JPH04225359A - 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 - Google Patents

投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法

Info

Publication number
JPH04225359A
JPH04225359A JP2408095A JP40809590A JPH04225359A JP H04225359 A JPH04225359 A JP H04225359A JP 2408095 A JP2408095 A JP 2408095A JP 40809590 A JP40809590 A JP 40809590A JP H04225359 A JPH04225359 A JP H04225359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
pattern
fly
reticle
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2408095A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3049776B2 (ja
Inventor
Naomasa Shiraishi
直正 白石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2408095A priority Critical patent/JP3049776B2/ja
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to EP91310550A priority patent/EP0486316B1/en
Priority to EP99203179A priority patent/EP0967524A3/en
Priority to DE69132120T priority patent/DE69132120T2/de
Publication of JPH04225359A publication Critical patent/JPH04225359A/ja
Priority to US08/376,676 priority patent/US7656504B1/en
Priority to US08/488,409 priority patent/US6252647B1/en
Priority to US08/472,930 priority patent/US6211944B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3049776B2 publication Critical patent/JP3049776B2/ja
Priority to US09/960,952 priority patent/US20020033936A1/en
Priority to US10/073,937 priority patent/US6704092B2/en
Priority to US10/195,421 priority patent/US6665050B2/en
Priority to US10/202,007 priority patent/US6710855B2/en
Priority to US10/679,151 priority patent/US20040080733A1/en
Priority to US10/759,604 priority patent/US6885433B2/en
Priority to US10/759,603 priority patent/US6897942B2/en
Priority to US10/759,598 priority patent/US6967710B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70325Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
    • G03F7/70333Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体等の回路パター
ン又は液晶表示素子のパターン等の転写に使用される投
影型露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体等の回路パターン形成には、一般
にフォトリソグラフ技術と呼ばれる工程が必要である。 レチクル(マスク)パターンをウェハ等の試料基板上に
転写する方法が採用されている。試料基板上には感光性
のフォトレジストが塗布されており、照射影像、即ちレ
チクルパターンの透過部形状に応じて、フォトレジスト
に回路パターンが転写される。そして、投影型露光装置
では、レチクル上に描画された転写すべき回路パターン
が、投影光学系を介して試料基板(ウェハ)上に投影、
結像される。
【0003】また、レチクルを照明するための照明光学
系中には、フライアイレンズ、ファイバー等のオプチカ
ルインテグレータが使用されている。このオプチカルイ
ンテグレータは、レチクル上に照射される照明光の強度
分布を均一化するための手段である。この均一化を最適
に行うために、フライアイレンズを用いた場合、レチク
ル側焦点面とレチクル面とはほぼフーリエ変換の関係で
結ばれており、また、レチクル側焦点面と光源側焦点面
ともフーリエ変換の関係で結ばれている。従って、レチ
クルパターン面と、フライアイレンズの光源側の焦点面
(正確にはフライアイレンズの個々のレンズエレメント
の光源側の焦点面)とは、結像関係(共役関係)で結ば
れている。このため、レチクル上では、フライアイレン
ズの各エレメント(2次光源像)からの照明光がそれぞ
れ加算(重畳)されることで平均化され、レチクル上の
照度均一性を良好とすることが可能となっている。
【0004】従来の投影型露光装置では、上述のフライ
アイレンズ等のオプチカルインテグレータ入射面に入射
する照明光束の光量分布を、照明光学系の光軸を中心と
するほぼ円形内(あるいは矩形内)でほぼ一様となるよ
うにしていた。図13は、上述の従来の投影光学系を示
し、照明光束L81は、照明光学系中のフライアイレン
ズ11,空間フィルター12、及びコンデンサーレンズ
15を介してレチクルパターン17を照射する。ここで
、空間フィルター12はフライアイレンズ11のレチク
ル側焦点面11b、すなわちレチクル16に対するフー
リエ変換面(以後、瞳面と略す)、もしくはその近傍に
配置され、投影光学系の光軸AXを中心としたほぼ円形
領域の開口を有し、瞳面内にできる2次光源(面光源)
像を円形に制限する。こうしてレチクル16のパターン
17を通過した照明光は、投影光学系18を介してウェ
ハ20のレジスト層に結像される。ここで、光束を表す
実線は1点から出た光の主光線を表している。
【0005】このとき照明光学系(11,12,15)
の開口数と投影光学系18のレチクル側開口数の比、所
謂σ値は開口絞り(例えば空間フィルター12の開口径
)により決定され、その値は0.3〜0.6程度が一般
的である。照明光L81はレチクル16にパターニング
されたパターン17により回折され、パターン17から
は0次回折光D0 ,+1次回折光DP ,−1次回折
光Dm が発生する。夫々の回折光(D0 ,DP,D
m )は投影光学系18により集光されウェハ(試料基
板)20上に干渉縞を発生させる。この干渉縞がパター
ン17の像である。
【0006】このとき0次回折光D0 と±1次回折光
DP ,Dm のなす角θ(レチクル側)はsinθ=
λ/P(λ:露光波長、P:パターンピッチ)により決
まる。 パターンピッチが微細化するとsinθが大きくなり、
sinθが投影光学系18のレチクル側開口数(NAR
 )より大きくなると±1次回折光DP ,Dm は投
影光学系18の瞳面19をを通過できなくなる。
【0007】このときウェハ20上には0次回折光D0
  のみしか到達せず干渉縞は生じない。つまりsin
θ>NAR となる場合にはパターン17の像は得られ
ず、パターン17をウェハ20上に転写することができ
なくなってしまう。以上のことから、今までの露光装置
においては、sinθ=λ/P≒NAR となるピッチ
Pは次式で与えられていた。 P≒λ/NAR   (1) 最小パターンサイズはピッチPの半分であるから、最小
パターンサイズは、0.5×λ/NAR 程度となるが
、実際のフォトリソグラフィーにおいてはウェハの湾曲
、プロセスによるウェハの段差等の影響、又はフォトレ
ジスト自体の厚さのために、ある程度の焦点深度が必要
となる。このため、実用的な最小解像パターンサイズは
、k×λ/NAとして表される。ここでkはプロセス定
数と呼ばれ0.6〜0.8程度となる。レチクル側開口
数NAR とウェハ側開口数NAW との比は、投影光
学系の結像倍率と同じであるので、結像倍率を1/5と
した時のレチクル上における最小解像パターンサイズは
k×λ/NAR 、ウェハ上における最小解像パターン
サイズはk×λ/NAW =k×λ/5NAR となる
【0008】従って、より微細なパターンを転写するた
めには、より短い波長の露光光源を使用するか、或いは
より開口数の大きな投影光学系を使用するかを選択する
必要があった。もちろん、波長と開口数の両方を最適化
する努力も考えられる。また、レチクルの回路パターン
の透過部分のうち、特定の部分からの透過光の位相を他
の透過部分からの透過光の位相よりπだけずらす、所謂
位相シフトレチクルが特公昭62−50811号公報等
で提案されている。この位相シフトレチクルを使用する
と従来よりも、より微細なパターンの転写が可能となる
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
露光装置においては、照明光源を現在より短波長化する
ことは、透過光学部材として使用可能な適当な光学材料
が存在しない等の理由により困難であった。短波長の光
の透過率が高い石英をレチクルブランクとして使用した
としても、波長200nm以下では、透過率が低下して
くる。
【0010】また投影光学系の開口数は、現状でも既に
理論的限界に近く、これ以上の大開口化はほぼ望めない
状態であった。また、もし現状以上の大開口化が可能で
あるとしても、±λ/2NA2 で表される焦点深度は
開口数の増加に伴って急激に減少し、実使用に必要な焦
点深度がますます少なくなるという問題が顕著になって
くる。
【0011】一方、位相シフトレチクルについては、そ
の製造工程が複雑であり、従ってコストも高く、また検
査及び修正方法も未だ確立されていないなど多くの問題
が残されており、昨今の早急な微細化要求に確実に対応
できるか不安視されている。本発明は上記問題点に鑑み
てなされたもので、通常のレチクルを使用して高解像度
、且つ大焦点深度が得られる投影型露光装置の実現を目
的とする。
【0012】
【課題を解決する為の手段】本発明の投影型露光装置に
おいては、原理的に図12に示すように構成される。図
12において図13と同じ部材には同一の符号を付して
ある。図12においてフライアイレンズ11の光源側焦
点面11a近傍に設けられた空間フィルター10は、フ
ライアイレンズ11に入射する照明光束L70を、フラ
イアイレンズ11の光源側焦点面(入射面)11aの特
定の位置に入射するものに制限する。このため、フライ
アイレンズ11のレチクル側焦点面11bに形成される
2次光源像も、ほぼフライアイレンズ11の光源側焦点
面11aに入射する照明光に従ったものとなる。ここで
、空間フィルター10の透過部分はマスク上のパターン
に応じた分だけ照明光学系もしくは投影光学系の光軸か
ら偏心した位置に設けられている。また、空間フィルタ
ー10等の光学部材の透過部分の位置、形状を変更する
ことにより、フライアイレンズ11の光源側焦点面11
a上に入射する照明光を可変とすることができる。従っ
て、フライアイレンズ11のレチクル側焦点面11b上
における2次光源像の位置、大きさも可変とすることが
できる。また、フライアイレンズ11のレチクル側焦点
面11bは、レチクルパターン17に対してほぼフーリ
エ変換面(投影レンズ18の瞳面19と略共役な面)と
なっており、このフーリエ変換面上での2次光源像の位
置、大きさを可変とすることとなる。また、2次光源像
のレチクル側焦点面11b(瞳面19)内での位置は、
レチクル16に入射する光束の入射角度や方向を決定す
るので、本発明における投影型露光装置においては、レ
チクル16に入射する照明光束の入射角度ψや方向をほ
ぼ任意に制御することが可能である。
【0013】
【作  用】レチクル(マスク)上に描画された回路パ
ターン(レチクルパターン)17は、一般に周期的なパ
ターンを多く含んでいる。従って、空間フィルター10
の透過部を透過した照明光が照射されたレチクルパター
ン17からは、0次回折光成分D0 及び±1次回折光
成分DP ,Dm 、及びさらに高次の回折光成分がパ
ターンの微細度に応じた方向に発生する。
【0014】このとき、図12のごとく照明光束L71
(主光線)が光軸AXに対して角度ψだけ傾いた角度で
フォトマスクに入射するから、発生した各次数の回折光
成分も垂直に照明された場合に比べ、傾き(角度ずれ)
をもってレチクルパターン17より発生する。照明光L
71はレチクルパターン17により回折され光軸AXに
対してψだけ傾いた方向に進む0次回折光成分D0 ,
 0次回折光成分D0 に対してθP だけ傾いた方向
に進む+1次回折光成分DP ,及び0次回折光成分D
0 に対してθm だけ傾いて進む−1次回折光成分D
m を発生する。 しかしながら、照明光L71は両側テレセントリックな
投影光学系18の光軸AXに対して角度ψだけ傾いてレ
チクルパターン17に入射するので、0次回折光成分D
0 もまた投影光学系の光軸AXに対して角度ψだけ傾
いた方向に進行する。
【0015】従って、+1次光回折光成分DP は光軸
AXに対してθP +ψの方向に進行し、−1次回折光
成分Dm は光軸AXに対してθm −ψの方向に進行
する。このとき回折角θP ,θm は夫々、 sin(θP +ψ)−sinψ=λ/P  (2)s
in(θm −ψ)+sinψ=λ/P  (3)であ
る。
【0016】ここでは、+1次回折光成分DP ,−1
次回折光成分Dm の両方が投影光学系18の瞳面19
を透過しているものとする。レチクルパターン17の微
細化に伴って回折角が増大すると先ず、角度θP +ψ
の方向に進行する+1次回折光成分DP が投影光学系
18の瞳面19を通過できなくなる。すなわちsin(
θP +ψ)>NAR の関係になってくる。しかし照
明光L71が光軸AXに対して傾いて入射しているため
、このときの回折角でも−1次回折光Dm は、投影光
学系18に入射可能となる。すなわちsin(θm −
ψ)<NAR の関係になる。
【0017】従って、ウェハ2上には0次回折光成分D
0 と−1次回折光成分Dm の2光束による干渉縞が
生じる。この干渉縞はレチクルパターン17の像であり
、レチクルパターン17が1:1のラインアンドスペー
スのとき、約90%のコントラストとなって、ウェハ2
0上に塗布されたレジストにレチクルパターン17の像
をパターニングすることが可能となる。
【0018】このときの解像限界は、 sin(θm −ψ)=NAR     (4)となる
ときであり、従って、 NAR +sinψ=λ/P P=λ/(NAR +sinψ)  (5)が転写可能
な最小パターンのレチクル側でのピッチである。
【0019】一例として今sinψを0.5×NAR 
程度に定めるとすれば、転写可能なレチクル上の最小ピ
ッチは、 P=λ/(NAR +0.5×NAR )=2λ/3N
AR                   (6)と
なる。
【0020】一方、図13に示す照明光の瞳面19上で
の分布が投影光学系18の光軸AXを中心とする円形領
域内である従来の露光装置の場合、解像限界は(1)式
に示したようにP≒λ/NAR であった。従って、従
来の露光装置より高い解像度が実現できることがわかる
。 次に、レチクルパターンに対して特定の入射方向と入射
角で露光光を照射して、0次回折光成分と1次回折光成
分とを用いてウェハ上に結像パターン形成方法によって
、焦点深度も大きくなる理由について説明する。
【0021】図12のようにウェハ20が投影光学系1
8の焦点位置に一致している場合には、レチクルパター
ン17中の1点を出てウェハ上の1点に達する各回折光
は、投影光学系18のどの部分を通るものであっても全
て等しい光路長を有する。このため従来のように0次回
折光成分が投影光学系18の瞳面19のほぼ中心(光軸
近傍)を貫通する場合でも、0次回折光成分とその他の
回折光成分とで光路長は相等しく、相互の波面収差も零
である。しかし、ウェハ20が投影光学系18の焦点位
置に一致していないデフォーカス状態の場合、斜めに入
射する高次の回折光の光路長は光軸近傍を通る0次回折
光に対して焦点前方(投影光学系18から遠ざかる方)
では短く、焦点後方(投影光学系18に近づく方)では
長くなり、その差は入射角の差に応じたものとなる。従
って、0次、1次、…の各回折光は相互に波面収差を形
成して焦点位置の前後におけるボケを生じることとなる
【0022】前述のデフォーカスによる波面収差は、ウ
ェハ20の焦点位置からのずれ量をΔF、各回折光がウ
ェハ20に入射するときの入射角θw の正弦をr(r
=sinθw )とすると、ΔFr2 /2で与えられ
る量である(このときrは各回折光の瞳面19での光軸
AXからの距離を表す。)。従来の図13に示した投影
型露光装置では、0次回折光成分D0 は光軸AXの近
傍を通るので、r(0次)=0となり、一方、±1次回
折光成分DP ,Dm は、r(1次)=Mλ/Pとな
る(Mは投影光学系の倍率)。従って、0次回折光成分
D0 と±1次回折光成分DP ,Dm のデフォーカ
スによる波面収差は、ΔF・M2 (λ/P)2 /2
となる。
【0023】一方、本発明における投影型露光装置では
、図12に示すように0次回折光成分D0 は、光軸A
Xから角度ψだけ傾いた方向に発生するから、瞳面19
における0次回折光成分D0 の光軸AXからの距離は
、r(0次)=Msinψである。  一方、−1次回
折光成分Dm の瞳面19における光軸AXからの距離
は、r(−1次)=Msin(θm −ψ)となる。こ
のとき、sinψ=sin(θm −ψ)となれば、0
次回折光成分D0 と−1次回折光成分Dm のデフォ
ーカスによる相対的な波面収差は零となり、ウェハ20
が焦点位置より光軸方向に若干ずれてもパターン17の
像ボケは従来程大きく生じないことになる。即ち、焦点
深度が増大することになる。
【0024】また、(3)式のようにsin(θm −
ψ)+sinψ=λ/Pであるから、照明光束L71の
レチクル16への入射角ψをピッチPのパターンに対し
て、sinψ=λ/2Pの関係にすれば、焦点深度を極
めて増大させることが可能である。ここでは、フライア
イレンズ11のレチクル側焦点面11b上の2次光源像
を、フライアイレンズ11の光源側焦点面11aに入射
する照明光束を制御することによって与えている。
【0025】
【実  施  例】以下、図面を参照して本発明の第1
の実施例を説明する。図1は、本発明の第1の実施例に
好適な投影型露光装置(ステッパー)の概略を示し、フ
ライアイレンズ11の光源側焦点面11a上に照明光を
集中させる光学部材(本発明のインプット光学系の一部
)として、回折格子状パターン5を設けるようにした。
【0026】水銀ランプ1より発生した照明光束は、楕
円鏡2の第2焦点f0 に集光した後、ミラー3、リレ
ー系等のレンズ系4を介して回折格子状パターン5に照
射される。このときの照明方法は、ケーラー照明法であ
っても、クリチカル照明法であっても良いが、強い光量
を得るためにはクリチカル照明法の方が望ましい。回折
格子状パターン5から発生した回折光は、リレーレンズ
9によりフライアイレンズ11の光源側焦点面11a(
入射面)の光軸AXから偏心した位置に集中して入射す
る。ここでは0次,±1次の回折光が発生しているもの
とする。このとき、フライアイレンズ11の光源側焦点
面11aと、回折格子状パターン5とは、リレーレンズ
9を介してほぼフーリエ変換の関係となっている。尚、
図1では回折格子状パターン5への照明光は平行光束と
して図示したが、実際は発散光束となっているため、フ
ライアイレンズ11の光源側焦点面11aへの入射光束
はある大きさ(太さ)を持っている。従って、光源側焦
点面11aへの入射光束に応じたフライアイレンズ11
のレチクル側焦点面11bからの射出光束もある大きさ
をもっている。
【0027】一方、フライアイレンズ11のレチクル側
焦点面11bは、レチクルパターン17のフーリエ変換
面(瞳共役面)とほぼ一致する様に配置されている。ま
た、図1に示したフライアイレンズ11の各レンズエレ
メントは両凸レンズとし、且つ光源側焦点面11aと入
射面、レチクル側焦点面11bと射出面が夫々一致する
場合の例であったが、フライアイのレンズエレメントは
この関係を厳密に満たさなくても良く、また平凸レンズ
や、凸平レンズ、あるいは平凹レンズであっても良い。
【0028】尚、フライアイレンズ11の光源側焦点面
11aと、レチクル側焦点面11bとは、当然ながらフ
ーリエ変換の関係である。従って図1の例の場合、フラ
イアイレンズ11のレチクル側焦点面11b、即ちフラ
イアイレンズ射出面は、回折格子状パターン5と結像関
係(共役)になっている。さて、フライアイレンズ11
のレチクル側焦点面11bより射出される光束は、コン
デンサーレンズ13、15、ミラー14を介してレチク
ル16を均一な照度分布で照明する。本実施例では、フ
ライアイレンズ11のレチクル側焦点面11b(射出側
)近傍に回折格子状パターン5からの±1次回折光に合
わせて2つの開口部をくり抜かれた金属板等からなる遮
光部材12を配置し、回折格子状パターン5からの0次
回折光等をカットする。このため、レチクルパターン1
7に照明される照明光は、フライアイレンズ11のレチ
クル側焦点面11b上で光軸AXから偏心した位置に2
つの2次光源像を持つものに制限される。フライアイレ
ンズの11の光源側焦点面11a上に照明光を集中させ
る光学部材として回折格子状パターン5を用いているた
め、光軸AXについて対称な2つの2次光源像が形成さ
れる。従ってレチクルパターン17に照明される照明光
は、レチクルパターン17への入射角が特定の入射角を
持つ光束のみに制限される。また前述の如く、フライア
イレンズ11のレチクル側焦点面11bには回折格子状
パターン5の像ができているが、レチクル側焦点面11
bとレチクルパターン面17とはフーリエ変換面の関係
となっているため、回折格子状パターン5そのものがレ
チクル16に結像して照度均一性を劣化させることもな
く、さらに回折格子状パターン5の欠陥や、ゴミ等によ
り不均一化されることがない。回折格子状パターン5は
、透過性の基板、例えばガラス基板の表面にCr等の遮
光膜がパターニングされたものであっても良いし、Si
O2 等の誘電体膜がパターニングされた、所謂位相グ
レーティングであっても良い。位相グレーテイングの場
合、0次回折光の発生を押さえることができ、空間フィ
ルター12を省略することができるとともに光量損失が
少ないといった利点がある。
【0029】尚、空間フィルター12はフライアイレン
ズ11の射出面側であるフライアイレンズ11の光源側
焦点面11b近傍に設けたが、入射面側であるレチクル
側焦点面11aに設けるようにしてもよい。こうして照
明されたレチクル16上のレチクルパターン17から発
生した回折光は、図12で説明したのと同様にテレセン
トリックな投影光学系18により集光、結像され、ウェ
ハ20上にレチクルパターン17の像が転写される。
【0030】また、回折格子状パターン5は透過性のパ
ターンのみでなく、反射性のパターンであっても良い。 例えばガラス等の平面反射鏡の表面に、高反射率膜、即
ちAl等の金属膜や、誘電体多層膜をパターニングした
ものでも良く、また、反射光に位相差を与えるための段
差が回折格子状にパターニングされた高反射率鏡であっ
ても良い。
【0031】回折格子状パターン5が反射性のものであ
る場合には、図2に示すように、反射性回折格子状パタ
ーン5aに、リレーレンズ4からの照明光束を照射し、
そこで反射及び回折された回折光をリレーレンズ9を介
して、フライアイレンズ11に入射させればよい。この
とき、レチクル16上のレチクルパターン17に入射す
る照明光束(複数)の入射方向,入射角は、レチクルパ
ターン17に応じて定められ、回折格子状パターン5、
5aの方向性、及びピッチを変更することにより、任意
に調整することが可能である。例えば、回折格子状パタ
ーン5、5aをピッチの異なるものに交換することによ
り、フライアイレンズ11の光源側焦点面11aに入射
する照明光を可変とでき、フライアイレンズ11のレチ
クル側焦点面11bでの光軸AXからの2次光源像の距
離を可変とできる。従って、レチクル16上のレチクル
パターン17への照明光の入射角を可変とすることがで
きる。また回折格子状パターン5、5aを光軸AXと垂
直な面内で任意の方向に回転可能(例えば90°回転可
能)とすると、レチクルパターン17中のラインアンド
スペースのパターンピッチ方向がx,y方向と異なる場
合にも対応できる。また、リレーレンズ9を複数枚のレ
ンズよりなるズームレンズ系(アフォーカルズームエキ
スパンダ等)とし、焦点距離を変えることにより集光位
置を変えることもできる。ただし、このときは回折格子
状パターン5又は5aと、フライアイレンズ11の光源
側焦点面11aとがほぼフーリエ変換の関係になること
をくずさないようにする。
【0032】以上述べたようなフライアイレンズの11
の光源側焦点面11a上に照明光を集中させる光学部材
は、回折格子状パターン5又は5aに限定されない。図
3に示すように、前述の図2に示した、反射性の回折格
子状パターン5aの代わりに可動平面鏡30を配置し、
且つ、平面鏡30を回転可能ならしめるモータ等の駆動
部材30aを設ける。そして駆動部材30aにより平面
鏡30を回転又は振動させ、フライアイレンズ11の光
源側焦点面11aに照明光を入射させれば、フライアイ
レンズ11のレチクル側焦点面11bの2次光源像を時
間によって変更することができる。露光動作中に平面鏡
30を適当な複数の角度位置に回動させれば、フライア
イレンズ11のレチクル側焦点面11bの2次光源像を
任意の形状にすることができる。尚、このような可動反
射鏡30を使う場合はリレーレンズ系9は省略してしま
っても良い。ところで、図3中に示した空間フィルター
12はフライアイレンズ11の入射面側に設けたが、図
1と同様に射出面側に設けてもよい。
【0033】図4は、フライアイレンズの11の光源側
焦点面11a上に照明光を集中させる光学部材として、
光ファイバー束7を用いた場合の略図である。リレーレ
ン4より光源側、及びフライアイレンズ11よりレチク
ル側は図1と同じ構成であるとする。光源から発生し、
リレーレンズ4を透過した照明光は、光ファイバー束7
へ入射部7aに所定の開口数(NA)に調整されて入射
する。光ファイバー束7は射出部7bに至る間に、複数
の束に分割され、夫々の射出部7bは、フライアイレン
ズ光源側焦点面11a近傍でレチクルパターン17に応
じた位置に配置される。従って、光ファイバー束7を用
いても、前述の回折格子状パターン5と同様にフライア
イレンズ光源側焦点面11a近傍に任意の照明光量分布
を形成することができる。
【0034】またこのとき、光ファイバー束7の各射出
部7bとフライアイレンズ11の間に、夫々レンズ(例
えばフィールドレンズ)を設けても良いし、また、その
レンズによりフライアイレンズ光源側焦点面11aと光
ファイバー射出部7bの光射出面とをフーリエ変換の関
係としても良い。また、各射出部7b(又は射出部7b
とフライアイレンズ11との間のレンズ)を、モータ等
の駆動部材により、光軸と垂直な面内で一次元,又は二
次元に可動とすれば、フライアイレンズ光源側焦点面1
1aに入射する照明光を可変とすることができ、フライ
アイレンズレチクル側焦点面11bでの2次光源像を可
変とすることができる。
【0035】図5は、フライアイレンズの11の光源側
焦点面11a上に照明光を集中させる光学部材として、
複数の屈折面を有するプリズム8を用いた例である。図
5中のプリズム8は光軸AXを境界として2つの屈折面
に分割されており、光軸AXより上方に入射した照明光
は上方へ屈折し、光軸AXより下方に入射した照明光は
下方へ屈折させる。従って、フライアイレンズ11の光
源側焦点面11aにプリズム8の屈折角に応じて、照明
光束を入射させることができる。プリズム8の屈折面の
分割数は2面に限ったものではなく、光源側焦点面11
a上での所望の光量分布に応じて、何面に分割されてい
ても良い。また、分割される位置は光軸AXと対称な位
置にこだわらなくとも良い。
【0036】プリズム8を交換することにより、フライ
アイレンズ光源側焦点面11に入射する照明光束の入射
位置を可変とすることができる。またこのときのプリズ
ム8はウォラストンプリズム等の偏光性の光分割器であ
っても良い。ただし、この場合は、分割された光束同志
の偏光方向が異なるため、ウェハ20のレジストの偏光
特性を考慮して、その偏光特性は一方向に揃えた方がよ
い。また、プリズム8の代わりに複数の角度の異なる反
射面を持つ反射鏡を使用し、図3のように配置すれば、
駆動部材30aは不要となる。装置内にこのプリズム等
の交換機能を有していると良いことは言うまでもない。 また、このようなプリズム等を使う場合もリレーレンズ
系9を省略してしまっても良い。
【0037】図6は、フライアイレンズの11の光源側
焦点面11a上に照明光を集中させる光学部材として、
複数のミラー8a,8b,8c,8dを用いた例である
。リレーレンズ系4を透過した照明光は1次ミラー8b
,8cにより2方向に分離されるように反射され、2次
ミラー8a,8dに導かれ、再び反射してフライアイレ
ンズ11の光源側焦点面11aに達する。各ミラー8a
,8b,8c,8dに位置調整機構及び光軸AXの回り
の回転角度調整機構を設けておけば、この機構によりフ
ライアイレンズ11の光源側焦点面11aでの照明光量
分布を任意に可変とすることができる。また各ミラー8
a,8b,8c,8dは、平面ミラーであっても凸面、
或いは凹面ミラーであっても良い。また図6に示すとお
り、ミラーに1度も反射されずに、リレーレンズ4から
直接フライアイレンズ11に入射する光束があっても良
い。
【0038】また、2次ミラー8a,8dとフライアイ
レンズ11の夫々の間に、レンズを設けても良い。図6
では1次ミラー8b,8c、2次ミラー8a,8d共に
2個ずつとしたが、数量はこれに限定されるものではな
く、レチクルパターン17に応じた光源側焦点面11a
に入射する所望の照明光に応じて適宜ミラーを配置すれ
ばよい。また、必要に応じて全てのミラーを、照明光束
がミラーに当たらない位置まで、退避させる構成である
ものとする。
【0039】また、フライアイレンズの11の光源側焦
点面11a上に照明光を集中させる光学部材は、前述の
図12の如く、フライアイレンズ光源側点面11a近傍
に設けられた、空間フィルター10に置換してもよいし
、図1から図6に示される各実施例と、図7に示した空
間フィルター10を組み合わせて使用しても良い。この
とき、空間フィルター10の開口部は1つでなくレチク
ルパターン17に応じた任意の数で良い。
【0040】図7は本発明の他の実施例による、投影型
露光装置の構成を示す図であって、ミラー14、コンデ
ンサーレンズ15、レチクル16、投影光学系18は図
1と同様である。またフライアイレンズ11より光源側
は前述の図1から図6、或いは図12に示した実施例の
何れかとなっている。フライアイレンズ11のレチクル
側焦点面11b近傍に任意の開口部(透過部、またはさ
らに半透過部)を有する空間フィルター12aが設けら
れフライアイレンズ11から射出される照明光束を制限
する。
【0041】リレーレンズ13aに対するフライアイレ
ンズ11のレチクル側焦点面11bのフーリエ変換面は
レチクルパターン17と共役面となるので、ここに可変
視野絞り(レチクルブラインド)13dを設ける。そし
て再びリレーレンズ13bによりフーリエ変換され、フ
ライアイレンズ11のレチクル側焦点面11bの共役面
(フーリエ面)12bに到る。先の空間フィルター12
aはフーリエ面12bに設けても良い。フライアイレン
ズ11からの照明光束は、さらにコンデンサーレンズ1
3c,15、ミラー14によってレチクル16に導かれ
る。尚、フライアイレンズの11の光源側焦点面11a
上でレチクルパターン17に応じてきまる量だけ光軸か
ら偏心した位置に照明光を集中させる系であれば、空間
フィルターを光学部材12a又は12bの位置に設けな
くても全く問題ない。この場合でも、視野絞り(レチク
ルブラインド)13dの使用が可能である。
【0042】又、前述のフライアイレンズの11の光源
側焦点面11a上に照明光を集中させる光学部材からの
照明光は複数である例を示したが、1本の光束を光軸A
Xから所定量偏心した位置に入射させてもよく、例えば
図4のファイバー7の射出部を1つとして、フライアイ
レンズの11の光源側焦点面11a上に入射する光束を
1本としてもよい。
【0043】上記いずれの実施例においても、空間フィ
ルター10,12,12aの開口部1つあたりの径は、
その開口部を透過する照明光束のレチクル16に対する
開口数と投影光学系18のレチクル側開口数(NAR 
)との比、所謂σ値が0.1〜0.3程度になるように
設定することが望ましい。σ値が0.1より小さいと、
転写像のパターン忠実度が劣化し、0.3より大きいと
解像度向上や、焦点深度増大の効果が弱くなってしまう
【0044】また、フライアイレンズ11の光源側焦点
面11aに入射する照明光束の1つよって決まるσ値の
条件を満たすために、フライアイレンズ11のレチクル
側焦点面11b近傍の空間フィルター12aの代わりに
、前述のフライアイレンズ光源側焦点面11aに照明光
を集中させ、焦点面11a近傍での光量分布を可変とす
る光学部材にσ値可変の機能を持たせても良い。例えば
、フライアイレンズ光源側焦点面11aに空間フィルタ
ー12を配置し、その開口の径により一光束あたりのσ
値を決定しても良い。それと合わせて、投影光学系18
内の瞳(入射瞳もしくは射出瞳)19近傍に可変開口絞
り(NA制限絞り)を設けて投影系としてのNAやσ値
をより最適化することも出来る。また、空間フィルター
12aには、フライアイレンズの11の光源側焦点面1
1a上に照明光を集中させる光学部材より発生する光束
のうち、不必要な光束を遮光する効果もある。また特定
の光束については開口部の透過率を下げ、ウェハへ到達
する光量を減じる効果もある。
【0045】また、レチクル16を照明する光束(1本
、又は複数本)は、投影光学系18の光軸AXに対して
傾いてレチクル16に入射する。このとき、これらの照
明光束の光量重心方向が、光軸AXに対して傾いている
と、ウェハ20の微小なデフォーカス時に、転写像の位
置がウェハ面内方向にシフトするという問題が発生する
。これを防止するために、フライアイレンズ11の光源
側焦点面11a上に分布する照明光束の光量重心の方向
はレチクルパターン17と垂直すなわち光軸AXと平行
となるようにする。例えばフライアイレンズの11の光
源側焦点面11a上に照明光を集中させる光学部材とし
て空間フィルター10を用いる場合には、開口部の位置
(開口部が作る光量分布の重心の光軸AXからのフーリ
エ変換面内での位置ベクトル)と、透過光量との積のベ
クトル和(積分)が零になるようにする。フライアイレ
ンズの11の光源側焦点面11a上に照明光を集中させ
る光学部材として他の部材を使用する場合も同様であり
、フライアイレンズ11の光源側焦点面11a内にて、
各開口部の光軸AXからのフーリエ変換面内での位置ベ
クトルと、照明光量との積のベクトル和(積分)がほぼ
零となるようにすればよい。尚、フライアイレンズの1
1の光源側焦点面11a上に照明光を集中させる光学部
材として回折格子状パターン5を使用すると、この条件
は自動的に満たされる。上記照明光量分布の具体例とし
ては、光束を2m(mは自然数)本として、そのうちの
m本の位置は任意とし、残るm本の位置は先のm本と、
夫々光軸AXについて対称となるようにすれば良い。
【0046】フライアイレンズ11の光源側焦点面11
aでの照明光束(1本又は複数本)の入射位置(フライ
アイレンズ11の光源側焦点面11bでの2次光源像の
位置)は、転写すべきレチクルパターンに応じて決定(
変更)するのが良い。この場合の位置決定方法は作用の
項で述べたとおり、フライアイレンズ11からの照明光
束が転写すべきパターンの微細度(ピッチ)に対して最
適な解像度、及び焦点深度の向上効果を得られるように
レチクルパターンに入射する位置(入射角ψ)とすれば
よい。
【0047】次に2次光源像の位置決定の具体例を、図
8、図9(A)、(B)、(C)、(D)を用いて説明
する。図8はフライアイレンズ11のレチクル側焦点面
11bからレチクルパターン17までの部分を模式的に
表わす図であり、フライアイレンズ11のレチクル側焦
点面11bが、レチクルパターン17のフーリエ変換面
12cと一致している。またこのとき両者をフーリエ変
換の関係とならしめるレンズ、またはレンズ群を、一枚
のレンズ15として表わしてある。さらに、レンズ15
のフライアイレンズ側主点からフライアイレンズ群11
のレチクル側焦点面11bまでの距離と、レンズ15の
レチクル側主点からレチクルパターン17までの距離は
共にfであるとする。
【0048】図9(A)、(C)は共にレチクルパター
ン17中に形成される一部分のパターンの例を表わす図
であり、図9(B)は図9(A)のレチクルパターンの
場合に最適な2次光源像のレチクルパターン17のフー
リエ変換面(又は投影光学系の瞳面)での位置を示し、
図9(D)は図9(C)のレチクルパターンの場合に最
適な2次光源像の位置(最適な2次光源像の中心位置)
を表わす図である。図9(A)は、いわゆる1次元ライ
ンアンドスペースパターンであって、透過部と遮光部が
等しい幅でY方向に帯状に並び、それらがX方向にピッ
チPで規則的に並んでいる。このとき、1つの2次光源
像の中心位置(1つの2次光源像が作る光量分布の重心
の最適位置)は図9(B)に示すようにフーリエ変換面
内に仮定したY方向の線分Lα上、または線分Lβ上の
任意の位置となる。図9(B)はレチクルパターン17
に対するフーリエ変換面12c(11b)を光軸AX方
向から見た図であり、かつ、面12c内の座標系X,Y
は、同一方向からレチクルパターン17を見た図9(A
)と同一にしてある。さて、図9(B)において光軸A
Xが通る中心Cから、各線分Lα、Lβまでの距離α、
βはα=βであり、λを露光波長としたとき、α=β=
f・(1/2)・(λ/P)に等しい。この距離α,β
をf・sinψと表わせれば、sinψ=λ/2Pであ
り、これは作用の項で述べた数値と一致している。従っ
て複数の2次光源像を配置する場合、各2次光源像の各
中心(各2次光源像の光量分布の各重心)位置が線分L
α、Lβ上にあれば図9(A)に示す如きラインアンド
スペースパターンに対して、各2次光源像からの照明光
により発生する0次回折光と±1次回折光のうちのどち
らか一方との2つの回折光は、投影光学系瞳面19にお
いて光軸AXからほぼ等距離となる位置を通る。従って
前述の如く、ラインアンドスペースパターン(図11(
A))に対する焦点深度を最大とすることができ、かつ
高解像度を得ることができる。尚、ウェハ20のデフォ
ーカスに伴う位置ずれ等を無視するならば線分Lα、L
β上に形成する2次光源像は1つでもよい。
【0049】次に図9(C)は、レチクルパターンがい
わゆる孤立スペースパターンである場合であり、かつ、
パターンのX方向(横方向)ピッチがPx、Y方向(縦
方向)ピッチがPyとなっている。図9(D)はこの場
合の2次光源像の最適位置を表わす図であり、図9(C
)との位置、回転関係は図9(A),(B)の関係と同
じである。図9(C)の如き、2次元パターンに照明光
が入射するとパターンの2次元方向の周期性(X:Px
、Y:Py)に応じた2次元方向に回折光が発生する。 図9(C)の如き2次元パターンにおいても回折光中の
0次回折光と±1次回折光のうちのいずれか一方とが投
影光学系瞳面19において光軸AXからほぼ等距離とな
るようにすれば、焦点深度を最大とすることができる。 図9(C)のパターンではX方向のピッチはPxである
から図9(D)に示す如く、α=β=f・(1/2)・
(λ/Px)となる線分Lα、Lβ上に各2次光源像の
各中心があれば、パターンのX方向成分について焦点深
度を最大とすることができる。同様に、γ=ε=f・(
1/2)・(λ/Py)となる線分Lγ、Lε上に各2
次光源像の各中心があれば、パターンY方向成分につい
て焦点深度を最大とすることができる。
【0050】以上、図9(B)、又は(D)に示した各
位置に形成された2次光源像に対応する照明光束がレチ
クルパターン17に入射すると、0次光回折光成分D0
 と、+1次回折光成分DR または−1次回折光成分
Dm のいずれか一方とが、投影光学系18内の瞳面1
9では光軸AXから等距離となる光路を通る。従って作
用の項で述べたとおり、高解像及び大焦点深度の投影型
露光装置が実現できる。以上、レチクルパターン17と
して図9(A)、又は(B)に示した2例のみを考えた
が、他のパターンであってもその周期性(微細度)に着
目し、そのパターンからの+1次回折光成分または−1
次回折光成分のいずれか一方と0次回折光成分との2光
束が、投影光学系内の瞳面19では光軸AXからほぼ等
距離になる光路を通る様な位置に各光量分布を設定すれ
ばよい。また図9(A)、(C)のパターン例は、ライ
ン部とスペース部の比(デューティ比)が1:1のパタ
ーンであった為、発生する回折光中では±1次回折光が
強くなる。このため、±1次回折光のうちの一方と0次
回折光との位置関係に着目したが、パターンがデューテ
ィ比1:1から異なる場合等では他の回折光、例えば±
2次回折光のうちの一方と0次回折光との位置関係が、
投影光学系瞳面19において光軸AXからほぼ等距離と
なるようにしてもよい。
【0051】また、レチクルパターン17が図9(D)
の如く2次元の周期性パターンを含む場合、特定の1つ
の0次回折光成分に着目したとき、投影光学系の瞳面1
9上ではその1つの0次回折光成分を中心としてX方向
(第1方向)に分布する1次以上の高次回折光成分と、
Y方向(第2方向)に分布する1次以上の高次回折光成
分とが存在し得る。そこで、特定の1つの0次回折光成
分に対して2次元のパターンの結像を良好に行うものと
すると、第1方向に分布する高次回折光成分の1つと、
第2方向に分布する高次回折光成分の1つと、特定の0
次回折光成分との3つが、瞳面19上で光軸AXからほ
ぼ等距離に分布するように、特定の0次回折光成分の位
置を調節すればよい。例えば、図9(D)中でフライア
イレンズ中心位置を点Pζ、Pη、Pκ、Pμのいずれ
かと一致させるとよい。点Pζ、Pη、Pκ、Pμはい
ずれも線分LαまたはLβ(X方向の周期性について最
適な位置、すなわち0次回折光とX方向の±1次回折光
の一方とが投影光学系瞳面19上で光軸からほぼ等距離
となる位置)及び線分Lγ、Lε(Y方向の周期性につ
いて最適な位置)の交点であるためX方向、Y方向のい
ずれのパターン方向についても最適な光源位置である。
【0052】なお、以上において2次元パターンとして
レチクル上の同一箇所に2次元の方向性を有するパター
ンを仮定したが、同一レチクルパターン中の異なる位置
に異なる方向性を有する複数のパターンが存在する場合
にも上記の方法を適用することが出来る。レチクル上の
パターンが複数の方向性又は微細度を有している場合、
2次光源像の最適位置は、上述の様にパターンの各方向
性及び微細度に対応したものとなるが、或いは各最適位
置の平均位置に2次光源像を配置してもよい。また、こ
の平均位置は、パターンの微細度や重要度に応じた重み
を加味した荷重平均としてもよい。
【0053】以上の実施例に於て、光源は水銀ランプ1
を用いて説明したが、他の輝線ランプやレーザー(エキ
シマ等)、あるいは連続スペクトルの光源であっても良
い。また照明光学系中の光学部材の大部分をレンズとし
たが、ミラー(凹面鏡、凸面鏡)であっても良い。投影
光学系としては屈折系であっても、反射系であっても、
あるいは反射屈折系であってもよい。また実施例として
両側テレセントリック系を使用したが片側テレセントリ
ック系でも、非テレセントリック系でもよい。
【0054】また、光源から発生する照明光のうち、特
定の波長の光のみを利用する為に、照明光学系中に干渉
フィルター等の単色化手段を設けてもよい。また、フラ
イアイレンズ11の光源側焦点面11a近傍に、拡散板
や光ファイバー束等の光散乱部材を用いることで、照明
光の均一化を行なっても良い。あるいは本発明の実施例
で使用されたフライアイレンズ11とは別に、さらにフ
ライアイレンズ(以後、別フライアイレンズ)等のオプ
チカルインテグレーターを用いて、照明光の均一化を行
なっても良い。このとき別フライアイレンズは、上記フ
ライアイレンズ11の光源側焦点面11a近傍での照明
光量分布を可変とする光学部材、例えば図1,図2に示
した回折格子状パターン5、又は5aよりも光源(ラン
プ)1側であることが望ましい。
【0055】さらに別フライアイレンズのレンズエレメ
ントの断面形状は正方形(矩形)よりも正六角形にする
のが望ましい。図10は本発明の各実施例に適用される
投影露光装置のウェハステージ周りの構成を示し、投影
光学系18のウェハ20上での投影視野領域内に向けて
斜めにビーム100Aを照射し、その反射ビーム100
Bを受光する斜入射式のオートフォーカスセンサーを設
ける。このフォーカスセンサーは、ウェハ20の表面と
投影光学系18の最良結像面との光軸AX方向のずれを
検出するもので、そのずれが零となるように、ウェハ2
0を載置するZステージ110のモータ112をサーボ
制御する。これによってZステージ110はXYステー
ジ114に対して上下方向(光軸方向)に微動し、常に
ベストフォーカス状態で露光が行なわれる。このような
フォーカス制御が可能な露光装置においては、そのZス
テージ110を露光動作中に光軸方向に制御された速度
特性で移動させることで、さらに見かけ上の焦点深度を
拡大させることができる。この手法は、投影光学系18
の像側(ウェハ側)がテレセントリックであれば、どの
ようなタイプのステッパーでも実現可能である。
【0056】図11(A)は、Zステージ110の露光
中の移動に伴ってレジスト層内に得られる光軸方向の光
量(dose)分布、或いは存在確率を表し、図11(
B)は図11(A)のような分布を得るためのZステー
ジ110の速度特性を表す。図11(A)、(B)とも
縦軸はZ(光軸)方向のウェハ位置を表し、図11(A
)の横軸は存在確率を表し,図11(B)の横軸はZス
テージ110の速度Vを表す。また同図中、位置Z0 
はベストフォーカス位置である。
【0057】ここでは位置Z0 から上下に投影光学系
18の理論的な焦点深度±ΔD0 fだけ離れた2つの
位置+Z1 ,−Z1 で存在確率をほぼ等しい極大値
にし、その間の位置+Z3 〜−Z3 の範囲では存在
確率を小さな値に押さえるようにした。そのために、Z
ステージ110は、照明系内部のシャッターの開放開始
時の位置−Z2 で、低い速度V1 で等速に上下へ移
動し、シャッターが全開になった直後に、高い速度V2
 まで加速する。速度V2 でZステージ110が等速
に上下移動している間、存在確率は低い値に押されられ
、位置+Z3 に達した時点でZステージ110は低い
速度V1 に向けて減速を始め、位置+Z1 で存在確
率が極大値になる。このときほぼ同時にシャッターの閉
成指令が出力され、位置+Z2 でシャッターが完全に
閉じる。
【0058】このように、ウェハ20のレジスト層に与
えられる露光量の光軸方向に関する光量分布(存在確率
)を焦点深度の幅(2・ΔD0 f)程度だけ離れた2
点で極大値となるように、Zステージ110の速度を制
御すると、レジスト層に形成されるパターンのコントラ
ストは若干低下するものの、光軸方向の広い範囲に渡っ
て一様な解像力が得られる。
【0059】以上の累進焦点露光方法は、本発明の各実
施例に示したような特別な照明方式を採用した投影露光
装置でも全く同じように使用することができ、見かけ上
の焦点深度は、本発明の照明方式によって得られる拡大
分と、累積焦点露光方式によって得られる拡大分とのほ
ぼ積に応じた量だけ拡大される。しかも特別な照明方式
を採用していることから、解像力そのものも高くなる。 例えば、従来の1/5縮小のi線ステッパー(投影レン
ズのNA0.42)に位相シフトレチクルを組み合わせ
て露光できる最小線幅は0.3〜0.35μm程度であ
り、焦点深度の拡大率は最大40%程度である。これに
対して本発明のような特別な照明方式を同じi線ステッ
パーに組み込んで、普通のレチクルで実験したところ、
最小線幅は0.25〜0.3μm程度が得られ、焦点深
度の拡大率も位相シフトレチクルの使用時と同程度に得
られた。
【0060】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、回折格子
状パターンや光ファイバー等のフライアイレンズの11
の光源側焦点面11a上に照明光を集中させる光学部材
により、フライアイレンズ光源側焦点面近傍に入射する
照明光束を可変とすることによりフライアイレンズのレ
チクル側焦点面、即ち、レチクルパターンのフーリエ変
換面での2次光源像を可変とできる。従って、レチクル
パターンに対する照明光の入射角をレチクルパターンに
応じて可変とでき、従来のレチクルを使用して、高い解
像度と、深い焦点深度が得られる投影型露光装置を実現
できる。またフライアイレンズの11の光源側焦点面1
1a上に照明光を集中させる光学部材はフライアイレン
ズより光源側に配置される為レチクル上の照度ムラ等の
性能には影響を与えないという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による投影型露光装置の
構成を示す図である。
【図2】照明光量分布を作成するための光学部材の第1
の変形例を示す図である。
【図3】照明光量分布を作成するための光学部材の第1
の変形例を示す図である。
【図4】照明光量分布を作成するための光学部材の第1
の変形例を示す図である。
【図5】照明光量分布を作成するための光学部材の第1
の変形例を示す図である。
【図6】照明光量分布を作成するための光学部材の第1
の変形例を示す図である。
【図7】図1の装置にレチクルブラインドを組み込んだ
ときの照明系を示す図である。
【図8】フライアイレンズ群から投影光学系までの光路
を模式的に表した図である。
【図9】(A)、(C)はマスク上に形成されたレチク
ルパターンの一例を示す平面図である。(B)、(D)
は(A)、(C)の夫々に対応した瞳共役面における各
フライアイレンズ群の配置を説明する図である。
【図10】投影型露光装置のウェハステージ回りの構成
を示す図である。
【図11】ウェハステージのうちのZステージを用いて
累進焦点露光方法を実行する際の露光量の存在確率と、
Zステージの速度特性とを示すグラフである。
【図12】本発明の原理を説明する図である。
【図13】従来の投影型露光装置の構成を示す図である
【符号の説明】
5  回折格子状パターン(光学部材)9  レンズ系 10,12,12a  空間フィルター15  主コン
デンサーレンズ 16  レチクル 17  レチクルパターン 18  投影光学系 19  瞳 20  ウェハ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  光源からの照明光をほぼ均一な強度分
    布に成形するとともに、該均一な照明光を周期性のパタ
    ーン部分を有するマスクに照射する照明光学系と、前記
    マスクのパターンの像を感光基板に結像投影する投影光
    学系と、前記感光基板の表面を前記投影光学系の結像面
    近傍に配置するように前記感光基板を保持するステージ
    とを備えた投影型露光装置において、前記照明光学系の
    光路中で、前記マスクパターンのフーリエ変換相当面も
    しくはその共役位置近傍に、2次光源像を形成するフラ
    イアイレンズと;前記光源と前記フライアイレンズの間
    に設けられ、前記光源からの光束を前記フライアイレン
    ズの前記光源側焦点面近傍へ入射し、前記マスク上のパ
    ターン周期に応じて決まる量だけ、前記照明光学系、も
    しくは前記投影光学系の光軸に対して偏心した離散的な
    位置に2次光源像を形成するインプット光学系とを備え
    たことを特徴とする投影型露光装置。
  2. 【請求項2】  前記インプット光学系は、前記2次光
    源像を2m(ただしm≧1)個形成するとともに、該2
    m個の2次光源像のうちm個の2次光源像を、前記マス
    クのパターンから発生する0次回折光成分と、該0次回
    折光成分に対して前記パターンの微細度に応じた角度で
    広がる±1次回折光成分のうちの少なくとも一方とが、
    前記投影光学系の瞳面で前記光軸からほぼ等距離に分布
    するように、前記フーリエ変換相当面、あるいはその共
    役面内で偏心した位置に形成し、残りのm個の2次光源
    像を先のm個の2次光源像と前記光軸を挟んでほぼ対称
    に形成することを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】  前記インプット光学系は、前記フライ
    アイレンズからの照明光の照射によって前記マスクから
    発生する回折光に着目したとき、前記投影光学系の瞳面
    上に分布する0次回折光成分と、前記マスクのパターン
    の2次元的な周期構造に依存して前記0次回折光成分を
    中心に前記瞳面上で第1方向に分布する1次以上の高次
    回折光成分の1つと、前記瞳面上で前記0次回折光成分
    を中心に前記第1方向と交差する第2方向に分布する1
    次以上の高次回折光成分の1つとの3つの回折光成分が
    、前記瞳面上で前記光軸からほぼ等距離に分布するよう
    に、前記2次光源像を前記光軸から偏心した位置に形成
    することを特徴とする請求項1に記載の装置
JP2408095A 1990-08-21 1990-12-27 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 Expired - Lifetime JP3049776B2 (ja)

Priority Applications (15)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2408095A JP3049776B2 (ja) 1990-12-27 1990-12-27 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
EP91310550A EP0486316B1 (en) 1990-11-15 1991-11-15 Projection exposure method and apparatus
EP99203179A EP0967524A3 (en) 1990-11-15 1991-11-15 Projection exposure method and apparatus
DE69132120T DE69132120T2 (de) 1990-11-15 1991-11-15 Verfahren und Vorrichtung zur Projektionsbelichtung
US08/376,676 US7656504B1 (en) 1990-08-21 1995-01-20 Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
US08/488,409 US6252647B1 (en) 1990-11-15 1995-06-07 Projection exposure apparatus
US08/472,930 US6211944B1 (en) 1990-08-21 1995-06-07 Projection exposure method and apparatus
US09/960,952 US20020033936A1 (en) 1990-11-15 2001-09-25 Projection exposure method and apparatus
US10/073,937 US6704092B2 (en) 1990-11-15 2002-02-14 Projection exposure method and apparatus that produces an intensity distribution on a plane substantially conjugate to a projection optical system pupil plane
US10/195,421 US6665050B2 (en) 1990-11-15 2002-07-16 Projection exposure methods using difracted light with increased intensity portions spaced from the optical axis
US10/202,007 US6710855B2 (en) 1990-11-15 2002-07-25 Projection exposure apparatus and method
US10/679,151 US20040080733A1 (en) 1990-08-21 2003-10-06 Projection exposure method with luminous flux distribution
US10/759,604 US6885433B2 (en) 1990-11-15 2004-01-20 Projection exposure apparatus and method
US10/759,603 US6897942B2 (en) 1990-11-15 2004-01-20 Projection exposure apparatus and method
US10/759,598 US6967710B2 (en) 1990-11-15 2004-01-20 Projection exposure apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2408095A JP3049776B2 (ja) 1990-12-27 1990-12-27 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33753199A Division JP3209218B2 (ja) 1991-12-27 1999-11-29 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04225359A true JPH04225359A (ja) 1992-08-14
JP3049776B2 JP3049776B2 (ja) 2000-06-05

Family

ID=18517591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2408095A Expired - Lifetime JP3049776B2 (ja) 1990-08-21 1990-12-27 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3049776B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0744664A2 (en) * 1995-05-24 1996-11-27 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US6084655A (en) * 1991-02-22 2000-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
US7050154B2 (en) 2000-03-30 2006-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system in exposure apparatus
CN113267961A (zh) * 2020-02-14 2021-08-17 佳能株式会社 决定方法、曝光装置、曝光方法、物品的制造方法以及存储介质

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6084655A (en) * 1991-02-22 2000-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
EP0744664A2 (en) * 1995-05-24 1996-11-27 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
EP0744664A3 (en) * 1995-05-24 1997-06-18 Svg Lithography Systems Inc Exposure apparatus for photolithography
US7050154B2 (en) 2000-03-30 2006-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system in exposure apparatus
CN113267961A (zh) * 2020-02-14 2021-08-17 佳能株式会社 决定方法、曝光装置、曝光方法、物品的制造方法以及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
JP3049776B2 (ja) 2000-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5467166A (en) Projection exposure method and apparatus
EP0783135B1 (en) Imaging-apparatus and method for manufacture of microdevices
JP3049774B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
US7126757B2 (en) Illumination apparatus, exposure apparatus using the same, and device fabricating method
JPH0567558A (ja) 露光方法
JPH05226227A (ja) 投影露光装置
JPWO2008007632A1 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP3084760B2 (ja) 露光方法及び露光装置
US7518707B2 (en) Exposure apparatus
JP3600869B2 (ja) 投影光学系及び該光学系を備えた投影露光装置
US20040022068A1 (en) Illumination optical system, exposure method and apparatus using the same
JP3049777B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3049775B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3209218B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JPH0684759A (ja) 照明装置
JP3303322B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2000311853A (ja) 露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法、及び露光装置
JP3049776B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3189009B2 (ja) 露光装置及び方法、並びに半導体素子の製造方法
JP3209220B2 (ja) 露光方法及び半導体素子の製造方法
JP3360319B2 (ja) 投影露光装置及び半導体素子の形成方法
JP3244076B2 (ja) 露光装置及び方法、並びに半導体素子の製造方法
JP3102086B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法
JPH05102003A (ja) 投影露光装置
JP2884848B2 (ja) 投影露光装置および回路パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110331

Year of fee payment: 11