CN1251311C - 半导体处理用紫外线辅助处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体处理用紫外线辅助处理装置(10)，具有与载置台(11)对置的、设置于构成处理室(12)的壁上的、使紫外线透射的窗(20)。设有与窗(20)对置的、向处理室(12)外发出紫外线的光源(15)。用于向处理室(12)的内部供给处理气体的供给***具有形成于窗(20)内部的、使处理气体通过的顶部空间(21)和用于排出处理气体的多个排气孔(22)。

Description

半导体处理用紫外线辅助处理装置
技术领域
本发明涉及用于进行CVD(Chemical Vapor Deposition)等的膜堆积、氧化、扩散、改性、退火、蚀刻等半导体处理的紫外线辅助处理装置。另外，在此，半导体处理是指通过在半导体晶片、LCD等被处理基板上，按照规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，以便制造包括被处理基板上的半导体元件、与半导体元件连接的布线、电极等结构物而实施的各种处理。
背景技术
在半导体元件制造过程中，为了在被处理基板上，例如，在半导体晶片上，进行膜堆积、氧化、扩散、改性、退火、蚀刻等处理，而采用各种处理装置。作为这种处理装置，己知的有对晶片逐张处理的单张式处理装置。通常，单张式处理装置包括气密性处理室和用于在处理室内载置被处理基板的载置台。
图8为现有单张式紫外线辅助处理装置(成膜装置)的外形简要剖面示意图。
该成膜装置80包括由紫外线透射窗84被分隔为处理室82a和辅助室82b的处理容器82。在处理室82a的内部，设有用于载置作为被处理基板的半导体晶片W的载置台81。在该载置台81的内部设有加热器(图中未标示)。另外，在处理室82a的内部，设有与载置台81对置的、由石英玻璃形成的喷头83。该喷头83与向处理室82a供给处理气体的处理气体源(图中未标示)连接。在处理室82a的侧壁上，形成有用于送入、送出晶片W的晶片口86。该晶片口86通过门阀87实现开闭。
另一方面，在辅助室82b的内部，设有与窗84对置的紫外线灯85。由紫外线灯85发出的紫外线透过窗84和喷头83对处理室82a内的处理气体进行照射。利用紫外线的能量和载置台81内的加热器的热能，使处理气体分解，产生活性种。利用如此产生的活性种的作用，在晶片W上成膜。
在成膜装置80中，紫外光灯85与晶片W对置，中间隔着喷头83。因此，不可避免地，紫外光灯85与晶片W之间的距离增加，照射到处理气体的紫外线的强度低。结果就会产生成膜处理效率降低的问题。在氧化、扩散、改性、退火、蚀刻等其它半导体处理中同样会产生这样的问题。
另外，目前，在半导体元件制造过程中，随着晶片直径的增加，人们对电路的高集成化，图案尺寸的细微化(设计规格的缩小)方面有所要求。为此，具有下述情况，即，人们希望根据处理内容，一方面对处理气体照射紫外线，另一方面，尽可能地减小紫外线对晶片等被处理基板的影响。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供一种处理效率高的半导体处理用紫外线辅助处理装置。
另外，本发明的目的还在于提供一种一方面可对处理气体照射紫外线，另一方面，又可尽可能减小紫外线对被处理基板的影响的半导体处理用紫外线辅助处理装置。
本发明的第1方面涉及下述半导体处理用紫外线辅助处理装置，其包括：
用于收纳被处理基板的处理室；
设置于上述处理室内，支承上述被处理基板的载置台；
隔着上述载置台，对上述被处理基板进行加热的加热器；
与上述载置台对置的、设置于构成上述处理室的壁上的、使紫外线透射的窗；
与上述窗对置的、设置于上述处理室之外的、发出紫外线的光源；
用于排出上述处理室内部气体的排气***；
用于向上述处理室内部，供给处理气体的供给***；
上述供给***包括：形成于上述窗内部的、使上述处理气体通过的顶部空间；形成于与上述载置台对置的上述窗面上的、且与上述顶部空间连通的、用于排出上述处理气体的多个排气孔。
上述顶部空间可形成与上述光源面对的宽度在1～10mm的气体流路。或者，上述顶部空间也可形成具有大于上述被处理基板的轮廓的储气装置。
本发明的第2方面涉及下述半导体处理用紫外线辅助处理装置，其包括：
用于收纳被处理基板的处理室；
设置于上述处理室内，支承上述被处理基板的载置台；
隔着上述载置台，对上述被处理基板进行加热的加热器；
与上述载置台对置的、设置于构成上述处理室的壁上的、使紫外线透射的窗；
与上述窗对置的、设置于上述处理室之外的、发出紫外线的光源；
用于排出上述处理室内部气体的排气***；
用于向上述处理室内部供给第1和第2处理气体的供给***；
上述供给***包括：使形成于上述窗内部的上述第1和第2处理气体分别通过的第1和第2顶部空间；形成于与上述载置台对置的上述窗面上、且分别与上述第1和第2顶部空间连通的、用于分别排出上述第1和第2处理气体的多个第1和第2排气孔。
附图说明
图1为本发明实施方式的半导体处理用紫外线辅助处理装置(成膜装置)的简要剖面示意图；
图2为图1所示装置中的紫外线透射窗的放大剖面示意图；
图3为沿图2中的III-III线的透射窗的横剖平面图；
图4为本发明另一实施方式的半导体处理用紫外线辅助处理装置中的紫外线透射窗的放大剖面示意图；
图5为沿图4的V-V线的透射窗的横剖平面图；
图6为本发明又一实施方式的半导体处理用紫外线辅助处理装置(CVD装置)的简要剖面示意图；
图7为图6所示装置中的紫外线透射窗的放大剖面示意图；
图8为现有的单张式紫外线辅助处理装置(成膜装置)的简要剖面示意图。
具体实施方式
下面参照附图，对本发明的实施方式进行说明。另外，在下面的描述中，对于具有基本相同的功能和结构的结构部件，采用同一符号，仅仅在必要的场合进行重复说明。
图1为本发明实施方式的半导体处理用紫外线辅助处理装置(成膜装置)的简要剖面示意图；图1的剖面为与载置于处理室内的被处理基板(半导体晶片)相垂直的剖面。
该成膜装置10具有用于收纳作为被处理基板的半导体晶片W的、整体基本呈筒状的处理室12。在处理室12的顶板的中央形成有开口13，由用于透射紫外线的窗20以气密方式封闭。在处理室12上，设有由透射窗20而与处理室12隔开的辅助室14。
在处理室12的侧壁12A上，形成用于送入、送出晶片W的晶片口121。该晶片口121通过设置于侧壁12A外侧的门阀16而实现开闭。在处理室12的底板中央，形成有开口123，它通过排气管，与包括真空泵等的排气部26连接。通过排气部26，对处理室12的内部进行真空排气处理，将其设定为规定的真空度。
在处理室12内部，设有与紫外线透射窗20对置的、用于载置晶片W的载置台11。该载置台11被支承在中空圆筒状的支承柱111的顶端，并且与支承柱111同心。支承柱111贯穿处理室12的底部的开口123而向下方延伸，其底端与使载置台11旋转的旋转机构(图中未标示)和使载置台11上下移动的升降机构(图中未标示)连接。
在载置台11的内部，埋设有比如采用由SiC进行涂敷处理的氮化物类陶瓷的加热器11A。加热器11A经由穿过支承柱111内部的供电线与供电部连接。利用加热器11A，通过载置台11的载置面，以规定温度对晶片W进行均匀加热。
在辅助室14的内部，设有与紫外线透射窗20对置的紫外线光源15。在该辅助室14的内部，充满着惰性气体，比如氮气等。光源15可采用低压水银灯、高压水银灯、受激准分子激光器光源等。可根据处理状态、处理气体等，改变由光源15发出的光的强度、波长等。另外，光源15可以是横跨整个透射窗20的横向并排的多个棒状灯，或与反射镜结合使用的线光源或点光源的灯。
图2为紫外线透射窗20的放大剖面示意图。图3为沿图2中的III-III线的透射窗20的横剖平面图。
透射窗20实质上是由选自石英、硅氧化物、蓝宝石、氟化钙(CaF2)等材料形成。该透射窗20呈直径大于晶片W的直径的圆板状，且与载置台11和载置于载置台11上的晶片W同心。在该透射窗20的内部，形成有用于将处理气体导入处理室12的顶部空间(气体流路)21。在与载置台11对置的透射窗20的面上，形成多个与上述顶部空间21连通的、用于排出处理气体的排气孔22。
具体来说，如图3所示，顶部空间21由与晶片W对置的、且横跨大于晶片W的轮廓的整个区域的、形成网格状图案的气体流路21形成。该气体流路21的网格由在平行于透射窗20表面的面内、按照等间距沿纵横方向延伸、且交叉点相互连通的多个流路部分21A构成。各个流路部分21A面对光源15的宽度在1～10mm，优选为在3～6mm。
处理气体的排气孔22设置于流路部分21A相互交叉的部位(气体流路21的网格状图案的角部)。排气孔22的一端开口于处理室12的内部空间，使气体流路21与处理室12的内部空间连通。排气孔22在透射窗20的底面(图2中的底面)，至少在晶片W的轮廓内均匀分布。
与气体流路(顶部空间)21连通，形成有一端开口于透射窗20的外周面的气体导入通路23。该气体送入通路23经供给管与处理气体的供给部25连接。处理气体可根据应形成膜的种类进行适当选择，比如，在氧化膜的成膜处理时，可采用氧气、臭氧气体等。
可通过比如将由透射窗20的材料形成的两枚圆板状的结构部件贴合形成透射窗20。此时，气体流路21可通过在任一结构部件的贴合一侧的面上，预先形成槽而构成。另外，排气孔22也可通过在形成底面侧的结构部件上，预先开设孔而形成。也可在切削形成窗的部件本身，或通过铸模使形成窗的部件本身成型的同时形成这些槽、孔。此外，在将两枚结构部件贴合时，可使用焊接方式。
下面对上述的成膜装置10的处理进行说明。
首先，通过转移机构(图中未标示)，从送入、送出口121将晶片W送入处理室12的内部，然后载置于载置台11上。利用加热器11A，将晶片W加热到规定温度，另一方面，通过排气部26，使处理室12的内部处于减压状态。接着，在连续地对处理室12的内部进行排气的状态下，将由比如臭氧构成的处理气体供给到处理室12的内部。此时，处理气体以控制流量，借助供给部25，通过透射窗20的气体输入通路23导入到气体流路21(顶部空间)。然后，该处理气体在气体流路21的整个区域流动，通过各个排气孔22均匀地供给到处理室12的内部。
另一方面，比如，点亮由紫外线灯形成的光源15，照射紫外线。来自光源15的紫外线透过透射窗20，对处理室12内部的处理气体(臭氧)进行照射。利用紫外线的能量和载置台11的内部的加热器11A的热能，使处理气体分解，产生活性种。通过这样生成的活性种的作用，使晶片W氧化，从而形成氧化膜(比如，硅晶片上的硅氧化膜)。
利用该成膜装置10，处理气体通过形成于透射窗20内部的气体流路21和排气孔22而被供给到处理室12的内部。由此，可向晶片W均匀地供给处理气体。另外，由于处理气体在透射窗20的内部流动，故可有效防止透射窗20因处于过热状态而开裂。
另外，由于不必在处理室12的内部另外设置现有的喷头之类的气体导入机构，故可使光源15与晶片W的距离处于极小的状态。另外，气体流路21的面积较小，几乎全部的紫外线通过透射窗20的部件本身。于是，在处理室12的内部，可以以足够高的强度，使紫外线作用于处理气体，在晶片W的表面附近，可以以较高的效率产生活性种。结果就可以以很高的效率对晶片W进行成膜处理。
此外，可采用如图1所示结构的处理装置对晶片W进行表面改性处理(退火处理)。此时，将形成有金属氧化膜的晶片W载置于处理室12的载置台11上。然后将晶片W加热到规定温度，并使处理室12处于减压状态。接着，由比如臭氧气体形成的处理气体经透射窗20中的气体流路21供给到处理室12。另外，将光源15点亮，在处理室12，利用紫外线使臭氧气体受激而产生大量的活性种。由于该活性种的作用，对形成于晶片W表面上的金属氧化膜进行氧化处理，由此，实现金属氧化膜的改性。
另外，加热机构也可采用卤素灯，以代替紫外线光源15。此时，利用卤素灯将晶片W加热到规定温度。此外，通过在晶片W的表面对处理气体进行热分解处理而产生活性种，由此，进行晶片W的成膜处理，或表面改性处理。在此场合，同样可使卤素灯与晶片W之间的距离为极小。因此，可有效地对晶片W进行加热，可以以很高的效率进行所需的处理。
图4为本发明另一实施方式的半导体处理用紫外线辅助处理装置中的紫外线透射窗的放大剖面示意图。图5为沿图4的V-V线的透射窗的横剖平面图。该紫外线透射窗30以外的本实施方式的装置结构可采用与图1所示装置相同的结构。因此，在下述说明中，还将同时参照图1。
透射窗30实质上由选自石英、硅氧化物、蓝宝石、氟化钙(CaF2)的材料构成。该透射窗30呈圆板状，其直径大于晶片W的直径，按照与载置台11和载置于载置台11上的晶片W同心的方式设置。在该透射窗30的内部，形成有用于将处理气体送入处理室12的顶部空间(储气装置)31。在与载置台11对置的透射窗30的面上，形成有与上述顶部空间31连通的、用于排出处理气体的多个排气孔32。
具体来说，如图5所示，顶部空间31由与晶片W对置的、且轮廓大于晶片W的储气装置31构成。该储气装置31按照与载置台11和载置于载置台11上的晶片W同心的方式设置。在该储气装置31的顶板和底板之间设有多个销状支承部件35，以使透射窗30具有足够的强度。另外，全部支承部件35的总面积小于储气装置31的平面面积，该比例设定在5～30％，优选为在5～15％。
支承部件35和处理气体的排气孔32设置为：沿形成网格状的图案的假想直线为相交。排气孔32的一端开口于处理室12的内部空间，使储气装置31与处理室12的内部空间连通。排气孔32在透射窗30的底面(图4的底面)，至少在晶片W的轮廓内呈均匀分布。
与气体流路(顶部空间)31连通，形成有一端开口于透射窗30的外周面的气体导入通路33。气体导入通路33通过供给管与处理气体的供给部25相连。
透射窗30可由比如构成透射窗30的材料形成的两个圆板状结构部件贴合而成。此时，储气装置31可通过在任何一个结构部件的贴合一侧的面上预先形成凹部而得到。另外，支承部件35可通过在任何一个结构部件的贴合一侧的面上预先设置突起而得到。而排气孔32也可通过在形成底面侧的结构部件上预先开孔而得到。这些凹部、孔也可在对形成窗的材料本身进行切削或通过铸模使形成窗的材料本身成型的同时而形成。另外，支承部件35的突起也可由其它途径形成，并焊接到圆板状的结构部件上。
根据本实施方式的成膜装置，在透射窗30的储气装置31的内部可形成处理气体的气体层。来自光源15的紫外线在储气装置31的内部对处理气体进行照射，在储气装置31内部，处理气体因紫外线的能量而产生活性。这样被激活的处理气体经排气孔32而供给到处理室12的内部，从而对晶片W进行处理。
由此，可均匀地向晶片W供给处理气体。另外，由于处理气体在透射窗30的内部流动，故可起到有效防止透射窗30形成过热状态而产生开裂的情况。另外，由于不必另外在处理室12的内部设置如现有的喷头之类的气体导入机构，所以可使处理室12小型化。
由于来自光源15的紫外线被储气装置31内部的处理气体的气体层吸收，故紫外线难于直接到达晶片W。在此，可根据储气装置31内的处理气体量或来自光源15的光的辐射强度等的设定，而在实际上实现来自光源15的紫外线不对晶片W进行照射的状态。于是，在既对处理气体照射紫外线，又希望尽可能减小紫外线对晶片W的影响的情况下，可极为有效地进行处理。该情况为比如，不得不对设计规格更小的晶片W使用具有较高能量的紫外线的光源的场合等。
图6为本发明的又一实施方式的半导体处理用紫外线辅助处理装置(CVD装置)的概略剖面示意图。图7为图6所示装置中的紫外线透射窗的放大剖面示意图。图6和图7所示装置中，除紫外线透射窗和处理气体供给***以外，其它结构与图1所示装置相同。
该CVD装置60的透射窗61实质上也是由选自石英、硅氧化物、蓝宝石、氟化钙(CaF2)等材料形成。该透射窗61呈圆板状，其直径大于晶片W的直径，按照与载置台11和载置于载置台11上的晶片W同心的方式设置。在该透射窗61的内部，形成有用于将处理气体导入处理室12的第1和第2顶部空间(第1和第2气体流路)62A、62B。在与载置台11对置的透射窗61的面上，形成有多个分别与第1和第2顶部空间62A、62B连通的、用于排出处理气体的第1和第2排气孔63A、63B。
具体来说，第1和第2顶部空间62A、62B沿透射窗61的厚度方向，隔着隔壁61A重叠。该第1和第2顶部空间62A、62B分别由与晶片W对置的、并且跨越大于晶片W的轮廓的整个区域范围的、形成网格状图案的第1和第2气体流路62A、62B形成。第1和第2气体流路62A、62B的相应网格状图案为如图3所示的形状。第1和第2气体流路62A、62B的网格由多个位于与透射窗61表面相平行的面内、以等间距沿纵横方向延伸的、交叉点相互连通的流路部分64A、64B形成。所形成的流路部分64A、64B与光源15对置的宽度分别在1～10mm的范围内，优选为分别在3～6mm的范围内。
处理气体的第1和第2排气孔63A、63B设置于流路部分64A、64B相互交叉的部位(第1和第2气体流路62A、62B的网格状图案的角部)。第1和第2排气孔63A、63B的一端开口于处理室12的内部空间，使第1和第2气体流路62A、62B与处理室12的内部空间连通。第1和第2排气孔63A、63B在透射窗61的底面(图7中的底面)，至少在晶片W的轮廓的内部呈均匀分布。另外，第1和第2排气孔63A、63B沿透射窗61的半径方向交替配置(交错状)。
分别与第1和第2气体流路(第1和第2顶部空间)62A、62B连通，形成有一端开口于透射窗61的外周面的第1和第2气体导入通路66A、66B。第1和第2气体导入通路66A、66B经供给管与第1和第2处理气体的供给部25A、25B相连。可根据应形成膜的种类适当选择第1和第2处理气体，比如，当由CVD形成金属氧化膜时，第1和第2处理气体分别采用有机金属气体和氧气。
透射窗61可通过将比如由透射窗61材料构成的3个以上的圆板状结构部件贴合而形成。此时，第1和第2气体流路62A、62B分别可通过在任何一个结构部件的贴合一侧的面上预先形成槽而得到。另外，第1和第2排气孔63A、63B也可通过在隔壁61A或形成底面侧的结构部件上预先开孔而构成。这些槽、孔可在切削形成窗的材料本身时，或在使形成窗的材料本身通过铸模成型时的同时形成。
按照本实施方式的成膜装置60，第1和第2处理气体，以控制流量，由第1和第2供给部25A、25B，经透射窗61的第1和第2气体导入通路66A、66B导入第1和第2气体流路(第1和第2顶部空间)62A、62B。然后，该处理气体在第1和第2气体流路62A、62B的整个区域流动，并由第1和第2排气孔63A、63B均匀地供给到处理室12内。由第1和第2排气孔63A、63B排出的第1和第2处理气体在处理空间中混合，即所谓的后混合。
另一方面，来自光源15的紫外线透过透射窗61照射到处理室12内的第1和第2处理气体上。利用紫外线的能量和载置台11内的加热器11A的热能，使处理气体分解，产生活性种。通过这样生成的活性种的反应，就会在晶片W上形成CVD膜，比如形成金属氧化膜。
根据该成膜装置60，处理气体经形成于透射窗61内部的第1和第2气体流路62A、62B与第1和第2排气孔63A、63B而供给到处理室12内。由此，可向晶片W均匀地供给处理气体。另外，由于处理气体在透射窗61的内部流动，故可有效防止透射窗61因形成过热状态而开裂的情况。
另外，由于不必在处理室12的内部另外设置如现有的喷头这样的气体导入机构，故可使光源15和晶片W之间的间距处于极小的状态。另外，第1和第2气体流路62A、62B的面积较小，几乎所有的紫外线将通过透射窗61的材料本身。于是，在处理室12的内部，可使紫外线以充分高的强度作用于处理气体，在晶片W的表面附近，可以以很高的效率产生活性种。结果就可以以很高的效率对晶片W进行成膜处理。
另外，由于不同种类的第1和第2气体通过互相独立的第1和第2气体流路62A、62B，故在透射窗61的内部，第1和第2处理气体之间不发生反应。即，可确实防止在透射窗61的内部产生反应生成物，并可防止由于反应生成物导致的处理效率的降低。另外，由于形成相互独立的第1和第2气体流路62A、62B，可增加第1和第2处理气体的选择自由度，故可按照进行各种成膜处理的方式设定该装置。
<实施例1>
采用适用于图1所示的结构的、如图2和图3所示的透射窗(20)的成膜装置(10)，对直径为200mm的晶片，在下述条件下，进行形成厚度为0.8～1.5nm的门(gate)氧化膜的成膜处理的模拟实验。
“透射窗(20)的条件”
透射窗的厚度：15mm；
透射窗的直径：343mm；
流路部分(21A)的截面积：2mm2；
排气孔(22)的数量：97个；
由流路部分(21A)划分的光透射部分的总面积：5×104mm2；
来自光源(15)的紫外线的透射率：80％
“处理条件”
处理气体：氧气；
气体流量：1slm；
气体压力：670Pa(5Torr)；
净化用气体：氮气；
晶片的加热温度：450℃
光源：低压水银灯；
灯的辐射强度：50mW/cm2；
根据以上的结果，可以确认，可期待形成预期的硅氧化膜所需的处理时间短于现有处理装置，实际的处理效率可望提高10～30％左右。
<实施例2>
采用适用于图1所示的结构的、如图4和图5所示的透射窗(30)的成膜装置(10)，在下述条件下，进行在直径为200mm的晶片的表面上的形成厚度为8nm的金属氧化膜(比如，钽氧化膜(Ta2O5))的表面改性处理的模拟实验。
“透射窗(30)的条件”
透射窗的厚度：20mm；
透射窗的直径：343mm；
储气装置(31)的截面积：5.7×104mm2；
储气装置(31)的容积：2.86×105mm3；
排气孔(32)的数量：173个
“条件”
处理气体：臭氧气体；
气体流量：10slm；
气体压力：4kPa(30Torr)；
晶片的加热温度：500℃；
光源：低压水银灯；
灯的辐射强度：50mW/cm2
根据上述结果，可以确认，可期待形成预期的硅氧化膜所需的处理时间短于现有处理装置，实际的处理效率可望提高10～30％左右。
另外，在上述实施方式中，还可进行比如下述的各种的变更。
可根据目的处理而适当改变透射窗的厚度、大小、流路部分的截面积、处理气体的顶部空间的容量、气体导入通路的数量等条件。透射窗的排气孔的数量和分布也无特殊限制。但是，优选为能够向被处理基板均匀供给处理气体。
能够形成的膜包括硅膜、硅氧氮化膜、或金属氧化膜，比如，氧化钽膜、氧化钛膜、氧化锆膜、氧化钡膜、氧化锶膜。可根据目的处理适当改变处理气体的种类。
被处理基板的加热方式可采用比如卤素灯等的灯加热方式，以代替陶瓷加热器的电阻加热方式。在此情况下，载置台由较薄的板状部件制成，卤素灯设置在载置台的下方。
在上述实施方式中，通过实例说明了氧化成膜装置、退火装置、CVD装置，但本发明也适用于扩散装置、蚀刻装置、抛光(ashing)装置、溅射装置等其它半导体处理装置。所用处理气体可根据处理而进行各种选择。另外，本发明也适用于半导体晶片以外的其它被处理基板，比如，LCD基板、玻璃基板等。
本发明不限于上述各实施方式，在实施阶段，可在不脱离其原则的范围内进行各种变更。另外，只要可能，各实施方式也可按照适当组合的方式进行实施，在此情况下，可获得组合效果。

Claims (14)

1.一种利用紫外线对基板进行处理的处理装置，其特征在于，具有：
收纳被处理基板的处理室；
设置于所述处理室内，支承所述被处理基板的载置台；
隔着所述载置台，对所述被处理基板进行加热的加热器；
与所述载置台对置的、设置于构成所述处理室的壁上的、使紫外线透射的窗；
与所述窗对置的、设置于所述处理室外的、发出紫外线的光源；
用于排出所述处理室内部气体的排气***；以及
用于向所述处理室内部供给处理气体的供给***，
所述供给***包括顶部空间和多个排气孔，所述顶部空间使形成于所述窗的内部的所述处理气体通过，所述多个排气孔形成于与所述载置台对置的所述窗的面上，并且与所述顶部空间连通，以排出所述处理气体，
所述顶部空间和所述排气孔由形成所述窗的材料本身加工而成，所述窗是由可透射紫外线的多个板状结构部件贴合而成。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述窗实质上由选自石英、硅氧化物、蓝宝石、氟化钙的材料形成。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述顶部空间具有气体流路，该气体流路由形成所述窗的材料本身所形成的槽构成。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述气体流路与所述光源对置的宽度为1～10mm。
5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述气体流路形成网格状图案。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述排气孔设置在所述气体流路的网格状图案的角部。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理气体为用于在所述被处理基板上成膜的气体。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述处理气体为用于对所述被处理基板上的膜进行退火处理的气体。
9.一种利用紫外线对基板进行处理的处理装置，其特征在于，具有：
收纳被处理基板的处理室；
设置于所述处理室内，支承所述被处理基板的载置台；
隔着所述载置台，对所述被处理基板进行加热的加热器；
与所述载置台对置的、设置于构成所述处理室的壁上的、使紫外线透射的窗；
与所述窗对置的、设置于所述处理室外的、发出紫外线的光源；
用于排出所述处理室内部气体的排气***；以及
用于向所述处理室内部供给处理气体的供给***，
所述供给***包括顶部空间和多个排气孔，所述顶部空间使形成于所述窗的内部的所述处理气体通过，所述多个排气孔形成于与所述载置台对置的所述窗的面上，并且与所述顶部空间连通，以排出所述处理气体，
所述顶部空间形成具有大于所述被处理基板的轮廓的储气装置，所述储气装置在其顶板与底板之间，具有销状支承部件。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述支承部件的总平面面积占所述储气装置的平面面积的百分比为5～30％。
11.一种利用紫外线对基板进行处理的处理装置，其特征在于，具有：
用于收纳被处理基板的处理室；
设置于所述处理室内，支承所述被处理基板的载置台；
隔着所述载置台，对所述被处理基板进行加热的加热器；
与所述载置台对置的、设置于构成所述处理室的壁上的、使紫外线透射的窗；
与所述窗对置的、设置于所述处理室之外的、发出紫外线的光源；
用于排出所述处理室内部气体的排气***；以及
用于向所述处理室内部供给第1和第2处理气体的供给***，
所述供给***具有：分别使形成于所述窗内部的所述第1和第2处理气体通过的第1和第2顶部空间；形成于与所述载置台对置的上述窗面上、且分别与上述第1和第2顶部空间连通的、用于分别排出所述第1和第2处理气体的多个第1和第2排气孔。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第1和第2顶部空间沿所述窗的厚度方向，隔着隔壁而重叠。
13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第1和第2顶部空间分别形成与所述光源对置的、宽度在1～10mm的气体流路。
14.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第1和第2顶部空间和所述第1和第2排气孔由形成所述窗的材料本身加工而成，所述窗由可透射紫外线的多个板状结构部件贴合而成。
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