CN117980826A - Euv照明设备和设计用于在euv中操作的微光刻投射曝光设备的操作方法 - Google Patents
Euv照明设备和设计用于在euv中操作的微光刻投射曝光设备的操作方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明有关于一种EUV照明设备和一种设计用于在EUV中操作的微光刻投射曝光设备的操作方法。EUV照明设备包含第一反射部件、第二反射部件以及交换装置，在光学射束路径中的该第一反射部件和该第二反射部件通过该交换装置可彼此交换，其中偏振度定义为s偏振辐射和p偏振辐射的反射率之间的比率，该第一反射部件的偏振度大于该第二反射部件的偏振度至少1.5倍。
Description
相关申请的交叉引用
本申请主张于2021年9月21日申请的德国专利申请案第DE10 2021 210492.4号的优先权。此申请案的内容通过引用并入本文供参考。
技术领域
本发明有关一种EUV照明设备和一种设计用于在EUV中操作的微光刻投射曝光设备的操作方法。
背景技术
微光刻用于生产微结构部件，诸如，例如集成电路或LCD。微光刻制程在所谓的投射曝光设备中进行，该投射曝光设备包含一照明装置以及一投射镜头。借助于照明装置照明的掩模(掩模版)的像在此通过投射镜头投射到涂覆一光敏层(光刻胶)并配置在投射镜头的像平面中的基板(例如，硅晶片)上，以将掩模结构转印到基板的光敏涂层上。
在为EUV范围设计的投射镜头中，即在例如约13nm或约7nm的波长下，由于缺乏合适的透光折射材料的可用性，使得反射镜被用作成像过程的光学部件。
在投射曝光设备的操作期间，需要以有目标性的方式在照明装置中设置光瞳平面和/或掩模版中的特定偏振分布，用于优化成像对比度，还能够在投射曝光设备的操作期间进行偏振分布的改变。因此，当考虑数值孔径(NA)值相对较大的情况下的所谓矢量效应时，使用s偏振辐射可有利于获得尽可能高的图像对比度，特别是在用于对某些结构进行成像的投射曝光设备的情况下。
然而，在投射曝光设备的操作期间，实际中也出现使用非偏振辐射比使用偏振辐射的操作更为有利的情况。例如，如果在光刻制程范围内要成像的结构不是线性结构或以其他方式定义较佳指向的结构，而是没有较佳取向的结构(例如，接触孔)，那么即使对于高数值孔径(NA)的值也可能是这种情况。在稍后情况下，线性偏振辐射的使用不仅没有产生优势，而且由于引起非预期的不对称性，甚至可能是更为不利的状况。
进一步的相关情况实际上也就是所使用的EUV源(例如，等离子体源)最初产生的非偏振辐射，原则上和常规一样伴随着辐射通量的损失，特别是由于相应不需要的偏振分量所需的输出耦合，当提供偏振辐射时，这又会损害投射曝光设备的性能。
因此，如果考虑到前述方面，实际还需要能够根据投射曝光设备的操作情境，在使用偏振辐射的操作模式与使用非偏振辐射的操作模式之间切换，尤其取决于每种状况下要成像的结构。
然而，由于以下事实，在设计用于EUV操作的投射曝光设备中，这种转换的实施变得更加困难：首先，从实际角度来看，应保持适用于光束进入照明装置或光束从照明装置出射的光束几何形状，其次，在相关的EUV波长范围内没有合适的透射偏振光学部件，诸如分束器。然而，基于布鲁斯特角(Brewster angle)以下反射的偏振操作(如在EUV范围内可用)伴随着引入一个或多个额外的光束偏转，如果同时确保不变的光束几何形状，又会导致显著的光损失。
有关现有技术，参考例如专利案DE 10 2008 002 749 A1、DE 10 2018 207410A1和M.Y.Tan等人的公开案：OPTICS EXPRESS Vol.17,No.4(2009),pp.2586-2599，“利用优化函数设计用于软X射线的透射多层偏振器(Design of transmission multilayerpolarizer for soft X-ray using a merit function)”。
发明内容
针对前述背景技术，本发明的一目的是提供一种设计用于EUV操作的微光刻投射曝光设备的EUV照明设备，以及一种用于操作设计用于EUV操作的微光刻投射曝光设备的方法，这有助于在使用偏振辐射的操作和不使用偏振辐射的操作之间进行无传输损耗的灵活切换。
该目的根据独立权利要求1的特征来实现。
一种微光刻投射曝光设备的EUV照明设备，该微光刻投射曝光设备设计用于在该EUV中的操作，其包含：
-第一反射部件；
-第二反射部件；以及
-交换装置，在光学射束路径中的该第一反射部件和该第二反射部件通过该交换装置可彼此交换；
-其中，偏振度定义为s偏振辐射和p偏振辐射的反射率之间的比率，该第一反射部件的偏振度大于该第二反射部件的偏振度至少1.5倍。
在本发明的含义内，照明设备被理解为指一光学***，该光学***凭借被适当整形后的真实或虚拟光源的辐射以限定的空间和角度分布来照明掩模版。在多个实施例中，尤其是根据本发明的EUV照明设备可经由收集器接收等离子体辐射(即，真实光源)。在进一步的实施例中，EUV照明设备也可接收来自中间焦点(即，虚拟光源)的辐射。
特别是，本发明基于在EUV照明设备中实施偏振操作模式和非偏振操作模式之间的灵活切换的概念，这取决于应用场景和每种情况下在光刻制程中要成像的结构，通过将位于照明设备的光学射束路径中的反射部件更换为具有相同表面几何形状但具有不同反射层***的另一反射部件，该转换避免了额外的射束偏转。
根据本发明，提供两个不同、彼此可互换的反射部件，如下述，这两个反射部件在其对s和p偏振辐射的光谱反射轮廓方面不同，但在其表面几何形状方面彼此对应，这具有以下结果：即使为了在偏振和非偏振操作之间的切换(即，偏振和非偏振照明设备之间的变化)而将一个部件更换为另一部件之后，照明设备内的光学射束路径的整体几何形状也保持不变，且因此不需要额外的射束偏转，射束偏转会伴随不必要的光损失。
在这情况下，本发明特别基于发明人在综合模拟调查的基础上获得的见解，即分别适用于s和p偏振辐射并且由根据本发明已彼此交换的相应部件的相应反射层***提供的光谱反射分布，可以通过适当的调整(例如，形成反射层***的层堆叠的各个层的厚度缩放)以有针对性的方式相对于整个光学***的相关“传输间隔(transmission interval)”(即，特别是光学射束路径中照明设备的下游光学部件)移动。
适用于s和p偏振辐射的光谱反射分布的这种有目的性的调整或偏移可以依次实现，特别是使得，对于在照明设备或投射曝光设备的“偏振操作”中使用的反射部件，是适用于s偏振辐射的光谱反射轮廓，而不是适用于p偏振辐射的具有相应最大反射率值的光谱反射轮廓，位于光学***的所述传输间隔内。相较之下，可以对于照明设备或投射曝光设备的“非偏振操作”中使用的反射部件实施适用于s和p偏振辐射的光谱反射曲线的目标调整或偏移，使得两个光谱反射曲线的最大反射率值(即，p偏振辐射的光谱反射曲线和s偏振辐射的光谱反射曲线)位于所述传输范围内。
根据一实施例，波长λ0作为平均波长存在于宽度为Δλ0的特定波长间隔[(λ0-Δλ0/2)，(Δλ0+Δλ0/2)]中，使得该第一反射层***满足以下条件：
(λ0-Δλ0/2)≥λ1sl，(Δλ0+Δλ0/2)≤λ1sr
以及
(λ0-Δλ0/2)≤λ1pl或(Δλ0+Δλ0/2)≥λ1sr
其中，在第一反射层***的反射轮廓(r1s(λ)，r1p(λ))中，λ1sl和λ1pl表示最短波长，且λ1sr和λ1pr表示最长波长，针对所述波长，在每种情况下，分别以为最大反射率的至少50％的反射率来反射s偏振辐射和p偏振辐射。
根据一个实施例，波长Δλ0作为平均波长存在于宽度为Δλ0的特定波长间隔[(λ0-Δλ0/2)，(λ0+Δλ0/2)]中，使得该第二反射层***满足以下条件：
(λ0-Δλ0/2)≥λ2sl，(λ0+Δλ0/2)≤λ2sr
以及
(λ0-Δλ0/2)≥λ2pl，(λ0+Δλ0/2)≤λ2pr
其中，在第二反射层***的反射轮廓(r2s(λ),r2p(λ))中，λ2sl和λ2pl表示最短波长，且λ2sr和λ2pr表示最长波长，针对所述波长，在每种情况下，分别以为最大反射率的至少50％的反射率来反射s偏振辐射和p偏振辐射。
类似于前述考虑，EUV照明设备也有可能用于波长间隔其被定义为：传输率为该EUV照明设备的最大传输率的至少50％，根据一实施例，Δλ0介于/>和/>之间。
投射曝光设备的指定传输范围[(λ0-Δλ0/2)，(λ0+Δλ0/2)]与单纯照明设备的传输范围不同，因为传输范围变得越窄，反射镜处发生的反射就越多。传输范围的宽度大约随着反射次数的平方根减小。在常规情况下，总反射次数的1/2与1/4之间的一小部分发生在照明设备中，因此，所述传输范围的宽度在照明设备传输范围的宽度的/>和1/2之间。
在本发明的实施例中，第一和第二反射部件可为分面镜，特别是具有多个光瞳平面的光瞳分面镜或具有多个场平面的场分面镜。在进一步的实施例中，第一反射部件和第二反射部件两者也可包含分面镜(特别是光瞳分面镜或场分面镜)的至少一个镜分面。
在进一步实施例中，第一和第二反射部件也可包含镜面反射镜的至少一个微镜。
在进一步实施例中，第一和第二反射部件各自可为聚光镜。
此外，本发明也有关一种设计用于在EUV中操作的微光刻投射曝光设备的操作方法，其中使用照明设备对投射镜头的物平面进行照明，且其中使用投射镜头将物平面成像到投射镜头的像平面中，其中，位于照明设备的光学射束路径中的具有第一反射层***的第一反射部件被交换为具有第二反射层***的第二反射部件，用于在偏振操作模式和非偏振操作模式之间切换，并且其中偏振度定义为s偏振辐射和p偏振辐射的反射率之间的比率，该第一反射部件的偏振度大于该第二反射部件的偏振度至少1.5倍。
可从说明书和从属权利要求中明白本发明的进一步构造。
以下基于附图中所示的示例性实施例以更详细解释本发明。
附图说明
图1a至图1d示出用于阐明s偏振和p偏振的不同反射率值的示图，这些值可通过改变反射层***的层参数获得；
图2示出对应于光学***的示例性传输间隔的、常规的与波长相关的强度分布；
图3a至图3b示出两个不同反射层***的反射率随波长变化的曲线，在每种情况下是针对s偏振和p偏振；
图4a至图4b示出两个不同反射层***在更大波长范围内的反射率的相应波长相关分布图；
图5示出用于解释在本发明中使用的术语的图；
图6a至图6f示出针对示例性入射角显示周期性层***的层厚度的示图，其中，对于rs的整个范围，在每种情况下表示具有最小和最大rp的层；
图7a至图7h示出其中针对示例性周期性或非周期性层堆叠可获得的rs-rp示图中的区域被表示为入射角的函数的图；
图8示出了原则上可能的照明设备的结构的示意性简化表示；
图9示出了用于阐明本发明在光瞳分面镜中的示例性实现的示意图；
图10示出了用于阐明本发明在光瞳分面镜的部分中的进一步可能实施的示意图；
图11示出了用于阐明在光瞳分面镜的各个光瞳中进一步可能的实施的示意图；
图12a至图12b示出了用于解释本发明在场分面镜中的进一步可能实施的示意图；以及
图13示出设计用于EUV操作的投射曝光设备的基本可能结构的示意图。
具体实施方式
下面描述的本发明的实施例的共同点是以下基本概念：提供具有不同光谱反射轮廓的反射光学部件，使得对于特定的波长间隔，两个部件中的一者适用于偏振操作模式，两个部件中的另一者适用于非偏振操作模式。在该情况下，前述波长间隔可尤其为相应光学***(例如，微光刻投射曝光设备的照明设备)的传输间隔，本发明的反射光学组件的目标是针对该传输间隔，并且该传输间隔通常由光学***中存在的其余光学部件的反射轮廓来判定(特别是与光学射束路径相关的下游光学部件)。
以下首先参考图1至图5中的图来解释，以分别针对偏振和非偏振操作的根据本发明的反射光学部件各自的反射层***的前述目标性调整为基础的原则。
原则上，对于特定入射角和特定电磁辐射波长光谱的特定反射层***，包含s偏振辐射的反射率的特定值rs和p偏振辐射的反射率的特定值rp。因此，根据图1a，反射层***可以表示为rs-rp图表中的单一点。
对于反射层***中各个层的特定材料，rs和rp的值依次取决于相应层厚度，因此可以通过改变这些层厚度来提供具有不同值对(rs,rp)的反射层***。因此，例如根据图1b，在每种情况下提供具有不同值对(rs,rp)的多个对应反射层***都能覆盖rs-rp图表中的某个区域。在rs-rp图表中这个“可获得区域”的具体设计又可以通过改变反射层***内各个层的材料组合来改变，为此，图1c示出在rs-rp图表中可获得区域的示例性的进一步可能形状。
因此，如果在所提供的反射层***的多重性之上，各个层的相应不同材料组合被允许或存在于该多重性中，根据图1d出现相关可获得区域的相应联合。
因此，原则上，在rs-rp图表中适当选择定义点，其进而对应一唯一定义的层结构，可以根据预期用途或操作模式进行选择，并且在仿真多个反射层***或由此形成的反射光学部件之后，在必要时可以更换相应制造的反射光学部件。再次，根据使用情境，这种选择可交替进行，以最大化由反射层***提供的总反射率或提供一定程度的偏振(对应于s偏振辐射和p偏振辐射分别获得的反射率的比值)。
在这情况下应该观察到的是最终以实践为导向或位于可获得区域的相应边缘的优选值对(rs,rp)，例如根据图1b-1d。这些情况可追溯到以下事实，位于由所述边缘包围的区域内的rs-rp图中的点因此通常不是优选的，因为在每种情况下可以很容易地找到直接位于所述区域边缘的点或相应的值对(rs,rp)，对于相同的偏振度，其具有更高的整体反射率或者对于相同的反射率产生更高程度的偏振。
本发明使用的反射层***可为周期性和非周期性层***两者。为针对s偏振辐射和p偏振辐射两者提供不同的光谱反射轮廓，现将相应的层设计进行适当变化，结果是相关传输间隔中相应反射率rs和rp的波长相关分布最终具有分别用于偏振或非偏振操作的适合形状。
图2最初示出了EUV辐射源的光谱辐射通量的常规形状。曲线在波长范围之外被截断，当考虑其余光学部件的相应光谱反射曲线时，实际上也到达了光学***或照明装置中的像平面或晶片平面。由于光学***或照明装置的光谱传输曲线通常仅渐进地趋近于零，因此只能在每种情况下大致指定两个截断波长。
图5显示了光谱反射轮廓r(λ)的示图。在此，最大反射率rm发生在波长λm。反射辐射的最短波长表示为λl，其反射率为最大反射率的至少50％。反射辐射的最长波长表示为λr，其反射率为最大反射率的至少50％(对应于rm/2的反射率)。
图3a至图3b现在示出两个示例性反射层***的s偏振和p偏振的反射率其各自的波长相关曲线(本例中的非周期性钼-硅层***)。在这情况下，从多种模拟层设计中选择出相关的多层设计，使得：根据图3a对于反射层***来说获得的p偏振辐射的反射率rp是最小值，根据图3b则对于反射层***来说获得的p偏振辐射的反射率rp是最大值。从图3a与图3b的比较中可很容易看出波长相关反射率的性质不同的曲线，在相对较大波长范围内的相应考虑中，根据图4a至图4b，现从其实际相关性而变得明显。
从图4a至图4b可以明显看出，分别针对s偏振和p偏振获得的反射率峰值具有不同的宽度，根据预期，与p偏振的峰值相比，s偏振的反射率的波长相关曲线中的峰值具有更大的宽度。关于适用于p偏振的反射率rp的前述两个“极端”层设计现在通过利用该情况实现的是两个峰值(即，对于s偏振和p偏振)位于根据图4b的反射层***的传输间隔内，根据图4a，s偏振而非p偏振的最大反射率值位于反射层***的传输区间内(对于p偏振，反射率曲线相应峰值的下降斜率反而位于根据图4a的传输间隔内)。
因此，与根据图4b的反射层***相比，根据图4a的反射层***对入射电磁辐射具有明显更强的偏振效应。换句话说，根据图4a的反射层***适用于具有偏振辐射的操作模式并且根据图4b的反射层***适用于具有非偏振辐射的操作模式。
现根据本发明的前述概念在非周期性多层***形式的反射层***中的实现允许通过改变层设计相互独立影响波长相关反射率分布中相应峰值的宽度和位置两个参数。对于特定的层设计，s-偏振和p-偏振的相应值是相关的，因此s偏振和p偏振的峰值的宽度和位置不能完全彼此独立地来选择。然而，如基于图4a至图4b所解释的，这也不是必需的。相较之下，当以周期性层***形式的反射层***实现本发明时，该周期性层***具有特定数量的两个不同层材料(“双层”)的交替周期序列，基本上可自由选择仅峰值的位置，而峰值的宽度只能在有限的范围内受到影响。
表1-4以示例方式表示非周期性层设计，准确地说是针对由钼硅(MoSi)或钌硅(RuSi)制成的***。对于固定rs＝0.7，每种情况下，表分别指定了具有最大和最小rp的层设计。
对于示例性入射角，图6a至图6h示出周期性层***的层厚度。在这情况下，分别针对rs的整个范围描绘具有最小和最大rp的层。图6a和6d分别示出rp的极端可实现值。图6b和6e分别示出各个层的厚度：最大rp的硅厚度由长划线表示。最大rp的钼或钌的厚度由短划线表示。最小rp的硅厚度由虚线表示。最小rp的钼或钌厚度由带短划线和两个点的线表示。图6c和6f示出各自的周期厚度，也就是说两个单独的厚度(钼和硅或钌和硅)的总和。
图7a至图7h示出MoSi或RuSi通过周期性或非周期性层堆叠可实现的rs-rp示图中的范围，作为入射角的函数。可相互交换的两种成分不需要在材料组合(MoSi或RuSi)和/或结构(周期性或非周期性序列)方面一致。特别是对于与0°相差很大的角度以及布鲁斯特角约为45°，rs-rp示图中的可用选择范围大得惊人。
表1：
(RuSi；入射角60°；rs＝0.7；rp为最小值
层1的硅层直接位于基板上。层50的钌层形成EUV使用辐射的入射面。)
表2：
(RuSi；入射角60°；rs＝0.7；rp为最大值
层1的硅层直接位于基板上。层50的钌层形成EUV使用辐射的入射面。)
表3：
(MoSi；入射角25°；rs＝0.7；rp为最小值
层1的硅层直接位于基板上。层50的钼层形成EUV使用辐射的入射面。)
/>
/>
表4：
(MoSi；入射角25°；rs＝0.7；rp为最大值
层1的硅层直接位于基板上。层50的钼层形成EUV使用辐射的入射面。)
/>
/>
根据本发明的以下概念原则上可针对光学***或照明设备的不同部件来实现：为了在“偏振”和“非偏振”之间改变操作模式，将位于光学射束路径中的至少一个反射部件更换为在其表面几何形状方面对应但在存在的反射层***方面不同的部件，。
图8最初始示出为在EUV波长范围内操作而设计出的微光刻投射曝光设备的照明设备的可能基本结构的示意性简化示意图。在这情况下，在聚光镜803处的反射之后经由中间焦点801，利用EUV辐射源802(例如，等离子体源)产生的EUV辐射到达具有多个可独立调节的场分面(例如，用于设置不同的照明设定)的场分面镜810。EUV辐射从场分面镜810入射到光瞳分面镜820上，并且从光瞳分面镜820入射到掩模版830上，掩模版830位于投射镜头(图8未示出)的物平面中，该投射镜头设置在光学射束路径上。
本发明不限于图8所示的照明设备的结构。因此，在进一步的实施例中，例如以一个或多个偏转反射镜的形式的一个或多个附加光学元件也可配置在射束路径中。
以下仅参考图9至图12的示意性图示来解释本发明的“部件交换”的可能实施方式。
参考图9，最初，光瞳分面镜(在图9中由920表示)可整体更换为另一光瞳分面镜920'(根据根据本发明的概念，其与光瞳分面镜920的不同之处不在于其表面几何形状，而在于其光谱反射轮廓或反射层***)，以实施本发明的部件交换，为了在“偏振”和“非偏振”之间改变操作模式。这种实施方式为有利的，因为只需更换单个部件。
在一进一步实施例中，如图10所示，还可将光瞳分面镜1020的单独部分(由图10中的标号1021至1024所示)更换为其他部分(由图10中的标号1021’至1024’所示)中，相应的部分又包含多个光瞳分面。该实施例为有利的，因为要实现为可交换的元件的数量相对较少。如图11所示，在进一步的实施例中，光瞳分面镜1120的单个光瞳分面(例如，1121或1122)也可更换为另一光瞳分面1121'或1122'(其符合根据本发明的概念而被设计为具有相同的表面几何形状但不同的光谱反射轮廓或反射层***)。
就在前述实施例中参考光瞳分面镜而言，对于场分面镜也可有类似的实现。
图12a至图12b仅以示意图的形式示出本发明的部件互换的另一实施方案。在这情况下，最多三个场分面1250、1250'、1250"可配置在设计为滚轮的交换装置1260上，在从专利案DE102018207410A1已知的配置中，旋转该滚轮允许在所述场分面1250、1250'、1250"之间进行“切换”。通过倾斜旋转轴，选定的场分面1250、1250'或1250"也会倾斜，以将光瞳分面镜的期望光瞳分面照亮。在该情况下，根据本发明，位于公共滚轮上的三个场分面1250、1250'、1250"具有不同的反射层***。
参考图8，在一进一步变体中，反射层***可附接到聚光镜803。从专利案DE102013200368A1已知用于简化其高精度互换的聚光镜的优选实施例。
图13示出被设计用于在EUV中操作并且其中可以实现本发明的示例性投射曝光设备的示意图。根据图13，针对EUV设计的投射曝光设备1375中的照明装置1380包含一场分面镜1381(具有分面1382)和一光瞳分面镜1383(具有分面1384)。来自含有等离子体光源1386和聚光镜1387的光源单元1385的光被指向场分面镜1381。第一望远镜1388和第二望远镜1389配置在光瞳分面镜1383下游的光路径中。偏转反射镜1390配置在光路径的下游，所述偏转反射镜将入射到其上的辐射引导到投射镜头1395的物平面OP中的物场1391，该投射镜头包含六个反射镜M1-M6。借助于投射镜头1395(包含六个反射镜M1-M6)成像至像平面IP的反射结构支承掩模M配置在物场1391的位置。
尽管已经基于特定实施例描述了本发明，但是对于本领域技术人员来说，许多变化和替代实施例将是显而易见的，例如通过各个实施例的特征的组合和/或交换。因此，本领域技术人员应明白，这些变化和替代实施例也包含在本发明中，并且本发明的范围仅限制在权利要求以及其等同物的范围内。
Claims (11)
1.一种微光刻投射曝光设备的EUV照明设备，该微光刻投射曝光设备设计用于在EUV中的操作，包含：
第一反射部件；
第二反射部件；以及
交换装置，在光学射束路径中的该第一反射部件和该第二反射部件通过该交换装置能够彼此交换；
其中偏振度定义为s偏振辐射和p偏振辐射的反射率之间的比率，该第一反射部件的偏振度大于该第二反射部件的偏振度至少1.5倍。
2.如权利要求1所述的EUV照明设备，其特征在于，该第一反射部件和该第二反射部件各自包含分面镜中的至少一个镜分面，特别是光瞳分面镜(820、920、1020、1120)或场分面镜(810)。
3.如权利要求1所述的EUV照明设备，其特征在于，在每种情况中，该第一反射部件和该第二反射部件为分面镜，特别是具有多个光瞳分面的光瞳分面镜(820、920、1020、1120)或是具有多个场分面的场分面镜(810)。
4.如权利要求1所述的EUV照明设备，其特征在于，该第一反射部件和该第二反射部件各自包含镜面反射器的至少一个微镜。
5.如权利要求1所述的EUV照明设备，其特征在于，该第一反射部件和该第二反射部件各自是聚光镜(803)。
6.如前述权利要求中任一项所述的EUV照明设备，其特征在于，波长λ0作为平均波长存在于宽度为Δλ0的特定波长间隔[(λ0-Δλ0/2)，(λ0+Δλ0/2)]中，使得该第一反射层***满足以下条件：
(λ0-Δλ0/2)≥λ1sl，(λ0+Δλ0/2)≤λ1sr
以及
(λ0-Δλ0/2)≤λ1pl或(λ0+Δλ0/2)≥λ1pr，
其中，在该第一反射层***的反射轮廓(r1s(λ)，r1p(λ))中，λ1sl和λ1pl表示最短波长，且λ1sr和λ1pr表示最长波长，针对所述波长，在每种情况下，分别以为最大反射率的至少50％的反射率来反射s偏振辐射和p偏振辐射。
7.如前述权利要求中任一项所述的EUV照明设备，其特征在于，波长λ0作为平均波长存在于宽度为Δλ0的特定波长间隔[(λ0-Δλ0/2)，(λ0+Δλ0/2)]中，使得该第二反射层***满足以下条件：
(λ0-Δλ0/2)≥λ2sl，(λ0+Δλ0/2)≤λ2sr
以及
(λ0-Δλ0/2)≥λ2pl，(λ0+Δλ0/2)≤λ2pr，
其中，在该第二反射层***的反射轮廓(r2s(λ),r2p(λ))中，λ2sl和λ2pl表示最短波长，且λ2sr和λ2pr表示最长波长，针对所述波长，在每种情况下，分别以为最大反射率的至少50％的反射率来反射s偏振辐射和p偏振辐射。
8.如前述权利要求中任一项所述的EUV照明设备，其特征在于，波长λ0作为平均波长存在于宽度为Δλ0的特定波长间隔[(λ0-Δλ0/2)，(λ0+Δλ0/2)]中，使得该第一反射层***满足以下条件：
(λ0-Δλ0/2)≤λ1sl，(λ0+Δλ0/2)≤λ1sr
以及
(λ0-Δλ0/2)≤λ1pl或(λ0+Δλ0/2)≥λ1pr，
以及该第二反射层***满足以下条件：
(λ0-Δλ0/2)≥λ2sl，(λ0+Δλ0/2)≤λ2sr
以及
(λ0-Δλ0/2)≥λ2pl，(λ0+Δλ0/2)≤λ2pr，
其中，在该第一反射层***的反射轮廓(r1s(λ)，r1p(λ))和该第二反射层***的反射轮廓(r2s(λ)，r2p(λ))中，λ1sl、λ1pl、λ2sl和λ2pl表示相应的最短波长，且λ1sr、λ1pr、λ2sr和λ2pr表示相应的最长波长，针对所述波长，在每种情况下，分别以为最大反射率的至少50％的反射率来反射s偏振辐射和p偏振辐射。
9.如前述权利要求中任一项所述的EUV照明设备，其特征在于，对于波长间隔中的s偏振辐射，该EUV照明设备具有为该EUV照明设备的最大传输率的至少50％的传输率，其中Δλ0介于/>和/>之间。
10.一种微光刻投射曝光设备，包含照明设备(1380)和射镜头(1395)，其特征在于，该照明设备(1380)根据前述权利要求中任一项来配置。
11.一种设计用于在EUV中操作的微光刻投射曝光设备的操作方法，其中使用照明设备(1380)对投射镜头(1395)的物平面进行照明，且其中该物平面通过该投射镜头(1395)成像到该投射镜头(1395)的像平面中，其特征在于：
位于该照明设备(1380)的光学射束路径中的具有第一反射层***的第一反射部件被交换为具有第二反射层***的第二反射部件，用于在偏振操作模式和非偏振操作模式之间切换，其中偏振度定义为s偏振辐射和p偏振辐射的反射率之间的比率，该第一反射部件的偏振度大于该第二反射部件的偏振度至少1.5倍。
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