CN1608197A - 方位传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示一种方位传感器,具有设置在基板主表面、其长度方向互相垂直而且串联连接的分别具有至少2个检测元件的第1及第2桥式电路,还具有分别在与该第1及第2桥式电路相对位置设置的第1及第2偏磁施加单元。该偏磁施加单元的磁场方向互相不同。该方位传感器由于不用支架及线圈,因此能够小型化。
Description
技术领域
本发明涉及各种电子设备所使用的方位传感器及其制造方法。
背景技术
图10A为以往的方位传感器的立体图,图10B为图10A的A-A线剖视图。
以往的方位传感器具有以下的结构。
*在基板1的上面具有4个检测元件2A~2D的桥式电路3
*覆盖具有该桥式电路3的基板1并保持基板1的支架4
*在该支架4的周围卷绕、由规定匝数的导线形成的作为相互垂直的偏磁施加单元的第1及第2线圈5A及5B。
上述以往的方位传感器是用支架4覆盖设置有检测元件2A~2D的基板1,再在该支架4的周围卷绕第1及第2线圈5A及5B。因此,以往的方位传感器形状较大,难以小型化。
发明内容
本发明的方位传感器包含具有设置在基板主表面的至少2个及2个以上的检测元件的第1检测电路、相同结构的第2检测电路、设置在与第1检测电路相对位置的第1偏磁施加单元、以及与第2检测电路相对设置的第2偏磁施加单元。第2偏磁施加单元在与第1偏磁施加单元产生的磁场方向不同的方向产生磁场。
附图说明
图1A为本发明实施形态1的方位传感器的立体图。
图1B为本发明实施形态1的方位传感器的分解立体图。
图2为图1A的A-A线的本发明实施形态1的方位传感器剖视图。
图3为本发明实施形态1的方位传感器的主要部分的第1及第2桥式电路顶视图。
图4为本发明实施形态1的方位传感器的主要部分的第1桥式电路的电路图。
图5所示为本发明实施形态1的方位传感器的第1及第2偏磁施加单元产生的磁场强度与检测方位误差的关系。
图6为本发明实施形态1的其它方位传感器的剖视图。
图7为本发明实施形态2的方位传感器的剖视图。
图8为本发明实施形态3的方位传感器的主要部分的第1及第2桥工电路周边的顶视图。
图9为本发明实施形态1~3的方位传感器的第1检测电路的巴里斯(バリ-ション)电路图。
图10A为以往的方位传感器的立体图。
图10B为图10A的A-A线的以往的方位传感器的剖视图。
具体实施方式
以下用附图说明本实施形态,另外,构成同样结构的剖分附加相同的标号进行说明,并省略详细说明。
(实施形态1)
图1A为本发明实施形态1的方位传感器的立体图,图1B为图1A的分解立体图,图2为图1A的A-A剖视图,图3为图1A的主要部分的第1及第2桥式电路的顶视图。图4的实施形态1的方位传感器的第1桥式电路的电路图。
如图1A~图3所示,本实施形态的方位传感器具有以下的结构。
*基反11
*设置在该基板11的上面的具有第1检测元件12A~第4检测元件12D的第1桥式电路13(第1检测电路)
*具有第5检测元件12E~第8检测元件12H的第2桥式电路14(第2检测电路)
*分别设置在第1桥式电路13及第2桥式电路14的上面的绝缘层15A及15B
*分别设置在绝缘层15A及15B的上面的分别与第1及第2桥式电路13及14相对位置的第1偏磁施加单元16及第2偏磁施加单元(以下称为施加单元)17。
*分别设置在第1施加单元16及第2施加单元的上面的由环氧树脂、硅树脂等形成的覆盖层21A及21B
另外,第1及第2施加单元16及17是这样构成的,使其产生的磁场方向分别如图3的箭头31及32所示,相互近似相差90°。
以下说明这些构成要素。
基板11为矩形形状,由氧化铝等具有绝缘性的材料制成,最好在其主表面形成玻璃釉层。这是因为玻璃釉层容易得到平滑的表面,容易形成第1桥式电路13及第2桥式电路14。
第1桥式电路13由第1检测元件12a、第2检测元件12B、第3检测元件12C及第4检测元件12D构成。这里,第1检测元件12A至第4检测元件12D是将强磁性薄膜或人造晶格多层膜等多次折叠而形成的。强磁性薄膜由NiCo、NiFe等制成,在垂直加上外部磁场时,电阻值变化率为最大。另外,通过多次折叠,由于横切地磁场的条数增加,因此电阻值变化率增大,地磁场的检测灵敏度提高。
这里,第1检测元件12A与第2检测元件12B在电路上是串联连接,第3检测元件12C与第4检测元件12D在电路上也是串联连接。然后,第1检测元件12A与第2检测元件12B的串联电路和第3检测元件12C与第4检测元件12D的串联电路在电路上并联连接。再有,第1检测元件12A与第2检测元件12B的连接部分与第1输出电极20A连接,第3检测元件12C与第4检测元件12D的连接部分与第2输出电极20B连接。
另外,第1检测元件12A与第2检测元件12B的图形长度方向互相相差近似90°。第3检测元件12C与第4检测元件12D也是同样的结构。然后,第1检测元件12A与第4检测元件12D的图形长度方向是平行的。第2检测元件12B与第3检测元件12C也是同样的结构。
另外,第1检测元件12A及第3检测元件12C与输入电极18A连接。而第2检测元件12B及第4检测元件12D与接地电极19A连接。
这样,第1检测元件12A至第4检测元件12D如图4所示,构成全桥电路。从而,利用桥式电路的作用,从第1输出电极20A与第2输出电极20B分别得到的2个输出电压的差动电压的变动增大。因此,能够以高精度检测方位。再有,由于能够抵消2个输出电压的噪声,因此由噪声产生的检测误差将减小。
再有,第1检测元件12A~第4检测元件12D的各长度方向分别与第1施加单元16产生的磁场形成45°的角度。采用这样的结构,可以认为第1检测元件12A~第4检测元件12D的电阻值相对于磁场的变化是进行线性变化。因此,根据差动电压容易算出方位。另外,在本实施形态中,第1检测元件12A~第4检测元件12D的各长度方向与第1施加单元16产生的磁场形成的角度是取45°。该角度若取0°或180°,由于第1施加单元16产生的磁场将无助于检测元件的电阻值变化,因此起不到偏置磁场的作用。因而,即使是45°以外,也最好是采用除了0°及180°以外的角度。
另外,输入电极18A、接地电极19A、第1输出电极20A及第2输出电极20B发别用银或银钯等构成。
与第1桥式电路13相同,第2桥式电路14也具有第5检测元件12E、第6检测元件12F、第7检测元件12G及第8检测元件12H。然后,与输入电极18B、接地电极19B、第3输出电极20C及第4输出电极20D连接。
这些构成要素中,第2桥式电路14的第5检测元件12E与第1桥式电路13的第1检测元件12A相对应。以下同样,分别为第6检测元件12F与经2检测元件2B相对应,第2检测元件12G与第3检测元件12C相对应,第8检测元件12H与第4检测元件12D相对应,输入电极18B与输入电极18A相对应,接地电极19B与接地电极19A相对应,第3输出电极20C与第1输出电极20A相对应,第4输出电极20D与第2输出电极20B相对应。
另外,输入电极18A与输入电极18B在电路上连接,接地电极19A与接地电极19B在电路上连接。即,第1桥式电路13与第2桥式电路14在电路上并联连接。
输入电极18A及18B、接地电极19A及19B、第1输出电极20A、第2输出电极20B、第3输出电极20C及第4输出电极20D为了与外部进行信号的输入输出,而分别露出在外面。
绝缘层15A及绝缘层15B分别设置在第1桥式电路13及第2桥式电路14的上面。它们由具有绝缘性的SiO2、氧化铝、环氧树脂或硅树脂等形成,将第1及第2桥式电路13及14与第1及第2施加单元16及17进行电气绝缘。这时,用绝缘层15A覆盖第1检测元件12A~第4检测元件12D,用绝缘层15B覆盖第5检测元件12E~第8检测元件12H。
另外,作为绝缘层15A及15B若采用SiO2,则在采用CoPt合金作为施加单元16及17的密封性好,因此,耐湿性等可靠性提高,另外,价格还便宜。
另外,第1施加单元16及第2施加单元17分别设置在绝缘层15A的上面的与第1桥式电路13相对的位置及绝缘层15B的上面的与第2桥式电路14相对的位置。它们由设定磁场方向的CoPt合金、CoCrPt合金及铁氧体等磁体构成。第1施加单元17覆盖第2桥式电路14的整个表面。另外,第1与第2施加7单元16与17产生的磁场的方向如前所述,相互相差近似90°。再有,第1及第2施加单元16及17产生5~200e强度的磁场。
下面说明对第1及第2施加单元16及17的磁场强度采用5~200e的理由。
图5所示为第1及第2施加单元6及7产生的磁场强度检测方位误差的关系。在该图中,设允许的方位误差为7°。这是为了检测36个方位所允许的最大限度的误差。
由图5可知,通过对磁场强度采用5~200e,能够降低检测的方位误差,以高精度检测方位。
若这样,则由于磁场强度为200e以下,因此与地磁场的磁场强度之差减小。另外,由于磁场强度为50e以上,因此第1及第2桥式电路13及14以一定以上的强度输出。根据以上的理由,最好对第1及第2施加单元16及17的磁场强度采用5~200e。
另外,在所希望的检测方位的误差较小时,必须进一步限定磁场强度的范围。例如,在允许的方位误差为5°时,要对磁场强度采用6.0~18.00e。更进一步最好对磁场强度采用7.5~15.00e。
另外,若采用CoPt合金作为第1及第2施加单元16及17,则能够将其厚度减小至500nm左右。而且,由于厚度的误差减小,因此偏置磁场的强度稳定。
另外,若采用铁氧体作为第1及第2施加单元16及17,则施加单元16及17的价格便宜。
以下说明本发明实施形态1的方位传感器的制造方法。
首先,在基板11的上面形成第1检测元件12A~第8检测元件12H、输入电极18A及18B、接地电极19A及19B、第1输出电极20A~第4输出电极20D。这时,采用印刷、蒸镀等方法。
这时,利用第1检测元件12A~第4检测元件12D形成第1桥工电路13,并在规定位置形成输入电极18A、接地电极19A、第1输出电极20A及第2输出电极20B。同样,利用第5检测元件12E~第8检测元件12H形成第2桥式电路14,并在规定位置形成输入电极18B、接地电极19B、第3输出电极20C及第4输出电极20D。
然后,在第1桥式电路13的上面及第2桥式电路14的上面分别形成绝缘层15A及绝缘层15B。如前所述,使得绝缘层15A及绝缘层15B分别覆盖第1检测元件12A~第4检测元件12D及第5检测元件12E~第8检测元件12H。
然后,在绝缘层15A的上面的与第1桥式电路相对的位置利用印刷、腐蚀等形成第1偏磁施加单元16。另外,在绝缘层15B的上面的与第2桥式电路14相对的位置形成第2偏磁施加单元17。然后,使磁场发生线圈接近第1及第2施加单元16及17,通过这样分别设定磁场的方向。
这时,如图3所示,使得第1检测元件12A~第8检测元件12H的长度方向与第1及第2施加单元16及17产生的磁场形成45°的角度。另外,使得第1与稿费2施加单元16与17产生的磁场方向近似相差90°。
另外,最好利用分离法形成第1及第2施加单元16及17。通过这样,绝缘层15A、绝缘层15B、第1及第2桥式电路和13及14不受损伤。
即,首先在不形成第1及第2施加部分16及17的部分形成抗蚀剂。然后,在绝缘层15A及15B的整个表面配置构成第1及第2施加单元的磁性材料。然后,除去抗蚀剂,在规定位置设置第1及第2施加单元16及17。通过这样,只要除去抗蚀剂,则不需要的磁性材料也同时除去。同时,不需要像腐蚀法那样直接除去不需要的磁性材料,因此腐蚀液不会附着或浸透绝缘层15A、绝缘层15B、第1及第2桥式电路13及14。
特别是在用腐蚀法形成作为第1及第2施加单元16及17的CoPt合金时,作为腐蚀液必须使用强酸性溶液。因此,绝缘层15A及15B或第1及第2桥式电路13及14会受到腐蚀液的损伤。耐湿性等下降,会影响可靠性。但是,若采用分离法,则不产生这样的问题,能够得到可靠性高的方位传感器。
另外,在本实施形态中,在形成第1及第2施加单元16及17后,设定它们的磁场方向。通过这样,由于能够同时或边续设定第1及第2施加单元16及17的磁场方向,因此生产率提高。另外,也可以将已经设定了磁场方向的永磁体配置在绝缘层15A的上面。
最后,利用铸模等在第1施加单元16的上面形成覆盖层21A,利用铸模等在第2施加单元17的上面形成覆盖层21B。
以下说明本发明实施形态1的方位传感器的工作原理。
首先,在第1桥式电路13的输入电极18A与接地电极19A之间加上规定的电压。这时,从第1偏磁施加单元16产生的磁场及地磁场作用于第1检测元件12A~第4检测元件12D,其电阻值发生变化。这时,从第1输出电极20A与第2输出电极20B输出与电阻值变化相对应的电压,检测该两端的差动输出电压。该电压随地磁场与第1桥式电路13的夹角而变化。相对于地磁场与第1桥式电路睡13的夹角,该差动输出电压相应呈近似正弦波变化。
在第2桥式电路14中也同样,在第3输出电压20C与第4输出电压20D之间,检测出相应于地磁场与第2桥式电路14的夹角而呈近似正弦波变化的差动输出电压。
这里,像本实施形态那样,第1施加单元16与第2施加单元1 7的磁场方向相差90°。这样,一个差动输出电压与另一个差动输出电压的相位相差90°。即,若设方位为θ,则一个输出为Asinθ,而另一个输出为A’cosθ。若用振幅A及A’将它们归一化,则计算两输出之比即tanθ,就容易检测出方位θ。另外,若能抑制施加单元的强度差异,使得振幅近似相等,则不需要归一化处理。
这时,第1及第2施加单元16及17产生的磁场方向不同,只要使方位θ的测量误差在规定范围内、例如在7°以内的程度即可。在本实施形态中,由第1与第2施加单元16与17产生的磁场方向31与32的夹角设为还似90°。但是,该角度也可以不是90°。即,若使第1与第2施加单元16与17产生的磁场方向不同,则第1与第2桥式电路13与14的输出相位互相不同。由于第1桥式电路13的输出呈正弦波变化,因此在2个方位角度取出同一个值。但是,利用第1桥式电路13的输出与第2桥式电路14的输出之差的标号,方位能决定为1个角度。通过这样,能够检测0~360°范围的全方位。这时,必须使磁场方向不同,达到第1与第2桥式电路13与14的各输出相位不重复的程度。
另外,在本实施形态中,绝缘层15A与15B是分开的不同的层,覆盖层21A与21B也是分开的不同的层,但也可以如图6所示,将它们一体构成。
图6为本发明实施形态1的其它方位传感器的剖视图。覆盖层15同时覆盖第1桥式电路13及第2桥式电路14。另外,覆盖层21也覆盖第1施加单元16及第2施加单元17。
即使是这样的结构,也能够得到与图1所示的方位传感器同样的作用效果。
(实施形态2)
下面用图7说明本发明的实施形态2。图7为本发明实施形态2的方位传感器的剖视图。
在实施形态1中,是在基板的单面一侧形成第1及第2桥式电路等,而在第2实施形态中,是在基板的上面形成第1桥式电路,在基板的上面形成第2桥式电路。除此以外的结构与实施形态1相同。
以下说明实施形态2的结构。
在基板11的上面形成第1桥式电路13,再在第1桥式电路13的上面形成第1绝缘层15A。在第1绝缘层15A的上面的与第1桥式电路13相对的位置形成第1偏磁施加单元16。再在其上面形成第1覆盖层21A。
另外,在基板11的下面形成第2桥式电路14,再在第2桥式电路14的下面形成第2绝缘层15B。在第2绝缘层15B的下面的与第2桥式电路14相对的位置形成第2偏磁施加单元17,再在其下面形成第2覆盖层21B。
这样,本实施形态的方位传感器,是将第1及第2桥式电路13及14形成在基板11的不同面上。因此,与将第1及第2桥式电路13及14形成在同一面上相比,主表面的面积减少。通过这样,方位传感器能够小型化。再有,由于将第1及第2施加单元16及17形成在不同面上,因此第1与第2施加单元16与17之间的距离增大。通过这样,从第1施加单元16产生的磁场对第2桥式电路14的影响减小。同样,从第2施加单元17产生的磁场对第1桥式电路13的影响减小。
(实施形态3)
下面用图8说明本发明实施形态3。图8为本发明实施形态3的方位传感器的主要部分的第1及第2桥式电路的顶视图。
在实施形态3的方位传感器中,是对于实施形态1的方位传感器,进一步从上面来看还在第1及第2桥式电路13及14的周围设置偏磁施加单元。
如图8所示,在第1桥式电路13的周边配置偏磁施加单元16A、16B、16C及16D。它们构成周围偏磁施加单元。同样,在第2桥式电路14的周边配置偏磁施加单元(以下称为施加单元)17A、17B、17C及17D。
这里,施加单元16A将与第1桥式电路13相对的一侧作为N极。另外,隔着第1桥式电路13与施加单元16A相对配置的施加单元16B,将与第1桥式电路13相对的一侧作为S极。处于第1桥式电路13的周边、位于施加单元16A与施加单元16之间的施加单元16C,将与施加单元16A相对的一侧作为N极,将与施加单元16B相对的一侧作为S极。隔着第1桥式电路13与施加单元16C相对、向且位于施加单元16A与施加单元16B之间的施加单元16D,将与施加单元16A相对的一侧作为N极,将与施加单元16B相对的一侧作为S极。
施加单元17A~17D配置在第2桥式电路14的周边,磁场方向处于将施加单元16A~16D顺时针旋转90°的方向。
另外,实施形态3的方位传感器的整个结构是对第1实施形态的方位传感器附加施加单元16A~16D及17A~17D的而构成的。即,在第1桥式电路13及第2桥式电路14的上方虽未图示,仍分别设置有第1施加单元16及第2施加单元17。这时,第1施加单元16的磁场方向如图8中的箭头81所示,左侧是N极,右侧是S极。另外,第2施加单元17的磁场方向如箭头82所示,上侧是N极,下侧是S极。
若采用这样的结构,则磁场不容易从施加单元16A~16D包围的部分向其外部泄漏。通过这样,由于磁场对第1桥式电路13的施加效率高,因此即使构成施加单元16及16A~D的永磁体的磁力减弱,也产生作用。若这样,施加给第1桥式电路13的磁场对第2桥式电路14产生影响的可能性减小。对于施加单元17A~17D也同样。
以上说明了本发明实施形态1~实施形态3,由于它们不要支架及线圈,因此能够小型化。再有,不是对线圈通电而产生偏置磁场,是采用永磁体。这样,方位传感器不需要磁场产生用的电功率,是节能型。这样的方位传感器也可装在便携终端等装置上。
另外,在上述所有的实施形态中,第1检测电路及第2检测电路都是用4个检测元件构成的桥式电路结构,采用检测其差动电压的方法。但是,也可以用2个检测元件的半桥电路来构成第1检测电路及第2检测电路。关于这种情况,下面用图9进行说明。图9为本发明的方位传感器的第1检测电路的巴里斯(バリ-ション)电路图。
第1检测电路和90由第1检测元件12A及第2检测元件12B构成。在第1检测电路90中,对输入电极18A与接地电极19A之间加上规定的电压,通过这样来检测第1输出电极20A与接地电极19A之间的电压。该电路结构由于具有半个桥式电路的结构,因此称为“半桥电路”。
另外,关于第1检测元件12与第2检测元件12B的位置关系、以及与第1检测电路90相对的第1偏磁施加单元的磁场方向的位置关系,则与实施形态1相同。
在第2检测电路中也司以同样构成。
这样的半桥电路结构与桥式电路的情况相比,由于检测元件的数量为一半,因此电路所需要的面积也减小,电路结构简单,也有利于小型化。
工业上的实用性
以上那样的本发明的方位传感器具有以下的结构。
*基板
*设置在该基板主表面的至少2个及2个以上的检测元件的第1检测电路,以及相同结构的第2检测电路
*设置在与第1检测电路相对位置的第1偏磁施加单元
*与第2检测电路相对设置的、而且在与第1偏磁施加单元产生的磁场方向不同的方向产生磁场的第2偏磁单元。
利用该结构,就不要支架及线圈,这样就得到能够小型化的方位传感器。
Claims (17)
1、一种方位传感器,其特征在于,包括
基板、
设置在所述基板主表面的具有至少2个及2个以上的检测元件的第1检测电路、
设置在所述基板主表面的具有至少2个及2个以上的检测元件的第2检测电路、
设置在与所述第1检测电路相对位置的第1偏磁施加单元、以及
与所述第2检测电路相对设置、而且在与所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向不同的方向产生磁场的第2偏磁单元。
2、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
所述第1及第2偏磁施加单元由永磁体构体。
3、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,还包括
覆盖所述第1检测电路及所述第2检测电路的至少一方的绝缘层。
4、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
所述第1检测电路,具有
第1检测元件、
与所述第1检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第1检测元件在电路上串联连接的第2检测元件、
与所述第2检测元件的图形长度方向平行的第3检测元件、以及
与所述第3检测元件在电路上串联连接、而且与所述第1检测元件的图形长度方向平行的第4检测元件,
所述第1检测元件及所述第2检测元件与所述第3检测元件及所述第4检测元件分别在电路上并联连接,
所述第2检测电路,具有
第5检测元件、
与所述第5检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第5检测元件在电路上串联连接的第6检测元件、
与所述第6检测元件的图形长度方向平行的第7检测元件、以及
与所述第7检测元件在电路上串联连接、而且与所述第5检测元件的图形长度方向平行的第8检测元件,
所述第5检测元件及所述第6检测元件与所述第7检测元件及所述第8检测元件分别在电路上并联连接。
5、如权利要求4所述的方位传感器,其特征在于,
所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第2偏磁施加单元产生的磁场方向所形成的角度为90°,所述第1检测元件的图形长度方向与所述第2检测元件的图形长度方向所形成的角度为90°,而且所述第5检测元件的图形长度方向与所述第6检测元件的图形长度方向所形成的角度为90°。
6、如权利要求5所述的方位传感器,其特征在于,
所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第1检测元件的图形长度方向所形成的角度为45°,
所述第2偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第5检测元件的图形长度方向所形成的角度为45°。
7、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
所述第1检测电路,具有
第1检测元件、以及
与所述第1检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第1检测元件在电路上串联连接的第2检测元件,
所述第2检测电路,具有
第3检测元件、以及
与所述第3检测元件的图形长度方向不同、而且与所述第3检测元件在电路上串联连接的第4检测元件。
8、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
用CoPt合金及铁氧化的某一种材料构成所述第1及第2偏磁施加单元。
9、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
用SiO2构成所述绝缘层。
10、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
使所述第1及第2偏磁施加单元产生的磁场强度为50e及以上和200e以下。
11、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,还包括
包围第1检测电路及第2检测电路的至少一方的周围偏磁施加单元。
12、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
将所述第1检测电路及第2检测电路设置在所述基板的互相不同的主表面。
13、如权利要求1所述的方位传感器,其特征在于,
所述基板在主表面上具有玻璃油层。
14、一种方位传感器的制造方法,其特征在于,包括下述工序:
1)在基板的主表面上形成第1检测电路及第2检测电路的工序、
2)在与所述第1检测电路相对的位置形成第1偏磁施加单元、并在与所述第2检测电路相对的位置形成第2偏磁施加单元的工序,
使得所述第1偏磁施加单元产生的磁场方向与所述第2偏磁施加单元产生的磁场方向不同。
15、如权利要求14所述的方位传感器的制造方法,其特征在于,还包括
形成覆盖所述第1检测电路及所述第2检测电路的至少一方的绝缘层的工序
16、如权利要求15所述的方位传感器的制造方法,其特征在于,
所述工序2,具有
在所述绝缘层的所述第1及第2偏磁施加单元非形成部位形成抗蚀剂的工序、
在所述绝缘层的整个表面配置构成所述第1及第2偏磁施加单元的磁性材料的工序、以及
除去所述抗蚀剂的工序。
17、如权利要求14所述的方位传感器的制造方法,其特征在于,还包括
设定所述第1及第2偏磁施加单元的磁场方向的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001396389 | 2001-12-27 | ||
JP396389/2001 | 2001-12-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1608197A true CN1608197A (zh) | 2005-04-20 |
Family
ID=19189083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA028262220A Pending CN1608197A (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-24 | 方位传感器及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7187168B2 (zh) |
EP (1) | EP1450130A1 (zh) |
JP (1) | JP4244807B2 (zh) |
KR (1) | KR20040073515A (zh) |
CN (1) | CN1608197A (zh) |
WO (1) | WO2003056276A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102620724A (zh) * | 2011-01-26 | 2012-08-01 | 新科实业有限公司 | 地磁传感器装置以及数字罗盘 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4461098B2 (ja) | 2003-09-05 | 2010-05-12 | パナソニック株式会社 | 磁気バイアス膜およびこれを用いた磁気センサ |
JP5276774B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2013-08-28 | 株式会社日本マイクロニクス | 検査方法及び装置 |
FR2902890B1 (fr) * | 2006-06-22 | 2008-11-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede et systeme pour ajuster la sensibilite d'un capteur magnetoresistif |
US9207292B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive device and method for manufacturing the same |
WO2015146043A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
US10094890B2 (en) | 2014-10-09 | 2018-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetic sensor |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2052855B (en) * | 1979-03-30 | 1983-05-18 | Sony Corp | Magnetoresistive transducers |
JP2576136B2 (ja) * | 1987-07-27 | 1997-01-29 | 日本電装株式会社 | 磁気方位測定装置 |
JPS6431071U (zh) | 1987-08-20 | 1989-02-27 | ||
JP2923959B2 (ja) | 1989-01-12 | 1999-07-26 | 株式会社デンソー | 磁気方位検出装置 |
JP3186403B2 (ja) * | 1993-03-11 | 2001-07-11 | 富士通株式会社 | 磁気的センサおよび信号変換回路 |
WO1998057188A1 (en) | 1997-06-13 | 1998-12-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sensor comprising a wheatstone bridge |
US5982178A (en) * | 1997-12-18 | 1999-11-09 | Honewell Inc. | Method and apparatus for sensing a desired component of an incident magnetic field using magneto resistive elements biased in different directions |
JP3623366B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2005-02-23 | アルプス電気株式会社 | 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 |
EP1141737B1 (en) * | 1999-06-18 | 2008-01-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic systems with irreversible characteristics and a method of manufacturing and repairing and operating such systems |
JP3596600B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2004-12-02 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ及び同磁気センサの製造方法 |
JP3835447B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2006-10-18 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ、同磁気センサの製造方法及び同製造方法に適したマグネットアレイ |
-
2002
- 2002-12-24 CN CNA028262220A patent/CN1608197A/zh active Pending
- 2002-12-24 JP JP2003556754A patent/JP4244807B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-24 US US10/500,012 patent/US7187168B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-24 EP EP02790844A patent/EP1450130A1/en not_active Withdrawn
- 2002-12-24 KR KR10-2004-7010071A patent/KR20040073515A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-12-24 WO PCT/JP2002/013436 patent/WO2003056276A1/ja not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102620724A (zh) * | 2011-01-26 | 2012-08-01 | 新科实业有限公司 | 地磁传感器装置以及数字罗盘 |
CN102620724B (zh) * | 2011-01-26 | 2016-03-09 | 新科实业有限公司 | 地磁传感器装置以及数字罗盘 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7187168B2 (en) | 2007-03-06 |
WO2003056276A1 (fr) | 2003-07-10 |
KR20040073515A (ko) | 2004-08-19 |
EP1450130A1 (en) | 2004-08-25 |
JPWO2003056276A1 (ja) | 2005-05-12 |
US20040248327A1 (en) | 2004-12-09 |
JP4244807B2 (ja) | 2009-03-25 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |