KR100419756B1 - 박막 형성 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공 반응실 내를 래디컬(radical)이 통과하는 복수개의 구멍을 갖는 격벽판에 의해 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간으로 분리하고, 플라즈마 방전 공간에 가스를 도입하여 플라즈마에 의해 래디컬을 발생시키고, 이 래디컬을 상기 격벽판의 복수개의 구멍을 통하여 성막 처리 공간에 도입하는 동시에, 성막 처리 공간에 재료 가스를 직접 도입하고, 성막 처리 공간에서 상기 도입된 래디컬과 재료 가스를 반응시켜, 성막 처리 공간에 배치되어 있는 기판 상에 성막을 행하는 박막 형성 장치에 있어서, 플라즈마 방전 공간에서 생성된 래디컬이 격벽판의 내부 공간에 침입하여, 격벽판의 내부 공간에서 래디컬과 재료 가스가 접촉하게 되는 것을 방지하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 박막 형성 장치는, 진공 반응실 내를 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간으로 분리하는 격벽판을 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역(全域)에 걸쳐 밀착시켜 고정 또는 접합되어 있는 구조로 하여 과제를 해결했다.

Description

박막 형성 장치{THIN-FILM DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 화학 증착(Chemical Vapor Deposition)(본 명세서에서 「CVD」로 나타냄)에 관한 것으로, 특히, 대형 플랫(flat) 패널 기판에 대한 성막에 적합한 CVD 장치에 관한 것이다.
대형 액정 표시 장치의 제작 방법으로서, 종래, 고온 폴리실리콘형 TFT(박막트랜지스터)를 이용하는 것과 저온 폴리실리콘형 TFT를 이용하는 것이 알려져 있으나, 저온 폴리실리콘형 TFT를 이용하여 액정 표시 장치를 제작하는 방법은, 예를 들면, 400℃ 이하의 저온에서 전체 프로세스를 행할 수 있기 때문에, 석영 등의 고가(高價) 기판을 사용할 필요가 없다.
또한, 액정 표시 장치 등의 디바이스를 구동하기 위한 구동회로도 기판 상에 동시에 제작할 수 있기 때문에, 생산상의 제조수율이 향상되면, 비용 저감이 가능하고, 디바이스로서 TFT 특성도 향상되기 때문에, 높은 정밀도 및 높은 개구율을 실현할 수 있는 특징을 갖는다. 따라서, 보다 나은 성능 향상을 위한 개발이 예의 진행되고 있고, 그 생산량 자체도 확대되고 있다.
저온 폴리실리콘형 TFT를 이용하는 액정 표시 장치의 제작에 있어서, 저온에서 게이트 절연막으로서 적당한 실리콘 산화막을 성막할 경우, 플라즈마 CVD가 사용되고 있다.
그 중에서, 선특허출원인 일본국 특원평11-157692호에서 제안된 CVD 장치는, 진공 용기 내에서 플라즈마를 생성하여 전기적으로 중성인 여기 활성 종(excitedactive species)(본 명세서에서 「래디컬」로 나타냄)을 발생시키고, 이 래디컬과 재료 가스에 의해 기판에 성막 처리를 행하는 것이다. 즉, 래디컬이 통과하는 복수의 구멍을 갖는 격벽판을 사용하여 진공 용기 내를 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간으로 분리하고, 플라즈마 방전 공간에 가스를 도입하여 플라즈마에 의해 래디컬을 발생시키고, 이 래디컬을 상기 격벽판의 복수의 구멍을 통하여 성막 처리 공간에 도입하는 동시에, 성막 처리 공간에 재료 가스를 직접 도입하고(즉, 재료 가스를 상기 플라즈마 또는 래디컬에 접촉시키지 않고, 진공 용기의 외부로부터 직접 성막 처리 공간에 도입하고), 성막 처리 공간에서 상기 도입된 래디컬과 재료 가스를 반응시켜, 성막 처리 공간에 배치되어 있는 기판 상(예를 들면, 370㎜ ×470㎜의 유리기판 상)에 성막을 행하는 방식이 채용되고 있는 것이다.
진공 용기 내를 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간으로 분리하기 위해 종래 사용되었던 격벽판(도 5 및 도 6에서 부호 24로 표시되어 있는 부재에 상당함)을 갖는 플라즈마 CVD에서 사용되는 박막 형성 장치의 일례를 도 1a 및 도 1b를 이용하여 설명한다. 도 1a는 종래의 격벽판의 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 X-X선으로부터 내부를 본 평면도이다.
중간 확산판(2)을 사이에 두고 상부판(1) 및 성막측 가스 배출판(3)으로 이루어진 3매의 판체(板體)가 적층되며, 이들 3매의 판체는 외주에서 고정되어 있다. 이 3매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))의 외주에서의 고정은, 예를 들면, 도시되어 있는 바와 같이, 나사부재(9)를 사용하여 행하거나, 용접(도시되지 않음) 등에 의해 실행되고 있다.
이와 같이 하여 3매의 판체를 적층 및 고정시켜 이루어진 격벽판은 내부에 공간, 즉, 재료 가스 1차 확산 공간(4)과 재료 가스 2차 확산 공간(5)을 구비하고 있으며, 이들 내부 공간은 중간 가스 분배구멍(6)에 의해 연통(連通)되어 있다. 박막 형성 장치의 진공 용기에 외부로부터 공급된 재료 가스는 재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5)으로 차례로 통과하는 동안에 균일하게 확산되어, 재료 가스 배출구멍(7)으로부터 성막 처리 공간(도 1a 중 아래쪽)으로 도입되어 간다.
한편, 격벽판 내부에 공간이 없는 부분에 래디컬 통과구멍(8)이 형성되어 있고, 플라즈마 방전 공간(도 1a 중 위쪽)에서 생성된 래디컬은 이 래디컬 통과구멍(8)을 통과하여 성막 처리 공간(도 1a 중 아래쪽)으로 도입되어 간다.
상술한 종래의 격벽판의 구조에서는, 격벽판을 구성하고 있는 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))의 고정부가 외주에 있기 때문에, 고정되어 있지 않은 판체의 중심부 측에서 판체와 판체 사이(예를 들면, 상부판(1)과 중간 확산판(2) 사이, 중간 확산판(2)과 성막측 가스 배출판(3) 사이)에 틈이 생기게 되는 경우가 있었다. 이와 같이 되면, 상기 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))를 관통하고 있는 래디컬 통과구멍(8)을 통과하고 있는 래디컬이 상기 틈으로부터 격벽판의 내부에 침입하게 된다. 그리고, 재료 가스 1차 확산 공간(4) 및 재료 가스 2차 확산 공간(5) 등에 있어서, 상기 틈으로부터 침입해 온 래디컬과 재료 가스가 접촉하여, 격벽판 내부에서 반응이 일어나서, 그곳에서 생성된 반응물이 파티클(particle) 발생의 원인으로 되거나, 성막 처리 공간 측에 충분한 래디컬을 공급할 수 없게 되는 문제가 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 격벽판을 구성하는 복수매의 판체 사이의 밀착성을 양호하게 하고, 플라즈마 방전 공간 측으로부터 성막 처리 공간 측에 래디컬이 통과할 때에, 래디컬이 통과하는 구멍으로부터 래디컬이 격벽판 내부에 침입할 우려가 없는 래디컬 통과구멍을 구비하고 있는 격벽판을 구비한 박막 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
도 1a는 종래의 박막 형성 장치에서의 격벽판(隔壁板)의 단면도, 도 1b는 도 1a의 X-X선으로부터 내부를 본 일부를 생략한 평면도.
도 2는 본 발명의 박막 형성 장치에 채용되어 있는 격벽판의 일부를 생략한 단면도.
도 3은 본 발명의 박막 형성 장치에 채용되어 있는 다른 격벽판의 일부를 생략한 단면도.
도 4는 본 발명의 박막 형성 장치에 채용되어 있는 또 다른 격벽판의 일부를 생략한 단면도.
도 5는 본 발명의 박막 형성 장치의 일례의 개략을 설명하는 단면도.
도 6은 본 발명의 박막 형성 장치의 다른 일례의 개략을 설명하는 단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 상부판
2 : 중간 확산판
3 : 성막측 가스 배출판
4 : 재료 가스 1차 확산 공간
5 : 재료 가스 2차 확산 공간
6 : 중간 가스 분배구멍
7 : 재료 가스 배출구멍
8 : 래디컬(radical) 통과구멍
10, 11 : 금속 고정구(리벳(rivet))
12 : 나사부를 구비한 금속 고정구
13 : 접합부
21 : 유리기판
22 : 진공 반응실
23 : 배기 기구
24 : 격벽판
25 : 플라즈마 방전 공간
26 : 성막 처리 공간
27 : 기판 유지 기구
28 : 히터
29 : 산소 가스 도입 파이프
30 : 전극(고주파 전극)
31 : 전력 도입봉(導入棒)
32 : 산소 플라즈마
33 : 재료 가스 도입 파이프
본 발명의 박막 형성 장치는 진공 용기 내에서 플라즈마를 생성하여 활성 종을 발생시키고, 이 활성 종과 재료 가스에 의해 기판에 성막을 행하는 박막 형성 장치이며, 상기 목적을 달성하기 위해 다음의 구조를 취한다.
본 발명의 박막 형성 장치는 진공 반응실 내가 격벽판에 의해 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간으로 분리되어 있는 것으로서, 상기 격벽판은 내부에 상기 플라즈마 방전 공간과 격리되면서 상기 성막 처리 공간과 연통하고 있는 내부 공간을 갖고 있는 동시에, 상기 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간을 관통하는 복수개의 구멍을 갖고 있다. 상기 플라즈마 방전 공간에 가스를 도입하여 플라즈마에 의해 래디컬을 발생시키며, 이 래디컬을 상기 격벽판의 복수개의 구멍을 통하여 상기 성막 처리 공간에 도입한다. 또한, 상기 성막 처리 공간에 재료 가스를 직접 도입하고(즉, 재료 가스를 상기 플라즈마 또는 래디컬에 접촉시키지 않고, 진공 용기의 외부로부터 직접 성막 처리 공간에 도입하고), 성막 처리 공간에서 상기 도입된 래디컬과 재료 가스를 반응시켜, 성막 처리 공간에 배치되어 있는 기판 상에 성막을 행하는 장치이다.
여기서, 본 발명의 박막 형성 장치에 있어서는, 상기 격벽판은 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역(全域)에 걸쳐 밀착시켜 고정 또는 접합되어 이루어지는 것인 것을 특징으로 하고 있다.
상기에 있어서, 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 고정 또는 접합되어 있다는 것은, 격벽판 내에 마련되어 있는 상기 내부 공간 및 상기 복수개의 구멍이 배치되어 있는 부분을 제외하고, 판체가 상호 접촉하고 있는 판체 상호의 접촉면끼리 서로 밀착하도록 고정 또는 접합되어 있는 것을 의미한다.
이와 같이, 격벽판을 구성하는 복수매의 적층된 판체가 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 고정 또는 접합되어 있기 때문에, 상기 적층된 복수매의 판체를 관통하여 형성되어 있는 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간을 관통하는 복수개의 구멍으로부터 래디컬이 격벽판 내부에 침입하여, 격벽판 내부에서 래디컬과 재료 가스가 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
상기에서의 상호 접촉하고 있는 판체 상호의 접촉면끼리를 서로 밀착시키는 고정은, 격벽판의 외주부에서 판체 상호간을 고정시킬 뿐만 아니라, 격벽판 내에 마련되어 있는 상기 내부 공간이 배치되어 있는 부분을 제외한 격벽판의 전역에 걸친 고정 가능한 영역 중에서, 성막 속도 또는 균일성 등의 성막 성능이 가장 양호해지는 위치에서, 내부에 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간을 관통시키는 구멍을 갖고 있는 고정용의 금속 고정구(예를 들면, 리벳(11), 금속 고정구(12))를 사용하여 판체 상호간을 고정시킴으로써 행할 수 있다.
또한, 상기에서의 상호 접촉하고 있는 판체 상호의 접촉면끼리의 서로 밀착하는 접합은, 격벽판의 외주부에서 판체 상호간을 고정시킬 뿐만 아니라, 격벽판 내에 마련되어 있는 상기 내부 공간 및 성막 속도 또는 균일성 등의 성막 성능이 가장 양호해지는 위치를 고려하여 배치되어 있는 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간을 관통시키는 상기 복수개의 구멍이 존재하고 있는 부분을 제외한 격벽판 내의 전역에 걸친 접촉면에서 진공 납땜, 압접(pressure welding) 등에 의한 판체 상호간의 접합에 의해 행할 수 있다.
상기 본 발명의 박막 형성 장치에 있어서, 격벽판(24)을, 도 2에 나타낸 바와 같이, 복수개의 금속 고정구(예를 들면, 리벳(11))에 의한 코킹(caulking)에 의해, 적층된 복수매의 판체 상호의 접촉면이 전역에 걸쳐 밀착되어 고정되어 있는 구조로 하며, 격벽판(24)이 구비하고 있는 복수개의 구멍(8)은 상기 복수개의 금속 고정구(예를 들면, 리벳(11))를 관통하여 형성되어 있도록 할 수 있다.
또한, 격벽판(24)을, 도 3에 나타낸 바와 같이, 외주에 나사부가 설치되어 있는 복수개의 금속 고정구(12)를 적층된 복수매의 판체에 나사결합시키고, 상기 적층된 복수매의 판체 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 고정된 구조로 하여, 격벽판(24)이 구비하고 있는 복수개의 구멍(8, 8)은 상기 복수개의 금속 고정구(12)를 관통하여 형성되어 있도록 할 수도 있다.
또한, 격벽판(24)을, 도 4에 나타낸 바와 같이, 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 서로 접합되며, 상기 격벽판(24)이 구비하고 있는 복수개의 구멍(8, 8)은 상기 내부 공간(4, 5)이 배치되어 있지 않은 위치를 관통하여 형성되어 있도록 할 수도 있다.
본 발명의 박막 형성 장치에서의 상기 모든 격벽판의 구조에 있어서도, 격벽판을 구성하는 적층된 복수매의 판체는 상호의 접촉면이 전역에 걸쳐 밀착되어 고정되고, 상기 격벽판에 마련되어 있는 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간을 관통하는 복수의 구멍(8, 8)은 이러한 적층된 복수매의 판체 상호의 접촉면에서의 전역에 걸친 밀착을 실현하기 위한 복수의 금속 고정구에 각각 관통하여 형성되어 있다. 또는, 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 서로 접합하고 있는 격벽판의 내부 공간이 배치되어 있지 않은 위치를 관통하여 상기 복수의 구멍(8, 8)이 형성되어 있다. 그래서, 플라즈마 방전 공간 측으로부터 성막 처리 공간 측에 래디컬이 통과할 때에, 래디컬이 통과하는 구멍(8)으로부터 격벽판 내부에 래디컬이 침입할 우려는 없어진다.
기판(21)에 대한 박막의 형성에 있어서, 성막 속도 또는 균일성 등의 성막 성능은, 기판(21)과 대치한 위치에 배치되어 있는 격벽판(24)에 형성되어 있는 래디컬이 통과하는 구멍, 즉, 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간을 관통하는 구멍(8)의 수 또는 배치 개소에 영향을 받는다. 그러나, 본 발명의 박막 형성 장치에 있어서는, 상술한 바와 같이, 격벽판을 구성하고 있는 적층된 복수매의 판체를 복수개의 금속 고정구에 의해 고정시키는 위치와 래디컬이 통과하는 구멍(8)이형성되는 위치를 동일하게 할 수 있다. 따라서, 본 발명에 있어서는, 격벽판(24)을 구성하고 있는 적층된 복수매의 판체를 고정시키고 있는 위치의 제약을 받지 않고, 격벽판(24)의 전역에 걸쳐 성막 성능을 우선시켜 래디컬이 통과하는 구멍(8)의 배치를 설정할 수 있어, 플라즈마 방전 공간 측으로부터 성막 처리 공간 측으로 래디컬을 격벽판(24)의 내부에 침입시키지 않고 공급할 수 있다.
상기 본 발명의 박막 형성 장치에 있어서는, 래디컬이 통과하는 상기 복수개의 구멍은 상기 구멍 내에서의 가스 유속을 u, 실질적인 구멍의 길이를 L(도 2, 도 3, 도 4에 나타낸 실시예에서는 격벽판(24)의 두께와 동등한 길이로 된다), 상호 가스 확산 계수(구멍 양측의 2종의 가스의 상호 가스 확산 계수)를 D라고 할 때, uL/D＞1의 조건을 만족시키도록 형성하는 것이 바람직하다. 본 발명의 박막 형성 장치에 있어서는, 격벽판의 양측의 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간은 격벽판에 구비되어 있는 구멍을 통해서만 연결되어 있으나, 상기 구멍에 대해서는, 선특허출원인 일본국 특원평11-157692호에서도 제안하고 있는 바와 같이, 상기의 조건(uL/D＞1)을 만족시키고 있으면, 성막 처리 공간에 도입된 재료 가스가 플라즈마 방전 공간 측으로 역(逆)확산되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 가장 적합한 실시형태를 첨부도면에 의거하여 설명한다.
도 2는 도 5에 예시하는 본 발명의 박막 형성 장치의 진공 반응실을 플라즈마 방전 공간(25)과 성막 처리 공간(26)으로 격리시키는 격벽판(24)의 바람직한 실시예의 단면을 나타내는 것이다.
격벽판(24)은 복수개의 금속 고정구, 여기서는, 리벳(10, 11)에 의한 코킹에의해, 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))를 판체 상호의 접촉면(즉, 상부판(1)과 중간 확산판(2)과의 접촉면, 중간 확산판(2)과 성막측 가스 배출판(3)과의 접촉면)을 전역에 걸쳐 밀착 고정시켜 형성되어 있다.
이와 같이 하여 적층 고정된 상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3) 중에는, 플라즈마 방전 공간(25)과 격리되면서 성막 처리 공간(26)과 연통하고 있는 격벽판(24)의 내부 공간(재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5))이 형성되어 있다.
이러한 구조를 취하고 있기 때문에, 외부로부터 공급된 재료 가스는 먼저 재료 가스 1차 확산 공간(4)에 들어가고, 확산된 후, 중간 가스 분배구멍(6)을 통과하여, 재료 가스 2차 확산 공간(5)에 들어가며, 이들 경로에서 균일하게 확산되어, 재료 가스 배출구멍(7)으로부터 성막 처리 공간(26)에 직접적으로, 즉, 플라즈마 또는 래디컬에 접촉하지 않고 도입된다.
그리고, 도 2 중 리벳(10)은 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))의 외주에서의 고정을 담당하는 것이며, 리벳(11)은 외주 이외의 부분에서의 고정을 담당하는 것이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 박막 형성 장치의 격벽판(24)에 있어서는, 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))의 외주 이외의 부분에서의 판체 상호의 접촉면의 전역에 걸친 밀착 고정을 실현하고 있는 리벳(11)에 이것을 관통하도록 래디컬이 통과하는 구멍(8)이 형성되어 있다.
그 결과, 래디컬이 통과하는 구멍(8)은, 리벳(11)을 구성하는 주위벽에 의해, 격벽판(24)의 내부 공간(재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5))으로부터 격리되어 있으며, 플라즈마 방전 공간(25) 측(도 2 중 위쪽)으로부터 성막 처리 공간(26) 측(도 2 중 아래쪽)으로 래디컬이 도입되어 갈 때에, 격벽판(24)의 내부 공간에 래디컬이 침입하지 않게 된다.
도 3은 본 발명의 박막 형성 장치의 진공 반응실을 플라즈마 방전 공간(25)(도 3 중 위쪽)과 성막 처리 공간(26)(도 3 중 아래쪽)으로 격리시키는 격벽판(24)의 다른 바람직한 실시예의 단면을 나타내는 것이다.
도 3에 나타낸 격벽판(24)은, 도 2에 나타낸 실시예에서의 리벳(11)을 외주에 나사부가 설치되어 있는 금속 고정구(12)로 대신하여, 복수개의 금속 고정구(12)를 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))에 나사결합시키고, 상기 적층된 복수매의 판체 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 고정시킨 구조로 한 것이다. 래디컬이 통과하는 구멍(8)은 금속 고정구(12)를 관통하여 형성되어 있다.
도 3에 나타낸 실시형태에서는, 성막측 가스 배출판(3)에 암나사부를 설치하고, 선단측 외주에 수나사부를 설치한 금속 고정구(12)를 사용하여, 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3)) 위쪽으로부터 삽입한 금속 고정구(12)를 상기 성막측 가스 배출판(3)의 암나사부에 나사결합시키고, 이와 같이 하여 금속 고정구(12)가 적층된 복수매의 판체에 나사결합시키며, 적층된 복수매의 판체 상호의 접촉면(즉, 상부판(1)과 중간 확산판(2)과의 접촉면, 중간확산판(2)과 성막측 가스 배출판(3)과의 접촉면)을 전역에 걸쳐 밀착시켜 고정시키고 있다.
도 3에 나타낸 실시형태에 있어서도, 도 2에 나타낸 실시형태와 동일하게, 플라즈마 방전 공간(25) 측(도 3 중 위쪽)으로부터 성막 처리 공간(26) 측(도 3 중 아래쪽)으로 래디컬이 도입되어 갈 때에 래디컬이 통과하는 구멍(8)은, 금속 고정구(12)를 구성하는 주위벽에 의해, 격벽판(24)의 내부 공간(재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5))으로부터 격리되어 있으며, 플라즈마 방전 공간(25) 측으로부터 성막 처리 공간(26) 측으로 래디컬이 도입되어 갈 때에, 격벽판(24)의 내부 공간에 래디컬이 침입하지 않게 된다.
도 3에 나타낸 실시형태에서는, 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))를 판체 상호의 접촉면을 밀착시켜 고정시키기 위해, 외주에 나사부가 설치되어 있는 금속 고정구(12)가 상기 적층된 복수매의 판체에 나사결합되어 있고, 이 금속 고정구(12)의 착탈은 나사식 결합이기 때문에 간단하게 금속 고정구(12)를 교환할 수 있다. 그러므로, 금속 고정구(12)를 적절히 교환함으로써 래디컬이 통과하는 구멍(8)의 직경 또는 형상을 간단하게 변경할 수 있다.
도 2 및 도 3에 나타낸 실시형태에서는, 래디컬이 통과하는 구멍(8)을 갖는 리벳(11) 및 금속 고정구(12)의 길이와 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))의 두께가 일치하고 있는 경우를 설명하고 있다. 그러나, 반드시 이와 같이 할 필요는 없고, 리벳(11) 및 금속 고정구(12)의 길이가적층된 복수매의 판체의 두께보다 짧거나 긴 경우에도 작용, 효과는 동일하다.
도 4는 본 발명의 박막 형성 장치의 진공 반응실을 플라즈마 방전 공간(25)(도 4 중 위쪽)과 성막 처리 공간(26)(도 4 중 아래쪽)으로 격리시키는 격벽판(24)의 또 다른 바람직한 실시예의 단면을 나타내는 것이다.
도 4에 나타낸 격벽판(24)은, 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))가 판체 상호의 접촉면(즉, 상부판(1)과 중간 확산판(2)과의 접촉면, 중간 확산판(2)과 성막측 가스 배출판(3)과의 접촉면)을 전역에 걸쳐 밀착시켜 상호 접합되어 있는 것이다. 격벽판(24)의 내부에는, 도 2 및 도 3에 나타낸 격벽판(24)과 동일하게, 플라즈마 방전 공간(25)과 격리되면서 성막 처리 공간(26)과 연통하고 있는 내부 공간(재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5))이 마련되어 있는데, 격벽판(24)이 구비하고 있는 래디컬이 통과하는 복수개의 구멍(8, 8)은 상기 내부 공간이 배치되어 있지 않은 위치를 관통하여 형성되어 있다.
적층된 복수매의 판체 상호의 접촉면(즉, 상부판(1)과 중간 확산판(2)과의 접촉면, 중간 확산판(2)과 성막측 가스 배출판(3)과의 접촉면)을 전역에 걸쳐 밀착시켜 상호 접합하는 방법은 진공 납땜, 압접 등을 이용할 수 있다.
도 4 중 부호 13으로 표시되어 있는 부분은 상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3) 상호의 접촉면의 접합부를 나타내는 것이다.
판체 상호의 접촉면의 전역에 걸친 밀착에 의한 상호 접합은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 격벽판(24)의 내부 공간(재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5))의 부분을 제외하고, 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3)) 상호의 접촉면 전면(全面)을 접합하여 행하는 것이 래디컬이 통과하는 구멍(8)으로부터의 격벽판(24)의 내부 공간에의 래디컬의 침입을 완전하게 방지하는데 바람직하다.
도 4에 나타낸 실시형태에서는, 래디컬이 통과하는 복수개의 구멍(8)은, 적층되고 상호의 접촉면이 전면에 걸쳐 밀착되어 접합된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))의 내부 공간(재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5))이 배치되어 있지 않은 위치를 관통하여 형성되어 있으나, 상기한 바와 같이, 격벽판(24)의 내부 공간의 부분을 제외하고, 적층된 복수매의 판체 상호의 접촉면 전면이 접합되어 있기 때문에, 구멍(8)을 통과하고 있는 래디컬이 격벽판(24)의 내부 공간에 침입하지 않고, 격벽판(24)의 내부 공간에서 래디컬과 재료 가스가 접촉할 우려는 없다.
도 4에 나타낸 실시형태에 의하면, 도 2 및 도 3에 나타낸 실시형태와 같이, 적층된 복수매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))를 판체 상호의 접촉면을 전면에 걸쳐 밀착시켜 접합함에 있어서, 리벳(11) 및 금속 고정구(12)와 같은 부재가 불필요해지기 때문에, 보다 저렴하게 격벽판(14)을 제공할 수 있다. 또한, 복수개의 리벳 또는 금속 고정구를 부착시키는 공정이 없어져, 1회의 작업으로 끝나기 때문에, 보다 안정된 품질의 격벽판을 제공할 수 있다.
그리고, 상기의 어느 실시형태에 있어서도, 래디컬이 통과하는 구멍(8)은, 상기 구멍(8) 내에서의 가스 유속을 u, 실질적인 구멍의 길이를 L(상기의 실시형태에서는, 어느 것이나 격벽판(24)의 두께와 동등하게 되어 있다), 상호 가스 확산 계수(구멍 양측의 2종의 가스의 상호 가스 확산 계수)를 D라고 할 때, uL/D＞1의 조건을 만족시키도록 형성해 두면, 성막 처리 공간(26)에 도입된 재료 가스가 플라즈마 방전 공간(25) 측으로 역확산되는 것을 방지할 수 있기 때문에 유리하다.
도 5는 상술한 도 2에 나타낸 격벽판(24)에 의해 진공 반응실(22)의 내부가 2실로 분리되어 있는 본 발명의 박막 형성 장치의 일례의 개략을 나타내는 것이다. 도 5에 나타낸 박막 형성 장치는, 바람직하게는 실란을 재료 가스로서 사용하고, 통상의 TFT용 유리기판(21)(예를 들면, 370㎜ ×470㎜ 크기의 유리기판)의 상면에 실리콘 산화막을 게이트 절연막으로서 성막하는 것이며, 본 발명의 박막 형성 장치에서의 특징적인 구조 부분인 격벽판(24)의 부분을 다른 부분보다 확대하여 나타내고, 격벽판(24) 이외의 부분은 그 개략만을 나타내고 있다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 박막 형성 장치의 실시형태를 설명한다.
진공 반응실(22)의 내부는 접지 전위로 유지되어 있는 격벽판(24)(도 2 참조)에 의해 상하 2실로 격리되며, 상측실은 플라즈마 방전 공간(25)을 형성하고, 하측실은 성막 처리 공간(26)을 형성하고 있다. 판 형상의 전극(고주파 전극)(30)은, 그 에지부 측면이 진공 반응실(22)을 구성하는 상측 용기와의 사이에 개재되는 절연부재(34, 35) 중 상측 절연부재(34)에 그 에지부 하단면이 하측의 절연부재(35)에 각각 접촉하도록 하여 부착되어 있다. 격벽판(24)은 원하는 특정의 두께를 가지면서 전체적으로 평판(平板) 형상의 형태를 갖고, 또한 진공반응실(22)의 수평 단면 형상과 유사한 평면 형상을 갖고 있다.
도 5에 나타낸 박막 형성 장치에 있어서는, 플라즈마 방전 공간(25)에서 산소 플라즈마(32)가 생성되어 있는 영역은, 격벽판(24)과 진공 반응실(22)을 구성하는 상측 용기 및 이들의 대략 중앙 위치에 배치되는 전극(30)으로 형성되어 있다. 전극(30)에는 복수의 구멍(30a)이 형성되어 있다.
반송 로봇(도시도지 않음)에 의해 유리기판(21)이 진공 반응실(22)의 내부에 반입되며, 진공 반응실(22)과 동일한 전위인 접지 전위로 유지되어 있는 기판 유지 기구(27) 상에 배치된다. 성막 처리 공간(26)에 설치된 기판 유지 기구(27)는 히터(28)에 통전(通電)이 실행되고 있기 때문에, 미리 소정 온도로 유지되어 있다.
진공 반응실(22)의 내부는 배기 기구(23)에 의해 배기되며, 감압되어 소정의 진공 상태로 유지된다.
다음으로, 산소 가스 도입 파이프(29)를 통하여 산소 가스가 플라즈마 방전 공간(25)에 도입된다.
한편, 재료 가스인, 예를 들면, 실란이 재료 가스 도입 파이프(33)를 통하여 격벽부(24)의 재료 가스 1차 확산 공간(4)에 도입된다. 실란은 최초로 재료 가스 1차 확산 공간(4)에 들어가고, 확산된 후, 중간 가스 분배구멍(6)을 통과하여, 재료 가스 2차 확산 공간(5)에 들어가며, 이들 경로에서 균일하게 확산되어, 재료 가스 배출구멍(7)으로부터 성막 처리 공간(26)에 직접적으로, 즉, 플라즈마 또는 래디컬에 접촉하지 않고 성막 처리 공간(26)에 도입된다.
상기의 상태에서, 전극(30)에 대하여 다른 금속 부분과의 절연이 도모되고있는 전력 도입봉(31)을 개재하여 고주파 전력이 공급된다. 이 고주파 전력에 의해 방전이 발생하고, 플라즈마 방전 공간(25) 내에서 전극(30)의 주위에 산소 플라즈마(32)가 생성된다. 산소 플라즈마(32)를 생성함으로써, 중성의 여기 종(excited species)인 래디컬(여기 활성 종)이 생성되며, 이것이 격벽판(24)에 형성되어 있는 복수의 구멍(8, 8)을 통과하여 성막 처리 공간(26)에 도입되는 한편, 재료 가스가 재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5), 재료 가스 배출구멍(7)을 통과하여 성막 처리 공간(26)에 도입된다.
그 결과, 성막 처리 공간(26) 내에서 상기 래디컬과 재료 가스가 처음으로 접촉하여, 화학 반응을 일으키고, 유리기판(21)의 표면상에 실리콘 산화물이 퇴적되어, 박막이 형성된다.
도 6은 상술한 도 2에 나타낸 격벽판(24)에 의해 진공 반응실(22)의 내부가 2실로 분리되어 있는 본 발명의 박막 형성 장치의 다른 일례의 개략을 나타내는 것이다. 도 6에 나타낸 실시형태의 특징적 구성은, 진공 반응실(22)을 구성하는 상측 용기의 천정부 내측에 절연부재(34)를 설치하고, 그 아래쪽에 전극(30)을 배치하도록 한 점에 있다. 전극(30)에는 도 5에 나타낸 실시형태의 경우와 같은 구멍(30a)은 형성되지 않고 1매의 판 형상의 형태를 갖는다. 전극(30)과 격벽판(24)에 의해 평행한 평판형 전극 구조에 의한 플라즈마 방전 공간(25)을 형성한다. 그 밖의 구성은 도 5에 나타낸 실시형태의 구성과 실질적으로 동일하다. 그래서, 도 6에 있어서 도 5에서 설명한 요소와 실질적으로 동일한 각 요소에는 동일한 부호를 첨부하고, 여기서 상세한 설명을 반복하는 것은 생략한다. 또한, 도6에 나타낸 실시형태의 박막 형성 장치에 의한 작용, 효과도 상술한 도 5에 나타낸 실시형태의 경우와 동일하기 때문에, 그 설명을 반복하는 것은 생략한다.
상기의 본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서는, 격벽판(24)을 구성하는 적층된 복수매의 판체를 3매의 판체(상부판(1), 중간 확산판(2), 성막측 가스 배출판(3))에 의해 구성했으나, 본 발명은 이러한 실시형태에 한정되지는 않는다. 격벽판(24)의 내부에 플라즈마 방전 공간(25)과 격리되면서 성막 처리 공간(21)과 연통하여 내부 공간(예를 들면, 재료 가스 1차 확산 공간(4), 중간 가스 분배구멍(6), 재료 가스 2차 확산 공간(5) 등)이 형성되어 있는 것이라면, 2매의 판체를 적층시키고, 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜, 고정 또는 접합하여 격벽판(24)으로 할 수도 있으며, 4매, 5매의 판체에 의해 격벽판(24)을 구성할 수도 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부도면을 참조하여 설명했으나, 본 발명은 이러한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위의 기재로부터 파악되는 기술적 범위에 있어서 다양한 형태로 변경할 수 있다.
본 발명에 의해, 진공 반응실 내를 래디컬이 통과하는 복수개의 구멍을 갖는 격벽판에 의해 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간으로 분리하고, 플라즈마 방전 공간에 가스를 도입하여 플라즈마에 의해 래디컬을 발생시키고, 이 래디컬을 상기 격벽판의 복수개의 구멍을 통하여 성막 처리 공간에 도입하는 동시에, 성막 처리 공간에 재료 가스를 직접 도입하고, 성막 처리 공간에서 상기 도입된 래디컬과 재료 가스를 반응시켜, 성막 처리 공간에 배치되어 있는 기판 상에 성막을 행하는 박막 형성 장치에 있어서, 플라즈마 방전 공간에서 생성된 래디컬이 격벽판의 내부 공간에 침입하여, 격벽판의 내부 공간에서 래디컬과 재료 가스가 접촉하게 되는 것을 방지할 수 있다.
즉, 본 발명에 의하면, 래디컬이 격벽판의 내부 공간에 침입하는 것에 의한 문제(파티클이 발생하여, 재료 가스 배출구멍(7)을 차단하게 된다는 문제)를 해결할 수 있는 동시에, 재료 가스의 플라즈마 방전 공간에의 누설과 같은 문제를 해결하며, 그 결과, 재료 가스의 과잉 분해를 방지할 수 있어, 양호한 막질의 박막을 얻을 수 있다.

Claims (5)

  1. 진공 반응실 내가 격벽판에 의해 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간으로 분리되어 있고, 상기 격벽판은 내부에 상기 플라즈마 방전 공간과 격리되면서 상기 성막 처리 공간과 연통(連通)하고 있는 내부 공간을 갖고 있는 동시에, 상기 플라즈마 방전 공간과 성막 처리 공간을 관통하는 복수개의 구멍을 갖고 있는 것으로서, 상기 플라즈마 방전 공간에 가스를 도입하여 플라즈마에 의해 래디컬(radical)을 발생시켜, 이 래디컬을 상기 격벽판의 복수개의 구멍을 통하여 상기 성막 처리 공간에 도입하는 동시에, 상기 성막 처리 공간에 재료 가스를 직접 도입하여, 성막 처리 공간에서 상기 도입된 래디컬과 재료 가스를 반응시켜, 성막 처리 공간에 배치되어 있는 기판 상에 성막을 행하는 장치에 있어서,
    상기 격벽판은 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역(全域)에 걸쳐 밀착시켜 고정 또는 접합되어 이루어지는 것임을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    격벽판은 복수개의 금속 고정구에 의한 코킹(caulking)에 의해, 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 고정되어 있는 것이며, 상기 격벽판이 구비하고 있는 상기 복수개의 구멍은 상기 복수개의 금속 고정구를 관통하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    격벽판은 외주에 나사부가 설치되어 있는 복수개의 금속 고정구를 적층된 복수매의 판체에 나사결합시키고, 상기 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 고정시켜 구성되어 있는 것이며, 상기 격벽판이 구비하고 있는 상기 복수개의 구멍은 상기 복수개의 금속 고정구를 관통하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    격벽판은 적층된 복수매의 판체가 상호의 접촉면을 전역에 걸쳐 밀착시켜 상호 접합되어 이루어지는 것이고, 상기 격벽판이 구비하고 있는 상기 복수개의 구멍은 상기 내부 공간이 배치되어 있지 않은 위치를 관통하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수개의 구멍은 상기 구멍 내에서의 가스 유속을 u, 실질적인 구멍의 길이를 L, 상호 가스 확산 계수를 D라고 할 때, uL/D＞1의 조건을 만족시키도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4791637B2 (ja) * 2001-01-22 2011-10-12 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置とこれを用いた処理方法
JP5079949B2 (ja) * 2001-04-06 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
US20030124842A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-03 Applied Materials, Inc. Dual-gas delivery system for chemical vapor deposition processes
JP3991315B2 (ja) * 2002-09-17 2007-10-17 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置及び方法
JP3671966B2 (ja) * 2002-09-20 2005-07-13 日新電機株式会社 薄膜形成装置及び方法
US20040182315A1 (en) * 2003-03-17 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system
JP4451684B2 (ja) * 2004-03-17 2010-04-14 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
WO2006000846A1 (en) * 2004-06-08 2006-01-05 Epispeed S.A. System for low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition
KR100743840B1 (ko) * 2004-11-03 2007-07-30 주식회사 뉴파워 프라즈마 마그네틱 코어가 내장된 플라즈마 반응 챔버
US20060106635A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Karl Ulrich Emission remediation
JP2007191792A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
WO2007102466A1 (ja) * 2006-03-06 2007-09-13 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
RU2390883C1 (ru) * 2006-09-13 2010-05-27 Кэнон АНЕЛВА Корпорейшн Способ изготовления элемента с магниторезистивным эффектом и многокамерное устройство для изготовления элемента с магниторезистивным эффектом
KR100872994B1 (ko) * 2007-04-30 2008-12-09 주식회사 케이씨텍 플라즈마 발생장치
KR100874341B1 (ko) * 2007-05-04 2008-12-16 주식회사 케이씨텍 플라즈마 발생장치
KR100874340B1 (ko) * 2007-05-03 2008-12-16 주식회사 케이씨텍 차단 플레이트를 이용한 플라즈마 발생장치
DE102007026349A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Aus einer Vielzahl diffusionsverschweißter Scheiben bestehender Gasverteiler
JP5179389B2 (ja) * 2008-03-19 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
US8110738B2 (en) 2009-02-20 2012-02-07 Miasole Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
US8115095B2 (en) * 2009-02-20 2012-02-14 Miasole Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
US8134069B2 (en) 2009-04-13 2012-03-13 Miasole Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials
US7897020B2 (en) * 2009-04-13 2011-03-01 Miasole Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials
US7785921B1 (en) * 2009-04-13 2010-08-31 Miasole Barrier for doped molybdenum targets
US9284639B2 (en) * 2009-07-30 2016-03-15 Apollo Precision Kunming Yuanhong Limited Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials
US20110067998A1 (en) * 2009-09-20 2011-03-24 Miasole Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing
US8709548B1 (en) 2009-10-20 2014-04-29 Hanergy Holding Group Ltd. Method of making a CIG target by spray forming
US8709335B1 (en) 2009-10-20 2014-04-29 Hanergy Holding Group Ltd. Method of making a CIG target by cold spraying
US20110162696A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Miasole Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof
US8597462B2 (en) * 2010-05-21 2013-12-03 Lam Research Corporation Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses
US9169548B1 (en) 2010-10-19 2015-10-27 Apollo Precision Fujian Limited Photovoltaic cell with copper poor CIGS absorber layer and method of making thereof
US7935558B1 (en) 2010-10-19 2011-05-03 Miasole Sodium salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof
US8048707B1 (en) 2010-10-19 2011-11-01 Miasole Sulfur salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof
TWI427183B (zh) * 2010-11-25 2014-02-21 Ind Tech Res Inst 電漿處理裝置
US9695510B2 (en) * 2011-04-21 2017-07-04 Kurt J. Lesker Company Atomic layer deposition apparatus and process
US10043921B1 (en) 2011-12-21 2018-08-07 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
US20190032211A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Lam Research Corporation Monolithic ceramic gas distribution plate
US11944988B2 (en) * 2018-05-18 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Multi-zone showerhead

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980071461A (ko) * 1997-02-19 1998-10-26 미따라이 후지오 반응성 스퍼터링 장치 및 이를 이용하는 박막 형성 방법

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1000000A (en) * 1910-04-25 1911-08-08 Francis H Holton Vehicle-tire.
US4792378A (en) 1987-12-15 1988-12-20 Texas Instruments Incorporated Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor
DE4025396A1 (de) * 1990-08-10 1992-02-13 Leybold Ag Einrichtung fuer die herstellung eines plasmas
DE4029268C2 (de) 1990-09-14 1995-07-06 Balzers Hochvakuum Verfahren zur gleichspannungs-bogenentladungs-unterstützten, reaktiven Behandlung von Gut und Vakuumbehandlungsanlage zur Durchführung
US5356515A (en) * 1990-10-19 1994-10-18 Tokyo Electron Limited Dry etching method
JPH0521393A (ja) 1991-07-11 1993-01-29 Sony Corp プラズマ処理装置
JP2989063B2 (ja) 1991-12-12 1999-12-13 キヤノン株式会社 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP2601127B2 (ja) 1993-03-04 1997-04-16 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US5449410A (en) 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
US5433786A (en) * 1993-08-27 1995-07-18 The Dow Chemical Company Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein
US5472565A (en) * 1993-11-17 1995-12-05 Lam Research Corporation Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement
US5556474A (en) 1993-12-14 1996-09-17 Nissin Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus
TW296534B (ko) 1993-12-17 1997-01-21 Tokyo Electron Co Ltd
KR950020993A (ko) * 1993-12-22 1995-07-26 김광호 반도체 제조장치
JP2837087B2 (ja) 1993-12-28 1998-12-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜形成方法
TW299559B (ko) 1994-04-20 1997-03-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5628829A (en) * 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
JP3353514B2 (ja) 1994-12-09 2002-12-03 ソニー株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び半導体装置の作製方法
US5928427A (en) 1994-12-16 1999-07-27 Hwang; Chul-Ju Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
JP2814370B2 (ja) 1995-06-18 1998-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5614026A (en) * 1996-03-29 1997-03-25 Lam Research Corporation Showerhead for uniform distribution of process gas
US6209480B1 (en) * 1996-07-10 2001-04-03 Mehrdad M. Moslehi Hermetically-sealed inductively-coupled plasma source structure and method of use
JP3310171B2 (ja) * 1996-07-17 2002-07-29 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
GB9712400D0 (en) * 1997-06-16 1997-08-13 Trikon Equip Ltd Shower head
US6083363A (en) * 1997-07-02 2000-07-04 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for uniform, low-damage anisotropic plasma processing
US6161500A (en) * 1997-09-30 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions
JP3161394B2 (ja) * 1997-12-03 2001-04-25 日本電気株式会社 プラズマｃｖｄ装置
JP4151862B2 (ja) * 1998-02-26 2008-09-17 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US6302964B1 (en) * 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6086677A (en) * 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6206972B1 (en) * 1999-07-08 2001-03-27 Genus, Inc. Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
KR100378871B1 (ko) * 2000-02-16 2003-04-07 주식회사 아펙스 라디칼 증착을 위한 샤워헤드장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980071461A (ko) * 1997-02-19 1998-10-26 미따라이 후지오 반응성 스퍼터링 장치 및 이를 이용하는 박막 형성 방법

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