JP4461098B2 - 磁気バイアス膜およびこれを用いた磁気センサ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態における磁気バイアス膜の上面図である。この磁気バイアス膜9は、複数の磁気バイアスマグネット9A〜9Gから構成されており、それら磁気バイアスマグネット9A〜9Gは、それぞれ矢印Aの方向(x方向)に磁界を発生させている。
図3は、本発明の第2の実施形態における磁気バイアス膜の斜視図である。図3において、磁気バイアス膜11は、磁性層12と非磁性層13とを交互に複数積層した構造となっている。ここで、磁性層12はCoPt合金で構成されており、一定方向に磁化されることで、矢印Aの方向(x方向)に磁界を発生させている。また、非磁性層13はCrで構成されている。Crは厳密には反強磁性体であり非磁性ではないが、強磁性体ではないという意味で、以下、Crに対しても非磁性という言葉を用いる。
図7は、本発明の第3の実施形態における磁気バイアス膜の斜視図である。本発明の第3の実施形態における磁気バイアス膜11は、複数の磁気バイアスマグネット11A〜11Cから構成されており、矢印Aの方向(x方向)に磁界を発生させている。そして、磁気バイアスマグネット11Aは、CoPt合金からなる磁性層12とCrからなる非磁性層13とを交互に複数積層した構造からなり、長辺(y方向)、短辺(x方向)、および磁気バイアス膜11Aの積層方向である厚さ(z方向)の順に長さが短くなる略直方体形状を有する。
図10は本発明の第4の実施形態における磁気センサの斜視図、図11は同磁気センサの分解斜視図、図12は図10におけるI−I’線断面図、図13は同磁気センサにおける第1、第2の磁気検出部の上面図、図14は同磁気センサにおける第1の磁気検出部の電気回路図である。
図17は、本発明の第5の実施形態における磁気センサの断面図である。本発明の第5の実施形態における磁気センサは、上記した本発明の第4の実施形態における磁気センサと同じ構成要素には同じ符号を付しており、ここでは、異なる点のみを説明する。
(A)上記本発明の第4および第5の実施形態においては、方位センサとしての磁気センサについて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、磁気バイアスを用いるその他の磁気センサにも応用可能である。例えば、磁気インピーダンス効果素子などの、特に微弱な磁界を検出する小型センサに有用である。
Claims (20)
- 磁性層を含み、前記磁性層の積層方向に垂直な面内に磁界を発生する磁気バイアスマグネットを備える磁気バイアス膜であって、
前記磁気バイアスマグネットは、長辺、短辺、積層方向の厚さの順に長さが短くなる略直方体形状に加工され、かつ短辺に対する長辺の長さの比が5〜200の範囲であり、かつ短辺方向に複数配置されることを特徴とする磁気バイアス膜。 - 前記磁気バイアスマグネットは、さらに非磁性層を含み、2以上の前記磁性層と1または2以上の前記非磁性層とが交互に積層されることを特徴とする請求項1記載の磁気バイアス膜。
- 前記非磁性層は、Cr、Ti、Cu、Al、Sn、Nb、Au、Ag、Ta、Wのいずれか1つで構成されることを特徴とする請求項2記載の磁気バイアス膜。
- 前記非磁性層の厚さは、50Å〜500Åの範囲であることを特徴とする請求項2または3に記載の磁気バイアス膜。
- 前記磁気バイアスマグネットが発生する磁界の方向は、長辺方向であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 前記磁気バイアスマグネットが発生する磁界の方向は、短辺方向であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 前記磁性層は、CoPt合金、CoCr合金、CoCrPt合金、またはフェライトマグネットのいずれか1つで構成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 前記磁性層の厚さは、250Å〜2500Åの範囲であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 前記磁性層の層数が奇数であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 発生する磁界の強度が5Oe以上20Oe以下であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 前記磁性層の積層方向に垂直な面内の一方向に磁場を印加しながら前記磁性層が成膜されることで、前記磁性層に磁気異方性を付与することを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 前記磁性層の積層方向に垂直な面内の一方向に磁場を印加しながら前記磁気バイアスマグネットが所定の温度で熱処理を施されることで、前記磁性層に磁気異方性を付与することを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の磁気バイアス膜。
- 基板と、
前記基板の主面側に形成された少なくとも2以上の磁気検出素子を備えた第1の磁気検出部と、
前記基板の主面側に形成された少なくとも2以上の磁気検出素子を備えた第2の磁気検出部と、
前記第1の磁気検出部に対向する位置に設けられた第1の磁気バイアス膜と、
前記第2の磁気検出部に対向する位置に設けられた第2の磁気バイアス膜と、
を備えた磁気センサであって、
前記第1および第2の磁気バイアス膜は、請求項1乃至12のいずれかに記載の磁気バイアス膜であり、かつ前記第1の磁気バイアス膜が発生する磁界の向きと、前記第2の磁気バイアス膜が発生する磁界の向きとが異なることを特徴とする磁気センサ。 - 前記第1の磁気検出部と前記第2の磁気検出部との少なくとも一方を覆う絶縁膜をさらに備えたことを特徴とする請求項13記載の磁気センサ。
- 前記第1の磁気検出部は、
第1の磁気検出素子と、
前記第1の磁気検出素子とパターンの長手方向が異なり、かつ前記第1の磁気検出素子と電気的に直列に接続された第2の磁気検出素子と、
前記第2の磁気検出素子とパターンの長手方向が平行である第3の磁気検出素子と、
前記第1の磁気検出素子とパターンの長手方向が平行であり、かつ前記第3の磁気検出素子と電気的に直列に接続された第4の磁気検出素子と、を備え、
前記第1の磁気検出素子と前記第2の磁気検出素子、前記第3の磁気検出素子と前記第4の磁気検出素子とがそれぞれ電気的に並列に接続されており、
前記第2の磁気検出部は、
第5の磁気検出素子と、
前記第5の磁気検出素子とパターンの長手方向が異なり、かつ前記第5の磁気検出素子と電気的に直列に接続された第6の磁気検出素子と、
前記第6の磁気検出素子とパターンの長手方向が平行である第7の磁気検出素子と、
前記第5の磁気検出素子とパターンの長手方向が平行であり、かつ前記第7の磁気検出素子と電気的に直列に接続された第8の磁気検出素子と、を備え、
前記第5の磁気検出素子と前記第6の磁気検出素子、前記第7の磁気検出素子と前記第8の磁気検出素子とがそれぞれ電気的に並列に接続されていることを特徴とする請求項13または14に記載の磁気センサ。 - 前記第1の磁気バイアス膜で発生する磁界の向きと、前記第2の磁気バイアス膜で発生する磁界の向きとのなす角度が90°であり、前記第1の磁気検出素子のパターンの長手方向と、前記第2の磁気検出素子のパターンの長手方向とのなす角度が90°であり、かつ前記第5の磁気検出素子のパターンの長手方向と、前記第6の磁気検出素子のパターンの長手方向とのなす角度が90°であることを特徴とする請求項15記載の磁気センサ。
- 前記第1の磁気バイアス膜で発生する磁界の向きと、前記第1の磁気検出素子のパターンの長手方向とのなす角度が45°であり、
前記第2の磁気バイアス膜で発生する磁界の向きと、前記第5の磁気検出素子のパターンの長手方向とのなす角度が45°であることを特徴とする請求項16記載の磁気センサ。 - 前記第1の磁気検出部は、
第1の磁気検出素子と、
前記第1の磁気検出素子とパターンの長手方向が異なり、かつ前記第1の磁気検出素子と電気的に直列に接続された第2の磁気検出素子と、を備え、
前記第2の磁気検出部は、
第3の磁気検出素子と、
前記第3の磁気検出素子とパターンの長手方向が異なり、かつ前記第3の磁気検出素子と電気的に直列に接続された第4の磁気検出素子と、を備えたことを特徴とする請求項13または14に記載の磁気センサ。 - 前記磁気検出素子は、NiCoまたはNiFeを含む磁性膜から構成されることを特徴とする請求項13乃至18のいずれかに記載の磁気センサ。
- 前記絶縁膜は、SiO2であることを特徴とする請求項13乃至19のいずれかに記載の磁気センサ。
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