CN1237402C - 用于涂敷和显影的***和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种对基片进行涂敷和显影处理的***，该***包含处理部分，该处理部分有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于对基片显影的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片送入/送出这些涂敷单元、显影单元和热处理单元的第一运送单元。本发明的该***还包含接口部分，该接口部分具有用于至少通过在处理部分和曝光处理单元之间的路径运送基片的第二运送单元，其中曝光处理单元位于该***外部用于对基片进行曝光处理。本发明的该***还包含减压去除单元，用于在基片曝光处理之前通过在腔室内的抽吸去除附着在基片涂层上的杂质。根据本发明，在曝光处理之前，可以去除附着在基片涂层薄膜上的分子级的杂质比如氧气、臭氧和有机物质和比如颗粒的杂质，因此适于进行曝光处理，从而提高成品率。

Description

用于涂敷和显影的***和方法
本发明涉及用于基片的一种涂敷和显影处理***和一种涂敷和显影处理方法。
在制作半导体器件过程的光刻(photolithography)工艺中，例如，执行在晶片表面上形成一层保护膜(resist film)的保护层涂敷处理、在以某种图案曝光后对晶片进行显影的显影处理、在涂敷处理之前和在曝光处理之前和之后以及在显影处理之后进行的热处理和冷处理等。这些加工处理过程在单独提供的处理单元内进行，且这些处理单元构成涂敷和显影处理***，从而可以连续进行上述的逐步加工处理。图案的曝光处理通常在邻近该涂敷和显影处理***的曝光处理单元(光刻器(aligner))内进行。
通常，涂敷和显影处理***包括用于将基片运入和运出该涂敷和显影处理***的加载/卸载部分，具有涂敷处理单元、显影处理单元和热处理单元等且进行大多数的上述对晶片的处理的处理部分，和用于在处理部分和上述***外侧的曝光处理单元之间传送晶片的接口部分。
当在涂敷和显影处理***中对晶片进行处理时，由空气清洁器等清洁的空气作为下冲气流供应入该涂敷和显影处理***中，以便防止杂质比如颗粒附着在晶片上，同时排出涂敷和显影处理***内的大气，从而可以在清洁状态下对晶片进行处理。
然而，近年来，研制了利用更短波长(例如157nm)的光进行曝光的技术，以形成更精细、更精确的电路图案。当利用更短波长的光时，担心迄今可以忽略的分子级的杂质比如氧气、臭氧、水蒸气等对曝光处理有不利影响，从而不能形成精确的电路图案。
因此，至少当晶片经受曝光处理时，需要没有杂质比如氧气附着在晶片上。如果如现有技术那样仅供应清洁的空气，那么将不能有效地抑制杂质附着在晶片上，因为杂质比如氧气含在空气中，况且不能去除附着在晶片上的杂质。
本发明是鉴于上述情况而作出的，且其目的是在一种涂敷和显影处理***中且以一种涂敷和显影处理方法去除附着在基片比如晶片上的分子级的杂质比如氧气。
为实现这一目的，根据本发明的第一方面，本发明是一种用于对基片进行涂敷和显影处理的涂敷和显影处理***，包含：处理部分，该处理部分有在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于对基片显影的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片送入/送出这些涂敷处理单元、显影处理单元和热处理单元的第一运送单元；接口部分，该接口部分有至少通过在该处理部分和该***外侧的对基片进行曝光处理的曝光处理单元之间的路径传送基片的第二运送单元；减压去除单元，用于在基片曝光处理之前通过腔室内的抽吸而去除附着在基片的涂层薄膜上的杂质。
顺便提及的是，第二运送单元仅需具有将基片送入/送出处理部分的功能，而不需具有将基片送入/送出位于该***外侧的曝光处理单元的功能。除了如灰尘的颗粒外，分子级的杂质比如氧气、臭氧、水蒸气和有机物质也包括在上述杂质中。
根据本发明的另一方面，本发明是一种用于对基片进行涂敷和显影处理的涂敷和显影处理***，包含：处理部分，该处理部分有在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于对基片显影的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片送入/送出这些涂敷处理单元、显影处理单元和热处理单元的第一运送单元；接口部分，该接口部分有至少通过在该处理部分和该***外侧的对基片进行曝光处理的曝光处理单元之间的路径传送基片的第二运送单元；发送部分，该发送部分连接在接口部分和曝光处理单元之间且可紧密密封；减压单元，用于将发送部分内的压力减小到预定的设定压力。
根据本发明的另一方面，本发明的涂敷和显影处理方法是一种对基片进行涂敷和显影处理的方法，包含如下步骤：给基片供应涂层溶液而在基片上形成涂层薄膜；通过将预定的光束照射在形成涂层薄膜的基片上而对基片进行曝光；在曝光处理之后对基片进行显影；在形成涂层薄膜的步骤和曝光处理步骤之间从基片上去除附着在基片上的杂质。
根据本发明，附着在基片的涂层薄膜上的杂质通过减压去除单元来去除，从而适于进行基片的曝光处理，而不受杂质的影响。因此，即使用例如157nm或更短波长的光束进行曝光，在曝光之后也不会有任何缺陷发生。虽然为防止杂质附着在基片上而在基片附近总保持清洁的气氛，但很难形成分子级的氧气和水蒸气被完全去除的气氛，因此限制了防止杂质附着。因此，如本发明中，提供能将已经附着在基片上的杂质去除的单元是更实用有效的。减压去除单元的位置可以在该涂敷和显影处理***内，或者在该涂敷和显影处理***外侧。此外，因为处理溶液中的溶剂也可同时在减压去除单元中蒸发，所以也可以同时进行这样的蒸发处理，到目前为止蒸发处理通过加热来进行。
根据本发明，提供了发送部分和用于减小发送部分内的压力的减压单元，发送部分在接口部分和曝光处理单元之间连接且可紧密密封，藉此基片在曝光处理之前通过该发送部分，此时发送部分内的压力可以减小。如果发送部分内的压力减小，那么附着在基片上的分子级的杂质比如氧气可以从基片上脱离而去除。结果，此后可适于进行曝光处理，且没有杂质的负面影响。因此，即使用例如157nm或更短波长的光束进行曝光，基片在曝光之后也不可能有任何缺陷发生。此外，因为处理溶液中的溶剂也可同时在减压去除单元中蒸发，所以也可以同时进行这样的蒸发处理，到目前为止蒸发处理通过加热来进行。
图1是说明根据本发明的涂敷和显影处理***的平面示意图；
图2是图1中的涂敷和显影处理***的正视图；
图3是图1中的涂敷和显影处理***的后视图；
图4是图1中的涂敷和显影处理***内加热冷却处理单元的水平剖面示意图；
图5是示出了在发送部分内的减压去除单元的结构的垂直剖面示意图；
图6是从曝光处理单元看到的垂直剖面示意图，示出了图1的涂敷和显影处理***的发送部分内惰性气体的流动状态；
图7是根据第二实施例的涂敷和显影处理***的平面示意图；
图8是示出了图7的涂敷和显影处理***的接口部分内惰性气体的流动状态的垂直剖面示意图；
图9是当在减压去除单元内对保护层溶液(resist solution)中的溶剂进行蒸发处理时，涂敷和显影处理***内的加热冷却处理单元的布置示例的示意图；
图10是根据第三实施例的涂敷和显影处理***的平面示意图；
图11是图10中的涂敷和显影处理***的正视图；
图12是图10中的涂敷和显影处理***的后视图；
图13是图10中的涂敷和显影处理***内加热冷却处理单元的水平剖面示意图；
图14是示意性示出了图10中的涂敷和显影处理***的平面示意图；
图15是沿图14所示的涂敷和显影处理***的发送部分的线A-A的剖面图；
图16是示出了发送部分内安放部分的结构的垂直剖面图；
图17是示出了当在减压去除单元内进行保护层溶液的溶剂蒸发处理时，该涂敷和显影处理***内的加热冷却处理单元的布置示例的示意图。
图18是根据第四实施例的涂敷和显影处理***的平面示意图；
图19是从曝光处理单元看到的垂直剖面示意图，示出了图18的涂敷和显影处理***的发送部分内部
下面将描述本发明的优选实施例。图1是根据本发明的第一实施例的涂敷和显影处理***1的平面图，图2是涂敷和显影处理***1的正视图，而图3是该涂敷和显影处理***1的后视图。
如图1所示，涂敷和显影处理***1有暗盒站2、处理站3、接口部分4和发送部分5整体地连接在一起的结构，其中暗盒站2用于从外部到涂敷和显影处理***1或从涂敷和显影处理***1到外部传送例如每盒25个为单位的晶片W，且用于将晶片W送入/送出暗盒C，处理站3作为处理部分，在该部分设有各种多层排列的加工处理单元，用于在涂敷和显影过程中逐次地对晶片进行预定的加工处理，接口部分4邻近处理站3，且在涂敷和显影处理***1外侧的曝光处理单元6和处理站3之间传送晶片W时作为路径的一部分，发送部分5位于接口部分4和曝光处理单元6之间，用于在接口部分4和曝光处理单元6之间传送晶片W。
在暗盒站2中，一组暗盒C以预定的位置安放在沿X方向(在图1中的垂直方向)直线排列的暗盒安放台7上。可沿与暗盒对齐的方向(X方向)和与暗盒C中的晶片W对齐的方向(Z方向；即，垂直方向)移动的晶片运送器8可沿运送器路径9自由地移动，并且可有选择地接近各暗盒C。
晶片运送器8有与晶片W对齐的对齐功能。该晶片运送器8的结构使其还可以接近包含在处理站3一侧的第三处理单元组G3中的扩展单元32和粘着单元31，这将在后面进行描述。
在处理站3中，在其中部有作为第一传送单元的主传送单元13，且各种处理单元多层地布置在主传送单元13的周围，以组成处理单元组。在涂敷和显影处理***1中，设有四个处理单元组G1、G2、G3和G4。第一和第二处理单元组G1和G2位于涂敷和显影处理***1的前侧。第三处理单元组G3邻近暗盒站2。第四处理单元组G4邻近接口部分4。此外，用虚线表示的第五处理单元组G5可以作为选项附加布置在后侧。主运送单元13可将晶片W送入/送出位于这些处理单元组G1、G2、G3和G4各处理单元中，后面将作描述。
在第一处理单元组G1中，例如如图2所示，用于给晶片W施加保护层溶液的保护层涂敷单元17和在曝光处理之后对晶片W进行显影处理的显影单元18按从底部的顺序分两层排列。相类似，在第二处理单元组G2中，保护层涂敷单元19和显影单元20类似地按从底部的顺序分两层排列。
在第三处理单元组G3中，例如如图3所示，用于使晶片W经受冷却处理的冷却单元30、用于增加保护层溶液和晶片W之间的粘着力的粘着单元31、用于使晶片W临时等待的扩展单元32、用于在显影处理之后冷却晶片W的冷却单元33和34、用于在显影处理之后进行热处理的后焙烘单元35和36等等例如按从底部的顺序分7层排列。
在第四处理单元组G4中，例如，冷却单元40、用于在曝光处理之前和之后安放晶片W且使晶片W临时等待的扩展单元41和42、用于在曝光处理之后加热晶片W并随后将其冷却到预定温度的加热冷却处理单元43、44和45(图3中为PEB/COL)、用于加热晶片W，以使保护层溶液中的溶剂蒸发且随后将晶片W冷却到预定温度的加热冷却处理单元46和47(图3中为PRE/COL)等等例如按从底部的顺序分8层排列。
如图4所示，加热冷却处理单元43在壳体43a内部的基座50上有一用于加热晶片W的盘状加热板51，和一移动到加热板51上方从加热板51上接收晶片W并使之冷却的冷却板52。因此，加热冷却处理单元43对晶片W的加热冷却处理是在同一单元中连续进行的，所以由于加热而给晶片W造成的热历史可以总保持恒定。其他的加热冷却处理单元44至47也有同样的结构。
如图1所示，在接口部分4的中部有作为第二运送单元的基片运送器55。该晶片运送器55的结构使其可以在X方向(在图1中的垂直方向)以及Z方向(垂直方向)上移动，且可沿方向θ转动(绕轴线Z的转动方向)，从而可接近第四处理单元组G4中包含的扩展单元41和42、周边曝光单元56和发送部分5而将晶片W传送到这些位置。
发送部分5被通道形状、矩形横截面的壳体5a所包围，从而使其他区域的气氛不易流入发送部分5中。发送部分5有用于当将晶片W从接口部分4传送到曝光处理单元6时使晶片W穿过的第一路径60，和用于当将晶片W从曝光处理单元6传送到接口部分4时使晶片W通过的第二路径61。在第一路径60和第二路径之间有一隔板64，藉此第一路径60和第二路径61的气氛不互相影响。
在第一路径60内，有用于通过减压室内的抽吸而去除附着在晶片W的保护膜上的杂质比如氧气的减压去除单元65，和作为第三运送单元、能将晶片W传送到减压去除单元65和曝光处理单元6的晶片运送机构66。
现在将详细解释减压去除单元65的结构。如图5所示，减压去除单元65在其壳体65a内有一基本上圆柱形的、底部开口且可上下移动的盖子70，和位于盖子70下面的安放台71，安放台71与盖子70一起整体形成减压室S。
在盖子70的上表面中心部分，有一排气管75，用于排出减压室S内的气氛，且与吸气单元76连通。通过吸气单元76的运行，减压室S内的气氛被从排气管75吸出，在减压室S内形成气流，减压室S内的压力减小。在盖子70内上部设有射流板77，因此当减压室S内的压力减小时，抑制了在减压室S内形成的气流紊乱，从而可以将减压室S内的气氛均匀地排出。
安放台71为厚盘形，晶片W可安放在上面。安放台71上有温度控制器(未示出)，例如Peltier元件等。通过控制安放台71处于预定的温度，安放在安放台71上的晶片W的温度可以在晶片W的表面上保持均匀。在安放台71上与盖子70的下端相对的位置，设有一组吸气口78。当在形成减压室S过程中盖子70的下端与安放台71互相接触时，由于来自吸气口78的吸力而使盖子70和安放台71之间保持紧密连接。在安放台71的中心部分附近，设有垂直穿过安放台71的通孔80，和将在下面描述的可以在通孔80内上升和下降的提升和降低销81。
在安放台71下，设有基本上圆柱形的容器82，该容器形成与安放台71的底面成一整体的释放室K。释放室K经通孔80与减压室S相通。在容器82的底面上有用于释放该释放室K内的气氛的通风管83，藉此减压室S内的气氛可以通过通孔80和释放室K释放出。用于提升和降低晶片W的提升和降低销81位于容器82，且可以通过提升和降低驱动机构84在通孔80内自由地上升和下降。
在壳体65a的接口部分4侧和曝光处理单元6侧分别有运送晶片W出入的运送口86和87，且在各运送口86和87内分别有挡板88和89。
在第二路径61，有安放台95和晶片运送机构69，该安放台95用于在晶片传送到接口部分4时临时停放曝光处理过的晶片W，且该晶片运送机构69作为第四运送单元，用于将曝光处理单元6内的晶片W传送到安放台95。
安放台95为盘形，且在其中心周围，有用于提升和降低其上的晶片W的提升和降低机构98。通过该提升和降低机构98，晶片W可在安放台95、晶片运送机构69和晶片运送器55之间运送。
在发送部分5和接口部分4之间，有用于将发送部分5内的气氛与接口部分4内的气氛隔离的隔板100。在隔板100上与减压去除单元65相对的位置，有通道口102，从而使晶片W可通过晶片运送器55从接口部分4传送到减压去除单元65。此外，在通道口102处，设有用于使通道口102自由打开和关闭的挡板103。挡板103仅在晶片W经过通道口102时打开，而在除此之外的时候关闭。
在隔板100上与安放台95相对的位置，设有通道口105，从而可将基片W通过晶片运送器55从安放台95传送到接口部分4。此外，在通道口105处，设有用于使通道口105自由打开和关闭的挡板106。挡板106仅在晶片W经过通道口105时打开。
如图6所示，在在发送部分5的如上构成的各路径，即第一路径60和第二路径61之上，分别设有供应惰性气体的供气单元110和111，且可以从供气单元110给第一路径60供应预定的惰性气体，和从供气单元111给第二路径61供应预定的惰性气体。
在这些供气单元110和111中分别设有过滤单元110a和111a。这些过滤单元110a和111a都具有控制惰性气体的功能，惰性气体从未示出的处于预定温度和湿度下的气源等以预定的浓度供应，且还有用于去除惰性气体中的颗粒的ULPA过滤器和用于中和惰性气体中所含的碱性成分的化学过滤器。因此，根据每一路径而被控制温度和湿度的清洁惰性气体可以供给第一路径60和第二路径61。
在第一路径60和第二路径61的底部分别设有作为排气部件的排气管111和112，从而排出每一路径内的气氛。这样，从供气单元110和111供入相应路径的惰性气体通过相应的路径从排气管112和113排出，结果，在相应路径内的杂质比如氧气、臭氧和水蒸气被清除，而在每一路径内可以保持清洁的气氛。此外，各路径内的压力可以通过控制与各路径对应的供气单元110和111的惰性气体供应量而控制在预定的压力下。
而且，在排气管112和113内设有用于测量杂质浓度的浓度传感器112a和113a。来自这些浓度传感器112a和113a的信号被送往控制单元(未示出)，且进行如下控制，当浓度高于规定浓度时增加惰性气体的供应量，而当浓度低时减小其供应量。
对晶片W进行曝光处理的曝光处理单元6位于如图1所示的发送部分5附近。曝光处理单元6由壳体6a紧密地封闭，从而可以严格控制曝光处理单元6内的气氛。在壳体6a的发送部分5侧，有用于将晶片W从第一路径60送入的通道口115和将晶片W传送到第二路径61的通道口116，且对于各通道口115和116来说，在通道口115和116处分别设有能打开和关闭通道口115和116的挡板117和118。
下面将解释在如上构成的涂敷和显影处理***1中进行的光刻工艺。
在对晶片W开始进行处理之前，控制在预定温度和湿度，例如23℃和45％下的、去除了杂质的惰性气体通过供气单元110和111供应到发送部分5的各路径中，也就是，第一路径60和第二路径61。既不含有颗粒也不含有杂质比如氧气的清洁气氛代替每一路径内的气氛，且保持在这种状态。发送部分5内的压力P1和曝光处理单元6内的压力P2此时设为P2＞P1的关系，这防止了发送部分5内的气氛流入曝光处理单元6。
压力P1和P2高于该涂敷和显影处理***1所处的清洁室内的压力P0，从而防止清洁室内含有杂质、颗粒等的气氛直接流入涂敷和显影处理***1中。供给各路径的惰性气体的温度、湿度或浓度可以与上述的相同，或者如有必要可以不同。
当开始对晶片W进行处理时，通过晶片运送器8首先从暗盒站2的暗盒C中取出一个未处理的晶片W，将其送入处理站3的粘着单元31。
接着，在粘着单元31内用提高对保护层溶液的粘合力的增粘剂比如HMDS涂敷的晶片W被主运送单元13传送到冷却单元30，并冷却到预定温度。此后，晶片W传送到保护层涂敷处理单元17或19经受保护层涂敷处理。然后，上面形成保护膜的晶片W被传送到加热冷却处理单元46或47(图3中为PRE/COL)经受加热冷却处理。此时，取代在分开提供的各单元内顺序进行加热冷却处理，加热冷却处理在一个单元内比如热处理和冷处理单元46或47内进行，从而使从对晶片W的热处理到冷处理的时间长度可以一直保持恒定，且因此在晶片W之间由于加热而给晶片带来的热平衡相同。此外，在该实施例中，在保护层涂敷处理和显影处理之间的全部加热冷却处理都是在加热冷却处理单元43至47内进行，所以从保护层涂敷处理到显影处理所需的时间在晶片W之间可以保持相同。
此后，晶片W被传送到扩展单元41，然后由晶片运送器55从扩展单元41传送到接口部分4内的周边曝光单元56。然后，其周边部分已经在曝光处理单元56中曝光的晶片W被晶片运送器55再次固定，通过通道口102输送到发送部分5的第一路径60内的减压去除单元65此时，挡板103打开。在晶片W送入减压去除单元65后，挡板103再次关闭。
现在将详细解释在减压单元65内进行的去除杂质工艺的过程。首先，如图5所示壳体65a的在接口部分4侧的挡板88打开，晶片W由前述的晶片运送器55送入壳体65a内。然后晶片W被送往提升和降低销81，随着提升和降低销81的下降，晶片W安放在保持设定温度比如23℃的安放台71上。在这种情况下，由于压力减小而产生导热变化，因此希望在安放台71上设有温度控制机构，从而确实地控制温度。在这种情况下希望温度控制机构将温度控制在15℃至30℃范围内。
当盖子70下降，盖子70的下端接触安放台71时，形成减压室S，此时，开始从吸气口78抽吸，吸力导致盖子70与安放台71紧密地接触。
此后，当吸气单元76开始运行，减压室S内的气氛开始从排气管75排出时，减压室S内形成气流，附着在晶片W上的杂质与气流一起排出。顺便提及的是，希望此时吸气单元76的设定压力不大于200Pa至300Pa，从而去除附着在晶片W上的杂质。减压室S内的压力减小到预定压力，且在预定的时间之后，例如最长几分钟，吸气单元76才停止。通过上述过程就执行了所需的减压和去除处理。
在这种情况下，希望控制从吸气单元78的抽吸量，使得该数量达到紧接晶片W被送入减压室S之后的最大值，也就是，紧接盖子70和安放台71紧密接触之后。
而且，适于在盖子70的一部分上形成光学窗口并通过适当的光学测量传感器测量是否从晶片W上去除了杂质。
随后，通风管83打开，减压室S内的压力恢复到初始压力。在吸气口78的抽吸停止后，盖子70升高。
然后，晶片W被提升和降低销81提升并输送到位于曝光处理单元6侧的晶片运送机构66。当晶片经过壳体65a的通道口87从减压去除单元65运出时，去除晶片W上的杂质的过程就完成了。
此后，曝光处理单元6的壳体6a上的挡板117打开，晶片W从通道口115由晶片运送机构66送入曝光处理单元6内。
随后，晶片W在曝光处理单元6内以预定的图案曝光。经过曝光处理后的晶片W从曝光处理单元6送出而通过第二路径62内的晶片运送机构69通过通道口116进入第二路径61，此时，挡板118打开，且当晶片W经过后，挡板再次关闭。
送入第二路径61的晶片W移动到安放台95上方的位置，且由安放台95的提升和降低机构98输送。然后，晶片W临时停放在安放台95上。
晶片W通过晶片运送器55穿过挡板106已打开的通道口105和接口部分4，从安放台95被传送进入处理站3的扩展单元42。然后晶片W被主运送单元13传送到加热冷却处理单元43、44或45，依次经受曝光处理之后的热处理和冷处理。
此后，晶片W被传送到显影处理单元18或20经受显影处理。在经过显影处理之后，晶片W被传送到后焙烘单元35或36进行加热。然后晶片W被传送到冷却单元33或34中冷却到预定温度。然后晶片W传送到第三处理单元组的扩展单元32，且通过晶片运送器8从那里返回到暗盒站2的暗盒C。通过上述步骤，连续的光刻工艺就完成了。
根据上述的实施例，发送部分5位于接口部分4和曝光处理单元6之间，且减压去除单元65位于发送部分5中，藉此可以在晶片W进行曝光处理之前去除附着在晶片W的保护膜上的杂质。因此，可以适于进行晶片W的曝光处理，且不受杂质比如氧气的影响。
此外，去除了杂质和颗粒的惰性气体供入发送部分5，从而在发送部分5内保持清洁气氛，这防止了在曝光处理之前和之后杂质等附着在晶片W上。虽然在曝光处理前晶片W已经由减压去除单元65清洁，但可以防止杂质再次附着到已经清洁的晶片W上。
在接口部分4和发送部分5之间设有挡板103和106，它们抑制接口部分4内含有杂质的气氛进入发送部分5内，从而使发送部分5内保持清洁气氛。
而且，发送部分5内的压力P1设为小于曝光处理单元6内的压力P2，这可防止发送部分5内的气氛流入气氛被紧密地控制的曝光处理单元6内。
而且，因为发送部分5被分成第一路径60和第二路径61，所以将晶片W从接口部分4经减压去除单元65传送到曝光处理单元6，和再次从曝光处理单元6返回到接口部分4的过程平滑地进行。
虽然发送部分5位于在接口部分4和曝光处理单元6之间，且减压去除单元65位于上述实施例的发送部分5内，但该减压去除单元65也可位于接口部分4内。下面将作为第二个实施例说明这样的情况。
在第二实施例中，例如如图7所示，减压去除单元120位于涂敷和显影处理***1的接口部分4的前侧，且在可被晶片运送器55接近的位置。曝光处理单元6位于接口部分4附近，且在壳体6a上设有一个单独的通道口122和用于开合该通道口122的挡板123。
如图8所示，在接口部分4的顶部，有与上述的供气单元110同样结构的供气单元125，从而可以给接口部分4供应惰性气体并保持接口部分4内的清洁气氛。在接口部分4的底侧，设有将接口部分4内的气氛排出的排气管126。
在接口部分4和处理站3之间，设有用于将接口部分4内的气氛与处理站3内的气氛隔离的隔板127。在隔板127上与包含在第四处理单元组G4中的扩展单元41和42相对的位置，设有通道口128和能使通道口128自由打开和关闭的挡板129，以防止处理站3内的气氛流入接口部分4。
现在将说明如上构成的第二实施例中的光刻工艺。首先，惰性气体从供气单元125供入接口部分4，清洁的气氛代替接口部分4内的气氛且保持住。
当开始对晶片W进行处理时，晶片W从暗盒站2传送到处理站3，顺序经受粘着处理、保护层涂敷处理、加热冷却处理，然后以与第一实施例相同的方式传送到扩展单元41。
然后，晶片W由晶片运送器55传送到接口部分4内的周边曝光单元56，此后送入减压去除单元120。在减压去除单元120中，附着在晶片W上的杂质等按与第一实施例相同的方式去除。清洁的晶片W被晶片运送器55再次保持，通过通道口122送入曝光处理单元6，进行曝光处理。经过曝光处理的晶片W被晶片运送器55传送到处理站3的扩展单元42。
此后，如在第一实施例中，晶片W在处理站3中经过加热冷却处理，显影处理等，最后返回到暗盒站2，从而完成连续的光刻工艺。
通过如上所述将减压去除单元120设在接口部分4内，可以将用于从晶片W上去除杂质的单元安放到与现有涂敷处理***相同尺寸的***上，从而该***可以做得比第一实施例中的更小。
在上述实施例中，减压去除单元位于发送部分5或接口部分4内，但可以位于其他位置，例如在曝光处理单元6内，在处理站3内等。在这样的情况下，只要在曝光处理之前从晶片W上去除了杂质，那么可以适于进行曝光处理，从而可以获得同样的效果。
而且，在上述实施例中在加热冷却处理单元46或47中进行的保护层溶液中溶剂的蒸发处理可以在减压去除单元65内进行。在这种情况下，例如如图9所示，代替加热冷却处理单元46和47(PRE/COL)，在处理站3的第四处理单元组G4中设有在曝光处理之后进行加热冷却处理的加热冷却处理单元130(PEB/COL)和在显影处理之后进行热处理的热处理单元131，和在第三处理单元组G3中提供在曝光处理之后的热处理之后进行晶片W的冷处理的冷处理单元132。
当晶片W被送入减压去除单元65且安放在安放台71上时，减压室S的压力减小到预定压力，例如133Pa，在这一压力下保护层溶液中的溶剂都蒸发，此时进行上述的去除杂质的处理。因此，溶剂蒸发过程和杂质去除过程可以同时在减压去除单元65内进行。所以，迄今在加热冷却处理单元46和47中进行的处理可以在减压去除单元65中进行。结果，可以添加其他热处理单元而代替用于如上所述的溶剂蒸发过程的单元，从而可以提高处理站3的处理能力。即使省掉加热冷却处理单元46和47而没有添加其他热处理单元，那么热处理单元的数目减少，这可以使整个处理站3的尺寸缩小。
现在说明另一个实施例。图10是根据该实施例的涂敷和显影处理***201的平面图，图11是涂敷和显影处理***201的正视图，而图12是该涂敷和显影处理***201的后视图。
如图10所示，涂敷和显影处理***201有暗盒站202、处理站203、接口部分204和发送部分205整体地连接一起这样的结构，其中暗盒站202用于从外部到涂敷和显影处理***201或从涂敷和显影处理***201到外部传送例如每盒25个为单位的晶片W，且用于将晶片W送入/送出暗盒C，处理站203作为处理部分，在该部分设有各种多层排列的加工和处理单元，用于在涂敷和显影工艺中逐次地对晶片W进行预定的加工处理，接口部分204邻近处理站203，且作为在涂敷和显影处理***201外侧的曝光处理单元206和处理站3之间传送晶片W的路径的一部分，发送部分205位于接口部分204和曝光处理单元206之间，用于将晶片W在接口部分204和曝光处理单元206之间传送。
在暗盒站202中，一组暗盒C沿X方向(图10中的垂直方向)直线排列而自由地安放在暗盒安放台207上的预定位置。晶片运送器208可沿与暗盒对齐的方向(X方向)和与暗盒C中的晶片W对齐的方向(Z方向；即，垂直方向)移动，且可沿运送器路径209自由移动并可有选择地接近各暗盒C。
晶片运送器208有与晶片W对齐的对齐功能。晶片运送器208的结构使其还可以接近包含在处理站203一侧的第三处理单元组G3中的扩展单元232和粘着单元231，这将在后面进行描述。
在处理站203中，在其中部设有作为第一运送单元的主运送单元213，且各种处理单元多层排列在主运送单元213的周围，以组成处理单元组。在涂敷和显影处理***201中，设有四个处理单元组G1、G2、G3和G4。第一和第二处理单元组G1和G2位于涂敷和显影处理***201的前侧。第三处理单元组G3邻近暗盒站202。第四处理单元组G4邻近接口部分204。而且，用虚线表示的第五处理单元组G5作为选项可以附加布置在后侧。主运送单元213可将晶片W送入/送出这些处理单元组G1、G2、G3和G4中后面将描述的各种处理单元。
在第一处理单元组G1中，例如如图11所示，用保护层溶液涂敷晶片W的保护层涂敷单元217和在曝光处理之后对晶片W进行显影处理的显影单元218按从底部的顺序分两层排列。相类似，在第二处理单元组G2中，保护层涂敷单元219和显影单元220类似地按从底部的顺序分两层排列。
在第三处理单元组G3中，例如如图12所示，用于使晶片W经受冷却处理的冷却单元230、用于增加保护层溶液和晶片W之间的粘着力的粘着单元231、用于使晶片W临时等待的扩展单元232、用于在显影处理之后冷却晶片W的冷却单元233和234、用于在显影处理之后进行热处理的后焙烘单元235和236等等例如按从底部的顺序分7层排列。
在第四处理单元组G4中，例如，冷却单元240、用于在曝光处理之前和之后安放晶片且临时使晶片W等待的扩展单元241和242、用于在曝光处理之后加热晶片并随后将其冷却到预定温度的加热冷却处理单元243、244和245(图12中为PEB/COL)、用于加热晶片W以便使保护层溶液中的溶剂蒸发且随后冷却到预定温度的加热冷却处理单元246和247(图12中为PRE/COL)等等例如按从底部的顺序分8层排列。
如图13所示，加热冷却处理单元243在壳体243a内的基座250上有用于加热晶片W的盘状加热板251，和移动到加热板251上方从加热板251上接收晶片W并使之冷却的冷却板252。加热冷却处理单元243对晶片W在同一单元中连续进行加热冷却处理，所以由于加热而给晶片W造成的热平衡可以总保持恒定。其他的加热冷却处理单元244至247也有同样的结构。
如图10所示，在接口部分204的中部有作为第二运送单元的晶片运送器255。该晶片运送器255的结构使其可以在X方向(在图10中的顶到底的方向)以及Z方向(垂直方向)上移动，且可沿方向θ转动(绕轴线Z的转动方向)，从而可接近第四处理单元组G4中包含的扩展单元241和242、周边曝光单元256和发送部分205，以便将晶片W传送到这些位置。
发送部分205被通道形状、方形截面的壳体205a所包围且可紧密密封，从而可以容易地减小发送部分205中的压力。发送部分205有当将晶片W从接口部分204运送到曝光处理单元206时用于使晶片W穿过的第一路径260，和当将晶片W从曝光处理单元206传送到接口部分204时用于使晶片W通过的第二路径261。
在第一路径260和第二路径261之间设有隔板62，从而保持每一路径的密封状态。如图14和图15所示，在第一路径260和第二路径261之上设有用于抽吸每一路径内的气氛的吸气管265和266，且分别连通于减压单元267和268，减压单元用于抽吸每一路径内的气氛以减小其中的压力到预定的设定压力。
路径被互相隔开，且每一路径内的压力可以单独设定。特别是在第一路径260内，可以通过减小第一路径260内的压力而去除附着在晶片W的保护膜上的杂质比如氧气。用于给第一路径供应惰性气体的供气单元269位于第一路径260内，且以预定的时间给第一路径260供应惰性气体，从而可以恢复第一路径260内的压力。惰性气体不含有作为杂质的氧气、臭氧、水蒸气、有机物质等，而氮气、氖气等用作惰性气体。
在第一路径260内设有用于在第一路径260内临时安放晶片W并去除附着在晶片W的保护膜上的杂质比如氧气的安放部分270，和作为第三运送单元的将晶片W从该安放部分270送到曝光处理单元206的晶片运送机构271。
现在将详细描述该安放部分270的结构。如图16所示，厚盘形安放板275由支撑台276所支撑。在安放板275上设有一组吸气口277，作为通过抽吸晶片W而固定安放板275的固定部件。用于使晶片W以至少小于第一路径260内压力的压力吸附固定的吸气单元278与吸气口277连通，其结构可以根据减压单元267的设定压力控制其吸力，且能防止晶片W被吸引力抬起，即使第一路径260内的压力减小。
在安放板275上，设有能控制安放板275的温度的温度控制器280，例如Peltier元件等，控制安放板275处于预定的温度，使得安放在安放板275上的晶片W的温度可以在晶片W的表面上保持均匀。在安放板275下面设有提升和降低销283，它可在位于安放板275内的通孔282内垂直移动，且它们可将晶片W提升和降低，从而将晶片W放在安放板275上，且可在晶片运送器255和晶片运送机构271之间输送晶片W。
同时，如图10所示，在第二路径261内设有安放台290，当经过曝光处理的晶片W被传送到接口部分204内时临时停放在安放台290上，和作为第四运送单元的晶片运送机构291，用于将曝光处理单元206内的晶片W运送到安放台290。
安放台290为盘形，且在其中心周围，有用于提升和降低安放的晶片W的提升和降低机构293。通过这些提升和降低机构293，晶片W可在安放台290、晶片运送机构291或晶片运送器255之间传送。
在发送部分205的壳体205a上接口部分204侧面对安放部分270的位置处设有通道口295，从而晶片W可以通过晶片运送器255从接口部分204传送到安放部分270。而且，在通道口295处设有用于开合通道口295且保持第一路径260的气密状态的挡板296。挡板296仅在晶片W经过通道口295时打开，且除此之外关闭。
在壳体205a上接口部分204侧面对安放台290的位置设有通道口297，从而晶片W可以通过晶片运送器255从安放台290传送到接口部分204。在通道口297处设有用于开合通道口297且保持第二路径261的气密状态的挡板298。挡板298仅在晶片W经过通道口297时打开。
对晶片W进行曝光处理的曝光处理单元206如图10所示位于发送部分205附近。曝光处理单元206由壳体206a紧密地密封，从而严格控制曝光处理单元206内的气氛。在壳体206a的发送部分205侧，设有用于将晶片W从第一路径260送入的通道口300和将晶片W传送到第二路径261的通道口301，且对于各通道口300和301来说，在各通道口300和301处分别设有能打开和关闭通道口300和301且保持发送部分205的密封状态的挡板302和303。
下面将解释如上构成的涂敷和显影处理***201中进行的光刻工艺。
在对晶片W开始进行处理之前，发送部分205的各路径即第一路径260和第二路径261内的压力通过减压单元267和268控制在压力P1，压力P1小于曝光处理单元206内的压力P2。这种控制能使各路径内的气氛不流入曝光处理单元206，且保持这种状态。
当开始对晶片W进行处理时，通过晶片运送器208首先从暗盒站202的暗盒C中取出一个未处理的晶片W，将其送到处理站203的粘着单元231。
然后，在粘着单元231内用提高对保护层溶液的粘合力的增粘剂比如HMDS涂敷的晶片W被主运送单元213传送到冷却单元230，且冷却到预定温度。此后，晶片W传送到保护层涂敷单元217或219经受保护层涂敷处理。然后，上面形成保护膜的晶片W被传送到加热冷却处理单元246或247(图12中为PRE/COL)经受加热冷却处理以使保护层溶液中的溶剂蒸发。此时，代替在分开提供的各单元内顺序进行热处理和冷处理，加热冷却处理在一个独立单元内比如加热冷却处理单元246或247内进行，从而使得从对晶片W的热处理到冷处理的时间长度可以保持恒定，因此由于加热而给晶片造成的热平衡在晶片W之间保持相同。此外，在该实施例中，在保护层涂敷处理和显影处理之间的全部加热冷却处理都是在加热冷却处理单元243至247内进行，所以从保护层涂敷处理到显影处理所需的时间在晶片W之间可以保持相同。
此后，晶片W传送到扩展单元241，然后由晶片运送器255从扩展单元241传送到接口部分204内的周边曝光单元256。然后，周边部分已经在周边曝光单元256内经过曝光处理的晶片W被晶片运送器255再次保持，通过通道口295输送到发送部分205的第一路径260内的安放部分270此时，挡板296暂时打开。在晶片W送入安放部分270后，挡板296再次关闭，且保持第一路径260内的气密状态。
然后晶片W被送往安放部分270的提升和降低销283。如图16所示，当晶片W安放在安放板275上后，吸气单元278开始运行，晶片W被吸附固定在安放板275上。此时吸气单元278的吸力这样设定，即，即使第一路径260内的压力减小到将要描述的压力P3，晶片W也不移动。而且，此时安放板275通过温度控制器280保持在预定的温度，例如23℃，这样晶片的表面温度保持均匀。
随后，减压单元267的设定压力变化到低于压力P1的压力P3，且第一路径260内的气氛开始从吸气管265更强烈的抽吸。如图15所示，在第一路径260内形成气流，且附着在晶片W上的杂质与气流一起从吸气管265中排出。希望此时减压单元267的设定压力P3为例如800Pa或更小，以便去除附着在晶片W上的杂质。
在晶片W上的杂质被去除而持续了预定的时间后，减压单元267的设定压力再次变化到P1。供气单元269运行，惰性气体供入第一路径260内，第一路径260的压力恢复到P1。
此后，停止吸气口277对晶片W的抽吸，晶片W被提升和降低销283提升，然后输送到晶片运送机构271。当曝光处理单元206的壳体206a的挡板302打开时，晶片W送入曝光处理单元206中。
随后，晶片W在曝光处理单元206内以预定的图案曝光。在曝光处理之后晶片W从曝光处理单元206送出而由第二路径261内的晶片运送机构291通过通道口301送入第二路径261，此时，挡板303临时打开，且在晶片W经过后再次关闭，从而保持第二路径261内的密封状态。
送入第二路径261的晶片W移动到安放台290上方的位置，由安放台290的提升和降低机构293发送，然后，临时停放在该安放台290上。
由安放台290运送的晶片W通过晶片运送器255穿过挡板298已打开的通道口297和接口部分204，进入处理站203的扩展单元242。然后晶片W被主运送单元213传送到加热冷却处理单元243、244或245，依次经受曝光处理之后的热处理和冷处理。
此后，晶片W被传送到显影处理单元218或220经受显影处理。在经过显影处理之后，晶片W被传送到后焙烘单元235或236进行加热。然后晶片W被传送到冷却单元233或234冷却到预定温度。然后晶片W传送到包含在第三处理单元组内的扩展单元232，且通过晶片运送器208从那里返回到暗盒站202的暗盒C。通过上述的过程，连续的光刻工艺就完成了。
根据上述的第三实施例，紧密封闭的发送部分205位于接口部分204和曝光处理单元206之间，且在发送部分205中的第一路径260内有减压去除单元267。所以在晶片W进行曝光处理之前通过第一路径260时第一路径260内的压力可以减小。结果可以去除附着在晶片W的保护膜上的杂质比如氧气。
而且，发送部分205被分成第一路径260和第二路径261两个路径，所以将晶片W从接口部分204传送到曝光处理单元206，和再次从曝光处理单元206返回到接口部分204的过程平滑地进行。
而且，因为减压单元267和268分别位于第一路径260和第二路径261内，所以两路径内的压力可以设定为不同的压力，即，第一路径260内的压力设为压力P3，在此压力下去除附着在晶片W上的杂质，而第二路径261内的压力设为P1，在此压力下第二路径261内的气氛不流入曝光处理单元206中。
发送部分205内的压力P1总是设为低于曝光处理单元206内的压力P2，这可防止发送部分205内的气氛流入气氛被紧密控制的曝光处理单元206。
因为安放部分270位于第一路径260内，且吸气口277位于安放部分270上，所以当从晶片W上去除杂质时可以安放和固定晶片W。因此，当第一路径260内的压力减小时，可防止晶片W被负压抬起。
能将晶片W送到安放部分270和曝光处理单元206的晶片运送机构271位于第一路径260内。因此，当去除晶片W上的杂质时，附着在晶片运送机构271上的杂质也被去除，所以晶片运送机构271可以保持清洁状态，从而避免了由于附着在晶片运送机构271上的杂质而造成的晶片W的污染。
在上述的第三实施例中，吸气口277作为安放部分270上的晶片W的固定部件而提供，但其他的固定部件，例如静电卡盘(electrostatic chuck)，所谓的机械卡盘等可以用于安放部分270。至于固定部件所处的位置，固定部件可位于不是第一路径260的安放部分270的位置，例如可以位于晶片运送机构271上。在这种情况下，推荐当晶片W被固定部件固定时进行上述去除杂质的处理。
此外，在发送部分205的第一路径260内适于进行在加热冷却处理单元246或247中进行的保护层溶液中溶剂的蒸发处理，在这种情况下，如图17所示，提供用于在曝光之后进行加热冷却处理的加热冷却处理单元305(PEB/COL)和用于在显影处理之后进行热处理的热处理单元306，来代替处理站203中的第四处理单元组G4内的加热冷却处理单元246和247(PRE/COL)，且用于在曝光之后的热处理之后进行冷却处理的冷处理单元307添加到第三单元组G3中。当晶片W安放在第一路径260的安放部分270上时，第一路径260内的压力减小到预定压力，例如133Pa，在此压力下保护层溶液中的溶剂蒸发，从而蒸发掉保护层溶液中的溶剂，同时进行上述去除杂质的处理。这样，通过将发送部分205内的压力减小到预定压力就可以同时进行蒸发溶剂的处理和去除杂质的处理。所以，迄今在加热冷却处理单元246或247内进行的处理可以在发送部分205的第一路径260内进行。结果，可以添加其他的热处理单元来代替用于进行蒸发溶剂的处理的单元，从而改善处理站203的处理能力。即使省掉加热冷却处理单元246和247而不添加其他热处理单元，那么可以减小热处理单元的数目，从而使整个处理站203的尺寸减小。
在上述的第三实施例中，通过减小整个第一路径260内的压力到P3来去除杂质。然而，适于在第一路径260内提供更加减压的腔室，使该更加减压的腔室的压力减小到P3，且设定整个第一路径260内的压力为例如高于P3的P4。下面将作为第四实施例来解释这种情况。
如图18和19所示，例如在第四实施例的第一路径312内设有结构能紧密封闭的更加减压的腔室310，来代替上述实施例中所述的安放部分270。在该更加减压的腔室310中设有用于减小该更加减压的腔室内压力的减压单元311，且该压力可通过从该更加减压的腔室310的上部抽吸该更加减压的腔室内的气氛而减小。在第一路径312内设有作为第三运送单元的晶片运送机构313，该机构可接近该更加减压的腔室310和曝光处理单元206，以运送晶片W。接口部分204中的晶片运送器255可以将晶片W送到该更加减压的腔室310。
当晶片W被送到如此构成的第一路径312内的更加减压的腔室310时，减压单元311运行，该更加减压的腔室310的压力减小到P3。此时，第一路径312内的压力从P1减小到P4，P4高于P3(P3＜P4＜P1＜P2，P2为曝光处理单元6内的压力)。杂质从该更加减压的腔室310内的晶片W上去除，然后晶片W通过设为压力P4的第一路径312被送出该更加减压的腔室310而送入设为压力P2的曝光处理单元206。
通过提供更加减压的腔室310和设定第一路径312内的压力为P4(P3＜P4＜P2)且晶片W从该更加减压的腔室310送入曝光处理单元206，压力逐步从P3恢复到P2，这防止了当晶片W送入曝光处理单元206时曝光处理单元206内的气氛流入第一路径312，第一路径内有更大压力。而且，在加热冷却处理单元246或247中进行的保护层溶液中蒸发溶剂的处理可以在该更加减压的腔室310中进行。
虽然上述的实施例涉及在半导体晶片器件制造过程中的光刻工艺中用于晶片W的涂敷和显影处理***，但本发明可以用于不是半导体晶片的基片，例如LCD基片，的涂敷和显影处理***。
根据本发明，在曝光处理之前，可以去除附着在基片的涂层薄膜上的分子级的杂质比如氧气、臭氧和有机物质与比如颗粒的杂质，藉此适于进行曝光处理，而不受杂质的影响，从而提高成品率。此外，与去除杂质的处理同时可以蒸发涂层溶液中的溶剂，致使生产量提高。
特别是当在发送部分中设有减压去除单元时，可以在更靠近曝光处理单元的位置去除杂质，因此基片可以在更清洁的状态经受曝光处理。而且，有可以固定复杂的结构比如减压去除单元的足够空间，从而可以简化***。
此外，通过在发送部分内提供两个路径，可以平滑地处理基片，从而提高生产量。
特别是，通过在发送部分的第一路径中提供更强烈地去除杂质的更加减压的腔室，当基片从该更加减压的腔室通过第一路径传送到曝光处理单元时压力可以逐步恢复，因此这抑制了由于压力差造成的更强气流的出现，从而抑制曝光处理单元和第一路径内的气氛变化。结果，在曝光处理单元和第一路径中获得预定气氛所需的时间缩短，从而提高了生产量。

Claims (23)

1.一种用于对基片进行涂敷和显影处理的涂敷和显影处理***，包含：
处理部分，该处理部分有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于对基片显影的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元，和用于将基片送入/送出这些涂敷处理单元、显影处理单元和热处理单元的第一运送单元；
接口部分，该接口部分具有用于至少通过在处理部分和曝光处理单元之间的路径运送基片的第二运送单元，其中该曝光处理单元位于该***外部用于对基片进行曝光处理；
减压去除单元，其通过一个排气管与一个吸气单元连接，该减压去除单元用于在基片曝光处理之前通过在腔室内的抽吸去除附着在基片的涂层上的杂质。
2.根据权利要求1所述的***，其特征在于：接口部分和曝光处理单元通过发送部分连接，且减压去除单元位于发送部分内。
3.根据权利要求2所述的***，其特征在于：还包含：
用于给发送部分供入惰性气体的供气单元和用于排出发送部分内的气氛的排气部件。
4.根据权利要求3所述的***，其特征在于：还包含：
用于将接口部分内的气氛与发送部分内的气氛隔开的隔板，该隔板包含：用于在接口部分和发送部分之间传送晶片W的通道口，和用于打开和关闭该通道口的挡板。
5.根据权利要求2所述的***，其特征在于：发送部分内的压力低于曝光处理单元内的压力。
6.根据权利要求2所述的***，其特征在于：发送部分有第一路径和第二路径，当基片从接口部分传送到曝光处理单元时基片沿第一路径通过，当基片从曝光处理单元传送到接口部分时基片沿第二路径通过，且减压去除单元位于第一路径内。
7.根据权利要求6所述的***，其特征在于：第二运送单元能至少将基片运送到减压去除单元，且在发送部分的第一路径内设有至少将基片从减压去除装置传送到曝光处理单元的第三运送单元。
8.根据权利要求7所述的***，其特征在于：在发送部分的第二路径内设有用于安放基片的安放台和用于至少将基片从曝光处理单元运送到安放台的第四运送单元，且第二运送单元能至少将基片运出安放台。
9.根据权利要求1所述的***，其特征在于：减压去除单元位于接口部分内。
10.根据权利要求9所述的***，其特征在于：还包含：
用于给接口部分供入惰性气体的供气单元和用于排出接口部分内的气氛的排气部件。
11.根据权利要求10所述的***，其特征在于：还包含用于将处理部分内的气氛与接口部分内的气氛隔开的隔板，
该隔板包含：用于在处理部分和发送部分之间传送晶片的通道口，和用于打开和关闭该通道口的挡板。
12.根据权利要求10所述的***，其特征在于：接口部分内的压力低于曝光处理单元内的压力。
13.根据权利要求1所述的***，其特征在于：所述减压去除单元的减压室内的压力不大于200Pa-300Pa。
14.一种用于对基片进行涂敷和显影处理的涂敷和显影处理***，包含：
处理部分，该处理区部分有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于对基片显影的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元，和用于将基片送入/送出这些涂敷处理单元、显影处理单元和热处理单元的第一运送单元；
接口部分，该接口部分具有用于至少通过处理部分和曝光处理单元之间的路径运送基片的第二运送单元，其中该曝光处理单元位于该***外部，用于对基片进行曝光处理；
发送部分，该发送部分连接在接口部分和曝光处理单元之间，且可紧密密封；
减压去除单元，该单元用于将发送部分内的压力减小到预定的设定压力；
发送部分有第一路径和第二路径，当基片从接口部分传送到曝光处理单元时基片沿第一路径通过，当基片从曝光处理单元传送到所述接口部分时基片沿第二路径通过，且第一路径和第二路径内的压力可以分别减小到预定的设定压力。
15.根据权利要求14所述的***，其特征在于：第一路径内的压力低于曝光处理单元内的压力。
16.根据权利要求14所述的***，其特征在于：第二路径内的压力低于曝光处理单元内的压力。
17.根据权利要求14所述的***，其特征在于：在发送部分的第一路径内设有用于安放基片的安放部分和用于至少将基片从安放部分传送到曝光处理单元的第三运送单元，且第二运送单元能至少将基片运送到安放部分。
18.根据权利要求17所述的***，其特征在于：在安放部分上设有将基片固定在安放部分上的固定部件。
19.根据权利要求14所述的***，其特征在于：在第一路径内设有更加减压的腔室，该腔室能控制在低于第一路径内压力的压力下。
20.根据权利要求19所述的***，其特征在于：第二运送单元能至少将基片运送到该更加减压的腔室，且在发送部分的第一路径内设有用于至少将基片从该更加减压的腔室传送到曝光处理单元的第三运送单元。
21.根据权利要求17所述的***，其特征在于：在发送部分的第二路径内设有用于安放基片的安放台和用于至少将基片从曝光处理单元运送到安放台的第四运送单元，且第二运送单元能至少将基片运出安放台。
22.一种用于对基片进行涂敷和显影处理的方法，包含步骤：
给基片供应涂层溶液而在基片上形成涂层薄膜；
通过将预定的光束照射在形成有涂层薄膜的基片上而对基片进行曝光；
在曝光之后对基片进行显影；
在形成涂层的步骤和对基片进行曝光的步骤之间从基片上去除附着在基片上的杂质。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于：通过减小紧密密封的腔室内的压力而进行去除杂质的步骤。
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