CN116324949A - 显示基板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板(700)、显示装置。显示基板(700)包括显示区(100)、位于显示区(100)中的开孔区(300)以及位于显示区(100)与开孔区(300)之间的边框区(200)，边框区(200)至少包括第一隔离区(400)，第一隔离区(400)包括层叠设置的至少一个信号线组(3)以及至少一个有机绝缘层(600)，至少一个有机绝缘层(600)中设置有至少两个第一隔离槽(1)，至少两个第一隔离槽(1)沿着远离开孔区(300)方向间隔设置，信号线组(3)在边框区(200)的正投影位于至少两个第一隔离槽(1)之间间隔在边框区(200)的正投影中。
Description
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及显示基板、显示装置。
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
对于智能终端产品，大部分厂商都在追求更高的屏占比，如全面屏和无边框屏，以期给用户带来更炫的视觉冲击。由于智能终端等产品通常需要设置前置摄像头、光线传感器等硬件，因此在OLED显示屏的有效显示区开设开孔区以设置摄像头等硬件的方案，正备受业内的高度关注。
目前，在OLED显示屏的有效显示区开设开孔区方案的难点之一在于封装的有效性。由于开孔区的侧壁会暴露出发光层和阴极，使得大气中的水氧会沿着发光层侵入有效显示区，使得有效显示区的发光层失效，带来显示不良。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括显示区、位于所述显示区中的开孔区以及位于所述显示区与开孔区之间的边框区，所述边框区至少包括第一隔离区，所述第一隔离区包括层叠设置的至少一个信号线组以 及至少一个有机绝缘层，所述至少一个有机绝缘层中设置有至少两个第一隔离槽，所述至少两个第一隔离槽将所述至少一个有机绝缘层隔断，所述至少两个第一隔离槽沿着远离所述开孔区方向间隔设置，所述至少一个信号线组在所述边框区的正投影位于所述至少两个第一隔离槽之间间隔在所述边框区的正投影中。
在示例性实施方式中，所述第一隔离区包括层叠设置的至少两个信号线组，所述至少两个信号线组在所述边框区的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，至少一个所述第一隔离槽上设置有第一阻挡层。
在示例性实施方式中，所述至少一个有机绝缘层中还设置有至少一个第二隔离槽，所述至少一个第二隔离槽具有底切结构，所述至少一个有机绝缘层上层叠设置有发光层，所述第二隔离槽将所述发光层隔断。
在示例性实施方式中，所述至少一个第二隔离槽位于所述至少两个第一隔离槽之间。
在示例性实施方式中，所述第一隔离区上层叠设置有封装结构和隔离坝，所述封装结构至少包括有机层，所述隔离坝位于所述第一隔离区靠近所述开孔区一侧，所述隔离坝将所述有机层与所述开孔区隔断。
在示例性实施方式中，所述边框区还包括第二隔离区，所述第二隔离区位于所述第一隔离区与所述开孔区之间，所述第二隔离区包括至少两个间隔设置的隔离柱，相邻所述隔离柱之间形成有第三隔离槽，所述第三隔离槽具有底切结构。
在示例性实施方式中，相邻所述隔离柱之间还形成有第四隔离槽，所述第四隔离槽上设置有第二阻挡层。
在示例性实施方式中，所述隔离柱与所述至少一个有机绝缘层同层设置。
在示例性实施方式中，所述第一隔离区上层叠设置有封装结构和隔离坝，所述封装结构至少包括有机层，所述隔离坝位于所述第一隔离区靠近所述开孔区一侧，所述隔离坝将所述有机层与所述第二隔离区隔断，所述第二隔离区上设置有保护层。
在示例性实施方式中，所述保护层远离所述第二隔离区一侧的表面与所 述封装结构远离所述第一隔离区一侧的表面平齐。
在示例性实施方式中，所述保护层上设置有遮光层。
在示例性实施方式中，所述遮光层采用金属层或不透光的黑色无机涂层。
在示例性实施方式中，所述遮光层与所述保护层之间设置有缓冲层。
在示例性实施方式中，所述缓冲层靠近所述开孔区一侧设置有缺口，所述遮光层填充所述缺口中。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
图1为本公开实施例显示基板的结构示意图；
图2为本公开实施例显示基板的剖视图；
图3为本公开实施例显示基板中第一隔离区信号线组的绕线示意图一；
图4为本公开实施例显示基板中第一隔离区信号线组的绕线示意图二；
图5为本公开实施例显示模组的剖视图；
图6为本公开实施例显示基板形成有源层后的示意图；
图7为本公开实施例显示基板形成形成栅电极以及第一栅线后的示意图；
图8为本公开实施例显示基板形成电容电极以及第二栅线后的示意图；
图9为本公开实施例显示基板形成无机绝缘层后的示意图；
图10为本公开实施例显示基板形成源电极、漏电极以及数据线后的示意图；
图11为本公开实施例显示基板形成第一有机绝缘层后的示意图一；
图12为本公开实施例显示基板形成第二有机绝缘层后的示意图；
图13为本公开实施例显示基板形成第二隔离槽、第三隔离槽以及第四隔离槽后的示意图；
图14为本公开实施例显示基板形成阳极后的示意图；
图15为本公开实施例显示基板形成像素定义层后的示意图；
图16为本公开实施例显示基板形成发光层和阴极后的示意图；
图17为本公开实施例显示基板形成封装结构后的示意图；
图18为本公开实施例显示基板形成保护层后的示意图；
图19为本公开实施例显示基板形成遮光层后的示意图；
图20为本公开实施例显示基板中信号线组的放大图；
图21为本公开实施例显示基板形成隔离柱后的放大图；
图22为本公开实施例显示基板形成隔离坝后的示意图；
图23为本公开实施例显示基板形成第一有机绝缘层后的示意图二；
图24为本公开实施例显示基板中隔离柱的放大图。
下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连 接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括显示区、开孔区以及位于所述显示区与开孔区之间的边框区，所述边框区至少包括第一隔离区，所述第一隔离区包括基底、设置于所述基底上至少一个无机绝缘层、设置于所述至少一个无机绝缘层远离所述基底一侧的至少一个有机绝缘层以及设置于所述至少一个有机绝缘层远离所述基底一侧的封装结构，所述封装结构至少包括一个有机材料层，显示基板包括至少两个第一隔离槽，所述至少两个第一隔离槽贯穿所述至少一个有机绝缘层，所述至少两个第一隔离槽至少包括第一边缘槽和第二边缘槽，其底壁在所述基底的正投影与所述有机材料层在所述基底的正投影交叠的第一隔离槽中，最靠近所述显示区一侧的第一隔离槽为所述第一边缘槽，其底壁在所述基底的正投影与所述有机材料层在所述基底的正投影不交叠的第一隔离槽中，最靠近所述显示区一侧的第一隔离槽为所述第二边缘槽，所述显示基板还包括设置于所述基底上的至少一个信号线组，所述至少一个信号线组在所述基底的正投影位于所述第一边缘槽底壁在所述基底正投影与所述第二边缘槽底壁在所述基底正投影之间。
图1为本公开实施例显示基板的结构示意图，图2为本公开实施例显示基板的剖视图。以图2为图1中A-A向的剖视图为例进行说明。本公开实施例显示基板可以为OLED显示基板或QLED显示基板。以本公开实施例显示基板可以为OLED显示基板为例进行说明书。如图1所示，在平行于显示基板的平面上，显示基板的主体结构包括显示区100、边框区200和开孔区300，边框区200位于显示区100与开孔区300之间。边框区200围绕开孔区300的四周，可以用于阻断从开孔区300入侵到显示区100的水氧路径。开孔区300在显示区100中的位置不限，形状也不做限制，可以为图1中所示的圆形，也可以椭圆形或者方形、菱形等其它多边形。
在平行于显示基板的平面上，显示区100可以包括至少一个栅线和至少一个数据线。栅线可以用于传送栅极电信号，数据线可以用于传送数据电信号。至少一个栅线沿着第一方向(例如水平方向)延伸，且至少一个栅线可以彼此平行。至少一个数据线沿着第二方向(例如垂直方向)延伸，且至少一个数据线可以彼此平行。其中，第一方向与第二方向不同。比如，第一方向与第二方向垂直。栅线和数据线限定至少一个子像素。
在垂直于显示基板的平面上，显示区100可以包括基底、设置在基底上的驱动结构层以及设置在驱动结构层上的发光结构层，驱动结构层主要包括至少一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，发光结构层主要包括至少一个阳极、至少一个发光层和至少一个阴极。发光结构层中的阳极与薄膜晶体管中的漏电极连接，数据线与薄膜晶体管中的源电极连接，栅线与薄膜晶体管中的栅极连接。薄膜晶体管可以通过由与其连接的栅线施加的栅极电信号而导通或截止，并可以由与其连接的数据线提供的数据电信号传送到阳极。显示区100的子像素可以根据施加到阳极的数据电信号显示图像。
在一些实施例中，薄膜晶体管中的源极漏极可以依据薄膜晶体管的类型调换，本公开实施例在此不再赘述。
如图1所示，开孔区300包括至少一个通孔或盲孔，通孔的各个结构膜层和基底被去掉，盲孔中的大部分结构膜层被去掉，通孔或盲孔可以用于设置相应的硬件，如摄像头、传感器等硬件。其中，上述结构膜层可以包括驱动结构层中的各膜层以及发光结构层中的各膜层等。
图2中仅以一个子像素为例进行示意。如图2所示，显示区100中子像素的驱动结构层主要包括设置在基底上的缓冲层、设置在缓冲层上的薄膜晶体管。发光结构层主要包括与薄膜晶体管的漏电极连接的阳极、限定像素开口区域的像素界定层、发光层、形成在发光层上的阴极以及封装结构。其中，发光层至少覆盖像素开口区域。例如，发光层覆盖整个像素开口区域或整个子像素。
如图2所示，在平行于显示基板的平面上，本公开实施例显示基板中边框区200至少包括第一隔离区400。在垂直于显示基板的平面上，第一隔离 区400包括基底10、设置于基底10上的至少一个无机绝缘层18、设置于至少一个无机绝缘层18远离基底10一侧的至少一个有机绝缘层600以及设置于至少一个有机绝缘层600远离基底10一侧的至少一个封装结构38，封装结构38至少包括一个有机材料层，信号线组3包括至少一个信号线，至少一个有机绝缘层600中设置有至少两个第一隔离槽1，至少两个第一隔离槽1贯穿至少一个有机绝缘层600，至少两个第一隔离槽1至少包括第一边缘槽101和第二边缘槽102，其底壁在基底10的正投影与有机材料层383在基底10的正投影交叠的第一隔离槽1中，最靠近显示区100一侧的第一隔离槽1为第一边缘槽101；其底壁在基底10的正投影与有机材料层383在基底10的正投影不交叠的第一隔离槽1中，最靠近显示区100一侧的第一隔离槽1为第二边缘槽102，至少一个信号线组3在基底10的正投影位于第一边缘槽101底壁在基底10正投影与第二边缘槽102底壁在基底10正投影之间。
在示例性实施方式中，至少两个第一隔离槽1的底壁位于无机绝缘层18远离基底10一侧的表面上；或者，至少两个第一隔离槽1的底壁位于无机绝缘层18中，即至少两个第一隔离槽1的底壁过刻至无机绝缘层18中。
在示例性实施方式中，本实施例显示基板中除开孔区300以外的区域均设置有基底，且显示基板中的基底均为同层设置，采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。比如，显示区100中的基底与边框区200中的基底10同层设置，采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。
在示例性实施方式中，显示区100中的有机绝缘层与边框区200中的有机绝缘层600同层设置，采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。
在示例性实施方式中，显示区100中的无机绝缘层与边框区200中的无机绝缘层18同层设置，采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。
在示例性实施方式中，第一隔离区400在基底正投影具有两个边缘，两个边缘中靠近显示区100一侧的边缘与第一边缘槽101在基底正投影靠近显示区100一侧的边缘交叠；两个边缘中靠近开孔区300一侧的边缘与第二边缘槽102在基底正投影靠近开孔区300一侧的边缘交叠。
在示例性实施方式中，第一隔离槽1包括至少一个侧壁和底壁。例如， 第一边缘槽101包括两个侧壁以及一个底壁；第二边缘槽102包括两个侧壁以及一个底壁。
本公开实施例显示基板中信号线组3在基底10的正投影位于第一边缘槽101底壁在基底10正投影与第二边缘槽102底壁在基底10正投影之间，避免第一隔离槽1影响信号线组3的走线，从而使信号线组3在第一隔离区400中进行绕线，缩小了边框区200的面积，实现窄边框设计。
本公开实施例显示基板中第一隔离槽1可以为环绕开孔区300的环状结构。第一隔离槽1可以用于将边框区200中的有机绝缘层600隔断，阻断了从开孔区300入侵的水氧通过有机绝缘层600入侵到显示区域的路径。
在示例性实施方式中，有机绝缘层600可以采用有机材料，例如，树脂、聚硅氧烷系材料、亚克力系材料或聚酰亚胺系材料等。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，第一隔离区400可以包括至少一个有机绝缘层600，比如，第一隔离区400包括层叠设置的一个、两个、三个或其他数量的有机绝缘层600。第一隔离区400中至少一个有机绝缘层600可以与显示区的有机绝缘层中至少一个同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，第一隔离槽1可以贯穿第一隔离区400中所有有机绝缘层600，将第一隔离区400中的有机绝缘层600完全隔断；或者，第一隔离槽1可以贯穿第一隔离区400中一部分有机绝缘层600，将第一隔离区400中部分有机绝缘层600隔断。比如，第一隔离区400包括层叠设置的第一有机绝缘层21和第二有机绝缘层24，第一有机绝缘层21位于第二有机绝缘层24与基底之间。第一隔离槽1贯穿第一有机绝缘层21和第二有机绝缘层24，即第一隔离槽1的深度不小于第一有机绝缘层21和第二有机绝缘层24厚度的总和，如图2所示。
在示例性实施方式中，第一隔离区400可以包括至少一个信号线组3，比如，第一隔离区400包括层叠设置的两个、三个或其他数量的信号线组3。
图3为本公开实施例显示基板中第一隔离区信号线组的绕线示意图一。图3以第一隔离区400包括三个层叠设置的信号线组3为例，说明本公开实 施例中信号线组3的绕线。如图3所示，本公开实施例显示基板为矩形结构，包括相对设置的短边以及相对设置的长边。本公开实施例显示基板中开孔区300的中心位于显示基板短边的中心线上。本公开实施例显示基板第一隔离区400包括三个层叠设置的信号线组3，三个信号线组3分别为依次层叠设第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303。第三信号线组303位于信号线组3远离基底10一侧，有机绝缘层600设置于第三信号线组303远离基底10一侧，并将第三信号线组303覆盖。三个信号线组3采用绕线形式在第一隔离区400绕过开孔区300。
在示例性实施方式中，本公开实施例对第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303没有限制。比如，第一信号线组301可以为第一栅线，第二信号线组302可以为第二栅线，第三信号线组303可以为第一数据线。
图20为本公开实施例显示基板中信号线组的放大图。在示例性实施方式中，如图20所示，至少一个信号线组3远离基底10一侧设置有阻挡层42，阻挡层42覆盖至少一个信号线组3，以防止至少一个信号线组3被腐蚀。其中，阻挡层42可以采用无机材料。
在示例性实施方式中，阻挡层42可以为连续膜层，阻挡层42覆盖整层信号线组3，如图20所示。或者，阻挡层可以包括至少一个图案化膜层，至少一个图案化膜层覆盖信号线组3中至少一个信号线。
在示例性实施方式中，本公开实施例显示基板中边框区200远离开孔区300一侧边沿到边框区200靠近开孔区300一侧边沿的距离可以小于0.4mm。比如，边框区200远离开孔区300一侧边沿到边框区200靠近开孔区300一侧边沿的距离为0.2-0.3mm。
图4为本公开实施例显示基板中第一隔离区信号线组的绕线示意图二。图4以边框区200包括三个层叠设置的信号线组3为例，说明本公开实施例中信号线组3的绕线。如图4所示，本公开实施例显示基板为矩形结构，包括相对设置的短边以及相对设置的长边。本公开实施例显示基板中开孔区300的中心不位于显示基板短边的中心线上。本公开实施例显示基板第一隔离区400包括三个层叠设置的信号线组3，三个信号线组3分别为依次层叠 设第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303。其中，显示区100中子像素采用双边驱动，可以消除开孔区300四周像素由于驱动造成的显示不均现象。
本公开实施例显示基板中信号线组3绕线所占空间小于第一隔离区400，信号线组3的绕线不会增加边框区200空间。另外，本公开实施例显示基板增加像素密度后，信号线组3数量会增加，但是只要信号线组3在边框区200的正投影位于至少两个第一隔离槽1之间间隔在边框区200的正投影中，使信号线组3绕线所占空间小于第一隔离区400，不会额外占用边框区200的空间。
在示例性实施方式中，在垂直于显示基板的平面上，如图2所示，第一隔离区400包括层叠设置的至少两个信号线组3，至少两个信号线组3互相绝缘，至少两个信号线组3在基底10的正投影至少部分交叠，从而减小信号线组3在边框区200绕线所占的空间。其中，信号线组3在基底10的正投影是指信号线组3中位于信号线组3相对两边缘的信号线之间的投影。
在示例性实施方式中，至少两个信号线组3所在的区域在基底10的正投影至少部分交叠，例如，第一隔离区400包括层叠设置的第一信号线组301、第二信号线组302、第三信号线组303，第一信号线组301所在的区域在基底10的正投影与第二信号线组302所在的区域在基底的正投影至少部分交叠；或者，第一信号线组301所在的区域在基底的正投影与第三信号线组303所在的区域在基底10的正投影至少部分交叠；或者，第二信号线组302所在的区域在基底10的正投影与第三信号线组303所在的区域在基底10的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，至少两个信号线组3中的信号线在基底10的正投影至少部分交叠。例如，第一隔离区400包括层叠设置的第一信号线组301、第二信号线组302、第三信号线组303，第一信号线组301包括至少一个第一信号线，第二信号线组302包括至少一个第二信号线，第三信号线组303包括至少一个第三信号线。第一信号线组301中至少一个第一信号线在基底10的正投影与第二信号线组302中至少一个第二信号线在基底的正投影至少部分交叠；或者，第一信号线组301中至少一个第一信号线在基底的正投影与 第三信号线组303中至少一个第三信号线在基底10的正投影至少部分交叠；或者，第二信号线组302中至少一个第二信号线在基底10的正投影与第三信号线组303中至少一个第三信号线在基底10的正投影至少部分交叠。
图23为本公开实施例显示基板形成第一有机绝缘层后的示意图二。在示例性实施方式中，如图22所示，本公开实施例显示基板第一隔离区400包括三个层叠设置的信号线组3，三个信号线组3分别为依次层叠设第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303。第三信号线组303位于信号线组3远离基底10一侧。在第三信号线组303远离基底10一侧设置有一层有机绝缘层600，有机绝缘层600将第三信号线组303覆盖。有机绝缘层600中设置有至少两个第一隔离槽1以及至少一个第二隔离槽2。第三信号线组303在基底10的正投影不与第一隔离槽1的槽底和第二隔离槽2的槽底交叠。
在示例性实施方式中，第一隔离槽1包括至少一个侧壁以及底壁，第一隔离槽1中的至少一个侧壁以及底壁上设置有第一阻挡层37。第一阻挡层37可以用于阻断从开孔区300入侵的水氧通过有机绝缘层600入侵显示区100。其中，第一阻挡层37可以被称为第一钝化层。
在示例性实施方式中，第一阻挡层37可以采用金属氧化物材料或无机材料。例如，无机材料可以为氮化硅或氧化硅等材料，金属氧化物材料可以为氧化铝、氧化铪、氧化钽等材料。
在示例性实施方式中，在制备第一阻挡层37过程中，先在基底10上形成无机绝缘层18，而后在无机绝缘层18上形成有机绝缘层600，在有机绝缘层600中形成贯穿有机绝缘层600的第一隔离槽1，最后在第一隔离槽1上形成第一阻挡层37，使第一阻挡层37与第一隔离槽1的底壁和至少一个侧壁接触，无机绝缘层18与第一隔离槽1的至少一个侧壁不接触。
在示例性实施方式中，至少一个有机绝缘层600中还设置有至少一个第二隔离槽2，至少一个第二隔离槽2具有第一底切结构。第一隔离区400还包括层叠设置于至少一个有机绝缘层600上的发光层，第二隔离槽2可以将发光层隔断。本公开实施例显示基板在显示区100形成发光层时，利用第二隔离槽2中底切结构覆盖性差，使边框区200的发光层在第二隔离槽2处断 开，可以阻断从开孔区300入侵的水氧通过发光层入侵到显示区域的路径。
在示例性实施方式中，本公开实施例显示基板中第二隔离槽2包括侧边，第一阻挡层37延伸至第二隔离槽2的侧边处，并凸出第二隔离槽2的侧边，形成第一底切结构。本公开实施例在蒸镀形成发光层时，会由于第一底切结构的台阶覆盖性差而断开。断开的发光层会覆盖第二隔离槽2的底壁，阻断了从开孔区300入侵的水氧通过发光层入侵到显示区域的路径，提高显示面板的信赖性。
在示例性实施方式中，第二隔离槽2可以贯穿边框区400中一部分有机绝缘层600。比如，第一隔离区400包括层叠设置的第一有机绝缘层21和第二有机绝缘层24，第一有机绝缘层21位于第二有机绝缘层24与基底10之间。第二隔离槽2贯穿第二有机绝缘层24，延伸至第一有机绝缘层21的表面，即第二隔离槽2的深度等于第二有机绝缘层24的厚度，如图2所示。
在示例性实施方式中，如图2所示，至少一个第二隔离槽2在基底10的正投影位于第一边缘槽101在基底10正投影与第二边缘槽102在基底10正投影之间。第二隔离槽2仅贯穿边框区中一部分有机绝缘层，使第二隔离槽2不会阻挡信号线组3的绕线，进而使至少一个第二隔离槽2在边框区200的正投影与信号线组3在边框区200的正投影至少部分交叠，从而实现窄边框设计。
在示例性实施方式中，至少一个第二隔离槽2在基底10的正投影与封装结构38中有机材料层383在基底10的正投影交叠。
在示例性实施方式中，如图2所示，封装结构38包括层叠设置的第一无机材料层381、第二无机材料层382以及位于第一无机材料层381和第二无机材料层382之间的至少一层有机材料层383。封装结构38可以用于保护发光单元。
在示例性实施方式中，如图2所示，本公开实施例显示基板在发光单元上形成封装结构的过程中，为了防止显示区100中封装结构材料流入开孔区300中。本公开实施例显示基板第一隔离区400上可以设置有隔离坝6，隔离坝6设置于第一隔离区400中的有机绝缘层600远离基底10一侧。隔离坝6 在基底10的正投影位于第一边缘槽101在基底10的正投影与第二边缘槽102在基底10正投影之间。隔离坝6将封装结构38中的有机材料层383与开孔区300隔断，以阻隔有机材料层383流入开孔区300。
在示例性实施方式中，隔离坝6可以与显示区200中的像素定义层同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。或者，显示区200还包括隔垫层，隔离坝6可以与显示区200中的隔垫层同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。或者，显示区200还包括隔垫层，隔离坝6包括层叠设置的第一隔离层和第二隔离层，第一隔离层与显示区200中的像素定义层同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成，第二隔离层与显示区200中的隔垫层同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。
图22为本公开实施例显示基板形成隔离坝后的示意图。在示例性实施方式中，如图22所示，本公开实施例显示基板第一隔离区400上可以设置有至少两个隔离坝6，至少两个隔离坝6设置于第一隔离区400中的有机绝缘层600远离基底10一侧。至少两个隔离坝6可以间隔排布。至少两个隔离坝6在基底10的正投影位于第一边缘槽101在基底10的正投影与第二边缘槽102在基底10正投影之间。至少两个隔离坝6将封装结构38中的有机材料层383与开孔区300隔断，以阻隔有机材料层383流入开孔区300。
在示例性实施方式中，对至少两个隔离坝6之间的高度关系不进行限定，只要至少两个隔离坝6能够阻隔有机材料层383流入开孔区300即可。例如，至少两个隔离坝6之间的高度相等；或者，至少两个隔离坝6中的一个的高度大于至少两个隔离坝6中的另一个的高度。
在示例性实施方式中，边框区200还包括第二隔离区500，第二隔离区500位于第一隔离区400与开孔区300之间。第二隔离区500包括至少两个隔离柱25，相邻隔离柱25之间形成有第三隔离槽5，第三隔离槽5包括侧边，隔离柱25远离基底10一侧设置有第二阻挡层40，第二阻挡层40凸出第三隔离槽5的侧边，形成第二底切结构。本公开实施例在蒸镀形成发光层时，会由于第二底切结构的台阶覆盖性差而断开。断开的发光层会覆盖第三隔离槽5的底壁，阻断了从开孔区300入侵的水氧通过发光层入侵到显示区域的路径，提高显示面板的信赖性。并且，第三隔离槽5能够吸收形成开孔区300 过程中产生的应力，同时可以阻挡开孔区300打孔时产生的裂纹延伸至显示区100，阻断裂纹。其中，第二阻挡层40可以被称为第二钝化层。
在示例性实施方式中，隔离柱25可以与第一隔离区400的有机绝缘层600中的至少一个同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。比如，第一隔离区400包括层叠设置的第一有机绝缘层21和第二有机绝缘层24，隔离柱25与第二有机绝缘层24同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成，如图2所示。或者，隔离柱25与第一有机绝缘层21同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。或者，隔离柱25包括层叠设置的第一有机膜层和第二有机膜层，第一有机膜层与第一有机绝缘层21同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成，第二有机膜层与第二有机绝缘层24同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。
图21为本公开实施例显示基板形成隔离柱后的放大图。在示例性实施方式中，如图21所示，隔离柱25可以与信号线组3同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。例如，隔离柱25的横截面呈工字型，隔离柱25包括层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，第一金属层和第三金属层采用金属钛，第二金属层采用金属铝。隔离柱25的横截面呈工字型，由于工字型的隔离柱25覆盖性差，在蒸镀形成发光层时，发光层会在隔离柱25处断开，阻断了从开孔区300入侵的水氧通过发光层入侵到显示区域的路径，提高显示面板的信赖性。
图24为本公开实施例显示基板中隔离柱的放大图。在示例性实施方式中，如图24所示，基底10采用多层柔性基底结构。例如，基底10采用双层柔性基底结构。基底10包括第一柔性基底1001、设置于第一柔性基底1001上的第一隔离层1002、设置于第一隔离层1002远离第一柔性基底1001一侧的第二柔性基底1003以及设置于第二柔性基底1003远离第一柔性基底1001一侧的第二隔离层1004。其中，第一柔性基底1001和第二柔性基底1003可以采用柔性基底材料，比如，聚酰亚胺(PI)。第一隔离层1002和第二隔离层1004可以采用无机绝缘材料。
在示例性实施方式中，如图24所示，隔离柱25可以与第二柔性基底1003和第二隔离层1004同层设置，采用相同材料且通过同一工艺形成。相邻隔离 柱25之间形成有第三隔离槽5，第三隔离槽5包括侧边，第二隔离层1004凸出第三隔离槽5的侧边，形成第二底切结构。本公开实施例在蒸镀形成发光层28时，会由于第二底切结构的台阶覆盖性差而断开。断开的发光层28会覆盖第三隔离槽5的底壁，阻断了从开孔区300入侵的水氧通过发光层28入侵到显示区域的路径，提高显示面板的信赖性。并且，第三隔离槽5能够吸收形成开孔区300过程中产生的应力，同时可以阻挡开孔区300打孔时产生的裂纹延伸至显示区100，阻断裂纹。
在示例性实施方式中，不对第三隔离槽5的深度进行限定，只要第三隔离槽5能够阻断从开孔区300入侵的水氧通过发光层28入侵到显示区域的路径即可。例如，第三隔离槽5的底壁位于第一隔离层1002的表面；或者，第三隔离槽5的底壁位于第二柔性基底1003中，即第三隔离槽5不贯穿第二柔性基底1003。
在示例性实施方式中，如图2所示，相邻隔离柱25之间还可以形成有至少一个第四隔离槽4，第四隔离槽4包括至少一个侧壁以及底壁，第四隔离槽4的至少一个侧壁和至少一个底壁上设置有第二阻挡层40。第二阻挡层40可以用于阻断从开孔区300入侵的水氧通过隔离柱25入侵显示区100。
在示例性实施方式中，第二阻挡层40可以与第一阻挡层37同层设置，采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。
在示例性实施方式中，第二阻挡层40可以采用金属氧化物材料或无机材料。例如，无机材料可以为氮化硅或氧化硅等材料，金属氧化物材料可以为氧化铝、氧化铪、氧化钽等材料。
在示例性实施方式中，第三隔离槽5与第四隔离槽4可以采用多用方式排布。比如，第三隔离槽5与第四隔离槽4沿着靠近开孔区300方向交替排布，如图2所示。或者，第三隔离槽5沿着靠近开孔区300方向连续排布；以及第四隔离槽4沿着靠近开孔区300方向连续排布。
在示例性实施方式中，如图2所示，由于第一无机材料层381和第二无机材料层382覆盖第二隔离区500，第一无机材料层381和第二无机材料层382采用无机材料，应力较大。为缓解第一无机材料层381和第二无机材料 层382的应力，第二隔离区500远离基底10一侧可以设置有保护层33。至少部分保护层33覆盖第二隔离区500上的第一无机材料层381和第二无机材料层382。保护层33能够将第二隔离区500填平，缓解第二隔离区500的应力，提高产品信赖性。
在示例性实施方式中，保护层33可以采用有机材料。例如，树脂。
在示例性实施方式中，如图2所示，保护层33能够将第二隔离区500填平，减小与封装结构38表面断差。例如，第二隔离区500中保护层33远离基底10一侧的表面到基底10靠近封装结构38一侧表面之间的厚度与显示区100中封装结构38远离基底10一侧的表面到基底10靠近封装结构38一侧表面之间的厚度的比值为0.8-1.2。
在示例性实施方式中，保护层33还可以部分位于第一隔离区400，与第一隔离区400中的封装结构38至少部分交叠或者齐平，弥补第一隔离区400边缘处封装结构38减薄。
一般显示基板上设置有盖板。盖板上设置有油墨区，油墨区覆盖显示基板中边框区。由于在盖板上制备形成油墨区的尺寸和位置存在公差；以及玻璃盖板与显示基板贴合的精度均存在公差，导致油墨区的面积大于边框区的面积，从而制约了开孔区窄边框的设计。
在示例性实施方式中，如图2所示，本公开实施例显示基板还可以包括遮光层36，至少部分遮光层36位于边框区200中。
在示例性实施方式中，遮光层36位于边框区200中。
在示例性实施方式中，遮光层36位于保护层33远离基底10一侧。遮光层36覆盖第一隔离区400和第二隔离区500。遮光层36可以遮挡第一隔离区400中信号线组3，防止反光。遮光层36覆盖整个边框区200。其中，遮光层36可以采用金属层或不透光的黑色有机涂层或黑色无机涂层。
图5为本公开实施例显示模组的剖视图。如图5所示，本公开实施例提供一种显示模组，显示模组包括显示基板700以及层叠设置于显示基板700上的盖板800，显示基板700的开孔区中设置有摄像头900，盖板800将摄像头900覆盖。显示模组的边框为b，本公开实施例显示模组中遮光层36设置 在显示基板700上，使遮光层36的设置不受盖板800油墨公差以及贴合公差的影响。显示模组的边框b可以与显示基板700的边框区200相当，使显示模组的边框最小化。示例的，显示模组的边框b可以小于0.5mm。比如，遮光层36的宽度可以为0.3mm，显示模组的边框b为0.3-0.4mm。
在示例性实施方式中，如图2所示，遮光层36与保护层33之间可以设置有缓冲层34，缓冲层34能够缓冲形成开孔区300产生的应力。
在示例性实施方式中，如图2所示，缓冲层34靠近开孔区300一侧可以设置有缺口，遮光层36填充缺口中，以避免形成开孔区300产生的应力对缓冲层34产生裂纹。
在示例性实施方式中，本公开实施例显示基板还包括设置于遮光层36远离基底10一侧的偏光片、触控层以及盖板中的至少一种。
下面通过本实施例触控基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在衬底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
图6至图19为本实施例显示基板制备过程的示意图。本实施例显示基板包括显示区、边框区和开孔区，开孔区位于显示区内，边框区位于显示区与开孔区之间。边框区包括第一隔离区和第二隔离区，第二隔离区位于第一隔离区与开孔区之间。
本实施例显示基板制备过程包括：
(1)在基底上形成有源层图案。在基底上形成有源层图案包括：先在基 底10上沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个基底10的缓冲层11图案。随后沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，在显示区形成设置在缓冲层11上的有源层12图案，如图6所示。其中，有源层12图案形成在显示区，此时的边框区和开孔区形成有缓冲层11。基底可以为柔性基底或者刚性基底，柔性基底可以采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET或经表面处理的聚合物软膜等材料。刚性基底可以采用玻璃或金属箔片等材料。缓冲薄膜可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。
(2)形成栅电极以及第一信号线组图案。形成栅电极以及第一信号线组图案包括：在形成上述结构的基底10上，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层12和缓冲层11的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的第一栅电极14、第二栅电极15和第一信号线组301图案，如图7所示。其中，第一栅电极14和第二栅电极15形成在显示区，第一信号线组301形成在边框区，此时的开孔区形成有缓冲层11和第一绝缘层13。第一栅电极14、第二栅电极15和第一信号线组301同层设置、采用相同材料且通过同一工艺形成。
(3)形成电容电极以及第二信号线组图案。形成电容电极以及第二信号线组图案包括：在形成上述结构的基底10上，依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅电极14、第二栅电极15和第一绝缘层13的第二绝缘层16以及设置在第二绝缘层16上的电容电极17图案以及第二信号线组302图案，电容电极17的位置与第二栅电极15的位置相对应，电容电极17与第二栅电极15构成电容，如图8所示。其中，电容电极17形成在显示区，第二信号线组302形成在边框区，此时的开孔区形成有缓冲层11、第一绝缘层13和第二绝缘层16。电容电极17和第二信号线组302同层设置、采用相同材料且通过同一工艺形成。
(4)形成开设有第一过孔的无机绝缘层图案。形成开设有第一过孔的无机绝缘层图案包括：在形成上述结构的基底10上，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，在显示区形成开设有两个第一过孔39的无机绝缘层18图案，两个第一过孔39中的无机绝缘层18、第二绝缘层16 和第一绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12，如图9所示。其中，两个第一过孔39形成在显示区，此时的边框区和开孔区形成有缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层16和无机绝缘层18。
(5)形成源电极、漏电极以及第三信号线组图案。形成源电极、漏电极以及第三信号线组图案包括：在形成上述结构的基底10上，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在显示区形成源电极19、漏电极20和第三信号线组303图案，源电极19和漏电极20分别通过两个第一过孔39与有源层12连接，如图10所示。其中，源电极19和漏电极20形成在显示区，第三信号线组303形成在边框区，此时开孔区形成有缓冲层11、第一绝缘层13、第二绝缘层16和无机绝缘层18。源电极19、漏电极20和第三信号线组303同层设置、采用相同材料且通过同一工艺形成。第一信号线组301、第二信号线组302以及第三信号线组303均为边框区的信号线组3。
在示例性实施方式中，第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303中的至少两个在基底10上的垂直投影至少部分重叠，以减小第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303占用的面积，从而减小边框区的面积。
通过上述过程，在基底10上完成了位于显示区的驱动结构层，位于边框区的信号线组3和绝缘层，开孔区的绝缘层的制备。其中，位于显示区的驱动结构层包括有源层12、第一栅电极14、第二栅电极15、电容电极17、源电极19和漏电极20。位于边框区的信号线组3包括第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303。位于开孔区的绝缘层包括第一绝缘层13、第二绝缘层16和无机绝缘层18。其中，第一绝缘层13和第二绝缘层16也称之为栅绝缘层(GI)，无机绝缘层18也称之为层间绝缘层(ILD)，无机绝缘层18为无机绝缘层。
(6)形成第一有机绝缘层图案。形成第一有机绝缘层图案包括：在形成前述图案的基底上涂覆第一有机薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺，使第一有机薄膜在显示区和边框区的第一隔离区形成第一有机绝缘层21图案，第一有机绝缘层21图案在显示区覆盖源电极19和漏电极20，第一有机绝缘层21图案在边框区覆盖第三信号线组303。第一有机绝缘层21 开设有第二过孔和两个间隔设置的第一槽体23，第一槽体23包括至少一个侧壁以及底壁。位于边框区的信号线组3在基底10的正投影位于两个第一槽体23底壁在基底10正投影之间。两个第一槽体23暴露出边框区上的无机绝缘层18。在第一有机绝缘层21上涂覆第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，在显示区形成连接电极22，连接电极22通过第二过孔与漏电极20连接，如图11所示。其中，边框区中第二隔离区的第一有机薄膜被刻蚀掉，暴露出第二隔离区上的无机绝缘层18。
(7)形成第二有机绝缘层图案。形成第二有机绝缘层图案包括：在形成前述图案的基底上涂覆第二有机薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺，使第二有机薄膜在显示区的第一有机绝缘层21和边框区中第一隔离区的第一有机绝缘层21上形成第二有机绝缘层24图案，以及在边框区中第二隔离区的无机绝缘层18上形成至少一个间隔设置的隔离柱25，相邻隔离柱25之间形成第四隔离槽4，显示区的第二有机绝缘层24中开设有第三过孔41，第三过孔41暴露出连接电极22。边框区中第一隔离区的第二有机绝缘层24在两个第一槽体23处被去除，形成两个第一隔离槽1，两个第一隔离槽1均暴露出边框区上的无机绝缘层18。第一有机绝缘层21和第二有机绝缘层24均被两个第一隔离槽1隔断。两个第一隔离槽1可以分别为第一边缘槽101和第二边缘槽102。第一信号线组301、第二信号线组302和第三信号线组303在基底10上的垂直投影位于第一边缘槽101底壁在基底10正投影与第二边缘槽102底壁在基底10正投影之间。第二有机绝缘层24中形成第二隔离槽2，第二隔离槽2在基底10的正投影位于第一边缘槽101在基底10正投影与第二边缘槽102在基底10正投影之间，如图12所示。
(8)形成第二隔离槽以及第三隔离槽图案。形成第二隔离槽以及第三隔离槽图案包括：在形成前述图案的基底上，涂覆阻挡层材料，通过掩膜曝光显影的光刻工艺，形成覆盖第一隔离区的第一阻挡层37以及覆盖第二隔离区的第二阻挡层40，第一阻挡层37覆盖第一隔离槽1的侧壁和底壁，第二阻挡层40覆盖隔离柱25。通过刻蚀工艺，在第一隔离区上的第二有机绝缘层24中形成第二隔离槽2，且第一阻挡层37凸出第二隔离槽2的 侧壁，形成第一底切结构；在第二隔离区上的隔离柱25中形成第三隔离槽5，且第二阻挡层40凸出第三隔离槽5的侧壁，形成第二底切结构；第三隔离槽5与第四隔离槽4沿着靠近开孔区的方向交替排布，如图13所示。
(9)形成阳极图案。形成阳极图案包括：在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在显示区形成阳极27图案，阳极27通过第三过孔与连接电极22连接，如图14所示。其中，阳极27仅形成在显示区域，边框区和开孔区的透明导电薄膜被刻蚀掉。透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
(10)形成像素定义层。形成像素定义层包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义材料，使像素定义材料在显示区形成像素定义层30，使像素定义材料在边框区中第一隔离区的第一阻挡层37上形成隔离坝6。显示区的像素定义层中设置有像素开口，像素开口暴露阳极27，如图15所示。
(11)形成发光层和阴极图案。形成发光层和阴极图案包括：在形成前述图案的基底上依次形成有机发光材料及阴极金属薄膜，形成发光层28和阴极图案。在显示区，发光层28与像素定义层限定出的像素开口区域内的阳极27连接，阴极设置在发光层28上。在边框区，发光层28和阴极在第二隔离槽2以及第三隔离槽5的底切结构处覆盖性差，发光层和阴极28在第二隔离槽2以及第三隔离槽5处发生断开，从而将发光层和阴极28在显示区与开孔区之间进行隔断，防止开孔区周围的水氧沿着发光层进入显示区，提高了器件的使用寿命，如图16所示。其中，发光层28主要包括发光层(EML)。实际实施时，发光层可以包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，提高电子和空穴注入发光层的效率，阴极可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金。
(12)形成封装结构图案。形成封装结构图案包括：在形成前述图案的基底上先沉积第一无机薄膜，第一无机薄膜覆盖显示区、边框区和开孔区，形成第一无机材料层381图案。随后，在显示区和边框区中第一隔离区的第二有机绝缘层24上形成有机材料层383，有机材料层383被第一隔 离区的隔离坝6隔断。随后，沉积第二无机薄膜，第二无机薄膜覆盖显示区、边框区和开孔区，形成第二无机材料层382图案，如图17所示。其中，第一无机材料层381、有机材料层383和第二无机材料层382形成封装结构38。
(13)形成保护层图案。形成保护层图案包括：在形成前述图案的基底上沉积保护层材料，至少部分保护层材料覆盖边框区，形成保护层33，保护层33将边框区中第二隔离区填平。随后，在保护层33上形成缓冲层34，缓冲层34靠近开孔区一侧可以设置有缺口35。保护层33能够填平封装结构形成的段差，保证后续形成遮光层的平整性，如图18所示。其中，缓冲层34可以包括无机绝缘材料，例如可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
(14)形成遮光层图案。形成遮光层图案包括：在形成前述图案的基底上沉积遮光材料薄膜，通过构图工艺对遮光材料薄膜进行构图，在保护层33上形成遮光层36图案，遮光层36将缺口填充，如图19所示。
(15)最后，通过激光等相关工艺将开孔区的各个结构膜层和基底刻蚀掉，形成本公开实施例开设有开孔区的OLED显示基板，如图2所示。实际实施时，可以将开孔区的各个结构膜层和基底全部刻蚀掉，形成通孔，也可以将开孔区的部分结构膜层刻蚀掉，形成盲孔，根据实际需要确定，本公开实施例不做具体限制。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，也可以为具有VR、AR和3D显示功能的产品或部件。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。
Claims (19)
- 一种显示基板，包括显示区、开孔区以及位于所述显示区与开孔区之间的边框区，所述边框区至少包括第一隔离区，所述第一隔离区包括基底、设置于所述基底上至少一个无机绝缘层、设置于所述至少一个无机绝缘层远离所述基底一侧的至少一个有机绝缘层以及设置于所述至少一个有机绝缘层远离所述基底一侧的封装结构，所述封装结构至少包括一个有机材料层，显示基板包括至少两个第一隔离槽，所述至少两个第一隔离槽贯穿所述至少一个有机绝缘层，所述至少两个第一隔离槽至少包括第一边缘槽和第二边缘槽，其底壁在所述基底的正投影与所述有机材料层在所述基底的正投影交叠的第一隔离槽中，最靠近所述显示区一侧的第一隔离槽为所述第一边缘槽，其底壁在所述基底的正投影与所述有机材料层在所述基底的正投影不交叠的第一隔离槽中，最靠近所述显示区一侧的第一隔离槽为所述第二边缘槽，所述显示基板还包括设置于所述基底上的至少一个信号线组，所述至少一个信号线组在所述基底的正投影位于所述第一边缘槽底壁在所述基底正投影与所述第二边缘槽底壁在所述基底正投影之间。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一隔离区包括层叠设置的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层，所述第一隔离槽贯穿所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一隔离槽包括至少一个侧壁以及底壁，至少一个所述第一隔离槽的至少一个侧壁和底壁上设置有第一阻挡层。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述至少一个有机绝缘层中还设置有至少一个第二隔离槽，所述至少一个第二隔离槽具有第一底切结构，所述第一隔离区还包括设置于至少一个有机绝缘层上的发光层，所述第二隔离槽将所述发光层隔断。
- 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述至少一个第二隔离槽在所述基底的正投影与所述有机材料层在所述基底的正投影交叠。
- 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述至少一个第二隔离槽在 所述基底的正投影位于所述第一边缘槽在所述基底正投影与所述第二边缘槽在所述基底正投影之间。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一隔离区还包括至少一个隔离坝，所述至少一个隔离坝设置于所述至少一个有机绝缘层远离所述基底一侧，所述隔离坝在所述基底的正投影位于所述第一边缘槽在所述基底的正投影与所述第二边缘槽在所述基底正投影之间，所述封装结构包括依次层叠设置的第一封装材料层、第二封装材料层和第三封装材料层，所述第一封装材料层和所述第三封装材料层均采用无机材料，所述第二封装材料层包括至少一层有机材料层，所述隔离坝将所述至少一层有机材料层与所述开孔区隔断。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述边框区还包括第二隔离区，所述第二隔离区位于所述第一隔离区与所述开孔区之间，所述第二隔离区包括至少两个隔离柱，相邻所述隔离柱之间形成有第三隔离槽，所述第三隔离槽具有第二底切结构。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，相邻所述隔离柱之间还形成有第四隔离槽，所述第四隔离槽包括至少一个侧壁以及底壁，至少一个所述第四隔离槽的至少一个侧壁和至少一个底壁上设置有第二阻挡层。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述隔离柱与所述至少一个有机绝缘层同层设置。
- 根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述第一隔离槽包括至少一个侧壁以及底壁，至少一个所述第一隔离槽的至少一个侧壁和至少一个底壁上设置有第一阻挡层，所述第一阻挡层与所述第二阻挡层同层设置。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述封装结构远离所述基底一侧设置有保护层，至少部分所述保护层覆盖所述第二隔离区。
- 根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述第二隔离区中保护层远离所述基底一侧的表面到所述基底靠近所述封装结构一侧表面之间的厚度与所述显示区中所述封装结构远离所述基底一侧的表面到所述基底靠近所述封装结构一侧表面之间的厚度的比值为0.8-1.2。
- 根据权利要求13所述的显示基板，其中，还包括遮光层，所述遮光层位于所述保护层远离所述基底一侧。
- 根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述遮光层采用金属层或不透光的黑色有机涂层或黑色无机涂层。
- 根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述遮光层与所述保护层之间设置有缓冲层。
- 根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述缓冲层靠近所述开孔区一侧设置有缺口，所述遮光层填充所述缺口中。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一隔离区包括层叠设置的至少两个信号线组，所述至少两个信号线组互相绝缘，所述至少两个信号线组在所述基底的正投影至少部分交叠。
- 一种显示装置，包括权利要求1至18任一所述的显示基板。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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