CN1918677A - 固体电解电容器 - Google Patents
固体电解电容器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1918677A CN1918677A CNA2005800042677A CN200580004267A CN1918677A CN 1918677 A CN1918677 A CN 1918677A CN A2005800042677 A CNA2005800042677 A CN A2005800042677A CN 200580004267 A CN200580004267 A CN 200580004267A CN 1918677 A CN1918677 A CN 1918677A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- porous sintered
- mentioned
- sintered article
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 19
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 43
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008676 import Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003447 ipsilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 210000002706 plastid Anatomy 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
- H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/14—Structural combinations or circuits for modifying, or compensating for, electric characteristics of electrolytic capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本发明涉及固体电解电容器(A1),具有沿着互相不同的方向突出的第一和第二阳极端子(11a、11b),优选具有使得阳极端子(11a、11b)之间导通的金属盖(22),由此,能够实现低ESR化和低ESL化,实现高频特性的提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种使用具有阀作用的金属多孔质烧结体的固体电解电容器。
背景技术
固体电解电容器例如用于除去从CPU等电子器件发生的噪音。CPU越来越谋求高速化。作为固体电解电容器也希望在包含高频区域的宽频率区域具有优异的噪音除去特性。此外,为了辅助向电子器件供给电力的电源***也使用固体电解电容器。随着电子器件的高同步化和数字化,作为固体电解电容器也希望与大容量且高速的电力供给相对应。为了与大容量的电力供给相对应,需要加大静电电容或抑制多孔质体的发热。
固体电解电容器的阻抗Z的频率特性由公式1决定。
在公式1中,ω表示角速度,相当于频率的2π倍。此外,C表示固体电解电容器的电容,R表示电阻,L表示电感。如从上述公式所理解的,在频率比本身共振点低的低频率区域,对于阻抗Z,1/ωC为主要的决定因素。为此,通过加大电容C能够实现低阻抗化。此外,在本身共振点附近的高频率区域,电阻R为主要的决定因素。为此,为了低阻抗化,需要实现低ESR(等效串联电阻)化。更进一步,在频率比本身共振点更加高的超高频率区域,ωL为主要的决定因素。为此,为了低阻抗化,需要实现低ESL(等效串联电感)化。多孔质烧结体的体积越大,固体电解电容器的ESL越大。因此,越谋求大容量化,超高频率区域的低阻抗化越困难。
作为固体电解电容器,包括:钽和铌等具有阀作用的金属多孔质烧结体;从该多孔质烧结体突出的多个阳极端子(例如,参照专利文献1)。图23和图24表示这种固体电解电容器的一个例子。在该固体电解电容器B上,设置有从多孔质烧结体91突出的三根阳极导线92,这些突出部分成为阳极端子93。如图24所示,这些阳极端子93利用阳极导通部件94互相导通。阴极导通部件95通过使用银膏等形成的导电性树脂层96与在多孔质烧结体91的表面所形成的固体电解质层(图示省略)导通。导通部件94、95分别与外部连接用的外部阳极端子和外部阴极端子(图示省略)导通。固体电解电容器B构成为所谓的两端子型固体电解电容器。在固体电解电容器B中,具有三个阳极端子93,由此可实现低ESR化。
但是,如图23所示,三个阳极导线92从多孔质烧结体91的一个面沿同一方向进入。在本图中,最大距离b表示阳极导线92和导电性树脂层96的各个部分的距离中的最大距离。在固体电解电容器B中,导电性树脂96中在与阳极导线92进入的面相反的面的端部所形成的部位与阳极导线92的距离,为最大距离b。该最大距离b越大,阳极端子93和导电性树脂层96之间的电阻和电感越大。特别是,在以大容量化为目的,将多孔质烧结体91大型化的情况下,以低ESL化为目的,将多孔质烧结体91偏平化的情况下,最大距离b进一步加大。在这样的情况下,难以实现低ESR化和低ESL化,具有难以充分响应提高高频特性这样的要求的问题。此外,在以大容量的电力供给为目的的谋求多孔质烧结体大型化的情况下,多孔质烧结体91中的发热变大。为此,需要提高放热性。
专利文献1:日本特开2001-57319号公报(图2、图3)。
发明内容
本发明是考虑上述问题做出的,其目的在于提供一种固体电解电容器,其能够通过低ESR化和低ESL化来实现高频特性的提高。
为了解决上述问题,在本发明中,采用了如下的技术手段。
本发明提供的固体电解电容器,包括:具有阀作用的金属多孔质烧结体;其一部分进入上述多孔质烧结体内并且从上述多孔质烧结体突出的部分形成为第一和第二阳极端子的第一和第二阳极导线;包含在上述多孔质烧结体的表面形成的固体电解质层的阴极,其特征在于,上述第一和第二阳极导线相对上述多孔质烧结体的进入方向,互相不同。
根据这样的结构,与以相对上述多孔质烧结体从一个方向进入的方式设置上述阳极导线的情况相比,能够减小上述阴极各部位和上述阳极导线的距离中的最大的距离(下面称为最大距离)。如果减小上述最大距离,就能够减小上述阴极和上述阳极之间的电阻和电感。因此,能够实现上述固体电解电容器的低ESR化和低ESL化,能够实现高频特性的提高。
优选,上述第一和第二阳极导线的进入方向互相相反。根据这样的结构,能够进一步减小上述最大距离。因此,适于低ESR化和低ESL化。
优选,具有使得上述第一和第二阳极端子相互导通的导通部件。根据这样的结构,能够电并联上述第一和第二阳极端子,有利于低电阻化。此外,如后所述,在构成为所谓的三端子型或四端子型固体电解电容器的情况下,利用上述导通部件,能够形成用于使得电路电流迂回的旁路电流路径。
优选,上述多孔质烧结体为扁平状,根据这样的结构,有利于低ESL化。
优选,上述导通部件包含覆盖上述多孔质烧结体的至少一部分的金属盖,还具有夹在上述金属盖和上述阴极之间的绝缘体。
根据这样的结构,能够利用上述金属盖来保护上述多孔质烧结体。上述金属盖与例如作为用于保护上述多孔质烧结体的部件的封装树脂相比,机械强度高。为此,既使上述多孔质烧结体发热,也能够抑制上述固体电解电容器整体发生不恰当的弯曲。此外,上述金属盖与上述封装树脂相比热传导性优异,所以,适于扩散上述多孔质烧结体所产生的热量。因此,适于提高上述固体电解电容器的容许电力损失。再者,通过改变上述金属盖的形状或厚度,能够调整该金属盖的电阻和电感。如果减小电阻和电感,能够提高高频区域的噪音除去特性以及电力供给的高速响应性。此外,如后所述,在利用上述导通部件形成使得电路电流的直流成分迂回的旁路电流路径的结构中,通过加大上述金属盖的电感,能够使得直流成分选择性的迂回,并且交流成分适当的向上述多孔质烧结体流动。
优选,在上述金属盖上形成多个孔。根据这样的结构,例如在上述金属盖和上述阴极之间形成树脂制绝缘体的工序中,能够利用上述多个孔导入树脂。此外,在上述金属盖和上述阴极之间例如设置树脂制薄膜的情况下,能够在上述金属盖上涂覆用于粘接上述树脂制薄膜的粘接剂,使其导入上述多个孔中。因此,与不形成上述孔的情况相比,能够增多上述粘接剂的涂覆量,能够提高上述树脂制薄膜和上述金属盖的粘接强度。再者,通过在上述金属盖中流动电流的部分设置上述多个孔,能够调整上述金属盖的电阻和电感。
优选,在上述金属盖上形成切口(slit)。根据这样的结构,也能够调整上述金属盖的电阻和电感。
优选,在上述金属盖上形成弯曲部。根据这样的结构,也能够调整上述金属盖的电感。
优选,具有与上述第一和第二阳极端子导通的面安装用的外部阳极端子、与上述阴极导通的面安装用的外部阴极端子。根据这样的结构,利用上述外部阳极端子和上述外部阴极端子,能够容易地进行上述固体电解电容器的面安装。
优选,上述导通部件包含阳极金属板,还具有夹在上述阳极金属板和上述阴极之间的绝缘体。根据这样的结构,上述阳极金属板能够形成为不具有台阶部等的平板状,能够减小上述第一和第二阳极端子间的电感。
优选,上述阳极金属板的至少一部分为面安装用的外部阳极端子。根据这样的结构,例如能够减小安装上述固体电解电容器的基板和上述阳极金属板的距离。因此,可缩短上述基板和上述阳极金属板之间流动的电流的路径,有利于减小其电感。
优选,在上述阳极金属板上形成切口。根据这样的结构,能够调整上述阳极金属板的电感。
优选,具有与上述阴极导通,而且夹在上述阴极和上述绝缘体之间的阴极金属板。根据这样的结构,在上述固体电解电容器的制造工序中,能够将上述阳极金属板、上述绝缘体、以及上述阴极金属板作为一体部件来完成,在形成上述多孔质烧结体之后,将上述一体部件和上述多孔质烧结体一起接合。因此,能够实现简化上述固体电解电容器的制造工序。
优选,上述阴极金属板的至少一部分,为面安装用的外部阴极端子。根据这样的结构,例如可缩短安装上述固体电解电容器的基板和上述阴极金属板之间流动的电流的路径,能够减小其电感。
优选,具有与上述阴极导通,而且覆盖上述多孔质烧结体的至少一部分的金属盖。根据这样的结构,能够利用上述金属盖保护上述多孔质烧结体。此外,适于提高上述固体电解电容器的容许电力损失。
优选,上述金属盖的至少一部分形成为面安装用的外部阴极端子。根据这样的结构,能够容易地进行上述固体电解电容器的面安装。
优选,上述绝缘体包含树脂制薄膜。根据这样的结构,浇铸树脂,与通过涂覆等形成上述绝缘体的情况相比,减少了产生针孔(pinhole)等缺陷的可能,能够避免耐绝缘性的降低。因此,适于可靠的使得上述金属盖和上述阴极绝缘。此外,树脂制薄膜的厚度能够变薄,所以有利于上述固体电解电容器整体的薄型化。
优选,上述绝缘体包含陶瓷制板,根据这样的结构,上述陶瓷制板例如与树脂相比,机械强度高,所以,适于避免由针孔等导致的耐绝缘性的降低。此外,在上述固体电解电容器的制造工序中,在更高温的情况下,也适于避免变质等的情况。
优选,上述第一和第二阳极端子,是能够使得电路电流在上述多孔质烧结体内流动的输入用和输出用的阳极端子,通过上述导通部件,形成能够使电路电流从上述输入用阳极端子向上述输出用阳极端子并在所述多孔质烧结体中迂回的流动的旁路电流路径。
根据这样的结构,具有上述电路电流在上述多孔质烧结体中流动的结构,能够构成上述固体电解电容器,作为所谓的三端子型或四端子型固体电解电容器,适于低ESR化和低ESL化。此外,在上述电路电流例如包含直流成分的大电流的情况下,使得该电流在上述旁路电流路径中流动,由此能够减小在上述多孔质烧结体中流动的电路电流,能够抑制上述多孔质烧结体的发热。为此,例如能够防止上述多孔质烧结体的局部温度上升、或封装树脂发生裂缝。因此,能够与电路电流的大电流化对应,且能够实现固体电解电容器的高频特性的提高。
优选,上述输入用和输出用的阳极端子间的上述旁路电流路径的电阻,小于上述输入用和输出用阳极端子间的上述多孔质烧结体的电阻。根据这样的结构,上述电路电流的直流成分,容易在上述旁路电流路径中流动。为此,在上述电路电流的直流成分为大电流的情况下,该直流成分在低电阻的旁路电流路径中流动,能够抑制上述阳极主体部的发热。因此,对应于电路电流的大电流化优选。
优选,具有多个上述多孔质烧结体,多个多孔质烧结体在它们的厚度方向上叠层。根据这样的结构,能够加大构成上述固体电解电容器的多孔质烧结体的体积,能够实现大容量化。此外,能够加大上述多孔质烧结体的体积,且能够抑制用于安装上述固体电解电容器的空间。
优选,具有多个上述多孔质烧结体,上述多个多孔质烧结体在与它们的厚度方向交叉的方向上并列配置。根据这样的结构,能够将设置在上述各个多孔质烧结体上的上述各个阳极端子,例如配置在与安装上述固体电解电容器的基板接近的位置。如果缩短上述各个阳极端子和上述基板的距离,能够减少相对高频区域的交流电流的阻抗,在低ESL化方面,优选。
本发明的其它特点和优点,通过参照附图在下面进行的详细说明可更加清楚。
附图说明
图1是本发明的固体电解电容器的一个例子的截面图。
图2是沿着图1的II-II线的截面图。
图3是本发明的固体电解电容器的一个例子的主要部分立体图。
图4是本发明的使用固体电解电容器的电路的一个例子的电路图。
图5是本发明的固体电解电容器所使用的金属盖的其它例子的整体立体图。
图6是本发明的固体电解电容器所使用的金属盖的其它例子的整体立体图。
图7是本发明的固体电解电容器的其它例子的截面图。
图8是本发明的固体电解电容器的其它例子的主要部分立体图。
图9是本发明的固体电解电容器的其它例子的截面图。
图10是沿着图9的X-X线的截面图。
图11是本发明的固体电解电容器的其它例子的主要部分立体图。
图12是本发明的固体电解电容器的其它例子的主要部分分解立体图。
图13是本发明的固体电解电容器所使用的阳极金属板的其它例子的整体立体图。
图14是本发明的固体电解电容器的其它例子的截面图。
图15是沿着图14的XV-XV线的截面图。
图16是本发明的固体电解电容器的其它例子的主要部分立体图。
图17是本发明的固体电解电容器的其它例子的截面图。
图18是本发明的固体电解电容器的其它例子的主要部分立体图。
图19是本发明的固体电解电容器的其它例子的主要部分立体图。
图20是本发明的固体电解电容器的其它例子的截面图。
图21是本发明的固体电解电容器的其它例子的主要部分立体图。
图22是本发明的使用固体电解电容器的电路的其它例子的电路图。
图23是现有的固体电解电容器的一个例子的截面图。
图24是现有的固体电解电容器的一个例子的主要部分立体图。
具体实施方式
下面参照附图来具体说明本发明的优选实施方式。
图1~图3表示本发明的固体电解电容器的一个例子。本实施方式的固体电解电容器A1具有:多孔质烧结体1;各三个的第一和第二阳极导线10a、10b;金属盖22,通过封装树脂51覆盖多孔质烧结体1。其中,在图3中,省略了封装树脂51。
多孔质烧结体1是矩形板状,通过对作为具有阀作用的金属的铌粉末加压成形之后进行烧结,从而形成。作为多孔质烧结体1的材质,如果是具有阀作用的金属就可以,例如可以使用钽等代替铌。铌与钽相比阻燃性优异。在固体电解电容器A1的使用中,多孔质烧结体1发热,所以,优选铌作为多孔质烧结体1的材料。在多孔质烧结体1的表面,形成介电体层(图示略)。在该介电体层上形成固体电解质层(图示略)。再者,在多孔质烧结体1的外侧形成导电性树脂层35。导电性树脂层35是例如通过石墨层叠层的银膏层,与上述固体电解质层导通。
第一和第二阳极导线10a、10b与多孔质烧结体1同样,由具有阀作用的金属制成,例如由铌制成。三根第一阳极导线10a从多孔质烧结体1的侧面1a进入多孔质烧结体1内,三根第二阳极导线10b从侧面1b进入多孔质烧结体1内。这些第一和第二阳极导线10a、10b中从多孔质烧结体1突出的部分成为第一和第二阳极端子11a、11b。第一和第二阳极端子11a、11b分别与后述的金属盖22的两端部接合,通过金属盖22互相导通。导体部件26与三根第一阳极端子11a接合。在导体部件26的图中下面设置有外部阳极端子21。外部阳极端子21的底面21’用于面安装固体电解电容器A1。
如图3所示,金属盖22具有上板和两个端板,收容多孔质烧结体1。在上述上板上形成有多个孔22c。在上述两个端板上各形成三个凹部22a。这些凹部22a能够与第一和第二阳极端子11a、11b嵌合,用于金属盖22与第一和第二阳极端子11a、11b的焊接。金属盖22例如由铜制成。铜是与作为多孔质烧结体1的材质的铌相比导电性高的材料。此外,金属盖22形成为与多孔质烧结体1相同程度的宽幅。由此,金属盖22形成比较低的电阻。
如图1所示,树脂制薄膜52用于实现金属盖22和导电性树脂层35的绝缘,利用粘接剂(图示略)对金属盖22和导电性树脂层35进行粘接。作为该树脂薄膜52,可以使用聚酰亚胺系薄膜(例如杜邦公司制造的カプトン(注册商标)薄膜)。聚酰亚胺系薄膜耐热性优异,所以在固体电解电容器A1的制造工序中,既使进行比较高温的处理,也少有变质等的可能。
如图1和图3所示,外部阴极端子31设置在多孔质烧结体1的图中下面,由金属板形成。作为外部阴极端子31的材质,使用Cu合金、Ni合金等。如图1所示,外部阴极端子31的图中上面和多孔质烧结体1的图中下面,通过导电性树脂层35粘接。外部阴极端子31的底面31’用于面安装固体电解电容器A1。
封装树脂51覆盖多孔质烧结体1、阳极端子11a、11b、以及金属盖22等,用于保护这些部件。在固体电解电容器A1的制造工序中,利用金属盖22的多个孔22c,在阳极端子11a、11b的周围能够容易地浸渍封装树脂51。由此,考虑到进行阳极端子11a、11b的绝缘和保护而优选。
接着,关于固体电解电容器A1的作用,以用于图4所示的电路的情况为例进行说明。
图4所示的电路组合有电路7、电源装置8和固体电解电容器A1。电路7是利用固体电解电容器A1除去噪音和供给电力的对象。作为电路7,是例如包含CPU、IC或HDD等的电路。固体电解电容器A1连接在电路7和电源装置8之间,用于抑制由电路7发生的杂质噪音向电源装置8侧泄漏,以及用于辅助向电路7的电力供给。在本图中,电阻R10a、R10b表示第一和第二阳极导线10a、10b的电阻,电感L10a、L10b表示第一和第二阳极导线10a、10b的电感。电阻R22、电感L22分别表示金属盖22的电阻和电感。如图1所示,作为多孔质烧结体1和外部阳极端子21之间的电流路径,形成在第一阳极端子11a中流动的电流路径,和通过金属盖22在第二阳极端子11b中流动的电流路径。如图4所示,在除去由电路7发生的噪音过程中,该噪音从外部阳极端子21分散到上述两个电流路径中,流入到多孔质烧结体1。此外,在用于电力供给的情况下,存储在固体电解电容器A1中的电能,分散到上述两个电流路径,从外部阳极端子21释放。
在图2中,最大距离a表示导电性树脂层35的各部位与第一或第二阳极导线10a、10b的距离中的最大距离。在本实施方式中,导电性树脂层35中的侧面1c、1d的中央附近所形成的部位与第一和第二阳极导线10a、10b的距离,为最大距离a。第一和第二阳极导线10a、10b相对多孔质烧结体1进入的方向相反,所以能够减小最大距离a。如果减少最大距离a,第一和第二阳极导线10a、10b与导电性树脂层35之间的电阻和电感变小,能够实现固体电解电容器A1的低ESR化和低ESL化。因此,根据本实施方式,能够提高包含高频区域的宽频率区域的噪音除去特性,可实现电力供给的响应性的高速化。此外,既使在以固体电解电容器A1的大电容化为目的的将多孔质烧结体1大型化的情况下,或在以低ESL化为目的的将多孔质烧结体1扁平化的情况下,这样的结构对于最大距离a的缩小都是有利的。其中,如果第一和第二阳极导线10a、10b的进入方向互相不同,就能够得到缩短上述最大距离的效果。也可以与本实施方式不同,形成例如第一和第二阳极导线10a、10b的进入方向互相垂直的结构。
多孔质烧结体1是扁平的,所以,如果在一个侧面设置多个阳极导线,有可能使得多孔质烧结体1的强度不足。为了避免这样的情况,需要限制在上述一个侧面所设置的阳极导线的根数。在本实施方式中,第一和第二阳极导线10a、10b分别设置在多孔质烧结体1的不同侧面。因此,例如与图23所示的现有例比较,固体电解电容器A1能够设置更多的阳极导线。因此,不会不恰当地降低多孔质烧结体1的强度,能够实现固体电解电容器A1的低ESR化和低ESL化。
如上所述,金属盖22能够减小该电阻和电感。在图4中,如果减小金属盖22的电阻R22和电感L22,电流不仅容易向第一阳极端子11a流动,而且也容易向第二阳极端子11b流动。因此,由于具有金属盖22,能够活用第一和第二阳极端子11a、11b,能够实现固体电解电容器A1的低ESR化和低ESL化。
金属盖22的机械强度充分高,既使多孔质烧结体1发热,固体电解电容器A1整体也能够避免大的变形。因此,能够适宜地避免封装树脂51发生裂缝,能够防止多孔质烧结体1与外面大气接触。此外,金属盖22与封装树脂51相比热传导性优异。因此,能够促进从多孔质烧结体1向外部放热。因此,能够提高固体电解电容器A1的容许电力损失,适于与大容量的电力供给相对应。
在本实施方式中,除了金属盖22以外不需要用于实现第一和第二阳极端子11a、11b导通的专用部件。因此,有利于抑制成本。
金属盖22和导电性树脂层35由树脂制薄膜52绝缘。也可考虑形成这样的结构:与本实施方式不同,例如通过在多孔质烧结体1的上面涂覆绝缘性树脂,实现金属盖22和导电性树脂层35的绝缘。这种情况下,上述绝缘性树脂涂敷为薄膜状,所以容易产生针孔(pinhole)。如果存在这样的针孔,会不恰当地导通金属盖22和导电性树脂层35,有可能会在固体电解电容器A1内产生短路等情况。如果使用树脂制薄膜52,既使为薄膜状也能够避免产生针孔。因此,适宜可靠地实现绝缘金属盖22和导电性树脂层35的绝缘。而且,也可以形成下述结构,使用陶瓷制板代替树脂制薄膜52。陶瓷制板例如与树脂制薄膜52相比,机械强度更高,能够避免产生针孔。此外,在固体电解电容器A1的制造工序中,在进行高温的处理的情况下,陶瓷制板与树脂相比耐热性优异,变质的可能性小。
在金属盖22上形成多个孔22c。利用这些孔22c中,例如靠近金属盖22的两端的孔22c,封装树脂51易于进入第一和第二阳极端子11a、11b的周围。因此,有利于第一和第二阳极端子11a、11b的绝缘。此外,通过涂覆用于将树脂制薄膜52与金属盖22粘接的粘接剂(图示略)使得其进入多个孔22c,能够增大上述粘接剂的涂覆量。因此,有利于提高上述树脂制薄膜52和上述金属盖22的粘接强度。再者,通过改变这些孔22c的大小和配置,能够容易地调整金属盖22的电阻和电感。
图5~图22表示了本发明的其它实施方式。其中,在这些图中,对于与上述实施方式相同或类似的要素,赋予与上述实施方式相同的符号。
图5和图6表示本发明的用于固体电解电容器的金属盖的其它例子。在图5所示的金属盖22上,形成沿着长度方向延伸的三个切口(slit)22d。根据这样的实施方式,通过改变切口22d的形状、大小和个数,能够容易地调整金属盖22的电感。此外,切口22d也能够用于调整金属盖22的电阻。
在图6所示的金属盖22上,形成四个弯曲部22e。根据这样的实施方式,对于高频区域的交流电流,弯曲部22e发挥与线圈同样的作用。因此,通过弯曲部22e能够调整金属盖22的电感。
在图7和图8所示的固体电解电容器A2上,以从多孔质烧结体1的四个侧面1a~1d分别进入多孔质烧结体1内的方式各设置两个阳极导线10a~10d,这些突出部成为第一到第四的阳极端子11a~11d。如图8所示,金属盖22形成为箱状,可从四面覆盖多孔质烧结体1。阳极端子11a~11d通过与金属盖22接合而互相导通。根据这样的实施方式,能够进一步减小阳极端子11a~11d和导电性树脂层35的最大距离,考虑到低ESR化和低ESL化而优选。此外,多孔质烧结体1由金属盖22从四面覆盖,也进一步抑制固体电解电容器A2整体的变形,有利于提高散热效果。
在图9~图12所示的固体电解电容器A3中,在通过阳极金属板23实现第一和第二阳极端子11a、11b的导通这一点与上述实施方式不同。其中,在图11和图12中,省略了封装树脂51。
固体电解电容器A3具有:阳极金属板23、阴极金属板33和树脂制薄膜52。阴极金属板33在其中央部33c利用导电性树脂层35与多孔质烧结体1的底面粘接,与在多孔质烧结体1的表面上所形成的固体电解质层(图示略)导通。如图10所示,阴极金属板33具有从中央部33c延伸出的两个外部阴极端子33a。
如图9和图10所示,阳极金属板23通过具有绝缘性的树脂制薄膜52叠层在中央部33c的图中下面。如图9所示,阳极金属板23在其两端附近接合导体部件26a、26b,与第一和第二阳极端子11a、11b导通。由此,第一和第二阳极端子11a、11b通过阳极金属板23互相导通。如图11和图12所示,阳极金属板23具有两个外部阳极端子23a。在阴极金属板33的中央部33c和外部阴极端子33a之间设置台阶差。外部阳极端子23a和外部阴极端子33a相互的底面大致为一个面。作为阳极金属板23和阴极金属板33的材质,可使用Cu合金、Ni合金等。
根据本实施方式,在固体电解电容器A3的制造工序中,能够预先作为一体部件组装阳极金属板23、树脂制薄膜52、阴极金属板33和导通部件26a、26b,在形成多孔质烧结体1之后,可全部接合多孔质烧结体1和上述一体部件。例如,与形成多孔质烧结体1之后,在多孔质烧结体1上顺序接合用于设置外部阳极端子和外部阴极端子的多个部件的情况相比,能够简化制造工序,能够实现生产效率的提高。
阳极金属板23和阴极金属板33隔着树脂制薄膜52叠层,所以能够适宜的实现它们的绝缘。阳极金属板23和阴极金属板33的任一个都为大致平板状,树脂制薄膜52也是薄膜状。因此,能够减小固体电解电容器A3的高度。
阳极金属板23是没有台阶差等的平板状,所以能够减小电感。因此,通过实现低ESL化,能够实现高频区域的噪音除去特性的提高和电力供给的响应性的高速化。
图13表示本发明的用于固体电解电容器的阳极金属板的其它例子。在该阳极金属板23上形成两个切口23d。这些切口23d从阳极金属板23的互相相对的两个边向内延伸。根据本实施方式,能够加大阳极金属板23的电感。如从本实施方式所理解到的,通过在阳极金属板23上设置切口23d等,能够调整阳极金属板23的电感。
图14~图16所示的固体电解电容器A4具有与多孔质烧结体1的固体电解质层导通的金属盖32。金属盖32收容多孔质烧结体1,如图14和图15所示,通过导电性树脂层35与多孔质烧结体1粘接。如图15和图16所示,金属盖32的两端,形成为外部阴极端子32a。如图14和图15所示,阳极金属板23隔着树脂制薄膜52叠层在多孔质烧结体1的图中下面。如图14和图16所示,阳极金属板23的一端部形成为外部阳极端子23a。
根据本实施方式,第一和第二阳极端子11a、11b利用阳极金属板23导通,由此,能够减小第一和第二阳极端子11a、11b之间的电感。此外,利用金属盖32,能够保护多孔质烧结体1,能够避免封装树脂51发生裂缝。此外,能够提高固体电解电容器A4的散热性。
图17和图18所示的电容器A5形成为叠层三个扁平的多孔质烧结体1的结构。相邻的多孔质烧结体1夹着平板状阴极金属板33,通过导电性树脂层35粘接。如图18所示,在各个阴极金属板33的延伸部33a和外部阴极端子31上,形成有孔。以贯通这些孔的方式设置有多个连接部件34。由此,外部阴极端子31和两个阴极金属板33与在多孔质烧结体1的表面所形成的固体电解质层导通,而且互相导通。同样,每三个导体部件26a、26b上各形成两个孔。以贯通这些孔的方式设置有多个连接部件24。由此,每九个阳极导线10a、10b可实现互相导通。这些连接部件24、34例如由铜制成。以覆盖图中最上级的多孔质烧结体1的方式设置金属盖22,与图中最上级的导体部件26a、26b导通。由此,三个多孔质烧结体1和金属盖22形成电并联连接的结构。
根据这样的实施方式,由于具有三个多孔质烧结体1,能够实现固体电解电容器A5的大电容化。各个多孔质烧结体1是薄型的,所以,能够缩短外部阴极端子31与各个阴极金属板33和各个阳极导线10a、10b之间的电流路径。因此,能够实现低ESR化和低ESL化。通过形成叠层三个多孔质烧结体1的结构,该固体电解电容器A5的安装空间为与仅仅具有一个多孔质烧结体1的固体电解电容器的安装空间相同。例如有利于装有固体电解电容器A5的设备的小型化。此外,利用连接部件24、34,可实现外部阳极端子21或外部阴极端子31与各个多孔质烧结体1之间的低电阻化。
在图19所示的固体电解电容器A6中,具有两个多孔质烧结体1,这些多孔质烧结体1沿着与它们的厚度方向交叉的方向并列配置。在各个多孔质烧结体1上,各导入两个第一和第二阳极端子11a、11b。第一和第二阳极端子11a、11b通过金属盖22和导体部件26a、26b互相导通。金属盖22形成为能够收容两个多孔质烧结体1的尺寸。
根据这样的实施方式,与图17和图18所示的固体电解电容器A5同样的,能够实现大电容化。此外,例如能够减小安装固体电解电容器A6的基板和第一阳极端子11a的距离。由此,在上述基板上所形成的配线图案和第一阳极端子11a之间流动的电流的路径,也可缩短。如果这样,能够减小上述电流路径的阻抗,有利于实现固体电解电容器A6的进一步低ESL化。两个多孔质烧结体1沿着与第一和第二阳极端子11a、11b延伸出的方向交叉的方向并列配置。因此,虽然具有多个多孔质烧结体1,但第一和第二阳极端子11a、11b之间的距离不变大,适于低ESR化和低ESL化。其中,多孔质烧结体1的个数也可以是两个以上。金属盖22也可以与各个多孔质烧结体1对应,形成分割的多个金属盖。
在图20和图21所示的固体电解电容器A7中,第一和第二阳极端子11a、11b分别为输入用和输出用阳极端子等,由此构成为所谓的四端子型固体电解电容器,这一点与上述实施方式不同。
第一和第二阳极端子11a、11b分别通过导体部件26a、26b与输入用和输出用外部阳极端子21a、21b导通,成为输入用和输出用的阳极端子。由此,固体电解电容器A7形成为电路电流能够在多孔质烧结体1中流动的结构。
金属盖22利用导体部件26a、26b与输入用和输出用的阳极端子11a、11b导通。由此,在输入用和输出用的阳极端子11a、11b之间,形成旁路(by-pass)电流路径。该旁路电流路径能够以迂回多孔质烧结体1的方式流动电路电流。金属盖22与上述固体电解电容器A1同样的,其电阻比多孔质烧结体1小。此外,金属盖22具有弯曲部,而且设置有多个孔22c,由此,其电感较大。该电感例如比输入用或输出用的阳极端子11a、11b与外部阴极端子33a、33b之间的电感大。
阴极金属板33设置在多孔质烧结体1的图中下面。在阴极金属板33上形成。在中央部33c与输入用和输出用的外部阴极端子33a、33b之间具有台阶差。中央部33c的图中上面,利用导电性树脂层35与多孔质烧结体1的固体电解质层粘接。中央部33c的图中下面由封装树脂51覆盖。
下面,关于固体电解电容器A7的作用,以用于图22所示的电路中的情况为一个例子来说明。
图22所示的电路为与图4所示的电路类似的结构,组合有电路7、电源装置8、和固体电解电容器A7。在本图中的符号与图4所示的符号相同。电阻R33a、R33b、电感L33a、L33b分别表示输入用和输出用的外部阴极端子33a、33b的电阻和电感。如本图中所示,固体电解电容器A7具有:输入用和输出用的外部阳极端子21a、21b;输入用和输出用的外部阴极端子33a、33b,由此,构成为四端子型固体电解电容器。根据本实施方式,可实现以下所述这样的改善。
首先,描述电路电流的直流成分在固体电解电容器A7中流动的情况。如上所述,在图示的电路中,由金属盖22形成旁路电流路径P。旁路电流电路P的电阻R22比输入用和输出用的阳极端子11a、11b之间的多孔质烧结体1的等效串联电阻小。为此,上述直流成分容易在旁路电流路径P中流动。因此,能够抑制多孔质烧结体1中的发热。此外,适于防止阳极导线10a、10b和多孔质烧结体1的接合部的局部温度上升。在防止封装树脂51发生裂缝方面优选。例如由于电路7中包含HDD,以上的效果在上述直流成分为大电流的情况下特别有用。电阻R22越小,就越能够与更大的电流对应。在本实施方式中,例如通过增加金属盖22的厚度,能够容易地实现低电阻化。
下面,描述电路电流的交流成分在固体电解电容器A7中流动的情况。旁路电流路径P的电感L22比阳极端子11a、11b与外部阴极端子33a、33b之间的等效串联电感大,为此,上述交流成分易于通过多孔质烧结体1向外部阴极端子33a、33b流动。上述交流成分例如是上述电路电流中所包含的噪音。根据本实施方式,能够从上述电路电流中有效地除去这样的噪音。此外,上述交流成分中的在旁路电流路径P中流动的成分,越是高频越能够由电感L22衰减。其中,也可以与本实施方式不同,形成由阳极金属板形成上述旁路电流路径的结构。此外,也可以形成具有与多孔质烧结体的固体电解质层导通的金属盖的结构。
本发明的固体电解电容器不限于上述实施方式,本发明的固体电解电容器的各个部分的具体结构能够自由地进行各种设计改变。
阳极导线的根数、位置和形状不限于上述实施方式,能够自由地进行各种改变。作为电容器的结构,不限于上述实施方式的电容器的结构,也可以是所谓的三端子型、贯通型。优选,金属盖具有孔,但不限于此,也可以形成不具有孔的结构。
作为具有阀作用的金属,例如也可以用钽代替铌,还可使用包含这些铌或钽的合金。此外,作为固体电解电容器,不限于包含具有阀作用的金属多孔质烧结体作为阳极主体部的固体电解电容器,例如也可以是铝固体电解电容器。本发明的固体电解电容器的具体用途也不限定。
Claims (22)
1.一种固体电解电容器,其特征在于,具有:
具有阀作用的金属的多孔质烧结体;
一部分进入所述多孔质烧结体内,且从所述多孔质烧结体突出的部分形成为第一和第二阳极端子的第一和第二阳极导线;和
包含在所述多孔质烧结体的表面形成的固体电解质层的阴极,
所述第一和第二阳极导线相对于所述多孔质烧结体的进入方向,互相不同。
2.如权利要求1所述的固体电解电容器,其特征在于,所述第一和第二阳极导线的进入方向互相相反。
3.如权利要求1所述的固体电解电容器,其特征在于,具有使所述第一和第二阳极端子相互导通的导通部件。
4.如权利要求1所述的固体电解电容器,其特征在于,所述多孔质烧结体为扁平状。
5.如权利要求3所述的固体电解电容器,其特征在于,
所述导通部件包含覆盖所述多孔质烧结体的至少一部分的金属盖,
还具有夹在所述金属盖和所述阴极之间的绝缘体。
6.如权利要求5所述的固体电解电容器,其特征在于,在所述金属盖上形成有多个孔。
7.如权利要求5所述的固体电解电容器,其特征在于,在所述金属盖上形成有切口。
8.如权利要求5所述的固体电解电容器,其特征在于,在所述金属盖上形成有弯曲部。
9.如权利要求5所述的固体电解电容器,其特征在于,具有:与所述第一和第二阳极端子导通的面安装用的外部阳极端子,和与所述阴极导通的面安装用的外部阴极端子。
10.如权利要求3所述的固体电解电容器,其特征在于,
所述导通部件包含阳极金属板,
还具有夹在所述阳极金属板和所述阴极之间的绝缘体。
11.如权利要求10所述的固体电解电容器,其特征在于,所述阳极金属板的至少一部分形成为面安装用的外部阳极端子。
12.如权利要求10所述的固体电解电容器,其特征在于,在所述阳极金属板上形成有切口。
13.如权利要求10所述的固体电解电容器,其特征在于,具有与所述阴极导通,且夹在所述阴极和所述绝缘体之间的阴极金属板。
14.如权利要求13所述的固体电解电容器,其特征在于,所述阴极金属板的至少一部分形成为面安装用的外部阴极端子。
15.如权利要求10所述的固体电解电容器,其特征在于,具有与所述阴极导通,且覆盖所述多孔质烧结体的至少一部分的金属盖。
16.如权利要求15所述的固体电解电容器,其特征在于,所述金属盖的至少一部分形成为面安装用的外部阴极端子。
17.如权利要求5所述的固体电解电容器,其特征在于,所述绝缘体包含树脂制薄膜。
18.如权利要求5所述的固体电解电容器,其特征在于,所述绝缘体包含陶瓷制板。
19.如权利要求3所述的固体电解电容器,其特征在于,
所述第一和第二阳极端子,是能够使电路电流在所述多孔质烧结体内流动的输入用和输出用的阳极端子,
通过所述导通部件,形成能够使得电路电流从所述输入用的阳极端子向所述输出用的阳极端子并在所述多孔质烧结体中迂回的流动的旁路电流路径,
20.如权利要求19所述的固体电解电容器,其特征在于,所述输入用和输出用的阳极端子之间的所述旁路电流路径的电阻,小于所述输入用和输出用的阳极端子之间的所述多孔质烧结体的电阻。
21.如权利要求4所述的固体电解电容器,其特征在于,具有多个所述多孔质烧结体,多个多孔质烧结体在它们的厚度方向上叠层。
22.如权利要求4所述的固体电解电容器,其特征在于,具有多个所述多孔质烧结体,所述多个多孔质烧结体在与它们的厚度方向交叉的方向上并列配置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP028981/2004 | 2004-02-05 | ||
JP2004028981A JP4126021B2 (ja) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | 固体電解コンデンサ |
PCT/JP2005/001582 WO2005076298A1 (ja) | 2004-02-05 | 2005-02-03 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1918677A true CN1918677A (zh) | 2007-02-21 |
CN1918677B CN1918677B (zh) | 2010-12-15 |
Family
ID=34835937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2005800042677A Expired - Fee Related CN1918677B (zh) | 2004-02-05 | 2005-02-03 | 固体电解电容器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7646589B2 (zh) |
JP (1) | JP4126021B2 (zh) |
KR (1) | KR100801777B1 (zh) |
CN (1) | CN1918677B (zh) |
WO (1) | WO2005076298A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449102A (zh) * | 2015-08-04 | 2017-02-22 | Avx公司 | 用于低esr电解电容器的使用载线的多路引线 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI402873B (zh) * | 2005-01-24 | 2013-07-21 | Panasonic Corp | Chip type solid electrolytic capacitors |
KR100919337B1 (ko) * | 2005-05-18 | 2009-09-25 | 파나소닉 주식회사 | 디지털 신호 처리 장치 |
JP4749818B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2011-08-17 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP4811091B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-09 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ |
WO2008108350A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Nec Corporation | 容量素子、プリント配線基板、半導体パッケージ及び半導体回路 |
JP4725623B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-07-13 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2011009683A (ja) * | 2009-05-22 | 2011-01-13 | Nippon Chemicon Corp | コンデンサ |
TWI492254B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-07-11 | Ind Tech Res Inst | 去耦合元件 |
US9767964B2 (en) * | 2011-04-07 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly |
US9776281B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-10-03 | Avx Corporation | Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor |
GB2512486B (en) * | 2013-03-15 | 2018-07-18 | Avx Corp | Wet electrolytic capacitor |
US9269499B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-02-23 | Avx Corporation | Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor |
KR20160007197A (ko) * | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
KR102068807B1 (ko) * | 2014-10-22 | 2020-01-22 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
US9837216B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-12-05 | Avx Corporation | Carrier wire for solid electrolytic capacitors |
US10861652B2 (en) * | 2015-05-06 | 2020-12-08 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor with volumetrically efficient hermetic packaging |
US9842704B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-12-12 | Avx Corporation | Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor |
KR102281461B1 (ko) | 2015-08-07 | 2021-07-27 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해커패시터 및 그 실장 기판 |
US20170084397A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Kemet Electronics Corporation | Methods to Reduce Case Height for Capacitors |
WO2019239937A1 (ja) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 株式会社村田製作所 | コンデンサアレイ、複合電子部品、コンデンサアレイの製造方法、及び、複合電子部品の製造方法 |
CN113661551B (zh) | 2019-05-17 | 2023-04-04 | 京瓷Avx元器件公司 | 固体电解电容器 |
CN214753406U (zh) * | 2020-12-14 | 2021-11-16 | 东莞顺络电子有限公司 | 一种钽电解电容器 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5231840A (en) | 1975-09-04 | 1977-03-10 | Kao Corp | Tooth paste composition |
JPS5830121A (ja) | 1981-08-14 | 1983-02-22 | 日本電気株式会社 | 有極性チツプ型電子部品 |
DE3320116A1 (de) | 1983-06-03 | 1984-12-06 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke Jakob Preh Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | Tastschaltvorrichtung |
JPH0389508A (ja) | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ状固体電解コンデンサ |
JP2534381B2 (ja) | 1990-06-22 | 1996-09-11 | 日産自動車株式会社 | 排気管支持装置 |
JPH04367212A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Nec Corp | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2846845B2 (ja) * | 1992-04-07 | 1999-01-13 | ローム株式会社 | パッケージ型アレイ固体電解コンデンサの構造 |
JP3229121B2 (ja) | 1994-05-27 | 2001-11-12 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサの構造 |
JP3383563B2 (ja) * | 1997-12-18 | 2003-03-04 | 富士通株式会社 | 物体移動シミュレーション装置 |
JPH11288845A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Matsuo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
DE69941324D1 (de) | 1998-06-11 | 2009-10-08 | Showa Denko Kk | Filmkondensatorelement und schicht- festelektrolytkondensator |
JP3535014B2 (ja) | 1998-06-19 | 2004-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 電解コンデンサ用電極 |
JP3755336B2 (ja) | 1998-08-26 | 2006-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2001057319A (ja) * | 1999-06-11 | 2001-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの陽極素子、固体電解コンデンサ、並びに固体電解コンデンサの製造方法及び製造装置 |
JP3312246B2 (ja) | 1999-06-18 | 2002-08-05 | 松尾電機株式会社 | チップコンデンサの製造方法 |
TW516054B (en) | 2000-05-26 | 2003-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor |
US6625009B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-09-23 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of making the same |
TW559845B (en) * | 2001-07-30 | 2003-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method |
JP2003068576A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Rohm Co Ltd | 面実装型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法 |
CN1496571A (zh) | 2001-09-20 | 2004-05-12 | 松下电器产业株式会社 | 电容器、层叠型电容器及电容器内置基板 |
JP2003101311A (ja) | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Nec Corp | シールドストリップ線路型素子 |
TWI279080B (en) | 2001-09-20 | 2007-04-11 | Nec Corp | Shielded strip line device and method of manufacture thereof |
JP3888523B2 (ja) | 2001-11-21 | 2007-03-07 | 日本カーリット株式会社 | 三端子薄型アルミ固体電解コンデンサ |
JP4539948B2 (ja) | 2001-11-29 | 2010-09-08 | ローム株式会社 | コンデンサの製造方法 |
JP4010447B2 (ja) | 2002-05-30 | 2007-11-21 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP4060657B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2008-03-12 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
US7061772B2 (en) * | 2002-08-05 | 2006-06-13 | Nec Tokin Corporation | Electronic circuit with transmission line type noise filter |
JP2004253615A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3932191B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2007-06-20 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP4472277B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-02 | Necトーキン株式会社 | チップ型固体電解コンデンサ |
JP2005079463A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Nec Tokin Corp | 積層型固体電解コンデンサおよび積層型伝送線路素子 |
JP4392237B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2009-12-24 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP4240385B2 (ja) | 2004-02-03 | 2009-03-18 | Necトーキン株式会社 | 表面実装型コンデンサ |
WO2005083729A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Rohm Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ |
-
2004
- 2004-02-05 JP JP2004028981A patent/JP4126021B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-03 US US10/588,625 patent/US7646589B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-03 CN CN2005800042677A patent/CN1918677B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-03 WO PCT/JP2005/001582 patent/WO2005076298A1/ja active Application Filing
- 2005-02-03 KR KR1020067017974A patent/KR100801777B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449102A (zh) * | 2015-08-04 | 2017-02-22 | Avx公司 | 用于低esr电解电容器的使用载线的多路引线 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7646589B2 (en) | 2010-01-12 |
JP2005223113A (ja) | 2005-08-18 |
WO2005076298A1 (ja) | 2005-08-18 |
JP4126021B2 (ja) | 2008-07-30 |
KR20060114380A (ko) | 2006-11-06 |
US20090015988A1 (en) | 2009-01-15 |
KR100801777B1 (ko) | 2008-02-05 |
CN1918677B (zh) | 2010-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1918677A (zh) | 固体电解电容器 | |
CN1637976A (zh) | 固体电解电容器及电路 | |
CN1100329C (zh) | 多层电子部件及其制造方法 | |
CN1926649A (zh) | 固体电解电容器 | |
CN1658345A (zh) | 固态电解电容器、传输线器件、它们的制作方法及采用它们的复合电子元件 | |
CN1178243C (zh) | 电容器 | |
CN1275328C (zh) | 半导体芯片和使用了该半导体芯片的半导体器件 | |
CN1767104A (zh) | 表面安装型电容器及其制造方法 | |
CN1496571A (zh) | 电容器、层叠型电容器及电容器内置基板 | |
CN1476621A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN1836298A (zh) | 固体电解电容器、电路和固体电解电容器的安装结构 | |
CN1411144A (zh) | 屏蔽带状线装置及其制造方法 | |
CN1479330A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN101983409A (zh) | 具有牺牲导线构造的电容器及制造该电容器的改进方法 | |
CN100350526C (zh) | 固体电解电容器 | |
CN1862727A (zh) | 可易于降低esl的固体电解电容器 | |
CN1258373A (zh) | 复合元件及其制造方法 | |
CN1499548A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN1871676A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
CN1469545A (zh) | 宽带除噪特性好、构造小型简单的传送线路型噪声滤波器 | |
CN1930647A (zh) | 固体电解电容器及其用途 | |
CN1460274A (zh) | 固体电解电容及其制造方法 | |
CN1282207C (zh) | 复合电子器件 | |
CN1601672A (zh) | 固体电解电容器 | |
CN111161955B (zh) | 多层陶瓷电子组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101215 Termination date: 20190203 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |