公开的介质镜层的制造方法形成。
下文中将参考附图更详细的介绍本发明的实施例。
图2A示出了根据本发明的第一实施例的倒装芯片氮化物半导体LED 30的侧面剖视图，以及图2B是图2A的俯视图。
首先参考图2A，倒装芯片氮化物半导体LED 30包括用于生长氮化物半导体的(例如)蓝宝石衬底31，并且以n掺杂的氮化物半导体层32、有源层33和p掺杂的氮化物半导体层34的顺序形成在衬底31上。
氮化物半导体LED 30具有在通过台面蚀刻暴露出的n掺杂的氮化物半导体层32的顶部区域提供的n电极39a。氮化物半导体LED 30的p电极结构包括高反射率欧姆接触层35、金属阻挡层36和键合层39b。在p掺杂的氮化物半导体层34上形成高反射率欧姆接触层35，并且具有部分暴露出p掺杂的氮化物半导体层34的大量开口区域的网状结构。另外，在要形成键合电极39b的高反射率欧姆接触层35的预定的顶部区域上形成金属阻挡层36。
高反射率欧姆接触层35最好具有70％或更高的反射率，并且与p掺杂的氮化物半导体层形成欧姆接触。高反射率欧姆接触层具有从由Ag、Ni、Al、Ph、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及其组合构成的组中选择的材料构成的至少一层。优选的，高反射率欧姆接触层35由Ni/Ag、Zn/Ag、Ni/Al、Zn/Al、Pd/Ag、Pd/Al、Ir/Ag、Ir/Au、Pt/Ag、Pt/Al和Ni/Ag/Pt中的一种制成。
结合图2A参考图2B，本领域的不同技术人员可以理解由本发明的网状结构的高反射率欧姆接触层35减轻电流拥挤现象的原理。即，由于图2B中所示的网状结构的特性，电流沿较长的路径(例如，图2B中的箭头所示)流过电阻率低于p掺杂的氮化物半导体层34的高反射率欧姆接触层35，直到其到达n电极39a。因此，可以相对增加直接流向如图2A所示的p掺杂的氮化物半导体层34的电流的比例。结果，这减轻了电流拥挤现象，同时允许光更均匀的从整个有源层33发出，从而显著增加发光效率，同时改善LED的可靠性。
虽然本发明的具有网状结构的高反射率欧姆接触层可以显著地减轻电流拥挤现象，但是总开口区域优选欧姆接触层35的整个顶部区域的70％或更少，更优选50％或更少，以便获得足够的反射面积，并且改善电流注入效率。
图3A示出了根据本发明的第二实施例的倒装芯片氮化物半导体LED 50的侧面剖视图。
如图3A所示，倒装芯片氮化物半导体LED 50包括用于生长氮化物半导体的例如蓝宝石衬底51，并且以n掺杂的氮化物半导体层52、有源层53和p掺杂的氮化物半导体层54的顺序在衬底51上形成。
氮化物半导体LED 50还具有n电极59a和p电极结构。将n电极59a设置在通过台面蚀刻暴露出的n掺杂的氮化物半导体层52的顶部区域。该p电极结构包括高反射率欧姆接触层55、金属阻挡层56和键合电极59b，类似于图2A所示的p电极结构，其中金属阻挡层56不仅覆盖高反射率欧姆接触层55，而且围绕其侧面。虽然在图2A中的金属阻挡层36仅仅作为防止Au元素在p键合电极39b与高反射率欧姆接触层35之间的接触面中混合的阻挡层，但是本实施例的金属阻挡层56可期望于防止在高反射率欧姆接触层55中的元素的迁移引起的电流泄漏。具体的，在高反射率欧姆接触层55含有高迁移率的元素，例如，Ag，的情况下，采用本实施例是有利的。
图3B示出了安装有图3A中的倒装芯片氮化物半导体LED 50的芯片结构的侧面剖视图。
如图3B所示，氮化物半导体LED 50可以通过焊接电极69a和69b用引线图形62a和62b分别通过导电凸点安装在支撑基板61上。如上所述，在倒装芯片发光器件60中的LED 50的蓝宝石衬底51是透明的，所以可以用作发光平面。高反射率欧姆接触层55可以降低其自身与p掺杂的氮化物半导体层54之间的接触电阻，并且由于高反射率，所以增加了导向发光平面的光量。此外，因为以覆盖高反射率欧姆接触层55的开口区域的方式形成具有特定反射率的LED 50的金属阻挡层56，所以其可以改善总的反射能力，从而实现更高的亮度。
图4A示出了根据本发明的第三实施例的倒装芯片氮化物半导体LED 70的侧面剖视图。
如图4A所示，倒装芯片氮化物半导体LED 70包括蓝宝石衬底71，并且以n掺杂的氮化物半导体层72、有源层73和p掺杂的氮化物半导体层74的顺序形成在蓝宝石衬底71上。该氮化物半导体LED 70还包括在通过台面蚀刻暴露出来的n掺杂的氮化物半导体层72上形成的n电极79a，以及具有高反射率欧姆接触层75、金属阻挡层76和键合电极79b的p电极结构，类似于图2A所示的电极结构。
在本实施例中，提供金属阻挡层76作为防止Au元素在p键合电极79b与高反射率欧姆接触层75之间的接触面中混合的阻挡层。还提供介质阻挡层77以防止由于在高反射率欧姆接触层75中的例如Ag等高迁移率元素的迁移引起的电流泄漏。或者，介质阻挡层77可以扩展到LED 70的侧面，以暴露出p键合电极79b和n电极79a，作为常规钝化层。介质阻挡层77由含有从由Si、Zr、Ta、Ti、In、Sn、Mg和Al构成的组中选择的元素的氧化物或氮化物制成。
本发明的介质阻挡层77可以形成高反射率的介质镜结构，以显著改善LED的整个反射能力。即，本发明的介质阻挡层77由具有不同折射率的两种类型的介质层彼此交替构成。
图4B示出了在图4A中的介质阻挡层77的部分B的放大图。如图4B所示，介质阻挡层可以具有通过重复交替不同折射率的SiO2膜和Si3N4膜得到的结构。这种将高反射率介质阻挡层形成介质镜结构的方法可以采用由Samsung Electro-Mechanics Co.在韩国专利申请序列号2003-41172(2003年6月24日)中公开的介质镜层的制造方法。根据该文献，可以得到90％或更高反射率的高反射率层，更优选97％或更高。对于通过上述重复交替不同折射率的介质层得到的介质阻挡层，本发明可以显著改善整个LED的反射能力，并由此增加倒装芯片氮化物半导体LED的有效发光效率到非常高的水平。
示例
进行以下试验以便根据比较示例将根据发明示例的倒装芯片氮化物半导体LED的特性与常规倒装芯片氮化物半导体LED的特性进行比较。
发明示例1
首先，在将蓝宝石衬底装入MOCVD室之后，生长GaN低温成核层作为缓冲层。然后，在缓冲层上形成n掺杂的GaN膜和n掺杂的AlGaN层的n掺杂的半导体层、具有InGaN/GaN膜的多个量子阱结构的有源层以及p掺杂的GaN膜的p掺杂的氮化物半导体层以获得蓝色LED。
接着，在p掺杂的氮化物半导体层上形成具有大约30％的开口面积比的网状结构的高反射率欧姆接触层，并且然后在大约500℃的温度下热处理所得到的结构。发明示例1的高反射率欧姆接触层由Ni/Ag制成。这里，开口面积比的意思是开口面积与整个面积(即，由最***围绕的面积)的比，如在本说明书中通常使用的。
然后，在p掺杂的氮化物半导体层上形成金属阻挡层，以围绕高反射率欧姆接触层的顶部和侧面(参考图3A)，并且在大约350℃的温度下热处理所得到的结构。接着，一起形成含有Au的p键合电极和n电极，以完成倒装芯片氮化物半导体LED。
将在发明示例1中制备的倒装芯片氮化物半导体LED连接到具有引线图形的支撑基板上，如图3B所示，以产生倒装芯片发光器件。
发明示例2
在发明示例2中，根据与发明示例1相同的条件制备倒装芯片氮化物半导体LED，除了构图网状结构的高反射率欧姆接触层，使其具有大约50％的开口面积比。这样制备的倒装芯片氮化物半导体LED连接到具有引线图形的支撑基板上，如图3B所示，产生倒装芯片发光器件。
发明示例3
在发明示例3中，根据与发明例1相同的条件制备倒装芯片氮化物半导体LED，除了构图网状结构的高反射率欧姆接触层，使其具有大约70％的开口面积比。这样制备的倒装芯片氮化物半导体LED连接到具有引线图形的支撑基板上，如图3B所示，产生倒装芯片发光器件。
比较示例
在比较示例中，根据与发明示例1到3相同的条件制备倒装芯片氮化物半导体LED，除了形成于整个面积相同的常规结构的高反射率欧姆接触层，没有用于形成网状结构的单独的构图工艺。这样制备的倒装芯片氮化物半导体LED连接到具有引线图形的支撑基板上，如图3B所示，产生倒装芯片发光器件。
测量根据发明示例1到3和比较示例产生的倒装芯片发光器件的正向电压特性和电功率特性。图5A和5B是比较根据发明示例1到3和比较示例的倒装芯片发光器件的正向和输出电压特性的图。
参考图5A，比较例的倒装芯片发光器件的正向电压为大约3.42V，而根据发明示例1到3的倒装芯片发光器件的正向电压分别为大约3.10V、3.11V和3.12V。这表示发明示例1到3具有平均大约0.3V的电压下降，因此正向电压特性改善大约10％。此外，发明示例1(其中开口面积比为30％)显示出最低的正向电压3.10V。
参考图5B，比较示例的倒装芯片发光器件显示出大约18.53mW的电功率，而根据发明示例1到3的倒装芯片发光器件分别显示出大约20.59mW、19.99mW和19.24mW的电功率。具体的，发明示例1(其中开口面积比为30％)获得大约2mW的功率增强，因此，与比较示例相比效率改善10％或更多。
虽然参考特定的说明性实施例和附图介绍了本发明，但是本发明并不限于此，而是由附带的权利要求书限定。应当理解，本领域的技术人员可以将实施例替代、变化或修改为各种形式而不脱离本发明的范围和精神。
如上所述，本发明的氮化物半导体LED在p电极结构中采用具有网状结构的高反射率欧姆接触层降低集中在靠近n电极的LED的区域上的电流，并且增加流向p掺杂的氮化物半导体层的电流，从而减轻电流拥挤现象。结果，本发明的倒装芯片氮化物半导体LED具有更低的正向电压和更高的发光效率，同时有效地防止了退化，从而显著地改善了可靠性。

Claims (16)

1.一种氮化物半导体发光二极管，包括：
用于氮化物单晶生长的透明衬底；
在透明衬底上形成的n掺杂的氮化物半导体层；
在n掺杂的氮化物半导体层上形成的有源层；
在有源层上形成的p掺杂的氮化物半导体层；
在p掺杂的氮化物半导体层上形成的网状结构的高反射率欧姆接触层，并且具有大量的开口区，用来暴露出p掺杂的氮化物半导体层；
在高反射率欧姆接触层的至少顶部区域上形成的金属阻挡层；
在金属阻挡层上形成的p键合电极；以及
在n掺杂的氮化物半导体层上形成的n电极。
2.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中高反射率欧姆接触层的开口面积是欧姆接触层的整个顶部面积的50％或更少。
3.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中高反射率欧姆接触层具有至少70％的反射率。
4.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中高反射率欧姆接触层由从包括Ag、Ni、Al、Ph、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及其组合的组中选择的材料制成的至少一层构成。
5.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中高反射率欧姆接触层由从包括Ni、Pd、Ir、Pt和Zn的组中选择的材料制成的第一层和在第一层上形成的Ag或Al的第二层构成。
6.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中高反射率欧姆接触层包括由Ni制成的第一层、在第一层上形成的Ag的第二层和在第二层上形成的Pt的第三层。
7.根据权利要求5或6的氮化物半导体发光二极管，其中第一层的厚度范围从5到50，第二层的厚度范围从1000到10000，以及第三层的厚度范围从100到500。
8.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中形成金属阻挡层以围绕整个高反射率欧姆接触层。
9.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中形成金属阻挡层以与被高反射率欧姆接触层的开口区域暴露出来的p掺杂的氮化物半导体层的顶部区域连接。
10.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中该金属阻挡层由从包括Ni、Al、Cu、Cr、Ti及其组合的组中选择的材料制成的至少一层构成。
11.根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，进一步包括在高反射率欧姆接触层上形成的介质阻挡层，以至少暴露出p键合电极。
12.根据权利要求11的氮化物半导体发光二极管，其中形成介质阻挡层以围绕高反射率欧姆接触层。
13.根据权利要求11的氮化物半导体发光二极管，其中在发光二极管的一侧形成介质阻挡层，以暴露出p键合电极和n电极。
14.根据权利要求11的氮化物半导体发光二极管，其中介质阻挡层包括具有不同折射率的两种类型的介质层的反射层，两种类型的介质层彼此重复交替。
15.根据权利要求11的氮化物半导体发光二极管，其中介质阻挡层由含有从包括Si、Zr、Ta、Ti、In、Sn、Mg和Al的组中选择的元素的氧化物或氮化物制成。
16.一种氮化物半导体发光二极管，其具有在衬底上形成的n和p掺杂的氮化物半导体层，包括：
在p掺杂的氮化物半导体层上形成的网状结构的高反射率欧姆接触层，并且具有多个开口区，用来暴露出p掺杂的氮化物半导体层；
在高反射率欧姆接触层上形成的金属阻挡层；以及
在金属阻挡层上形成的p键合电极。
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