JP3501715B2 - プラズマプロセス装置 - Google Patents
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Description
ス装置に関し、より特定的には、異常プラズマの発生を
抑制し安定して均一なプラズマ処理を実施することが可
能なプラズマプロセス装置に関する。
製造工程においては、成膜工程、エッチング工程および
アッシング工程などにおいてプラズマを利用するプラズ
マプロセス装置が使用されている。このようなプラズマ
プロセス装置において、処理対象である基板の被処理面
全体に対して成膜などの処理を均一に行なうためには、
被処理面全体に対して均一なプラズマを発生させる必要
がある。
れる半導体デバイスや液晶などの分野で基板の大型化が
進んでいる。特に、TFT(Thin Film Transistor)液
晶表示装置の場合、基板は500mm角から1m角とい
うような大きなサイズから、さらにそれ以上の大きなサ
イズの基板が用いられる可能性がある。このような大型
基板の被処理面全体に対して均一なプラズマを発生させ
ることにより、被処理面内における処理の均一性を向上
させることが可能なプラズマプロセス装置が求められて
いる。
に対する均一なプラズマ処理を実現するため、発明者ら
はたとえば特願平11−296607号において図9に
示すようなプラズマプロセス装置を提案している。図9
は、本発明の基礎となるプラズマプロセス装置を示す断
面模式図である。図9を参照して、プラズマプロセス装
置を説明する。
は、チャンバ蓋101とチャンバ本体102とマイクロ
波導入窓104a、104bとシャワープレート105
と基板ホルダ107と導波管端部103a、103bと
を備える。チャンバ本体102の上部開口部上にはチャ
ンバ蓋101が設置されている。チャンバ内部119に
は、被処理材である基板108を保持する基板ホルダ1
07が設置されている。基板108と対向するチャンバ
蓋101の表面にはセラミックスなどの誘電体からなる
シャワープレート105が設置されている。シャワープ
レート105はシャワープレート保持部材106によっ
てチャンバ蓋101の下面上に固定されている。
を貫通し、かつシャワープレート105と接触するよう
にマイクロ波導入窓104a、104bが設置されてい
る。マイクロ波導入窓104a、104bはセラミック
スなどの誘電体からなる。チャンバ蓋101の上部表面
において、マイクロ波導入窓104a、104b上に位
置する領域には導波管端部103a、103bが設置さ
れている。この導波管端部103a、103bはそれぞ
れマイクロ波をプラズマプロセス装置に伝搬する導波管
113a、113bと接続されている。導波管端部10
3a、103bには保温流路112a、112bがそれ
ぞれ形成されている。この保温流路112a、112b
は、導波管端部103a、103bの周囲の温度を所定
の温度に保つための保温材を流すために設けられてい
る。
理に用いられる反応ガスをチャンバ内部119へと供給
するためのガス導入孔121が形成されている。チャン
バ蓋101のシャワープレート105と対向する下面に
は深さが0.1〜1mm程度の溝が形成されている。こ
の溝とシャワープレート105のチャンバ蓋101と対
向する面とから、反応ガス流路115が構成されてい
る。この反応ガス流路115と接続するようにチャンバ
蓋101には反応ガスを供給するための反応ガス導入口
114が形成されている。反応ガス導入口114と反応
ガス流路115とガス導入孔121とは接続されてお
り、反応ガスはこの反応ガス導入口114から反応ガス
流路115およびガス導入孔121を介してチャンバ内
部119へと供給される。
01との接続部にはOリング溝117が形成されてい
る。このOリング溝117内部にはOリング109が設
置されている。また、このチャンバ蓋101とマイクロ
波導入窓104a、104bとの接続部では、チャンバ
蓋101に形成されたOリング溝118の内部にOリン
グ110が設置されている。このOリング109、11
0によって、チャンバ内部119を外気から隔離、密閉
することができる。
の動作を簡単に説明する。まず、真空排気手段(図示せ
ず)によりチャンバ内部119から雰囲気ガスを排気す
る。この結果、チャンバ内部119は真空状態に保持さ
れる。次に、反応ガス導入口114から反応ガス流路1
15およびガス導入孔121を介して反応ガスがチャン
バ内部119へと供給される。ガス導入孔121は、シ
ャワープレート105のほぼ全面に分布するように形成
されているため、反応ガスを基板108の全面に対向す
る領域にほぼ均一に供給することができる。一方、マイ
クロ波発生手段(図示せず)で発生したマイクロ波は、
マイクロ波発生手段に接続された導波管113a、11
3bから導波管端部103a、103bに伝搬する。そ
して、この導波管端部103a、103bの開口部11
1a、111bからマイクロ波導入窓104a、104
bへとそれぞれマイクロ波は伝搬する。このマイクロ波
導入窓104a、104bからシャワープレート105
へとさらにマイクロ波は伝搬する。そして、このシャワ
ープレート105からチャンバ内部119における基板
108の全面に対向する領域へと、ほぼ均一にマイクロ
波は放射される。チャンバ内部119へ放射されたマイ
クロ波により反応ガスが励起されてプラズマが発生す
る。発生したプラズマによって、基板108の表面にお
いて成膜あるいはアッシングなどのプラズマ処理を行な
うことができる。このように、基板108の全面に対し
て反応ガスを均一に供給すると同時に、シャワープレー
ト105から均一にマイクロ波を放射することによっ
て、基板108の全面に対向する領域においてほぼ均一
なプラズマを形成することができる。
置においては、以下に示すような問題があった。
チャンバ内部119へと供給するための反応ガス流路1
15の側壁面の一部は、シャワープレート105の上面
によって構成されている。そして、このシャワープレー
ト105はマイクロ波導入窓104a、104bから供
給されるマイクロ波をチャンバ内部119へと放射する
ためのマイクロ波放射部材としての役割を有する。その
ため、このシャワープレート105から反応ガス流路1
15へとマイクロ波の一部が放射される場合があった。
このように反応ガス流路115の内部へとマイクロ波が
放射される場合、この反応ガス流路115の内部に異常
放電が発生して反応ガスが励起され、この反応ガス流路
115の内部において異常プラズマが発生する場合があ
った。このような異常プラズマにより、反応ガス流路1
15の側壁面が損傷を受けるという問題が発生してい
た。また、図9に示したプラズマプロセス装置をCVD
装置に適用する場合、反応ガス流路115の側壁面上に
異常プラズマに起因する反応生成物が付着するなどの問
題が発生していた。このように反応ガス流路115の側
壁が損傷を受けたり、反応生成物が側壁上に付着した場
合、反応ガス流路115における反応ガスの流量や圧力
が所定の値から変動する。また、本来チャンバ内部11
9においてプラズマ化され基板108上での成膜などの
処理に寄与すべき反応ガス及びマイクロ波のパワーが、
異常プラズマの発生に伴って反応ガス流路115内部で
消費されるため、チャンバ内部119へと反応ガス及び
マイクロ波のパワーを所定量供給することが困難にな
り、その結果、均一なプラズマ処理を安定して実施する
ことができないという問題が発生していた。
おいて異常プラズマが発生した場合、この異常プラズマ
に起因してシャワープレート105の温度が局所的に上
昇する場合があった。この局所的な温度上昇によって、
シャワープレート105において熱応力が発生し、この
熱応力によりシャワープレート105の歪み、あるいは
シャワープレート105の損傷が発生する場合があっ
た。このようにシャワープレート105において歪み、
あるいは損傷などが発生した場合、プロセス条件を所定
の状態に保つことが困難になるため、やはり安定してプ
ラズマ処理を実施することは困難であった。
一に供給するためのバッファ室として反応ガス流路11
5を利用する場合、反応ガス流路115の高さ、つまり
反応ガス流路115の体積を大きくすることが好まし
い。しかし、このように反応ガス流路115の高さを大
きくすると、図9に示したプラズマプロセス装置ではシ
ャワープレート105から放射されるマイクロ波によっ
て反応ガス流路115の内部において異常プラズマが発
生しやすくなっていた。そのため、反応ガス流路115
の体積を充分大きくすることが困難であり、チャンバ内
部119へ供給される反応ガスの均一性をさらに向上さ
せて、プラズマ処理の均一性をより高めることは難しか
った。
ためになされたものであり、この発明の目的は、異常プ
ラズマの発生を防止することにより、均一なプラズマ処
理を安定して実施することが可能なプラズマプロセス装
置を提供することである。
けるプラズマプロセス装置は、処理室とマイクロ波放射
部材と反応ガス供給手段とマイクロ波透過防止部材とを
備える。処理室は内壁面を有し、内部でプラズマを用い
た処理を行なう。マイクロ波放射部材は、処理室の内部
に面する一方壁面と、その一方壁面と反対側に位置し処
理室の内壁面に対向する他方壁面とを有し、その他方壁
面と処理室の内壁面の一部との間に空間を形成するよう
に配置され、処理室の内部にマイクロ波を伝搬して放射
する。反応ガス供給手段は、マイクロ波によってプラズ
マ状態にされる反応ガスを処理室の内部に供給する。反
応ガス供給手段は、マイクロ波放射部材の他方壁面と処
理室の内壁面の一部との間に形成された空間を有する反
応ガス供給路を含む。マイクロ波透過防止部材は、マイ
クロ波放射部材の他方壁面のうち反応ガス供給路に面す
る領域上に配置されている(第1の発明)。
反応ガス供給路との間にマイクロ波を透過させないマイ
クロ波透過防止部材を配置することができる。そのた
め、マイクロ波放射部材から反応ガス供給路にマイクロ
波が伝搬することを防止できる。このため、反応ガス供
給路に伝搬したマイクロ波に起因して反応ガス供給路に
おいて異常プラズマが発生することを防止できる。これ
により、この異常プラズマに起因して反応ガス供給路の
側壁が損傷を受ける、あるいはこの異常プラズマに起因
する反応生成物が反応ガス供給路の内部に堆積するなど
の問題の発生を防止できる。この結果、反応ガス供給路
を介して処理室の内部へと安定して反応ガスを供給する
ことができるので、均一なプラズマを形成することがで
きる。これにより、被処理材としての基板の表面に対し
て均一なプラズマ処理を安定して実施することが可能と
なる。
発生を防止できるので、反応ガス供給路の周囲に配置さ
れている部材(反応ガス供給路を構成する部材や、マイ
クロ波放射部材)において、異常プラズマに起因する局
所的な温度上昇の発生を防止できる。このため、マイク
ロ波放射部材などの反応ガス供給路の周囲に配置される
部材において、上述の局所的な温度上昇による歪みや損
傷が発生することを防止できる。この結果、安定してプ
ラズマ処理を実施できる。
給路へのマイクロ波の侵入を確実に防止できるので、処
理室の内部に供給される反応ガスの圧力などを均一化す
るためのバッファ室として反応ガス供給路を利用するた
めに反応ガス供給路の体積を大きくしても、反応ガス供
給路内部において異常プラズマが発生することを防止で
きる。このため、異常プラズマを発生させること無く、
反応ガス供給路の体積を充分に大きくしてバッファ室と
して用いることができるので、より均一な条件で処理室
内部に反応ガスを供給することができる。この結果、よ
り均一なプラズマ処理を実施できる。
装置において、マイクロ波透過防止部材の表面は導電性
を有することが好ましい(第2の発明)。
ないため、マイクロ波透過防止部材の表面が導電性を有
していれば、マイクロ波放射部材から放射されたマイク
ロ波が反応ガス供給路へと伝搬することを確実に防止で
きる。
置では、マイクロ波透過防止部材は導電体板であること
が好ましい(第3の発明)。
波を透過させないため、確実にマイクロ波放射部材から
放射されたマイクロ波が反応ガス供給路へと伝搬するこ
とを防止できる。また、導電体板として金属板などを用
いる場合、金属は比較的容易に加工ができるため、所定
の形状のマイクロ波透過防止部材を容易に得ることがで
きる。そのため、マイクロ波透過防止部材の製造コスト
が増大することを防止できる。この結果、本発明による
プラズマプロセス装置の製造コストが増大することを防
止できる。
属板を用い、この金属板とマイクロ波放射部材とを接触
させておけば、マイクロ波放射部材において異常プラズ
マなどに起因して局所的な温度上昇が発生しても、この
金属板によって迅速にそのような温度上昇のあった領域
から他の領域へと熱を伝えることができる。この結果、
局所的な温度上昇に起因するマイクロ波放射部材での歪
みや損傷の発生を防止できる。
置では、マイクロ波放射部材の他方壁面と処理室の内壁
面の一部との間に形成された空間が、処理室の内壁面に
形成された溝と、マイクロ波透過防止部材とによって囲
まれた空間であることが好ましい(第4の発明)。
ことにより、容易にマイクロ波放射部材の他方壁面と処
理室の内壁面の一部との間に空間を形成することができ
る。また、この反応ガス供給路に含まれる空間のマイク
ロ波放射部材側における壁面にはマイクロ波透過防止部
材が位置することになるので、マイクロ波放射部材から
反応ガス供給路にマイクロ波が伝搬することをこのマイ
クロ波透過防止部材によって確実に防止できる。
置では、マイクロ波透過防止部材が、反応ガス供給路に
面するマイクロ波透過防止部材の一方表面から、この一
方表面とは反対側に位置しマイクロ波放射部材と面する
マイクロ波透過防止部材の他方表面までマイクロ波透過
防止部材を貫通するように形成され、かつ、反応ガス供
給路に接続された接続孔を有することが好ましく、マイ
クロ波放射部材は、マイクロ波放射部材の他方壁面から
一方壁面にまで、マイクロ波放射部材を貫通するように
形成され、かつ、接続孔と接続された反応ガス供給孔を
有することが好ましい(第5の発明)。
び反応ガス供給孔を介して、処理室の内部に反応ガスを
供給することができる。そして、接続孔および反応ガス
供給孔をマイクロ波放射部材の全面に分布するように形
成すれば、処理室の内部の広い範囲に均一に反応ガスを
供給できる。このため、処理室内に配置される被処理材
である基板などの全面に対してほぼ均一に反応ガスを供
給することができるので、均一なプラズマ処理を実施で
きる。
の流量などを、接続孔の直径もしくは反応ガス供給孔の
直径の少なくともいずれかを変更することにより、容易
に変更できる。マイクロ波放射部材としては一般的にセ
ラミックスなどの誘電体が用いられ、マイクロ波透過防
止部材としては上述のように金属板などの導電体板が用
いられる。従来のプラズマプロセス装置では、マイクロ
波透過防止部材は設置されていなかったため,各反応ガ
ス供給孔での反応ガスの流量などを変更するためには反
応ガス供給孔の直径を変更するといった加工が必要であ
った。一般にセラミックスなどより金属の方が加工は容
易であるため、マイクロ波透過防止部材としての金属板
に形成された接続孔の直径を変更する加工は、セラミッ
クスなどからなるマイクロ波放射部材に形成された反応
ガス供給孔の直径を変更する加工より容易である。この
ため、本発明によるプラズマプロセス装置では、接続孔
の直径を変更することで反応ガスの流量などを従来より
容易に変更できる。この結果、接続孔の直径の異なるマ
イクロ波透過防止部材を複数用意することが容易に可能
となるので、これらの複数のマイクロ波透過防止部材を
反応ガスの種類や処理の種類などに適合するように交換
することで、最適なプロセス条件を容易に実現できる。
置では、接続孔の直径が反応ガス供給孔の直径より小さ
いことが好ましい(第6の発明)。
より反応ガスの流量を大きく変化させることができる。
つまり、接続孔の直径を反応ガスの流量を変更するため
の支配因子とすることができる。そして、上述のように
接続孔が形成されるマイクロ波透過防止部材として金属
板などを用いれば、セラミックスなどより金属の方が加
工が容易であるので、接続孔の直径を容易かつ高精度に
変更できる。この結果、接続孔の直径を変更することに
より、各反応ガス供給孔から処理室の内部へ供給される
反応ガスの流量などを容易かつ確実に変更できる。
置では、マイクロ波透過防止部材が処理室を構成する材
料と同じ材料で形成されていることが好ましい(第7の
発明)。
室を構成する部材との熱膨張の割合をほぼ等しくでき
る。この結果、マイクロ波透過防止部材およびその付近
の処理室を構成する部材の温度がプラズマ処理に伴って
上昇する場合、温度上昇に伴ってマイクロ波透過防止部
材と処理室を構成する材料との熱膨張の違いによりマイ
クロ波透過防止部材に歪や損傷が発生することを防止で
きる。
施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一ま
たは相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は
繰返さない。
ズマプロセス装置の実施の形態1を示す断面模式図であ
る。また、図2は、図1に示したプラズマプロセス装置
の線分100−100における断面模式図である。図1
および2を参照してプラズマプロセス装置を説明する。
ス装置はチャンバ本体2とチャンバ蓋1とマイクロ波放
射部材としてのシャワープレート5とマイクロ波導入窓
4a、4bと導波管端部3a、3bと基板ホルダ7とを
備える。チャンバ本体2の上部開口部上には壁部材とし
てのチャンバ蓋1が配置されている。チャンバ蓋1とチ
ャンバ本体2とから処理室としてのチャンバが構成され
る。チャンバ蓋1とチャンバ本体2との接続部において
は、チャンバ本体2にOリング溝17が形成されてい
る。Oリング溝17の内部にはOリング9が設置されて
いる。Oリング9によって、チャンバ蓋1とチャンバ本
体2との接続部は封止されている。チャンバ内部19に
はプラズマ処理を行なう対象である基板8を保持するた
めの基板ホルダ7が設置されている。基板ホルダ7上に
設置される基板8に対向するように、チャンバ蓋1の内
壁面上にはマイクロ波放射部材としてのシャワープレー
ト5が設置されている。シャワープレート5は、チャン
バ内部19に面する一方壁面と、その一方壁面と反対側
に位置し、チャンバの内壁面(チャンバ蓋1の内壁面)
に対向する他方壁面とを有する。このシャワープレート
5は固定部材としてのシャワープレート保持部材6によ
ってチャンバ蓋1の内壁面に押圧された状態で固定され
ている。シャワープレート保持部材6は金属製である。
シャワープレート5は誘電体からなり、窒化アルミニウ
ムもしくはアルミナを主成分とすることが好ましい。シ
ャワープレート5上の領域においては、チャンバ蓋1を
貫通するようにチャンバ蓋1に開口部20a、20bが
形成されている。この開口部20a、20bは、図1お
よび2からもわかるように図1の紙面に垂直な方向に延
びるスリット状の形状を有している。この開口部20
a、20bにはマイクロ波導入窓4a、4bがそれぞれ
設置されている。このマイクロ波導入窓4a、4bの断
面形状は図1からもわかるように逆凸形状である。マイ
クロ波導入窓4a、4bは誘電体からなり、窒化アルミ
ニウムもしくはアルミナを主成分とすることが好まし
い。マイクロ波導入窓4a、4bはそれぞれシャワープ
レート5の他方壁面(上面)と接触している。
領域においては、チャンバ蓋1の上部表面上に導波管端
部3a、3bが設置されている。この導波管端部3a、
3bには保温流路12a、12bが形成されている。こ
の保温流路12a、12bは、導波管端部3a、3b近
傍の温度を一定に保つための保温材を内部に流通させる
ために設けられている。導波管端部3a、3bにはマイ
クロ波発生部材(図示せず)によって発生させたマイク
ロ波を導波管端部3a、3bへと伝搬させるための導波
管13a、13bがそれぞれ接続されている。マイクロ
波導入窓4a、4bとチャンバ蓋1との接続部にはOリ
ング溝18が形成されている。このOリング溝18には
Oリング10が設置されている。このOリング10によ
って、マイクロ波導入窓4a、4bとチャンバ蓋1との
接続部は封止されている。Oリング9、10によってチ
ャンバ内部19を外気から隔離することができる。
しての複数のガス導入孔21が形成されている。ガス導
入孔21は、シャワープレート5の一方壁面から他方壁
面にまで、シャワープレート5を貫通するように形成さ
れている。図3に示すように、ガス導入孔21はシャワ
ープレート5の全面に分布するように配置されている。
ここで、図3は、図1の矢印23の方向から見たチャン
バ蓋1の下面(チャンバの内壁面)の模式図である。図
3からもわかるように、プラズマプロセス装置には2枚
のシャワープレート5が設置されている。シャワープレ
ート5とチャンバ蓋1との間にはマイクロ波透過防止部
材としての導電体板である金属製プレート16が配置さ
れている。金属製プレート16の一方表面に面するチャ
ンバ蓋1の内壁面には空間としての溝が形成されてい
る。この溝と金属製プレート16のの一方表面とによっ
て反応ガス供給路としての反応ガス流路15が構成され
ている。金属製プレート16は、チャンバ蓋1の内壁面
に形成されたはめ込み用溝に挿入され、固定されてい
る。また、金属製プレート16はシャワープレート5に
よってチャンバ蓋1の内壁面に押圧されることにより固
定されていてもよく、ネジなどを用いてチャンバ蓋1の
内壁面に固定されていてもよい。図4および5からもわ
かるように、チャンバ蓋1には反応ガス流路15となる
溝が12箇所形成されている。そして、それぞれの溝を
覆うように金属製プレート16が設置されている。図4
は図1の矢印23の方向から見た、シャワープレート5
とシャワープレート保持部材6とを除去したチャンバ蓋
1の内壁面を示す模式図であり、図5は図4からさらに
金属製プレート16を除去したチャンバ蓋1の内壁面を
示す模式図である。反応ガス流路15とガス導入孔21
とを接続するように、金属製プレート16には複数の接
続孔22が形成されている。接続孔22は、金属製プレ
ート16の一方表面から、この一方表面とは反対側に位
置しシャワープレート5と接する他方表面にまで、金属
製プレート16を貫通するように形成されている。
5と接続するように反応ガス導入口14が形成されてい
る。反応ガス導入口14に接続された反応ガス供給源
(図示せず)と反応ガス導入口14と反応ガス流路15
と接続孔21とガス導入孔21とから反応ガス供給手段
が構成される。反応ガス流路15の側壁面は、金属製プ
レート16の一方表面(上面)を含み、反応ガス流路1
5とシャワープレート5との間に金属製プレート16が
位置している。そして、金属製プレート16の厚さはマ
イクロ波の表皮厚さより大きくなるように設定すること
が好ましい。
セス装置をたとえばプラズマCVD(Chemical Vapor D
eposition)装置として用いた場合の動作を説明する。
示せず)を用いて真空状態に保持される。そして、成膜
原料となる反応ガスを反応ガス導入口14から反応ガス
流路15、接続孔22およびガス導入孔21を介してチ
ャンバ内部19へと供給する。接続孔22およびガス導
入孔21は基板8の全面に対向して分布するように形成
されているので、基板8の被処理面の全面に対向する位
置に均一に反応ガスを供給することができる。この反応
ガスの圧力および流量を調整することにより、チャンバ
内部19を所定の圧力に保持する。この状態で、導波管
13a、13bから供給されたマイクロ波は導波管端部
3a、3b、導波管開口部11a、11b、マイクロ波
導入窓4a、4bおよびシャワープレート5を介してチ
ャンバ内部19へと伝搬し放射される。チャンバ内部1
9に導入された反応ガスがこのマイクロ波によって励起
されプラズマが発生する。このプラズマによって基板ホ
ルダ7上に設置された基板8の表面に所定の材質の薄膜
を堆積することができる。マイクロ波導入窓4a、4b
およびシャワープレート5はそれぞれ誘電体によって構
成されているので、マイクロ波はこのマイクロ波導入窓
4a、4bおよびシャワープレート5を介してチャンバ
内部19へと伝搬する。
とシャワープレート5との間には金属製プレート16が
配置されている。この金属製プレート16は導電体であ
りマイクロ波を透過させない。そのため、シャワープレ
ート5へと伝搬したマイクロ波はこの金属製プレート1
6が存在するため反応ガス流路15へ放射されることは
ない。その結果、反応ガス流路15の内部においてマイ
クロ波に起因する異常プラズマが発生することを防止で
きる。これにより、異常プラズマによって反応ガス流路
15の内壁が損傷を受けることを防止できる。また、こ
の異常プラズマによって反応ガス流路15の内部に堆積
物が発生するといった問題の発生も防止できる。その結
果、反応ガス流路15から接続孔22およびガス導入孔
21を介してチャンバ内部19へと供給される反応ガス
の流量が所定の流量からずれるといったことを防止でき
るので、均一なプラズマを安定して発生させることがで
きる。この結果、均一なプラズマ処理を実現できる。
面)上に比較的熱伝導率の高い金属製プレート16を配
置しているので、シャワープレート5の面内温度の均一
化を図ることができる。このため、シャワープレート5
において局所的にプラズマに起因する温度上昇が発生し
た場合、迅速にそのような温度上昇のあった領域から他
の領域へと熱を伝えることができる。この結果、シャワ
ープレート5における局所的な温度上昇に起因する歪み
や損傷の発生を防止できる。
路15へのマイクロ波の侵入を確実に防止できるので、
チャンバ内部19に供給される反応ガスの圧力などを均
一化するためのバッファ室として反応ガス流路15を利
用するために反応ガス流路15の体積を大きくしても、
反応ガス流路15内部において異常プラズマが発生する
ことを防止できる。この結果、異常プラズマを発生させ
ること無く、反応ガス流路15の体積を充分に大きくし
てバッファ室として用いることができるので、より均一
な条件でチャンバ内部19に反応ガスを供給することが
できる。
め、所定の形状のマイクロ波透過防止部材としての金属
性プレート16を比較的容易に得ることができる。その
ため、本発明によるプラズマプロセス装置の製造コスト
が増大することを防止できる。
に溝を形成することにより、容易にシャワープレート5
の他方壁面とチャンバ蓋1の内壁面の一部との間に空間
を形成することができる。そして、この反応ガス流路1
5に含まれる空間のシャワープレート5側における壁面
には金属製プレート16が位置することになるので、シ
ャワープレート5から反応ガス流路15にマイクロ波が
伝搬することをこの金属製プレート16によって確実に
防止できる。
16の接続孔22の直径を変更することにより、チャン
バ内部19に供給される反応ガスの流量などを容易に変
更できる。
成されているが、このようなマイクロ波を透過する誘電
体を用いてシャワープレート5を形成することにより、
確実にチャンバ内部19へとマイクロ波を伝搬させるこ
とができる。また、図1および5を参照して、反応ガス
流路15に接続するように形成されている反応ガス導入
口14は、反応ガス流路15の中央部からずれた位置に
形成されている。しかし、この反応ガス流路15がバッ
ファ室としての機能を果たすことから、ガス導入孔21
からチャンバ内部19へと導入される反応ガスについ
て、十分な精度で反応ガスの流量などを制御することが
可能である。
置の実施の形態1の変形例を示す断面模式図である。図
6を参照して、プラズマプロセス装置を説明する。
基本的には図1〜5に示したプラズマプロセス装置と同
様の構造を備える。ただし、図6に示したプラズマプロ
セス装置においては、マイクロ波導入窓4a、4bとチ
ャンバ蓋1との接合部における封止を行なうOリング2
6、27の設置位置が図1〜5に示したプラズマプロセ
ス装置とは異なる。すなわち、図6に示したプラズマプ
ロセス装置においては、マイクロ波導入窓4a、4b上
に位置する導波管端部3a、3bの下部表面にOリング
溝24、25を形成している。そして、このOリング溝
24、25内にそれぞれOリング26、27を設置して
いる。ここで、導波管13a、13bから供給されたマ
イクロ波は、導波管端部3a、3bの開口部11a、1
1bからそれぞれマイクロ波導入窓4a、4bを介して
シャワープレート5へと伝搬する。そして、図6に示し
たプラズマプロセス装置では、図1〜5に示した本発明
の実施の形態1によるプラズマプロセス装置による効果
と同様の効果を得ることができると同時に、図6に示し
たような位置にOリング26、27を設置するので、こ
のマイクロ波導入窓4a、4bからシャワープレート5
へと伝搬するマイクロ波の伝搬経路から、より離れた位
置にOリング26、27を設置することが可能となる。
このため、マイクロ波によってOリング26、27が損
傷を受ける危険性を低減することができる。これによ
り、結果的にOリング26、27の長寿命化を図ること
ができる。この結果、プラズマプロセス装置の長期間安
定した操業を実現することができる。なお、図6に示し
たような構成のOリング26、27は、後述する本発明
の実施の形態2〜4に適用しても、同様の効果を得るこ
とができる。また、金属製プレート16が、供給される
反応ガスと何らかの反応を起こすと考えられる場合は、
金属製プレート表面に対し陽極酸化処理などの表面処理
を施しておくことが必要である。
て、本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態2
では、アルミナや窒化アルミニウムなどの誘電体からな
るシャワープレート5のガス導入孔21の直径をたとえ
ば1.0mmとして形成する。そして、チャンバ内部1
9へ供給される反応ガスの流量などを変更するため、金
属製プレート16の接続孔22の直径を変更する。具体
的には、異なる直径を有する複数の金属製プレート16
を準備する。このような金属製プレート16の加工はシ
ャワープレート5の加工より容易であるので、本発明に
よるプラズマプロセス装置を容易に得ることができる。
22の直径はガス導入孔21の直径より小さくなるよう
に設定されている。この場合、接続孔22の直径を反応
ガスの流量を変化させる支配因子とすることができる。
そして、接続孔22が形成された金属製プレート16の
加工は比較的容易であり、高精度の加工が可能である
他。このため、接続孔22の直径を変更することによ
り、チャンバ内部19へ接続孔22およびガス導入孔2
1を介して供給される反応ガスの流量を確実かつ容易に
変更できる。なお、金属製プレート16が、供給される
反応ガスと何らかの反応を起こすと考えられる場合は、
金属製プレート表面に対し陽極酸化処理などの表面処理
を施しておくことが必要である。
ロセス装置の実施の形態3は、図1〜6に示した本発明
の実施の形態1によるプラズマプロセス装置と同様の構
造を有し、さらに金属製プレート16とチャンバ蓋1と
を同じ材料で形成する。このようにすれば、金属製プレ
ート16とチャンバ蓋1との熱膨張の割合をほぼ等しく
できる。このため、金属製プレート16とチャンバ蓋1
との温度がプラズマ処理に伴って上昇する場合、金属製
プレート16とチャンバ蓋1との熱膨張の違いに起因し
て金属製プレート16に歪や損傷が発生することを防止
できる。ただし、チャンバ蓋1と同じ材料で作成した金
属製プレート16が、供給される反応ガスと何らかの反
応を起こすと考えられる場合は、金属製プレート表面に
対し陽極酸化処理などの表面処理を施しておくことが必
要である。
ロセス装置の実施の形態4は、図1〜6に示した本発明
の実施の形態1によるプラズマプロセス装置と基本的に
は同様の構造を有しているが、図7および8に示すよう
に、反応ガス流路15および金属製プレート16の形状
が実施の形態1とは異なる。図7は、本発明によるプラ
ズマプロセス装置の実施の形態4におけるチャンバ蓋の
内壁面を示す模式図であり、図4に対応する。また、図
8は、図7からさらに金属製プレートを除去したチャン
バ蓋の内壁面を示す模式図であり、図5に対応する。図
7および8を参照して、プラズマプロセス装置を説明す
る。
ス装置では、図5における反応ガス流路15の3つを連
結した構成としている。つまり、チャンバ蓋1の内壁面
には、それぞれ開口部20a、20bを挟んで合計4つ
の反応ガス流路15(図8参照)となる溝が形成されて
いる。そして、これらの溝を覆うように、図7に示すよ
うに4枚の金属製プレート16が配置されている。
ラズマプロセス装置と同様の効果を得ることができると
同時に、実施の形態1によるプラズマプロセス装置より
金属製プレート16の部品点数を削減できるので、プラ
ズマプロセス装置のメンテナンスをより容易に行うこと
ができる。
プラズマプロセス装置は、CVD装置に限らずたとえば
エッチング装置やアッシング装置などの適用した場合に
も、上述の効果を得ることができる。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。
放射部材の他方壁面上にマイクロ波透過防止部材を配置
することにより、マイクロ波放射部材の他方壁面上に位
置する反応ガス供給路へのマイクロ波の伝搬を確実に防
止することができる。この結果、反応ガス供給路におけ
る異常プラズマの発生を確実に防止できる。また、反応
ガス供給路へマイクロ波が伝搬しないため、異常プラズ
マを発生させることなく反応ガス供給路の体積を大きく
してバッファ室として利用できる。また、マイクロ波透
過防止部材として比較的熱伝導率の高い金属板を用いれ
ば、シャワープレートにおける局所的な温度上昇に起因
するシャワープレートの歪みや損傷を確実に防止でき
る。この結果、安定してプラズマを用いた処理を実施す
ることが可能なプラズマプロセス装置を得ることができ
る。
形態1を示す断面模式図である。
00−100における断面模式図である。
面の模式図である。
ートとシャワープレート保持部材とを除去したチャンバ
蓋の内壁面を示す模式図である。
ャンバ蓋の内壁面を示す模式図である。
形態1の変形例を示す断面模式図である。
形態4におけるチャンバ蓋の内壁面を示す模式図であ
る。
ャンバ蓋の内壁面を示す模式図である。
示す断面模式図である。
管端部、4a,4bマイクロ波導入窓、5 シャワープ
レート、6 シャワープレート保持部材、7基板ホル
ダ、8 基板、9,10,26,27 Oリング、11
a,11b導波管開口部、12a,12b 保温流路、
13a,13b 導波管、14 反応ガス導入口、15
反応ガス流路、16 金属製プレート、17,18,
24,25 Oリング溝、19 チャンバ内部、20
a,20b 開口部、21 ガス導入孔、22 接続
孔、23 矢印。
Claims (7)
- 【請求項1】 内壁面を有し、内部でプラズマを用い
た処理を行なう処理室と、 前記処理室の内部に面する一方壁面と、その一方壁面と
反対側に位置し前記処理室の内壁面に対向する他方壁面
とを有し、その他方壁面と前記処理室の内壁面の一部と
の間に空間を形成するように配置され、前記処理室の内
部にマイクロ波を伝搬して放射するマイクロ波放射部材
と、 前記マイクロ波によってプラズマ状態にされる反応ガス
を前記処理室の内部に供給する反応ガス供給手段とを備
え、 前記反応ガス供給手段は、前記マイクロ波放射部材の他
方壁面と前記処理室の内壁面の一部との間に形成された
空間を有する反応ガス供給路を含み、さらに、前記マイ
クロ波放射部材の他方壁面のうち前記反応ガス供給路に
面する領域上に配置されたマイクロ波透過防止部材を備
える、プラズマプロセス装置。 - 【請求項2】 前記マイクロ波透過防止部材の表面は導
電性を有する、請求項1に記載のプラズマプロセス装
置。 - 【請求項3】 前記マイクロ波透過防止部材は導電体板
である、請求項2に記載のプラズマプロセス装置。 - 【請求項4】 前記マイクロ波放射部材の他方壁面と前
記処理室の内壁面の一部との間に形成された空間は、前
記処理室の内壁面に形成された溝と、前記マイクロ波透
過防止部材とによって囲まれた空間である、請求項1〜
3のいずれか1項に記載のプラズマプロセス装置。 - 【請求項5】 前記マイクロ波透過防止部材は、前記反
応ガス供給路に面する前記マイクロ波透過防止部材の一
方表面から、前記一方表面とは反対側に位置し、前記マ
イクロ波放射部材と面する前記マイクロ波透過防止部材
の他方表面まで前記マイクロ波透過防止部材を貫通する
ように形成され、かつ、前記反応ガス供給路に接続され
た接続孔を有し、 前記マイクロ波放射部材は、前記マイクロ波放射部材の
他方壁面から一方壁面にまで、前記マイクロ波放射部材
を貫通するように形成され、かつ、前記接続孔と接続さ
れた反応ガス供給孔を有する、請求項1〜4のいずれか
1項に記載のプラズマプロセス装置。 - 【請求項6】 前記接続孔の直径は、前記反応ガス供給
孔の直径より小さい、請求項5に記載のプラズマプロセ
ス装置。 - 【請求項7】 前記マイクロ波透過防止部材は前記処理
室を構成する材料と同じ材料で形成されている、請求項
1〜6のいずれか1項に記載のプラズマプロセス装置。
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CN (1) | CN1165969C (ja) |
TW (1) | TW563183B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528708B2 (en) | 2004-10-13 | 2009-05-05 | Nec Electronics Corporation | Variation detection device, data communication apparatus, and method of detecting variation |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
JP5079949B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
US7480571B2 (en) * | 2002-03-08 | 2009-01-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for improving the stability of RF power delivery to a plasma load |
US6845734B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | Deposition apparatuses configured for utilizing phased microwave radiation |
TWI241284B (en) * | 2002-06-06 | 2005-10-11 | Ngk Insulators Ltd | A method of producing sintered bodies, a method of producing shaped bodies, shaped bodies, corrosion resistant members and a method of producing ceramic member |
JP2005026593A (ja) * | 2003-05-08 | 2005-01-27 | Ngk Insulators Ltd | セラミック製品、耐蝕性部材およびセラミック製品の製造方法 |
JP4532897B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-08-25 | 財団法人国際科学振興財団 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法 |
JP4698251B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2011-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
US8083853B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US8328939B2 (en) * | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
US8074599B2 (en) * | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
US7429410B2 (en) * | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
CN101053083B (zh) * | 2005-02-01 | 2011-01-12 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 |
US20070044714A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing |
US7641762B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-01-05 | Applied Materials, Inc. | Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber |
US7776178B2 (en) * | 2006-10-25 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Suspension for showerhead in process chamber |
JP4719184B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2011-07-06 | 株式会社サイアン | 大気圧プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
US20080317973A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
EP3800967A4 (en) * | 2018-07-02 | 2021-06-16 | Mitsubishi Electric Corporation | MICROWAVE HEATING DEVICE |
JP7221115B2 (ja) * | 2019-04-03 | 2023-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2023212325A1 (en) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | Cornell University | Microwave annealer for semiconductor wafers |
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JP4014300B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2007-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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