CN1578132A - 声表面波器件和通信设备 - Google Patents

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CN1578132A CNA2004100492106A CN200410049210A CN1578132A CN 1578132 A CN1578132 A CN 1578132A CN A2004100492106 A CNA2004100492106 A CN A2004100492106A CN 200410049210 A CN200410049210 A CN 200410049210A CN 1578132 A CN1578132 A CN 1578132A
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Abstract

一种声表面波器件，包括在梯形结构中安置的单端对的SAW器件串联谐振器和单端对的SAW器件并联谐振器。在串联谐振器中，例如，形成通带的两个串联谐振器的谐振频率低于形成通带的并联谐振器的反谐振频率。在由形成通带的并联谐振器和其它的形成通带的串联谐振器形成的电感性区域上处置串联谐振器之一的电容性区域。

Description

声表面波器件和通信设备
技术领域
本发明涉及适合于窄带通信设备的滤波器的声表面波器件(下文中称为“SAW”)，尤其是，本发明涉及使用多个梯型的单端对(one-terminal-pair)SAW谐振器的SAW器件，也涉及包括此SAW器件的通信设备。
背景技术
日本未审查的专利申请公开号5-183380公开了用作为适合于小的通信终端，如蜂窝电话，的带通滤波器的SAW器件的例子。在此公开中，提出了包括可选择与串联装备和并联装备连接的单端对SAW谐振器的梯型的带通滤波器。
在上面提到的专利申请公开的梯型带通滤波器中，如在图15中所示，第一个单端对SAW谐振器51a，51b和51c互相串联连接，第二个单端对SAW谐振器52a，52b，52c和52d互相并联连接。然而，如在图16中所示，并联谐振器52a，52b，52c和52d的反谐振频率(fap)实际上允许与串联谐振器52a，52b和52c的谐振频率(frs)一致。产生的梯型的带通滤波器显示出非常好的性能，例如，低的损耗和更宽的带宽，因此广泛的用作通信滤波器。
在上面描述的刊物中也公开了由设置串联谐振器51a，51b和51c的谐振频率(frs)高于并联谐振器52a，52b，52c和52d的反谐振频率(fap)可以获得更宽的带宽。
然而，更宽带宽的滤波器特性不是总适合的，带宽应根据滤波器的规范确定。
如在图17和18中所示，全球定位***(GPS)或时分同步码分多址(TDS-CDMA)滤波器必须是有窄带宽的滤波器特性。个人手机***(PHS)或个人数字蜂窝(PDC)滤波器也要求窄带滤波器。GPS、TDS-CDMA、PHS和PDC滤波器的通带带宽分别可根据带宽比率的0.2％，0.7％，1.8％和1.7％指定。带宽比率是由通带宽度除以相应的中心频率确定的。其它现存的滤波器规范，如PCS、数字命令信号(DCS)、和宽带CDMA(WCDMA)滤波器的带宽比率分别是3.1％，4.1％和2.8％。
更宽的带宽是第二组滤波器要求的，因此，在上面描述的刊物中公开的设计类型对这些滤波器是合适的。然而，对第一组滤波器，要求更窄带宽的滤波器，因此，如在上面描述的刊物中公开的已知的设计类型是不合适的。现在，对第一组的滤波器没有合适的设计类型，特别是没有带宽比率2.5％或更低的滤波器。
由改变压电衬底的类型或降低压电衬底厚度，依照相应规范的更窄的带宽可以作一定的程度调整。然而，在上面描述的已知的设计类型中，存在作这些调整的限制。特别是，对有中心频率高于1.5GHz的高频率滤波器，因为高的频率，衬底已很薄了，为了获得窄的带宽特性，进一步减小衬底的厚度引起欧姆损耗的增加。因此，必须是不使得衬底很薄而获得窄带特性。
因此，根据上面描述的设计类型，更窄的带宽增加***损耗。更特殊的是，上面的刊物中公开了由设置串联谐振器51a，51b和51c的谐振频率(frs)高于并联谐振器52a，52b，52c和52d的反谐振频率(fap)可以获得更宽的带宽。相反，如在图19中所示，可以认为如果串联谐振器51a，51b和51c的谐振频率(frs)设置为低于并联谐振器52a，52b，52c和52d的反谐振频率(fap)可以获得更窄的带宽。然而，理想的窄带宽是不可能获得的。
图20说明当反谐振频率实际上等于谐振频率，即，fap≈frs时，和当反谐振频率大于谐振频率，即，fap＞frs时传输特性的比较结果。图20显示当fap＞frs时，整个通带的***损耗有相当大的增加。因此，即使串联谐振器51a，51b和51c的谐振频率(frs)设置为低于并联谐振器52a，52b，52c和52d的反谐振频率(fap)，降低通带带宽而不增加***损耗是困难的。
在日本未审查的专利申请公开号11-163664中公开了解决此问题的一种方法。减少电极接头的数目，因此降低谐振频率和反谐振频率之间的频率间隔，因此使得带宽更窄。
然而，在谐振频率和反谐振频率之间更小的频率间隔降低反谐振频率的阻抗，因此减少Q因数。因此，可以降低通带宽度，但另一方面，增加***损耗。
日本未审查的专利申请公开号10-13187公开了在级之间提供抑制失配损耗的电容器件或电感器件，抑制在通带的较低频率范围中增加***损耗的技术。
然而，这对降低通带宽度是不适合的技术。因此，该专利申请公开的结构和概念与本发明是不同的。
日本未审查的专利申请公开号2002-232264公开了由设置一个串联谐振器的反谐振频率低于并联率谐振器的谐振频率，增加在通带的较低频率范围中的衰减的技术。
然而，这对降低通带宽度是不适合的技术。这只是由设置并联率谐振器的反谐振频率等于串联谐振器的谐振频率，增加在通带的较低频率范围中的衰减的技术，不像在本发明中串联谐振器的谐振频率设置为低于并联谐振器的反谐振频率。因此，该专利申请公开的结构和概念与本发明是不同的。
日本未审查的专利申请公开号11-312951公开了下面的技术。包括至少一个谐振器，它的谐振频率不同于其它谐振器的谐振频率的多个SAW谐振器与串联设备串联连接。包括至少一个谐振器，它的谐振频率不同于其它谐振器的谐振频率的多个SAW谐振器与并联设备并联连接。用此配置，减小了通带。
然而，根据该专利申请公开的技术，由设置并联谐振器的反谐振频率实际上等于串联谐振器的谐振点，使得在谐振频率和反谐振频率之间的差Af更小，因此减小了通带带宽。因此底部特性恶化，或在通带附近产生大的波纹。
发明内容
为了克服上述的问题，本发明的优选实施例提供小的波纹和低的***损耗的SAW器件，由设置串联谐振器的谐振频率低于并联谐振器的反谐振频率，并设置部分串联谐振器的谐振频率或部分并联谐振器的反谐振频率在一定的范围中，SAW器件表现出极好的电压驻波比(VSWR)特性并获得窄的通带带宽，而没有大大改变压电衬底的类型或降低压电衬底厚度，并提供包括此SAW器件的通信设备。
根据本发明的优选实施例，SAW器件包括串联SAW谐振器和并联SAW谐振器，串联SAW谐振器和并联SAW谐振器安置在梯形结构中。至少形成通带的串联SAW谐振器之一的谐振频率低于至少形成通带的并联SAW谐振器之一的反谐振频率。用此结构，通带带宽可做得更窄。在由至少形成通带的串联SAW谐振器之一和至少形成通带的并联SAW谐振器之一中形成电感性区域，布置不同于上面描述的形成通带的串联SAW谐振器之一的至少串联SAW谐振器之一的电容性区域，或布置不同于上面描述的形成通带的并联SAW谐振器之一的至少并联SAW谐振器之一的电容性区域。用此结构，不增加***损耗。
根据本发明的另一优选实施例，SAW器件包括串联SAW谐振器和并联SAW谐振器，串联SAW谐振器和并联SAW谐振器安置在梯形结构中。至少形成通带的串联SAW谐振器之一的谐振频率低于至少形成通带的并联SAW谐振器之一的反谐振频率。用此结构，通带带宽可做得更窄。在至少形成通带的串联SAW谐振器之一的谐振频率和至少形成通带的并联SAW谐振器之一的反谐振频率之间，布置不同于上面描述的形成通带的串联SAW谐振器之一的至少串联SAW谐振器之一的电容性区域，或配置不同于上面描述的形成通带的并联SAW谐振器之一的至少并联SAW谐振器之一的电容性区域。用此结构，不增加***损耗。
在上面提到的SAW器件中，部分串联SAW谐振器的谐振频率可高于或等于形成通带的并联SAW谐振器的反谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，部分串并SAW谐振器的谐振频率可高于或等于形成通带的串联SAW谐振器的反谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，部分并联SAW谐振器的谐振频率可高于或等于形成通带的串联SAW谐振器的反谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，部分并联SAW谐振器的反谐振频率可低于或等于形成通带的串联SAW谐振器的谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，部分串联SAW谐振器的反谐振频率可低于或等于形成通带的并联SAW谐振器的谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，部分并联SAW谐振器的反谐振频率可低于或等于形成通带的并联SAW谐振器的谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，串联SAW谐振器的第一部分的反谐振频率可低于或等于形成通带的并联SAW谐振器的谐振频率。不同于串联SAW谐振器的第一部分的串联SAW谐振器的第二部分的谐振频率可高于或等于形成通带的串联SAW谐振器的反谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，并联SAW谐振器的第一部分的谐振频率可高于或等于形成通带的串联SAW谐振器的反谐振频率。不同于并联SAW谐振器的第一部分的并联SAW谐振器的第二部分的反谐振频率可低于或等于形成通带的并联SAW谐振器的谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，部分串联SAW谐振器的谐振频率可高于或等于形成通带的串联SAW谐振器的反谐振频率。部分并联SAW谐振器的反谐振频率可低于或等于形成通带的并联SAW谐振器的谐振频率。
在上面提到的SAW器件中，部分并联SAW谐振器的谐振频率可高于或等于形成通带的串联SAW谐振器的反谐振频率。部分串联SAW谐振器的反谐振频率可低于或等于形成通带的并联SAW谐振器的谐振频率。
根据本发明的另一优选实施例，通信设备包括根据上面描述的本发明的优选实施例的SAW器件的任何一个。因为通信设备包括获得更窄的带宽而不增加***损耗的SAW器件，能改善通信设备的通信特性。
参考附图从下面详细的描述中本发明的其它特征，元件，特性和优点会更清晰。
附图说明
图1A是说明本发明第一优选实施例的SAW器件的框图；
图1B是说明用于显示在图1A中的SAW器件的谐振器的阻抗特性视图；
图2是说明显示在图1A中的SAW器件的原理平面图；
图3是说明用于显示在图1A中的SAW器件的谐振器的电容性区域和电感性区域的阻抗特性的视图；
图4是说明本发明的第一优选实施例的SAW器件的传输特性的视图；
图5是说明本发明的第一优选实施例的SAW器件的VSWR的特性视图；
图6是说明用于本发明第二优选实施例的SAW器件的谐振器的阻抗特性视图；
图7是说明本发明的第二优选实施例的SAW器件的传输特性的视图；
图8是说明本发明的第二优选实施例的SAW器件的VSWR的特性视图；
图9是说明本发明第三优选实施例的用于SAW器件的谐振器的阻抗特性视图；
图10是说明本发明的第三优选实施例的SAW器件的传输特性的视图；
图11是说明本发明的第三优选实施例的SAW器件的VSWR的特性视图；
图12是说明用于根据本发明的第四优选实施例的SAW器件的谐振器的阻抗特性视图；
图13是说明本发明的第四优选实施例的SAW器件的传输特性的视图；
图14是说明本发明的第四优选实施例的SAW器件的VSWR的特性视图；
图15是说明已知的SAW器件的框图；
图16是说明用于已知的SAW器件的谐振器的阻抗特性的例子的视图；
图17是说明GPS滤波器频带的视图；
图18是说明TDS-CDMA滤波器频带的视图；
图19是说明已知的SAW器件的阻抗特性的另一例子的视图；
图20是说明显示在图16和19中的阻抗特性产生的传输特性的视图。
具体实施方式
下面参考图1到图14，通过优选实施例的说明详细描述本发明。
第一优选实施例
下面在有2017.5MHz中心频率的TDS-CDMA梯形滤波器的环境中，描述根据本发明的第一优选实施例构建的SAW器件。图2是说明在第一优选实施例的SAW器件的压电衬底30上，定义一个滤波器的单端对的SAW谐振器的原理平面图。如在图1A中所示的SAW器件的电路配置与图15中所示的相似。
在第一优选实施例中，例如，压电衬底30由36°-Y-切割X-传播的LiTaO3芯片组成，多个(例如，3)互相串联连接的单端对的SAW谐振器(下文中称为“串联谐振器”)11a，11b和11c，和多个(例如，4)互相并联连接的单端对的SAW谐振器(下文中称为“并联谐振器”)12a，12b，12c和12d在梯形结构中组合和安置。
在压电衬底30上也设置输入/输出终端焊点21a和21b及接地终端焊点22a，22b和22c。上面描述的谐振器和终端焊点优选的在高导电金属上形成，如，由提升处理的铝。通过压焊导电凸起，使压电衬底30上的终端焊点与封装件电连接。
并联谐振器12a是单端对的谐振器，有在邻近中心处放置叉指型的传感器(下文中称为“IDT”)41和反射器42的结构，因此IDT41夹在它们之间。其它的谐振器，即，并联谐振器12b，12c和12d和串联谐振器11a，11b和11c也是有相似于并联谐振器12a的结构。
在此优选实施例中，如在图1B中所示的，在串联谐振器11a，11b和11c(下文中三个串联谐振器可称为“串联谐振器组”)中，例如，形成通带的串联谐振器11a和11b优选的设置为低于形成通带的并联谐振器12a，12b，12c和12d的反谐振频率(下文中四个并联谐振器可称为“并联谐振器组”)。在串联谐振器11a和11b的谐振频率和并联谐振器组的反谐振频率之间的电感性区域，建立串联谐振器之一，例如，串联谐振器11c的电容性区域。在图1B中，由参考数字12表示并联谐振器组，由参考数字11表示串联谐振器组。这同样用于下面表示阻抗特性的视图中。
由显示在图3中的单端对SAW谐振器的阻抗特性定义上面描述的电感性区域和电容性区域。上面描述的电感性区域夹在更高和更低频率范围的电容性区域中。因此，在上面描述的电感性区域中，由于放置了串联谐振器11c，电容性区域只是在更低的频率范围中。
谐振器的设计参数的例子如下。考虑到串联谐振器11a，11b和11c的IDT，电极间距分别约1.932μm，约1.939μm和约1.911μm，叉指型长度(叉指型长度是叉指型的电极指状元件互相相对的长度)分别约26μm，约26μm和约16μm，电极接头对的数目分别是43，43和43。关于并联谐振器12a，12b，12c和12d的IDT，电极间距分别约1.974μm，约1.998μm，约1.998μm和约1.974μm，叉指型长度分别约58.8μm，约53.7μm，约27.8μm和约56.7μm，电极接头对的数目分别是36，90，90和36。在谐振器中电极的厚度对波长的平均比率约8.3％。
上面描述的参数仅是例子，衬底的厚度或占空比可能变化，或只要谐振器的谐振频率和反谐振频率可以调整到要求的值，寄生电感和桥电容可能变化。在此优选实施例中，36°-Y-切割X-传播的LiTaO3衬底优选的用作压电衬底30。然而，实现本发明时压电衬底的类型不限。例如，可以使用另一种类型的压电衬底，如38-46°-Y-切割X-传播的LiTaO3衬底或64-72°-LiNbO3衬底，在此情况中，也能获得本发明的优点。电极也可由除了垂直发射处理的处理形成，例如，蚀刻处理。
在图4和5中分别显示使用上述参数的第一优选实施例的传输特性和VSWR特性。当比率接近1.0时VSWR特性更好。显示在图4中的传输特性表示获得在通带中有小的***损耗的足够窄的带宽。与显示在图20中的从已知的设计类型(fap≈frs)产生的特性比较，在此优选实施例中***损耗3db的带宽成为25MHz。这意味着带宽从根据已知的设计类型约51.1MHz带宽降低约26.1MHz。图5显示在通带中的VSWR特性是2.0或更低，这是满足通信要求足够的水平。
图1B显示形成通带的串联谐振器11a和11b的谐振频率设置为低于形成通带的并联谐振器的反谐振频率，只是串联谐振器11c谐振频率设置为等于，更优选的是，高于形成通带的并联谐振器组的反谐振频率。
设置如上面描述的谐振频率和反谐振频率之间关系的原因如下。在如在图3中所示的单端对SAW谐振器中，频率范围低于谐振频率和频率范围高于反谐振频率成为电容性的，谐振频率和反谐振频率之间的频率范围成为电感性的。
如果反谐振频率设置为高于谐振频率，即，fap＞frs，因此使得通带更窄，在并联谐振器和串联谐振器的fap和frs之间形成电感性区域。结果，通带的阻抗大大的偏离目标值，例如，约50Ω，因此增加***损耗。
因此，调整串联谐振器11c的谐振频率和反谐振频率，使得串联谐振器11c的电容性区域匹配通带中的电感性区域。这样当设置窄的通带带宽时，可以获得改善的传输特性，如低的***损耗。
作为选择，串联谐振器11c的反谐振频率可处置在形成通带的并联谐振器组的谐振频率和形成通带的串联谐振器11a和11b的谐振频率之间，在此情况中，也可以获得窄的通带带宽。然而，用此配置，串联谐振器11c的反谐振频率位于通带中，这在通带的左侧相当大的增加了***损耗。
根据上面配置的第一优选实施例的梯型SAW器件，提供比已知的SAW滤波器有低的***损耗和更窄的通带带宽的SAW滤波器是可能的。
第二优选实施例
下面在有2017.5MHz中心频率的TDS-CDMA滤波器的环境中，描述根据第二优选实施例构建的梯型SAW器件。电路配置，压电衬底和电极形成方法与上面描述的第一优选实施例的相似。有相似于第一优选实施例的功能的元件由同样的参考数字和同样的名称表示，因此省略其详细的描述。
谐振器的设计参数如下。关于串联谐振器11a，11b和11c的IDT，电极间距分别约1.932μm，约1.939μm和约1.831μm，叉指型长度分别约26μm，约26μm和约36μm，电极接头对的数目分别是43，43和43。
关于并联谐振器12a，12b，12c和12d的IDT，电极间距分别约1.974μm，约1.998μm，约1.998μm和约1.974μm，叉指型长度分别约58.8μm，约53.7μm，约27.8μm和约56.7μm，电极接头对的数目分别是36，90，90和36。在图6中显示用此参数的第二优选实施例的阻抗特性。
在图7和8中分别显示用上面描述的参数的第二优选实施例的传输特性和VSWR特性。在图7中显示的传输特性表示获得没有引起波纹或在通带中增加***损耗的足够窄的带宽。与显示在图1中的第一优选实施例的传输特性相比，在图7中，在通带中没有波纹产生。图8显示在通带中VSWR特性是约2.0或更低，这是满足通信要求足够的水平。
图6显示形成通带的串联谐振器11a和11b谐振频率设置为低于形成通带的并联谐振器组的反谐振频率，只是串联谐振器11c的谐振频率设置为等于，更优选的，高于形成通带的串联谐振器11a和11b的反谐振频率。
设置如上面描述的谐振器的谐振频率和反谐振频率之间关系的原因如下。通常，在如在图6中所示的单端对SAW谐振器中，相当于反射器的止带低限频率附近的波纹产生于谐振频率的较低范围。因此，串联谐振器11c的谐振频率设置为等于，更优选的，高于形成通带的其它串联谐振器的反谐振频率，因此，从通带中除去波纹。这样可以抑制在通带中波纹的发生。作为选择，部分串联谐振器的反谐振频率可设置为等于，更优选的，低于形成通带的并联谐振器组的谐振频率，在此情况中，可以表现出相似于上面描述的优点。
根据上面配置的第二优选实施例的梯型SAW器件，提供比已知的SAW滤波器有更低的***损耗，更少的波纹和更窄的通带带宽的SAW滤波器是可能的。
第三优选实施例
下面在有2017.5MHz中心频率的TDS-CDMA滤波器的环境中，描述根据第三优选实施例构建的梯型SAW器件。电路配置，压电衬底和电极形成方法与上面描述的第一优选实施例的相似。有相似于第一和第二优选实施例的功能的元件由同样的参考数字和同样的名称表示，因此省略其详细的描述。
谐振器的设计参数如下。关于串联谐振器11a，11b和11c的IDT，电极间距分别约2.032μm，约1.939μm和约1.871μm，叉指型长度分别约26μm，约26μm和约36μm，电极接头对的数目分别是43，43和43。
关于并联谐振器12a，12b，12c和12d的IDT，电极间距分别约1.974μm，约1.998μm，约1.998μm和约1.974μm，叉指型长度分别约58.8μm，约53.7μm，约27.8μm和约56.7μm，电极接头对的数目分别是36，90，90和36。在图9中显示用以上参数的第三优选实施例的阻抗特性。
在图10和11中分别显示用上面的参数的第三优选实施例的传输特性和VSWR特性。显示在图10中的传输特性表示获得没有引起的波纹或在通带中增加***损耗的足够窄的带宽。
图11显示获得比第二优选实施例改善的VSWR特性。图9显示部分串联谐振器，更特殊的是，形成通带的串联谐振器11b的谐振频率等于，更优选的，低于形成通带的并联谐振器组的反谐振频率；串联谐振器11a的反谐振频率等于，更优选的，低于并联谐振器组的谐振频率；串联谐振器11c的谐振频率等于，更优选的，高于形成通带的串联谐振器11b的反谐振频率。设置如上面描述的谐振器的谐振频率和反谐振频率之间关系的原因如下。
为了改善VSWR特性，希望在通带的两边安置串联谐振器组的至少两个串联谐振器的电感性的区域。以此配置，安置在通带的两边的两个串联谐振器的阻抗互相不同，因此，增加了调整阻抗的灵活性，因此容易提供改善的阻抗匹配。结果，在此优选的实施例中，可以比第二优选实施例更改善VSWR特性。
根据第三优选实施例的梯型SAW器件，提供比已知的SAW滤波器有更低的***损耗，更少的波纹，改善的VSWR特性和更窄的通带带宽的SAW滤波器是可能的。
第四优选实施例
下面在有2017.5MHz中心频率的TDS-CDMA滤波器的环境中，描述根据第四优选实施例构建的梯型SAW器件。电路配置，压电衬底和电极形成方法与上面描述的第一优选实施例的相似。有相似于第一到第三优选实施例的功能的元件由同样的参考数字和同样的名称表示，因此省略其详细的描述。
谐振器的设计参数如下。关于串联谐振器11a，11b和11c的IDT，电极间距分别约1.930μm，约1.937μm和约1.930μm，叉指型长度分别约26μm，约26μm和约26μm，电极接头对的数目分别是43，43和43。
关于并联谐振器12a，12b，12c和12d的IDT，电极间距分别约1.974μm，约1.984μm，约2.102μm和约1.974μm，叉指型长度分别约58.8μm，约53.7μm，约87.8μm和约56.7μm，电极接头对的数目分别是36，60，60和36。在图12中显示用以上参数的第四优选实施例的阻抗特性。
在图13和14中分别显示用上面描述的参数的第四优选实施例的传输特性和VSWR特性。显示在图13中的传输特性表示获得没有引起的波纹或在通带中增加***损耗的足够窄的带宽。图14显示在通带中的VSWR特性是约2.0或更低，这是满足通信要求足够的水平。
图12显示形成通带的并联谐振器12a，12b和12d设置为高于形成通带的串联谐振器组的谐振频率，只是并联谐振器12c的反谐振频率设置为等于，更特别的是，低于形成通带的其它并联谐振器12a，12b和12d的谐振频率。
因此，由设置部分并联谐振器的反谐振频率等于，更特别的是，低于形成通带的串联谐振器组的谐振频率，如在第一优选实施例中，能在通带中提供匹配，当通带带宽做得更窄时，能获得改善传输特性，如更低的***损失。
设置部分并联谐振器的反谐振频率等于，更优选的，低于形成通带的其它并联谐振器的谐振频率的原因是减小通带中的波纹。
通常，在如在图12中所示的单端对SAW谐振器中，相当于反射器的止带上限频率附近的波纹产生于反谐振频率的较高范围。因此，如上面描述的设置谐振器的反谐振频率和谐振频率之间的关系，可以从通带中除去波纹，因此，可以抑制在通带中波纹的发生。作为选择，部分并联谐振器的谐振频率可设置为等于，更优选的，高于形成通带的串联谐振器组的反谐振频率，在此情况中，可以表现出相似于上面描述的优点。
此外，如在第三优选实施例中，在通带的两边处置并联谐振器组的两个并联谐振器的电感性的区域，因此，提供表现为改善的VSWR特性的滤波器。
如果在形成通带的并联谐振器12a，12b和12c的反谐振频率和形成通带的串联谐振器组的反谐振频率之间安置并联谐振器12c的谐振频率，这位于通带中，在通带的右侧相当可观的增加了***损耗。
根据上面配置的第四优选实施例的梯型SAW器件，提供比已知的SAW滤波器有更低的***损耗，和更窄的通带带宽的SAW滤波器是可能的。
在此情况中，部分并联谐振器的反谐振频率设置为等于，更优选的，低于形成通带的其它并联谐振器的谐振频率，因此，进一步减少在通带中的波纹。
在此情况中，并联谐振器组的两个并联谐振器的电感性的区域处置在通带的两边，因此，进一步改善VSWR特性。
本发明的SAW器件适合于用作通信设备的带通滤波器，更特别的是，用作要求更窄通带带宽而不增加***损耗的GPS，TDS-CDMA，PHS或PDC滤波器，因此，改善通信设备的通信特性。
参考认为是优选的实施例，描述本发明，应该了解发明不限于公开的优选实施例。相反，发明试图覆盖包括在附录权利要求的精神和范围中的各种修正和同等方案。下面的权利要求范围按照最概括的解释，使得包括所有的修正、同等的结构和功能。

Claims (24)

1.一种声表面波器件，包括：
串联声表面波谐振器；
并联声表面波谐振器，串联声表面波谐振器和并联声表面波谐振器安置在梯形结构中；其中
至少形成通带的串联声表面波谐振器之一的谐振频率低于至少形成通带的并联声表面波谐振器之一的反谐振频率；
在由至少形成通带的串联声表面波谐振器之一和至少形成通带的并联声表面波谐振器之一形成的电感性区域中，放置不同于至少形成通带的串联声表面波谐振器之一的至少串联声表面波谐振器之一的电容性区域，或不同于至少形成通带的并联声表面波谐振器之一的至少并联声表面波谐振器之一的电容性区域。
2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的反谐振频率。
3.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率。
4.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率。
5.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的谐振频率。
6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
7.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
8.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于串联声表面波谐振器的第一部分的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率；其中，不同于串联声表面波谐振器的第一部分的串联声表面波谐振器的第二部分的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率。
9.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于并联声表面波谐振器的第一部分的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率；其中，不同于并联声表面波谐振器的第一部分的并联声表面波谐振器的第二部分的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
10.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率；其中，部分并联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
11.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率；其中，部分串联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
12.一种包括权利要求1所述声表面波器件的通信设备。
13.一种声表面波器件，包括：
串联声表面波谐振器；
并联声表面波谐振器，串联声表面波谐振器和并联声表面波谐振器安置在梯形结构中；其中
至少形成通带的串联声表面波谐振器之一的谐振频率低于至少形成通带的并联声表面波谐振器之一的反谐振频率；
在至少形成通带的串联声表面波谐振器之一和至少形成通带的并联声表面波谐振器之一的反谐振频率之间，放置不同于至少形成通带的串联声表面波谐振器之一的至少串联声表面波谐振器之一的电容性区域，或不同于至少形成通带的并联声表面波谐振器之一的至少并联声表面波谐振器之一的电容性区域。
14.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的反谐振频率。
15.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率。
16.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率。
17.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的谐振频率。
18.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
19.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
20.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于串联声表面波谐振器的第一部分的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率；其中，不同于串联声表面波谐振器的第一部分的串联声表面波谐振器的第二部分的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率。
21.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于并联声表面波谐振器的第一部分的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率；其中，不同于并联声表面波谐振器的第一部分的并联声表面波谐振器的第二部分的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
22.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分串联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率；其中，部分并联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
23.根据权利要求13所述的声表面波器件，其特征在于部分并联声表面波谐振器的谐振频率高于或等于形成通带的串联声表面波谐振器的反谐振频率；其中，部分串联声表面波谐振器的反谐振频率低于或等于形成通带的并联声表面波谐振器的谐振频率。
24.一种包括权利要求13所述声表面波器件的通信设备。
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